CN112750854B - 显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种显示面板及显示装置，包括衬底基板；发光元件，发光元件位于衬底基板上；第一电极和第二电极，电连接于发光元件且均位于发光元件朝向衬底基板的一侧或均位于发光元件背离衬底基板的一侧，为发光元件提供电压信号；第一反射层，位于发光元件朝向衬底基板的一侧，且以垂直于衬底基板的方向为投影方向，第一反射层覆盖发光元件；电压信号线，位于发光元件朝向衬底基板的一侧；其中，第一电极包括第一延伸部、第二电极包括第二延伸部，第一延伸部和/或第二延伸部连接至电压信号线，第一延伸部与第二延伸部中的至少一者与第一反射层之间无交叠。本申请有利于第一电极与第二电极正常接收电压信号，且提升显示面板的出光效率。

Description

显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板以及包含该显示面板的显示装置。
背景技术
近年来，显示行业步入迅速发展的阶段，显示面板从液晶显示面板逐渐发展为自发光式的发光面板，如有机发光显示面板及微型二极管(micro LED)显示面板，自发光式的发光面板，因其结构简单、发光效率高、可弯曲化以及轻薄化等诸多优点，受到消费者的广泛青睐，尤其是micro LED显示面板，因其发光元件为微型LED，发光亮度较高，且功耗较低，逐渐成为业内研究的热点。
因micro LED出光是朝向各个方向均匀出光，而为了实现显示面板的高亮度，需要通过特殊的设计，将micro LED所发出的光线尽量朝向显示面板的出光侧汇聚，尽可能地增大显示面板的出光效率，基于此，如何设置合理的结构，在保证显示面板的正常功能的前提下，增大显示面板的出光效率，为本领域亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种显示面板及显示装置，用以通过设置合理的反射结构，在保证显示面板的正常功能的前提下，增大显示面板的出光效率。
一方面，本申请实施例提供一种显示面板，其中，显示面板包括衬底基板；发光元件，发光元件位于衬底基板上；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极电连接于发光元件，且均位于发光元件朝向衬底基板的一侧或者均位于发光元件背离衬底基板的一侧，为发光元件提供电压信号；第一反射层，第一反射层位于发光元件朝向衬底基板的一侧，且以垂直于衬底基板的方向为投影方向，第一反射层覆盖发光元件；电压信号线，电压信号线位于发光元件朝向衬底基板的一侧；其中，第一电极包括第一延伸部、第二电极包括第二延伸部，第一延伸部和/或第二延伸部连接至电压信号线，以垂直于衬底基板的方向为投影方向，第一延伸部与第二延伸部中的至少一者与第一反射层之间无交叠。
另一方面，本申请实施例提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
本申请提供的显示面板和显示装置中，显示面板包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极均位于发光元件相对于衬底基板的同一侧，且显示面板包括第一反射层，第一反射层位于发光元件朝向衬底基板的一侧，也即，位于背光侧，且覆盖发光元件，从而可以将发光元件照射到背光侧的光线朝向出光侧反射，从而提升显示面板的出光效率；在此结构的基础上，显示面板还包括位于发光元件朝向衬底基板一侧的电压信号线，第一电极还包括第一延伸部、第二电极还包括第二延伸部，第一延伸部与第二延伸部连接至电压信号线，第一电极和第二电极需要接收来自于衬底基板一侧的电压信号，提供给发光元件，而第一反射层又覆盖发光元件，因此，为保证第一电极与第二电极的正常运作，需要设置第一延伸部和第二延伸部，且其中至少一者与第一反射层之间无交叠，从而保证第一电极与第二电极正常接收电压信号，且提升显示面板的出光效率。
附图说明
图1是本申请实施例提供的一种显示面板的局部示意图；
图2是图1中显示面板的俯视结构示意图；
图3是本申请实施例提供的另一种显示面板的局部示意图；
图4是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部俯视示意图；
图5是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部示意图；
图6是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部示意图；
图7是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部示意图；
图8是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部示意图；
图9是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部示意图；
图10是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部示意图；
图11是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部示意图；
图12是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部示意图；
图13是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部示意图；
图14是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部示意图；
图15是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部示意图；
图16是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部示意图；
图17是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部示意图；
图18是本申请实施例提供的一种电压信号线的俯视示意图；
图19是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部示意图；
图20是本申请实施例提供的一种发光元件的示意图；
图21是本申请实施例提供的又一种发光元件的示意图；
图22是本申请实施例提供的再一种发光元件的示意图；
图23是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部俯视示意图；
图24是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部俯视示意图；
图25是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部示意图；
图26是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部示意图；
图27是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部示意图；
图28是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部俯视示意图；
图29是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部示意图；
