CN114628568A - 发光面板和显示装置 - Google Patents

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邱鹏飞
王丽花
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Chengdu Tianma Micro Electronics Co Ltd
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Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Chengdu Tianma Micro Electronics Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种发光面板和显示装置。该发光面板包括:衬底基板;位于衬底基板上的第一反射层和多个发光元件;第一反射层包括第一反射部和多个镂空部;发光元件位于镂空部内,且位于镂空部内的发光元件与第一反射部之间具有间隙;位于衬底基板与第一反射层之间的至少一个第二反射部;在垂直于衬底基板所在平面的方向上,第二反射部覆盖所述间隙。本发明实施例能够有效避免光线从所述间隙处漏出,提高了光线的利用率,极大地降低了光线的损失率,从而有利于降低发光面板的功耗。

Description

发光面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种发光面板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,对显示设备的显示功能的要求越来越高,具有发光亮度好、发光效率高、视角范围宽、自发光等特点的发光面板成为当前光电显示领域研究和应用的重点。
现有的发光面板采用发光元件进行发光,并由发光面板的显示发光面出射。但是,由于光线并非是仅朝向发光面板的显示发光面方向传播的,而是朝向各个方向的传播的,因此,在一些应用场景中,发光面板的显示发光面的亮度不足;同时,在需要较高发光亮度时,只能提供更高的电压或更大的电流,这将不利于发光面板的低功耗。
发明内容
本发明提供了一种发光面板和显示装置,以提高光线的利用率,提高发光面板的显示发光亮度,降低发光面板的功耗。
根据本发明的一方面,提供了一种发光面板,包括:衬底基板;
位于所述衬底基板上的第一反射层和多个发光元件;所述第一反射层包括第一反射部和多个镂空部;所述发光元件位于所述镂空部内,且位于所述镂空部内的所述发光元件与所述第一反射部之间具有间隙;
位于所述衬底基板与所述第一反射层之间的至少一个第二反射部;在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述第二反射部覆盖所述间隙。
根据本发明的另一方面,提供了一种显示装置,包括:上述发光面板。
本发明实施例的技术方案,通过将发光元件设置于第一反射层的镂空部内,使得第一反射层的第一反射部环绕发光元件,采用第一反射部对部分光线进行反射,而被重新利用;同时,在第一反射层与衬底基板之间设置第二反射部,且该第二反射部至少覆盖发光元件与第一反射部的间隙位置,该第二反射部能够对由发光元件与第一反射部之间的间隙漏出的光线进行反射,而使得该部分光线被重新利用。本发明实施例能够降低发光元件出射的光线的损失率,提高发光元件出射的光线的利用率,从而能够相对提高发光面板的显示发光亮度,进而提高发光面板的显示发光效果;相较于通过向发光元件提供更高的显示信号以提高发光亮度的情况,在发光元件的光线利用率提高时,无需提高更高的显示信号就能够使得发光面板具有相应的显示发光亮度,从而有利于降低发光面板的功耗。
应当理解,本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征,也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1相关技术的一种发光面板的俯视结构示意图;
图2是图1中A'-A'的一种剖面结构示意图;
图3是本发明实施例提供的一种发光面板的膜层结构示意图;
图4是本发明实施例提供的一种发光面板的俯视结构示意图;
图5是本发明实施例提供的又一种发光面板的俯视结构示意图;
图6是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图;
图7是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图;
图8是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图;
图9是本发明实施例提供的又一种发光面板的俯视结构示意图;
图10是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图;
图11是本发明实施例提供的又一种发光面板的俯视结构示意图;
图12是本发明实施例提供的又一种发光面板的俯视结构示意图;
图13是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图;
图14是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图;
图15是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图;
图16是本发明实施例提供的一种驱动电路的电路结构示意图;
图17是本发明实施例提供的又一种驱动电路的电路结构示意图;
图18是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图;
图19是与图17对应的一种发光面板的膜层局部俯视结构示意图;
图20是图19中B区域的一种放大的膜层俯视结构示意图;
图21是图20中C-C截面的一种剖面结构示意图;
图22是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图;
图23是图19中B区域的又一种放大的膜层俯视结构示意图;
图24是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图;
图25是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图;
图26是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图;
图27是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图;
图28是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图;
图29是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图;
图30是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图;
图31是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图;
图32是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图;
图33是本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是,本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
