CN110098235B - 显示面板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种显示面板及其制作方法。所述显示面板包括并联的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管、存储电容和发光结构。所述第一薄膜晶体管在所述显示面板的出光面上的投影与所述第二薄膜晶体管在所述显示面板的出光上的投影重叠。所述发光结构与所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管电连接，且所述发光结构在所述显示面板的出光面上的投影与所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管在所述显示面板的出光面上的投影不重叠。所述存储电容位于所述发光结构下方，所述存储电容在所述显示面板的出光面上的投影与所述发光结构在所述显示面板的出光面上的投影重叠。本申请提供的显示面板及其制作方法能够提高底发光式显示面板的开口率和分辨率。

Description

显示面板及其制作方法
技术领域
本申请涉及电子显示领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
3T1C像素驱动电路是OLED显示面板中最常用的驱动电路。图1和图2是出了现有技术中的3T1C像素驱动电路的电路图和结构示意图。可以看出，现有技术中，由于薄膜晶体管和存储电容中都含有不透光的金属材料，因此发光二极管020只能被设置在金属避让区中。即，第一薄膜晶体管010、第二薄膜晶体管011、第三薄膜晶体管012、存储电容030和发光二极管020并列设置，它们在水平面上的投影不重叠。
这样的设置导致每一个驱动电路所占的版图面积都很大，一方面使显示面板的分辨率无法提高，另一方面也使得显示面板的开口率低，显示效果差。
申请内容
本申请提供了一种显示面板及其制作方法，以提高底发光式显示面板的开口率和分辨率。
为解决上述问题，本申请提供了一种显示面板，所述显示面板包括并联的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管、存储电容和发光结构；其中，
所述第一薄膜晶体管在所述显示面板的出光面上的投影与所述第二薄膜晶体管在所述显示面板的出光上的投影重叠；
所述发光结构与所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管电连接，且所述发光结构在所述显示面板的出光面上的投影与所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管在所述显示面板的出光面上的投影不重叠；
所述存储电容位于所述发光结构下方，所述存储电容在所述显示面板的出光面上的投影与所述发光结构在所述显示面板的出光面上的投影重叠。
根据本申请的其中一个方面，所述并联的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用同一个金属栅极。
根据本申请的其中一个方面，所述第一薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管；其中，所述第一薄膜晶体管包括第一有源区和第一源漏金属，所述第一有源区和第一源漏金属位于所述金属栅极的两侧。
根据本申请的其中一个方面，所述第一薄膜晶体管包括
基板，所述第一有源区位于所述基板上；
第一栅极介质层，所述第一栅极介质层位于所述第一有源区上，所述金属栅极位于所述第一栅极介质层上；
第一层间介质层，所述第一层间介质层覆盖所述第一有源区和所述金属栅极；
所述第一源漏金属位于所述第一层间介质层上，并通过贯穿所述第一层间介质层的第一通孔与所述第一有源区电连接。
根据本申请的其中一个方面，所述第二薄膜晶体管为背栅型薄膜晶体管；其中，所述第二薄膜晶体管包括第二有源区和第二源漏金属，所述第二有源区和第二源漏金属位于所述金属栅极的同一侧。
根据本申请的其中一个方面，所述第二薄膜晶体管包括：
第二栅极介质层，所述第二栅极介质层位于所述金属栅极上；
第二有源区，所述第二有源区位于所述第二栅极介质层上；
第二层间介质层，所述第二层间介质层覆盖所述第二有源区；
所述第二源漏金属位于所述第二层间介质层上，并通过贯穿所述第二层间介质层的第二通孔与所述第二有源区电连接。
根据本申请的其中一个方面，所述发光结构的阳极为透明电极，所述发光结构的阴极为反射电极。
根据本申请的其中一个方面，所述存储电容的第一极板与所述第一薄膜晶体管的第一有源区间隔设置，构成所述第一极板的材料与构成所述第一有源区的材料相同。
根据本申请的其中一个方面，所述存储电容的第二极板与所述第二薄膜晶体管的第二有源区间隔设置，构成所述第二极板的材料与构成所述第二有源区的材料相同。
相应的，本申请还提供了一种显示面板的制作方法，所述方法包括以下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成第一薄膜晶体管的第一有源区和存储电容的第一极板；
在所述第一有源区上形成第一栅极介质层；
在所述第一栅极介质层上形成金属栅极；
形成覆盖所述金属栅极、所述第一有源区和所述第一极板的第一层间介质层；
在所述第一层间介质层上形成第二薄膜晶体管的第二有源区和存储电容的第二极板；
形成覆盖所述第二有源区和第二极板的第二层间介质层；
形成贯穿所述第一层间介质层和第二层间介质与所述第一有源区电连接的第一源漏金属；
形成贯穿所述第二层间介质层与所述第二有源区电连接的第二源漏金属；
形成覆盖所述第一源漏金属和第二源漏金属的平坦化层；
在所述平坦化层上形成发光结构。
