KR20240106366A - 양면 유기발광표시장치 - Google Patents
양면 유기발광표시장치Info
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Abstract
본 발명은, 제 1 영역과 제 2 영역을 포함하는 화소영역이 정의된 투명기판과; 상기 제 1 영역서 상기 투명기판 상부에 위치하는 제 1 구동 소자 및 제 2 구동 소자와; 상기 제 2 영역에서 상기 제 1 및 제 2 구동 소자 상부에 위치하고, 상기 제 1 구동 소자에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 1 전극과 마주하며 상기 제 1 전극 상부에 위치하는 제 2 전극, 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하는 제 1 유기 발광층을 포함하는 제 1 유기발광다이오드와; 상기 제 1 및 2 영역에서 상기 제 1 유기발광다이오드 상에 위치하고, 상기 제 2 전극과 마주하며 상기 제 2 전극 상부에 위치하고 상기 제 2 구동 소자에 연결되는 제 3 전극, 상기 제 2 및 제 3 전극 사이에 위치하는 제 2 유기 발광층을 포함하는 제 2 유기발광다이오드를 포함하고, 상기 제 1 유기발광다이오드로부터의 빛은 상기 제 1 전극을 통해 제 1 방향으로 방출되며, 상기 제 2 유기발광다이오드로부터의 빛은 상기 제 3 전극을 통해 상기 제 1 방향에 반대인 제 2 방향으로 방출되는 양면 유기발광표시장치를 제공한다.
Description
본 발명은 유기발광장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 높은 개구율 및발광효율과 향상된 수명을 갖는 양면 유기발광표시장치에 관한 것이다.
최근 표시장치의 대형화에 따라 공간 점유가 적은 평면표시소자의 요구가 증대되고 있는데, 이러한 평면표시소자 중 하나로서 유기발광다이오드(organic light emitting diode: OLED)의 기술이 빠른 속도로 발전하고 있다.
유기발광다이오드는 전자 주입 전극(음극)과 정공 주입 전극(양극) 사이에 형성된 발광물질층에 음극과 양극으로부터 전자와 정공이 주입되면 전자와 정공이 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 내는 소자이다. 플라스틱 같은 휠 수 있는(flexible) 투명 기판 위에도 소자를 형성할 수 있을 뿐 아니라, 낮은 전압에서 (10V이하) 구동이 가능하고, 또한 전력 소모가 비교적 적으며, 색감이 뛰어나다는 장점이 있다.
유기발광다이오드는, 기판 상부에 형성되며 양극인 제 1 전극, 제 1 전극과 이격하며 마주하는 제 2 전극, 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함한다.
한편, 최근에는 표시장치의 양쪽면에서 영상 표시가 구현되는 양면 표시장치가 제안되었다.
그러나, 유기발광다이오드의 제 1 전극 또는 제 2 전극은 불투명한 물질로 이루어지기 때문에, 종래 유기발광표시장치는 양면 표시장치로 이용되는데 한계가 있다.
본 발명은 종래 유기발광장치가 양면 표시장치에 이용될 수 없는 문제를 해결하고자 한다.
위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은, 제 1 영역과 제 2 영역을 포함하는 화소영역이 정의된 투명기판과; 상기 제 1 영역서 상기 투명기판 상부에 위치하는 제 1 구동 소자 및 제 2 구동 소자와; 상기 제 2 영역에서 상기 제 1 및 제 2 구동 소자 상부에 위치하고, 상기 제 1 구동 소자에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 1 전극과 마주하며 상기 제 1 전극 상부에 위치하는 제 2 전극, 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하는 제 1 유기 발광층을 포함하는 제 1 유기발광다이오드와; 상기 제 1 및 2 영역에서 상기 제 1 유기발광다이오드 상에 위치하고, 상기 제 2 전극과 마주하며 상기 제 2 전극 상부에 위치하고 상기 제 2 구동 소자에 연결되는 제 3 전극, 상기 제 2 및 제 3 전극 사이에 위치하는 제 2 유기 발광층을 포함하는 제 2 유기발광다이오드를 포함하고, 상기 제 1 유기발광다이오드로부터의 빛은 상기 제 1 전극을 통해 제 1 방향으로 방출되며, 상기 제 2 유기발광다이오드로부터의 빛은 상기 제 3 전극을 통해 상기 제 1 방향에 반대인 제 2 방향으로 방출되는 양면 유기발광표시장치를 제공한다.
본 발명의 양면 유기발광표시장치에 있어서, 제 3 방향으로 연장되는 게이트 배선과; 상기 제 3 방향과 교차하는 제 4 방향으로 연장되는 제 1 및 제 2 데이터 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양면 유기발광표시장치에 있어서, 상기 제 1 구동 소자와 상기 제 2 구동 소자 각각은 상기 제 1 유기발광다이오드로부터 상기 제 3 방향에 위치하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양면 유기발광표시장치에 있어서, 상기 제 1 구동 소자와 상기 제 2 구동 소자 각각은 상기 제 1 유기발광다이오드로부터 상기 제 4 방향에 위치하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양면 유기발광표시장치에 있어서, 상기 제 2 전극에 연결되는 저준위전압 배선과; 상기 제 1 구동 소자에 연결되는 제 1 고준위전압 배선과; 상기 제 2 구동 소자에 연결되는 제 2 고준위전압 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양면 유기발광표시장치에 있어서, 상기 저준위전압 배선, 상기 제 1 고준위전압 배선, 상기 제 2 고준위전압 배선 각각은 상기 제 3 방향을 따라 연장되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양면 유기발광표시장치에 있어서, 상기 저준위전압 배선, 상기 제 1 고준위전압 배선, 상기 제 2 고준위전압 배선 각각은 상기 제 4 방향을 따라 연장되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양면 유기발광표시장치에 있어서, 상기 제 2 유기발광다이오드는 상기 저준위전압 배선, 상기 제 1 고준위전압 배선, 상기 제 2 고준위전압 배선 각각과 중첩하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양면 유기발광표시장치에 있어서, 상기 제 2 유기발광다이오드는 상기 제 1 유기발광다이오드보다 큰 면적을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양면 유기발광표시장치에 있어서, 상기 제 1 유기 발광층과 상기 제 2 유기 발광층 중 적어도 하나는 용액 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양면 유기발광표시장치에 있어서, 상기 제 1 유기 발광층은 용액 공정으로 형성되고, 상기 제 2 유기 발광층은 증착 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양면 유기발광표시장치에 있어서, 상기 제 1 전극과 상기 제 3 전극 각각은 투명 전극이고, 상기 제 2 전극은 반사 전극인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양면 유기발광표시장치에 있어서, 상기 제 1 유기발광다이오드는 정상 구조를 갖고, 상기 제 2 유기발광다이오드는 역 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양면 유기발광표시장치에 있어서, 상기 제 1 유기 발광층은, 제 1 발광물질층, 상기 제 1 전극과 상기 제 1 발광물질층 사이에 위치하는 제 1 정공수송층, 상기 제 1 발광물질층과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 제 1 전자수송층을 포함하고, 상기 제 2 유기 발광층은, 제 2 발광물질층, 상기 제 2 전극과 상기 2 발광물질층 사이에 위치하는 제 2 전자수송층, 상기 제 2 발광물질층과 상기 제 3 전극 사이에 위치하는 제 2 정공수송층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양면 유기발광표시장치에 있어서, 상기 제 1 유기 발광층은 제 1 파장 범위의 빛을 방출하고, 상기 제 2 유기 발광층은 제 2 파장 범위의 빛을 방출하며, 상기 제 1 파장 범위와 상기 제 2 파장 범위는 동일한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양면 유기발광표시장치에 있어서, 상기 제 1 유기 발광층은 제 1 파장 범위의 빛을 방출하고, 상기 제 2 유기 발광층은 제 2 파장 범위의 빛을 방출하며, 상기 제 1 파장 범위와 상기 제 2 파장 범위는 서로 다른 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양면 유기발광표시장치는, 제 1 구동 소자에 연결되는 제 1 전극, 저준위전압 배선에 연결되는 제 2 전극, 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하는 제 1 유기 발광층을 포함하는 제 1 유기발광다이오드와, 제 2 전극을 공유하고 제 2 구동 소자에 연결되는 제 3 전극, 제 2 및 제 3 전극 사이에 위치하는 제 2 유기 발광층을 포함하는 제 2 유기발광다이오드를 포함한다. 따라서, 제 1 유기발광다이오드와 제 2 유기발광다이오드는 독립적으로 구동되어 양면 영상 표시가 구현된다.
또한, 제 1 및 제 2 구동 소자에 의한 개구율 감소가 제 2 방향(전면)으로 발광되는 제 2 유기발광다이오드에 반영되지 않으므로, 제 2 유기발광다이오드의 에너지 효율이 개선되고 수명이 증가한다.
따라서, 본 발명의 양면 유기발광표시장치는 높은 개구율 및 발광효율과 향상된 수명을 가져 저전력 구동이 가능한 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 양면 유기발광표시장치에서 하나의 화소영역에 대한 개략적인 회로도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양면 유기발광표시장치에서 하나의 화소영역에 대한 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 양면 유기발광표시장치에서 하나의 화소영역에 대한 개략적인 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양면 유기발광표시장치에서 하나의 화소영역 구조에 대한 개략적인 평면도이다.
도 5는 도 4의 절단선 I-I'에 따른 단면도이다.
도 6은 유기발광다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 양면 유기발광표시장치에서 하나의 화소영역 구조에 대한 개략적인 평면도이다.
도 8은 도 7의 절단선 II-II'에 따른 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양면 유기발광표시장치에서 하나의 화소영역에 대한 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 양면 유기발광표시장치에서 하나의 화소영역에 대한 개략적인 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양면 유기발광표시장치에서 하나의 화소영역 구조에 대한 개략적인 평면도이다.
도 5는 도 4의 절단선 I-I'에 따른 단면도이다.
도 6은 유기발광다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 양면 유기발광표시장치에서 하나의 화소영역 구조에 대한 개략적인 평면도이다.
도 8은 도 7의 절단선 II-II'에 따른 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 양면 유기발광표시장치에서 하나의 화소영역에 대한 개략적인 회로도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 양면 유기발광표시장치에는, 게이트 배선(GL), 제 1 데이터 배선(DL1), 제 2 데이터 배선(DL2), 저준위전압 배선(Vss), 제 1 고준위전압 배선(Vdd1), 제 2 고준위전압 배선(Vdd2), 제 1 스위칭 소자(Ts1), 제 2 스위칭 소자(Ts), 제 1 구동 소자(Td1), 제 2 구동 소자(Td2), 제 1 유기발광다이오드(D1), 제 2 유기발광다이오드(D2)가 형성된다.
또한, 제 1 스토리지 커패시터(Cst1)과 제 2 스토리지 커패시터(Cst2)가 더 형성될 수 있다.
게이트 배선(GL)과 제 1 데이터 배선(DL1)에 의해 화소가 정의되고, 화소영역(P)은 적색 화소영역, 녹색 화소영역 및 청색 화소영역을 포함할 수 있다.
제 1 스위칭 소자(Ts1)는 게이트 배선(GL) 및 제 1 데이터 배선(DL1)에 연결되고, 제 1 구동 소자(Td1) 및 제 1 스토리지 커패시터(Cst1)는 제 1 스위칭 소자(Ts1)와 제 1 고준위전압 배선(Vdd1) 사이에 연결되며, 제 1 유기발광다이오드(D1)는 제 1 구동 소자(Td1) 및 저준위전압 배선(Vss)에 연결된다.