正如背景技术所述,发光面板中发光元件出射的光线的利用率较低,无法满足高亮度、低功耗的发光面板的显示发光要求。图1是相关技术的一种发光面板的俯视结构示意图,图2是图1中A'-A'的一种剖面结构示意图,结合参考图1和图2,发光面板包括基板010、位于基板上的油墨层020,油墨层020上设置有开口结构021,发光元件030位于开口结构021内。因油墨层020具有一定的反射能力,使得位于油墨层020中开口结构021内的发光元件030侧边出射的光线能够被反射,而重新利用,以提高光线的利用率。
但是,为便于发光元件030的设置,例如当发光元件030为mini-LED或micro-LED时,因发光元件030需要与基板010上的焊盘(图中未示出)键合,若油墨层020的油墨材料与发光元件030离得太近,会影响发光元件030与焊盘键合时的固晶工艺,为保证发光元件030与焊盘键合的准确性和稳定性,通常在平行于基板010所在平面的方向X上,开口结构021的尺寸要大于发光元件030的尺寸,这使得发光元件030与油墨层020中具有反射功能的反射部之间存在间隙022,使得光线会由该间隙022处漏出,且通常情况下该间隙022越大所漏出的光线越多,从而使得发光元件030出射的光线无法被高效的利用;在需要较高显示发光亮度时,只能通过为发光元件030提供更高的显示发光信号的方式来实现,且因提供至发光元件030的显示发光信号越高,功耗越大,从而不利于降低发光面板的功耗。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供一种发光面板,该发光面板包括:衬底基板;位于衬底基板上的第一反射层和多个发光元件;第一反射层包括第一反射部和多个镂空部;发光元件位于镂空部内,且位于镂空部内的发光元件与第一反射部之间具有间隙;位于衬底基板与第一反射层之间的至少一个第二反射部;在垂直于衬底基板所在平面的方向上,第二反射部覆盖所述间隙。
采用上述技术方案,通过将发光元件设置于第一反射层的镂空部内,使得第一反射层的第一反射部环绕发光元件,采用第一反射部对部分光线进行反射,而被重新利用;同时,在第一反射层与衬底基板之间设置第二反射部,且该第二反射部至少覆盖发光元件与第一反射部的间隙位置,该第二反射部能够对由发光元件与第一反射部之间的间隙漏出的光线进行反射,而使得该部分光线被重新利用。本发明实施例能够降低发光元件出射的光线的损失率,提高发光元件出射的光线的利用率,从而能够相对提高发光面板的显示发光亮度,进而提高发光面板的显示发光效果;相较于通过向发光元件提供更高的显示信号以提高发光亮度的情况,在发光元件的光线利用率提高时,无需提高更高的显示信号就能够使得发光面板具有相应的显示发光亮度,从而有利于降低发光面板的功耗。
以上是本发明的核心思想,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下,所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
图3是本发明实施例提供的一种发光面板的膜层结构示意图,图4是本发明实施例提供的一种发光面板的俯视结构示意图,结合参考图3和图4,发光面板100包括衬底基板10,以及位于衬底基板10上的第一反射层20和多个发光元件30;该第一反射层20包括第一反射部21和多个镂空部22,发光元件30位于镂空部22内。其中,第一反射层20为具有一定反射能力的膜层,这使得位于镂空部22内的发光元件30出射的光线到达第一反射部21时,第一反射部21能够对该部分光线进行反射,以使得该部分光线能够被重新利用。
可以理解的是,图3仅为本发明实施例示例性的附图,图3中仅示例性的示出了发光元件30背离衬底基板10的一侧表面高于第一反射层20背离衬底基板10的一侧表面;在本发明实施例中,也可以为发光元件背离衬底基板的一侧表面低于第一反射层背离衬底基板的一侧表面,或者,发光元件背离衬底基板的一侧表面与第一反射层背离衬底基板的一侧表面齐平,本发明实施例对此不做具体限定。
其中,如图4所示,镂空结构22在衬底基板10上的正投影的形状可以与发光元件30在衬底基板10上的正投影的形状相同,例如可以均为矩形结构,也可以均为圆形、椭圆形、三角形等规则或不规则的形状。或者,如图5所示,镂空结构22在衬底基板10上的正投影的形状也可以与发光元件30在衬底基板10上的正投影的形状不同,例如镂空结构在衬底基板10上的正投影为圆角矩形、圆形或椭圆形等结构,而发光元件在衬底基板10上的正投影为矩形、三角形、菱形等结构,本发明实施例对此不做具体限定。为便于描述,在没有特殊说明的情况下,本发明实施例均以镂空结构22在衬底基板10上的正投影的形状与发光元件30在衬底基板10上的正投影的形状相同为例,对本发明实施例的技术方案进行示例性的说明。
在本发明实施例中,为满足发光面板100的设计需求,位于镂空部22内的发光元件30与第一反射部21之间具有间隙201,此时,发光元件30出射的部分光线以及第一反射部21反射的部分光线会由间隙201朝向衬底基板10的一侧出射。通常发光面板100的显示发光面1001为发光元件30背离衬底基板10的一侧,使得在部分光线由间隙201朝向衬底基板10的一侧出射时,该部分光线无法到达发光面板100的显示发光面1001,而无法为发光面板100的显示发光面1001的显示发光亮度做出贡献,从而不利于光线利用率的提高,无法满足高显示发光亮度要求的发光面板100的需求,以及不利于发光面板100的功降耗。
继续结合参考图3和图4,在位于衬底基板10与第一反射层20之间设置至少一个第二反射部41;在垂直于衬底基板10所在平面的方向Z上,第二反射部41覆盖间隙201,以使得从间隙201朝向衬底基板10一侧传播的光线到达第二反射部41时,该第二反射部41能够对该部分光线进行反射,使得该部分光线的反射光线能够朝向背离衬底基板10的一侧传播,而到达发光面板100的显示发光面1001,使得该部分光线被重新利用,从而能够降低光线的损失率,提高光线的利用率,满足高显示发光亮度的发光面板100的显示发光需求,进而能够提高发光面板100的显示发光效果;同时,当光线的利用率提高时,可提供较小的显示发光信号,即可满足发光面板100较高的显示发光亮度的需求,从而有利于降低发光面板100的功耗。
可选的,第一反射层20和第二反射部41均可以具有较高反射能力;示例性的,第一反射层20可以包括白油墨。此时,第一反射层20可以通过喷涂或印刷的方式形成于发光元件20周围的衬底基板10上,或者,可以涂布或印刷一整层的第一反射层20后,再对第一反射层20进行图案化,形成相应的镂空部22和第一反射部21,以便于在后续的制程中将发光元件30设置于镂空部22内,满足发光元件30的显示发光需求。
可以理解的是,第二反射部41的材料可以与第一反射层的材料可以相同或不同。在一可选的实施例中,第二反射部41的材料可以包括银和/或铝等具有较高反射率的金属材料,以使得第二反射部41可以与发光面板100中已有的金属膜层在同一产线上进行制备,有利于简化发光面板100的制程,降低发光面板100的制备成本。
在本发明实施例中,发光元件30可以包括但不限于有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)、微型发光二极管(micro Light Emitting Diode,micro-LED)、迷你发光二极管(mini Light Emitting Diode,mini-LED)、发光二极管(Light Emitting Diode,LED)灯珠等。在一些可选的实施例中,发光元件30优选为尺寸介于50μm~200μm的mini-LED,以使得发光面板100具有较高的分辨率。