根据本申请的其中一个方面，所述第一有源区在所述基板上的投影完全覆盖所述第二有源区在所述基板上的投影。
根据本申请的其中一个方面，所述存储电容的第一极板和第二极板的面积相等。
根据本申请的其中一个方面，所述存储电容的第一极板在所述基板上的投影与所述第二极板在所述基板上的投影重叠。
根据本申请的其中一个方面，所述发光结构在所述基板上的投影与所述第一极板在所述基板上的投影重叠。
根据本申请的其中一个方面，形成所述发光结构的方法包括以下步骤：
在所述平坦化层上形成阳极，所述阳极与所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管电连接；
形成覆盖所述平坦化层的像素定义层，所述像素定义层具有暴露出所述阳极的开口；
在所述开口中形成发光材料；
形成覆盖所述发光材料的阴极。
相比于现有技术中的底发光式显示面板，本申请将3T1C像素驱动电路的两个晶体管层叠设置，节省了一个晶体管的面积。同时，将存储电容设置在发光结构下方，增大了像素点的开口率。同时，由于本申请中的显示面板的存储电容和两个层叠设置的薄膜晶体管的有源区同时形成，因此本申请在不增加工艺复杂度的枪框下优化了器件结构，极大的提升了现有技术中的底发光式显示面板的性能。
附图说明
图1为现有技术中的3T1C像素驱动电路的电路图；
图2为图1中的3T1C像素驱动电路的部分元件的结构示意图；
图3为本申请的一个实施例中的3T1C像素驱动电路的制作完有源区之后的结构示意图；
图4为本申请的一个实施例中的3T1C像素驱动电路的制作完源漏走线层之后的结构示意图；
图5为本申请的一个实施例中的3T1C像素驱动电路的制作完滤光片之后的结构示意图；
图6为本申请的一个实施例中的3T1C像素驱动电路的制作完阳极之后的结构示意图；
图7为本申请的一个实施例中的3T1C像素驱动电路的制作完发光结构之后的结构示意图；
图8为图7中的3T1C像素驱动电路的电路图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
首先对现有技术进行简要说明。参见图1和图2，图1为现有技术中的3T1C像素驱动电路的电路图，图2为图1中的3T1C像素驱动电路的部分元件的结构示意图。现有技术中的3T1C像素驱动电路包括驱动薄膜晶体管010、发光结构020、第一薄膜晶体管011、第二薄膜晶体管012和存储电容030。由于薄膜晶体管和存储电容中都含有不透光的金属材料，因此发光二极管020只能被设置在金属避让区中。
参见图2，所述第一薄膜晶体管011、发光结构020和存储电容030并列设置。同样的，图2中未示出的驱动薄膜晶体管010和第二薄膜晶体管012也与所述发光结构020并列设置。所述第一薄膜晶体管010、第二薄膜晶体管011、第三薄膜晶体管012、存储电容030和发光二极管020在水平面上的投影不重叠。这样的设置导致每一个驱动电路所占的版图面积都很大，一方面使显示面板的分辨率无法提高，另一方面也使得显示面板的开口率低，显示效果差。
因此，本申请提供了一种显示面板及其制作方法，以提高底发光式显示面板的开口率和分辨率。
参见图7和图8，图7为本申请的一个实施例中的3T1C像素驱动电路的结构示意图，图8为图7中的3T1C像素驱动电路的电路图。
所述显示面板包括并联的第一薄膜晶体管011和第二薄膜晶体管012、驱动薄膜晶体管010、存储电容030和发光结构020。
所述第一薄膜晶体管011在所述显示面板的出光面上的投影与所述第二薄膜晶体管012在所述显示面板的出光上的投影重叠。所述发光结构020与所述第一薄膜晶体管011或所述第二薄膜晶体管012电连接，且所述发光结构020在所述显示面板的出光面上的投影与所述第一薄膜晶体管011和第二薄膜晶体管012在所述显示面板的出光面上的投影不重叠。所述存储电容030位于所述发光结构020下方，所述存储电容030在所述显示面板的出光面上的投影与所述发光结构020在所述显示面板的出光面上的投影重叠。
参见图7，所述并联的第一薄膜晶体管011和第二薄膜晶体管012共用同一个金属栅极132。
本实施例中，所述第一薄膜晶体管011为顶栅型薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管011包括第一有源区121和第一源漏金属171，所述第一有源区121和第一源漏金属171位于所述金属栅极132的两侧。
本实施例中，所述第一薄膜晶体管011还包括：基板110、第一栅极介质层131和第一层间介质层140。
所述第一有源区121位于所述基板110上。所述第一栅极介质层131位于所述第一有源区121上，所述金属栅极132位于所述第一栅极介质层131上。所述第一层间介质层140覆盖所述第一有源区121和所述金属栅极132。所述第一源漏金属171位于所述第一层间介质层140上，并通过贯穿所述第一层间介质层140的第一通孔与所述第一有源区121电连接。
本实施例中，所述第二薄膜晶体管012为背栅型薄膜晶体管。所述第二薄膜晶体管012包括第二有源区151和第二源漏金属172，所述第二有源区151和第二源漏金属172位于所述金属栅极132的同一侧。
本实施例中，所述第二薄膜晶体管012还包括：第二栅极介质层、第二有源区151和第二层间介质层160。所述第二栅极介质层位于所述金属栅极132上。在本实施例中，由于所述第二层间介质层160覆盖所述第二有源区151，且所述第二层间介质层160的顶部高于所述第二有源区151的顶部，因此本实施例以所述第二层间介质层160作为第二栅极介质层。所述第二有源区151位于所述第二层间介质层160上。所述第二源漏金属172位于所述第二层间介质层160上，并通过贯穿所述第二层间介质层160的第二通孔与所述第二有源区151电连接。
