CN113948661A - 显示基板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种显示基板和显示装置，属于显示技术领域，其可解决显示基板发光区有机材料受到侵蚀而出现显示不良的问题。本公开的显示基板具有发光区和环绕发光区的阻隔区；其中，显示基板包括衬底基板，设置在衬底基板上、且位于阻隔区的阻隔件，且阻隔件环绕发光区；其中，阻隔件背离衬底基板的表面具有疏液性。
Description
技术领域
本公开属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板和显示装置。
背景技术
有机发光显示(OLED)装置由于其轻薄、可弯曲、功耗低、色域广、对比度高等优点，被列为极具发展前景的下一代显示技术。
异形OLED显示基板是一种独特的显示基板，其显示区域为圆形、曲线形等非矩形区域。但是目前产线采用喷墨打印技术制备的异形屏，均为矩形成膜工艺，也就是说整个基板都会打印，包括封装区。在形成异形屏时，需要通过切割对器件进行加工，才能形成异形屏。异形屏的切割边缘通常存在有机发光材料外露，水汽和氧气会从这些有机发光材料侵入，延伸至发光区，造成发光区有机发光材料受到侵蚀，进而出现显示不良的问题。
发明内容
本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示基板和显示装置。
第一方面，本公开实施例提供一种显示基板，具有发光区和环绕发光区的阻隔区；所述显示基板包括衬底基板，设置在所述衬底基板上、且位于所述阻隔区的阻隔件，且所述阻隔件环绕所述发光区；其中，
所述阻隔件背离所述衬底基板的表面具有疏液性。
可选地，所述阻隔件包括叠层设置的第一子结构、第二子结构和第三子结构；其中，所述第三子结构背离所述衬底基板的表面具有疏液性。
可选地，所述阻隔件包括叠层设置的第一子结构、第二子结构、第三子结构和第四子结构；其中，所述第四子结构为疏液材料。
可选地，所述阻隔件还包括第五子结构，所述第五子结构设置在所述第三子结构与所述第四子结构之间，其中，所述第五子结构为亲液材料。
可选地，所述阻隔件还包括第五子结构，所述第五子结构设置在所述第四子结构背离所述第四子结构的一侧，其中，所述第五子结构为亲液材料。
可选地，所述第二子结构具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面相较于所述第二表面更靠近所述衬底基板；所述第二表面在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一表面在所述衬底基板上的正投影。
可选地，所述第二子结构具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面相较于所述第二表面更靠近所述衬底基板；所述第一表面在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二表面在所述衬底基板上的正投影。
可选地，所述第一子结构和所述第三子结构的材料为钛，所述第二子结构的材料为铝。
可选地，所述显示基板还包括设置在发光区、以及位于所述衬底基板一侧且沿远离所述衬底基板的方向依次分布的缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一金属层、第二栅极绝缘层、第二金属层、层间绝缘层、第三金属层、钝化层、平坦化层和封装层，其中，所述第一金属层包括栅极，所述第三金属层包括源极和漏极，所述源极和漏极通过过孔与所述有源层连接，所述阻隔件与所述第三金属层同层设置。
可选地，所述显示基板还包括位于所述平坦化层远离所述衬底基板一侧的有机发光器件，所述有机发光器件包括沿远离所述平坦化层方向依次设置的阳极层、像素界定层、有机发光层及阴极层，且所述有机发光层在所述阻隔件处不连续。
第二方面，本公开实施例提供一种显示装置，其包括上述的显示基板。
附图说明
图1a为一种示例性的显示基板的结构示意图；
图1b为一种示例性的像素电路示意图；
图1c为一种示例性的显示基板的中的第二发光控制晶体管T6与发光器件OLED连接的截面图；
图2a为一种本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
图2b本公开实施例提供的一种图2a中沿A-A′方向的剖视示意图；
图3本公开实施例提供的另一种图2a中沿A-A′方向的剖视示意图；
图4本公开实施例提供的再一种图2a中沿A-A′方向的剖视示意图；
图5本公开实施例提供的又一种图2a中沿A-A′方向的剖视示意图；