可以理解的是,发光面板100可以为直接显示相应图像的显示面板;也可以用于为其它显示模组(例如液晶显示模组等)提供背光源,此时发光面板100为背光模组的组成部分。本发明实施例对发光面板100的作用和类型不做具体限定。
需要说明的是,如图3所示,发光元件30可以与镂空部22一一对应设置,即每个镂空部22中设置有一个发光元件30,此时第一反射部21不仅能够对发光元件30发出的部分光线进行反射,还能够用于隔离相邻的两个发光元件30,以防止相邻两个发光元件30发出的光线之间产生串扰。
在一可选的实施例中,如图6所示,每个镂空部22内也可以设置有两个或两个以上的发光元件30,位于同一镂空部22内的发光元件30的发光颜色可以相同或不同,本发明实施例对此不做具体限定。同时,在不考虑相邻两个发光元件30出射的光线之间的光串扰问题的情况下,位于同一镂空部内22的相邻两个发光元件30之间的空隙301内可不设置相应的光阻挡结构;此时,为提高光线的利用率,在垂直于衬底基板10所在平面的方向Z上,第二反射部41还可以覆盖位于同一镂空部内22的相邻两个发光元件30之间的空隙301。
或者,如图7所示,当需要考虑位于同一镂空部内的相邻两个发光元件30之间的光串扰问题时,还可以在位于同一镂空部内22的相邻两个发光元件30之间的空隙内填充相应的光阻挡结构302,使得发光元件30出射的光线无法透过光阻挡结构302到达另一发光元件30。其中,光阻挡结构30可以包括吸光材料和/或反射材料,本发明实施例对此不做具体限定。
为便于描述,在没有特殊说明的情况下,本发明实施例均以图3所示的,每个镂空结构22内设置有一个发光元件30为例,对本发明实施例的技术方案进行示例性的说明。
可以理解的是,如图3所示,在垂直于衬底基板10所在平面的方向Z上,覆盖不同间隙201的第二反射部41可以为一体结构,该一体结构可以整面状的结构存在。或者,如图8所示,在第二反射部41为一结构的前提下,可在第二反射部41设置相应的开口,在垂直于衬底基板10所在平面的方向Z上,该开口与间隙201互不交叠,此时,相较于整面状的第二反射部41,通过在第二反射部41中设置开口,由于开口的位置处不存在第二反射部41的膜层材料,使得第二反射部41的开口的位置处对第二反射部41下方的膜层压力较小,甚至无压力,此时因第二反射部41的压力,而在该第二反射部41下方的其它膜层(例如衬底基板)各个位置处所产生的应力较小,即有利于减小第二反射部41施加至该第二反射部41下方的其它膜层的应力;同时,当第二反射部41采用金属或其它能够导电材料制成时,相较于第二反射部41为整面状的情况,在第二反射部41中设置开口,能够减小第二反射部41中导电结构在衬底基板10上的正投影的面积,从而能够减少因发光面板100的制程(生产、组装、测试、存放、搬运等过程)中所产生的静电,在第二反射部41上所累积的电荷量,以在形成相应的静电释放路径时,能够降低静电对发光面板100中各个器件结构的影响,从而有利于提高发光面板100的生产良率和使用寿命。
在一可选的实施例中,结合参考图4和图8所示,发光面板100可以包括与多个镂空部22对应的多个第二反射部41;其中,相邻两个第二反射部41互不连接。
如此,通过使相邻两个第二反射部41互不连接,从而使得各第二反射部41以独立的块状结构存在于衬底基板10与第一反射20之间,此时,相邻两个第二反射部41之间的区域不会对第二反射部下方的其它膜层(例如衬底基板10)产生相应的压力,从而能够有利于减小第二反射部41所在膜层下方的其它膜层中所承受的应力;同时,因各第二反射部41相互独立,每个第二反射部41在衬底基板10上的正投影的面积相对较小,使得各第二反射部41因静电而累积的电荷量较少,以在形成相应的静电释放路径时,能够降低静电对发光面板100中各个器件结构的影响,从而有利于提高发光面板100的生产良率和使用寿命。
示例性的,结合参考图4和图8,各第二反射部41可与各镂空部22一一对应,即每个镂空部22对应一个第二反射部41,此时,在垂直于衬底基板10所在平面的方向Z上,每个镂空部22仅与一个第二反射部41具有交叠。
或者,结合参考图8和图9,每个镂空部22可对应多个第二反射部41,此时,在垂直于衬底基板10所在平面的方向Z上,每个镂空部22与多个第二反射部41具有交叠,与同一镂空部22相交叠的各反射部41可以环绕该镂空部内的发光元件30进行设置。
在一可选的实施例中,多个镂空部也可对应一个第二反射部,此时,在垂直于衬底基板所在平面的方向上,每个反射部与多个镂空部具有交叠。
上述仅为镂空部22与第二反射部41的对应关系的示例性的说明,本发明实施例中,镂空部22与第二反射部的对应关系包括但不限于上述内容。为便于描述,在没有特殊说明的前提下,本发明实施例均以各第二反射部41与各镂空部22一一对应为例,对本发明实施例的技术方案进行示例性的说明。
需要说明的是,图4和图8中仅示例性的示出了,在垂直于衬底基板10所在平面的方向Z上,第二反射部41仅覆盖间隙201,而与发光元件30和第一反射部21互不交叠;而在本发明实施例中,第二反射部41的结构不限于此。
可选的,在垂直于衬底基板所在平面的方向上,第二反射部还与间隙两侧的发光元件和/或第一反射部交叠。
示例性的,图10是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图,图11是本发明实施例提供的又一种发光面板的俯视结构示意图,结合参考图10和图11所示,以第二反射部21同时与间隙两侧的发光元件30和第一反射部具有交叠为例,此时,第二反射部41不仅能够对传播至间隙在第二反射部41所在膜层的正投影处的光线进行反射,还能够对传播至间隙201在第二反射部所在膜层的正投影周围的光线进行反射,同时还能够对发光元件30朝向衬底基板10一侧出射的至少部分光线进行反射,以使发光元件30发出的光线得以高效利用,提高发光元件30出射的光线的利用率,从而有利于提高发光面板100的显示发光亮度,进而有利于降低发光面板100的功耗。
其中,第二反射部41在衬底基板10上的正投影的形状可以与发光元件30和/或开口结构22在衬底基板10上的正投影的形状保持一致,例如,第二反射部41、发光元件30以及开口结构22在衬底基板10上的正投影的形状均为矩形。在一可选的实施例中,如图12所示,第二反射部41在衬底基板10上的正投影的形状也可以不同于发光元件30和/或开口结构22在衬底基板10上的正投影的形状,例如发光元件30和/或开口结构22在衬底基板10上的正投影的形状为矩形,而第二反射部41在衬底基板10圆形、椭圆形等,本发明实施例对此不做具体限定。
需要说明的是,在垂直于衬底基板所在平面的方向Z上,第二反射部41覆盖间隙201的基础上,图10和图11仅示例性的示出了,第二反射部41还同时与间隙两侧的发光元件30和第一反射部具有交叠;而在本发明可选的实施例中,如图13所示,在垂直于衬底基板所在平面的方向Z上,第二反射部41还可以仅与间隙一侧的发光元件30具有交叠;或者,如图14所示,在垂直于衬底基板所在平面的方向Z上,第二反射部41还可以仅与间隙一侧的第一反射部21具有交叠。本发明实施例对此不做具体限定,为便于描述,在没有特殊说明的前提下,本发明实施例均以在垂直于衬底基板所在平面的方向Z上,第二反射部41覆盖间隙201的基础上,第二反射部41还同时与间隙两侧的发光元件30和第一反射部具有交叠为例,对本发明实施例的技术方案进行示例性的说明。