参见图7，本实施例中，所述存储电容030的第一极板122与所述第一薄膜晶体管011的第一有源区121间隔设置，构成所述第一极板122的材料与构成所述第一有源区121的材料相同。所述存储电容030的第二极板152与所述第二薄膜晶体管012的第二有源区151间隔设置，构成所述第二极板152的材料与构成所述第二有源区151的材料相同。所述第一极板122在所述基板110上的投影与所述第二极板152在所述基板110上的投影重叠。并且，在本实施例中，为了尽可能的节约面积，所述发光结构020在所述基板110上的投影与所述第一极板122在所述基板110上的投影重叠。
参见图7，本实施例中，所述发光结构020为有机发光二极管，包括阳极210、像素定义层220、发光材料230、阴极240和彩膜层200。
本实施例中的发光材料230为白光发光材料，因此还需要在所述发光材料下方设置不同颜色的彩膜层将白光转化为其他颜色的光，例如红光、蓝光和绿光。在其他实施例中，所述发光材料也可以为红光发光材料、绿光发光材料和蓝光发光材料，在这种情况下，则不需要设置彩膜层。
本实施中，所述阳极210为透明电极，例如氧化铟锡或其他透明导电材料。所述彩膜层200位于所述第三层间介质层180上方。本实施中，所述发光结构020还包括覆盖所述彩膜层200的保护层190。
所述像素定义层220位于所述保护层190上，并且具有暴露出所述阳极210的开口。所述发光材料230位于所述开口中。所述阴极240覆盖所述发光材料230，所述发光结构020的阴极240为反射电极。
相比于现有技术中的底发光式显示面板，本申请将3T1C像素驱动电路的两个晶体管层叠设置，节省了一个晶体管的面积。同时，将存储电容030设置在发光结构020下方，增大了像素点的开口率。同时，由于本申请中的显示面板的存储电容030和两个层叠设置的薄膜晶体管的有源区同时形成，因此本申请在不增加工艺复杂度的枪框下优化了器件结构，极大的提升了现有技术中的底发光式显示面板的性能。
参见图3至图7，本申请还提供了一种显示面板的制作方法，下面将结合附图对所述方法进行详细说明。
首先，如图3所示，提供基板110，并在所述基板110上形成第一薄膜晶体管011的第一有源区121和存储电容030的第一极板122。之后，在所述第一有源区121上形成第一栅极介质层131，在所述第一栅极介质层131上形成金属栅极132。之后，形成覆盖所述金属栅极132、所述第一有源区121和所述第一极板110的第一层间介质层140。之后，在所述第一层间介质层140上形成第二薄膜晶体管012的第二有源区151和存储电容030的第二极板152。
之后，参见图4，形成覆盖所述第二有源区151和第二极板152的第二层间介质层160。之后，形成贯穿所述第一层间介质层140和第二层间介质与所述第一有源区121电连接的第一源漏金属171。之后，形成贯穿所述第二层间介质层160与所述第二有源区151电连接的第二源漏金属172。
本实施例中，所述第一薄膜晶体管011为顶栅型薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管012为背栅型薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管011和第二薄膜晶体管012共用同一金属栅极。这样设置有效的减小了像素驱动电路非发光区的面积，有效的提高了像素点的开口率。
之后，参见图5，形成覆盖所述第一源漏金属171和第二源漏金属172的平坦化层180。由于本实施例中的发光材料230为白光发光材料，因此还需要在所述发光材料下方设置不同颜色的彩膜层200将白光转化为其他颜色的光，例如红光、蓝光和绿光。之后，形成覆盖所述彩膜层200的保护层190，如图6所示。
本实施中，所述阳极210为透明电极，例如氧化铟锡或其他透明导电材料。所述彩膜层200位于所述第二层间介质层180上方。本实施例中，所述存储电容030的第一极板122与所述第一薄膜晶体管011的第一有源区121间隔设置，构成所述第一极板110的材料与构成所述第一有源区121的材料相同。所述存储电容030的第二极板152与所述第二薄膜晶体管012的第二有源区151间隔设置，构成所述第二极板的材料与构成所述第二有源区151的材料相同。所述第一极板122在所述基板110上的投影与所述第二极板152在所述基板110上的投影重叠。并且，在本实施例中，为了尽可能的节约面积，所述发光结构020在所述基板110上的投影与所述第一极板122在所述基板110上的投影重叠。
根据本申请的其中一个方面，所述第一有源区121在所述基板110上的投影完全覆盖所述第二有源区151在所述基板110上的投影。
根据本申请的其中一个方面，所述存储电容030的第一极板122和第二极板152的面积相等。
根据本申请的其中一个方面，所述存储电容030的第一极板122在所述基板110上的投影与所述第二极板152在所述基板110上的投影重叠。
根据本申请的其中一个方面，所述发光结构020在所述基板110上的投影与所述第一极板122在所述基板110上的投影重叠。
最后，参见图6和图7，在所述平坦化层180上形成发光结构020。形成所述发光结构020的方法包括以下步骤：
在所述平坦化层180上形成阳极210，所述阳极210与所述第一薄膜晶体管011或所述第二薄膜晶体管012电连接；
形成覆盖所述平坦化层180的像素定义层220，所述像素定义层220具有暴露出所述阳极210的开口；
在所述开口中形成发光材料230；
形成覆盖所述发光材料的阴极240。