图6本公开实施例提供的又一种图2a中沿A-A′方向的剖视示意图；
图7本公开实施例提供的又一种图2a中沿A-A′方向的剖视示意图；
图8本公开实施例提供的又一种图2a中沿A-A′方向的剖视示意图；
图9为沿图2a中B-B′方向的一种剖面示意图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开作进一步详细描述。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1a为一种示例性的显示基板的结构示意图，图1b为一种示例性的像素电路示意图，如图1a和图1b所示，该显示基板包括显示区10a和周边区20a，在显示区10a内设置有多个呈阵列的像素单元100，每个像素单元100中包括三种颜色的子像素，分别为第一颜色子像素、第二颜色子像素、第三颜色子像素。在本公开实施例中，以第一颜色子像素为红色子像素，第二颜色子像素为绿色子像素，第三颜色子像素为蓝色子像素为例进行描述。但不限于此，各颜色可以互换。其中，各子像素中的设置有像素电路。各子像素中的像素电路可以包括驱动子电路3、第一发光控制子电路5、第二发光控制子电路6、数据写入子电路4、存储子电路7、阈值补偿子电路2、复位子电路1和发光器件OLED。
在此需要说明的是，在本公开实施例中每个像素单元100中包括三种颜色的子像素，而对于每个像素单元100中所包含的三种颜色的子像素的数量并进行限定。例如：以第一颜色子像素为红色子像素，第二颜色子像素为绿色子像素，第三颜色子像素为蓝色子像素为例，每个像素单元100中的红色子像素的数量为2个，绿色子像素和蓝色子像素的数量；或者，每个像素单元100中的绿色子像素的数量为2个，红色子像素和蓝色子像素的数量；亦或者，每个像素单元100中的蓝色子像素的数量为2个，红色子像素和绿色子像素的数量。当然，还需要说明的是，在本公开实施例中，每个像素单元100中的子像素的颜色也局限于三种。例如，每个像素单元中包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素、白色子像素四种颜色的子像素。
如图1b，第一发光控制子电路5分别与第一电压端VDD以及驱动子电路3的第一端相连，且被配置为实现驱动子电路和第一电压端VDD之间的连接导通或断开，第二发光控制子电路6分别与驱动子电路的第二端和发光器件OLED的第一电极D1电连接，且被配置为实现驱动子电路3和发光器件OLED之间的连接导通或断开。数据写入子电路4与驱动子电路3的第一端电连接，且被配置为在扫描信号的控制下将数据信号写入存储子电路7。存储子电路8分别与驱动子电路3的控制端和第一电压端VDD电连接，且被配置为存储数据信号。阈值补偿子电路2分别与驱动子电路3的控制端和第二端电连接，且被配置为对驱动子电路3进行阈值补偿。复位子电路1与驱动子电路3的控制端和发光器件OLED的第一电极D1电连接，且被配置为在复位控制信号的控制下对驱动子电路3的控制端和发光器件D的第一电极D1进行复位。
继续参照图1b，驱动子电路3包括驱动晶体管T3，驱动子电路3的控制端包括驱动晶体管T3的控制极，驱动子电路3的第一端包括驱动晶体管T3的第一极，驱动子电路3的第二端包括驱动晶体管T3的第二极。数据写入子电路4包括数据写入晶体管T4，存储子电路7包括存储电容Cst，阈值补偿子电路2包括阈值补偿晶体管T2，第一发光控制子电路5包括第一发光控制晶体管T5，第二发光控制子电路6包括第二发光控制晶体管T6，复位子电路1包括第一复位晶体管T1和第二复位晶体管T7，其中，复位控制信号包括第一子复位控制信号和第二子复位控制信号。
在此需要说明的是，按照晶体管的特性，晶体管可以分为N型晶体管和P型晶体管，为了清楚起见，本公开的实施例以晶体管为P型晶体管(例如，P型MOS晶体管)为例详细阐述了本公开的技术方案，也就是说，在本公开的描述中，驱动晶体管T3、数据写入晶体管T4、阈值补偿晶体管T2、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6、第一复位晶体管T1和第二复位晶体管T7等均可以为P型晶体管。然而本公开的实施例的晶体管不限于P型晶体管，本领域技术人员还可以根据实际需要利用N型晶体管(例如，N型MOS晶体管)实现本公开的实施例中的一个或多个晶体管的功能。