可选的,继续参考图10,发光元件30在垂直于衬底基板10所在平面的方向上的高度为H1,发光元件30与第一反射层20之间的间隙沿第一方向X的最小宽度为d1;第二反射部41背离衬底基板10一侧的表面与发光元件30背离衬底基板10一侧的表面之间的间距为H2;第一方向X为平行于衬底基板10所在平面的方向;其中,沿第一方向X,发光元件30与第二反射部41的边缘的最短距离d2至少为(d1/H1)*H2。
具体的,图10所示的膜层示意图的剖面中,间隙201的对角线、间隙201靠近衬底基板10一侧的底边、以及发光元件30的侧壁组成的一个第一三角形;间隙201的对角线延长线、第二反射部41背离衬底基板10一侧的上表面、以及发光元件30的侧壁的延长线构成一个第二三角形;其中,发光元件30相对的两侧的间隙201的对角线的延长线与第二反射部41的上表面的交点分别为N和N',发光元件30的侧壁的延长线与第二反射部41的上表面的交点为M;此时,有三角形相似原则可以获知,tanθ=d1/H1=Lmn/H2,Lmn为在第一方向X上M与N之间的距离,此时可以获知Lmn=(d1/H1)*H2。由于经由间隙201处漏出的光线到达第二反射部41的上表面后的最大覆盖区域为N-N'的区域,该N-N'的区域可以认为是在发光面板的俯视结构示意图中以N与N'之间的距离为直径的圆形区域;为确保第二反射部41能够对由间隙201所漏出的光线进行充分反射,可使得发光元件30与第二反射部41的边缘的最短距离d2至少为Lmn,即d2大于或等于(d1/H1)*H2,从而能够最大限度地提高光线的利用率。
可选的,图15是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图,如图15所示,发光面板100还包括位于衬底基板10与发光元件30之间的驱动电路层50;该驱动电路层50包括多个驱动电路501;驱动电路501与发光元件30电连接,用于驱动发光元件30进行发光。其中,当发光面板100为能够直接显示相应图像的显示面板时,通过不同的驱动电路501为不同的发光元件30或不同区域的发光元件30提供不同的显示发光信号,能够使不同的发光元件30或不同区域的发光元件30具有不同的显示发光亮度,不同颜色以及不同显示发光亮度的发光元件30出射的光线传输至发光面板100的显示发光面1001,使得发光面板100的显示发光面1001呈现出色彩丰富的画面。当发光面板100为用于为其它显示模组提供背光源的背光模组的组成部分时,通过不同的驱动电路501为不同的发光元件30或不同区域的发光元件30提供不同的显示发光信号,控制不同的发光元件30或不同区域的发光元件30呈现不同的显示发光亮度,以实现背光模组的局域调光功能。
需要说明的是,图15中仅示例性的示出了驱动电路501的部分结构(晶体管TM和存储电容Cst),而在本发明实施例中驱动电路的结构不限于此,即驱动电路501可以由任何符合设计需求的有源器件和/或无源器件。其中,有源器件例如包括晶体管等,无源器件例如包括电阻、电容、电感等。
在一个示例性的实施例中,如图16所示,驱动电路501可以为常规的2T1C(包括两个晶体管M和T、以及一个存储电容Cst)电路,其中,开关晶体管M在扫描信号Scan的控制下导通或断开,且在开关晶体管M导通时,能够将数据信号Data传输至驱动晶体管T的栅极,使得驱动晶体管T根据其栅极的信号向发光提供相应的显示发光信号,该显示发光信号通过由电源PVDD和PVEE组成的通路传输至发光元件30中,控制发光元件30进行发光。
在另一个示例性的实施例中,如图17所示,驱动电路501还可以为常见的7T1C(包括七个晶体管M1、M2、M3、M4、M5、M6和T、以及一个存储电容Cst)电路,七个晶体管中,晶体管M1、M2、M3、M4、M5和M6作为开关晶体管,各开关晶体管晶体管(M1、M2、M3、M4、M5和M6)在相应的扫描信号(Scan1、Scan2、Scan3、Emit)的控制下导通或断开,以控制数据信号Data、初始化信号Ref、以复位信号Ref'提供相应的传输路径的通断;晶体管T作为驱动晶体管,用于将数据信号Data转换为能够驱动发光元件30进行发光的显示发光信号。其中,复位信号Ref'可以与初始化信号Ref相同或不同,本发明实施例对此不做具体限定。可以理解的是,当本发明实施例提供的驱动电路为7T1C电路时,其驱动时序可以与本领域人员所熟知的7T1C电路的驱动时序类似,在此不再赘述。
继续参考图15,驱动电路层50可以包括至少一层金属层(51、52、53),该金属层(51、52、53)包括驱动电路501的至少部分,例如可以包括驱动电路中晶体管的栅极、源漏电极、存储电容的极板、传输信号线、连接信号线等中的至少一种。此外,发光面板还可以包括位于衬底基板10与所述发光元件30之间的第二反射层40;该第二反射层40包括至少部分第二反射部41。其中,第二反射层的反射率可大于驱动电路层50中金属层(51、52、53)的反射率。
具体的,由于包括至少部分第二反射部41的第二反射层40应具有较强的光线反射能力,以使得到达第二反射部41的光线能够被高效地反射;驱动电路层50的金属层(51、52、53)包括驱动电路501的至少部分,这使得金属层(51、52、53)需要具有良好的导电能力,以满足信号在金属层(51、52、53)的相应结构中的传输要求,而无需较高的反射能力,因此所形成的第二反射层40的反射率可大于驱动电路层50中金属层(51、52、53)的反射率。在一可选的实施例中,第二反射层40的材料可以与驱动电路层中部分金属层(51、52、53)的材料相同,此时可通过对第二反射层40背离衬底基板10的上表面进行表面处理,以达到较高的反射率。或者,第二反射层40可通过具有较高反射率的材料制得,例如银或铝;而驱动电路501的金属层(51、52、53)可通过具有良好导电性的材料制得,例如Ti-Al-Ti合金材料等。在第二反射层40具有较大的反射率,驱动电路层50中金属层(51、52、53)具有较强的导电性的前提下,本发明实施例对第二反射层40和驱动电路层50中金属层(51、52、53)的材料均不做具体限定。
可选的,继续参考图15,在驱动电路501包括至少一个晶体管TM时,驱动电路层50除包括金属层(51、52、53)外,该驱动电路层50还包括半导体层54,该半导体层54包括晶体管TM的有源层541;此时,若第二反射层40位于半导体层54与衬底基板10之间,即第二反射层40位于半导体层54靠近衬底基板10的一侧,则在垂直于衬底基板10所在平面的方向Z上,第二反射部41与有源层541互不交叠。
具体的,晶体管TM的有源层541的沟道在受到光照情况下形成光生载流子,即电子空穴对,电子向晶体管TM的漏极方向移动,空穴向晶体管TM的源极方向移动,从而形成漏电流,影响晶体管TM的性能,使得晶体管TM无法准确地传输相应的信号,进而影响发光元件30的显示发光亮度。同时,当第二反射层40位于半导体层54与衬底基板10之间时,第二反射层40中的第二反射部41对从间隙201中漏出的光线进行反射,该第二反射部41所反射的光线需要透过晶体管TM的有源层541所在的膜层。如此,通过在垂直于衬底基板10所在平面的方向Z上,使第二反射部41与有源层541互不交叠,能够改善或避免第二反射部41所反射的光线到达晶体管TM的沟道,而增加晶体管TM的漏电流,影响晶体管TM的性能的问题,提高驱动电路501中晶体管TM所传输的信号的准确性,从而能够提高发光元件30的显示发光准确性,进而提高发光面板100的显示发光效果。