图30是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部示意图；
图31是本申请实施例提供的一种显示装置的示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。
本申请实施例的一方面提供一种显示面板，参考图1-图3，图1是本申请实施例提供的一种显示面板的局部示意图，图2是图1中显示面板的俯视结构示意图，图1是图2沿A-A’方向的剖视图，图3是本申请实施例提供的另一种显示面板的局部示意图，其中，显示面板10包括衬底基板100，发光元件200，发光元件200位于衬底基板100上；第一电极101和第二电极102，第一电极101和第二电极102电连接于发光元件200，且如图1所示，第一电极101和第二电极102均位于发光元件200朝向衬底基板100的一侧，或者，如图3所示，第一电极101和第二电极102均位于发光元件200背离衬底基板100的一侧，为发光元件200提供电压信号；第一反射层103，第一反射层103位于发光元件200朝向衬底基板100的一侧，且以垂直于衬底基板100的方向为投影方向，第一反射层103覆盖发光元件200；电压信号线300，电压信号线300位于发光元件200朝向衬底基板100的一侧；其中，第一电极101包括第一延伸部1011、第二电极102包括第二延伸部1022，第一延伸部1011与第二延伸部1022连接至电压信号线300，以垂直于衬底基板100的方向为投影方向，第一延伸部1011与第二延伸部1022中的至少一者与第一反射层103之间无交叠。
本申请中，发光元件200可以为micro LED发光元件，也可以为纳米棒二极管(nanorod LED)发光元件，还可以为其他类型的LED发光元件，发光元件200具体可以包含P型区域和N型区域，P型区域和N型区域通过电极与相应的电压信号线电连接，从而控制发光元件发光和关闭。在本申请中，电压信号线300为第一电极101所连接的电压信号线与第二电极102所连接的电压信号线的统称，并不代表只有一条电压信号线，也不代表第一电极101与第二电极102连接于同一条电压信号线，二者可以连接各自对应的电压信号线；第一电极101通过第一延伸部1011与相应的电压信号线电连接，连接方式可以为直接连接，也可以为通过过孔电连接；第二电极102通过第二延伸部1022与相应的电压信号线电连接，连接方式可以为直接连接，也可以为通过过孔电连接，如图1和图3所示，均为通过过孔连接。
需要说明的是，如前文所述，第一反射层103覆盖发光元件200，一般是指以垂直于衬底基板100的方向为投影方向，第一反射层103的投影覆盖发光元件200的投影，这种覆盖一般为全面覆盖，即第一反射层103的投影面积大于或者等于发光元件200的投影面积，如此，第一反射层103可以将发光元件200发射到背光侧的光线尽可能多地反射回出光侧，增大出光效率；但是在一些特殊情况下，考虑到具体的设计，如发光元件200的局部区域不能被第一反射层103覆盖到，如一些孔隙的位置，或者一些特殊结构的位置处，需要做一些避让等，则也属于本申请所限定的“覆盖”的范围内。也即，“覆盖”二字，如无特殊情况，可指全面覆盖，但如有特殊结构设计，也可以指至少部分覆盖。
此外，本实施例中的第一反射层103，其主要起到反射光线的作用，其材料可以为金属材料，如银、铝、钛、钼等材料或者包含其的合金材料，也可以为荧光材料，或者其他具有反光性能的材料均可，本实施例对此不作特殊限定。
基于上述描述，本申请中，通过设置第一延伸部1011与第二延伸部1022中至少一者与第一反射层103之间无交叠，一方面，提升显示面板的出光效率，另一面板，本申请的发明人发现，第一延伸部1011与第二延伸部1022要与朝向衬底基板一侧的电压信号线300连接，而第一反射层103覆盖发光元件200，第一反射层103有可能阻挡第一延伸部1011与第二延伸部1022和电压信号线300之间的连接，因此，设置第一延伸部1011与第二延伸部1022之中的至少一者与第一反射层103之间无交叠，从而避免第一反射层103的引入影响第一电极101和第二电极102上的电压信号输入。
可选的，如图1所示，本实施例中，电压信号线300包括提供第一电压信号的第一电压信号线301和提供第二电压信号的第二电压信号线302，第一电极101接收第一电压信号，第二电极102接收第二电压信号，第一电压信号的电压高于第二电压信号的电压；其中，显示面板包括像素电路400，像素电路400与第一电压信号线301连接，在显示面板的发光阶段，第一延伸部1011通过像素电路400的晶体管接收第一电压信号；第二延伸部1022连接于第二电压信号线302，用于接收第二电压信号。
具体地，像素电路400可以包括晶体管，晶体管包括栅极401、有源层402、源极403、漏极404，电压信号在晶体管开启时，在源极403与漏极404之间传输。像素电路400一般是接收第一电压信号和数据写入信号以及复位信号等信号，在栅极驱动信号和发光控制信号的控制下，选择性地为发光元件200提供驱动电流，像素电路400中的晶体管包括驱动晶体管和开关晶体管，开关晶体管主要承担选择性地为驱动晶体管提供各类信号的作用，驱动晶体管主要承担为发光元件生成驱动电流的作用。像素电路400的晶体管，可以为硅基晶体管，比如低温多晶硅(LTPS)作为有源层形成的晶体管；也可以为氧化物半导体基晶体管，为氧化物半导体作为有源层形成的晶体管，比如铟镓锌氧化物(IGZO)型晶体管；在一些情形下，像素电路400中的至少一个晶体管可以为LTPS型晶体管，且至少一个晶体管可以为IGZO型晶体管。另外，如图1中所示，显示面板还包括多层绝缘层，如绝缘层110、绝缘层111、绝缘层112、绝缘层113、绝缘层114、绝缘层115等，这些绝缘层主要起到隔绝导电层，避免导电层之间相互连接而造成信号的混乱，当上下导电层需要连接时，可以通过在绝缘层上设置过孔，实现电连接。
在本实施例中，可选的，发光元件200可以为micro LED或者nanorod LED发光元件，发光元件200包括P型区域和N型区域，P型区域与第一电极101连接，接收第一电压信号，N型区域与第二电极102连接，接收第二电压信号，具体地，第一电压信号可以为高电压信号，第二电压信号为低电压信号，高电压信号与低电压信号之间形成电势差，LED在电势差的作用下发光。在本实施例中，通过像素电路400选择性地将第一电压信号传输至第一电极301，通过电连接的方式将第二电压信号传输至第二电极302，从而控制发光元件200的发光亮度。
在上述设定的基础上，本实施例中，可选的，至少第一延伸部101与第一反射层103之间无交叠。如前面所述，第一延伸部1011通过像素电路400中的晶体管与第一电压信号线301连接，第二延伸部1022可以通过过孔与第二电压信号线302电连接，或者直接与第二电压信号线302连接，因此，而如前面所述，像素电路400中的晶体管包括栅极401、有源层402、源极403和漏极404以及多层绝缘层，其往往需要占据较多的膜层，因此，必须考虑第一反射层103是否会影响第一延伸部与晶体管之间的连接，为了保证二者之间的连接，设置第一延伸部1011与第一反射层103之间无交叠，从而有利于在未交叠的区域，实现第一延伸部1011与晶体管之间的连接。
