CN108550582B - 显示基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域，该显示基板包括衬底基板，设置在所述衬底基板的外围区域的金属层，以及设置在所述金属层远离所述衬底基板一侧，且覆盖所述衬底基板的钝化层；在所述衬底基板的电容区域内，所述钝化层的两侧分别设置有电容电极；其中，所述钝化层在所述电容区域的厚度小于所述钝化层在所述外围区域的厚度。本申请提供的显示基板中的钝化层在外围区域的部分厚度较厚，抗压性能较好，在电容区域的部分厚度较薄，不会对存储电容的容量造成影响，保证了显示装置的显示效果。

Description

显示基板及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
显示基板在制造完成后，需要将显示基板上的信号线与驱动电路进行绑定(bonding)，即将信号线与驱动电路压合连接。但是在该bonding的过程中，显示基板外围区域中的钝化层可能会被压断，导致钝化层靠近衬底基板一侧的金属层暴露于水和氧气中，金属层易发生腐蚀导致断裂。
相关技术中，为了避免位于外围区域的钝化层在bonding的过程中被压断，一般会适当增加显示基板中所形成的钝化层的厚度，以增加钝化层的抗压性能。
但是，由于钝化层位于显示区域中电容区域的部分还需作为存储电容的介质层，因此增加钝化层的厚度会导致该存储电容的电容量变小，影响显示装置的显示效果。
发明内容
本发明提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，可以解决相关技术中的钝化层厚度增加导致存储电容的容量变小的问题。所述技术方案如下：
一方面，提供了一种显示基板，所述显示基板包括：
衬底基板，设置在所述衬底基板的外围区域的金属层，以及设置在所述金属层远离所述衬底基板一侧，且覆盖所述衬底基板的钝化层；
在所述衬底基板的电容区域内，所述钝化层的两侧分别设置有电容电极；
其中，所述钝化层在所述电容区域的厚度小于所述钝化层在所述外围区域的厚度。
可选的，所述电容区域位于所述衬底基板的显示区域内，所述外围区域位于所述显示区域之外；
所述钝化层在所述电容区域的厚度小于所述钝化层在除所述电容区域之外的其他区域的厚度。
可选的，所述显示基板还包括：
设置在所述衬底基板与所述钝化层之间的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述衬底基板的显示区域内，所述显示区域包括所述电容区域；
所述金属层，设置在所述钝化层靠近所述衬底基板一侧的电容电极，以及所述薄膜晶体管的源极和漏极通过一次构图工艺形成；
或者，所述金属层，设置在所述钝化层靠近所述衬底基板一侧的电容电极，以及所述薄膜晶体管的栅极通过一次构图工艺形成。
可选的，所述钝化层由聚硅氧烷或聚硅氮烷材料制成。
另一方面，提供了一种显示基板的制造方法，所述方法包括：
在衬底基板的外围区域形成金属层；
在形成有所述金属层的衬底基板上形成覆盖所述衬底基板的钝化层，所述钝化层在所述外围区域的厚度大于所述钝化层在电容区域的厚度；
其中，在所述电容区域内，所述钝化层的两侧分别形成有电容电极。
可选的，所述在形成有所述金属层的衬底基板上形成覆盖所述衬底基板的钝化层，包括：
在形成有所述金属层的衬底基板上沉积钝化薄膜；
采用半色调掩膜板对所述钝化薄膜进行曝光，其中，所述半色调掩膜板的半曝光区域在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述电容区域；
对曝光后的所述钝化薄膜进行显影，得到所述钝化层。
可选的，形成所述钝化薄膜的材料为正性感光材料，所述半色调掩膜板除所述半曝光区域之外的区域包括不透光区域和至少一个透光区域，且所述至少一个透光区域在所述衬底基板上的正投影与待形成钝化层过孔的区域重合；
或者，形成所述钝化薄膜的材料为负性感光材料，所述半色调掩膜板除所述半曝光区域之外的区域包括透光区域和至少一个不透光区域，且所述至少一个不透光区域在所述衬底基板上的正投影与待形成钝化层过孔的区域重合。
可选的，所述在所述衬底基板上沉积钝化薄膜，包括：
采用旋涂法在所述衬底基板上涂布钝化膜材料，所述钝化膜材料为聚硅氧烷或聚硅氮烷材料；
对所述钝化膜烷材料进行前烘，得到所述钝化薄膜；
所述对曝光后的所述钝化薄膜进行显影，得到所述钝化层，包括：
对曝光后的所述钝化薄膜进行显影，并对显影后的所述钝化薄膜进行后烘，得到所述钝化层。
可选的，在形成所述钝化层之前，所述方法还包括：
在所述衬底基板的显示区域内形成薄膜晶体管，所述显示区域包括所述电容区域；
所述金属层，形成在所述钝化层靠近所述衬底基板一侧的电容电极，与所述薄膜晶体管的源极和漏极通过一次构图工艺形成；
或者，所述金属层，设置在所述钝化层靠近所述衬底基板一侧的电容电极，与所述薄膜晶体管的栅极通过一次构图工艺形成。
又一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：如上述方面所述的显示基板。
本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