可选的,继续参考图15,当发光元件30为mini-LED或micro-LED等时,发光面板100中还应包括与发光元件30的电极键合的连接电极61,该连接电极61可以位于发光元件30与第一金属层51之间,以使得发光元件30通过连接电极61与信号线600电连接。其中,连接电极61与信号线600位于同一金属层60中。
此外,继续参考图15,发光面板100中还应包括位于任意相邻两层金属层(51、52、53)之间的绝缘层(14、15),位于半导体层54与相应金属层(52)之间的绝缘层、位于第一反射层40与驱动电路层50中相应膜层之间的绝缘层11和12、以及覆盖驱动电路501各器件结构的绝缘层16等;其中,绝缘层16可以为能够填平因驱动电路501中各器件结构图案化而产生的凹凸起伏结构,或者,绝缘层16也可以与位于任意两层金属层之间的其它类似绝缘层的膜层,例如氧化硅绝缘层、氮化硅绝缘层等,本发明实施例对此不做具体限定。同时,在金属层60背离衬底基板10的一侧还可以设置有相应的绝缘层,以对金属层60进行保护,或者,也可以省去金属层60背离衬底基板10一侧的绝缘层,直接由第一反射层20进行代替,以达到简化膜层,节省工艺的目的。
需要说明的是,图15仅为本发明实施例提供的发光面板的示例性的附图,图15中,连接电极61需与其同层设置的信号线600连接,再由信号线600通过相应的过孔与驱动电路501电连接;而在本发明实施例中,发光面板的膜层设置方式不限于此。可以理解的是,图15中示出的为膜层结构示意图,由于膜层截面位置的原因,导致图15示出的连接电极61与信号线600之间为断开的结构,而在本发明实施例中,连接电极61与信号线600是相互电连接的。
示例性的,图18是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图,图18中与图15中相同之处,可参照上述对图15的描述,在此不再赘述,此处仅对图18与图15不同之处进行示例性的说明。如图18所示,在驱动电路层50的金属层51中形成相应的连接信号线62,以使连接电极61通过连接信号线62与驱动电路501电连接;此时,可在绝缘层16中形成相应的开口结构,以露出部分连接信号线62,使得连接电极61可直接与连接信号线62接触,从而在发光元件30的电极与连接电极61键合后,能够实现发光元件30与驱动电路501的电连接。
为便于描述,在没有特殊说明的情况下,本发明实施例均以图18示出的发光面板的膜层结构示意图为例,对本发明实施例的技术方案进行示例性的说明。
可以理解的是,驱动电路层可以包括一层或多层金属层,其可以根据实际需要进行设计,本发明实施例对此不做具体限定。为便于描述,本发明实施例均以驱动电路层包括多层金属层为例,对本发明实施例的技术方案进行示例性的说明。
可选的,继续参考图18,至少一层金属层(51、52、53)可以包括第一金属层;此时,第二反射层40可以位于第一金属层(51、52或53)与衬底基板10之间。
具体的,第一金属层可以为包括晶体管的源漏电极、数据信号线、电源信号线、连接信号线等中至少一种的金属层51;其中,数据信号线用于传输数据信号Data,电源信号线用于传输电源信号PVDD和/或PVEE,连接信号线用于连接驱动电路中的晶体管、存储电容等。或者,第一金属层可以为包括晶体管的栅极、扫描信号线等中至少一种的金属层52;其中,扫描信号线用于传输扫描信号Scan(Scan1、Scan2、Scan3)。或者,第一金属层也可以为包括存储电容Cst的极板、复位信号线、初始化信号线等至少一种的金属层53;其中,复位信号线用于传输复位信号Ref',初始化信号线用于传输初始化信号Ref。本发明实施例对第一金属层中所设置的具体结构不做具体限定。
在一可选的实施例中,第一金属层可以包括信号线;信号线与发光元件30电连接;在垂直于衬底基板10所在平面的方向Z上,信号线与位于第二反射层40的第二反射部41交叠。
示例性的,以驱动电路501为7T1C电路为例,图19是与图17对应的一种发光面板的膜层局部俯视结构示意图,结合参考图17、图18和图19,当第一金属层为包括晶体管的源漏电极的金属层51时,因发光元件30的两个电极(阳极和阴极)需要分别接收不同的信号,以驱动发光元件30进行发光,使得发光元件30的阳极需要通过相应的信号线600(连接信号线62)与驱动电路501电连接,而发光元件30的阴极也需要通过相应的信号线600(电源信号线63)接收相应的电源信号PVEE。此时,信号线600需要跨过间隙201在第一金属层51上的正投影的区域,使得在垂直于衬底基板10所在平面的方向上,信号线600与位于第二反射层40的所第二反射部41具有一定的交叠。
可选的,图20是图19中B区域的一种放大的膜层俯视结构示意图,图21是图20中C-C截面的一种剖面结构示意图,结合参考图19、图20和图21,信号线600(62和63)包括至少一个通光孔511;在垂直于衬底基板10所在平面的方向Z上,通光孔511与位于第二反射层40的第二反射部41交叠。
具体的,由于具有较高发射率的第二反射层40位于第一金属层51与衬底基板10之间,且第一金属层51的反射率和透光率均较小,这使得第一金属层51中的部分信号线600会阻挡部分光线朝向衬底基板10一侧传播,以及阻挡第二反射层40的第二反射部41所反射的部分光线;同时,第一金属层51也无法对光线进行高效的反射,从而影响光线的利用率;此时,可通过在第一金属层51中与第二反射层40的第二反射部41相交叠的信号线600上设置相应的通光孔511,使得朝向衬底基板10一侧传播的光线透过该通光孔511后到达第二反射层40的第二反射部41,并第二反射部41高效反射,并且第二反射部41所反射的光线也能够透过该通光孔511到达显示发光面1001,从而提高光线的利用率,进而有利于提高发光面板100的显示发光亮度,以及降低发光面板100的功耗。
示例性的,如图22所示,位于开口结构221内的发光元件3001与第一反射部21之间存在间隙2011,位于开口结构222内的发光元件3002与第一反射部21之间存在间隙2012,位于开口结构223内的发光元件3003与第一反射部21之间存在间隙2013。以位于开口结构221内的发光元件3001对应的第二反射部41的反射情况为例,当通光孔和第二反射部满足上述条件时,由发光元件3001左侧极限位置处进入间隙的光线L1,透过间隙2011和相应的通光孔到达第二反射部41后,由第二反射部41反射后的反射光线L2能够从间隙2012处出射到达发光面板100的显示发光面;由发光元件3001右侧极限位置处进入间隙的光线L3,透过间隙2011和相应的通光孔到达第二反射部41后,由第二反射部41反射后的反射光线L4能够从间隙2013处出射到达发光面板100的显示发光面;还有一部分透过间隙2011和相应的通光孔的光线L5到达第二反射部41后,由第二反射部41反射后的反射光线L4能够从间隙2011处再次出射到达发光面板100的显示发光面。如此,通光使通光孔和第二反射部满足上述条件能够明显提高光的利用率。
可以理解的是,在不考虑信号线600的传输阻抗等的前提下,在垂直于衬底基板10所在平面的方向上,通光孔511与第二反射部41的交叠面积越大越有利于光线的利用率的提高,或者,通光孔511在平行于衬底基板10所在平面的方向X上的尺寸越大越有利于光线的利用率的提高。但是,通常通光孔511的尺寸并非是无限制的增大的。其中,此处的X方向可以是与第二反射部41相交叠的信号线600的长边延伸方向,其可以是阵列排布的发光元件30的行方向,也可以为阵列排布的发光元件30的列方向,本发明实施例对此不做具体限定。