제 2 스위칭 소자(Ts2)는 게이트 배선(GL) 및 제 2 데이터 배선(DL2)에 연결되고, 제 2 구동 소자(Td2) 및 제 2 스토리지 커패시터(Cst2)는 제 2 스위칭 소자(Ts2)와 제 2 고준위전압 배선(Vdd2) 사이에 연결되며, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 2 구동 소자(Td2) 및 저준위전압 배선(Vss)에 연결된다.
이러한 양면 유기발광표시장치에서는, 게이트 배선(GL)에 인가된 게이트 신호에 따라 제 1 스위칭 박막트랜지스터(Ts1)가 턴-온(turn-on) 되면, 제 1 데이터 배선(DL1)에 인가된 제 1 데이터 신호가 제 1 스위칭 소자(Ts1)를 통해 제 1 구동 소자(Td1)의 게이트 전극과 제 1 스토리지 커패시터(Cst1)의 일 전극에 인가된다.
제 1 구동 소자(Td1)는 게이트 전극에 인가된 제 1 데이터 신호에 따라 턴-온 되며, 그 결과 제 1 데이터 신호에 비례하는 전류가 제 1 고준위전압 배선(Vdd1)으로부터 제 1 구동 소자(Td1)를 통하여 제 1 유기발광다이오드(D1)로 흐르게 되고, 제 1 유기발광다이오드(D1)는 제 1 구동 소자(Td1)를 통하여 흐르는 전류에 비례하는 휘도로 발광한다.
이때, 제 1 스토리지 커패시터(Cst1)에는 제 1 데이터신호에 비례하는 전압으로 충전되어, 일 프레임(frame) 동안 제 1 구동 소자(Td1)의 게이트 전극의 전압이 일정하게 유지되도록 한다.
또한, 게이트 배선(GL)에 인가된 게이트 신호에 따라 제 2 스위칭 박막트랜지스터(Ts2)가 턴-온(turn-on) 되면, 제 2 데이터 배선(DL2)에 인가된 제 2 데이터 신호가 제 2 스위칭 소자(Ts2)를 통해 제 2 구동 소자(Td2)의 게이트 전극과 제 2 스토리지 커패시터(Cst2)의 일 전극에 인가된다.
제 2 구동 소자(Td2)는 게이트 전극에 인가된 제 2 데이터 신호에 따라 턴-온 되며, 그 결과 제 2 데이터 신호에 비례하는 전류가 제 2 고준위전압 배선(Vdd2)으로부터 제 2 구동 소자(Td2)를 통하여 제 2 유기발광다이오드(D2)로 흐르게 되고, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 2 구동 소자(Td2)를 통하여 흐르는 전류에 비례하는 휘도로 발광한다.
이때, 제 2 스토리지 커패시터(Cst2)에는 제 2 데이터신호에 비례하는 전압으로 충전되어, 일 프레임(frame) 동안 제 2 구동 소자(Td2)의 게이트 전극의 전압이 일정하게 유지되도록 한다.
따라서, 양면 유기발광표시장치는 원하는 영상을 표시할 수 있다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양면 유기발광표시장치에서 하나의 화소영역에 대한 개략적인 평면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 양면 유기발광표시장치에서, 게이트 배선(GL)은 제 1 방향(x)으로 연장되고, 제 1 데이터 배선(DL1)은 제 1 방향(y)과 교차하는 제 2 방향(y)으로 연장된다. 예를 들어, 제 1 방향(x)과 제 2 방향(y)은 서로 수직할 수 있다.
양면 유기발광표시장치에는 제 1 유기발광다이오드(D1)의 제 1 전극(하부전극, 제 1 양극)에 대응되는 제 1 개구부(op1)와 제 1 유기발광다이오드(D1)와 제 2 유기발광다이오드(D2)가 공유하는 제 2 전극(중간전극, 음극)에 대응되는 제 2 개구부(op2)가 형성된다. 제 1 개구부(op1)는 제 1 유기발광다이오드(D1)의 발광영역일 수 있고, 제 2 개구부(op2)는 제 2 유기발광다이오드(D2)의 발광영역일 수 있다.
제 2 개구부(op2)는 제 1 개구부(op1)와 완전히 중첩하며 제 1 개구부(op1)보다 큰 면적을 갖는다. 즉, 제 1 유기발광다이오드(D1)는 제 1 개구율을 갖고, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 1 개구율보다 큰 제 2 개구율을 갖는다.
또한, 양면 유기발광표시장치는 제 1 유기발광다이오드(D1)를 구동하기 위한 제 1 화소구동회로부(PDC1)와 제 2 유기발광다이오드(D2)를 구동하기 위한 제 2 화소구동회로부(PDC2)가 구비되며, 제 1 및 제 2 화소구동회로부(PDC1, PDC2)는 제 1 개구부(op1)로부터 제 1 방향(x)에 위치한다.
예를 들어, 제 1 및 제 2 화소구동회로부(PDC1, PDC2) 각각은 스위칭 소자, 구동 소자, 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다.
즉, 제 1 및 제 2 화소구동회로부(PDC1, PDC2)는 제 1 개구부(op1)과 중첩하지 않고 제 2 개구부(op2)와 중첩한다. 다시 말해, 제 1 유기발광다이오드(D1)는 제 1 및 제 2 화소구동회로부(PDC1, PDC2)와 중첩하지 않고, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 1 및 제 2 화소구동회로부(PDC1, PDC2)와 중첩한다.
화소영역(P)에는 제 1 영역과 제 2 영역이 정의되고, 제 1 및 제 2 화소구동회로부(PDC1, PDC2)는 제 1 영역에 위치하며, 제 1 유기발광다이오드(D1)은 제 2 영역에 위치한다. 제 1 구동 소자(Td1)를 포함하는 제 1 화소구동회로부(PDC1)와 제 2 구동 소자(Td2)를 포함하는 제 2 화소구동회로부(PDC2)는 제 1 유기발광다이오드(D1)로부터 제 1 방향(x)에 위치한다. 한편, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 1 및 제 2 영역에 위치한다.
따라서, 제 2 유기발광다이오드(D2)의 개구율이 증가한다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 양면 유기발광표시장치에서 하나의 화소영역에 대한 개략적인 평면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 양면 유기발광표시장치에서, 게이트 배선(GL)은 제 1 방향(x)으로 연장되고, 제 1 데이터 배선(DL1)은 제 1 방향(y)과 교차하는 제 2 방향(y)으로 연장된다. 예를 들어, 제 1 방향(x)과 제 2 방향(y)은 서로 수직할 수 있다.
양면 유기발광표시장치에는 제 1 유기발광다이오드(D1)의 제 1 전극(하부전극, 제 1 양극)에 대응되는 제 1 개구부(op1)와 제 1 유기발광다이오드(D1)와 제 2 유기발광다이오드(D2)가 공유하는 제 2 전극(중간전극, 음극)에 대응되는 제 2 개구부(op2)가 형성된다. 제 1 개구부(op1)는 제 1 유기발광다이오드(D1)의 발광영역일 수 있고, 제 2 개구부(op2)는 제 2 유기발광다이오드(D2)의 발광영역일 수 있다.
제 2 개구부(op2)는 제 1 개구부(op1)와 완전히 중첩하며 제 1 개구부(op1)보다 큰 면적을 갖는다. 즉, 제 1 유기발광다이오드(D1)는 제 1 개구율을 갖고, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 1 개구율보다 큰 제 2 개구율을 갖는다.
또한, 양면 유기발광표시장치는 제 1 유기발광다이오드(D1)를 구동하기 위한 제 1 화소구동회로부(PDC1)와 제 2 유기발광다이오드(D2)를 구동하기 위한 제 2 화소구동회로부(PDC2)가 구비되며, 제 1 및 제 2 화소구동회로부(PDC1, PDC2)는 제 1 개구부(op1)로부터 제 2 방향(y)에 위치한다.
즉, 제 1 및 제 2 화소구동회로부(PDC1, PDC2)는 제 1 개구부(op1)과 중첩하지 않고 제 2 개구부(op2)와 중첩한다. 다시 말해, 제 1 유기발광다이오드(D1)는 제 1 및 제 2 화소구동회로부(PDC1, PDC2)와 중첩하지 않고, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 1 및 제 2 화소구동회로부(PDC1, PDC2)와 중첩한다.
화소영역(P)에는 제 1 영역과 제 2 영역이 정의되고, 제 1 및 제 2 화소구동회로부(PDC1, PDC2)는 제 1 영역에 위치하며, 제 1 유기발광다이오드(D1)는 제 2 영역에 위치한다. 제 1 구동 소자(Td1)를 포함하는 제 1 화소구동회로부(PDC1)와 제 2 구동 소자(Td2)를 포함하는 제 2 화소구동회로부(PDC2)는 제 1 유기발광다이오드(D1)로부터 제 2 방향(y)에 위치한다. 한편, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 1 및 제 2 영역에 위치한다.
따라서, 제 2 유기발광다이오드(D2)의 개구율이 증가한다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양면 유기발광표시장치에서 하나의 화소영역 구조에 대한 개략적인 평면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 양면 유기발광장치(100)는, 게이트 배선(GL), 저준위전압 배선(Vss), 제 1 고준위전압 배선(Vdd1), 제 2 고준위전압 배선(Vdd2), 제 1 데이터 배선(DL1), 제 2 데이터 배선(DL2), 제 1 구동 소자(도 1의 Td1), 제 2 구동 소자(도 1의 Td2), 제 1 유기발광다이오드(D1), 제 2 유기발광다이오드(D2)를 포함한다.
게이트 배선(GL)은 제 1 방향(x)을 따라 연장되고, 제 1 데이터 배선(DL1), 제 2 데이터 배선(DL2), 저준위전압 배선(Vss), 제 1 고준위전압 배선(Vdd1), 제 2 고준위전압 배선(Vdd2)은 제 1 방향(x)과 교차하는 제 2 방향(y)으로 연장된다. 예를 들어, 제 2 방향(y)은 제 1 방향(x)에 수직할 수 있다.
제 1 구동 소자(Td1)는 제 1 고준위전압 배선(Vdd1)에 연결되고, 제 2 구동 소자(Td2)는 제 2 고준위전압 배선(Vdd2)에 연결된다.
제 1 유기발광다이오드(D1)는 제 1 구동소자(Td1)와 저준위전압 배선(Vss)에 연결되며, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 2 구동소자(Td2)와 저준위전압 배선(Vss)에 연결된다.
또한, 양면 유기발광장치(300)는, 게이트 배선(GL), 제 1 데이터 배선(DL), 제 1 구동 소자(Td1)에 연결된 제 1 스위칭 소자(도 1의 Ts1)와, 게이트 배선(GL), 제 2 데이터 배선(DL), 제 2 구동 소자(Td2)에 연결된 제 2 스위칭 소자(도 1의 Ts2)를 더 포함할 수 있다.
저준위전압 배선(Vss), 제 1 데이터 배선(DL1), 제 1 고준위전압 배선(Vdd1), 제 2 데이터 배선(DL2), 제 2 고준위전압 배선(Vdd2)은 일정 간격 이격하며 제 1 방향(x)을 따라 순차 배열될 수 있다.