参考图4，图4是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部俯视示意图，其中，第一延伸部1011的长度L1大于第二延伸部1022的长度L2。此处，第一延伸部1011的长度L1和第二延伸部1022的长度L2，一般指其相对于发光元件200的延伸方向上的尺寸。如前面所述，第一延伸部1011与像素电路400的晶体管连接，而晶体管一般占据较多的膜层，晶体管的膜层与第一反射层103的膜层同位于发光元件200朝向衬底基板100的一侧，因此，必须考虑第一反射层103对于第一延伸部1011与晶体管之间连接的影响，而为了保证第一反射层103充分起到反射作用，第一反射层103的面积一般大于发光元件200的面积，因此，本实施例中，将第一延伸部1011的长度可以适当设置得较长，以保证第一延伸部1011与晶体管之间的连接。而第二延伸部1022与第二电压信号线302电连接即可，一般而言，第二电压信号线302可以为一层导电层，其可以位于第一反射层103背离衬底基板的一侧，也可以位于第一反射层103朝向衬底基板的一侧，也可以与第一反射层103位于同一层，尤其是当其位于第一反射层103背离衬底基板的一侧或者与第一反射层103位于同一层时，第二延伸部1022与第二电压信号线302的连接，可以无需避让第一反射层103，因此，第二延伸部1022可以相对设置得短一些，以节省面板空间；当第二电压信号线1022位于第一反射层103朝向衬底基板的一侧时，因第二电压信号线1022通常为一层导电层，或者可以为双层导电层，其位置的调整相对于多层结构的晶体管而言，相对更容易一些，比如，晶体管中的膜层调整，需要考虑栅极、有源层、源极、漏极等，而且其尺寸或者相对位置的变化，有可能导致晶体管的宽长比、阈值电压等参数发生变化，综上，在考虑节省面板空间时，可以适当将与位置调整相对更容易的第二电压信号线1022连接的第二延伸部1022设置得较短一些，第一延伸部1011的长度设置得更长一些，以更好地匹配其各自的连接结构特点。
参考图5，图5是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部示意图，其中，像素电路400包括第一晶体管410和第二晶体管420，第一晶体管410包括第一栅极411、第一有源层412、第一源极413和第一漏极414，第二晶体管420包括第二栅极421、第二有源层422、第二源极423和第二漏极424，其中，第一延伸部1011与第一漏极414连接，第一晶体管410的至少部分结构位于第一反射层103朝向衬底基板100的一侧。因第一反射层103主要起到将发光元件200照射到背光侧的光线反射至出光侧的作用，因此，为了避免光线损失，第一反射层103与发光元件200的距离不能太远，当距离太远时，中间的绝缘层在光线来回反射的光路上吸收较多，导致光线损失较多，从而影响出光效率，因此，一般而言，第一晶体管410的至少部分结构位于第一反射层103朝向衬底基板100的一侧，如此，可以避免第一反射层103距离发光元件200太远。在此结构的基础上，第一延伸部1011若要与第一晶体管410连接，则第一延伸部1011与第一反射层103之间无交叠，尽量避免第一反射层103对第一延伸部1011与第一晶体管410之间的连接造成影响。
可选的，参考图5，本实施例中，以垂直于衬底基板100的方向为投影方向，第一晶体管410和第二晶体管420均与第一反射层103之间无交叠，且第一反射层103与第一栅极411和第二栅极421之中的至少一者位于同一层。在这种情形下，因第一晶体管410和第二晶体管420均与第一反射层103之间无交叠，而第一反射层103需要位于发光元件200靠近衬底基板100的一侧，且第一栅极411和第二栅极421一般为金属材料形成，其本身即为反射材料，因此，从简化工艺的角度出发，将第一反射层103与第一栅极411或者第二栅极421中设置在同一层，尤其是当第一反射层103的材料与第一栅极411或者第二栅极421的材料相同时，则可以通过同种材料，在同一道工序中完成，从而简化了工艺并减薄了显示面板的厚度并简化了整体结构。
可选的，参考图6，图6是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部示意图，其中，以垂直于衬底基板100的方向为投影方向，第一晶体管410和第二晶体管420中的至少一者与发光元件200之间相互交叠，且第一栅极410和第二栅极420中的至少一者复用为第一反射层103。当面板对于分辨率要求较高时，可能存在像素电路400中的晶体管与发光元件200相互交叠的情形，在此种情形下，与发光元件200相互交叠的晶体管的栅极可以复用为第一反射层103，如图6所示，为第一晶体管410与发光元件200交叠的情形，此时，第一栅极411复用为第一反射层103；当第二晶体管420与发光元件200交叠时，第二栅极421复用为第一反射层103。如此设置，一方面利用第一栅极411或者第二栅极421的电学特性作为栅极使用，另一方面，利用第一栅极411或者第二栅极421作为金属材料的反光特性，作为第一反射层103使用，从而充分地利用了第一栅极411和第二栅极421，有利于简化面板的结构，实现高分辨率显示。
可选的，参考图7，图7是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部示意图，其中，第一反射层103位于第一栅极411和第二栅极421背离衬底基板的一侧。这里需要说明的是，第一晶体管410与第二晶体管420可以均与发光元件200交叠，也可以有一者与发光元件200交叠，也可以二者均与发光元件200之间不交叠。此处，设置第一反射层103位于第一栅极411和第二栅极421背离衬底基板的一侧，是基于第一反射层103所起到的作用，为反射发光元件200的光线，当第一反射层103与第一栅极411和第二栅极421不位于同一层时，为了充分保证第一反射层103的反射效果，将第一反射层103设置于第一栅极411和第二栅极421背离衬底基板的一侧。
可选的，参考图8和图9，图8是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部示意图，图9是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部示意图，其中，第一有源层412包含硅，第二有源层422包含氧化物半导体，第二有源层422位于第一有源层412背离衬底基板100的一侧，第二栅极421位于第二有源层422背离衬底基板100的一侧，其中，如图8所示，第一反射层103与第二栅极421位于同一层，或者如图9所示，第二栅极421复用为第一反射层103。因LTPS型晶体管具有驱动能力强、稳定性较高等优点，因此，在像素电路中，可以承担驱动晶体管或者开关晶体管的作用，而IGZO型晶体管具有漏电流小等优点，可以应用于重要的开关晶体管，来减小漏电流，因此，像素电路400中可能同时包含LTPS型晶体管和IGZO型晶体管两种类型的晶体管，在此种情形下，一般而言，因IGZO型晶体管的有源层对于氢元素更加敏感，在LTPS型有源层形成后，再制作IGZO型有源层，因此，第二有源层422位于第一有源层412背离衬底基板100的一侧，而IGZO型有源层，一般制作为顶栅结构或者顶、底双栅结构，如之前所述，第一反射层103距离发光元件200较近时，其所起到的反射效果更好，因此，结合出光效率，以及简化面板工艺，可以将第一反射层103与第二栅极421设置于同一层，或者将第二栅极421复用为第一反射层103，第一反射层103的材料可以与第二栅极421的材料相同，在一些特殊的情形下，二者的材料也可以存在差异。
参考图10，图10是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部示意图，其中，显示面板10包括第一金属层11，第一金属层11位于第一源极413、第一漏极414、第二源极423、第二漏极424，之中的任意一者背离衬底基板100的一侧，其中，第一反射层103位于第一金属层11。
