CN110190091B - 显示面板及其制作方法 - Google Patents

显示面板及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110190091B
CN110190091B CN201910402801.3A CN201910402801A CN110190091B CN 110190091 B CN110190091 B CN 110190091B CN 201910402801 A CN201910402801 A CN 201910402801A CN 110190091 B CN110190091 B CN 110190091B
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal layer
layer
active region
substrate
capacitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910402801.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110190091A (zh
Inventor
蔡振飞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201910402801.3A priority Critical patent/CN110190091B/zh
Priority to PCT/CN2019/099263 priority patent/WO2020228149A1/zh
Priority to US16/616,502 priority patent/US11329259B2/en
Publication of CN110190091A publication Critical patent/CN110190091A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110190091B publication Critical patent/CN110190091B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请提供了一种显示面板及其制作方法。所述显示面板包括电容结构,所述电容结构的第一极板包括电连接的有源区和遮光金属层,第二极板包括电连接的阳极和电容金属层;其中,所述阳极和有源区对应设置,所述阳极和有源区之间设置有至少两层绝缘层;所述遮光金属层和电容金属层对应设置,所述遮光金属层和电容金属层之间设置有至少两层绝缘层。本申请提供的显示面板及其制作方法能够解决现有技术中的显示面板容易由于电容短路而失效的技术问题。

Description

显示面板及其制作方法
技术领域
本申请涉及电子显示领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
主动矩阵有机发光二极体的对比度高、可视角度广且响应速度快,是下一代显示器的主流选择。显示面板中,为了保证每帧数据正常写入,保证像素点正常发光,需要像素驱动电路中的存储电容足够大。
参见图1,在目前的显示面板中,电容结构为形成上下交叠的平板电容结构。其中,有源区040和阳极080通过通孔电连接,构成电容结构的第一极板;源漏金属层构成电容结构的第二极板。由于两个极板之间仅仅通过一层绝缘层隔离,当层间介质层或者平坦化层中存在异物或缺陷时,往往会造成电容短路。一旦发生短路,像素就因为电容失效而不能正常发光。因此,亟需解决这一问题。
申请内容
本申请提供了一种显示面板及其制作方法,以解决现有技术中的显示面板容易由于电容短路而失效的技术问题。
为解决上述问题,本申请提供了一种显示面板,所述显示面板包括电容结构,所述电容结构的第一极板包括电连接的有源区和遮光金属层,第二极板包括电连接的阳极和电容金属层;其中,
所述阳极和有源区对应设置,所述阳极和有源区之间设置有至少两层绝缘层;
所述遮光金属层和电容金属层对应设置,所述遮光金属层和电容金属层之间设置有至少两层绝缘层。
根据本申请的其中一个方面,设置于所述阳极和有源区之间的两层绝缘层包括层间介质层和平坦化层。
根据本申请的其中一个方面,设置于所述遮光金属层和电容金属层之间的两层绝缘层包括缓冲层和层间介质层。
根据本申请的其中一个方面,所述显示面板包括:
基板;
所述遮光金属层位于所述基板上,所述缓冲层覆盖所述遮光金属层;所述有源区位于所述缓冲层上,通过第一通孔与所述遮光金属层电连接,所述有源区包括沟道区和位于沟道区两侧的源漏区;
栅极叠层,所述栅极叠层位于所述有源区上方,并覆盖所述沟道区,所述层间介质层覆盖所述有源区和栅极叠层;
源漏金属层,所述源漏金属层位于所述层间介质层上方,通过贯穿所述层间介质层的第二通孔与所述源漏区电连接;所述电容金属层位于所述层间介质层上方,与所述源漏金属层间隔设置;所述平坦化层覆盖所述源漏金属层和电容金属层;所述阳极位于所述平坦化层上,通过第三通孔与所述源漏金属层和电容金属层分别电连接;
发光结构,所述发光结构位于所述阳极上。
根据本申请的其中一个方面,所述电容金属层在所述基板上的投影与所述有源区在基板上的投影不重叠。
根据本申请的其中一个方面,所述遮光金属层在所述基板上的投影覆盖所述电容金属层在基板上的投影。
