CN113488501A - 显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括：相对设置的第一基板和第二基板；还包括：多个发光元件和多个挡墙结构，位于第一基板和第二基板之间，且发光元件设置于第一基板上，挡墙结构设置于第二基板上；挡墙结构位于相邻发光元件之间；多个第一辅助结构，至少部分发光元件与第一基板之间设置有第一辅助结构；在平行于第一基板的方向上，第一辅助结构与缝隙交叠；其中，缝隙为挡墙结构与第一基板之间的间隙。本发明实施例提供的显示面板，可以提高显示面板的显示效果。

Description

显示面板及显示装置
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着科学技术的不断发展，越来越多的具有显示功能的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们如日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。
电子设备实现显示功能的重要部件是显示面板。现有的显示面板中，相邻发光元件发出的光线会相互串扰，存在影响显示效果的问题。
发明内容
本发明提供一种显示面板及显示装置，以提高显示面板的显示效果。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括：相对设置的第一基板和第二基板；
还包括：
多个发光元件和多个挡墙结构，位于所述第一基板和所述第二基板之间，且所述发光元件设置于所述第一基板上，所述挡墙结构设置于所述第二基板上；所述挡墙结构位于相邻所述发光元件之间；
多个第一辅助结构，至少部分所述发光元件与所述第一基板之间设置有所述第一辅助结构；
在平行于所述第一基板的方向上，所述第一辅助结构与缝隙交叠；其中，所述缝隙为所述挡墙结构与所述第一基板之间的间隙。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括：第一方面所述的显示面板。
本发明实施例的技术方案，设置围绕发光元件的挡墙结构，通过挡墙结构防止相邻发光元件的出射光线相互串扰；进一步在至少部分发光元件与第一基板之间设置有第一辅助结构，通过第一辅助结构将发光元件垫高，使得发光元件远离挡墙结构的下表面与第一基板之间的缝隙，改善相邻发光元件的出射光线由此缝隙相互串扰，提高显示面板的显示效果。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图4是图3中第一辅助结构的放大图；
图5是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图6是图5中第一辅助结构的放大图；
图7是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图13是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图14是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图15是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图16是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图17是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图；
图18是图17沿BB’方向的剖面结构示意图；
图19是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图20是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图21是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图22是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图23是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
需要说明的是，下述实施例在不矛盾的前提下可以相互结合。
基于背景技术中的问题，本发明实施例提供了一种显示面板。示例性的，图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图1所示，本发明实施例提供的显示面板100包括：相对设置的第一基板10和第二基板20；还包括：多个发光元件30和多个挡墙结构40，位于第一基板10和第二基板20之间，且发光元件30设置于第一基板10上，挡墙结构40设置于第二基板20上；挡墙结构40位于相邻发光元件30之间；多个第一辅助结构50，至少部分发光元件30与第一基板10之间设置有第一辅助结构50；在平行于第一基板10的方向上，第一辅助结构50与缝隙60交叠；其中，缝隙60为挡墙结构40与第一基板10之间的间隙。
其中，发光元件30例如可以为次毫米发光二极管(Mini LED)或者微型发光二极管(Micro LED)等，本实施例不对发光元件30的类型进行限定。
具体的，挡墙结构40围绕发光元件30设置，以防止相邻发光元件30的出射光线相互串扰。但是考虑到制备工艺导致挡墙结构40高度的存在波动以及第一基板10和第二基板20在进行贴合时的误差等因素的影响，有可能导致挡墙结构40的下表面(背离第二基板20一侧的表面)与第一基板10之间存在一定的间距，即图1中的缝隙60，此时发光元件30发出的光线会通过该缝隙60传输，如此，仍然会存在相邻发光元件30的出射光束相互串扰的问题。为此，本发明实施例在至少部分发光元件30与第一基板10之间设置有第一辅助结构50，通过第一辅助结构50将发光元件30垫高，使得发光元件30远离缝隙60，改善相邻发光元件30的出射光线由此缝隙60相互串扰。