相比于现有技术中的底发光式显示面板，本申请将3T1C像素驱动电路的两个晶体管层叠设置，节省了一个晶体管的面积。同时，将存储电容030设置在发光结构020下方，增大了像素点的开口率。同时，由于本申请中的显示面板的存储电容030和两个层叠设置的薄膜晶体管的有源区同时形成，因此本申请在不增加工艺复杂度的枪框下优化了器件结构，极大的提升了现有技术中的底发光式显示面板的性能。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括并联的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管、存储电容和发光结构；其中，
所述并联的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用同一个金属栅极，所述第一薄膜晶体管在所述显示面板的出光面上的投影与所述第二薄膜晶体管在所述显示面板的出光上的投影重叠；
所述第一薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管；其中，所述第一薄膜晶体管包括第一有源区和第一源漏金属，所述第一有源区和第一源漏金属位于所述金属栅极的两侧；
所述第二薄膜晶体管为背栅型薄膜晶体管；其中，所述第二薄膜晶体管包括第二有源区和第二源漏金属，所述第二有源区和第二源漏金属位于所述金属栅极的同一侧；
所述发光结构与所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管电连接，且所述发光结构在所述显示面板的出光面上的投影与所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管在所述显示面板的出光面上的投影不重叠；
所述存储电容位于所述发光结构下方，所述存储电容在所述显示面板的出光面上的投影与所述发光结构在所述显示面板的出光面上的投影重叠，所述存储电容的第一极板与所述第一薄膜晶体管的第一有源区间隔设置，构成所述第一极板的材料与构成所述第一有源区的材料相同，所述存储电容的第二极板与所述第二薄膜晶体管的第二有源区间隔设置，构成所述第二极板的材料与构成所述第二有源区的材料相同。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括
基板，所述第一有源区位于所述基板上；
第一栅极介质层，所述第一栅极介质层位于所述第一有源区上，所述金属栅极位于所述第一栅极介质层上；
第一层间介质层，所述第一层间介质层覆盖所述第一有源区和所述金属栅极；
所述第一源漏金属位于所述第一层间介质层上，并通过贯穿所述第一层间介质层的第一通孔与所述第一有源区电连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管包括：
第二栅极介质层，所述第二栅极介质层位于所述金属栅极上；
第二有源区，所述第二有源区位于所述第二栅极介质层上；
第二层间介质层，所述第二层间介质层覆盖所述第二有源区；
所述第二源漏金属位于所述第二层间介质层上，并通过贯穿所述第二层间介质层的第二通孔与所述第二有源区电连接。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光结构的阳极为透明电极，所述发光结构的阴极为反射电极。
5.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成第一薄膜晶体管的第一有源区和存储电容的第一极板；
在所述第一有源区上形成第一栅极介质层；
在所述第一栅极介质层上形成金属栅极；
形成覆盖所述金属栅极、所述第一有源区和所述第一极板的第一层间介质层；
在所述第一层间介质层上形成第二薄膜晶体管的第二有源区和存储电容的第二极板；
形成覆盖所述第二有源区和第二极板的第二层间介质层；
形成贯穿所述第一层间介质层和第二层间介质与所述第一有源区电连接的第一源漏金属；
形成贯穿所述第二层间介质层与所述第二有源区电连接的第二源漏金属；
形成覆盖所述第一源漏金属和第二源漏金属的平坦化层；
在所述平坦化层上形成发光结构，所述发光结构与所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管电连接，且所述发光结构在所述显示面板的出光面上的投影与所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管在所述显示面板的出光面上的投影不重叠；
其中，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管并联，所述并联的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用同一个金属栅极，所述第一薄膜晶体管在所述显示面板的出光面上的投影与所述第二薄膜晶体管在所述显示面板的出光上的投影重叠，所述存储电容在所述显示面板的出光面上的投影与所述发光结构在所述显示面板的出光面上的投影重叠，所述存储电容的第一极板与所述第一薄膜晶体管的第一有源区间隔设置，构成所述第一极板的材料与构成所述第一有源区的材料相同，所述存储电容的第二极板与所述第二薄膜晶体管的第二有源区间隔设置，构成所述第二极板的材料与构成所述第二有源区的材料相同。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一有源区在所述基板上的投影完全覆盖所述第二有源区在所述基板上的投影。