根据本申请的其中一个方面,所述阳极在所述基板上的投影覆盖所述有源区在基板上的投影。
相应的,本发明提供了一种显示面板的制作方法,该方法包括以下步骤:
提供基板;
在所述基板上形成遮光金属层和有源区,构成电容结构的第一极板;
形成覆盖所述第一极板的至少两层绝缘层;
在所述至少两层绝缘层上形成阳极和电容金属层,构成电容结构的第二极板;其中,
所述阳极和有源区对应设置,所述阳极和有源区之间设置有至少两层绝缘层;
所述遮光金属层和电容金属层对应设置,所述遮光金属层和电容金属层之间设置有至少两层绝缘层;
在所述第二极板上形成发光结构。
根据本申请的其中一个方面,设置于所述阳极和有源区之间的至少两层绝缘层包括层间介质层和平坦化层。
根据本申请的其中一个方面,设置于所述遮光金属层和电容金属层之间的两层绝缘层包括缓冲层和层间介质层。
根据本申请的其中一个方面,形成所述第一极板的方法包括以下步骤:
在所述基板上形成遮光金属层;
形成覆盖所述遮光金属层的缓冲层;
形成有源区,所述有源区位于所述缓冲层上,通过第一通孔与所述遮光金属层电连接,所述有源区包括沟道区和位于沟道区两侧的源漏区。
根据本申请的其中一个方面,形成所述有源区之后,所述方法还包括以下步骤:
在所述有源区上方形成覆盖所述沟道区的栅极叠层;
形成覆盖所述有源区和栅极叠层的层间介质层。
根据本申请的其中一个方面,形成所述第二极板的方法包括以下步骤:
形成位于所述层间介质层上方的源漏金属层,所述源漏金属层通过贯穿所述层间介质层的通孔与所述源漏区电连接;
形成所述电容金属层,所述电容金属层位于所述层间介质层上方,与所述源漏金属层间隔设置;
形成所述平坦化层,所述平坦化层覆盖所述源漏金属层和电容金属层;
形成所述阳极,所述阳极位于所述平坦化层上,通过通孔与所述源漏金属层和电容金属层分别电连接;
形成所述发光结构,所述发光结构位于所述阳极上。
根据本申请的其中一个方面,所述电容金属层在所述基板上的投影与所述有源区在基板上的投影不重叠。
根据本申请的其中一个方面,所述遮光金属层在所述基板上的投影覆盖所述电容金属层在基板上的投影。
根据本申请的其中一个方面,所述阳极在所述基板上的投影覆盖所述有源区在基板上的投影。
本申请改变了现有技术中的显示面板的电容结构的两个极板的构成方式。本申请中的显示面板的阳极与电容金属层电连接,构成电容结构的第一极板;同时有源区和遮光金属层电连接,构成电容结构的第二极板。由于阳极和有源区之间间隔了至少两层绝缘层,遮光金属和电容金属层之间同样间隔了至少两层绝缘层,本申请的显示面板能够有效的避免电容短路,从而提高了显示面板的可靠性和使用寿命。
附图说明
图1为现有技术中的显示面板的结构示意图;
图2为本申请的一个具体实施例中的显示面板制作过程中的结构示意图;
图3为在图2中的显示面板上制作有源区之后的结构示意图;
图4为在图3中的显示面板上制作栅极叠层之后的结构示意图;
图5为在图4中的显示面板上制作源漏区之后的结构示意图;
图6为在图5中的显示面板上制作源漏金属层之后的结构示意图;
图7为在图6中的显示面板上制作阳极之后的结构示意图;
图8为本申请的一个具体实施例中的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本申请,而非用以限制本申请。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
首先对现有技术进行简要说明。参见图1,图1为现有技术中的显示面板的结构示意图。所述显示面板包括基板010、遮光层020、缓冲层030、有源区040、栅极叠层050、层间介质层060、源漏金属层070、电容金属层072、平坦化层074以及位于平坦化层074上的发光结构。所述发光结构包括阳极080、像素定义层090、发光材料092以及阴极094。
在图1的显示面板中,电容结构为形成上下交叠的平板电容结构。为了缩短两个电容结构的两个极板之间的距离,通常采用有源区040和阳极080通过通孔电连接构成电容结构的一个极板,源漏金属层构成电容结构的另一个极板。由于两个极板之间仅仅通过一层绝缘层隔离,当层间介质层或者平坦化层中存在异物或缺陷时,往往会造成电容短路。一旦发生短路,像素就因为电容失效而不能正常发光。如果为了增大两个极板之间的距离采用遮光层和阳极作为电容结构的两个极板,又会导致两个极板之间的距离过大,导致电容值严重偏小,同样会影响显示面板的显示功能。
因此,本申请提供了一种显示面板及其制作方法,以解决现有技术中的显示面板容易由于电容短路而失效的技术问题。
参见图8,图8为本申请的一个具体实施例中的显示面板的结构示意图。所述显示面板包括:基板10、遮光金属层20、缓冲层30、有源区40、栅极叠层50、层间介质层60、源漏金属层70、电容金属层72、平坦化层74、阳极80和发光结构。所述发光结构位于所述阳极80上。
所述电容结构的第一极板包括电连接的有源区40和遮光金属层20,第二极板包括电连接的阳极80和电容金属层72。所述阳极80和有源区40对应设置,所述阳极80和有源区40之间设置有至少两层绝缘层。所述遮光金属层20和电容金属层72对应设置,所述遮光金属层20和电容金属层72之间设置有至少两层绝缘层。
本实施例中,设置于所述阳极80和有源区40之间的两层绝缘层包括层间介质层60和平坦化层74。设置于所述遮光金属层20和电容金属层72之间的两层绝缘层包括缓冲层30和层间介质层60。
