CN111524954B - 显示基板及其维修方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示基板，包括：基底以及位于基底上的多个发光单元；至少一个发光单元包括：像素驱动电路以及与像素驱动电路连接的发光元件；像素驱动电路包括多个薄膜晶体管，至少一个薄膜晶体管包括：有源层、设置在有源层一侧的第一绝缘层、设置在第一绝缘层远离有源层一侧的控制极、分别与有源层连接的第一极和第二极；发光元件包括：与像素驱动电路的至少一个薄膜晶体管的第一极连接的阳极；与阳极连接的所述薄膜晶体管的控制极和有源层在基底上的正投影部分交叠，形成一交叠区域，阳极在基底上的正投影与该交叠区域没有重叠。

Description

显示基板及其维修方法、显示装置

技术领域

本文涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及其维修方法、显示装置。

背景技术

有机发光显示(OLED，Organic Light-Emitting Display)器件是一种新型的平板显示器件，是一种具有全固态结构、高亮度、全视角、响应速度快、可柔性显示等一系列优点的自发光器件，因此，有机发光显示器件已成为极具竞争力和发展前景的下一代显示技术。目前，在OLED器件的制备过程中，良率是影响制造成本的主要问题之一。

发明内容

本公开提供了一种显示基板及其维修方法、显示装置。

一方面，本公开提供了一种显示基板，包括：基底以及位于所述基底上的多个发光单元；至少一个发光单元包括：像素驱动电路以及与所述像素驱动电路连接的发光元件；所述像素驱动电路包括多个薄膜晶体管，至少一个薄膜晶体管包括：有源层、设置在所述有源层一侧的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层远离所述有源层一侧的控制极、分别与所述有源层连接的第一极和第二极；所述发光元件包括：与所述像素驱动电路的至少一个薄膜晶体管的第一极连接的阳极；与所述阳极连接的所述薄膜晶体管的控制极和有源层在所述基底上的正投影部分交叠，形成一交叠区域，所述阳极在所述基底上的正投影与所述交叠区域没有重叠。

另一方面，本公开提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。

另一方面，本公开提供一种显示基板的维修方法，应用于如上所述的显示基板，所述维修方法包括：在制备所述发光元件的阳极后，检测到与所述阳极连接的薄膜晶体管的控制极与有源层短路时，切断所述薄膜晶体管的控制极与有源层之间的连接。

本公开提供的显示基板通过将发光元件的阳极避开与其连接的薄膜晶体管的控制极和有源层的交叠区域，可以预留出对薄膜晶体管的维修空间，从而提高显示基板的维修良率。

本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。

图1为本公开至少一实施例的显示基板的结构示意图；

图2为图1中A-A方向的剖面示意图；

图3为本公开至少一实施例的像素驱动电路的结构示意图；

图4为图1所示的显示基板的维修示意图；

图5为本公开至少一实施例的显示基板的结构示意图；

图6为图5中A-A方向的剖面示意图；

图7为图5所示的显示基板的维修示意图。

具体实施方式

本公开描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本公开所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。

本公开包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本公开已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的方案。因此，应当理解，在本公开中示出或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行一种或多种修改和改变。

此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本公开实施例的精神和范围内。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中每个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或科学术语为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。本公开中，“多个”可以表示两个或两个以上的数目。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。

在本公开中，“连接”、“耦接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“电性的连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且可以包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有一种或多种功能的元件等。

在本公开中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本公开中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化等情况下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本公开中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。示例性地，本公开中使用的薄膜晶体管可以是低温多晶硅薄膜晶体管或氧化物(Oxide)薄膜晶体管。薄膜晶体管可以为P型晶体管，或者可以为N型晶体管。

在本公开实施例中，控制极可以为栅电极，为区分晶体管除栅电极之外的两极，将其中一个电极称为第一极，另一电极称为第二极，第一极可以为源电极或者漏电极，第二极可以为漏电极或源电极。

在本公开中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本公开中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了部分已知功能和已知部件的详细说明。本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

显示基板中一般由薄膜晶体管参与构成像素驱动电路，薄膜晶体管可以包括有源层、栅绝缘层、栅电极、源电极和漏电极。当有源层与栅电极之间存在杂质微粒或栅绝缘层缺损时，会导致薄膜晶体管的有源层和栅电极短路，产生暗点不良情况，需要进行维修。然而，在OLED显示基板的制备过程中，在进行阵列检测(AT，Array Test)时，已经完成发光元件的阳极制备过程，且发光元件的阳极是在薄膜晶体管的有源层上方整片成膜的，一旦检测到像素驱动电路存在暗点不良需要进行维修时，已制备的发光元件的阳极会影响对薄膜晶体管的维修操作，并可能导致新增不良。

本公开实施例提供一种显示基板及其维修方法、显示装置，可以提高显示基板的维修良率。

本公开实施例提供的显示基板，包括：基底以及位于基底上的多个发光单元。至少一个发光单元包括：像素驱动电路以及与像素驱动电路连接的发光元件。像素驱动电路包括多个薄膜晶体管，至少一个薄膜晶体管包括：有源层、设置在有源层一侧的第一绝缘层、设置在第一绝缘层远离有源层一侧的控制极、分别与有源层连接的第一极和第二极。发光元件包括：与像素驱动电路的至少一个薄膜晶体管的第一极连接的阳极；与阳极连接的该薄膜晶体管的控制极和有源层在基底上的正投影部分交叠，形成一交叠区域，阳极在基底上的正投影与该交叠区域没有重叠。

本实施例提供的显示基板，通过将发光元件的阳极避开与其连接的薄膜晶体管的控制极和有源层的交叠区域，可以预留出对薄膜晶体管的维修空间，避免阳极对薄膜晶体管的维修操作产生影响，从而提高显示基板的维修良率。

在一些示例性实施方式中，第一绝缘层可以设置在有源层远离基底的一侧；或者，第一绝缘层可以设置在有源层靠近基底的一侧。在本示例性实施例中，薄膜晶体管可以为顶栅结构，或者，可以为底栅结构。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例性实施方式中，发光元件的阳极可以具有镂空区域，镂空区域在基底上的正投影可以覆盖与阳极连接的薄膜晶体管的控制极和有源层在基底上的正投影的交叠区域，且镂空区域在基底的正投影的面积可以大于交叠区域的面积。在本示例性实施例中，通过在阳极上形成镂空区域，来避开薄膜晶体管的控制极和有源层在基底上的正投影的交叠区域。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，发光元件的阳极可以设置为L型，或┕┙型，以避开薄膜晶体管的控制极和有源层在基底上的正投影的交叠区域。

在一些示例性实施方式中，薄膜晶体管的有源层可以包括：第一极接触区、第二极接触区、以及连接第一极接触区和第二极接触区的连接区。薄膜晶体管的控制极与有源层的连接区在基底上的正投影部分交叠可以形成交叠区域。在本示例性实施例中，在制备发光元件的阳极后，检测到与发光元件的阳极连接的薄膜晶体管的控制极与有源层短路时，由于发光元件的阳极避开薄膜晶体管的控制极与有源层在基底上的正投影的交叠区域，因此，可以从发光元件的阳极避开交叠区域的空间进行维修操作，对连接区与第一极接触区和第二极接触区的连接位置进行切割，以断开短路的控制极与有源层之间的连接，从而改善显示不良情况，避免诱发新增不良。

在一些示例性实施方式中，薄膜晶体管的有源层可以包括：第一极接触区、第二极接触区、以及连接第一极接触区和第二极接触区的多个连接区，且相邻的连接区之间设有间隔。在本示例性实施例中，在制备发光元件的阳极后，检测到与发光元件的阳极连接的薄膜晶体管的控制极与有源层短路时，由于发光元件的阳极避开薄膜晶体管的控制极与有源层在基底上的正投影的交叠区域，因此，可以从发光元件的阳极避开交叠区域的空间进行维修操作，可以在与控制极短路的连接区与对应的第一极接触区和第二极接触区的连接位置进行切割，以断开短路的控制极与有源层之间的连接，而且可以使得薄膜晶体管仍能继续工作，从而改善显示不良情况，避免诱发新增不良，降低显示基板的不良率。

图1为本公开至少一实施例的显示基板的结构示意图。图2为图1中A-A方向的剖面示意图。本示例性实施例提供的显示基板可以包括：基底10和位于基底10上的规则排布的多个发光单元。每个发光单元可以作为一个子像素。三个出射不同颜色光(例如，红绿蓝)的发光单元或四个出射不同颜色光(例如，红绿蓝白)的发光单元可以组成一个像素单元。

在垂直于基底10的平面上，至少一个发光单元可以包括：依次设置在基底10上的像素驱动电路以及与像素驱动电路连接的发光元件。其中，像素驱动电路可以包括多个薄膜晶体管，可以是2T1C、3T1C或7T1C设计，本实施例对此并不限定。

在本示例性实施例中，像素驱动电路可以采用3T1C设计。图3为本公开至少一实施例的像素驱动电路的结构示意图。如图3所示，本示例性实施例的像素驱动电路可以包括：驱动晶体管M1、第一开关晶体管M2、第二开关晶体管M3以及存储电容C。其中，第一开关晶体管M2的控制极与第一扫描信号线G1连接，第一开关晶体管M2的第一极与数据信号线DL连接，第一开关晶体管M2的第二极与驱动晶体管M1的控制极连接；驱动晶体管M1的第一极与第一电源线VDD连接，驱动晶体管M1的第二极与发光元件EL的阳极连接；发光元件EL的阴极与第二电源端VSS连接；第二开关晶体管M3的控制极与第二扫描信号线G2连接，第二开关晶体管M3的第一极与检测线SL连接，第二开关晶体管M3的第二极与发光元件EL的阳极连接；存储电容C的第一电极与驱动晶体管M1的控制极连接，存储电容C的第二电极与驱动晶体管M1的第二极连接。

下面以本示例性实施例提供的像素驱动电路中的开关晶体管M2和M3以及驱动晶体管M1均为N型晶体管为例说明显示基板的工作过程。其中，N型开关晶体管在控制极为高电平时导通，在控制极为低电平时截止。然而，本实施例对此并不限定。本公开实施例中的开关晶体管和驱动晶体管亦可以为P型晶体管。其中，P型开关晶体管在控制极为低电平时导通，在控制极为高电平时截止。

本示例性实施例提供的显示基板可以包括以下工作阶段。

在第一阶段，第一开关晶体管M2在第一扫描信号线G1的信号的高电平控制下导通，以将数据信号线DL的数据电压提供给驱动晶体管M1的控制极，并通过存储电容C进行存储。第二开关晶体管M3在第二扫描信号线G2的信号的高电平控制下导通，以将检测线SL上的参考电压信号提供给发光元件EL的阳极，以对发光元件EL进行复位。其中，参考电压信号的电压值可以小于第二电源线VSS的电压值，以使得发光元件EL处于反偏状态，进而使发光元件EL的特性进行恢复。

在第二阶段，第一开关晶体管M2在第一扫描信号线G1的信号的高电平控制下导通，以将数据信号线DL的数据电压提供给驱动晶体管M1的控制极，并通过存储电容C进行存储。第二开关晶体管M3在第二扫描信号线G2的信号的低电平控制下截止。驱动晶体管M1在其栅极电压与源极电压的共同控制下产生驱动电流，通过驱动电流对发光元件EL的阳极充电。

在第三阶段，第一开关晶体管M2在第一扫描信号线G1的信号的高电平控制下导通，以将数据信号线DL的数据电压提供给驱动晶体管M1的控制极，并通过存储电容C进行存储。第二开关晶体管M3在第二扫描信号线G2的信号的高电平控制下导通，从而将发光元件EL的阳极的电压提供给检测线SL。进而，通过驱动集成电路获取检测线SL上的电压，并通过检测线SL上的电压进行分析补偿计算，实现显示基板亮度的电学补偿。

在本示例性实施例中，图1和图2所示的薄膜晶体管可以为上述像素驱动电路中的第二开关晶体管M3。如图2所示，在垂直于基底10的平面上，第二开关晶体管M3可以包括：位于基底10上的有源层12、设置在有源层12远离基底10一侧的第一绝缘层13、设置在第一绝缘层13远离有源层12一侧的控制极14、覆盖控制极14的第二绝缘层15、设置在第二绝缘层15远离控制极14一侧的第一极16和第二极17、以及覆盖第一极16、第二极17和第二绝缘层15的第三绝缘层18。其中，有源层12可以包括：第一极接触区121、第二极接触区122、以及连接第一极接触区121和第二极接触区122的连接区120。第一极16与第一极接触区121连接，第二极17与第二极接触区122连接。如图1所示，位于同一行的多个发光单元的像素驱动电路的第二开关晶体管的控制极14可以与第二扫描信号线G2可以为一体结构。

在本示例性实施例中，发光元件可以包括：阳极20、像素定义层、发光功能层以及阴极。其中，发光元件的阳极20可以与第二开关晶体管M3的第一极16连接。图1和图2中仅示意了发光元件的阳极20，省略了像素定义层、发光功能层以及阴极。

在本示例性实施例中，如图1所示，第二开关晶体管M3的控制极14和有源层12在基底10上的正投影部分交叠，可以形成一交叠区域。发光元件的阳极20具有镂空区域200，镂空区域200在基底10上的正投影可以覆盖该交叠区域，且镂空区域200在基底10上的正投影的面积可以大于交叠区域的面积。即，发光元件的阳极20可以通过设置镂空区域200，避开第二开关晶体管M3的控制极14和有源层12在基底10上的正投影的交叠区域。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，发光元件的阳极20在基底10上的正投影可以为L型，或┕┙型，以避开第二开关晶体管M3的控制极14和有源层12在基底10上的正投影的交叠区域。

下面通过本示例性实施例的显示基板的制备过程的示例进一步说明本实施例的技术方案。本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是已知成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做限定。在本实施例的描述中，需要理解的是，“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或其它工艺制作出的一层薄膜。

本示例性实施例提供的显示基板的制备过程可以包括以下步骤。

(1)在基底10上沉积缓冲薄膜，通过构图工艺对缓冲薄膜进行构图，在基底10上形成缓冲(Buffer)层11图案。其中，基底20可以为柔性基底，采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料。缓冲薄膜可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)等，或者采用高介电常数(High k)材料，如氧化铝(AlOx)、氧化铪(HfOx)、氧化钽(TaOx)等，可以是单层、多层或复合层。

(2)在形成有前述图案的基底10上，沉积有源薄膜，通过构图工艺对有源薄膜进行构图，形成有源层12图案。其中，有源层12可以作为图3所示的像素驱动电路中的第二开关晶体管M3的有源层。有源层12可以包括：第一极接触区121、第二极接触区122、以及连接第一极接触区121和第二极接触区122的连接区120。

其中，有源薄膜可以采用氧化铟镓锌材料(IGZO)、非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等一种或多种材料，即本实施例同时适用于基于氧化物(Oxide)技术、硅技术以及有机物技术制造的基于顶栅(Top Gate)薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)的显示基板。

(3)在形成上述结构的基底10上，依次沉积第一绝缘薄膜和第一金属薄膜，先在第一金属薄膜上涂覆一层光刻胶，通过掩模、曝光和显影形成光刻胶图案，利用刻蚀工艺刻蚀第一金属薄膜后，利用第一金属薄膜作为掩模自对准向下刻蚀第一绝缘薄膜，形成第一绝缘层13图案、以及设置在第一绝缘层13上的控制极14、以及扫描信号线(图未示)图案。

其中，第一金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)等，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)、钼铌合金(MoNb)等，可以是多层金属，如Mo/Cu/Mo等，或者是金属和透明导电材料形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO等。

其中，第一绝缘薄膜可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)等，或者采用高介电常数(High k)材料，如氧化铝(AlOx)、氧化铪(HfOx)、氧化钽(TaOx)等，可以是单层、多层或复合层。通常，第一绝缘层13可以称为栅绝缘(GI)层。

(4)在形成有前述图案的基底10上，沉积第二绝缘薄膜，通过构图工艺对第二绝缘薄膜进行构图，形成覆盖前述结构的第二绝缘层15图案。其中，第二绝缘层15上可以开设有多个过孔，分别为暴露出有源层12的第一极接触区121和第二极接触区122的过孔。

其中，第二绝缘薄膜可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)等，或者采用High k材料，如氧化铝(AlOx)、氧化铪(HfOx)、氧化钽(TaOx)等，可以是单层、多层或复合层。通常，第二绝缘层15可以称为层间绝缘(ILD)层。

(5)在形成上述结构的基底10上，沉积第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，在第二绝缘层15上形成电源线(图未示出)、数据信号线(图未示出)、检测线(图未示出)、第一极16和第二极17图案。第一极16通过第二绝缘层15上的过孔与有源层12的第一极接触区121连接，第二极17通过第二绝缘层15上的过孔与有源层12的第二极接触区122连接。

其中，第二金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)等，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)、钼铌合金(MoNb)等，可以是多层金属，如Mo/Cu/Mo等，或者是金属和透明导电材料形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO等。

(6)在形成上述结构的基底10上，通过沉积第三绝缘薄膜，通过构图工艺对第三绝缘薄膜进行构图，形成覆盖前述结构的第三绝缘层18图案。其中，第三绝缘层18上可以开设有暴露出薄膜晶体管的第一极16的过孔。

其中，第三绝缘薄膜可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)等，或者采用High k材料，如氧化铝(AlOx)、氧化铪(HfOx)、氧化钽(TaOx)等，可以是单层、多层或复合层。通常，第三绝缘层18可以称为钝化(PVX，Passivation)层。

(7)在形成前述结构的基底10上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成发光元件的阳极20图案。其中，透明导电薄膜可以采用氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等材料。阳极20具有镂空区域200，镂空区域200在基底10上的正投影可以覆盖有源层12的连接区120和控制极14的交叠区域。

在本示例性实施例中，在形成发光元件的阳极之后，可以进行阵列检测(AT)，以测试显示基板的电路结构是否存在不良。

图4为图1所示的显示基板的维修示意图。在本示例性实施例中，当第二开关晶体管M3的控制极14与有源层12之间发生短路(短路位置如图4中的黑点所示)，第二开关晶体管M3的控制极14的电压(-6v)会灌到发光元件EL的阳极20，阳极20电压被拉低，发光单元变为暗点，同时整条检测线SL的电压被拉低，在进行电学补偿后表现为暗点和一条暗线的不良情况，因此需要进行维修处理。

在本示例性实施例中，由于阳极20避开第二开关晶体管M3的控制极14和有源层12在基底10上的正投影的交叠区域，预留了对第二开关晶体管M3进行维修操作的维修空间。在第二开关晶体管M3的控制极14与有源层12的连接区120短路时，可以在维修空间内对连接区120与第一极接触区121和第二极接触区122的连接位置进行切割，即激光切割连接区120的两端(切割位置如图4中黑粗线所示)，以断开控制极14与有源层12，而且通过阳极20的镂空区域200激光切割有源层12的连接区120不会破坏阳极20，不会导致阳极20断开、溅射以及与下方电极短路等不良，可以提高维修良率。通过将第二开关晶体管M3的有源层12的连接区120的两端切断，以断开控制极14与有源层12的连接，可以避免后续电路补偿过程产生点带线不良。

在完成阵列检测之后，后续可以形成暴露出阳极的开口区域的像素定义层；采用蒸镀或喷墨打印方式，在开口区域内形成与阳极连接的发光功能层；采用蒸镀方式形成与发光功能层连接的阴极，从而完成发光元件的制备过程。本实施例对于后续制备过程并不限定。

图5为本公开至少一实施例的显示基板的结构示意图。图6为图5中A-A方向的剖面示意图。在本示例性实施例中，与发光元件的阳极20连接的一个薄膜晶体管的有源层12位于缓冲层11上，有源层12可以包括：第一极接触区121、第二极接触区122、以及连接第一极接触区121和第二极接触区122的第一连接区120a和第二连接区120b。其中，第一连接区120a和第二连接区120b之间设有间隔P。在本示例中，连接区的数目可以为两个。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，连接区的数目可以为三个或四个。相应地，连接区之间的间隔的数目可以为两个或三个。

在本示例性实施例中，薄膜晶体管的第一极16通过第一绝缘层13和第二绝缘层15上的过孔与第一极接触区121连接，第二极17通过第一绝缘层13和第二绝缘层15上的过孔与第二极接触区122连接。发光元件的阳极20通过第三绝缘层18上的过孔与第一极16连接。其中，第一绝缘层13可以称为栅绝缘层，第二绝缘层15可以称为层间绝缘层，第三绝缘层18可以称为钝化层。薄膜晶体管的控制极14可以与栅线21为一体结构，栅线21用于向控制极14提供控制信号。

在本示例性实施例中，发光元件的阳极20可以具有镂空区域200，镂空区域200在基底10上的正投影可以覆盖控制极14和有源层12在基底10上的正投影的交叠区域。

本实施方式所示的结构(或方法)可以与其它实施方式所示的结构(或方法)适当地组合。

图7为图5所示的显示基板的维修示意图。在本示例性实施例中，当薄膜晶体管的控制极14与有源层12之间发生短路(短路位置如图7所示的黑点位置)，可以通过阳极20预留出的维修空间内对与控制极14发生短路的连接区的两端进行切割。如图7所示，控制极14与第一连接区12a发生短路，可以对第一连接区12a与第一极接触区121和第二极接触区122的连接位置进行切割，即激光切割图7所示的黑粗线位置，以断开控制极14和有源层12。而且，由于第二连接区120b可以连接第一极接触区121和第二极接触区122，可以保证薄膜晶体管仍能继续工作，以降低显示基板的不良率。