本申请提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，该显示基板的衬底基板上可以设置有金属层和钝化层，该金属层位于外围区域，该钝化层位于电容区域的部分的两侧分别设置有电容电极，且该钝化层在该电容区域的厚度小于其在外围区域的厚度。由此不仅可以保证钝化层在外围区域的抗压性能，又可以避免该钝化层对存储电容的电容容量的影响，保证了显示装置的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的又一种显示基板的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种底发射OLED显示装置中的显示基板的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的一种顶发射OLED显示装置中的显示基板的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的一种显示基板的制造方法流程图；
图8是本发明实施例提供的一种钝化层的制造方法的流程图；
图9是本发明实施例提供的另一种显示基板的制造方法的流程图；
图10是本发明实施例提供的一种SOG材料的透过率随光线波长变化的波形图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图，如图1所示，该显示基板可以包括：
衬底基板00，设置在该衬底基板00的外围区域A1的金属层01，以及设置在该金属层01远离该衬底基板00一侧，且覆盖该衬底基板00的钝化层02。
在该衬底基板00的电容区域A2内，该钝化层02的两侧分别设置有电容电极03和04。该钝化层02两侧的电容电极03和04可以组成显示基板中的存储电容。该存储电容可以用于保持像素电极的电压。此外，该电容区域A2可以位于衬底基板00的显示区域(ActiveArea，AA)内，该外围区域A1可以为显示区域周边的区域。例如，该外围区域A1可以包括位于显示区域周边的bonding区域和扇出(fan-out)区中的至少一个区域。
从图1可以看出，该钝化层02在该电容区域A2的厚度d1小于该钝化层02在该外围区域A1的厚度d2。
综上所述，本发明实施例提供了一种显示基板，该显示基板的衬底基板上可以设置有金属层和钝化层，该金属层位于外围区域，该钝化层位于电容区域的部分的两侧分别设置有电容电极，且该钝化层在该电容区域的厚度小于其在外围区域的厚度，由此不仅可以保证钝化层在外围区域的抗压性能，又可以避免该钝化层对存储电容的电容容量的影响，保证了显示装置的显示效果。
在本发明实施例中，形成该钝化层02的材料可以为能够通过曝光和显影工艺进行图形化处理的材料。例如，形成该钝化层02的材料可以为光刻胶或者与光刻胶性能类似的树脂材料。
示例的，形成该钝化层02的材料可以为聚硅氧烷或聚硅氮烷。该聚硅氧烷材料是一类以重复的硅-氧(Si-O)键为主链，硅原子上直接连接有机基团的聚合物，其透过率较高。该聚硅氧烷材料也可以称为有机硅玻璃(Silicon On Glass，SOG)，该SOG材料可以利用溶胶-凝胶技术，通过控制含有Si-O键的聚合物在有机溶剂中的水解缩合反应来制备。有机硅玻璃的性能类似具有流动性的液态的光刻胶，其涂胶后能够呈现与光刻胶类似的特性，即该材料可以通过曝光和显影工艺进行图形化处理，从而可以使得最终形成的钝化层在电容区域的厚度小于在外围区域的厚度。
可选的，该钝化层02在该电容区域A2的厚度可以小于该钝化层02在除该电容区域A2之外的其他区域的厚度。也即是，在本发明实施例中，可以仅对该钝化层02在电容区域A2的部分的进行减薄处理，使其满足存储电容的性能需求；而其他区域的部分的厚度可以保持原有厚度，以保证该钝化层02能够承受较大的压力，且能保持良好的阻水阻氧性能。示例的，该钝化层02在该电容区域A2的厚度d1可以为该钝化层02在其他区域的厚度d2的一半。
本发明实施例提供的显示基板的钝化层在bonding过程中，或者封装过程中都不易断裂，进而可以避免金属层腐蚀导致显示基板中的信号线断线，形成暗线。并且，本发明实施例提供的显示基板还可以避免金属层腐蚀后刺穿钝化层，导致钝化层一侧的源漏极与该钝化层另一侧的电极短路的情况发生，因此本发明实施例提供的显示基板可以在不影响存储电容的容量的前提下有效提高产品的良率。
图2是本发明实施例提供的另一种显示基板的结构示意图，参考图2，该显示基板还可以包括：
设置在该衬底基板00与该钝化层01之间的薄膜晶体管05。该薄膜晶体管05位于该衬底基板00的显示区域A0内，该显示区域A0包括该电容区域A2。
作为一种可选的实现方式，该金属层01，设置在钝化层02靠近该衬底基板00一侧的电容电极03，可以与该薄膜晶体管05的源极051和漏极052通过一次构图工艺形成。相应的，该金属层01可以为显示基板中的源极(source)引线电极。
作为另一种可选的实现方式，如图3所示，该金属层01，设置在钝化层02靠近衬底基板00一侧的电容电极03，也可以与该薄膜晶体管05的栅极053通过一次构图工艺形成。相应的，该金属层01可以为显示基板中的栅极引线电极。
在本发明实施例中，如图2和图3所示，衬底基板00上还可以设置有缓冲层06，该薄膜晶体管05可以设置在该缓冲层06远离衬底基板00的一侧。
可选的，本发明实施例提供的显示基板中所设置的薄膜晶体管05可以为顶栅结构的晶体管。如图2和图3所示，该顶栅结构的薄膜晶体管05可以包括：依次设置在缓冲层06远离该衬底基板00一侧的有源层054、栅绝缘层055以及栅极053，该栅极053远离衬底基板00的一侧设置有覆盖该衬底基板00的层间介电层(inter-layer dielectric，ILD)07。该层间介电层07远离该衬底基板00的一侧设置有该薄膜晶体管05的源极051和该漏极052，且该源极051和该漏极052分别通过接触过孔(图2和图3中未标注)与有源层054连接。
进一步的，对于该顶栅结构的薄膜晶体管，如图2和图3所示，该显示基板还可以包括：
设置在该缓冲层06靠近衬底基板00一侧的遮光层08。并且，该薄膜晶体管00在该衬底基板00上的正投影，可以位于该遮光层08在该衬底基板00上的正投影内。
其中，该遮光层08可以为金属材料形成的不透光膜层。由于在顶栅结构的薄膜晶体管中，有源层位于栅极靠近衬底基板的一侧，而该有源层对光线较为敏感，因此通过设置遮光层08，可以避免光线照射到该有源层影响其性能。此外，如图3所示，该源极051还可以通过过孔与遮光层08连接。
可选的，本发明实施例提供的显示基板中设置的薄膜晶体管05也可以为底栅结构的晶体管。如图4所示，该底栅结构的薄膜晶体管05可以包括：依次设置在缓冲层06远离该衬底基板00一侧的栅极053、栅绝缘层055以及有源层054。该有源层054远离衬底基板00的一侧设置有覆盖该衬底基板00的层间介电层07，该层间介电层07远离该衬底基板00的一侧设置有该薄膜晶体管05的源极051和该漏极052。该源极051和该漏极052分别通过接触过孔(图4中未标注)与有源层054连接。
对于该底栅结构的薄膜晶体管05，由于有源层054靠近衬底基板00的一侧设置有不透光的栅极053，因此如图4所示，该显示基板中可以无需设置遮光层，仅需保证该栅极053能够有效遮挡射入至有源层054的光线即可。
继续参考图2至图4，该显示基板还可以包括：辅助电极09，该辅助电极09与电容电极03之间可以形成有绝缘层。该辅助电极09在该衬底基板00上的正投影与该电容电极03在该衬底基板00上的正投影重叠，并且该辅助电极09在衬底基板00上的正投影与该电容电极04在该衬底基板00上的正投影也重叠。例如，该电容电极03和电容电极04在该衬底基板00上的正投影可以均位于该辅助电极09在该衬底基板00上的正投影之内。
在本发明实施例中，该辅助电极09与电容电极03，以及电容电极04可以形成三明治结构的电容，该三明治结构的电容等效于两个并联的电容，其电容量较大。
进一步的，对于设置有顶栅结构的薄膜晶体管的显示基板，如图2和图3所示，该辅助电极09可以与遮光层08同层设置，即该辅助电极09可以与遮光层08通过一次构图工艺形成。相应的，如图2所示，该辅助电极09与电容电极03之间的绝缘层可以包括缓冲层06和层间介电层07；或者，如图3所示，该辅助电极09与电容电极03之间的绝缘层也可以为缓冲层06。
对于设置有底栅结构的薄膜晶体管的显示基板，如图4所示，该辅助电极09可以与栅极053同层设置，即该辅助电极09可以与栅极053通过一次构图工艺形成。相应的，如图4所示，该辅助电极09与电容电极03之间的绝缘层可以为层间介电层07。
可选的，在本发明实施例中，显示基板中设置的三明治结构的电容还可以是遮光层、有源层和源漏极层三层导电膜层与绝缘膜层交叠形成的；或者还可以是有源层、源漏极层和阳极层三层导电膜层与绝缘膜层交叠形成的，本发明实施例对此不做限定。
本发明实施例提供的显示基板可以应用于有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示装置，例如可以应用于白光OLED(WOLED)显示装置或者全彩OLED显示装置中。并且，该OLED显示装置可以为底发射显示装置，也可以为顶发射显示装置。
图5是本发明实施例提供的一种底发射OLED显示装置中的显示基板的结构示意图，如图5所示，该显示基板还可以包括：
依次设置在该钝化层02远离该衬底基板一侧的彩膜层10、平坦层11和电极层。该电极层可以包括OLED阳极层12、位于电容区域A2的电容电极04以及位于外围区域的引线电极13。该阳极层12可以通过过孔与该薄膜晶体管05的源极051连接。进一步的，该阳极层12远离衬底基板00的一侧还可以依次设置有发光层和阴极层(图中未示出)，该发光层可以在阳极层12和阴极层的驱动下发光。
参考图5可以看出，该彩膜层10可以包括多个不同颜色的彩膜层，例如可以包括红色彩膜层101、绿色彩膜层102以及蓝色彩膜层103。
图6是本发明实施例提供的一种顶发射OLED显示装置中的显示基板的结构示意图，如图6所示，该显示基板还可以包括：
依次设置在该钝化层02远离该衬底基板一侧的平坦层11和电极层。该电极层可以包括OLED阳极层12、位于电容区域A2的电容电极04以及位于外围区域的引线电极13。该阳极层12可以通过过孔与该薄膜晶体管05的源极051连接。进一步的，该阳极层12远离衬底基板00的一侧还可以依次设置有发光层、阴极层以及彩膜层(图中未示出)。
对比图5和图6可知，在该底发射的显示装置中，彩膜层可以位于OLED发光单元(即阳极层12、发光层和阴极层)靠近衬底基板00的一侧。也即是，在底发射的显示装置中，显示基板上依次设置有阵列排布的薄膜晶体管、彩膜层、阳极层、发光层和反射阴极层。该发光层发出的光线经过反射阴极层反射之后透过彩膜层，并从显示基板的底部(即未设置有薄膜晶体管的一侧)射出。
在该顶发射的显示装置中，彩膜层可以位于OLED发光单元远离衬底基板00的一侧。也即是，在该顶发射的显示装置中，显示基板上可以依次设置有阵列排布的薄膜晶体管、反射阳极层、发光层以及阴极层，盖板玻璃上设置有彩膜层。将该显示基板与盖板玻璃粘合后，光线由发光层发出后，经过反射阳极层反射至彩膜层，最后通过盖板玻璃射出。
综上所述，本发明实施例提供了一种显示基板，该显示基板的衬底基板上可以设置有金属层和钝化层，该金属层位于外围区域，该钝化层位于电容区域的部分的两侧分别设置有电容电极。由于钝化层在该电容区域的厚度小于其在外围区域的厚度，由此不仅可以保证钝化层在外围区域的抗压性能，又可以避免该钝化层对存储电容的电容容量的影响，保证了显示装置的显示效果。
图7是本发明实施例提供的一种显示基板的制造方法的流程图，该方法可以用于制造上述图1至图6任一所示的显示基板。参考图7，该方法可以包括：
步骤201、在衬底基板的外围区域形成金属层。
该外围区域可以是指衬底基板上显示区域周围的区域。
步骤202、在形成有该金属层的衬底基板上形成覆盖该衬底基板的钝化层，该钝化层在该外围区域的厚度大于该钝化层在电容区域的厚度。
其中，在该电容区域内，该钝化层的两侧分别形成有电容电极，该钝化层两侧的电容电极可以组成存储电容，该存储电容可以用于稳定和保持像素电极的电压。
综上所述，本发明实施例提供了一种显示基板的制造方法，该方法在形成显示基板中的钝化层时，可以使得该钝化层在电容区域的厚度小于其在外围区域的厚度，由此不仅可以保证钝化层在外围区域的抗压性能，又可以避免该钝化层对存储电容的电容容量的影响，保证了显示装置的显示效果。
图8是本发明实施例提供的一种钝化层的制造方法的流程图，参考图8，上述步骤202可以包括：
步骤2021、在形成有金属层的衬底基板上沉积钝化薄膜。
可选的，可以采用旋涂法在该衬底基板上涂布钝化膜材料，该钝化膜材料可以为聚硅氧烷或聚硅氮烷材料；之后，可以对该钝化膜材料进行前烘，从而得到该钝化薄膜。
步骤2022、采用半色调掩膜板对该钝化薄膜进行曝光。
其中，该半色调掩膜板的半曝光区域在该衬底基板上的正投影至少覆盖该电容区域。例如，该半色调掩膜板的半曝光区域在该衬底基板上的正投影可以与该电容区域完全重合。
步骤2023、对曝光后的该钝化薄膜进行显影，得到该钝化层。
对曝光后的钝化薄膜进行显影，可以使得半曝光区域对应的钝化薄膜部分的部分材料被显影液溶解，该半曝光区域对应的钝化薄膜部分的厚度被减薄；而半曝光区域之外的区域所对应的钝化薄膜部分不与显影液反应，因此该钝化薄膜部分的厚度保持不变。
进一步的，可以对显影后的钝化薄膜进行后烘，即可得到厚度不均一的钝化层，该钝化层在电容区域的厚度小于其他区域的厚度。
此外，需要说明的是，根据形成钝化薄膜的材料的感光正负性的不同，该半色调掩膜板中除半曝光区域之外的区域的透光性也有所不同。
当形成该钝化薄膜的材料为正性感光材料时，该半色调掩膜板除半曝光区域之外的区域可以包括不透光区域和至少一个透光区域，且该至少一个透光区域在衬底基板上的正投影与待形成钝化层过孔的区域重合。该钝化层过孔可以包括显示区域中用于连接源极和阳极层的过孔，以及外围区域中用于连接金属层和引线电极的过孔。相应的，在经过曝光后，与该不透光区域对应的钝化膜层部分未被紫外曝光，因此在显影时不会溶解于显影液，其厚度能够保持不变；与半透光区域对应的钝化膜层部分被半曝光，因此在显影时会部分溶解于显影液，其厚度被减薄；而与透光区域对应的钝化膜层部分被全曝光，因此在显影时会全部溶解于显影液，形成钝化层过孔。
当形成钝化薄膜的材料为负性感光材料时，该半色调掩膜板除半曝光区域之外的区域可以包括透光区域和至少一个不透光区域，且该至少一个不透光区域在衬底基板上的正投影与待形成钝化层过孔的区域重合。相应的，在经过曝光后，与该全透光区域对应的钝化膜层部分被全曝光，因此在显影时不会溶解于显影液，其厚度能够保持不变；与半透光区域对应的钝化膜层部分被半曝光，因此在显影时会部分溶解于显影液，其厚度被减薄；而与不透光区域对应的钝化膜层部分未被曝光，因此在显影时会全部溶解于显影液，形成钝化层过孔。
可选的，在上述步骤202之前，还可以先在该衬底基板的显示区域内形成薄膜晶体管，该显示区域可以包括该电容区域。
该金属层，形成在该钝化层靠近该衬底基板一侧的电容电极，可以与该薄膜晶体管的源极和漏极通过一次构图工艺形成；或者，该金属层，设置在该钝化层靠近该衬底基板一侧的电容电极，也可以与该薄膜晶体管的栅极通过一次构图工艺形成。
图9是本发明实施例提供的另一种显示基板的制造方法的流程图，以图5所示的显示基板为例介绍该制造方法。参考图9，该方法可以包括：
步骤301、在衬底基板上形成遮光层和辅助电极。
该衬底基板可以为透明基板，例如可以为透明的玻璃基板，其厚度可以为50微米(um)至1000um。在形成该遮光层和辅助电极时，可以采用磁控溅射(sputter)设备在衬底基板上沉积金属薄膜，然后再采用光刻工艺和湿刻工艺对该金属薄膜进行图形化处理，并剥离光刻胶，即可得到遮光层和辅助电极。
其中，该光刻工艺可以包括：光刻胶涂覆、前烘、曝光、显影及后烘。
步骤302、在形成有该遮光层和辅助电极的衬底基板上形成缓冲层。
在本发明实施例中，可以采用等离子体增强化学的气相沉积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)法形成该缓冲层，且该缓冲层的可以是由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)以及氮氧化硅(SiOxNy)中的任一种材料形成的单层膜，或者也可以是由上述材料中的几种材料交叠形成的多层膜。该最终形成的缓冲层的厚度可以为150纳米(nm)至500nm。
步骤303、在缓冲层远离衬底基板的一侧形成有源层。
进一步的，可以采用磁控溅射设备在该缓冲层上沉积氧化物膜层，然后再采用光刻工艺和湿刻工艺对该氧化物膜层进行图形化处理，最后剥离光刻胶即可得到有源层。其中，该氧化物膜层可以由铟镓锌氧化(indium gallium zinc oxide，IGZO)、氮掺杂氧化锌(ZnON)或者铟锡锌氧化物(ITZO)等非晶氧化物材料制成。
步骤304、在有源层远离衬底基板的一侧形成栅绝缘层和栅极。
在得到有源层后，可以先采用化学气相淀积(CVD)法在衬底基板上沉积一层绝缘膜层，然后可以采用磁控溅射设备在绝缘膜层上沉积金属膜层，该金属膜层的厚度可以为200nm至1000nm，形成该金属膜层的材料可以为铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、铜(Cu)或者钛(Ti)等。之后，可以采用光刻工艺和湿刻工艺对该金属膜层进行图形化处理，定义出栅极的图形。进一步的，可以先不剥离栅极上的光刻胶，并以该栅极上的光刻胶作为掩模对该绝缘膜层进行干法刻蚀(即干刻)，得到栅绝缘层(Gate Insulator，GI)。最后，剥离光刻胶即可得到薄膜晶体管的栅极。
可选的，在本发明实施例中，为了减小有源层与源漏极(即源极和漏极，sourcedrain，简称SD)之间的欧姆接触电阻，可以采用氨气(NH3)、氮气(N2)和氢气(H2)中的任意一种气体对未被栅绝缘层遮挡的有源层(例如IGZO膜层)进行导体化处理。
步骤305、在形成有栅绝缘层和栅极的衬底基板上形成层间介电层。
进一步的，可以采用PECVD法沉积ILD层，该ILD层可以是由氮化硅或氧化硅形成的单层膜，或者也可以是由该两种材料形成的多层膜。并且，在沉积该ILD层之后，还需通过干刻工艺形成用于连接有源层与源极的接触过孔，以及用于连接有源层与漏极的接触过孔。此外，在形成该接触过孔的同时，还可以同步形成用于连接源极与遮光层的过孔。
步骤306、在层间介电层远离衬底基板的一侧形成源极、漏极、电容电极以及金属层。
进一步的，可以采用磁控溅射设备在层间介电层上沉积一层金属膜层，该金属膜层的厚度可以为200nm至1000nm，且该金属膜层可以由Al、Mo、Cr、Cu或Ti等金属材料形成。之后，可以采用光刻工艺和湿刻工艺对该金属膜层进行图形化处理，并剥离光刻胶，即可得到位于显示区域的源极、漏极和电容电极，以及位于外围区域的金属层，该金属层可以为源极引线电极。
步骤307、在形成有源极、漏极、电容电极以及金属层的衬底基板上形成钝化层。
在本发明实施例中，可以先采用旋涂方法沉积钝化膜层，该钝化膜层的成分可以为有机硅玻璃溶液。之后可以对该钝化膜层进行前烘、曝光以及显影处理，以将该钝化膜层位于电容区域的部分的厚度减薄。例如可以采用半色调掩膜板对该钝化膜层进行曝光，从而使得显影处理后的钝化膜层中位于电容区域的部分的厚度为原厚度的一半。此外，在采用曝光和显影工艺对电容区域的钝化膜层进行减薄处理的同时，还可以在该钝化膜层中形成钝化层过孔。该钝化层过孔可以包括位于显示区域内用于连接源极和阳极层的过孔，还可以包括位于外围区域内用于连接金属层和引线电极的过孔。
最后，可以在230摄氏度至250摄氏度的高温环境下对该钝化膜层进行后烘，后烘时长可以为1至2小时。由于有机硅材料Si的支链上存在有机官能团，该有机官能团在高温后烘的条件下分解生成气体逸出，而Si会与O结合生成硅的氧化物，最终即可得到致密的氧化硅(例如SiO2)膜层，也即是钝化层。该钝化层在电容区域的厚度可以为300nm至500nm。该形成钝化层的过程还可以参考上述步骤2021至步骤2023，此处不再赘述。
该最终形成的钝化层既可以耐高温，也可以有效阻止水氧及金属离子向显示基板内部扩散。并且对于顶栅结构的薄膜晶体管，因为有ILD层阻隔水和金属离子向有源层中扩散，因此形成钝化层的过程中，钝化层中的有机溶剂对薄膜晶体管的影响较小。
图10是本发明实施例提供的一种SOG材料的透过率随光线波长变化的波形图，且图10中分别示出了SOG材料在后烘前，以及后烘之后的透过率变化波形。从图10可以看出，该SOG材料在可见光波段(即波长为380nm至780nm的波段)的透过率可高达99.7％，其透过率较高。且该SOG材料具有高的UV光照稳定性，低吸水性、低渗气性(outgassing)、高耐化学性和耐热性，是有机膜良好的替代材料。
步骤308、在钝化层远离衬底基板的一侧形成彩膜层。
进一步的，可以采用狭缝涂布(slit)的工艺在钝化层上沉积一种颜色的彩膜材料，经过前烘、曝光和显影后露出固化的像素区的图形，再在230摄氏度的高温条件下后烘去除水和有机溶剂，即可得到一种颜色的彩膜层；之后，可以采用同样的方法制造其他颜色的彩膜层，该彩膜层的厚度可以为2um至3.5um。如图5所示，该最终得到的彩膜层10可以包括红色彩膜层101、绿色彩膜层102以及蓝色彩膜层103。
步骤309、在彩膜层远离衬底基板的一侧形成平坦层。
可以采用slit工艺在形成有彩膜层的衬底基板上沉积平坦化材料，之后对该平坦化材料进行前烘、曝光和显影，露出电容区域的钝化层，而像素区(即用于形成OLED发光单元的区域)均是平坦化的；进一步的，可以在230摄氏度的高温条件下后烘该平坦化材料，去除平坦化材料中的水和有机溶剂，得到平坦层，该平坦层的厚度可以为2um至3.5um。
步骤310、在形成有平坦层的衬底基板上形成阳极层、电容电极以及引线电极。
最后，可以采用磁控溅射设备在平坦层上沉积金属膜层，该金属膜层可以由Al或Mo等金属材料形成，且该金属膜层的厚度可以为200nm至1000nm；之后，可以采用光刻工艺和湿刻工艺对该金属膜层进行图形化处理，并剥离光刻胶，即可得到位于显示区域的阳极层和电容电极，以及位于外围区域的引线电极。其中，该电容电极位于显示区域中的电容区域，且由于该电容区域的部分平坦层已经被去除，因此该电容电极可以直接与钝化层接触。该阳极层可以通过显示区域的钝化层过孔与薄膜晶体管的源极连接，该引线电极则可以通过外围区域的钝化层过孔与源极引线电极连接。
此外，当该阳极层为反射阳极层时，为了保证该阳极层的性能，形成该阳极层的金属材料可以选用功函数较高，反射率高于90％以上的材料。
需要说明的是，本发明实施例提供的显示基板的制造方法的步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，例如当显示基板中的薄膜晶体管为底栅结构的晶体管时，上述步骤301可以删除，辅助电极可以与栅极通过一次构图工艺形成，且步骤303可以在步骤304之后执行；或者当该显示基板应用于顶发射OLED显示装置时，上述步骤308可以在步骤310之后执行。任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。
本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置可以包括：如图1至图6任一所示的显示基板。显示装置可以为可以为OLED显示装置、液晶显示装置、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或者导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
衬底基板，设置在所述衬底基板的外围区域的金属层，以及设置在所述金属层远离所述衬底基板一侧，且覆盖所述衬底基板的钝化层，所述钝化层由聚硅氧烷或聚硅氮烷材料制成；
在所述衬底基板的电容区域内，所述钝化层的两侧分别设置有电容电极；
其中，所述钝化层在所述电容区域的厚度为所述钝化层在除所述电容区域之外的其他区域的厚度的一半；
所述显示装置还包括：设置在所述衬底基板与所述钝化层之间的薄膜晶体管，以及辅助电极，所述薄膜晶体管位于所述衬底基板的显示区域内，所述显示区域包括所述电容区域，所述外围区域位于所述显示区域之外，所述电容电极在所述衬底基板上的正投影位于所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影之内；
所述薄膜晶体管包括：源极，漏极，栅极，有源层以及栅绝缘层；所述显示装置还包括层间介电层，彩膜层，平坦层以及电极层，所述平坦层露出所述电容区域，所述电极层包括有机发光二极管阳极层，位于所述电容区域且与所述阳极层同层的电容电极，以及位于所述外围区域且与所述阳极层同层的引线电极，所述阳极层通过过孔与所述源极连接；所述电容区域还包括与所述源极和所述漏极同层的电容电极，所述钝化层位于与所述阳极层同层的电容电极以及与所述源极和所述漏极同层的电容电极之间，且与所述阳极层同层的电容电极以及与所述源极和所述漏极同层的电容电极均与所述钝化层接触；
所述薄膜晶体管为顶栅结构的晶体管，所述显示装置还包括：与所述辅助电极同层设置的遮光层，所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影，位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影内；所述平坦层和所述电极层依次设置在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧，所述彩膜层设置在所述阳极层远离所述衬底基板的一侧；其中，所述有源层，所述栅绝缘层，所述栅极以及所述层间介电层沿远离所述衬底基板的方向层叠，所述源极和所述漏极位于所述层间介电层远离所述衬底基板的一侧，所述源极和漏极分别通过所述层间介电层中的接触过孔与所述有源层连接；
或者，所述薄膜晶体管为底栅结构的晶体管，所述薄膜晶体管包括的所述栅极与所述辅助电极同层设置，所述有源层在所述衬底基板上的正投影，位于所述栅极在所述衬底基板上的正投影内；所述彩膜层，所述平坦层和所述电极层依次设置在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧；其中，所述栅极，所述栅绝缘层，所述有源层，所述层间介电层沿远离所述衬底基板的方向层叠，所述源极和所述漏极位于所述层间介电层远离所述衬底基板的一侧，所述源极和所述漏极分别通过所述层间介电层中的接触过孔与所述有源层连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述金属层，设置在所述钝化层靠近所述衬底基板一侧的电容电极，以及所述薄膜晶体管的源极和漏极通过一次构图工艺形成。
3.一种显示装置的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板的外围区域形成金属层；
在形成有所述金属层的衬底基板上形成覆盖所述衬底基板的钝化层，所述钝化层由聚硅氧烷或聚硅氮烷材料制成，所述钝化层在电容区域的厚度为所述钝化层在除所述电容区域之外的其他区域的厚度的一半；
其中，在所述电容区域内，所述钝化层的两侧分别形成有电容电极；
在形成所述钝化层之前，所述方法还包括：
在所述衬底基板的显示区域内形成薄膜晶体管，所述显示区域包括所述电容区域，所述外围区域位于所述显示区域之外；
所述显示装置还包括：辅助电极，所述电容电极在所述衬底基板上的正投影重叠位于所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影之内；
所述薄膜晶体管包括：源极，漏极，栅极，有源层以及栅绝缘层；所述显示装置还包括层间介电层，彩膜层，平坦层以及电极层，所述平坦层露出所述电容区域，所述电极层包括有机发光二极管阳极层，位于所述电容区域且与所述阳极层同层的电容电极，以及位于所述外围区域且与所述阳极层同层的引线电极，所述阳极层通过过孔与所述源极连接；所述电容区域还包括与所述源极和所述漏极同层的电容电极，所述钝化层位于与所述阳极层同层的电容电极以及与所述源极和所述漏极同层的电容电极之间，且与所述阳极层同层的电容电极以及与所述源极和所述漏极同层的电容电极均与所述钝化层接触；