另外，本公开的实施例中采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应晶体管或其他特性相同的开关器件，薄膜晶体管可以包括氧化物半导体薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管或多晶硅薄膜晶体管等。对于每个晶体管其均包括第一极、第二极和控制极；其中，控制极作为晶体管的栅极，第一极和第二极中的一者作为晶体管的源极，另一者作为晶体管的漏极；而晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在物理结构上可以是没有区别的。在本公开的实施例中，为了区分晶体管，除作为控制极的栅极，直接描述了其中第一极为源极，第二极为漏极，所以本公开的实施例中全部或部分晶体管的源极和漏极根据需要是可以互换的。
继续参照图1b，数据写入晶体管T4源极的与驱动晶体管T3的源极电连接，数据写入晶体管T4的漏极被配置为与数据线Vd电连接以接收数据信号，数据写入晶体管T4的栅极被配置为与第一扫描信号线Ga1电连接以接收扫描信号；存储电容Cst的第一极板CC1与第一电源端VDD电连接，存储电容Cst的第二极板与驱动晶体管T3的栅极电连接；阈值补偿晶体管T2的源极与驱动晶体管T3的漏极电连接，阈值补偿晶体管T2的漏极与驱动晶体管T3的栅极电连接，阈值补偿晶体管T2的栅极被配置为与第二扫描信号线Ga2电连接以接收补偿控制信号；第一复位晶体管T1的源极被配置为与第一复位电源端Vinit1电连接以接收第一复位信号，第一复位晶体管T1的漏极与驱动晶体管T3的栅极电连接，第一复位晶体管T1的栅极被配置为与第一复位控制信号线Rst1电连接以接收第一子复位控制信号；第二复位晶体管T7的源极被配置为与第一复位电源端Vinit1电连接以接收第一复位信号，第二复位晶体管T7的漏极与发光器件OLED的第一电极D1电连接，第二复位晶体管T7的栅极被配置为与第二复位控制信号线Rst2电连接以接收第二子复位控制信号；第一发光控制晶体管T5的源极与第一电源端VDD电连接，第一发光控制晶体管T5的漏极与驱动晶体管T3的源极电连接，第一发光控制晶体管T5的栅极被配置为与第一发光控制信号线EM1电连接以接收第一发光控制信号；第二发光控制晶体管T6的源极与驱动晶体管T3的漏极电连接，第二发光控制晶体管T6的漏极与发光器件OLED的第一电极D1电连接，第二发光控制晶体管T6的栅极被配置为与第二发光控制信号线EM2电连接以接收第二发光控制信号；发光器件OLED的第二电极D3与第二电源端VSS电连接。
需要说明的是，在本公开实施例中，子像素的像素电路除了可以为图1b所示的7T1C(即七个晶体管和一个电容)结构之外，还可以为包括其他数量的晶体管的结构，如7T2C结构、6T1C结构、6T2C结构或者9T2C结构，本公开实施例对此不作限定。
图1c为一种示例性的显示基板的中的第二发光控制晶体管T6与发光器件OLED连接的截面图，如图1c所示，第二发光控制晶体管T6可为顶栅型薄膜晶体管，第二发光控制晶体管T6可包括有源层104、第一栅绝缘层105、栅极106、第二栅绝缘层108、层间介质层103、源极110、漏极111。具体地，有源层104可形成在缓冲层102上，第一栅绝缘层105覆盖缓冲层102及有源层104，栅极106形成在第一栅绝缘层105背离有源层104的一侧，第二栅绝缘层108覆盖栅极106和第一栅绝缘层105，层间介质层103覆盖第二栅绝缘层108，源极110和漏极111形成在层间介质层103背离衬底基板的一侧并分别位于栅极106的相对两侧，该源极110和漏极111可分别通过过孔(例如：金属过孔)与有源层104的相对两侧接触。应当理解的是，第二发光控制晶体管T6也可为底栅型。
如图1c所示，电容结构可包括第一极板130和第二极板131，此第一极板130与栅极103同层设置，第二极板131位于第二栅绝缘层105与层间介质层103之间，并与第一极板130相对设置。
举例而言，栅极103和第一极板130、第二极板131的材料可以包括金属材料或者合金材料，例如包括钼、铝及钛等。源极110和漏极111可以包括金属材料或者合金材料，例如由钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层，例如钛、铝、钛三层金属叠层(Al/Ti/Al)等。
如图1c所示，显示器件可包括依次形成在层间介质层103上的第一电极112和像素界定部113，应当理解的是，该显示器件还可包括发光部114a和第二电极115。