本实施例中,所述显示面板为液晶面板或有机发光二极管显示面板。所述基板10可以为硬质基板,例如玻璃;也可以是柔性基板,例如聚酰亚胺薄膜。
所述遮光金属层20位于所述基板10上。所述遮光金属层20用于遮挡从外界进入有源区的光线,避免有源区的载流子迁移率受到光照的影响。因此,所述遮光金属层20与所述栅极叠层50对应设置。所述遮光金属层20在所述基板10上的投影完全覆盖所述栅极叠层50在所述基板10上的投影。
所述缓冲层30覆盖所述遮光金属层20。所述缓冲层30上具有至少一个第一通孔,所述第一通孔暴露出所述遮光金属层20。
所述有源区40位于所述缓冲层30上,通过第一通孔与所述遮光金属层20电连接,所述有源区40包括沟道区和位于沟道区两侧的源漏区。
所述栅极叠层50位于所述有源区40上方,并覆盖所述沟道区。通常,所述栅极叠层50包括栅极介质层和栅极金属层。所述层间介质层60覆盖所述有源区40和栅极叠层50。所述层间介质层60具有至少一个暴露出所述有源区40的第二通孔。
所述源漏金属层70位于所述层间介质层60上方,通过贯穿所述层间介质层60的第二通孔与所述源漏区电连接。所述电容金属层72位于所述层间介质层60上方,与所述源漏金属层70间隔设置。所述平坦化层74覆盖所述源漏金属层70和电容金属层72。所述平坦化层74具有至少一个暴露出所述源漏金属层70和电容金属层72的第三通孔。
所述阳极80位于所述平坦化层74上,通过所述第三通孔与所述源漏金属层70和电容金属层72分别电连接,所述发光结构位于所述阳极80上。具体的,参见图8,所述发光结构包括像素定义层90、发光材料92和阴极94。所述像素定义层90具有暴露出所述阳极80的通孔。所述发光材料92位于所述阳极80上,所述阴极94覆盖所述发光材料92。
参见图8,在本实施例中,所述阳极80和所述电容金属层72连接相同的电位,构成电容结构的第一极板。所述有源区40和遮光金属20连接相同的电位,构成电容结构的第二极板。根据所述显示面板的结构,所述电容结构的两个极板之间的最小距离为所述有源区40和所述电容金属层72之间的距离。为了增加电容结构的两个极板之间的最小距离,所述电容金属层72在所述基板10上的投影与所述有源区40在基板10上的投影不重叠或部分重叠。
在本实施例中,为了增强电容结构的有效面积,所述遮光金属层20在所述基板10上的投影覆盖所述电容金属层72在基板10上的投影。所述阳极80在所述基板10上的投影覆盖所述有源区40层在基板10上的投影。这样设置使得所述电容结构的两个极板能够尽可能的彼此对应,增强了该像素点的电容值。
在本申请的另一个实施例中,所述显示面板还包括位于层间介质层60和平坦化层74之间的第二栅极叠层和第二层间介质层。所述第二栅极叠层位于所述栅极叠层50正上方。所述第二栅极介质层覆盖所述第二栅极叠层和所述层间介质层60。所述源漏金属层70位于所述第二层间介质层上方,通过通孔与所述源漏区电连接。第二栅极结构的设置一方面能够增加薄膜晶体管的栅控能力,同时能够增加电容结构的两个极板之间的距离,降低电容结构的两个极板发生短路的风险。
相应的,参见图2至图7,本申请还提供了一种显示面板的制作方法。该方法包括以下步骤:
提供基板10;
在所述基板10上形成遮光金属层20和有源区40,构成电容结构的第一极板;
形成覆盖所述第一极板的至少两层绝缘层;
在所述至少两层绝缘层上形成阳极80和电容金属层72,构成电容结构的第二极板;其中,
所述阳极80和有源区40对应设置,所述阳极80和有源区40之间设置有至少两层绝缘层;
所述遮光金属层20和电容金属层72对应设置,所述遮光金属层20和电容金属层72之间设置有至少两层绝缘层;
在所述第二极板上形成发光结构。
参见图2,在本实施例中,首先提供基板10,并在所述基板10上形成遮光金属层20,之后形成覆盖所述遮光金属层20层缓冲层30。所述基板10可以为硬质基板,例如玻璃;也可以是柔性基板,例如聚酰亚胺薄膜。所述遮光金属层20位于所述基板10上。所述遮光金属层20用于遮挡从外界进入有源区的光线,避免有源区的载流子迁移率受到光照的影响。因此,所述遮光金属层20与所述栅极叠层50对应设置。所述遮光金属层20在所述基板10上的投影完全覆盖所述栅极叠层50在所述基板10上的投影。所述缓冲层30覆盖所述遮光金属层20。所述缓冲层30上具有至少一个第一通孔,所述第一通孔暴露出所述遮光金属层20。
之后,参见图3,形成有源区40,所述有源区40位于所述缓冲层30上,通过第一通孔与所述遮光金属层20电连接,所述有源区40包括沟道区。
之后,参见图4,在所述有源区40上方形成覆盖所述沟道区的栅极叠层50。通常,所述栅极叠层50包括栅极介质层和栅极金属层。
之后,参见图5,以所述栅极叠层为掩膜板对所述有源区40进行导体化,形成沟道区和位于沟道区两侧的源漏区。通常,导体化的方法为离子注入。
之后,参见图6,形成覆盖所述有源区40和栅极叠层的层间介质层60和位于所述层间介质层60上方的源漏金属层70和电容金属层72。所述层间介质层60覆盖所述有源区40和栅极叠层50。所述层间介质层60具有至少一个暴露出所述有源区40的第二通孔。所述源漏金属层70通过贯穿所述层间介质层60的通孔与所述源漏区电连接。所述电容金属层72位于所述层间介质层60上方,与所述源漏金属层70间隔设置。所述源漏金属层70位于所述层间介质层60上方,通过贯穿所述层间介质层60的第二通孔与所述源漏区电连接。所述电容金属层72位于所述层间介质层60上方,与所述源漏金属层70间隔设置。