在一可选的实施例中,结合参考图20和图21,在垂直于衬底基板10所在平面的方向上,连接电极61与信号线600交叠;沿第一方向X,连接电极61与通光孔511之间的最短距离为d3,连接电极61与信号线600(例如电源信号线63)的边缘的最短距离为d4;其中,d3≥d4;第一方向X为平行于衬底基板10所在平面的方向。如此,在确保通光孔511在第一方向X上具有足够大的尺寸的前提下,还能够确保连接电极61与信号线63足有足够的接触面积,防止连接电极61与信号线63虚连,而无法准确地将相应的信号传输至连接电极61,导致发光元件30发光异常的现象产生。
可选的,继续结合参考图20和图21,发光元件30背离衬底基板10的一侧表面与第一反射层20靠近衬底基板10的一侧表面之间的距离为h1;发光元件30背离衬底基板10的一侧表面与第一金属层51背离衬底基板10的一侧表面之间的距离为h2;相互电连接的连接电极61和发光元件30中,连接电极61靠近第一反射部21的侧边与发光元件30靠近该第一反射部21的侧边沿第一方向X的距离为d5;发光元件30与第一反射层20之间的间隙201沿第一方向X的最小宽度为d1;沿第一方向,通光孔511的长度d6的取值范围为:d6≥d5-d3+(d1/h1)*h2。
具体的,在C-C截面的剖面中,基于三角形相似原则可知:tanβ=d1/h1=d7/h2,即d7=(d1/h1)*h2,d7为从发光元件30的侧边开始沿第一方向X朝向远离发光元件30的一侧延伸至通光孔511的边缘的最小尺寸;除此外,通光孔511在第一方向X的尺寸还应包括从发光元件30的一侧沿第一方向X朝向连接电极61的一侧延伸的尺寸,即d5-d3;如此,通光孔511的在第一方向X上的最小尺寸应为d5-d3+(d1/h1)*h2,只有在通光孔511在第一方向X上的尺寸d6大于或等于d5-d3+(d1/h1)*h2,才能使足够多的光线透过通光孔511到达位于第一金属层51靠近衬底基板10一侧的第二反射部41,从而能够有效的提高光线的利用率。
需要说明的是,上述仅以信号线600上设置有一个通光孔511为例,对本发明实施例的技术方案进行了示例性的说明。而在本发明一可选的实施例中,如图23所示,信号线600上可以设置多个通光孔511,该多个通光孔511沿第二方向Y依次间隔设置;第二方向Y为与衬底基板100平行的方向。此时,相邻两个通光孔之间所保留的信号线600可用于传输信号,以使得信号线600具有较小的阻抗,减小信号线600传输信号的损失量,即提高信号线600传输信号的准确性和均匀性,从而在满足透光要求,提高光线的利用率的前提下,还能够提高发光面板的显示发光效果。其中,第二方向Y可以与第一方向X交叉,也可以为第一方向X平行,本发明实施例对此不做具体限定。
在一可选的实施例中,继续参考图23,通光孔511在第二方向Y上的宽度w≥1μm。使得通光孔511在满足工艺制备条件下,能够具有较大的宽度,满足透光要求。
其中,当第二方向Y与第一方向X相交时,第一方向X可以为通光孔511的长度方向,而第二方向Y为通光孔511的宽度方向。第二方向Y与第一方向X依据信号线600与第二反射部41的交叠情况进行确定,并非指代确定的方向。
可以理解的是,上述仅以通光孔511在衬底基板10上的正投影为矩形为例,对本发明实施例的技术方案进行了示例性的说明,而在本发明实施例中通光孔511在衬底基板10上的正投影的形状还可以为圆形、椭圆形、三角形、以及其它规则或非规则的形状等,本发明实施例对此不做具体限定。
需要说明的是,上述以第一金属层仅包括驱动电路的结构为例,对本发明实施例的技术方案进行了示例性的说明。而在本发明实施例中,第一金属层也可以包括部分第二反射部。
可选的,图24是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图,如图24所示,第一金属层51可以包括部分第二反射部412,此时,在垂直于衬底基板10所在平面的方向上,位于第一金属层51的第二反射部412与位于第二反射层40的第二反射部411互不交叠。
具体的,由于第二反射层40的反射率大于第一金属层51的反射率,因此在垂直于衬底基板10所在平面的方向上,位于第一金属层51的第二反射部412与位于第二反射层40的第二反射部411互不交叠时,由间隙201漏出的大部分光线均能够到达第二反射层40的第二反射部411,使得第二反射40的第二反射部411对光线进行充分反射,而第一金属层51的第二反射部412能够对其它无法到达第二反射部411的光线进行反射,以具有较高光线的利用率,满足高显示要求的发光面板100的显示发光需求。
需要说明的是,上述以第二反射层40位于衬底基板与驱动电路层50之间为例对本发明实施例的技术方案进行了示例性的说明,而在本发明实施例中,当驱动电路层50包括多个膜层时,第二反射层40还可以位于驱动电路层50中任意相邻的两个膜层之间。
可选的,图25是本发明实施例提供的又一种发光面板的膜层结构示意图,如图25所示,至少一层金属层还可以包括与第一金属层51相互绝缘的第二金属层52(或53);此时,第二反射层40可位于第一金属层51与第二金属层52(或53)之间;相应的,第二金属层52(或53)也可以包括部分第二反射部413(或414),且在垂直于衬底基板10所在平面的方向Z上,至少部分位于第二金属层52(或53)的第二反射部413(或414)与位于第二反射层40的第二反射部411交叠,以及位于第一金属层51的第二反射部412与位于第二金属层52(或53)的第二反射部413(或414)交叠。
具体的,由于具有较高反射率的第二反射层40位于第二金属层52(或53)背离衬底基板的一侧,因此第二金属层52(或53)中的第二反射部413(或414)不会对第二反射层40中的第二反射部411造成遮挡,此时,在垂直于衬底基板10所在平面的方向Z上,至少部分位于第二金属层52(或53)的第二反射部413(或414)与位于第二反射层40的第二反射部411具有交叠,能够使得第二金属层52(或53)的第二反射部413(或414)对透过第二反射层40的部分光线进行反射,从而具有较高的光线的利用率;同时,在垂直于衬底基板10所在平面的方向Z上,第二金属层52(或53)中的第二反射部413(或414)还能够与位于第一金属层51的第二反射部412具有交叠,这使得位于第二反射层40的第二反射部411与与位于第一金属层51的第二反射部412之间在第一方向X上的空隙处的光线进行反射,以进一步提高光线的利用率。
需要说明的是,上述仅以第一金属层为驱动电路层50中最远离衬底基板10的金属层51。而在本发明另一实施例中,如图26所示,第一金属层也可以为驱动电路层50中居中的金属层53,此时,第二金属层为位于第一金属层53靠近衬底基板10一侧的金属层52,其原理与上述第一金属层为驱动电路层50中最远离衬底基板10的金属层51类似,相同之处可参照上述对第一金属层为驱动电路层50中最远离衬底基板10的金属层51的描述,在此不再赘述。
可选的,如图27所示,当第二反射层40为金属反射层时,驱动电路层50可以包括所述第二反射层40;此时,第二反射层40与金属层(51或52)相互绝缘,且第二反射层40还可以包括驱动电路501的部分结构,例如,第二反射层40包括至少部分第二反射部41的前提下,还可以包括驱动电路501中存储电容的极板C1。如此,通过合理选择第二反射层40的材料,使得第二反射层40兼具导电性和反射性,从而能够使得第二反射层40复用为驱动电路501中的金属层53,以简化发光面板100的膜层结构,简化发光面板100的制备工艺,降低发光面板100的制备成本,提高发光面板100的生产效率,同时还有利于发光面板100的轻薄化。