所述薄膜晶体管为顶栅结构的晶体管，所述显示装置还包括：与所述辅助电极同层设置的遮光层，所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影，位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影内；所述平坦层和所述电极层依次设置在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧，所述彩膜层设置在所述阳极层远离所述衬底基板的一侧；其中，所述有源层，所述栅绝缘层，所述栅极以及所述层间介电层沿远离所述衬底基板的方向层叠，所述源极和所述漏极位于所述层间介电层远离所述衬底基板的一侧，所述源极和漏极分别通过所述层间介电层中的接触过孔与所述有源层连接；
或者，所述薄膜晶体管为底栅结构的晶体管，所述薄膜晶体管包括的所述栅极与所述辅助电极同层设置，所述有源层在所述衬底基板上的正投影，位于所述栅极在所述衬底基板上的正投影内；所述彩膜层，所述平坦层和所述电极层依次设置在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧；其中，所述栅极，所述栅绝缘层，所述有源层，所述层间介电层沿远离所述衬底基板的方向层叠，所述源极和所述漏极位于所述层间介电层远离所述衬底基板的一侧，所述源极和所述漏极分别通过所述层间介电层中的接触过孔与所述有源层连接。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述金属层的衬底基板上形成覆盖所述衬底基板的钝化层，包括：
在形成有所述金属层的衬底基板上沉积钝化薄膜；
采用半色调掩膜板对所述钝化薄膜进行曝光，其中，所述半色调掩膜板的半曝光区域在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述电容区域；
对曝光后的所述钝化薄膜进行显影，得到所述钝化层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，
形成所述钝化薄膜的材料为正性感光材料，所述半色调掩膜板除所述半曝光区域之外的区域包括不透光区域和至少一个透光区域，且所述至少一个透光区域在所述衬底基板上的正投影与待形成钝化层过孔的区域重合；
或者，形成所述钝化薄膜的材料为负性感光材料，所述半色调掩膜板除所述半曝光区域之外的区域包括透光区域和至少一个不透光区域，且所述至少一个不透光区域在所述衬底基板上的正投影与待形成钝化层过孔的区域重合。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上沉积钝化薄膜，包括：
采用旋涂法在所述衬底基板上涂布钝化膜材料，所述钝化膜材料为聚硅氧烷或聚硅氮烷材料；
对所述钝化膜材料进行前烘，得到所述钝化薄膜；
所述对曝光后的所述钝化薄膜进行显影，得到所述钝化层，包括：
对曝光后的所述钝化薄膜进行显影，并对显影后的所述钝化薄膜进行后烘，得到所述钝化层。
7.根据权利要求3至6任一所述的方法，其特征在于，
所述金属层以及形成在所述钝化层靠近所述衬底基板一侧的电容电极，与所述薄膜晶体管的源极和漏极通过一次构图工艺形成。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108550582B (zh) * 2018-05-09 2022-11-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN109473461A (zh) * 2018-10-18 2019-03-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板及其制作方法
CN109786323A (zh) 2019-01-16 2019-05-21 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Tft阵列基板的制备方法及tft阵列基板
CN110071147A (zh) * 2019-04-09 2019-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和电子设备
CN110190091B (zh) * 2019-05-15 2021-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
KR20200143562A (ko) * 2019-06-13 2020-12-24 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판 및 이를 구비한 디스플레이 장치
CN110233155B (zh) * 2019-06-26 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
CN110416278B (zh) * 2019-08-06 2022-09-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN111223876B (zh) * 2019-11-06 2022-12-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示面板的制备方法
CN110796949B (zh) * 2019-11-08 2021-11-30 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、其制作方法及母板、显示面板、显示装置
CN111179768A (zh) * 2019-12-18 2020-05-19 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及电子设备
CN112331696B (zh) * 2019-12-27 2022-12-06 广东聚华印刷显示技术有限公司 发光器件及其基板与制作方法
CN113661574B (zh) * 2020-03-12 2024-04-09 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
CN111276499B (zh) * 2020-03-26 2023-04-07 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示用基板及其制备方法、显示装置
CN111524954B (zh) * 2020-05-08 2022-11-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其维修方法、显示装置
CN212033021U (zh) * 2020-06-29 2020-11-27 京东方科技集团股份有限公司 Tft基板及显示装置
KR20230089119A (ko) * 2021-12-13 2023-06-20 엘지디스플레이 주식회사 산화물 반도체를 포함하는 디스플레이 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104733499A (zh) * 2013-12-23 2015-06-24 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100491143B1 (ko) * 2001-12-26 2005-05-24 삼성에스디아이 주식회사 블랙매트릭스를 구비한 평판표시장치 및 그 제조방법
US20070273803A1 (en) * 2006-05-25 2007-11-29 Meng-Chi Liou Active component array substrate and fabricating method thereof
KR20080070400A (ko) * 2007-01-26 2008-07-30 삼성전자주식회사 표시 장치
KR101346921B1 (ko) * 2008-02-19 2014-01-02 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
CN103280428B (zh) * 2012-03-31 2016-05-04 成都天马微电子有限公司 Tft-lcd阵列面板结构及其制造方法
US8963134B2 (en) * 2012-06-15 2015-02-24 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and method for manufacturing the same
KR101962852B1 (ko) * 2012-10-09 2019-03-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102132882B1 (ko) * 2012-12-20 2020-07-13 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판, 이를 구비하는 유기 발광 장치, 박막트랜지스터 기판 제조방법 및 유기 발광 장치 제조방법
KR102079253B1 (ko) * 2013-06-26 2020-02-20 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판, 이를 구비하는 유기 발광 장치, 박막트랜지스터 기판 제조방법 및 유기 발광 장치 제조방법
CN103794556A (zh) * 2014-01-22 2014-05-14 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法和液晶显示装置
KR20160053243A (ko) * 2014-10-31 2016-05-13 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20180026602A (ko) * 2016-09-02 2018-03-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN107039465A (zh) * 2017-04-28 2017-08-11 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置
CN108550582B (zh) * 2018-05-09 2022-11-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104733499A (zh) * 2013-12-23 2015-06-24 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法

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