저준위전압 배선(Vss) 또는 제 1 데이터 배선(DL1)과 제 2 고준위전압 배선(Vdd2)은 게이트 배선(GL)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하고, 제 1 스위칭 소자(Ts1), 제 2 스위칭 소자(Ts2), 제 1 구동 소자(Td1), 제 2 구동 소자(Td2), 제 1 유기발광다이오드(D1), 제 2 유기발광다이오드(D2)는 각 화소영역(P)에 배치된다.
제 1 유기발광다이오드(D1)는 양극인 제 1 전극(210), 제 1 유기 발광층, 음극인 제 2 전극(230)을 포함하고, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 음극인 제 2 전극(230), 제 2 유기 발광층, 양극인 제 3 전극(250)을 포함한다. 즉, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 1 유기발광다이오드(D1)와 음극인 제 2 전극(230)을 공유하며 제 1 유기발광다이오드(D1) 상에 위치한다.
제 1 유기발광다이오드(D1)와 제 2 유기발광다이오드(D2)는 음극인 제 2 전극(230)을 공유하며, 제 1 유기발광다이오드(D1)는 제 1 구동 소자(Td1)에 의해 구동되고, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 2 구동 소자(Td2)에 의해 구동된다. 즉, 제 1 유기발광다이오드(D1)와 제 2 유기발광다이오드(D2)는 독립적으로 구동된다.
제 1 유기발광다이오드(D1)는 제 1 데이터 배선(DL1)과 제 1 고준위전압 배선(Vdd1) 사이 공간에 위치하고, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 1 유기발광다이오드(D1)보다 큰 평면적을 갖는다. 예를 들어, 제 2 유기발광다이오드(D2)의 일끝은 저준위전압 배선(Vss)과 중첩하고 타끝은 제 2 고준위전압 배선(Vdd2)과 중첩할 수 있다.
즉, 제 1 유기발광다이오드(D1)는 게이트 배선(GL), 제 1 및 제 2 데이터 배선(DL1, DL2), 저준위전압 배선(Vss), 제 1 및 제 2 고준위전압 배선(Vdd1, Vdd2)과 중첩하지 않고, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 게이트 배선(GL), 제 1 및 제 2 데이터 배선(DL1, DL2), 저준위전압 배선(Vss), 제 1 및 제 2 고준위전압 배선(Vdd1, Vdd2) 각각과 중첩할 수 있다.
제 1 유기발광다이오드(D1)는 제 1 방향(x)과 제 2 방향(y)에 대한 제 1 법선 방향으로 빛을 방출하고, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 1 법선 방향과 반대인 제 2 법선 방향으로 빛을 방출한다.
따라서, 본 발명의 양면 유기발광장치(100)는 제 1 법선 방향으로 제 1 영상이 표시되고 제 2 법선 방향으로 제 2 영상이 표시되는 양면 영상 표시를 구현할 수 있다.
도 5는 도 4의 절단선 I-I'에 따른 단면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 화소영역이 정의된 제 1 투명기판(110) 상에, 제 1 구동소자(Td1), 제 2 구동소자(Td2), 제 1 유기발광다이오드(D1), 제 2 유기발광다이오드(D2)가 형성된다.
또한, 제 2 유기발광다이오드(D2)를 덮는 보호층(protection layer, 170), 보호층(170) 상의 씰층(180), 씰층(180) 상의 제 2 투명기판(190)이 제 2 유기발광다이오드(D2) 상부로 구비될 수 있다.
제 1 및 제 2 투명기판(110, 190) 각각은 유리기판 또는 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블 기판은, 폴리이미드(polyimide; PI) 기판, 폴리에테르술폰(Polyethersulfone; PES) 기판, 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate; PEN) 기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene Terephthalate; PET) 기판 및 폴리카보네이트(polycarbonate; PC) 기판 중 어느 하나일 수 있다.
제 1 투명기판(110) 상에 버퍼층(112)이 형성되고, 제 1 구동 소자(Td1)와 제 2 구동 소자(Td2)가 버퍼층(112) 상에 형성된다. 예를 들어, 버퍼층(112)은 질화실리콘 또는 질화실리콘과 같은 무기절연물질로 이루어질 수 있다. 버퍼층(112)은 생략될 수 있고, 이 경우 제 1 구동 소자(Td1)와 제 2 구동 소자(Td2)는 제 1 투명기판(110) 상에 형성될 수 있다.
버퍼층(122) 상에 제 1 반도체층(120)과 제 2 반도체층(122)이 형성된다. 예를 들어, 제 1 반도체층(120)과 제 2 반도체층(122) 각각은 산화물 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 제 1 반도체층(120)과 제 2 반도체층(122) 각각이 산화물 반도체 물질로 이루어지는 경우, 제 1 반도체층(120)과 제 2 반도체층(122) 각각의 하부에 차광패턴(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 차광패턴은 제 1 반도체층(120)과 제 2 반도체층(122)으로 빛이 입사되는 것을 방지하여 제 1 반도체층(120)과 제 2 반도체층(122)이 빛에 의하여 열화되는 것을 방지한다.
이와 달리, 제 1 반도체층(120)과 제 2 반도체층(122) 각각은 다결정 실리콘으로 이루어질 수도 있으며, 이 경우 제 1 반도체층(120)과 제 2 반도체층(122) 각각의 양 가장자리에 불순물이 도핑될 수 있다.
제 1 반도체층(120)과 제 2 반도체층(122) 상에 절연 물질로 이루어진 게이트 절연막(124)이 제 1 투명기판(110) 전면에 형성된다. 게이트 절연막(124)은 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다.
게이트 절연막(124) 상에 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 제 1게이트 전극(126)과 제 2 게이트 전극(128)이 형성된다. 제 1 게이트 전극(126)은 제 1 반도체층(120)의 중앙에 대응되고, 제 2 게이트 전극(128)은 제 2 반도체층(122)의 중앙에 대응된다.
또한, 게이트 절연막(124) 상에 게이트 배선(GL)이 형성된다.
도 5에서 게이트 절연막(124)은 제 1 투명기판(110) 전면에 형성되어 있으나, 게이트 절연막(124)은 제 1 게이트 전극(126) 및 제 2 게이트 전극(128) 각각과 동일한 모양으로 패터닝 될 수도 있다.
제 1 게이트 전극(126)과 제 2 게이트 전극(128) 상에는 절연 물질로 이루어진 층간 절연막(130)이 제 1 투명기판(110) 전면에 형성된다. 층간 절연막(130)은 실리콘산화물 또는 실리콘질화물과 같은 무기 절연 물질로 형성되거나, 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)이나 포토 아크릴(photo-acryl)과 같은 유기 절연 물질로 형성될 수 있다.
층간 절연막(130)은 제 1 반도체층(120)의 양측 상면을 노출하는 제 1 및 제 2 반도체층 컨택홀(132, 134)과 제 2 반도체층(122)의 양측 상면을 노출하는 제 3 및 제 4 반도체층 컨택홀(136, 138)을 갖는다. 제 1 및 제 2 반도체층 컨택홀(132, 134)은 제 1 게이트 전극(126)의 양측에서 제 1 게이트 전극(126)과 이격되어 위치하며, 제 3 및 제 4 반도체층 컨택홀(136, 138)은 제 2 게이트 전극(128)의 양측에서 제 2 게이트 전극(128)과 이격되어 위치한다.
도 5에서, 제 1 내지 제 4 반도체층 컨택홀(132, 134, 136, 138)은 층간 절연막(130)과 게이트 절연막(124)에 형성되고 있다. 이와 달리, 게이트 절연막(124)이 제 1 및 제 2 게이트 전극(126, 128) 각각과 동일한 모양으로 패터닝 될 경우, 제 1 내지 제 4 반도체층 컨택홀(132, 134, 136, 138)은 층간 절연막(130) 내에만 형성될 수 있다.
층간 절연막(130) 상에 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 제 1 소스 전극(142), 제 1 드레인 전극(144), 제 2 소스 전극(146), 제 2 드레인 전극(148)이 형성된다. 제 1 소스 전극(142)과 제 1 드레인 전극(144)은 제 1 게이트 전극(126)을 중심으로 이격되어 위치하며, 각각 제 1 및 제 2 반도체층 컨택홀(132, 134)을 통해 제 1 반도체층(120)의 양측과 접촉한다. 제 2 소스 전극(146)과 제 2 드레인 전극(148)은 제 2 게이트 전극(128)을 중심으로 이격되어 위치하며, 각각 제 3 및 제 4 반도체층 컨택홀(136, 138)을 통해 제 2 반도체층(122)의 양측과 접촉한다.
제 1 반도체층(120), 제 1 게이트 전극(126), 제 1 소스 전극(142) 및 제1 드레인 전극(144)은 제 1 구동 소자(Td1)를 이루고, 제 2 반도체층(122), 제 2 게이트 전극(128), 제 2 소스 전극(146) 및 제 2 드레인 전극(148)은 제 2 구동 소자(Td2)를 이룬다. 제 1 및 제 2 구동 소자 각각은 박막트랜지스터(thin film transistor, TFT)일 수 있다.
도 5에서, 제 1 반도체층(120)의 상부에 제 1 게이트 전극(126), 제 1 소스 전극(142) 및 제 1 드레인 전극(144)이 위치하고, 제 2 반도체층(122)의 상부에 제 2 게이트 전극(128), 제 2 소스 전극(146) 및 제 2 드레인 전극(148)이 위치한다. 즉, 제 1 구동 소자(Td1)와 제 2 구동 소자(Td2) 각각은 코플라나(coplanar) 구조를 가진다.
이와 달리, 제 1 구동 소자(Td1)와 제 2 구동 소자(Td2) 각각에서, 반도체층의 하부에 게이트 전극이 위치하고, 반도체층의 상부에 소스 전극과 드레인 전극이 위치할 수 있다. 즉, 제 1 구동 소자(Td1)와 제 2 구동 소자(Td2) 각각은 역 스태거드(inverted staggered) 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 반도체층은 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있다.
또한, 층간 절연막(130) 상에는 저준위전압 배선(Vss), 제 1 데이터 배선(DL1), 제 1 고준위전압 배선(Vdd1), 제 2 데이터 배선(DL2), 제 2 고준위전압 배선(Vdd2)이 형성된다. 저준위전압 배선(Vss), 제 1 데이터 배선(DL1), 제 1 고준위전압 배선(Vdd1), 제 2 데이터 배선(DL2), 제 2 고준위전압 배선(Vdd2) 각각은 제 1 소스 전극(142)과 동일물질로 이루어질 수 있다.
제 1 고준위전압 배선(Vdd1)은 제 1 소스 전극(142)과 연결된다. 예를 들어, 제 1 소스 전극(142)은 제 1 고준위전압 배선(Vdd1)으로부터 연장될 수 있다. 제 2 고준위전압 배선(Vdd2)은 제 2 소스 전극(146)과 연결된다. 예를 들어, 제 2 소스 전극(146)은 제 2 고준위전압 배선(Vdd2)으로부터 연장될 수 있다.