在此种情形下，显示面板可以包括位于第一源极413、第一漏极414、第二源极423、第二漏极424之中的任意一者背离衬底基板100一侧的第一平坦化层501和第二平坦化层502，第一金属层11至少位于第一平坦化层501背离衬底基板100的一侧，第一金属层11上的部分走线可以与第一电压信号线301之间并联连接，从而减小第一电压信号线301上的压降，或者，第一电压信号线301可以位于第一金属层11，因第一金属层11走线较少，第一电压信号线301可以设置得较宽一些，从而减小压降。第一反射层103位于第一金属层11上，因其位于第一源极413、第一漏极414、第二源极423、第二漏极424之中的任意一者背离衬底基板100一侧，其距离发光元件200较近，因此，光效损失较少，有利于提升出光效率。
参考图11，图11是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部示意图，其中，显示面板10包括第二金属层12，第二金属层12与第一源极413和/或第一漏极414位于同一层，或者，第二金属层12与第二源极423和/或第二漏极424位于同一层，其中，第一反射层103位于第二金属层12。
参考图12，图12是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部示意图，其中，第一源极413、第一漏极414、第二源极423、第二漏极424中的至少一者包括第一区域001，第一区域001延伸与发光元件200相互交叠，第一区域001复用为第一反射层103。
在前述两种情形下，将第一反射层103设置与第一源极413、第一漏极414、第二源极423、第二漏极424中的至少一者位于同一层，或者，第一源极413、第一漏极414、第二源极423、第二漏极424中的至少一者第一区域001复用为第一反射层103，因一般而言，源极、漏极位于晶体管结构整体背离衬底基板的一侧，其距离发光元件200的距离较近，将第一反射层103设置于这一层，可以在制作源/漏极时同层工艺完成，简化工艺，且第一反射层103距离发光元件200较近，光效损失较少，有利于提升出光效率。特别的，如图12所示，当与第一延伸部1011连接的第一漏极414的第一区域001复用为第一反射层时，第一延伸部1011与第一反射层103也连接，从而二者之间不需要避让的问题，结构简单。需要注意的是，此时，第二延伸部1022的至少部分区域与第一反射层103之间无交叠。
参考图13与图14，图13是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部示意图，图14是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部示意图，其中，第一电压信号线301与第二电压信号线302位于第一电极101和第二电极102中至少一者朝向衬底基板100的一侧，如图13所示，第一反射层103与第一电压信号线301和第二电压信号线302中的至少一者位于同一层；或者，如图14所示，第一电压信号线301与第二电压信号线302中的至少一者复用为第一反射层103。图13中示出的为第一反射层103与第二电压信号线302位于同一层的情形，在一些其他的实施方式中，第一反射层103还可以与第一电压信号线301位于同一层。图14中示出的为第一电压信号线301复用为第一反射层103，在其他的实施方式中，第二电压信号线302也可以复用为第一反射层103。结合前文中的描述，第一电压信号线301与第二电压信号线302可以位于第一金属层11，也可以位于第二金属层12，二者可以位于同一层，也可以位于不同层，例如，第一电压信号线301位于第一金属层11，第二电压信号线302位于第二金属层12，或者第一电压信号线301位于第二金属层12，第二电压信号线302位于第一金属层11等。
因第一电压信号线301与第二电压信号线302需要为第一电极101和第二电极102提供信号，第一电压信号线301与第二电压信号线302一般设置得距离发光元件200较近，将第一反射层103与第一电压信号线301和第二电压信号线302中的至少一者设置于同一层，可以通过同一道掩膜版制作完成，从而在保证面板出光效率的同时，简化工艺。另外，第一电压信号线301与第二电压信号线302一般与面板中的驱动元件连接，一般地，第一电压信号与第二电压信号都要求其上的信号精确，但从驱动元件延伸进面板内部后，尤其是离驱动元件越远时，电压信号线上的压降越明显，因此为了避免压降的产生，一般将第一电压信号线301与第二电压信号线302的宽度设置得较宽，用于降低压降，此时，可以借用设置得较宽的第一电压信号线301或者第二电压信号线302，将其中的至少一者复用为第一反射层103，如此，一方面保证第一电压信号线301或者第二电压信号线302上具有相对较少的压降，另一方面充分利用面板已有结构作为第一反射层103，从而简化工艺，节约成本。
参考图14和图15，图15是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部示意图，其中，如图15所示，第一电压信号线301位于第二电压信号线302背离衬底基板100的一侧，或者，如图14所示，第一电压信号线301与第二电压信号线302位于同一层，其中，至少第一电压信号线301复用为第一反射层103。
参考图15，第一电压信号线301的宽度W1大于第二电压信号线302的宽度W2，其中，第一电压信号线301复用为第一反射层103。这里需要注意的是，宽度W1与宽度W2一般指垂直于相应的电压信号线延伸方向，且平行于衬底基板100所在平面的方向的尺寸。第一电压信号线301与第二电压信号线302可以沿相同的方向延伸，也可以沿不同的方向延伸。
因第一电压信号线301用于为像素电路400提供第一电压信号，第一电压信号为高电压信号，其为发光元件200所接收的驱动电流计算公式中至关重要的因素，为保证驱动电流尽可能精确，要求第一电压信号尽可能准确，因此，一般情况下，面板中可以将第一电压信号线301设置得较宽，且可以将其设置在第一金属层11，因第一金属层11在晶体管的膜层背离衬底基板的一侧，其上的的走线较少，可以将第一电压信号线301的设置得较宽，综合这几方面，至少第一电压信号线复用为第一反射层103，从而简化面板结构，而且保证面板的出光效率。
参考图16，图16是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部示意图，其中，至少一发光元件200对应的第一反射层103由第一电压信号线301复用，且至少一发光元件200对应的第一反射层103由第二电压信号线302复用。当面板中存在特殊情况，导致仅第一电压信号线301的宽度受限，所有发光元件200对应的第一反射层103均由第一电压信号线301复用受到限制，也可以使部分发光元件200对应的第一反射层103由第一电压信号线301复用，部分发光元件200对应的第一反射层103由第二电压信号线302复用。
参考图14-图16，本实施例中，第一电压信号线301复用为第一反射层103时，第二延伸部1022与第一反射层103之间无交叠；或者，第二电压信号线302复用为第一反射层103时，第一延伸部1011与第一反射层103之间无交叠。例如第一电压信号线301复用为第一反射层103时，第二延伸部1022需要与第二电压信号线302连接，为保证连接无阻碍，第二延伸部1022与第一反射层103之间无交叠；第二电压信号线302复用为第一反射层103时，第一延伸部1011需要与第一电压信号线301连接，为保证连接无阻碍，第一延伸部1011与第一反射层103之间无交叠。