详细说明，在显示区的第二发光控制薄膜晶体管T6为顶栅型时，在制作显示器件之前还可制作平坦化层，此平坦化层可为单层结构，也可为多层结构；此平坦化层通常采用有机材料制作而成，例如：光刻胶、丙烯酸基聚合物、硅基聚合物等材料。如图1c所示，此平坦化层可包括位于显示区100的平坦化部116，平坦化部116形成在层间介质层103与第一电极112之间。其中，第一电极112可通过金属过孔与漏极111电性连接，该第一电极112可为阳极，此阳极可为ITO(氧化铟锡)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等材料制作而成。像素界定部113可覆盖平坦化部116，此像素界定部113可为有机材料制作而成，例如：光刻胶等有机材料，且像素界定部113中位于显示区100的部分可具有露出第一电极112的像素开口。发光部114a位于像素开口内并形成在第一电极112上，该发光部114a可包括小分子有机发光材料或聚合物分子有机发光材料，可以发红光、绿光、蓝光，或可以发白光等；并且，根据实际不同需要，在不同的示例中，发光部114a还可以进一步包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层等功能层。第二电极115覆盖发光部114a，且该第二电极115的极性与第一电极112的极性相反；此第二电极115可为阴极，此阴极可为锂(Li)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)等金属材料制作而成。
需要说明的是，如图1c所示，第一电极112、发光部114a和第二电极115可构成一个发光子像素。此外，还需说明的是，各发光子像素的第一电极112相互独立，各发光子像素的第二电极115整面连接，即第二电极115为设置在显示基板上的整面结构，为用于多个显示器件的公共电极。
继续参考图1c，显示基板还包括封装层18，封装层118可包括依次层叠设置的第一无机封装薄膜层118a、有机封装薄膜层118b和第二无机封装薄膜层118c。第一无机封装薄膜层118a、第二无机封装薄膜层118c用于防止水、氧从显示功能的显示侧及开孔区10b进入到显示区10a的发光部114a中。该第一无机封装薄膜层118a和第二无机封装薄膜层118c可采用氮化硅、氧化硅等无机材料制作而成。有机封装薄膜层118b用于实现平坦化作用，以便于第二无机封装薄膜层118c层的制作，此有机封装薄膜层118b可采用丙烯酸基聚合物、硅基聚合物等材料制作而成。
在切割显示基板形成异形屏的过程中，位于显示基板周边区20a的切割面通常会出现机发光材料外露的情况，水汽和氧气会从这些外露的有机发光材料侵入，延伸至发光区10a，造成发光区10a有机发光材料受到侵蚀而出现显示不良的问题。为了防止这一现象的发生，现有技术中，较有效的解决办法就是在显示基板的周边区20a设置阻断结构，从而阻断打印的有机发光材料(即有机EL墨水)延伸至发光区，进而防止水汽和氧气从这些有机发光材料侵入。但现有阻断结构的顶部仍然会有EL墨水残留，存在水氧的阻断效果较差的问题。
为了至少解决上述的技术问题之一，本公开实施例提供了一种显示基板和显示装置，下面将结合具体实施方式及附图，对本公开实施例提供的显示基板和显示装置进行进一步详细描述。
第一方面，本公开实施例提供一种显示基板，图2a为本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图，图2b本公开实施例提供的一种图2a中沿A-A′方向的剖视示意图，如图2a所示，显示基板具有发光区10a和设置在周边区20a的阻隔区30a，且阻隔区30a环绕发光区10a设置。如图2a和图2b所示，显示基板还包括衬底基板11和设置在衬底基板11上的阻隔件12，阻隔件12位于环绕发光区10a设置的阻隔区30a内，其中，阻隔件12背离衬底基板11的表面具有疏液性。
衬底基板11可为柔性基板，以提高显示基板的柔性，使得显示基板能够具有可弯曲、可弯折等性能，以便于扩大显示基板的适用范围；但不限于此，该衬底基板11也可以设置为刚性基板，具体该衬底基板11的性能可根据显示产品的实际需求而定。此外，该衬底基板11可以为单层结构，也可以为多层结构。例如该衬底基板11可包括依次层叠设置的聚酰亚胺层、缓冲层、聚酰亚胺层等多个膜层，其中，缓冲层可为氮化硅、氧化硅等材料制作而成，以达到阻水氧和阻隔碱性离子的效果；需要说明的是，该衬底基板11的结构不限于此，可根据实际需求而定。同时，阻隔件12的形状和个数不做限定，本领域人员可以根据具体情况进行选择，在此不再一一举例说明。
在本实施例中，由于阻隔件12背离衬底基板11的表面具有疏液性，因此可以防止打印的有机墨水残留在阻隔件12的顶部，从而阻断打印的有机墨水延伸至发光区10a，进而增强了水氧的阻断效果，提升了显示基板的封装性能。