本公开实施例还提供一种显示基板的维修方法，应用于上述实施例提供的显示基板。本实施例提供的维修方法，可以包括：在制备发光元件的阳极后，检测到与阳极连接的薄膜晶体管的控制极与有源层短路时，切断薄膜晶体管的控制极与有源层之间的连接。

在一些示例性实施方式中，薄膜晶体管的有源层可以包括：第一极接触区、第二极接触区、以及连接第一极接触区和第二极接触区的连接区。其中，切断薄膜晶体管的控制极与有源层之间的连接，可以包括：切断连接区与第一极接触区和第二极接触区的连接，以断开控制极与有源层的连接。

在一些示例性实施方式中，有源层的连接区的数目可以为多个，且相邻的连接区之间可以设有间隔。其中，切断薄膜晶体管的控制极与有源层之间的连接，可以包括：切断与控制极发生短路的连接区与对应的第一极接触区和第二极接触区的连接。

有关显示基板的维修过程，已在之前的实施例中详细说明，这里不再赘述。

本公开实施例还提供一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本实施例对此并不限定。

在本公开实施例的描述中，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。

虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：基底以及位于所述基底上的多个发光单元；至少一个发光单元包括：像素驱动电路以及与所述像素驱动电路连接的发光元件；

所述像素驱动电路包括多个薄膜晶体管，至少一个薄膜晶体管包括：有源层、设置在所述有源层一侧的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层远离所述有源层一侧的控制极、分别与所述有源层连接的第一极和第二极；

所述发光元件包括：与所述像素驱动电路的至少一个薄膜晶体管的第一极连接的阳极；与所述阳极连接的所述薄膜晶体管的控制极和有源层在所述基底上的正投影部分交叠，形成一交叠区域，所述阳极在所述基底上的正投影与所述交叠区域没有重叠。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阳极具有镂空区域，所述镂空区域在所述基底上的正投影覆盖所述交叠区域，且所述镂空区域在所述基底的正投影的面积大于所述交叠区域的面积。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一绝缘层设置在所述有源层远离所述基底的一侧；或者，所述第一绝缘层设置在所述有源层靠近所述基底的一侧。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层包括：第一极接触区、第二极接触区、以及连接所述第一极接触区和第二极接触区的连接区；所述薄膜晶体管的控制极与所述有源层的连接区在所述基底上的正投影部分交叠形成所述交叠区域。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述连接区的数目为多个，且相邻的连接区之间设有间隔。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述像素驱动电路的多个薄膜晶体管包括：驱动晶体管、第一开关晶体管以及第二开关晶体管，所述像素驱动电路还包括：存储电容；

所述第一开关晶体管的控制极与第一扫描信号线连接，所述第一开关晶体管的第一极与数据信号线连接，所述第一开关晶体管的第二极与驱动晶体管的控制极连接；所述驱动晶体管的第一极与第一电源线连接，所述驱动晶体管的第二极与所述发光元件的阳极连接；所述第二开关晶体管的控制极与第二扫描信号线连接，所述第二开关晶体管的第一极与所述发光元件的阳极连接，所述第二开关晶体管的第二极与检测线连接；

所述第二开关晶体管的控制极和有源层在所述基底上的正投影部分交叠，形成交叠区域，所述阳极在所述基底上的正投影与所述交叠区域没有重叠。

7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至6中任一项所述的显示基板。

8.一种显示基板的维修方法，其特征在于，应用于如权利要求1至6中任一项所述的显示基板，所述维修方法，包括：

在制备所述发光元件的阳极后，检测到与所述阳极连接的薄膜晶体管的控制极与有源层短路时，切断所述薄膜晶体管的控制极与有源层之间的连接。

9.根据权利要求8所述的维修方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层包括：第一极接触区、第二极接触区、以及连接所述第一极接触区和第二极接触区的连接区；

所述切断所述薄膜晶体管的控制极与有源层之间的连接，包括：切断所述连接区与所述第一极接触区和第二极接触区的连接，以断开所述控制极与所述有源层的连接。

10.根据权利要求9所述的维修方法，其特征在于，所述连接区的数目为多个，且相邻的连接区之间设有间隔；

所述切断所述薄膜晶体管的控制极与有源层之间的连接，包括：切断与所述控制极发生短路的连接区与对应的第一极接触区和第二极接触区的连接。

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