参考图17，图17是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部示意图，其中，第一反射层103与第一电压信号线301并联连接，并接收第一电压信号，或者，第一反射层103与第二电压信号线302并联连接，并接收第二电压信号。图17为第一反射层103与第一电压信号线301之间并联连接的情形，在其他的实施方式中，第一反射层103也可以与第二电压信号线302之间并联连接。如前面所述，第一电压信号线301与第二电压信号线302都要求其上的压降比较小，因此，可以通过将第一反射层103与第一电压信号线301或者第二电压信号线302并联连接，从而减小第一电压信号线301与第二电压信号线302上的压降。
继续参考图17，其中，第一反射层103位于第一电压信号线301与第二电压信号线302背离衬底基板100的一侧。因第一反射层103距离发光元件200距离较近时，其中的光线损失较少，有助于提升显示面板的出光效率，因此，当第一反射层103与第一电压信号线301与第二电压信号线302位于不同层时，可以位于第一电压信号线301与第二电压信号线302背离衬底基板100的一侧，从而提升显示面板的出光效率。
参考图18，图18是本申请实施例提供的一种电压信号线的俯视示意图，其中，第一电压信号线301与第二电压信号线302可以沿同一方向延伸，在此种情况下，引出多条第一电压信号线301的第一电压信号总线可以与引出多条第二电压信号线302的第二电压信号总线位于显示面板的同一侧，而且，第一电压信号线301与第二电压信号线302可以位于同一膜层。在其他的实施方式中，第一电压信号线301与第二电压信号线302的延伸方向也可以相互垂直，此时，第一电压信号线301与第二电压信号线302可以位于不同的膜层，第一电压信号线301设置于第二电压信号线302背离衬底基板的一侧，以便于第一电压信号线301的宽度设置得比第二电压信号线302更宽。在另一些实施方式中，第一电压信号线301可以沿一个方向延伸，第二电压信号线302可以沿两个方向延伸形成网格结构，一部分第二电压信号线302与第一电压信号线301平行，另一部分第二电压信号线302与第一电压信号线301垂直。在其他一些实施方式中，也可以为，第一电压信号线301沿两个方向延伸，第二电压信号线302沿一个方向延伸，一部分第一电压信号线301与第二电压信号线302平行，一部分第一电压信号线302与第二电压信号线302垂直。具体结构视具体情况而定，本实施例对此不作特殊限定。
参考图19，图19是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部示意图，其中，第一电极101与第二电极102均位于发光元件200朝向衬底基板100的一侧，且第一电极101与第二电极102中的至少一者复用为第一反射层103，且复用为第一反射层103的一者与另一者的延伸部之间无交叠。图19所示为第一电极101复用为第一反射层103的情形，在其他的实施方式中，也可以为第二电极102复用为第一反射层103。
通过第一电极101或者第二电极102复用为第一反射层103，一方面，第一电极101与第二电极102距离发光元件200非常近，这种复用会使得光线在发光元件200与第一反射层103之间的损失比较少，从而提升显示面板的出光效率，同时无需额外设置一层膜层作为第一反射层103，简化面板工艺。需要注意的是，为了充分保证第一反射层103的反射效果，一般第一反射层103的面积大于发光元件200的面积，因此，一般来说，是第一电极101与第二电极102中靠近衬底基板100一侧的一者复用为第一反射层103，从而保证第一电极101与第二电极102均与能够与发光元件200连接，且保证第一反射层103的反射效果。图19所示为第一电极101位于第二电极102靠近衬底基板100的一侧且复用为第一反射层103的情形，在其他的实施方式中，第二电极102可以位于第一电极101靠近衬底基板100的一侧且复用为第一反射层。
参考图19和图20，图20是本申请实施例提供的一种发光元件的示意图，可选的，第一电极101位于第二电极102朝向衬底基板100的一侧，第一电极101复用为第一反射层103，第二延伸部1022与第一反射层103之间无交叠，因为第一电极101与发光元件200的P型区域601连接，第二电极102与发光元件200的N型区域602连接，一般地，P型区域601的高度大于N型区域的高度602，因此，P型区域与N型区域之间存在高度差，在这种情形下，设置第一电极101位于第二电极102朝向衬底基板的一侧，从而匹配发光元件200的结构特点，第二延伸部1022位于第一电极101背离衬底基板的一侧，为了保证其与第二电压信号线302之间的正常连接，第二延伸部1022与第一反射层103之间无交叠。
参考图21和图22，图21是本申请实施例提供的又一种发光元件的示意图，图22是本申请实施例提供的再一种发光元件的示意图，其中，如图21所示，第一反射层103与第一电极101与第二电极102中的至少一者位于同一层；或者，如图22所示，第一反射层103与第一电极101和第二电极102中靠近衬底基板100一侧的一者位于同一层。反射层103可以与第一电极101或者第二电极102位于同一层，但可以不电连接，如此设置，因第一反射层103距离发光元件200较近，可以保证出光效率，且第一反射层103与第一电极101或者第二电极102使通过同种工艺制备，能够充分简化工艺，简化面板结构。
参考图23和图24，图23是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部俯视示意图，图24是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部俯视示意图，其中，第一反射层103沿第一方向X延伸，第一延伸部1011和/或第二延伸部1022沿第二方向Y延伸，其中，第一方向X与第二方向Y相互垂直且均平行于衬底基板100所在平面。如图23所示，第一延伸部1011与第二延伸部1022位于发光元件200的同一侧面；如图24所示，第一延伸部1011与第二延伸部1022位于发光元件200的相对的侧面。如此设置，可以使得第一延伸部1011与第二延伸部1022的延伸方向与第一反射层103的延伸方向之间错开，有利于第一延伸部1011与第二延伸部1022与其各自所对应的电压信号线之间电连接。
需要说明的是，图23与图24中示出的，均为同一列发光元件200对应的第一反射层103均连接在一起，这样能够简化掩膜版的结构。但是，在一些特殊的情形下，同一列的不同发光元件200之间也可以相互断开，从而可以在相邻发光元件200之间的间隙，进行其他的设计，避免第一反射层103造成影响。
参考图25，图25是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部示意图，其中，显示面板10还包括阻隔层700和第二反射层104，阻隔层700位于相邻的发光元件200之间，第二反射层104位于阻隔层700背离衬底基板100的一侧，且第二反射层104的至少部分位于阻隔层700朝向发光元件200的侧壁上。需要说明的是，此处的阻隔层700，是设置在相邻发光元件700之间，用于阻隔相邻发光元件700之间的光线串扰的结构，其颜色可以为透明的，也可以为黑色的。第二反射层104的材料可以为金属材料，如银、铝、钛、钼等以及包含其的合金材料，或者也可以为具有反射性能的荧光材料。