在一些实施例中，可采用等离子体对阻隔件12背离衬底基板11的表面进行处理，以使阻隔件12的顶面具有疏液性。优选的，上述等离子体可以为CL2等离子体、O2等离子体、N2等离子体、NH3等离子体中的至少一种；但并不限制于此，也可以采用其他的等离子体。
图3本公开实施例提供的另一种图2a中沿A-A′方向的剖视示意图，如图3所示，阻隔件12包括叠层设置的第一子结构121、第二子结构122和第三子结构123。具体的，第一子结构121设置在衬底基板11上，第二子结构122设置在第一子结构122背离衬底基板11的一侧，第三子结构123设置在第二子结构122背离衬底基板11的一侧，其中，第三子结构123背离衬底基板11的表面具有疏液性。
可选的，可采用等离子体对阻隔件的第三子结构123进行处理，以使阻隔件的第三子结构123具有疏液性。当然，还可以采用其他手段使第三子结构123具有疏液性，在此不再一一举例说明。
继续参考图3，第二子结构122具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面相较于第二表面更靠近衬底基板11，为了进一步地增强阻断效果，可以合理设计第二子结构的形状。例如，如图3所示，第二子结构122的第二表面在衬底基板11上的正投影覆盖第一表面在衬底基板11上的正投影，即将第二子结构122设计为倒梯形结构。如图4所示，还可使第二子结构122的第二表面在衬底基板11上的正投影覆盖第一表面在衬底基板11上的正投影，即将第二子结构122设计为正梯形结构。如图5所示，还可使第二子结构122的第二表面在衬底基板11上的正投影与其第一表面在衬底基板11上的正投影相重叠，即将第二子结构122设计为矩形结构。优选的，当第二子结构122选用倒梯形结构时，对有机墨水的阻隔效果最好。因此，下面实施例均以第二子结构122为倒梯形结构为例进行说明。
在本实施例中，由于第三子结构123背离衬底基板11的表面具有疏液性，因此可以防止打印的有机墨水残留在第三子结构123的顶部，从而阻断打印的有机墨水延伸至发光区，进而增强了水氧的阻断效果，提升了显示基板的封装性能。
在一些实施例中，图6本公开实施例提供的又一种图2a中沿A-A′方向的剖视示意图，如图6所示，阻隔件12包括叠层设置的第一子结构121、第二子结构122、第三子结构123和第四子结构124。具体的，第一子结构121设置在衬底基板11上，第二子结构122设置在第一子结构121背离衬底基板11的一侧，第三子结构123设置在第二子结构122背离衬底基板11的一侧，第四子结构124设置在第三子结构123背离衬底基板11的一侧。其中，第四子结构124为疏液材料，即在第三子结构123背离衬底基板11的一侧形成疏液层。
其中，疏液材料可以选择具有较小表面能、较大接触角的含C-F键、C-Si键的聚合物。本公开对疏液材料不作具体限定，优选的，疏液材料包括但不限于氟化聚酰亚胺、氟化聚甲基丙烯酸甲酯、聚硅氧烷等。
在本实施例中，通过在第三子结构123背离衬底基板的一侧形成疏液层124，可以防止打印的有机墨水残留在第三子结构123的顶部，从而阻断打印的有机墨水延伸至发光区，进而增强了水氧的阻断效果，提升了显示基板的封装性能。在一些实施例中，图7本公开实施例提供的又一种图2a中沿A-A′方向的剖视示意图，如图7所示，阻隔件12还包括第一子结构121、第二子结构122、第三子结构123、第四子结构124和第五子结构125，第五子结构125设置在第三子结构123与第四子结构124之间。具体的，第一子结构121设置在衬底基板11上，第二子结构122设置在第一子结构121背离衬底基板11的一侧，第三子结构123设置在第二子结构122背离衬底基板11的一侧，第五子结构125设置在第三子结构123背离衬底基板11的一侧，第四子结构124设置在第五子结构125背离衬底基板11的一侧。其中，第五子结构125为亲液材料，第四子结构124为疏液材料，即在亲液层背离衬底基板11的一侧形成疏液层。
其中，疏液材料可以选择具有较小表面能、较大接触角的含C-F键、C-Si键的聚合物。本公开对疏液材料不作具体限定，优选的，疏液材料包括但不限于氟化聚酰亚胺、氟化聚甲基丙烯酸甲酯、聚硅氧烷等。亲液层中的亲液材料包括C-O键、C-N键、C-H键中的至少一种。本公开对亲液材料不做具体限定，优选的，亲液材料包括但不限于聚酰亚胺、二氧化硅或氮化硅等。
在本实施例中，通过在第五子结构125背离衬底基板11的一侧形成疏液层124，可以防止打印的有机墨水残留在第五子结构125的顶部，从而阻断打印的有机墨水延伸至发光区，进而增强了水氧的阻断效果，提升了显示基板的封装性能。