需要说明的是，本发明实施例不对形成第一辅助结构50的方法进行限定。示例性的，例如在第一基板10上形成第一辅助结构层，然后对第一辅助结构层进行刻蚀，以形成多个第一辅助结构50。可以理解的是，为了实现发光元件30与第一基板10上设置的信号传输单元的电连接，第一辅助结构50还包括过孔(图中未示出)，发光元件30通过过孔与所述的信号传输单元电连接，以使信号传输单元上传输的信号驱动发光元件30发光。
需要说明的是，本发明实施例中的显示面板100可以采用有源矩阵驱动方式，也可以采用无源矩阵驱动方式。当显示面板100采用有源矩阵驱动方式时，显示面板100还包括位于第一辅助结构50与第一基板10之间的像素电路层70，其中像素电路层70包括多个像素电路(图中未示出)，该像素电路通过第一辅助结构50的过孔与发光元件30电连接，用于驱动发光元件30发光，在能够实现上述功能的前提下，本发明实施例对像素电路的具体结构不做具体限定，可以理解的是，像素电路即为前述所述的信号传输单元；当显示面板100采用无源矩阵驱动方式时，第一基板10上设置有为发光元件30提供信号的多条信号走线，该信号走线通过第一辅助结构50的过孔与发光元件30电连接，具体驱动方式，本发明实施例不做具体限定，可以理解的是，信号走线即为前述所述的信号传输单元。图1以显示面板100采用有源矩阵驱动方式为例进行的说明，下述实施例相同，下述实施例不再赘述。
可以理解的是，当第一基板10与第一辅助结构50之间还设置有其他膜层时，缝隙60即为第一基板10的最靠近第一辅助结构50的表面与挡墙结构40之间的间隙。示例性的，当显示面板还包括像素电路层70时，缝隙60为像素电路层70最靠近第一辅助结构50的表面与挡墙结构40之间的间隙。
可以理解的是，多个发光元件30可以包括多个不同颜色的发光元件，例如包括红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件，红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件分别发射出红色、绿色以及蓝色的光，实现彩色画面的显示。多个发光元件30还可以包括多个相同颜色的发光元件，例如多个发光元件30的发光颜色均为白色。当发光元件30的发光颜色为白色时，则可选的第二基板20上还设置有黑矩阵21和色阻层22，其中色阻层包括红色色阻块221、蓝色色阻块222和绿色色阻块223，以使白色光线经过红色色阻块221之后透过红光，经过蓝色色阻块222之后透过蓝光，经过绿色色阻块223之后透过绿光。当发光元件的发光颜色为蓝色时，可选的第二基板20上还设置有颜色转换层，颜色转换层例如可以包括量子点层或者荧光材料层等具有颜色转换功能的膜层，图1以颜色转换层包括量子点层23为例进行的说明，当颜色转换层包括量子点层23时，量子点层23例如包括红色量子点231和绿色量子点233，蓝光经过红色量子点231发射出红光，蓝光经过绿色量子点233之后发射出绿光，实现彩色画面的显示。当第二基板20上设置有颜色转换层时，第二基板20上同样可以设置黑矩阵21以及色阻层22，如图1所示。
需要说明的是，至少部分发光元件30与第一基板10之间设置有第一辅助结构50可以为所有发光元件30与第一基板10之间设置有第一辅助结构50；还可以为在部分发光元件30与第一基板10之间设置第一辅助结构50，本实施例对此不做具体限定，本领域技术人员可以根据实际情况设置。
可选的，继续参见图1，沿垂直于第一基板10的方向上，挡墙结构40的截面形状包括正梯形。
所谓正梯形即是说沿第二基板20指向第一基板10的方向，挡墙结构40的尺寸越来越大，亦即梯形的短边位于靠近第二基板20的一侧，而梯形的长边位于短边背离第二基板20的一侧；换句话说，挡墙结构40倒立的设置在第二基板20上。示例性的，当发光元件为Mini LED或者Micro LED时，发光元件30的发光方向为四面八方，通过设置挡墙结构40的截面形状为正梯形，可以将传输至挡墙结构40侧壁的光线反射至出光侧，而不是反射至第一基板10的方向，如此，可以提高发光元件40的光利用率。
可选的，继续参见图1，在平行于第一基板10的方向上，挡墙结构40和第一辅助结构50的距离为W，其中，2μm≤W≤8μm。
将挡墙结构40和第一辅助结构50的距离设置为2μm到8μm之间，即不会因为挡墙结构40和第一辅助结构50的距离过小在第一基板10和第二基板20进行对位贴合时，由于工艺误差等因素导致挡墙结构40与第一辅助结构50和/或发光元件30之间接触，也不会因为挡墙结构40和第一辅助结构50的距离过大，使得发光元件30与挡墙结构40之间的空间太大导致有更多的光线通过缝隙60传输，进而进一步导致相邻发光元件30的出射光束相互串扰，以及降低显示面板的分辨率，因此，本实施例较佳的设置挡墙结构40和第一辅助结构50的距离W为2μm≤W≤8μm，以在保证挡墙结构40与第一辅助结构50和/或发光元件30之间无接触的同时，还可以改善相邻发光元件30的出射光束相互串扰，同时不会影响显示面板的分辨率。
本发明实施例提供的显示面板，设置围绕发光元件的挡墙结构，通过挡墙结构防止相邻发光元件的出射光线相互串扰；进一步在至少部分发光元件与第一基板之间设置有第一辅助结构，通过第一辅助结构将发光元件垫高，使得发光元件远离挡墙结构的下表面与第一基板之间的缝隙，改善相邻发光元件的出射光线由此缝隙相互串扰，提高显示面板的显示效果。
可选的，图2是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图2所示，在垂直于第一基板10所在平面的方向，第一辅助结构50包括相对设置的第一表面51和第二表面52，第一表面51位于第二表面52靠近第一基板10的一侧；挡墙结构40包括相对设置的第三表面41和第四表面42，第三表面41位于第四表面42靠近第二基板20的一侧；第四表面42到第一基板10所在平面的距离L1小于第二表面52到第一基板10所在平面的距离L2。