7.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述存储电容的第一极板和第二极板的面积相等。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述存储电容的第一极板在所述基板上的投影与所述第二极板在所述基板上的投影重叠。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述发光结构在所述基板上的投影与所述第一极板在所述基板上的投影重叠。
10.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，形成所述发光结构的方法包括以下步骤：
在所述平坦化层上形成阳极，所述阳极与所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管电连接；
形成覆盖所述平坦化层的像素定义层，所述像素定义层具有暴露出所述阳极的开口；
在所述开口中形成发光材料；形成覆盖所述发光材料的阴极。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110098235B (zh) * 2019-05-08 2021-09-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN210607259U (zh) * 2019-12-13 2020-05-22 北京京东方技术开发有限公司 显示基板和显示装置
CN111180491B (zh) * 2020-01-02 2023-04-07 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其显示面板、显示面板的制作方法
CN111613654B (zh) * 2020-05-27 2023-11-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示面板制作方法
CN113345916A (zh) * 2021-05-19 2021-09-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN115568250A (zh) * 2022-08-30 2023-01-03 惠科股份有限公司 一种屏内指纹显示屏及其制造方法、显示装置
CN117500315A (zh) * 2023-12-19 2024-02-02 惠科股份有限公司 触控像素结构、制作方法、显示面板及操作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104752426A (zh) * 2013-12-26 2015-07-01 昆山国显光电有限公司 共栅极立体式cmos器件、oled器件及其制造方法
CN105895655A (zh) * 2014-09-05 2016-08-24 乐金显示有限公司 具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法
CN107452757A (zh) * 2017-07-31 2017-12-08 上海天马微电子有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
KR102056275B1 (ko) * 2013-09-11 2020-01-22 엘지디스플레이 주식회사 초고해상도 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8049253B2 (en) * 2007-07-11 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102492730B1 (ko) * 2015-10-02 2023-01-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI602306B (zh) * 2016-07-05 2017-10-11 Innolux Corp 陣列基板結構與顯示裝置
CN106298852A (zh) * 2016-08-22 2017-01-04 华南理工大学 一种显示器件的像素单元版图结构
KR102420080B1 (ko) * 2017-05-19 2022-07-13 삼성디스플레이 주식회사 다채널 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 화소
CN110098235B (zh) * 2019-05-08 2021-09-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102056275B1 (ko) * 2013-09-11 2020-01-22 엘지디스플레이 주식회사 초고해상도 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
CN104752426A (zh) * 2013-12-26 2015-07-01 昆山国显光电有限公司 共栅极立体式cmos器件、oled器件及其制造方法
CN105895655A (zh) * 2014-09-05 2016-08-24 乐金显示有限公司 具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法
CN107452757A (zh) * 2017-07-31 2017-12-08 上海天马微电子有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置

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