화소영역(P) 각각에는 게이트 배선(GL) 및 제 1 데이터 배선(DL1)에 연결되는 제 1 스위칭 소자(Ts1)와 게이트 배선 및 제 2 데이터 배선(DL2)에 연결되는 제 2 스위칭 소자(Ts2)가 더 형성된다. 제 1 및 제 2 스위칭 소자(Ts1, Ts2) 각각은 박막트랜지스터일 수 있다. 제 1 스위칭 소자(Ts1)는 제 1 구동 소자(Td1)에 연결되고, 제 2 스위칭 소자(Ts2)는 제 2 구동 소자(Td2)에 연결된다.
예를 들어, 제 1 스위칭 소자(Ts1)는 반도체층, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극을 포함하고, 게이트 전극은 게이트 배선(GL)에 연결되며 소스 전극은 제 1 데이터 배선(DL1)에 연결될 수 있다. 또한, 드레인 전극은 제 1 구동 소자(Td1)의 제 1 드레인 전극(144)에 연결될 수 있다.
제 2 스위칭 소자(Ts2)는 반도체층, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극을 포함하고, 게이트 전극은 게이트 배선(GL)에 연결되며 소스 전극은 제 2 데이터 배선(DL2)에 연결될 수 있다. 또한, 드레인 전극은 제 2 구동 소자(Td2)의 제 2 드레인 전극(148)에 연결될 수 있다.
또한, 화소영역(P) 각각에는, 일 프레임(frame) 동안 제 1 구동 소자(Td1)의 제 1 게이트 전극(126)의 전압을 일정하게 유지되도록 하기 위한 제 1 스토리지 캐패시터(Cst1)와 제 2 구동 소자(Td2)의 제 2 게이트 전극(128)의 전압을 일정하게 유지되도록 하기 위한 제 2 스토리지 캐패시터(Cst2)가 더 구성될 수 있다.
제 1 소스 전극(142), 제 1 드레인 전극(144), 제 2 소스 전극(146), 제 2 드레인 전극(148), 저준위전압 배선(Vss), 제 1 데이터 배선(DL1), 제 1 고준위전압 배선(Vdd1), 제 2 데이터 배선(DL2), 제 2 고준위전압 배선(Vdd2) 상에 평탄화층(150)이 제 1 투명기판(110) 전면에 형성된다. 평탄화층(150)은 상면이 평탄하며, 제 1 구동소자(Td1)의 제 1 드레인 전극(144)을 노출하는 제 1 드레인 컨택홀(152)을 갖는다.
평탄화층(150) 상에 각각의 화소영역(P) 별로 분리된 제 1 전극(210)이 형성된다. 제 1 전극(210)은 제 1 드레인 컨택홀(152)을 통해 제 1 구동 소자(Td1)의 제 1 드레인 전극(144)에 연결된다.
제 1 전극(210)은 양극(anode)일 수 있으며, 일함수(work function) 값이 비교적 큰 도전성 물질, 예를 들어 투명 도전성 산화물(transparent conductive oxide; TCO)로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 제 1 전극(210)은 인듐-주석-산화물 (indium-tin-oxide; ITO), 인듐-아연-산화물(indium-zinc-oxide; IZO), 인듐-주석-아연-산화물(indium-tin-zinc oxide; ITZO), 주석산화물(SnO), 아연산화물(ZnO), 인듐-구리-산화물(indium-copper-oxide; ICO) 및 알루미늄:산화아연(Al:ZnO; AZO) 중 하나로 이루어질 수 있다. 즉, 제 1 전극(210)은 투명 전극이다.
제 1 전극(210)은 화소영역(P)보다 작은 면적을 갖는다. 예를 들어, 제 1 전극(210)은 게이트 배선(GL), 제 1 데이터 배선(DL1), 제 1 고준위전압 배선(Vdd2)에 의해 정의되는 영역 내에 위치할 수 있다.
평탄화층(150) 상에는 제 1 전극(210)의 가장자리를 덮는 뱅크층(160)이 형성된다. 뱅크층(160)은 제 1 두께를 갖는 제 1 뱅크(162)와 제 1 두께보다 큰 제 2 두께를 갖는 제 2 뱅크(164)를 포함한다. 예를 들어, 제 1 뱅크(162)는 제 1 투명기판(110)으로부터 제 1 높이를 갖고, 제 2 뱅크(164)는 제 1 투명기판(110)으로부터 제 1 높이보다 작은 제 2 높이를 갖는다.
뱅크층(160)은 제 1 전극(210)에 대응되는 제 1 개구부(op1)와 제 1 개구부(op1)보다 큰 면적을 갖고 화소영역(P)에 대응되는 제 2 개구부(op2)를 포함한다. 즉, 제 1 뱅크(162)는 제 1 전극(210)의 중앙을 노출하는 제 1 개구부(op1)를 갖고, 제 2 뱅크(164)는 화소영역(P)에 대응되는 제 2 개구부(op2)를 갖는다.
저준위전압 배선(Vss)을 노출하는 공통 컨택홀(166)과 제 2 구동 소자(Td2)의 제 2 드레인 전극(148)을 노출하는 제 2 드레인 컨택홀(168)이 뱅크층(160), 평탄화층(150)을 통해 형성된다.
제 1 전극(210) 상에는 제 1 유기 발광층(220)이 형성된다. 제 1 유기 발광층(220)은 제 1 발광물질층(emitting material layer; EML)의 단층 구조를 가질 수 있다. 이와 달리, 제 1 유기 발광층(220)은 정공주입층(hole injection layer; HIL), 정공수송층(hole transport layer; HTL), 전자차단층(electron blocking layer; EBL), 정공차단층(hole blocking layer; HBL), 전자수송층(electron transport layer; ETL), 전자주입층(electron injection layer; EIL) 중 적어도 하나를 더 포함하여 다층 구조를 가질 수 있다.
이와 달리, 제 1 유기 발광층(220)은 서로 이격된 둘 이상의 발광물질층을 포함할 수 있다. 둘 이상의 발광물질층은 동일 색의 발광물질층이거나 서로 다른 색의 발광물질층일 수 있다.
제 1 유기 발광층(220)의 적어도 일부는 용액 공정에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 1 유기 발광층(220)은 잉크젯 공정 또는 스핀 코팅 공정에 의해 형성될 수 있다. 이와 달리, 제 1 유기 발광층(220)은 증착 공정에 의해 형성될 수 있다. 도 5에서 제 1 유기 발광층(220)은 용액 공정에 의해 형성되고 있으며, 제 1 유기 발광층(220)은 제 1 개구부(op1) 내에 형성되고 가장자리 두께가 중앙의 두께보다 클 수 있다.
제 1 유기 발광층(220)과 뱅크층(160)이 형성된 제 1 투명기판(110) 상부로 제 2 전극(230)이 형성된다. 제 2 전극(230)은 공통 컨택홀(166)을 통해 저준위전압 배선(Vss)에 연결된다.
제 2 전극(230)은 화소영역 별로 분리될 수 있다. 이와 달리, 제 1 화소영역의 제 2 전극(230)은 저준위전압 배선(Vss)을 사이에 두고 인접한 제 2 화소영역의 제 2 전극과 일체로 형성될 수 있다.
제 2 전극(230)은 제 1 개구부(op1)에서 제 1 유기 발광층(220) 상에 위치하고 제 2 개구부(op2)에서 제 1 뱅크(162) 상에 위치한다. 즉, 제 2 전극(230)은 제 1 전극(210) 및 제 1 유기 발광층(220)보다 큰 면적을 갖는다. 제 2 전극(230)의 면적은 제 2 개구부(op2)의 면적과 같을 수 있다.
제 2 전극(230)은 일함수 값이 비교적 작은 도전성 물질로 이루어져 음극(cathode)으로 이용될 수 있다. 예를 들어, 제 2 전극(230)은 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 은(Ag), 또는 이들의 합금이나 조합과 같은 높은 고 전도도, 고반사 특성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 즉, 제 2 전극(230)은 반사 전극이다.
즉, 제 1 유기발광다이오드(D1)는 평탄화층(150) 상에 위치하며 제 1 전극(210)과, 제 1 전극(210) 상에 순차 적층되는 제 1 유기 발광층(220) 및 제 2 전극(230)을 포함한다. 제 1 유기발광다이오드(D1)는 적색 화소영역, 녹색 화소영역 및 청색 화소영역 각각에 위치하며 적색, 녹색 및 청색 광을 각각 발광할 수 있다. 이와 달리, 제 1 유기발광다이오드(D1)는 백색 광을 발광할 수 있다.
제 2 전극(230) 상에 제 2 유기 발광층(240)이 형성된다. 제 2 유기 발광층(240)은 제 2 전극(230)과 실질적으로 동일한 면적을 갖는다.
제 1 유기 발광층(220)은 제 1 파장 범위의 빛을 방출하고, 제 2 유기 발광층(240)은 제 1 파장과 같거나 다른 제 2 파장 범위의 빛을 방출할 수 있다. 예를 들어, 제 1 파장 범위의 빛과 제 2 파장 범위의 빛 각각은 적색, 녹색, 청색 빛 중 하나일 수 있다.
제 2 유기 발광층(240)은 제 2 발광물질층의 단층 구조를 가질 수 있다. 이와 달리, 제 2 유기 발광층(240)은 정공주입층, 정공수송층, 전자차단층, 정공차단층, 전자수송층, 전자주입층 중 적어도 하나를 더 포함하여 다층 구조를 가질 수 있다.
이와 달리, 제 2 유기 발광층(240)은 서로 이격된 둘 이상의 발광물질층을 포함할 수 있다. 둘 이상의 발광물질층은 동일 색의 발광물질층이거나 서로 다른 색의 발광물질층일 수 있다.
제 2 유기 발광층(240)의 적어도 일부는 용액 공정에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 2 유기 발광층(240)은 잉크젯 공정 또는 스핀 코팅 공정에 의해 형성될 수 있다. 이와 달리, 제 2 유기 발광층(240)은 증착 공정에 의해 형성될 수 있다. 도 5에서 제 2 유기 발광층(240)은 용액 공정에 의해 형성되고 있으며, 제 2 유기 발광층(240)은 제 2 개구부(op2) 내에 형성되고 가장자리 두께가 중앙의 두께보다 클 수 있다.
제 1 유기 발광층(220)은 제 1 뱅크(162)에 의해 둘러싸인 영역 내에 위치하는 반면, 제 2 전극(230)과 제 2 유기 발광층(240) 각각은 제 2 뱅크(164)에 의해 둘러싸인 영역 내에 위치한다.
일 실시예에서, 제 1 유기 발광층(220)은 용액 공정에 의해 형성되고, 제 2 유기 발광층(240)은 증착 공정에 의해 형성될 수 있다.
제 2 유기 발광층(240) 상에 제 3 전극(250)이 형성된다.
제 3 전극(250)은 각각의 화소영역 별로 분리되어 형성된다. 제 3 전극(250)은 제 2 드레인 컨택홀(168)을 통해 제 2 구동 소자(Td2)의 제 2 드레인 전극(148)에 연결된다.
제 3 전극(250)은 양극(anode)일 수 있으며, 일함수(work function) 값이 비교적 큰 도전성 물질, 예를 들어 투명 도전성 산화물(transparent conductive oxide; TCO)로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 제 3 전극(250)은 인듐-주석-산화물(indium-tin-oxide; ITO), 인듐-아연-산화물(indium-zinc-oxide; IZO), 인듐-주석-아연-산화물(indium-tin-zinc oxide; ITZO), 주석산화물(SnO), 아연산화물(ZnO), 인듐-구리-산화물(indium-copper-oxide; ICO) 및 알루미늄:산화아연(Al:ZnO; AZO) 중 하나로 이루어질 수 있다. 즉, 제 3 전극(250)은 투명 전극이다.