之后,参见图7,形成平坦化层74和位于所述平坦化层74上的阳极80。所述平坦化层74覆盖所述源漏金属层70和电容金属层72。所述平坦化层74覆盖所述源漏金属层70和电容金属层72。所述平坦化层74具有至少一个暴露出所述源漏金属层70和电容金属层72的第三通孔。所述阳极80位于所述平坦化层74上,通过通孔与所述源漏金属层70和电容金属层72分别电连接。
最后,参见图8,形成位于所述阳极80上的发光结构。所述发光结构包括像素定义层90、发光材料92和阴极94。所述像素定义层90具有暴露出所述阳极80的通孔。所述发光材料92位于所述阳极80上,所述阴极94覆盖所述发光材料92。
在本实施例中,所述阳极80和所述电容金属层72连接相同的电位,构成电容结构的第一极板。所述有源区40和遮光金属20连接相同的电位,构成电容结构的第二极板。根据所述显示面板的结构,所述电容结构的两个极板之间的最小距离为所述有源区40和所述电容金属层72之间的距离。为了增加电容结构的两个极板之间的最小距离,所述电容金属层72在所述基板10上的投影与所述有源区40在基板10上的投影不重叠或部分重叠。
在本实施例中,为了增强电容结构的有效面积,所述遮光金属层20在所述基板10上的投影覆盖所述电容金属层72在基板10上的投影。所述阳极80在所述基板10上的投影覆盖所述有源区40层在基板10上的投影。这样设置使得所述电容结构的两个极板能够尽可能的彼此对应,增强了该像素点的电容值。
在本申请的另一个实施例中,形成覆盖所述有源区40和栅极叠层的层间介质层60之后,还包括:在所述层间介质层60上形成位于所述栅极叠层50正上方的所述第二栅极叠层;以及形成覆盖所述第二栅极叠层和所述层间介质层60第二栅极介质层。第二栅极结构的设置一方面能够增加薄膜晶体管的栅控能力,同时能够增加电容结构的两个极板之间的距离,降低电容结构的两个极板发生短路的风险。
本申请改变了现有技术中的显示面板的电容结构的两个极板的构成方式。本申请中的显示面板的阳极与电容金属层电连接,构成电容结构的第一极板;同时有源区和遮光金属层电连接,构成电容结构的第二极板。由于阳极和有源区之间间隔了至少两层绝缘层,遮光金属和电容金属层之间同样间隔了至少两层绝缘层,本申请的显示面板能够有效的避免电容短路,从而提高了显示面板的可靠性和使用寿命。
综上所述,虽然本申请已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本申请,本领域的普通技术人员,在不脱离本申请的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (11)

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括电容结构,所述电容结构的第一极板包括电连接的有源区和遮光金属层,第二极板包括电连接的阳极和电容金属层;其中,
所述阳极和有源区对应设置,所述阳极和有源区之间设置有至少两层绝缘层;
所述遮光金属层和电容金属层对应设置,所述遮光金属层和电容金属层之间设置有至少两层绝缘层。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,设置于所述阳极和有源区之间的两层绝缘层包括层间介质层和平坦化层。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,设置于所述遮光金属层和电容金属层之间的两层绝缘层包括缓冲层和层间介质层。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
基板;
所述遮光金属层位于所述基板上,所述缓冲层覆盖所述遮光金属层;所述有源区位于所述缓冲层上,通过第一通孔与所述遮光金属层电连接,所述有源区包括沟道区和位于沟道区两侧的源漏区;
栅极叠层,所述栅极叠层位于所述有源区上方,并覆盖所述沟道区,所述层间介质层覆盖所述有源区和栅极叠层;
源漏金属层,所述源漏金属层位于所述层间介质层上方,通过贯穿所述层间介质层的第二通孔与所述源漏区电连接;所述电容金属层位于所述层间介质层上方,与所述源漏金属层间隔设置;所述平坦化层覆盖所述源漏金属层和电容金属层;所述阳极位于所述平坦化层上,通过第三通孔与所述源漏金属层和电容金属层分别电连接;
发光结构,所述发光结构位于所述阳极上。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述电容金属层在所述基板上的投影与所述有源区在基板上的投影不重叠。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述遮光金属层在所述基板上的投影覆盖所述电容金属层在基板上的投影。
7.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述阳极在所述基板上的投影覆盖所述有源区在基板上的投影。
8.一种显示面板的制作方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
提供基板;
在所述基板上形成遮光金属层;
形成覆盖所述遮光金属层的缓冲层;