在一些实施例中，图8本公开实施例提供的又一种图2a中沿A-A′方向的剖视示意图，如图8所示，阻隔件12还包括第一子结构121、第二子结构122、第三子结构123、第四子结构124和第五子结构125。具体的，第一子结构121设置在衬底基板11上，第二子结构122设置在第一子结构121背离衬底基板11的一侧，第三子结构123设置在第二子结构122背离衬底基板11的一侧，第四子结构124设置在第三子结构123背离衬底基板11的一侧，第五子结构125设置在第四子结构124背离衬底基板11的一侧，其中，第五子结构125为亲液材料，第四子结构124具有疏液性。
其中，疏液材料可以选择具有较小表面能、较大接触角的含C-F键、C-Si键的聚合物。本公开对疏液材料不作具体限定，优选的，疏液材料包括但不限于氟化聚酰亚胺、氟化聚甲基丙烯酸甲酯、聚硅氧烷等。亲液层中的亲液材料包括C-O键、C-N键、C-H键中的至少一种。本公开对亲液材料不做具体限定，优选的，亲液材料包括但不限于聚酰亚胺、二氧化硅或氮化硅等。
在本实施例中，通过在第三子结构123和第五子结构125之间设置具有疏液性的第四子结构124，可以使阻隔件12的侧壁具有疏液性，从而防止打印的有机墨水残留在阻隔件12的侧壁上，进而增强了水氧的阻断效果，提升了显示基板的封装性能。
图9为沿图2a中B-B′方向的一种剖面示意图，如图9所示，显示基板的显示区1包括衬底基板11，以及位于衬底基板11一侧且沿远离衬底基板11的方向依次分布的缓冲层401、有源层402、第一栅极绝缘层403、第一金属层404、第二栅极绝缘层405、第二金属层406、层间绝缘层407、第三金属层408、钝化层409、平坦化层410及封装层411。其中，第一金属层404包括栅极4041，第三金属层408包括源极4081和漏极4082，源极4081和漏极4082通过过孔与有源层402连接。
封装层411可以包括沿远离平坦化层410的方向依次设置的第一无机封装层4111、有机封装层4112和第二无机封装层4113，通过布置多层封装层来提高封装效果。其中，封装层411的封装方式可以为薄膜封装。
源极4081和漏极4082的材料具体可以包括金属材料或者合金材料，例如由包括钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)金属材料或者包括钼(Mo)、铝(Al)及钛(Ti)中的一种或几种的合金形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层，例如钛(Ti)、铝(Al)、钛(Ti)三层金属叠层等。
继续参考图9，第一金属层404还包括第一极板4042，第二金属层406包括第二极板4061。显示区1的电容器件包括前述的第一极板4042和第二极板4061。
显示基板还包括位于平坦化层410远离衬底基板11一侧的有机发光器件412，有机发光器件412包括沿远离平坦化层410方向依次设置的阳极层4121、像素界定层4122、有机发光层4123、及阴极层4124。
显示基板的显示区1具有一个或多个有机发光器件412，每个有机发光器件412受前述薄膜晶体管及电容器件的控制，从而实现连续且独立的发光。此外，像素界定层4122用于将有机发光显示器的各个子像素区域分隔开来，具体的像素界定层4122通过自身的凹槽结构形成多个子像素区域。有机发光层4123可以通过蒸镀的方式形成，有机发光层4123可以包括层叠设置的空穴传输层、发光层和电子传输层等。在本实施例中，有机发光层4123在阻隔件处不连续。
在本实施例中，显示区的薄膜晶体管器件的源极4081和漏极4082可以与阻隔件12同层设置。同层设置是指可以采用相同材料，采用一次工艺制备而成。例如，薄膜晶体管器件的源极4081和漏极4082为钛(Ti)、铝(Al)、钛(Ti)三层金属叠层，则阻隔件12的第一子结构121和第三子结构123的材料为钛(Ti)，第二子结构122的材料为铝(Al)。因此，通过，通过将薄膜晶体管器件的源极4081和漏极4082与阻隔件12同层设置，可以减少制备步骤，节约制备成本。
通过在环绕发光区1的阻隔区2内设置阻隔件12，可以将使得显示基板的有机发光层4123在阻隔件12处不连续，防止了氧气和水汽入侵显示基板的显示区1。另外，由于阻隔件12背离衬底基板11的表面具有疏液性，因此可以防止打印的有机墨水残留在阻隔件12的顶部，从而阻断打印的有机墨水延伸至发光区，进而增强了水氧的阻断效果，提升了显示基板的封装性能。