제 3 전극(250)은 제 2 전극(230) 및 제 2 유기 발광층(240)보다 큰 면적을 갖는다. 제 3 전극(250)은 제 2 개구부보다 큰 면적을 갖고 제 2 뱅크(164) 상부면 일부를 덮을 수 있다.
제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 2 전극(230)과, 제 2 전극(230) 상에 순차 적층되는 제 2 유기 발광층(240) 및 제 4 전극(250)을 포함한다. 제 2 유기발광다이오드(D2)는 적색 화소영역, 녹색 화소영역 및 청색 화소영역 각각에 위치하며 적색, 녹색 및 청색 광을 각각 발광할 수 있다. 이와 달리, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 백색 광을 발광할 수 있다.
제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 1 유기발광다이오드(D1)보다 큰 면적을 가지며 제 1 및 제 2 구동소자(Td1, Td2)와 중첩할 수 있다. 따라서, 제 1 및 제 2 구동소자(Td1, Td2)에 의해 제 2 유기발광다이오드(D2)의 개구율이 감소하지 않는다.
다시 말해, 제 1 구동 소자(Td1)를 포함하는 제 1 화소구동회로부(PDC1)와 제 2 구동 소자(Td2)를 포함하는 제 2 화소구동회로부(PDC2)는 화소영역(P)의 제 1 영역에서 제 1 투명기판(110) 상부에 위치하고, 제 1 유기발광다이오드(D1)는 화소영역(P)의 제 2 영역에서 제 1 투명기판(110)의 상부, 예를 들어 제 1 및 제 2 화소구동회로부(PDC1, PDC2) 상부에 위치한다. 또한, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 화소영역(P2)의 제 1 및 제 2 영역에서 제 1 유기발광다이오드(D1) 상에 위치한다.
유기발광다이오드의 개략적인 단면도인 도 6을 참조하면, 본 발명의 양면 유기발광표시장치에 포함되는 유기발광다이오드는, 제 2 전극(230)을 공유하며 적층된 제 1 및 제 2 유기발광다이오드(D1, D2)를 포함한다.
제 1 유기발광다이오드(D1)는 제 1 전극(210, 하부 전극, 제 1 양극), 제 1 전극(210)과 마주하는 제 2 전극(230, 중간 전극, 음극), 제 1 및 제 2 전극(210, 230) 사이에 위치하는 제 1 유기 발광층(220)을 포함한다. 제 1 전극(210)으로부터의 정공과 제 2 전극(230)으로부터의 전자가 제 1 유기 발광층(220)에서 결합된 후, 제 1 유기 발광층(220)으로부터 빛이 방출된다.
제 1 유기 발광층(220)은, 제 1 전극(210)과 제 2 전극(230) 사이에 위치하는 제 1 발광물질층(226)을 포함한다.
또한, 제 1 유기 발광층(220)은 제 1 전극(210)과 제 1 발광물질층(226) 사이에 위치하는 제 1 정공수송층(224)과 제 1 발광물질층(226)과 제 2 전극(230) 사이에 위치하는 제 1 정공수송층(228) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
또한, 제 1 유기 발광층(220)은 제 1 전극(210)과 제 1 정공수송층(224) 사이에 위치하는 제 1 정공주입층(222)을 더 포함할 수 있다.
즉, 제 1 유기발광다이오드(D1)는 제 1 전극(210, 제 1 양극) 상에 정공주입층(222), 제 1 정공수송층(224), 제 1 발광물질층(226), 제 1 전자수송층(228), 제 2 전극(230)이 순차 적층된 구조를 가질 수 있다. 제 1 유기발광다이오드(D1)는 정상(normal) 구조의 유기발광다이오드일 수 있다.
제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 2 전극(230), 제 2 전극(230)과 마주하는 제 3 전극(250, 상부 전극, 제 2 양극), 제 2 및 제 3 전극(230, 250) 사이에 위치하는 제 2 유기 발광층(240)을 포함한다. 제 2 전극(230)으로부터의 전자와 제 3 전극(250)으로부터의 정공이 제 2 유기 발광층(240)에서 결합된 후, 제 2 유기 발광층(240)으로부터 빛이 방출된다.
제 2 유기 발광층(240)은, 제 2 전극(230)과 제 3 전극(250) 사이에 위치하는 제 2 발광물질층(244)을 포함한다.
또한, 제 2 유기 발광층(240)은 제 2 전극(230)과 제 2 발광물질층(244) 사이에 위치하는 제 2 전자수송층(242)과 제 2 발광물질층(244)과 제 3 전극(250) 사이에 위치하는 제 2 정공수송층(246) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
또한, 제 2 유기 발광층은 제 3 전극(250)과 제 2 정공수송층(246) 사이에 위치하는 제 2 정공주입층(248)을 더 포함할 수 있다.
즉, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 2 전극(230, 음극) 상에 제 2 전자수송층(242), 제 2 발광물질층(244), 제 2 정공수송층(246), 제 2 정공주입층(248), 제 3 전극(250)이 순차 적층된 구조를 가질 수 있다. 제 2 유기발광다이오드(D2)는 역(inverted) 구조의 유기발광다이오드일 수 있다.
다시 도 5를 참조하면, 제 3 전극(250) 상에 보호층(170)이 형성된다. 예를 들어, 보호층(170)은 무기절연물질로 이루어질 수 있다.
또한, 보호층(170) 상에 씰층(180)이 형성된다. 씰층(180)은 유기절연물질로 이루어질 수 있다.
보호층(170)과 씰층(180)에 의해 외부 수분이 제 1 및 제 2 유기발광다이오드(D1, D2)로 침투하는 것이 방지될 수 있다.
씰층(180) 상에 제 2 투명기판(190)이 배치된다. 예를 들어, 씰층(180)은 접착 특성을 가져 씰층(180)에 의해 제 2 투명기판(190)이 보호층(170)에 부착될 수 있다.
양면 유기발광표시장치(100)는 적색, 녹색 및 청색 화소영역에 대응하는 컬러 필터(미도시)를 포함할 수 있다. 컬러필터층은, 적색 화소영역, 녹색 화소영역, 청색 화소영역 각각에 대응하여 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터, 청색 컬러필터를 포함할 수 있다. 양면 유기발광표시장치(100)가 컬러필터층을 포함하는 경우, 유기발광표시장치(100)의 색순도가 향상될 수 있다. 또한, 제 1 및 제 2 유기발광다이오드(D1, D2) 각각이 백색 유기발광다이오드인 경우, 컬러필터층에 의해 풀컬러 영상이 구현될 수 있다.
예를 들어, 제 1 투명기판(110)과 제 1 유기발광다이오드(D1) 사이에 제 1 컬러필터층이 위치할 수 있고, 제 2 유기발광다이오드(D2)와 제 2 투명기판(190) 사이에 제 2 컬러필터층이 위치할 수 있다.
양면 유기발광표시장치(100)는 외부광의 반사를 줄이기 위한 편광판(미도시)을 더 포함할 수 있다. 편광판은 원형 편광판일 수 있다. 예를 들어, 제 1 투명기판(110) 외측에 제 1 편광판이 위치할 수 있고, 제 2 투명기판(190) 외측에 제 2 편광판이 위치할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 양면 유기발광표시장치(100)에서, 제 1 유기발광다이오드(D1)와 제 2 유기발광다이오드(D2)는 음극인 제 2 전극(230)을 공유하며 독립적으로 구동된다. 제 1 유기발광다이오드(D1)에서는 제 1 전극(210)을 통해 제 1 영상이 표시되고, 제 2 유기발광다이오드(D2)에서는 제 3 전극(250)을 통해 제 2 영상이 표시된다.
또한, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 상대적으로 큰 개구부를 가져, 유기발광다이오드(D2)의 에너지 효율과 수명이 향상된다.
또한, 음극인 제 2 전극(230)을 전도도가 우수하고 반사율이 높은 금속물질로 형성할 수 있기 때문에, 양면 유기발광표시장치(100)의 발광효율(휘도)이 향상된다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 양면 유기발광표시장치에서 하나의 화소영역 구조에 대한 개략적인 평면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 양면 유기발광장치(300)는, 게이트 배선(GL), 저준위전압 배선(Vss), 제 1 고준위전압 배선(Vdd1), 제 2 고준위전압 배선(Vdd2), 제 1 데이터 배선(DL1), 제 2 데이터 배선(DL2), 제 1 구동 소자(도 1의 Td1), 제 2 구동 소자(도 1의 Td2), 제 1 유기발광다이오드(D1), 제 2 유기발광다이오드(D2)를 포함한다.
게이트 배선(GL), 저준위전압 배선(Vss), 제 1 고준위전압 배선(Vdd1), 제 2 고준위전압 배선(Vdd2)은 제 1 방향(x)을 따라 연장되고, 제 1 데이터 배선(DL1), 제 2 데이터 배선(DL2)은 제 1 방향(x)과 교차하는 제 2 방향(y)으로 연장된다. 예를 들어, 제 2 방향(y)은 제 1 방향(x)에 수직할 수 있다.
제 1 구동 소자(Td1)는 제 1 고준위전압 배선(Vdd1)에 연결되고, 제 2 구동 소자(Td2)는 제 2 고준위전압 배선(Vdd2)에 연결된다.
제 1 유기발광다이오드(D1)는 제 1 구동소자(Td1)와 저준위전압 배선(Vss)에 연결되며, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 2 구동소자(Td2)와 저준위전압 배선(Vss)에 연결된다.
또한, 양면 유기발광장치(300)는, 게이트 배선(GL), 제 1 데이터 배선(DL), 제 1 구동 소자(Td1)에 연결된 제 1 스위칭 소자(도 1의 Ts1)와, 게이트 배선(GL), 제 2 데이터 배선(DL), 제 2 구동 소자(Td2)에 연결된 제 2 스위칭 소자(도 1의 Ts2)를 더 포함할 수 있다.
게이트 배선(GL), 제 2 고준위전압 배선(Vdd2), 제 1 고준위전압 배선(Vdd1)은 일정 간격 이격하며 제 2 방향(y)을 따라 순차 배열될 수 있다. 제 1 데이터 배선(DL1), 제 2 데이터 배선(DL2)은 일정 간격 이격하며 제 1 방향(x)을 따라 순차 배열될 수 있다.
제 1 데이터 배선(DL1)과 제 2 데이터 배선(DL2)은 게이트 배선(GL)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하고, 제 1 스위칭 소자(Ts1), 제 2 스위칭 소자(Ts2), 제 1 구동 소자(Td1), 제 2 구동 소자(Td2), 제 1 유기발광다이오드(D1), 제 2 유기발광다이오드(D2)는 각 화소영역(P)에 배치된다.
제 1 유기발광다이오드(D1)는 양극인 제 1 전극(410), 제 1 유기 발광층, 음극인 제 2 전극(430)을 포함하고, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 음극인 제 2 전극(430), 제 2 유기 발광층, 양극인 제 3 전극(450)을 포함한다. 즉, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 1 유기발광다이오드(D1)와 음극인 제 2 전극(430)을 공유하며 제 1 유기발광다이오드(D1) 상에 위치한다.
제 1 유기발광다이오드(D1)와 제 2 유기발광다이오드(D2)는 음극인 제 2 전극(430)을 공유하며, 제 1 유기발광다이오드(D1)는 제 1 구동 소자(Td1)에 의해 구동되고, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 2 구동 소자(Td2)에 의해 구동된다. 즉, 제 1 유기발광다이오드(D1)와 제 2 유기발광다이오드(D2)는 독립적으로 구동된다.
제 1 유기발광다이오드(D1)는 제 1 데이터 배선(DL1), 제 2 데이터 배선(DL2), 저준위전압 배선(Vss), 제 1 고준위전압 배선(Vdd1)에 의해 둘러싸인 영역에 위치하고, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 1 유기발광다이오드(D1)보다 큰 평면적을 갖는다. 예를 들어, 제 2 유기발광다이오드(D2)의 일끝은 저준위전압 배선(Vss)과 중첩하고 타끝은 제 2 고준위전압 배선(Vdd2)을 넘어 위치할 수 있다. 예를 들어, 제 2 유기발광다이오드(D2)의 타끝은 게이트 배선(GL)과 중첩할 수 있다.
즉, 제 1 유기발광다이오드(D1)는 게이트 배선(GL), 제 1 및 제 2 데이터 배선(DL1, DL2), 저준위전압 배선(Vss), 제 1 및 제 2 고준위전압 배선(Vdd1, Vdd2)과 중첩하지 않고, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 게이트 배선(GL), 제 1 및 제 2 데이터 배선(DL1, DL2), 저준위전압 배선(Vss), 제 1 및 제 2 고준위전압 배선(Vdd1, Vdd2) 각각과 중첩할 수 있다.
제 1 유기발광다이오드(D1)는 제 1 방향(x)과 제 2 방향(y)에 대한 제 1 법선 방향으로 빛을 방출하고, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 1 법선 방향과 반대인 제 2 법선 방향으로 빛을 방출한다.
따라서, 본 발명의 양면 유기발광장치(100)는 제 1 법선 방향으로 제 1 영상이 표시되고 제 2 법선 방향으로 제 2 영상이 표시되는 양면 영상 표시를 구현할 수 있다.
도 8은 도 7의 절단선 II-II'에 따른 단면도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 화소영역이 정의된 제 1 투명기판(310) 상에, 제 1 구동소자(Td1), 제 2 구동소자(Td2), 제 1 유기발광다이오드(D1), 제 2 유기발광다이오드(D2)가 형성된다.
또한, 제 2 유기발광다이오드(D2)를 덮는 보호층(370), 보호층(370) 상의 씰층(380), 씰층(380) 상의 제 2 투명기판(390)이 제 2 유기발광다이오드(D2) 상부로 구비될 수 있다.
제 1 및 제 2 투명기판(310, 390) 각각은 유리기판 또는 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블 기판은, 폴리이미드(polyimide; PI) 기판, 폴리에테르술폰(Polyethersulfone; PES) 기판, 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate; PEN) 기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene Terephthalate; PET) 기판 및 폴리카보네이트(polycarbonate; PC) 기판 중 어느 하나일 수 있다.
제 1 투명기판(310) 상에 버퍼층(312)이 형성되고, 제 1 구동 소자(Td1)와 제 2 구동 소자(Td2)가 버퍼층(312) 상에 형성된다. 예를 들어, 버퍼층(312)은 질화실리콘 또는 질화실리콘과 같은 무기절연물질로 이루어질 수 있다. 버퍼층(312)은 생략될 수 있고, 이 경우 제 1 구동 소자(Td1)와 제 2 구동 소자(Td2)는 제 1 투명기판(310) 상에 형성될 수 있다.
버퍼층(322) 상에 제 1 반도체층(320)과 제 2 반도체층(322)이 형성된다. 예를 들어, 제 1 반도체층(320)과 제 2 반도체층(322) 각각은 산화물 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 제 1 반도체층(320)과 제 2 반도체층(322) 각각이 산화물 반도체 물질로 이루어지는 경우, 제 1 반도체층(320)과 제 2 반도체층(322) 각각의 하부에 차광패턴(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 차광패턴은 제 1 반도체층(320)과 제 2 반도체층(322)으로 빛이 입사되는 것을 방지하여 제 1 반도체층(320)과 제 2 반도체층(322)이 빛에 의하여 열화되는 것을 방지한다.
이와 달리, 제 1 반도체층(320)과 제 2 반도체층(322) 각각은 다결정 실리콘으로 이루어질 수도 있으며, 이 경우 제 1 반도체층(320)과 제 2 반도체층(322) 각각의 양 가장자리에 불순물이 도핑될 수 있다.
제 1 반도체층(320)과 제 2 반도체층(322) 상에 절연 물질로 이루어진 게이트 절연막(324)이 제 1 투명기판(310) 전면에 형성된다. 게이트 절연막(324)은 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다.
게이트 절연막(324) 상에 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 제 1 게이트 전극(326)과 제 2 게이트 전극(328)이 형성된다. 제 1 게이트 전극(326)은 제 1 반도체층(320)의 중앙에 대응되고, 제 2 게이트 전극(328)은 제 2 반도체층(322)의 중앙에 대응된다.
또한, 게이트 절연막(324) 상에 게이트 배선(GL), 저준위전압 배선(Vss), 제 1 고준위전압 배선(Vdd1), 제 2 고준위전압 배선(Vdd2)이 형성된다. 예를 들어, 제 1 고준위전압 배선(Vdd1)과 제 2 고준위전압 배선(Vdd2)은 제 1 게이트 전극(326)과 제 2 게이트 전극(328) 사이에 위치할 수 있다.
예를 들어, 제 1 게이트 전극(326), 제 2 게이트 전극(328), 게이트 배선(GL), 저준위전압 배선(Vss), 제 1 고준위전압 배선(Vdd1), 제 2 고준위전압 배선(Vdd2)은 동일 물질로 이루어질 수 있다.
도 8에서 게이트 절연막(324)은 제 1 투명기판(310) 전면에 형성되어 있으나, 게이트 절연막(324)은 제 1 게이트 전극(326) 및 제 2 게이트 전극(328) 각각과 동일한 모양으로 패터닝 될 수도 있다.
제 1 게이트 전극(326), 제 2 게이트 전극(328), 게이트 배선(GL), 저준위전압 배선(Vss), 제 1 고준위전압 배선(Vdd1), 제 2 고준위전압 배선(Vdd2) 상에는 절연 물질로 이루어진 층간 절연막(330)이 제 1 투명기판(310) 전면에 형성된다. 층간 절연막(330)은 실리콘산화물 또는 실리콘질화물과 같은 무기 절연 물질로 형성되거나, 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)이나 포토 아크릴(photo-acryl)과 같은 유기 절연 물질로 형성될 수 있다.
층간 절연막(330)은 제 1 반도체층(320)의 양측 상면을 노출하는 제 1 및 제 2 반도체층 컨택홀(332, 334)과 제 2 반도체층(322)의 양측 상면을 노출하는 제 3 및 제 4 반도체층 컨택홀(336, 338)을 갖는다. 제 1 및 제 2 반도체층 컨택홀(332, 334)은 제 1 게이트 전극(326)의 양측에서 제 1 게이트 전극(326)과 이격되어 위치하며, 제 3 및 제 4 반도체층 컨택홀(336, 338)은 제 2 게이트 전극(328)의 양측에서 제 2 게이트 전극(328)과 이격되어 위치한다.
도 8에서, 제 1 내지 제 4 반도체층 컨택홀(332, 334, 336, 338)은 층간 절연막(330)과 게이트 절연막(324)에 형성되고 있다. 이와 달리, 게이트 절연막(324)이 제 1 및 제 2 게이트 전극(326, 328) 각각과 동일한 모양으로 패터닝 될 경우, 제 1 내지 제 4 반도체층 컨택홀(332, 334, 336, 338)은 층간 절연막(330) 내에만 형성될 수 있다.
층간 절연막(330) 상에 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 제 1 소스 전극(342), 제 1 드레인 전극(344), 제 2 소스 전극(346), 제 2 드레인 전극(348)이 형성된다. 제 1 소스 전극(342)과 제 1 드레인 전극(344)은 제 1 게이트 전극(326)을 중심으로 이격되어 위치하며, 각각 제 1 및 제 2 반도체층 컨택홀(332, 334)을 통해 제 1 반도체층(320)의 양측과 접촉한다. 제 2 소스 전극(346)과 제 2 드레인 전극(348)은 제 2 게이트 전극(328)을 중심으로 이격되어 위치하며, 각각 제 3 및 제 4 반도체층 컨택홀(336, 338)을 통해 제 2 반도체층(322)의 양측과 접촉한다.
제 1 반도체층(320), 제 1 게이트 전극(326), 제 1 소스 전극(342) 및 제1 드레인 전극(344)은 제 1 구동 소자(Td1)를 이루고, 제 2 반도체층(322), 제 2 게이트 전극(328), 제 2 소스 전극(346) 및 제 2 드레인 전극(348)은 제 2 구동 소자(Td2)를 이룬다. 제 1 및 제 2 구동 소자 각각은 박막트랜지스터(thin film transistor, TFT)일 수 있다.
도 8에서, 제 1 반도체층(320)의 상부에 제 1 게이트 전극(326), 제 1 소스 전극(342) 및 제 1 드레인 전극(344)이 위치하고, 제 2 반도체층(322)의 상부에 제 2 게이트 전극(328), 제 2 소스 전극(346) 및 제 2 드레인 전극(348)이 위치한다. 즉, 제 1 구동 소자(Td1)와 제 2 구동 소자(Td2) 각각은 코플라나(coplanar) 구조를 가진다.
이와 달리, 제 1 구동 소자(Td1)와 제 2 구동 소자(Td2) 각각에서, 반도체층의 하부에 게이트 전극이 위치하고, 반도체층의 상부에 소스 전극과 드레인 전극이 위치할 수 있다. 즉, 제 1 구동 소자(Td1)와 제 2 구동 소자(Td2) 각각은 역 스태거드(inverted staggered) 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 반도체층은 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있다.
또한, 층간 절연막(330) 상에는 제 1 데이터 배선(DL1), 제 2 데이터 배선(DL2)이 형성된다. 제 1 데이터 배선(DL1), 제 2 데이터 배선(DL2) 각각은 제 1 소스 전극(342)과 동일물질로 이루어질 수 있다.
제 1 고준위전압 배선(Vdd1)은 제 1 소스 전극(342)과 연결된다. 예를 들어, 층간 절연막(330)에는 제 1 고준위전압 배선(Vdd1)을 노출하는 제 1 컨택홀이 형성되고, 제 1 소스 전극(342)은 제 1 컨택홀을 통해 제 1 고준위전압 배선(Vdd1)에 연결될 수 있다. 제 2 고준위전압 배선(Vdd2)은 제 2 소스 전극(346)과 연결된다. 예를 들어, 층간 절연막(330)에는 제 2 고준위전압 배선(Vdd2)을 노출하는 제 2 컨택홀이 형성되고, 제 2 소스 전극(346)은 제 2 컨택홀을 통해 제 2 고준위전압 배선(Vdd2)에 연결될 수 있다.