形成有源区,所述有源区位于所述缓冲层上,通过第一通孔与所述遮光金属层电连接,所述遮光金属层和所述有源区构成电容结构的第一极板,所述有源区包括沟道区和位于沟道区两侧的源漏区;
在所述有源区上方形成覆盖所述沟道区的栅极叠层;
形成覆盖所述有源区和栅极叠层的层间介质层;
形成位于所述层间介质层上方的源漏金属层,所述源漏金属层通过贯穿所述层间介质层的通孔与所述源漏区电连接;
形成所述电容金属层,所述电容金属层位于所述层间介质层上方,与所述源漏金属层间隔设置;
形成平坦化层,所述平坦化层覆盖所述源漏金属层和电容金属层;
形成阳极,所述阳极位于所述平坦化层上,通过通孔与所述源漏金属层和电容金属层分别电连接,所述阳极和所述电容金属层构成所述电容结构的第二极板;
形成发光结构,所述发光结构位于所述阳极上。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述电容金属层在所述基板上的投影与所述有源区在基板上的投影不重叠。
10.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述遮光金属层在所述基板上的投影覆盖所述电容金属层在基板上的投影。
11.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述阳极在所述基板上的投影覆盖所述有源区在基板上的投影。
CN201910402801.3A 2019-05-15 2019-05-15 显示面板及其制作方法 Active CN110190091B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910402801.3A CN110190091B (zh) 2019-05-15 2019-05-15 显示面板及其制作方法
PCT/CN2019/099263 WO2020228149A1 (zh) 2019-05-15 2019-08-05 显示面板及其制作方法
US16/616,502 US11329259B2 (en) 2019-05-15 2019-08-05 Display panel comprising capacitor structure between first plate and second plate, and method of fabricating thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910402801.3A CN110190091B (zh) 2019-05-15 2019-05-15 显示面板及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110190091A CN110190091A (zh) 2019-08-30
CN110190091B true CN110190091B (zh) 2021-07-23

Family

ID=67716351

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910402801.3A Active CN110190091B (zh) 2019-05-15 2019-05-15 显示面板及其制作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11329259B2 (zh)
CN (1) CN110190091B (zh)
WO (1) WO2020228149A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113066804B (zh) * 2021-03-23 2023-04-18 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示面板和显示装置
US20230363241A1 (en) * 2021-04-21 2023-11-09 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display Substrate, Manufacturing Method Thereof, and Display Device
CN114267687B (zh) * 2021-12-15 2023-06-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108196407A (zh) * 2017-12-28 2018-06-22 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040160544A1 (en) * 2003-02-14 2004-08-19 Yuan-Tung Dai Multilayer storage capacitors for a liquid crystal display panel and the method for fabricating the same
US9065077B2 (en) * 2012-06-15 2015-06-23 Apple, Inc. Back channel etch metal-oxide thin film transistor and process