第二方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括上述的显示基板。显示装置可以为电致发光显示装置或光致发光显示装置。在该显示装置为电致发光显示装置的情况下，电致发光显示装置可以为OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机电致发光显示装置)或QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点电致发光显示装置)。在该显示装置为光致发光显示装置的情况下，光致发光显示装置可以为量子点光致发光显示装置。
本公开实施例中，显示装置包括但不限于手机、平板电脑、显示器、电视机、画屏、广告屏、电子纸等。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。
Claims (11)
1.一种显示基板，其特征在于，具有发光区和环绕发光区的阻隔区；所述显示基板包括衬底基板，设置在所述衬底基板上、且位于所述阻隔区的阻隔件，且所述阻隔件环绕所述发光区；其中，
所述阻隔件背离所述衬底基板的表面具有疏液性。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阻隔件包括叠层设置的第一子结构、第二子结构和第三子结构；其中，所述第三子结构背离所述衬底基板的表面具有疏液性。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阻隔件包括叠层设置的第一子结构、第二子结构、第三子结构和第四子结构；其中，所述第四子结构为疏液材料。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述阻隔件还包括第五子结构，所述第五子结构设置在所述第三子结构与所述第四子结构之间，其中，所述第五子结构为亲液材料。
5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述阻隔件还包括第五子结构，所述第五子结构设置在所述第四子结构背离所述第四子结构的一侧，其中，所述第五子结构为亲液材料。
6.根据权利要求2-5中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第二子结构具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面相较于所述第二表面更靠近所述衬底基板；所述第二表面在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一表面在所述衬底基板上的正投影。
7.根据权利要求2-5中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第二子结构具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面相较于所述第二表面更靠近所述衬底基板；所述第一表面在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二表面在所述衬底基板上的正投影。
8.根据权利要求2-5中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一子结构和所述第三子结构的材料为钛，所述第二子结构的材料为铝。
9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括设置在发光区、以及位于所述衬底基板一侧且沿远离所述衬底基板的方向依次分布的缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一金属层、第二栅极绝缘层、第二金属层、层间绝缘层、第三金属层、钝化层、平坦化层和封装层，其中，所述第一金属层包括栅极，所述第三金属层包括源极和漏极，所述源极和漏极通过过孔与所述有源层连接，所述阻隔件与所述第三金属层同层设置。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述平坦化层远离所述衬底基板一侧的有机发光器件，所述有机发光器件包括沿远离所述平坦化层方向依次设置的阳极层、像素界定层、有机发光层及阴极层，且所述有机发光层在所述阻隔件处不连续。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至10中任一项所述的显示基板。
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