因发光元件200所发出的光线会向各个方向发射，不仅会射向背光侧，还会射向侧向的周围区域，也会造成光线的损失，本实施例中，通过在阻隔层700的侧壁上设置第二反射层104，从而可以将发光元件200射向周围区域的光线朝向出光侧反射，从而充分利用了侧边光线，进一步提升出光效率。
可选的，如图25所示，第二反射层104与第一电极101电连接，或者，第二反射层104与第二电极102电连接，在图25中，第二反射层104与第一电极101电连接，在其他的实施方式中，第二反射层104也可以与第二电极102电连接。因第二金属层设置于阻隔层700上方，如果其为金属材料等具有导电性能的材料时，如其单独悬空设置，因其距离发光元件200较近，随着时间的推移，其上可能聚集较多的静电，而静电的聚集可能会造成发光元件200的损伤，因此，本实施例中，可以将第二反射层104与施加高电压信号的第一电极101或者施加低电压信号的第二电极102电连接，从而可以使得第二反射层104与第一电极101或者第二电极102保持为相同的电位，从而避免其上聚集静电对显示效果造成影响。
如图25所示，可选的，第二反射层104由阻隔层700的侧壁延伸至与第一电极101或者第二电极102接触，与第一电极101或者第二电极102接触，图25中示例性地示出第二反射层104与第一电极101直接接触连接的情形，因第一反射层104本身至少部分区域设置与阻隔层700的侧壁上，其延伸后与第一电极101直接连接，从而简化工艺，结构简单。
继续参考图25，可选的，阻隔层700还可以包括第一凹槽701，以垂直于衬底基板100的方向为投影方向，第一凹槽701与第一电极101或者第二电极102相互交叠，且，第二反射层104延伸至第一凹槽701内，与第一电极101或者第二电极102电连接。在一些情形下，当第二反射层104直接沿阻隔层700的侧壁延伸至于第一电极101或者第二电极102连接时，可能存在当第二反射层104与第一电极101接触后，第二反射层104与第二电极102之间距离过近而导致第二反射层104将第一电极101与第二电极102之间相互短路的问题，为了避免这一问题，可以在阻隔层700上设置第一凹槽701，第二反射层104通过第一凹槽701与第一电极101或者第二电极102之间相互连接，从而可以避免与另一电极之间距离较近，造成二者短路的问题。
参考图26，图26是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部示意图，其中，第一电极101延伸至阻隔层700朝向发光元件200的侧壁，复用为第二反射层104，和/或，第二电极102延伸至阻隔层700朝向发光元件200的侧壁，复用为第二反射层104。图26中所示为第一电极101和第二电极102均复用为第二反射层104的情形，在其他的实施方式中，也可以仅仅设置第一电极101或者第二电极102中的一者复用为第二反射层104。如前面所述，第二反射层104如为导电材料时，需要尽量与第一电极101或者第二电极102电连接，以防止其浮空设置，从简化工艺的角度，可以将第一电极101或者第二电极102复用为第二反射层104，如此可以在制作第一电极101或者第二电极102时，同时形成了第二反射层104，在提升出光效率的同时，充分简化面板结构。
参考图27，图27是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部示意图，其中，第一电极101与第二电极102均位于发光元件200背离衬底基板100的一侧，第一电极101通过第一连接电极1111与像素电路400连接，第二电极102通过第二连接电极1122与第二电压信号线302连接，其中，第一连接电极1111与第二连接电极1122中的至少一者复用为第二反射层104。当第一电极101与第二电极102均位于发光元件200背离衬底基板100的一侧时，为了保证第一电极101与第二电极102连接至相应的电压信号线，可以设置第一连接电极1111和第二电极1112，从发光元件200背离衬底基板的一侧，延伸至发光元件200朝向衬底基板的一侧，基于此，因第一连接电极1111和第二连接电极1122通常也为导电性的技术材料，因此，可以设计第一连接电极1111和第二连接电极1122中的至少一者复用为第二反射层104，从而利用现有结构形成第二反射层104，充分简化面板工艺。
参考图28，图28是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部俯视示意图，其中，第二反射层104围绕发光元件200设置，第一延伸部1011与第二延伸部1022沿第二方向Y延伸，发光元件200沿第二方向Y排列的两个侧面中，至少一个侧面不设置第二反射层104。
如此设计，主要是因为第二反射层104一般与第一电极101与第二电极102中的一者连接，当其与一者连接后，即不可以与另一者连接，否则会造成二者短路，而第一延伸部1011与第二延伸部1022为与电压信号线连接，一般设计得较长，例如，当第一电极101与第二反射层104之间连接时，当第二反射层104靠近第二延伸部1022时，很容易造成短路，因此，本申请中，在发光元件200沿第二方向Y排列的两个侧面中，至少一个侧面不设置第二反射层104，从而避免不与第二反射层104连接的一个电极的延伸部与第二反射层接触，造成第一电极101与第二电极102之间短路的问题。
继续参考图28，其中，发光元件200沿第二方向Y排列的两个侧面包括第一侧面211，第一延伸部1011与第二延伸部1022均位于第一侧面211，第一侧面不设置第二反射层104。这种情况下，一方面，第一延伸部1011与第二延伸部1022位于发光元件的同一侧，有利于合理利用面板空间，提升面板的分辨率；另一方面，如前面所述，为了避免不与第二反射层104连接的一个电极的延伸部与第二反射层104接触造成第一电极101和第二电极102之间短路，则第一侧面不设置第二反射层。
参考图29和图30，图29是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部示意图，图30是本申请实施例提供的再一种显示面板的局部示意图，其中，显示面板10还包括第三反射层105，第三发射层105位于第一电极101和第二电极102中至少一者与第一反射层103之间，且第三反射层105至少部分地围绕第一反射层103设置。
进一步地，如图30所示，沿垂直于衬底基板100的方向上，第三反射层105的高度大于第一反射层103的高度。
上述设计，主要是考虑到，第一反射层103位于发光元件200的下方，发光元件200向斜下方出射的光线经过第一反射层103反射后，根据反射原理，其会向右上方反射出去，可能会在相邻发光元件200之间的非发光区域出射，造成混色问题，为避免这一问题，设置高度大于第一反射层103的高度的第二反射层105，围绕第一反射层设置，从而可以将发光元件200向斜下方出射的光线再次反射至发光元件200对应的出光侧，进一步提升显示面板的出光效果，同时避免显示面板发生混色现象。
本申请实施例的另一方面提供一种显示装置，参考图31，图31是本申请实施例提供的一种显示装置的示意图，其中，显示装置20显示面板10，显示面板10包括前述所有实施方式中描述的显示面板，显示装置20可以为电视、笔记本、手机、智能穿戴显示装置等多种显示装置中的一种，本实施例对此不作特殊限定。
通过上述描述，本申请实施例提供的显示面板10和显示装置20，其中，显示面板10包括第一电极101和第二电极102，第一电极101和第二电极102均位于发光元件200相对于衬底基板100的同一侧，且显示面板10包括第一反射层103，第一反射层103位于发光元件200朝向衬底基板100的一侧，也即，位于背光侧，且覆盖发光元件200，从而可以将发光元件200照射到背光侧的光线朝向出光侧反射，从而提升显示面板的出光效率；在此结构的基础上，显示面板10还包括位于发光元件200朝向衬底基板一侧的电压信号线300，第一电极101还包括第一延伸部1011、第二电极102还包括第二延伸部1022，第一延伸部1011与第二延伸部1022连接至电压信号线300，第一电极101和第二电极102需要接收来自于衬底基板100一侧的电压信号，提供给发光元件200，而第一反射层103又覆盖发光元件200，因此，为保证第一电极101与第二电极102的正常运作，需要设置第一延伸部1011和第二延伸部1022，且其中至少一者与第一反射层103之间无交叠，从而保证第一电极101与第二电极102正常接收电压信号，且提升显示面板的出光效率。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (34)

1.一种显示面板，其特征在于，包括
衬底基板；
发光元件，所述发光元件位于所述衬底基板上；
第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极电连接于所述发光元件，且均位于所述发光元件朝向所述衬底基板的一侧或者均位于所述发光元件背离所述衬底基板的一侧，为所述发光元件提供电压信号；
第一反射层，所述第一反射层位于发光元件朝向所述衬底基板的一侧，且以垂直于所述衬底基板的方向为投影方向，所述第一反射层全面覆盖或者至少部分覆盖所述发光元件；
电压信号线，所述电压信号线位于所述发光元件朝向所述衬底基板的一侧；其中，
所述第一电极包括第一延伸部、所述第二电极包括第二延伸部，所述第一延伸部和/或所述第二延伸部连接至所述电压信号线，以垂直于所述衬底基板的方向为投影方向，所述第一延伸部与所述第二延伸部中的至少一者与所述第一反射层之间无交叠；
所述第一电极与所述第二电极中的至少一者复用为所述第一反射层；或者，
所述第一反射层与所述第一电极和所述第二电极中的至少一者位于同一层；或者，
所述电压信号线包括提供第一电压信号的第一电压信号线和提供第二电压信号的第二电压信号线，所述第一电压信号的电压高于所述第二电压信号的电压；其中，所述第一反射层与所述第一电压信号线和所述第二电压信号线中的至少一者位于同一层；或者，所述第一电压信号线与所述第二电压信号线中的至少一者复用为所述第一反射层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板包括像素电路，所述像素电路与所述第一电压信号线连接，在所述显示面板的发光阶段，所述第一延伸部通过所述像素电路的晶体管接收所述第一电压信号；
所述第二延伸部连接于所述第二电压信号线，用于接收第二电压信号。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
至少所述第一延伸部与所述第一反射层之间无交叠。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第一延伸部的长度大于所述第二延伸部的长度。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述像素电路包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管包括第一栅极、第一有源层、第一源极和第一漏极，所述第二晶体管包括第二栅极、第二有源层、第二源极和第二漏极，其中，
所述第一延伸部与所述第一漏极连接，所述第一晶体管的至少部分结构位于所述第一反射层朝向所述衬底基板的一侧。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
以垂直于所述衬底基板的方向为投影方向，所述第一晶体管和所述第二晶体管均与所述第一反射层之间无交叠，且
所述第一反射层与所述第一栅极和所述第二栅极之中的至少一者位于同一层。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
以垂直于所述衬底基板的方向为投影方向，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一者与所述发光元件之间相互交叠，且
所述第一栅极和所述第二栅极中的至少一者复用为所述第一反射层。
8.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
所述第一反射层位于所述第一栅极和所述第二栅极背离所述衬底基板的一侧。
9.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
所述第一有源层包含硅，所述第二有源层包含氧化物半导体，所述第二有源层位于所述第一有源层背离所述衬底基板的一侧，所述第二栅极位于所述第二有源层背离所述衬底基板的一侧，其中，
所述第一反射层与所述第二栅极位于同一层，或者所述第二栅极复用为所述第一反射层。
10.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板包括第一金属层，所述第一金属层位于所述第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极之中的任意一者背离所述衬底基板的一侧，其中，
所述第一反射层位于所述第一金属层。
11.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板包括第二金属层，所述第二金属层与所述第一源极和/或所述第一漏极位于同一层，或者，所述第二金属层与所述第二源极和/或所述第二漏极位于同一层，其中，
所述第一反射层位于所述第二金属层。
12.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、第二漏极中的至少一者包括第一区域，所述第一区域延伸与所述发光元件相互交叠，所述第一区域复用为所述第一反射层。
13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电压信号线与所述第二电压信号线位于所述第一电极和所述第二电极中至少一者朝向所述衬底基板的一侧。
14.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电压信号线位于所述第二电压信号线背离所述衬底基板的一侧，或者，所述第一电压信号线与所述第二电压信号线位于同一层，其中，至少所述第一电压信号线复用为所述第一反射层。
15.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电压信号线的宽度大于所述第二电压信号线的宽度，其中，
至少所述第一电压信号线复用为所述第一反射层。
16.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
至少一所述发光元件对应的所述第一反射层由所述第一电压信号线复用，且至少一所述发光元件对应的所述第一反射层由所述第二电压信号线复用。
17.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电压信号线复用为所述第一反射层时，所述第二延伸部与所述第一反射层之间无交叠；或者，
所述第二电压信号线复用为所述第一反射层时，所述第一延伸部与所述第一反射层之间无交叠。
18.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一反射层与所述第一电压信号线并联连接，并接收所述第一电压信号，或者，所述第一反射层与所述第二电压信号线并联连接，并接收所述第二电压信号。