需要说明的是,图27中仅示例性的示出了第二反射层40复用为包括驱动电路501中用于设置存储电容的极板的金属层53,而在本发明实施例中,当第二反射层40还包括驱动电路501的部分结构时,第二反射层40还可以复用为包括驱动电路501中其它结构的膜层。示例性的,如图28所示,第二反射层40还可以复用为包括驱动电路501中晶体管的栅极542的金属层52;或者,如图29所示,第二反射层40还可以复用为包括驱动电路501中晶体管的源漏电极542的金属层51。本发明实施例对此不做具体限定。
在本发明可选的实施例中,如图30所示,第二反射层40还可以位于驱动电路层50与发光元件30之间。此时,第二反射层40中的第二反射部411不会被驱动电路层50中膜层遮挡,从而能够对由间隙处漏出到达第二反射层40的光线进行高效的反射。
可选的,继续参考图30,当第二反射层40还可以位于驱动电路层50与发光元件30之间时,驱动电路50的金属层51(52、53)也可以包括部分第二反射部412(413、414),且在垂直于衬底基板10所在平面的方向Z上,位于金属层51(52、53)的第二反射部412(413、414)与位于第二反射层40的第二反射部411交叠。如此,位于金属层51(52、53)的第二反射部412(413、414)能够对穿过第二反射层40的光线进行反射,以进一步提高光线的利用率。
在一可选的实施例中,如图31所示,发光面板100还可以包括反射玻璃层70;该反射玻璃层70也可以包括至少部分第二反射部41。
其中,反射玻璃层70通常具有良好的绝缘性,不会对静电电荷进行累计,且反射玻璃层70可以具有较低的密度,使得反射玻璃层70向其下方的膜层(例如衬底基板10)所施加的应力较小,此时,反射玻璃层70可以为整面状结构。或者,在一可选的实施例中,反射玻璃层70也可以为块状结构,以在满足对光线的反射要求的前提下,进一步减小向其下方的膜层(例如衬底基板10)所施加的应力。
示例性的,如图31所示,反射玻璃层70可以为在背离衬底基板10的一侧表面镀有增反膜701的玻璃层。或者,如图32所示,反射玻璃层70可以为在背离衬底基板10的一侧表面设置有反射结构702的玻璃层,本发明实施例对此不做具体限定。
可以理解的是,图31和32仅示例性地示出了反射玻璃层70位于衬底基板10与驱动电路层50之间,而在本发明实施例中,反射玻璃层70可以与第二反射层具有相同的设置方式,本发明实施例对此不做具体限定。相同之处可参考上述对第二反射层的描述,在此不再赘述。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供一种显示装置,该显示装置包括本发明实施例提供的发光面板,因此本发明实施例提供的显示装置具备本发明实施例提供的发光面板的技术特征,能够达到本发明实施例提供的发光面板的有益效果,相同之处可参考上述对本发明实施例提供的发光面板的描述,在此不再赘述。
示例性的,图33是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图,如图33所述,显示装置200包括发光面板100,该显示装置200可以为手机、平板电脑、智能可穿戴设备(例如,智能手表)以及本领域技术人员可知的其他显示装置,本发明实施例对此不作限定。
上述具体实施方式,并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是,根据设计要求和其他因素,可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明保护范围之内。

Claims (23)

1.一种发光面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上的第一反射层和多个发光元件;所述第一反射层包括第一反射部和多个镂空部;所述发光元件位于所述镂空部内,且位于所述镂空部内的所述发光元件与所述第一反射部之间具有间隙;
位于所述衬底基板与所述第一反射层之间的至少一个第二反射部;在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述第二反射部覆盖所述间隙。
2.根据权利要求1所述的发光面板,其特征在于,在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述第二反射部还与所述间隙两侧的所述发光元件和/或所述第一反射部交叠。
3.根据权利要求1所述的发光面板,其特征在于,包括与多个所述镂空部对应的多个所述第二反射部;其中,相邻两个所述第二反射部互不连接。
4.根据权利要求3所述的发光面板,其特征在于,所述发光元件在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上的高度为H1,所述发光元件与所述第一反射层之间的间隙沿第一方向的最小宽度为d1;所述第二反射部背离所述衬底基板一侧的表面与所述发光元件背离所述衬底基板一侧的表面之间的间距为H2;所述第一方向为平行于所述衬底基板所在平面的方向;
其中,沿所述第一方向,所述发光元件与所述第二反射部的边缘的最短距离d2至少为(d1/H1)*H2。
5.根据权利要求1所述的发光面板,其特征在于,还包括:位于所述衬底基板与所述发光元件之间的驱动电路层;所述驱动电路层包括多个驱动电路;所述驱动电路与所述发光元件电连接,用于驱动所述发光元件进行发光;
所述发光面板还包括位于所述衬底基板与所述发光元件之间的第二反射层;
所述第二反射层包括至少部分所述第二反射部;
所述驱动电路层包括至少一层金属层;所述金属层包括所述驱动电路的至少部分;
所述第二反射层的反射率大于所述金属层的反射率。
6.根据权利要求5所述的发光面板,其特征在于,至少一层所述金属层包括第一金属层;
所述第二反射层位于所述第一金属层与所述衬底基板之间。
7.根据权利要求6所述的发光面板,其特征在于,所述第一金属层还包括部分所述第二反射部;
在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,位于所述第一金属层的所述第二反射部与位于所述第二反射层的所述第二反射部互不交叠。
8.根据权利要求7所述的发光面板,其特征在于,至少一层所述金属层还包括与所述第一金属层相互绝缘的第二金属层;所述第二反射层位于所述第一金属层与所述第二金属层之间;
所述第二金属层包括部分所述第二反射部;
在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,至少部分位于所述第二金属层的所述第二反射部与位于所述第二反射层的所述第二反射部交叠,以及位于所述第一金属层的所述第二反射部与位于所述第二金属层的所述第二反射部交叠。
9.根据权利要求6所述的发光面板,其特征在于,所述第一金属层包括信号线;所述信号线与所述发光元件电连接;
在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述信号线与位于所述第二反射层的所述第二反射部交叠。
10.根据权利要求9所述的发光面板,其特征在于,所述信号线包括至少一个通光孔;
在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述通光孔与位于所述第二反射层的所述第二反射部交叠。
11.根据权利要求10所述的发光面板,其特征在于,还包括:位于所述发光元件与所述第一金属层之间的连接电极;所述发光元件通过所述连接电极与所述信号线电连接。
12.根据权利要求11所述的发光面板,其特征在于,在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述连接电极与所述信号线交叠;
沿第一方向,所述连接电极与所述通光孔之间的最短距离为d3,所述连接电极与所述信号线的边缘的最短距离为d4;其中,d3≥d4;所述第一方向为平行于所述衬底基板所在平面的方向。
13.根据权利要求12所述的发光面板,其特征在于,所述发光元件背离所述衬底基板的一侧表面与所述第一反射层靠近所述衬底基板的一侧表面之间的距离为h1;所述发光元件背离所述衬底基板的一侧表面与所述第一金属层背离所述衬底基板的一侧表面之间的距离为h2;
相互电连接的所述连接电极和所述发光元件中,所述连接电极靠近所述第一反射部的侧边与所述发光元件靠近该所述第一反射部的侧边沿所述第一方向的距离为d5;所述发光元件与所述第一反射层之间的间隙沿所述第一方向的最小宽度为d1;
沿所述第一方向,所述通光孔的长度d6的取值范围为:d6≥d5-d3+(d1/h1)*h2。
14.根据权利要求10所述的发光面板,其特征在于,当所述信号线上包括多个所述通光孔时,多个所述通光孔沿第二方向依次间隔设置;
所述第二方向为与所述衬底基板平行的方向。
15.根据权利要求14所述的发光面板,其特征在于,所述通光孔在所述第二方向上的宽度w≥1μm。
16.根据权利要求5所述的发光面板,其特征在于,所述驱动电路包括至少一个晶体管;
所述驱动电路层还包括半导体层;所述半导体层包括所述晶体管的有源层;
所述第二反射层位于所述半导体层与所述衬底基板之间;
在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述第二反射部与所述有源层互不交叠。
17.根据权利要求5所述的发光面板,其特征在于,所述第二反射层为金属反射层;所述驱动电路层包括所述第二反射层;所述第二反射层与所述金属层相互绝缘;所述第二反射层还包括所述驱动电路的部分结构。
18.根据权利要求5所述的发光面板,其特征在于,所述第二反射层位于所述驱动电路层与所述发光元件之间。
19.根据权利要求18所述的发光面板,其特征在于,所述金属层还包括部分所述第二反射部;
在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,位于所述金属层的所述第二反射部与位于所述第二反射层的所述第二反射部交叠。
20.根据权利要求1所述的发光面板,其特征在于,还包括:反射玻璃层;
所述反射玻璃层包括至少部分所述第二反射部。
21.根据权利要求1所述的发光面板,其特征在于,所述第二反射部的材料包括银和/或铝。
22.根据权利要求1所述的发光面板,其特征子在于,所述第一反射层包括白油墨。
23.一种显示装置,其特征在于,包括:权利要求1-22任一项所述的发光面板。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115360284A (zh) * 2022-08-01 2022-11-18 Tcl华星光电技术有限公司 背光板、制备方法以及显示面板
CN116723742A (zh) * 2023-06-28 2023-09-08 惠科股份有限公司 显示模组及其制作方法和显示装置
WO2024169241A1 (zh) * 2023-02-14 2024-08-22 惠州华星光电显示有限公司 一种显示面板及其制备方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230113452A (ko) * 2022-01-21 2023-07-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함한 타일형 표시 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180294254A1 (en) * 2017-01-24 2018-10-11 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Micro light emitting diode display panel and manufacturing method thereof
CN112259006A (zh) * 2020-10-29 2021-01-22 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN112750854A (zh) * 2021-02-04 2021-05-04 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN113270437A (zh) * 2020-02-17 2021-08-17 京东方科技集团股份有限公司 背板及其制备方法、显示装置
CN113488501A (zh) * 2021-06-30 2021-10-08 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN215896398U (zh) * 2021-07-30 2022-02-22 合肥京东方星宇科技有限公司 一种阵列基板、发光装置和拼接显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180294254A1 (en) * 2017-01-24 2018-10-11 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Micro light emitting diode display panel and manufacturing method thereof
CN113270437A (zh) * 2020-02-17 2021-08-17 京东方科技集团股份有限公司 背板及其制备方法、显示装置
CN112259006A (zh) * 2020-10-29 2021-01-22 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN112750854A (zh) * 2021-02-04 2021-05-04 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN113488501A (zh) * 2021-06-30 2021-10-08 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN215896398U (zh) * 2021-07-30 2022-02-22 合肥京东方星宇科技有限公司 一种阵列基板、发光装置和拼接显示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115360284A (zh) * 2022-08-01 2022-11-18 Tcl华星光电技术有限公司 背光板、制备方法以及显示面板
WO2024169241A1 (zh) * 2023-02-14 2024-08-22 惠州华星光电显示有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN116723742A (zh) * 2023-06-28 2023-09-08 惠科股份有限公司 显示模组及其制作方法和显示装置
CN116723742B (zh) * 2023-06-28 2024-08-02 惠科股份有限公司 显示模组及其制作方法和显示装置

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