本实施方案中，第四表面42到第一基板10所在平面的距离L1小于第二表面52到第一基板10所在平面的距离L2，即第二表面52位于第四表面42靠近第二基板20的一侧，亦即在垂直于第一基板的方向上，发光元件30位于缝隙60之上，如此，可以进一步改善相邻发光元件30的出射光线由此缝隙60相互串扰。
可选的，图3是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，图4是图3中第一辅助结构的放大图，如图3和图4所示，在垂直于第一基板10所在平面的方向：第一辅助结构50包括相对设置的第一表面51和第二表面52，第一表面51位于第二表面52靠近第一基板10的一侧；第一辅助结构50还包括连接第一表面51和第二表面52的侧壁53；第一辅助结构50上设置有缺口结构54；缺口结构54包括第一端541、第二端542以及连接第一端541和第二端542的凹弧面543；其中，沿挡墙结构40指向发光元件30的方向，凹弧面543朝向背离挡墙结构40并朝向第一辅助结构50的内部凹陷；第一端541位于侧壁53，第二端542位于第一表面51，且第二端542位于第一端541背离挡墙结构40的一侧；或者，图5是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，图6是图5中第一辅助结构的放大图，如图5和图6所示，侧壁53为凹弧面543，第一端541位于第二表面52和侧壁53的交界处，第二端542位于第一表面51和侧壁53的交界处，且第二端542位于第一端541背离挡墙结构40的一侧。
本实施例方案中，通过设置第一辅助结构50包括缺口结构54，且该缺口结构54的凹弧面543向朝向背离挡墙结构40并朝向第一辅助结构50的内部凹陷，使得发光元件30发出的光线通过缝隙60入射至与该发光元件30相邻的发光元件30对应的第一辅助结构50时，该光线可以朝向第一基板10的方向反射，而不是朝向与该发光元件30相邻的发光元件30的出射光线方向，如此，可以进一步避免相邻发光元件30的出射光线相互串扰的问题。
可选的，图7是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图7所示，沿垂直于第一基板10的方向上，第一辅助结构50的截面形状包括倒梯形。
所谓倒梯形即是说沿第二基板20指向第一基板10的方向，挡墙结构40的尺寸越来越小，亦即梯形的短边与第一基板10接触，而梯形的长边位于短边背离第一基板10的一侧。
本实施例方案中，通过设置第一辅助结构50包括倒梯形，同样使得发光元件30发出的光线通过缝隙60入射至与该发光元件30相邻的发光元件30对应的第一辅助结构50时，该光线可以朝向第一基板10的方向反射，而不是朝向与该发光元件30相邻的发光元件30的出射光线方向，可以进一步避免相邻发光元件30的出射光线相互串扰的问题。
可选的，图8是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图8所示，第一基板10包括多个子像素区CC；多个发光元件30与多个子像素区CC一一对应；至少部分子像素区CC还包括颜色转换层；多个发光元件30的发光颜色均为第一颜色；多个子像素区CC包括第一子像素区CC1和第二子像素区CC2；第一子像素区CC1包括颜色转换层；第二子像素区CC2的发光元件30和第一基板10之间设置有第一辅助结构50。
由前述内容可知，颜色转换层例如可以包括量子点层或者荧光材料层等具有颜色转换功能的膜层，图8以颜色转换层为量子点层23为例进行的说明。
需要说明的是，多个子像素区CC可以包括多个第一子像素区CC1和多个第二子像素设置区CC2，但是不构成对本申请的限定，在其他可选实施例中，多个子像素区还可以包括多个第一子像素区、多个第二子像素区和多个第三子像素区，例如，图9是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图9所示，多个子像素区CC还可以包括多个第一子像素区CC1、多个第二子像素区CC2和多个第三子像素区CC3。
继续参见图8，示例性的，第一颜色为蓝色，位于第一子像素区CC1的发光元件30经过量子点层23转换之后出射的是红光或绿光，即第一子像素区CC1对应的颜色为红色或绿色。而由于第二子像素区CC2并未设置量子点层23，所以第二子像素区CC2对应的颜色为发光元件30的发光颜色，即蓝色。考虑到，当需要显示红色或绿色画面时，第一子像素区CC1需要显示，第二子像素区CC2不需要显示，然而，第一子像素区CC1对应的发光元件30发出的光线可能会通过缝隙60进入到第二子像素区CC2，由于第二子像素区CC2并未设置有量子点层23，通过缝隙60进入的光线直接在出光侧出射，所以即便第二子像素区CC2对应的发光元件30不发光，也会让不需要显示的第二子像素区CC2进行显示，亦即出现红画面蓝色偷亮的问题，或者出现绿画面蓝色偷亮的问题，影响显示效果。为此，本发明实施例中，将第一子像素区CC1中的发光元件30通过第一辅助结构50垫高，使该发光元件30远离缝隙60，如此，可以减少该发光元件30的光线通过缝隙60进入至第二子像素区CC2，改善偷亮问题。
继续参见图9，示例性的，第一颜色为蓝色，量子点层23例如包括红色量子点231和绿色量子点233，红色量子点231位于第一子像素区CC1，绿色量子点233位于第三子像素区CC3。位于第一子像素区CC1的发光元件30经过红色量子点231转换之后出射的是红光，位于第三子像素区CC3的发光元件30经过绿色量子点233转换之后出射的是绿光，即第一子像素区CC1对应的颜色为红色，第三子像素区CC3对应的颜色为绿色。而由于第二子像素区CC2并未设置量子点，所以第二子像素区CC2对应的颜色仍为发光元件30的发光颜色，即蓝色。当需要显示红绿色画面时，第一子像素区CC1和第三子像素区CC3需要显示，第二子像素区CC2不需要显示，然而，第一子像素区CC1对应的发光元件30发出的光线以及第三子像素区CC3对应的发光元件30发出的光线可能会通过缝隙60进入到第二子像素区CC2，由于第二子像素区CC2并未设置有量子点，通过缝隙60进入的光线直接在出光侧出射，所以即便第二子像素区CC2对应的发光元件30不发光，也会让不需要显示的第二子像素区CC2进行显示，亦即出现红绿画面蓝色偷亮的问题，影响显示效果。为此，本发明实施例中，将第一子像素区CC1中的发光元件30以及第三子像素区CC3中的发光元件30通过第一辅助结构50垫高，使该发光元件30远离缝隙60，如此，可以减少第一子像素区CC1中的发光元件30的光线以及第三子像素区CC3中的发光元件30的光线通过缝隙60进入至第二子像素区CC2，改善偷亮问题。
在上述方案的基础上，可选的，图10是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图10所示，本发明实施例提供的显示面板100还包括：多个触控电极80，位于挡墙结构40与第二基板20之间，且触控电极80在第一基板10所在平面的垂直投影与挡墙结构40在第一基板10所在平面的垂直投影至少部分交叠；透明辅助电极81，位于第一子像素区CC1，且设置于第二基板20上，且透明辅助电极81与其相邻的触控电极80电连接。
其中，显示面板中的触控方式大概分为三种：触控驱动电极和触控感应电极同层设置的互容式触控方式，触控驱动电极和触控感应电极异层设置的互容式触控方式，以及自容式触控方式。前述内容所述的触控电极80一般为自容式触控方式。可以理解的是，当显示面板的触控方式为自容式触控方式时，显示面板100包括多个触控电极80，多个触控电极80彼此之间不电连接，分别通过触控走线(图中未示出)与相应的芯片电连接，以分别接收触控信号。
由于第二子像素区CC2未设置有第一辅助结构50，所以第二子像素区CC2的发光元件30到第二基板20的距离大于第一子像素区CC1的发光元件30到第二基板20的距离，即第二子像素区CC2的发光元件30与第二基板20存在较大的空间。基于此，本实施例通过在第二子像素区CC2，且在第二基板20上设置透明辅助电极81，该透明辅助电极81与其相邻的触控电极80搭接，如此，增加该触控电极80的有效面积，提高触控性能。
可以理解的是，由于该透明触控电极81为透明材料，所以也不会对发光元件30发出的光线有遮挡，即不会影响显示面板100的显示。
需要说明的是，图10仅以多个子像素区CC可以包括多个第一子像素区CC1和多个第二子像素设置区CC2为例进行的说明。当多个子像素区CC还可以包括多个第一子像素区CC1、多个第二子像素区CC2和多个第三子像素区CC3时同样适用于该方案，例如，参见图11，因为原理相同，具体可以参考上述解释，在此不再赘述。
可选的，继续参见图10，当显示面板100包括黑矩阵21以及色阻块23时，触控电极80设置于黑矩阵21与挡墙结构40之间，透明辅助电极81设置于色阻块22背离第二基板20的一侧；且触控电极80在第一基板10所在平面的垂直投影位于黑矩阵21在第一基板10所在平面的垂直投影内。具体的制备方法例如可以为：在第二基板20上设置黑矩阵21，在黑矩阵21对应的开口位置设置色组块23，在黑矩阵21背离第二基板20的一侧设置触控电极80，且触控电极80在第一基板10所在平面的垂直投影位于黑矩阵21在第一基板10所在平面的垂直投影内；然后，在触控电极80背离黑矩阵21的一侧设置挡墙结构40；接着，在色组块23(第二子像素区CC2的色阻块)的位置设置透明触控电极层，对透明触控电极层进行图案化，形成透明触控电极81，其中，透明辅助电极81与其相邻的触控电极80搭接。如果显示面板100中还包括颜色转换层，则在设置完透明触控电极81后，在透明触控电极81背离第二基板20的一侧设置颜色转换层。
可选的，图12是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图12所示，第一基板10包括多个子像素区CC；多个发光元件30与多个子像素区CC一一对应；多个子像素区CC包括第一子像素区CC1和第二子像素区CC2；第一子像素区CC1的发光元件30和第一基板10之间设置有第一辅助结构50；第二子像素区CC2的发光元件30和第一基板10之间设置有第一辅助结构50。
也就是说，每个发光元件30与第一基板10之间均设置有第一辅助结构50，如此，使得每个子像素区CC内的发光元件30均可以远离缝隙60，改善相邻发光元件30的出射光线由此缝隙60相互串扰，也可以改善偷亮的问题。
同样，与前述实施例相同，多个子像素区CC可以包括多个第一子像素区CC1和多个第二子像素设置区CC2，其中，第一子像素区CC1对应的颜色例如为绿色或红色，第二子像素区CC2对应的颜色例如可以为蓝色；或者，图13是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图13所示，多个子像素区CC还可以包括多个第一子像素区CC1、多个第二子像素区CC2和多个第三子像素区CC3。第一子像素区CC1对应的颜色例如为红色，第二子像素区CC2对应的颜色例如为蓝色，第三子像素区CC3对应的颜色例如为绿色。
在上述方案的基础上，可选的，继续参见图12，第一基板10包括多个子像素区CC；多个发光元件30与多个子像素区CC一一对应；多个子像素区CC包括第一子像素区CC1和第二子像素区CC2；第一子像素区CC1的发光效率大于第二子像素区CC2的发光效率；第一子像素区CC1对应的第一辅助结构50包括黑色材料；第二子像素区CC2对应的第一辅助结构50包括白色材料或透明材料。
其中，可以理解的是，黑色材料可以对光线进行吸收，而白色材料或透明材料可以对光线进行反射。如前述内容所述，当发光元件30为Mini LED或者Micro LED时，发光元件30的发光方向为四面八方，其中，发光元件30的发光光线中部分是朝向第一辅助结构50的，若第一辅助结构50为黑色材料时，会对发光元件30发出的部分光线吸收；若第一辅助结构50为白色材料或透明材料时，会对发光元件30发出的部分光线进行反射。
考虑到，在没有对第一子像素区CC1对应的第一辅助结构50和第二子像素区CC2对应的第二辅助结构50进行区别化设置时，第一子像素区CC1的发光效果例如大于第二子像素区CC2的发光效率。为此，本实施方案中，通过选择第一子像素区CC1对应的第一辅助结构50的材料为黑色材料，使得第一子像素区CC1对应的发光元件30发出的部分光线被第一辅助结构50吸收，通过选择第二子像素区CC2对应的第一辅助结构50的材料为白无色材料或透明材料，使得第二子像素区CC2对应的发光元件30发出的部分光线被第一辅助结构50反射，提高第二子像素区CC2的光利用率，使得第一子像素区CC1的发光效果与第二子像素区CC2的发光效率趋于一致，提高显示面板100的显示效果。
继续参见图13，第一子像素区CC1的发光效率大于第二子像素区CC2的发光效率，第三子像素区CC3的发光效率也大于第二子像素区CC2的发光效率，则可以通过选择第一子像素区CC1和第三子像素区CC3对应的第一辅助结构50的材料为黑色材料，使得第一子像素区CC1和第三子像素区CC3对应的发光元件30发出的部分光线被第一辅助结构50吸收，通过选择第二子像素区CC2对应的第一辅助结构50的材料为白无色材料或透明材料，使得第二子像素区CC2对应的发光元件30发出的部分光线被第一辅助结构50反射，提高第二子像素区CC2的光利用率，使得第一子像素区CC1的发光效率、第二子像素区CC2的发光效率以及第三子像素区CC3的发光效率趋于一致，提高显示面板100的显示效果。
不仅可以通过设置第一子像素区CC1和第二子像素区CC2的第一辅助结构50的材料不同，使得第一子像素区CC1和第二子像素区CC2的发光效率趋于一致，或者，通过设置第一子像素区CC1、第二子像素区CC2以及第三子像素区CC3的第一辅助结构50的材料不同，使得第一子像素区CC1的发光效率、第二子像素区CC2的发光效率以及第三子像素区CC3的发光效率趋于一致。还可以通过其他方式，使得第一子像素区CC1和第二子像素区CC2的发光效率趋于一致，或者，使得第一子像素区CC1的发光效率、第二子像素区CC2的发光效率以及第三子像素区CC3的发光效率趋于一致，如下：
可选的，图14是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图14所示，第一基板10包括多个子像素区CC；多个发光元件30与多个子像素区CC一一对应；多个子像素区CC包括第一子像素区CC1和第二子像素区CC2；第一子像素区CC1的发光效率大于第二子像素区CC2的发光效率；第二子像素区CC2对应的第一辅助结构50背离第一基板10的一侧设置有反射结构82。
可以理解的是，反射结构82可以对光线进行反射。所以当第一辅助结构50上设置有反射结构82时，会对发光元件30发出的部分光线进行反射。
具体的，通过在发光效率比较低的第二子像素区CC2对应的第一辅助结构50上设置有反射结构82，使得第二子像素区CC2对应的发光元件30发出的部分光线被第一辅助结构50反射，提高第二子像素区CC2的光利用率，而发光效率比较高的第一子像素区CC1对应的第一辅助结构50上并未设置反射结构82，使得第一子像素区CC1的发光效果与第二子像素区CC2的发光效率趋于一致，提高显示面板100的显示效果。
参见图15，当多个子像素区CC包括多个第一子像素区CC1、多个第二子像素区CC2以及多个第三子像素区CC3时，且第一子像素区CC1的发光效率大于第二子像素区CC2的发光效率，第三子像素区CC1的发光效率也大于第二子像素区CC2的发光效率，通过在发光效率比较低的第二子像素区CC2对应的第一辅助结构50上设置有反射结构82，使得第二子像素区CC2对应的发光元件30发出的部分光线被第一辅助结构50反射，提高第二子像素区CC2的光利用率，而发光效率比较高的第一子像素区CC1对应的第一辅助结构50上以及第三子像素区CC3对应的第一辅助结构50并未设置反射结构82，使得第一子像素区CC1的发光效率、第二子像素区CC2的发光效率以及第三子像素区CC3的发光效率趋于一致，提高显示面板100的显示效果。
在上述各方案的基础上，可选的，图16是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图16所示，第一辅助结构50包括凹槽结构51，发光元件30位于凹槽结构51内。
当发光元件30设置于凹槽结构51内时，凹槽结构51可以对发光元件30部分光线进行遮挡，防止该部分光线通过缝隙60传输，改善相邻发光元件30的光串扰；同时由于发光元件30陷入凹槽结构51内，所以发光元件30的整体高度降低，如此，有利于显示面板100的轻薄化。
在上述各方案的基础上，可选的，图17是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图，图18是图17沿BB’方向的剖面结构示意图，本发明实施例提供的显示面板100还包括第二辅助结构90，环绕发光元件30设置；在垂直于第一基板10所在平面的方向，第二辅助结构90包括相对设置的第五表面91和第六表面92；第五表面91位于第六表面92靠近第一基板10的一侧；发光元件30包括相对设置的第七表面31和第八表面32，第七表面31位于第八表面32靠近第一基板10的一侧；第六表面92到第一基板10所在平面的距离L3小于第八表面32到第一基板10所在平面的距离L4。
由前述内容可知，本发明实施例中的显示面板100可以采用有源矩阵驱动方式，也可以采用无源矩阵驱动方式。无论是采用有源矩阵驱动方式，还是采用无源矩阵驱动方式，都会有相应的金属线。本实施例通过在除发光元件30的区域外设置第二辅助结构90，以遮挡金属线的反光。此外，第二辅助结构90也可以对发光元件30部分光线进行遮挡，防止该部分光线通过缝隙60传输，改善相邻发光元件30的光串扰；同时第一辅助结构50将发光元件30垫高，不会存在第二辅助结构90对发光元件30的有效发光区域造成遮挡的问题。也就是说，第二辅助结构90既不会对发光元件30的有效发光区域造成遮挡，同时还可以遮挡金属线的反光以及对发光元件30部分光线(进入缝隙60的光线)进行遮挡。
可选的，第二辅助结构90例如可以为填充胶片，填充胶片的材料一般为硅系或亚克力系。在进行设置时，一般是在发光元件30转移完成后，在发光元件30的周围设置第二辅助结构90，例如可以通过在多个发光元件30上设置一整层的黑色胶膜，然后使其熔化流至发光元件30的四周，固化形成第二辅助结构90。
需要说明的是，本实施例不对制备第二辅助结构90的方式进行具体限定，本领域技术人员可以根据实际情况制备，只要第二辅助结构90环绕发光元件30设置即可。
可选的，继续参见图17和图18，挡墙结构40在第一基板10所在平面的垂直投影与第二辅助结构90在第一基板10所在平面的垂直投影交叠。
示例性的，挡墙结构40在第一基板10所在平面的垂直投影为网格状结构，第二辅助结构90在第一基板10所在平面的垂直投影也设置为网格状结构，在垂直于第一基板10的方向上，两个网格状结构具有交叠，交叠面积本实施例不做具体限定。这样设置的好处在于，使得在垂直于第一基板10的方向上，挡墙结构40和第二辅助结构90之间无间隙，进一步遮挡金属线的反光，避免挡墙结构40和第二辅助结构90之间存在间隙时，光线通过该间隙照射至金属线上进而出现反光的问题。
可选的，图19是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构式示意图，如图19所示，在垂直于第一基板10的方向上，挡墙结构40包括相对设置的第三表面41和第四表面42，第三表面41位于第四表面42靠近第二基板20的一侧；第四表面42到第一基板10的距离小于等于第六表面92到第一基板10的距离。
当第二辅助结构90为填充胶片时，例如可以通过在第二辅助结构90固化前将第二基板20与第一基板10进行对位贴合，使得第二基板20上的挡墙结构40内嵌至第二辅助结构90内，然后在对第二辅助结构90进行固化。
本实施方案中，挡墙结构40内嵌至第二辅助结构90内，即在平行于第一基板10的方向上，第二辅助结构90和挡墙结构40之间无间隙，可以利用第二辅助结构90和挡墙结构40，完全阻隔发光元件30的出射光束，进而完全避免相邻发光元件30之间的光线串扰。并且，第二辅助结构90还可以提供一定的对位支撑力，可以辅助支撑挡墙结构40，为对位贴合提供一定的缓冲。
可选的，图20是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图20所示，第二辅助结构90内设置有反射粒子94。
可以理解的是，反射粒子94为可以对光进行反射的粒子，本实施例不对反射粒子94的材料进行具体限定，例如可以为金属等。
本实施方案中，通过在第二辅助结构90内设置反射粒子94，一方面，可发光元件30侧向的光线可以通过反射粒子94反射至该发光元件30所在的子像素中，防止相邻发光元件30之间的光串扰，同时还可以提高光线利用率；另一方面，可以防止光线透过第二辅助结构90照射至金属线上进而反光，即便有部分光线照射至金属线也可以通过反射粒子94反射至第一基板10的方向。
可选的，图21是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图21所示，在垂直于第一基板10所在平面的方向，第一辅助结构50包括相对设置的第一表面51和第二表面52，第一表面51位于第二表面52靠近第一基板10的一侧；第二辅助结构90设置于挡墙结构40上，且第五表面92到第二基板20的距离等于第一表面51到第二基板20的距离。即在垂直于第一基板10的方向，第二辅助结构90位于挡墙结构40和第一基板10的像素电路层70的靠近第二基板20一侧的表面之间，且第二辅助结构90与挡墙结构40之间无间隙，第二辅助结构90与像素电路层70之间无间隙，完全阻隔发光元件30的出射光束，进而完全避免相邻发光元件30之间的光线串扰。
例如，可以在第二基板20上形成挡墙结构40后，通过蘸取的方式在挡墙结构40背离第二基板20的一侧表面蘸取未进行固化的胶材料，然后进行第一基板10和第二基板20的对位贴合，使得第二辅助结构90位于缝隙60的位置，且第二辅助结构90相对的两个表面分别与挡墙结构40以及像素电路层70接触，填充挡墙结构40的工艺波动以及贴合误差导致的缝隙60。
可选的，图22是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图22所示，第二辅助结构90的第六表面92以及连接第六表面92和第五表面91的侧壁93上设置有反射层95。这样设置的好处在于，防止第二辅助结构90对发光元件30的吸收，将方向朝向第二辅助结构90的光线进行反射，提高发光元件30的光利用率。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施方式提供的任一种显示面板。示例性的，如图23所示，该显示装置110包括显示面板100。因此，该显示装置也具有上述实施方式中的显示面板所具有的有益效果，相同之处可参照上文对显示面板的解释说明进行理解，下文不再赘述。
本发明实施例提供的显示装置110可以为图23所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、工控设备、医用显示屏、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (19)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：相对设置的第一基板和第二基板；
还包括：
多个发光元件和多个挡墙结构，位于所述第一基板和所述第二基板之间，且所述发光元件设置于所述第一基板上，所述挡墙结构设置于所述第二基板上；所述挡墙结构位于相邻所述发光元件之间；
多个第一辅助结构，至少部分所述发光元件与所述第一基板之间设置有所述第一辅助结构；
在平行于所述第一基板的方向上，所述第一辅助结构与缝隙交叠；其中，所述缝隙为所述挡墙结构与所述第一基板之间的间隙。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述第一基板所在平面的方向，所述第一辅助结构包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面位于所述第二表面靠近所述第一基板的一侧；所述挡墙结构包括相对设置的第三表面和第四表面，所述第三表面位于所述第四表面靠近所述第二基板的一侧；
所述第四表面到所述第一基板所在平面的距离小于所述第二表面到所述第一基板所在平面的距离。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述第一基板所在平面的方向：所述第一辅助结构包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面位于所述第二表面靠近所述第一基板的一侧；所述第一辅助结构还包括连接所述第一表面和所述第二表面的侧壁；
所述第一辅助结构上设置有缺口结构；
所述缺口结构包括第一端、第二端以及连接所述第一端和所述第二端的凹弧面；
其中，沿挡墙结构指向所述发光元件的方向，所述凹弧面朝向背离所述挡墙结构内部凹陷；
所述第一端位于所述侧壁，所述第二端位于所述第一表面，且所述第二端位于所述第一端背离所述挡墙结构的一侧；或者，
所述侧壁为所述凹弧面，且所述第二端位于所述第一端背离所述挡墙结构的一侧。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿垂直于所述第一基板的方向上，所述第一辅助结构的截面形状包括倒梯形。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一基板包括多个子像素区；多个所述发光元件与多个所述子像素区一一对应；至少部分所述子像素区还包括颜色转换层；
多个所述发光元件的发光颜色均为第一颜色；
多个所述子像素区包括第一子像素区和第二子像素区；所述第一子像素区包括所述颜色转换层；
所述第二子像素区的所述发光元件和所述第一基板之间设置有所述第一辅助结构。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，还包括：
多个触控电极，位于所述挡墙结构与所述第二基板之间，且所述触控电极在所述第一基板所在平面的垂直投影与所述挡墙结构在所述第一基板所在平面的垂直投影至少部分交叠；
透明辅助电极，位于所述第一子像素区，且所述透明辅助电极与其相邻的所述触控电极电连接。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一基板包括多个子像素区；多个所述发光元件与多个所述子像素区一一对应；
多个所述子像素区包括第一子像素区和第二子像素区；
所述第一子像素区的所述发光元件和所述第一基板之间设置有所述第一辅助结构；
所述第二子像素区的所述发光元件和所述第一基板之间设置有所述第一辅助结构。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一基板包括多个子像素区；多个所述发光元件与多个所述子像素区一一对应；
多个所述子像素区包括第一子像素区和第二子像素区；
所述第一子像素区的发光效率大于所述第二子像素区的发光效率；
所述第一子像素区对应的所述第一辅助结构包括黑色材料；所述第二子像素区对应的所述第一辅助结构包括白色材料或透明材料。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一基板包括多个子像素区；多个所述发光元件与多个所述子像素区一一对应；
多个所述子像素区包括第一子像素区和第二子像素区；
所述第一子像素区的发光效率大于所述第二子像素区的发光效率；
所述第二子像素区对应的所述第一辅助结构背离所述第一基板的一侧设置有反射结构。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一辅助结构包括凹槽结构，所述发光元件位于所述凹槽结构内。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括第二辅助结构，环绕所述发光元件设置；
在垂直于所述第一基板所在平面的方向，所述第二辅助结构包括相对设置的第五表面和第六表面；所述第五表面位于所述第六表面靠近所述第一基板的一侧；所述发光元件包括相对设置的第七表面和第八表面，所述第七表面位于所述第八表面靠近所述第一基板的一侧；
所述第六表面到所述第一基板所在平面的距离小于所述第八表面到所述第一基板所在平面的距离。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述挡墙结构在所述第一基板所在平面的垂直投影与所述第二辅助结构在所述第一基板所在平面的垂直投影交叠。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述第一基板所在平面的方向，所述挡墙结构包括相对设置的第三表面和第四表面，所述第三表面位于所述第四表面靠近所述第二基板的一侧；所述第四表面到所述第一基板的距离小于等于所述第六表面到所述第一基板的距离。
14.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述第二辅助结构内设置有反射粒子。
15.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述第一基板所在平面的方向，所述第一辅助结构包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面位于所述第二表面靠近所述第一基板的一侧；所述第二辅助结构设置于所述挡墙结构上，且所述第五表面到所述第二基板的距离等于所述第一表面到所述第二基板的距离。
16.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述第二辅助结构的第六表面以及连接所述第六表面和所述第五表面的侧壁上设置有反射层。
17.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在平行于所述第一基板的方向上，所述挡墙结构和所述第一辅助结构的距离为W，其中，2μm≤W≤8μm。
18.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿垂直于所述第一基板的方向上，所述挡墙结构的截面形状包括正梯形。
19.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-18任一项所述的显示面板。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023123283A1 (zh) * 2021-12-30 2023-07-06 厦门市芯颖显示科技有限公司 显示面板及其制作方法
WO2023221038A1 (zh) * 2022-05-18 2023-11-23 无锡威峰科技股份有限公司 一种具有支撑阻隔挡墙结构的显示电浆模组及电浆显示屏
WO2024000706A1 (zh) * 2022-06-29 2024-01-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 发光板、显示装置及发光板的制作方法
WO2024045021A1 (zh) * 2022-08-31 2024-03-07 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180081378A (ko) * 2017-01-06 2018-07-16 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
CN110729282A (zh) * 2019-10-08 2020-01-24 武汉大学 一种Micro-LED显示芯片及其制备方法
US20200083280A1 (en) * 2018-09-11 2020-03-12 Prilit Optronics, Inc. Top emission microled display and bottom emission microled display and a method of forming the same
US20200312925A1 (en) * 2019-03-29 2020-10-01 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Display panel, display device and a method for manufacturing a display panel
WO2020258878A1 (zh) * 2019-06-28 2020-12-30 成都辰显光电有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN112599012A (zh) * 2020-12-18 2021-04-02 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板和显示装置
WO2021107267A1 (ko) * 2019-11-29 2021-06-03 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180081378A (ko) * 2017-01-06 2018-07-16 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
US20200083280A1 (en) * 2018-09-11 2020-03-12 Prilit Optronics, Inc. Top emission microled display and bottom emission microled display and a method of forming the same
US20200312925A1 (en) * 2019-03-29 2020-10-01 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Display panel, display device and a method for manufacturing a display panel
WO2020258878A1 (zh) * 2019-06-28 2020-12-30 成都辰显光电有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN110729282A (zh) * 2019-10-08 2020-01-24 武汉大学 一种Micro-LED显示芯片及其制备方法
WO2021107267A1 (ko) * 2019-11-29 2021-06-03 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
CN112599012A (zh) * 2020-12-18 2021-04-02 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板和显示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023123283A1 (zh) * 2021-12-30 2023-07-06 厦门市芯颖显示科技有限公司 显示面板及其制作方法
WO2023221038A1 (zh) * 2022-05-18 2023-11-23 无锡威峰科技股份有限公司 一种具有支撑阻隔挡墙结构的显示电浆模组及电浆显示屏
WO2024000706A1 (zh) * 2022-06-29 2024-01-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 发光板、显示装置及发光板的制作方法
WO2024045021A1 (zh) * 2022-08-31 2024-03-07 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

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