19.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一反射层位于所述第一电压信号线与所述第二电压信号线背离所述衬底基板的一侧。
20.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电极与所述第二电极中复用为所述第一反射层的一者与另一者的延伸部之间无交叠。
21.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电极位于第二电极朝向所述衬底基板的一侧；
所述第一电极复用为第一反射层，所述第二延伸部与所述第一反射层之间无交叠。
22.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一反射层与所述第一电极和所述第二电极中靠近所述衬底基板一侧的一者位于同一层。
23.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一反射层沿第一方向延伸，所述第一延伸部和/或所述第二延伸部沿第二方向延伸，其中，
所述第一方向与所述第二方向相互垂直且均平行于所述衬底基板所在平面。
24.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括阻隔层和第二反射层，所述阻隔层位于相邻的所述发光元件之间，所述第二反射层位于所述阻隔层背离所述衬底基板的一侧，且所述第二反射层的至少部分位于所述阻隔层朝向所述发光元件的侧壁上。
25.根据权利要求24所述的显示面板，其特征在于，
所述第二反射层与所述第一电极电连接，或者，所述第二反射层与所述第二电极电连接。
26.根据权利要求25所述的显示面板，其特征在于，
所述第二反射层由所述阻隔层的侧壁延伸至与所述第一电极或者所述第二电极接触，与所述第一电极或者所述第二电极电连接。
27.根据权利要求25所述的显示面板，其特征在于，
所述阻隔层包括第一凹槽，以垂直于所述衬底基板的方向为投影方向，所述第一凹槽与所述第一电极或者所述第二电极相互交叠，且，
所述第二反射层延伸至所述第一凹槽内，与所述第一电极或者所述第二电极电连接。
28.根据权利要求24所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电极延伸至所述阻隔层朝向所述发光元件的侧壁，复用为所述第二反射层，和/或，所述第二电极延伸至所述阻隔层朝向所述发光元件的侧壁，复用为所述第二反射层。
29.根据权利要求24所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电极与所述第二电极均位于所述发光元件背离所述衬底基板的一侧，所述第一电极通过第一连接电极与像素电路连接，所述第二电极通过第二连接电极与所述第二电压信号线连接，其中，
所述第一连接电极与所述第二连接电极中的至少一者复用为所述第二反射层。
30.根据权利要求24所述的显示面板，其特征在于，
所述第二反射层围绕所述发光元件设置，所述第一延伸部与所述第二延伸部沿第二方向延伸，所述发光元件沿所述第二方向排列的两个侧面中，至少一个侧面不设置所述第二反射层。
31.根据权利要求30所述的显示面板，其特征在于，
所述发光元件沿所述第二方向排列的两个侧面包括第一侧面，所述第一延伸部与所述第二延伸部均位于所述第一侧面，所述第一侧面不设置所述第二反射层。
32.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括第三反射层，所述第三反射层位于所述第一电极和所述第二电极中至少一者与所述第一反射层之间，且
所述第三反射层至少部分地围绕所述第一反射层设置。
33.根据权利要求32所述的显示面板，其特征在于，
沿垂直于所述衬底基板的方向上，所述第三反射层的高度大于所述第一反射层的高度。
34.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-33任意一项所述的显示面板。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113707781B (zh) * 2021-08-04 2023-12-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 基板及其制备方法
CN113921509B (zh) * 2021-09-24 2024-07-05 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN113871518A (zh) * 2021-09-27 2021-12-31 京东方科技集团股份有限公司 发光器件和显示基板
CN114628568A (zh) * 2022-03-11 2022-06-14 上海天马微电子有限公司 发光面板和显示装置
CN115425120B (zh) * 2022-08-09 2023-10-20 惠科股份有限公司 显示面板的制备方法
CN116314242B (zh) * 2023-04-03 2024-10-01 惠科股份有限公司 显示面板及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108022940A (zh) * 2016-10-28 2018-05-11 乐金显示有限公司 显示装置
CN214625046U (zh) * 2021-03-02 2021-11-05 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109037239B (zh) * 2018-07-26 2020-11-17 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN109065582B (zh) * 2018-08-02 2022-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示面板、显示装置
CN118073510A (zh) * 2018-10-31 2024-05-24 乐金显示有限公司 微型led显示装置
KR102030323B1 (ko) * 2018-11-23 2019-10-10 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN111312742B (zh) * 2020-03-17 2022-04-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 背光模组及其制备方法、显示装置
CN111416064B (zh) * 2020-04-30 2022-12-06 上海天马微电子有限公司 显示面板、其制作方法及显示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108022940A (zh) * 2016-10-28 2018-05-11 乐金显示有限公司 显示装置
CN214625046U (zh) * 2021-03-02 2021-11-05 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置

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