화소영역(P) 각각에는 게이트 배선(GL) 및 제 1 데이터 배선(DL1)에 연결되는 제 1 스위칭 소자(Ts1)와 게이트 배선 및 제 2 데이터 배선(DL2)에 연결되는 제 2 스위칭 소자(Ts2)가 더 형성된다. 제 1 및 제 2 스위칭 소자(Ts1, Ts2) 각각은 박막트랜지스터일 수 있다. 제 1 스위칭 소자(Ts1)는 제 1 구동 소자(Td1)에 연결되고, 제 2 스위칭 소자(Ts2)는 제 2 구동 소자(Td2)에 연결된다.
예를 들어, 제 1 스위칭 소자(Ts1)는 반도체층, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극을 포함하고, 게이트 전극은 게이트 배선(GL)에 연결되며 소스 전극은 제 1 데이터 배선(DL1)에 연결될 수 있다. 또한, 드레인 전극은 제 1 구동 소자(Td1)의 제 1 드레인 전극(344)에 연결될 수 있다.
제 2 스위칭 소자(Ts2)는 반도체층, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극을 포함하고, 게이트 전극은 게이트 배선(GL)에 연결되며 소스 전극은 제 2 데이터 배선(DL2)에 연결될 수 있다. 또한, 드레인 전극은 제 2 구동 소자(Td2)의 제 2 드레인 전극(348)에 연결될 수 있다.
또한, 화소영역(P) 각각에는, 일 프레임(frame) 동안 제 1 구동 소자(Td1)의 제 1 게이트 전극(326)의 전압을 일정하게 유지되도록 하기 위한 제 1 스토리지 커패시터(Cst1)와 제 2 구동 소자(Td2)의 제 2 게이트 전극(328)의 전압을 일정하게 유지되도록 하기 위한 제 2 스토리지 커패시터(Cst2)가 더 구성될 수 있다.
제 1 소스 전극(342), 제 1 드레인 전극(344), 제 2 소스 전극(346), 제 2 드레인 전극(348), 제 1 데이터 배선(DL1), 제 2 데이터 배선(DL2) 상에 평탄화층(350)이 제 1 투명기판(310) 전면에 형성된다. 평탄화층(350)은 상면이 평탄하며, 제 1 구동소자(Td1)의 제 1 드레인 전극(344)을 노출하는 제 1 드레인 컨택홀(352)을 갖는다.
평탄화층(350) 상에 각각의 화소영역(P) 별로 분리된 제 1 전극(410)이 형성된다. 제 1 전극(410)은 제 1 드레인 컨택홀(352)을 통해 제 1 구동 소자(Td1)의 제 1 드레인 전극(344)에 연결된다.
제 1 전극(410)은 양극(anode)일 수 있으며, 일함수(work function) 값이 비교적 큰 도전성 물질, 예를 들어 투명 도전성 산화물(transparent conductive oxide; TCO)로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 제 1 전극(410)은 인듐-주석-산화물 (indium-tin-oxide; ITO), 인듐-아연-산화물(indium-zinc-oxide; IZO), 인듐-주석-아연-산화물(indium-tin-zinc oxide; ITZO), 주석산화물(SnO), 아연산화물(ZnO), 인듐-구리-산화물(indium-copper-oxide; ICO) 및 알루미늄:산화아연(Al:ZnO; AZO) 중 하나로 이루어질 수 있다. 즉, 제 1 전극(410)은 투명 전극이다.
제 1 전극(410)은 화소영역(P)보다 작은 면적을 갖는다. 예를 들어, 제 1 전극(410)은 제 1 데이터 배선(DL1), 제 2 데이터 배선(DL2), 저준위전압 배선(Vss), 제 1 고준위전압 배선(Vdd1)에 의해 정의되는 영역 내에 위치할 수 있다.
평탄화층(350) 상에는 제 1 전극(410)의 가장자리를 덮는 뱅크층(360)이 형성된다. 뱅크층(360)은 제 1 두께를 갖는 제 1 뱅크(362)와 제 1 두께보다 큰 제 2 두께를 갖는 제 2 뱅크(364)를 포함한다. 예를 들어, 제 1 뱅크(362)는 제 1 투명기판(310)으로부터 제 1 높이를 갖고, 제 2 뱅크(364)는 제 1 투명기판(310)으로부터 제 1 높이보다 작은 제 2 높이를 갖는다.
뱅크층(360)은 제 1 전극(410)에 대응되는 제 1 개구부(op1)와 제 1 개구부(op1)보다 큰 면적을 갖고 화소영역(P)에 대응되는 제 2 개구부(op2)를 포함한다. 즉, 제 1 뱅크(362)는 제 1 전극(410)의 중앙을 노출하는 제 1 개구부(op1)를 갖고, 제 2 뱅크(364)는 화소영역(P)에 대응되는 제 2 개구부(op2)를 갖는다.
저준위전압 배선(Vss)을 노출하는 공통 컨택홀(366)과 제 2 구동 소자(Td2)의 제 2 드레인 전극(348)을 노출하는 제 2 드레인 컨택홀(368)이 뱅크층(360), 평탄화층(350), 층간 절연막(330)을 통해 형성된다.
제 1 전극(410) 상에는 제 1 유기 발광층(420)이 형성된다. 제 1 유기 발광층(420)은 제 1 발광물질층의 단층 구조를 가질 수 있다. 이와 달리, 제 1 유기 발광층(462)은 정공주입층, 정공수송층, 전자차단층, 정공차단층, 전자수송층, 전자주입층 중 적어도 하나를 더 포함하여 다층 구조를 가질 수 있다.
이와 달리, 제 1 유기 발광층(420)은 서로 이격된 둘 이상의 발광물질층을 포함할 수 있다. 둘 이상의 발광물질층은 동일 색의 발광물질층이거나 서로 다른 색의 발광물질층일 수 있다.
제 1 유기 발광층(420)의 적어도 일부는 용액 공정에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 1 유기 발광층(420)은 잉크젯 공정 또는 스핀 코팅 공정에 의해 형성될 수 있다. 이와 달리, 제 1 유기 발광층(420)은 증착 공정에 의해 형성될 수 있다. 도 8에서 제 1 유기 발광층(420)은 증착 공정에 의해 형성되고 있으며, 제 1 유기 발광층(420)의 가장자리가 제 1 뱅크(362)의 상면 일부를 덮는다.
제 1 유기 발광층(420)과 뱅크층(360)이 형성된 제 1 투명기판(310) 상부로 제 2 전극(430)이 형성된다. 제 2 전극(430)은 공통 컨택홀(366)을 통해 저준위전압 배선(Vss)에 연결된다.
제 2 전극(430)은 화소영역 별로 분리될 수 있다. 이와 달리, 제 1 화소영역의 제 2 전극(430)은 저준위전압 배선(Vss)을 사이에 두고 인접한 제 2 화소영역의 제 2 전극과 일체로 형성될 수 있다.
제 2 전극(430)은 제 1 개구부(op1)에서 제 1 유기 발광층(420) 상에 위치하고 제 2 개구부(op2)에서 제 1 뱅크(362) 상에 위치한다. 즉, 제 2 전극(430)은 제 1 전극(410) 및 제 1 유기 발광층(420)보다 큰 면적을 갖는다. 제 2 전극(430)의 면적은 제 2 개구부(op2)의 면적과 같을 수 있다.
제 2 전극(430)은 일함수 값이 비교적 작은 도전성 물질로 이루어져 음극(cathode)으로 이용될 수 있다. 예를 들어, 제 2 전극(430)은 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 은(Ag), 또는 이들의 합금이나 조합과 같은 높은 고 전도도, 고반사 특성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 즉, 제 2 전극(430)은 반사 전극이다.
즉, 제 1 유기발광다이오드(D1)는 평탄화층(350) 상에 위치하며 제 1 전극(410)과, 제 1 전극(410) 상에 순차 적층되는 제 1 유기 발광층(420) 및 제 2 전극(430)을 포함한다. 제 1 유기발광다이오드(D1)는 적색 화소영역, 녹색 화소영역 및 청색 화소영역 각각에 위치하며 적색, 녹색 및 청색 광을 각각 발광할 수 있다. 이와 달리, 제 1 유기발광다이오드(D1)는 백색 광을 발광할 수 있다.
제 2 전극(430) 상에 제 2 유기 발광층(440)이 형성된다. 제 2 유기 발광층(440)은 제 2 전극(430)과 실질적으로 동일한 면적을 갖는다. 제 2 전극(430)의 가장자리는 제 2 유기 발광층(440)에 의해 덮일 수 있다.
제 1 유기 발광층(420)은 제 1 파장 범위의 빛을 방출하고, 제 2 유기 발광층(440)은 제 1 파장과 같거나 다른 제 2 파장 범위의 빛을 방출할 수 있다. 예를 들어, 제 1 파장 범위의 빛과 제 2 파장 범위의 빛 각각은 적색, 녹색, 청색 빛 중 하나일 수 있다.
제 2 유기 발광층(440)은 제 2 발광물질층의 단층 구조를 가질 수 있다. 이와 달리, 제 2 유기 발광층(440)은 정공주입층, 정공수송층, 전자차단층, 정공차단층, 전자수송층, 전자주입층 중 적어도 하나를 더 포함하여 다층 구조를 가질 수 있다.
이와 달리, 제 2 유기 발광층(440)은 서로 이격된 둘 이상의 발광물질층을 포함할 수 있다. 둘 이상의 발광물질층은 동일 색의 발광물질층이거나 서로 다른 색의 발광물질층일 수 있다.
제 2 유기 발광층(440)의 적어도 일부는 용액 공정에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 2 유기 발광층(440)은 잉크젯 공정 또는 스핀 코팅 공정에 의해 형성될 수 있다. 이와 달리, 제 2 유기 발광층(440)은 증착 공정에 의해 형성될 수 있다. 도 8에서 제 2 유기 발광층(440)은 증착 공정에 의해 형성되고 있으며, 제 2 유기 발광층(440)의 가장자리가 제 2 뱅크(364) 상에서 제 2 전극(430)의 가장자리를 덮는다.
제 2 유기 발광층(440) 상에 제 3 전극(450)이 형성된다.
제 3 전극(450)은 각각의 화소영역 별로 분리되어 형성된다. 제 3 전극(450)은 제 2 드레인 컨택홀(368)을 통해 제 2 구동 소자(Td2)의 제 2 드레인 전극(348)에 연결된다.
제 3 전극(450)은 양극(anode)일 수 있으며, 일함수(work function) 값이 비교적 큰 도전성 물질, 예를 들어 투명 도전성 산화물(transparent conductive oxide; TCO)로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 제 3 전극(450)은 인듐-주석-산화물(indium-tin-oxide; ITO), 인듐-아연-산화물(indium-zinc-oxide; IZO), 인듐-주석-아연-산화물(indium-tin-zinc oxide; ITZO), 주석산화물(SnO), 아연산화물(ZnO), 인듐-구리-산화물(indium-copper-oxide; ICO) 및 알루미늄:산화아연(Al:ZnO; AZO) 중 하나로 이루어질 수 있다. 즉, 제 3 전극(450)은 투명 전극이다.
제 3 전극(450)은 제 2 전극(430) 및 제 2 유기 발광층(440)보다 큰 면적을 갖는다. 제 3 전극(450)은 제 2 개구부보다 큰 면적을 갖고 제 2 뱅크(364) 상부면 일부를 덮을 수 있다.
제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 2 전극(430)과, 제 2 전극(430) 상에 순차 적층되는 제 2 유기 발광층(440) 및 제 4 전극(450)을 포함한다. 제 2 유기발광다이오드(D2)는 적색 화소영역, 녹색 화소영역 및 청색 화소영역 각각에 위치하며 적색, 녹색 및 청색 광을 각각 발광할 수 있다. 이와 달리, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 백색 광을 발광할 수 있다.
제 2 유기발광다이오드(D2)는 제 1 유기발광다이오드(D1)보다 큰 면적을 가지며 제 1 및 제 2 구동소자(Td1, Td2)와 중첩할 수 있다. 따라서, 제 1 및 제 2 구동소자(Td1, Td2)에 의해 제 2 유기발광다이오드(D2)의 개구율이 감소하지 않는다.
다시 말해, 제 1 구동 소자(Td1)를 포함하는 제 1 화소구동회로부(PDC1)와 제 2 구동 소자(Td2)를 포함하는 제 2 화소구동회로부(PDC2)는 화소영역(P)의 제 1 영역에서 제 1 투명기판(310) 상부에 위치하고, 제 1 유기발광다이오드(D1)은 화소영역(P)의 제 2 영역에서 제 1 투명기판(310)의 상부, 예를 들어 제 1 및 제 2 화소구동회로부(PDC1, PDC2) 상부에 위치한다. 또한, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 화소영역(P2)의 제 1 및 제 2 영역에서 제 1 유기발광다이오드(D1) 상에 위치한다.
도 6을 참조하면, 제 1 유기발광다이오드(D1)의 제 1 유기 발광층(420)은 정공주입층(222), 제 1 정공수송층(224), 제 1 발광물질층(226), 제 1 전자수송층(228), 제 2 전극(230)이 순차 적층된 구조를 가질 수 있고, 제 2 유기발광다이오드(D2)의 제 2 유기 발광층(440)은 제 2 전자수송층(242), 제 2 발광물질층(244), 제 2 정공수송층(246), 제 2 정공주입층(248)이 순차 적층된 구조를 가질 수 있다.
다시 도 7을 참조하면, 제 3 전극(450) 상에 보호층(370)이 형성된다. 예를 들어, 보호층(370)은 무기절연물질로 이루어질 수 있다.
또한, 보호층(370) 상에 씰층(380)이 형성된다. 씰층(380)은 유기절연물질로 이루어질 수 있다.
보호층(370)과 씰층(390)에 의해 외부 수분이 제 1 및 제 2 유기발광다이오드(D1, D2)로 침투하는 것이 방지될 수 있다.
씰층(380) 상에 제 2 투명기판(390)이 배치된다. 예를 들어, 씰층(380)은 접착 특성을 가져 씰층(380)에 의해 제 2 투명기판(390)이 보호층(370)에 부착될 수 있다.
양면 유기발광표시장치(300)는 적색, 녹색 및 청색 화소영역에 대응하는 컬러 필터(미도시)를 포함할 수 있다. 컬러필터층은, 적색 화소영역, 녹색 화소영역, 청색 화소영역 각각에 대응하여 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터, 청색 컬러필터를 포함할 수 있다. 양면 유기발광표시장치(300)가 컬러필터층을 포함하는 경우, 유기발광표시장치(300)의 색순도가 향상될 수 있다. 또한, 제 1 및 제 2 유기발광다이오드(D1, D2) 각각이 백색 유기발광다이오드인 경우, 컬러필터층에 의해 풀컬러 영상이 구현될 수 있다.
예를 들어, 제 1 투명기판(310)과 제 1 유기발광다이오드(D1) 사이에 제 1 컬러필터층이 위치할 수 있고, 제 2 유기발광다이오드(D2)와 제 2 투명기판(390) 사이에 제 2 컬러필터층이 위치할 수 있다.
양면 유기발광표시장치(300)는 외부광의 반사를 줄이기 위한 편광판(미도시)을 더 포함할 수 있다. 편광판은 원형 편광판일 수 있다. 예를 들어, 제 1 투명기판(310) 외측에 제 1 편광판이 위치할 수 있고, 제 2 투명기판(390) 외측에 제 2 편광판이 위치할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 양면 유기발광표시장치(300)에서, 제 1 유기발광다이오드(D1)와 제 2 유기발광다이오드(D2)는 음극인 제 2 전극(430)을 공유하며 독립적으로 구동된다. 제 1 유기발광다이오드(D1)에서는 제 1 전극(410)을 통해 제 1 영상이 표시되고, 제 2 유기발광다이오드(D2)에서는 제 3 전극(450)을 통해 제 2 영상이 표시된다.
또한, 제 2 유기발광다이오드(D2)는 상대적으로 큰 개구부를 가져, 유기발광다이오드(D2)의 에너지 효율과 수명이 향상된다.
또한, 음극인 제 2 전극(430)을 전도도가 우수하고 반사율이 높은 금속물질로 형성할 수 있기 때문에, 양면 유기발광표시장치(300)의 발광효율(휘도)이 향상된다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100, 300: 양면 유기발광표시장치
D1: 제 1 유기발광다이오드 D2: 제 2 유기발광다이오드
Td1: 제 1 구동 소자 Td2: 제 2 구동소자
Ts1: 제 1 스위칭 소자 Tds2: 제 2 스위칭 소자
GL: 게이트 배선 DL1: 제 1 데이터 배선
DL2: 제 2 데이터 배선 Vss: 저준위전압 배선
Vdd1: 제 1 고준위전압 배선 Vdd2: 제 2 고준위전압 배선
110, 310: 제 1 투명기판 190, 390: 제 2 투명기판
210, 410: 제 1 전극 220, 420: 제 1 유기 발광층
230, 430: 제 2 전극 240, 440: 제 2 유기 발광층
250, 450: 제 3 전극
D1: 제 1 유기발광다이오드 D2: 제 2 유기발광다이오드
Td1: 제 1 구동 소자 Td2: 제 2 구동소자
Ts1: 제 1 스위칭 소자 Tds2: 제 2 스위칭 소자
GL: 게이트 배선 DL1: 제 1 데이터 배선
DL2: 제 2 데이터 배선 Vss: 저준위전압 배선
Vdd1: 제 1 고준위전압 배선 Vdd2: 제 2 고준위전압 배선
110, 310: 제 1 투명기판 190, 390: 제 2 투명기판
210, 410: 제 1 전극 220, 420: 제 1 유기 발광층
230, 430: 제 2 전극 240, 440: 제 2 유기 발광층
250, 450: 제 3 전극
Claims (16)
- 제 1 영역과 제 2 영역을 포함하는 화소영역이 정의된 투명기판과;
상기 제 1 영역서 상기 투명기판 상부에 위치하는 제 1 구동 소자 및 제 2 구동 소자와;
상기 제 2 영역에서 상기 제 1 및 제 2 구동 소자 상부에 위치하고, 상기 제 1 구동 소자에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 1 전극과 마주하며 상기 제 1 전극 상부에 위치하는 제 2 전극, 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하는 제 1 유기 발광층을 포함하는 제 1 유기발광다이오드와;
상기 제 1 및 2 영역에서 상기 제 1 유기발광다이오드 상에 위치하고, 상기 제 2 전극과 마주하며 상기 제 2 전극 상부에 위치하고 상기 제 2 구동 소자에 연결되는 제 3 전극, 상기 제 2 및 제 3 전극 사이에 위치하는 제 2 유기 발광층을 포함하는 제 2 유기발광다이오드를 포함하고,
상기 제 1 유기발광다이오드로부터의 빛은 상기 제 1 전극을 통해 제 1 방향으로 방출되며, 상기 제 2 유기발광다이오드로부터의 빛은 상기 제 3 전극을 통해 상기 제 1 방향에 반대인 제 2 방향으로 방출되는 양면 유기발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
제 3 방향으로 연장되는 게이트 배선과;
상기 제 3 방향과 교차하는 제 4 방향으로 연장되는 제 1 및 제 2 데이터 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 유기발광표시장치.
- 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 구동 소자와 상기 제 2 구동 소자 각각은 상기 제 1 유기발광다이오드로부터 상기 제 3 방향에 위치하는 것을 특징으로 하는 양면 유기발광표시장치.
- 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 구동 소자와 상기 제 2 구동 소자 각각은 상기 제 1 유기발광다이오드로부터 상기 제 4 방향에 위치하는 것을 특징으로 하는 양면 유기발광표시장치.
- 제 2 항에 있어서,
상기 제 2 전극에 연결되는 저준위전압 배선과;
상기 제 1 구동 소자에 연결되는 제 1 고준위전압 배선과;
상기 제 2 구동 소자에 연결되는 제 2 고준위전압 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 유기발광표시장치.
- 제 5 항에 있어서,
상기 저준위전압 배선, 상기 제 1 고준위전압 배선, 상기 제 2 고준위전압 배선 각각은 상기 제 3 방향을 따라 연장되는 것을 특징으로 하는 양면 유기발광표시장치.
- 제 5 항에 있어서,
상기 저준위전압 배선, 상기 제 1 고준위전압 배선, 상기 제 2 고준위전압 배선 각각은 상기 제 4 방향을 따라 연장되는 것을 특징으로 하는 양면 유기발광표시장치.
- 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 유기발광다이오드는 상기 저준위전압 배선, 상기 제 1 고준위전압 배선, 상기 제 2 고준위전압 배선 각각과 중첩하는 것을 특징으로 하는 양면 유기발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 유기발광다이오드는 상기 제 1 유기발광다이오드보다 큰 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 양면 유기발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 유기 발광층과 상기 제 2 유기 발광층 중 적어도 하나는 용액 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 양면 유기발광표시장치.
- 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 유기 발광층은 용액 공정으로 형성되고, 상기 제 2 유기 발광층은 증착 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 양면 유기발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극과 상기 제 3 전극 각각은 투명 전극이고, 상기 제 2 전극은 반사 전극인 것을 특징으로 하는 양면 유기발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 유기발광다이오드는 정상 구조를 갖고, 상기 제 2 유기발광다이오드는 역 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 양면 유기발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 유기 발광층은, 제 1 발광물질층, 상기 제 1 전극과 상기 제 1 발광물질층 사이에 위치하는 제 1 정공수송층, 상기 제 1 발광물질층과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 제 1 전자수송층을 포함하고,
상기 제 2 유기 발광층은, 제 2 발광물질층, 상기 제 2 전극과 상기 2 발광물질층 사이에 위치하는 제 2 전자수송층, 상기 제 2 발광물질층과 상기 제 3 전극 사이에 위치하는 제 2 정공수송층을 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 유기발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 유기 발광층은 제 1 파장 범위의 빛을 방출하고, 상기 제 2 유기 발광층은 제 2 파장 범위의 빛을 방출하며, 상기 제 1 파장 범위와 상기 제 2 파장 범위는 동일한 것을 특징으로 하는 양면 유기발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 유기 발광층은 제 1 파장 범위의 빛을 방출하고, 상기 제 2 유기 발광층은 제 2 파장 범위의 빛을 방출하며, 상기 제 1 파장 범위와 상기 제 2 파장 범위는 서로 다른 것을 특징으로 하는 양면 유기발광표시장치.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20240106366A true KR20240106366A (ko) | 2024-07-08 |
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