US20170338252A1 (en) * 2016-05-17 2017-11-23 Innolux Corporation Display device
US9985082B2 (en) * 2016-07-06 2018-05-29 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device comprising multi-type thin film transistor and method of manufacturing the same
KR102626961B1 (ko) * 2016-07-27 2024-01-17 엘지디스플레이 주식회사 하이브리드 타입의 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기발광 표시장치
KR20180079056A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 백플레인 기판, 이의 제조 방법 및 이를 적용한 유기 발광 표시 장치
CN106597771B (zh) * 2017-01-19 2019-07-26 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、液晶显示面板和显示装置
CN106855670A (zh) * 2017-02-28 2017-06-16 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN108550582B (zh) * 2018-05-09 2022-11-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108196407A (zh) * 2017-12-28 2018-06-22 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20210359279A1 (en) 2021-11-18
US11329259B2 (en) 2022-05-10
WO2020228149A1 (zh) 2020-11-19
CN110190091A (zh) 2019-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11152443B2 (en) Display panel having a storage capacitor and method of fabricating same
CN109671739B (zh) 大面积有机发光二极管显示器
US10453909B2 (en) OLED array substrate with overlapped conductive layer and manufacturing method thereof, array substrate and display device
US8318521B2 (en) Organic light emitting display and method of manufacturing the same
US7759863B2 (en) Organic electroluminescent display device and fabricating method thereof
TWI683164B (zh) 顯示背板及其製作方法、顯示面板和顯示裝置
KR102236129B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
CN110729313B (zh) 显示面板、显示面板制备方法、显示装置
JP4139346B2 (ja) 平板表示装置及びその製造方法
CN110265470B (zh) 显示装置、显示面板及其制造方法
CN111613654B (zh) 显示面板及显示面板制作方法
CN109378326B (zh) 显示面板及其制作方法
CN110190091B (zh) 显示面板及其制作方法
US10608070B2 (en) Organic EL display device
CN110098235B (zh) 显示面板及其制作方法
US9583548B2 (en) Organic light emitting display device comprising light-shielding patterns and method for manufacturing the same
CN111415995B (zh) 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN111834381B (zh) 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制作方法
US10784291B2 (en) Pixel array substrate
KR102119572B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
CN113394300A (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant