KR20080074565A - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080074565A KR20080074565A KR1020070013867A KR20070013867A KR20080074565A KR 20080074565 A KR20080074565 A KR 20080074565A KR 1020070013867 A KR1020070013867 A KR 1020070013867A KR 20070013867 A KR20070013867 A KR 20070013867A KR 20080074565 A KR20080074565 A KR 20080074565A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- driving
- electrode
- switching
- conductive layer
- layer
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 22
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 279
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 65
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 58
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 31
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 22
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 22
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 15
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- -1 aluminum (Al) Chemical class 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007715 excimer laser crystallization Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 1-phenylanthracene Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12 BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1251—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs comprising TFTs having a different architecture, e.g. top- and bottom gate TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
- H01L29/458—Ohmic electrodes on silicon for thin film silicon, e.g. source or drain electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 표시 장치는 구동 소스 전극 및 구동 드레인 전극을 포함하는 제1 도전층과, 상기 제1 도전층과 절연 배치되며, 구동 게이트 전극, 스위칭 게이트 전극 및 게이트 라인을 포함하는 제2 도전층과, 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층과 절연 배치되며, 스위칭 소스 전극, 스위칭 드레인 전극, 데이터 라인 및 공통 전원 라인을 포함하는 제3 도전층을 포함한다.
Description
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 배치도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선 및 Ⅱ'-Ⅱ'선을 따라 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 9는 도 1의 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 배치도 및 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치의 부분 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 스위칭 박막 트랜지스터 20 : 구동 박막 트랜지스터
30 : 유기 발광 소자 40 : 축전 소자
110 : 기판 부재 127 : 구동 반도체층
131 : 제1 공통 전원 라인 133 : 제1 유지 전극
138 : 구동 소스 전극 139 : 구동 드레인 전극
140 : 제1 절연막 151 : 게이트 라인
153 : 제2 유지 전극 154 : 스위칭 게이트 전극
157 : 구동 게이트 전극 160 : 제2 절연막
174 : 스위칭 반도체층 181 : 데이터 라인
182 : 제2 공통 전원 라인 185 : 스위칭 소스 전극
186 : 스위칭 드레인 전극 190 : 보호막
191 : 제1 접촉 구멍 192 : 제2 접촉 구멍
193 : 제3 접촉 구멍 194 : 제4 접촉 구멍
195 : 제5 접촉 구멍 310 : 화소 전극
311 : 제1 연결 부재 312 : 제2 연결 부재
320 : 유기층 330 : 공통 전극
350 : 화소 정의막
본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 불량의 발생을 억제하고 전기적 특성을 향상시킨 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치에는 여러 종류가 있다. 그 중에서 급속하게 발전하고 있는 반도체 기술을 중심으로 소형화 및 경량화 되면서 성능이 더욱 향상된 액정 표시(liquid crystal display, LCD) 장치 및 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display, OLED)가 대표적인 표시 장치로 자리 잡고 있다.
액정 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치는 일반적으로 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)가 형성된 표시판을 사용하고 있다. 여기서, 표시판은 다수의 화소(화소는 화면을 표시하는 최소단위를 말한다)를 통해 화상을 표시한다.
유기 발광 표시 장치는 하나의 화소에 둘 이상의 박막 트랜지스터가 형성되며, 공통 전원 라인, 게이트 라인 및 데이터 라인을 포함한 여러 라인들이 각각 박막 트랜지스터의 전극들과 연결된다.
박막 트랜지스터는 여러 도전막, 반도체층 및 절연막 등이 중첩되어 만들어진다. 따라서 박막 트랜지스터는 구조적으로 굴곡 및 단차(段差)를 갖는다. 이와 같이 도전막에 의해 굴곡 및 단차가 형성된 부분을 덮는 절연막은 얇게 형성되기 쉽다. 이와 같이 얇게 형성된 절연막은 동작 전압에 의해 파괴되어 단락이 발생되는 문제점이 있다.
또한, 도전막에 사용된 금속의 종류에 따라 힐럭(hillock) 발생과 같은 현상이 일어날 수 있다. 도전막에 발생된 힐럭은 절연막의 얇은 부분을 뚫게 된다. 따라서 도전막에 발생된 힐럭은 다른 층의 도전막과의 단락으로 직결된다.
이러한 문제점을 개선하기 위해서, 절연막 아래에 배치된 도전막은 열적 안정성이 우수한 금속을 사용하여 두께가 얇게 형성하는 방법을 사용할 수 있다.
그러나 열적 안정성이 우수한 금속은 상대적으로 비저항이 큰 경향이 있으므로, 이러한 금속으로 도전막을 형성하면 전기적 특성이 나빠 전압 강하가 심각하게 일어난다. 따라서 표시 장치는 모든 화소에 걸쳐 일정한 전압을 인가하지 못하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 단락과 같은 불량의 발생을 억제함고 동시에 전체적인 비저항을 낮춰 전기적 특성을 향상시킨 표시 장치를 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 상기한 표시의 제조 방법을 제공하고자 한다.
전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 표시 장치는 구동 소스 전극 및 구동 드레인 전극을 포함하는 제1 도전층과, 상기 제1 도전층과 절연 배치되며, 구동 게이트 전극, 스위칭 게이트 전극 및 게이트 라인을 포함하는 제2 도전층과, 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층과 절연 배치되며, 스위칭 소스 전극, 스위칭 드레인 전극, 데이터 라인 및 공통 전원 라인을 포함하는 제3 도전층을 포함한다.
상기 제1 도전층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 탄탈(Ta) 등과 같이 상기 제3 도전층에 비해 상대적으로 열적 안정성이 우수한 금속을 포함하여 만들어지며, 상기 제3 도전층은 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 은(Ag) 등과 같이 상기 제1 도전층에 비해 상대적으로 비저항이 낮은 금속을 포함하여 만들어질 수 있다.
상기 제2 도전층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈(Ta), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 은(Ag) 중에서 하나 이상의 금속을 포함하여 만들어질 수 있다.
상기 스위칭 게이트 전극은 상기 게이트 라인에서 분기되며, 상기 스위칭 소스 전극은 상기 데이터 라인에서 분기되고, 상기 스위칭 드레인 전극은 상기 구동 게이트 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 구동 소스 전극은 상기 공통 전원 라인 과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 구동 소스 전극에서 연장 형성된 제1 유지 전극과, 상기 구동 게이트 전극에서 분기되며 상기 제1 유지 전극과 중첩된 제2 유지 전극을 더 포함하며, 상기 제1 유지 전극과 상기 제2 유지 전극은 축전 소자를 형성할 수 있다.
상기 제1 도전층, 상기 제2 도전층 및 상기 제3 도전층과 다른 층에 형성된 제1 연결 부재 및 제2 연결 부재를 더 포함하며, 상기 제1 연결 부재는 상기 스위칭 드레인 전극과 상기 구동 게이트 전극을 전기적으로 연결하고, 상기 제2 연결 부재는 상기 공통 전원 라인과 상기 구동 소스 전극을 전기적으로 연결할 수 있다.
상기 제1 도전층은 상기 구동 소스 전극에서 연장 형성된 보조 공통 전원 라인을 더 포함하며, 상기 보조 공통 전원 라인은 상기 공통 전원 라인을 따라 중첩 배치될 수 있다.
상기한 표시 장치에 있어서, 상기 구동 드레인 전극과 전기적으로 연결된 유기 발광 소자를 더 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 소자는 상기 제3 도전층 상에 절연 배치되며 상기 구동 드레인 전극과 전기적으로 연결된 화소 전극과, 상기 제1 화소 전극 상에 형성된 유기층과, 상기 유기층 상에 형성된 공통 전극을 포함할 수 있다.
상기 화소 전극은 ITO(Indium Tin Oxide) 계열 및 IZO(Indium Zinc Oxide) 계열 중 하나 이상을 포함하여 만들어질 수 있다.
상기 구동 게이트 전극, 상기 구동 소스 전극 및 상기 구동 드레인 전극은 구동 박막 트랜지스터를 형성하며, 상기 스위칭 게이트 전극, 상기 스위칭 소스 전 극 및 상기 스위칭 드레인 전극은 스위칭 박막 트랜지스터를 형성할 수 있다.
상기 구동 박막 트랜지스터는 다결정 규소를 포함하여 만들어진 구동 반도체층을 더 포함하고, 상기 스위칭 박막 트랜지스터는 비정질 규소를 포함하여 만들어진 스위칭 반도체층을 더 포함할 수 있다.
상기 구동 반도체층은 상기 구동 소스 전극, 상기 구동 드레인 전극 및 상기 구동 게이트 전극 아래에 중첩되며, 상기 구동 박막 트랜지스터는 상기 구동 소스 전극 및 상기 구동 반도체층 사이 및 상기 구동 드레인 전극 및 상기 구동 반도체층 사이에 각각 배치된 구동 저항성 접촉층을 더 포함할 수 있다.
상기 구동 반도체층은 상기 게이트 전극과 상기 구동 소스 전극 및 상기 구동 드레인 전극 사이에 배치되며, 상기 구동 박막 트랜지스터는 상기 구동 소스 전극 및 상기 구동 반도체층 사이 및 상기 구동 드레인 전극 및 상기 구동 반도체층 사이에 각각 배치된 구동 저항성 접촉층을 더 포함할 수 있다.
또한, 전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 표시 장치 제조 방법은 기판 부재를 마련하는 단계와, 상기 기판 부재 상에 구동 소스 전극 및 구동 드레인 전극을 포함하는 제1 도전층을 형성하는 단계와, 상기 기판 부재 상에 구동 게이트 전극, 스위칭 게이트 전극 및 게이트 라인을 포함하는 제2 도전층을 형성하는 단계와, 상기 기판 부재 상에 스위칭 소스 전극, 스위칭 드레인 전극, 데이터 라인 및 공통 전원 라인을 포함하는 제3 도전층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제1 도전층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 탄탈(Ta) 등과 같이 상기 제3 도전층에 비해 상대적으로 열적 안정성이 우수한 금속을 포함하여 만들어지며, 상기 제3 도전층은 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 은(Ag) 등과 같이 상기 제1 도전층에 비해 상대적으로 비저항이 낮은 금속을 포함하여 만들어질 수 있다.
상기 제1 도전층, 상기 제2 도전층 및 상기 제3 도전층은 각각 서로 절연 배치되며, 상기 구동 소스 전극과 상기 공통 전극 라인과 전기적으로 연결되고, 상기 스위칭 드레인 전극은 상기 구동 게이트 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 구동 드레인 전극과 전기적으로 연결된 화소 전극과, 상기 화소 전극 상에 형성된 유기층과, 상기 유기층 상에 형성된 공통 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 구동 게이트 전극, 상기 구동 소스 전극 및 상기 구동 드레인 전극은 구동 박막 트랜지스터를 형성하며, 상기 구동 박막 트랜지스터는 다결정 규소를 포함하여 만들어진 구동 반도체층을 더 포함하고, 상기 스위칭 게이트 전극, 상기 스위칭 소스 전극 및 상기 스위칭 드레인 전극은 스위칭 박막 트랜지스터를 형성하며, 상기 스위칭 박막 트랜지스터는 비정질 규소를 포함하여 만들어진 스위칭 반도체층을 더 포함할 수 있다.
이에, 표시 장치는 단락과 같은 불량의 발생을 억제함과 동시에 전체적인 비저항을 낮출 수 있다. 또한, 상기한 표시 장치를 제조할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
첨부 도면에서는, 표시 장치로 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display, OLED)를 도시하고 있다.
또한, 첨부 도면에서는, 하나의 화소(화면을 표시하는 최소 단위를 말한다)에 두개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 표시 장치는 하나의 화소에 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되어 다양한 구조를 갖도록 형성할 수도 있다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1 실시예에서 설명하고, 그 외의 제2 실시예에서는 제1 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
또한, 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 “위에” 또는 “상에” 있다고 할 때, 이는 다른 부분 “바로 위에”있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 “바로 위에”있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 도시한 배치도이다. 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선 및 Ⅱ'-Ⅱ'선을 따라 도시한 단면도이다.
도 1에서 도시한 바와 같이, 표시 장치(100)는 하나의 화소에 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전 소자(40), 그리고 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(30)를 포함한다. 그리고 표시 장치(100)는 일 방향을 따라 배치되는 게이트 라인(151)과, 게이트 라인(151)과 절연 교차되는 데이터 라인(181), 공통 전원 라인(182)을 더 포함한다. 또한, 표시 장치(100)는 보조 공통 전원 라인(131)을 더 포함한다. 그러나 본 발명에 따른 제1 실시예는 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 보조 공통 전원 라인(131)은 생략될 수 있다.
유기 발광 소자(30)는 화소 전극(310)과, 화소 전극(310) 상에 형성된 유기층(320)(도 2에 도시)과, 유기층(320) 상에 형성된 공통 전극(330)(도 2에 도시)을 포함한다. 여기서, 화소 전극(310)은 정공 주입 전극인 양(+)극이며, 공통 전극(330)은 전자 주입 전극인 음(-)극이 된다. 정공과 전자가 각각 화소 전극(310) 및 공통 전극(320)으로부터 유기층(320) 내부로 주입된다. 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는 스위칭 게이트 전극(154), 스위칭 소스 전극(185) 및 스위칭 드레인 전극(186)을 포함하고, 구동 박막 트랜지스터(20)는 구동 게이트 전극(157), 구동 소스 전극(138) 및 구동 드레인 전극(139)을 포함한다.
축전 소자(40)는 제1 절연막(140)(도 2에 도시)을 사이에 두고 배치된 제1 유지 전극(133)과 제2 유지 전극(153)을 포함한다.
구동 소스 전극(138), 구동 드레인 전극(139), 제1 유지 전극(133) 및 보조공통 전원 라인(131) 등은 제1 도전층에 형성된다. 구동 게이트 전극(157), 스위칭 게이트 전극(154), 제2 유지 전극(153) 및 게이트 라인(151) 등은 제2 도전층에 형성된다. 스위칭 소스 전극(185), 스위칭 드레인 전극(186), 데이터 라인(181) 및 제2 공통 전원 라인(182) 등은 제3 도전층에 형성된다. 여기서, 제2 도전층(151, 153, 154, 157)은 제1 도전층(131, 133, 138, 139) 상에 절연 배치되고, 제3 도전층(181, 182, 185, 186)은 제2 도전층(151, 153, 154, 157) 상에 절연 배치된다.
보조 공통 전원 라인(131)은 공통 전원 라인(182)을 따라 중첩 배치되며, 보조 공통 전원 라인(131)과 공통 전원 라인(182)은 전기적으로 연결된다. 또한, 제1 유지 전극(133) 및 보조 공통 전원 라인(131)은 구동 소스 전극(138)에서 연장 형성된다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 게이트 전극(154)은 게이트 라인(151)에서 분기된다. 스위칭 소스 전극(185)은 데이터 라인(181)에서 분기된다. 스위칭 드레인 전극(186)은 독립적으로 배치되며 제2 유지 전극(153)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 제2 유지 전극(153)은 구동 게이트 전극(157)에서 연장 형성된다.
또한, 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 스위칭 반도체층(174)을 더 포함한다. 스위칭 반도체층(174)은 스위칭 게이트 전극(154)과 스위칭 소스 전극(185) 및 스 위칭 드레인 전극(156) 사이에 배치된다. 스위칭 반도체층(174)은 스위칭 게이트 전극(154)과 중첩되고, 스위칭 소스 전극(185) 및 스위칭 드레인 전극(186)은 적어도 일부가 스위칭 반도체층(174)과 중첩된다.
또한, 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 스위칭 반도체층(174)과 스위칭 소스 전극(185) 사이 및 스위칭 반도체층(174)과 스위칭 드레인 전극(186) 사이에 각각 배치된 스위칭 저항성 접촉층(175, 176)을 더 포함한다. 스위칭 저항성 접촉층(175, 176)은 각각 스위칭 반도체층(174), 스위칭 소스 전극(185) 및 스위칭 드레인 전극(186)과 접한다.
구동 박막 트랜지스터(20)는 선택된 유기 발광 소자(30)의 유기층(320)(도 2에 도시)을 발광시키기 위한 구동 전원을 화소 전극(310)에 인가한다.
구동 박막 트랜지스터(20)의 구동 게이트 전극(157)은 연장되어 제2 유지 전극(153)을 형성하므로, 결과적으로 구동 게이트 전극(157)은 스위칭 드레인 전극(186)과 전기적으로 연결된다. 구동 소스 전극(138)은 공통 전원 라인(182)과 전기적으로 연결된다. 구동 드레인 전극(139)은 유기 발광 소자(30)의 화소 전극(310)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 화소 전극(310)은 제1 접촉 구멍(191)을 통해 구동 드레인 전극(139)과 연결된다.
또한, 구동 박막 트랜지스터(20)는 구동 반도체층(127)을 포함한다. 구동 반도체층(127)은 구동 게이트 전극(157), 구동 소스 전극(138) 및 구동 드레인 전극(139) 아래에 중첩 배치된다.
또한, 구동 박막 트랜지스터(20)는 구동 소스 전극(138) 및 구동 반도체 층(127) 사이 및 구동 드레인 전극(139) 및 구동 반도체층(127) 사이에 각각 배치된 구동 저항성 접촉층(128, 129)을 더 포함한다. 구동 저항성 접촉층(128, 129)은 각각 구동 반도체층(127), 구동 소스 전극(138) 및 구동 드레인 전극(139)과 접한다.
또한, 표시 장치(100)는 화소 전극(310)과 동일한 층에 형성된 제1 연결 부재(311) 및 제2 연결 부재(312)를 더 포함한다.
제1 연결 부재(311)는 서로 다른 층에 형성된 스위칭 드레인 전극(186)과 구동 게이트 전극(157), 구체적으로 구동 게이트 전극(157)에서 연장 형성된 제2 유지 전극(153)을 전기적으로 연결시킨다. 여기서, 제1 연결 부재(311)는 제2 접촉 구멍(192) 및 제3 접촉 구멍(193)을 통해 각각 스위칭 드레인 전극(186) 및 제2 유지 전극(153)과 연결된다.
제2 연결 부재(312)는 서로 다른 층에 형성된 구동 소스 전극(138)과 공통 전원 라인(182)을 전기적으로 연결시킨다. 여기서, 제2 연결 부재(312)는 제4 접촉 구멍(194) 및 제5 접촉 구멍(195)을 통해 각각 구동 소스 전극(138) 및 공통 전원 라인(182)과 연결된다. 따라서 보조 공통 전원 라인(131)은 공통 전원 라인(182)과도 전기적으로 연결된다.
제1 도전층(131, 133, 138, 139)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 탄탈(Ta) 중 하나 이상의 금속 포함하여 만들어진다. 구체적으로 제1 도전층(131, 133, 138, 139)은 몰리브덴(Mo) 및 크롬(Cr)과 같이 상대적으로 열적 안정성이 우수한 금속을 사용하여 단일막으로 형성되는 것이 바람직하다.
제2 도전층(151, 153, 154, 157)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈(Ta), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 은(Ag) 중에서 하나 이상의 금속을 포함하여 만들어진다. 제2 도전층(151, 153, 154, 157)은 필요에 따라 다양한 금속 및 합금 등을 사용하여 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
제3 도전층(181, 182, 185, 186)은 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 은(Ag) 등의 저저항 금속을 하나 이상 포함하여 만들어진다. 구체적으로, 제3 도전층(181, 182, 185, 186)은 알루미늄(Al)으로 만들어진 단일층 또는 몰리브덴(Mo)/알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo)으로 만들어진 다중층과 같이 상대적으로 비저항이 낮은 금속을 포함한 구조로 형성되는 것이 바람직하다.
즉, 제1 도전층(131, 133, 138, 139)은 제3 도전층(181, 182, 185, 186)과 비교하여 상대적으로 열적 안정성은 우수하고, 제3 도전층(181, 182, 185, 186)은 제1 도전층(131, 133, 138, 139)과 비교하여 상대적으로 비저항이 낮다.
이와 같은 구성에 의하여, 단락과 같은 불량의 발생을 억제함과 동시에 표시 장치(100)의 전체적인 비저항을 낮춰 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
즉, 열적 안정성이 요구되는 구동 박막 트랜지스터(20)의 구동 소스 전극(138) 및 구동 드레인 전극(139)이 포함된 제1 도전층(131, 133, 138, 139)을 상대적으로 열적 안정성이 우수한 금속을 사용하여 형성한다. 따라서 구동 소스 전극(138) 및 구동 드레인 전극(139)에서 힐럭(hillock) 발생과 같은 현상이 일어나는 것을 억제할 수 있다. 이에, 구동 소스 전극(138) 및 구동 드레인 전극(139)이 구동 게이트 전극(157)과 같은 다른 층의 도전막과 불필요하게 접촉하여 단락되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 제1 도전층(131, 133, 138, 139)은 다른 도전층에 비해 상대적으로 열적 안정성이 우수한 금속을 사용하여 얇은 두께를 갖도록 형성한다. 즉, 제1 도전층(131, 133, 138, 139)은 열적 안정성이 우수한 금속을 사용하므로 힐럭이 잘 발생되지 않는다. 따라서 제1 도전층(131, 133, 138, 139)은 단일막으로 형성할 수 있어, 다중막으로 형성된 구조보다 두께를 줄일 수 있다. 따라서 구동 소스 전극(138) 및 구동 드레인 전극(139)으로 인한 단차를 최소화할 수 있다. 이에, 구동 소스 전극(138) 및 구동 드레인 전극(139)을 덮는 제1 절연막(140)이 얇아지는 것을 억제할 수 있다. 결과적으로, 구동 소스 전극(138) 및 구동 드레인 전극(139)이 구동 게이트 전극(157)과 같은 다른 도전층과 단락되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
반면, 제1 도전층(131, 133, 138, 139)에 포함된 보조 공통 전원 라인(131)은 구동 소스 전극(138) 및 구동 드레인 전극(139)과 마찬가지로 열적 안정성이 우수한 반면 상대적으로 비저항이 높은 금속으로 만들어진다. 따라서 전류가 보조 공통 전원 라인(131)만을 통해 흐른다면 심각한 전압 강하를 예상할 수 있다.
그러나 보조 공통 전원 라인(131)을 따라 중첩 배치되며, 보조 공통 전원 라인(131) 및 구동 소스 전극(138)과 전기적으로 연결된 공통 전원 라인(182)은 상대적으로 비저항이 낮은 금속을 사용하여 만들어진 제3 도전층(181, 182, 185, 186)에 포함된다. 따라서 전류는 공통 전원 라인(182)을 통해 흐를 수 있으므로 저항에 의한 전압 강하를 억제할 수 있다. 즉, 전류는 주로 공통 전원 라인(182)을 통 해 흐르다가 구동 소스 전극(138)으로 전달되므로, 표시 장치(100)의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. 이에, 각 화소의 유기 발광 소자(30)에 일정한 전압을 인가할 수 있게 된다.
또한, 공통 전원 라인(131, 182)이 이중으로 형성되므로, 어느 하나의 공통 전원 라인(131, 182)이 단선되어도 다른 하나의 공통 전원 라인(131, 182)에 의해 작동 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 장점도 있다.
또한, 표시 장치(100)의 전체적인 저항이 낮아지기 때문에 공통 전원 라인(182) 및 보조 공통 전원 라인(131)의 폭을 줄일 수 있다. 따라서 표시 장치(100)는 향상된 개구율을 가질 수 있다.
도 2를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치(100)의 구조에 대해 상세히 설명한다.
기판 부재(110)는 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판 또는 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 기판으로 형성된다. 기판 부재(110)를 유연성을 갖는 소재로 형성하면 표시 장치(100)의 활용 범위가 넓어지므로, 표시 장치(100)의 유용성을 더욱 높일 수 있다.
기판 부재(110) 상에는 버퍼층(115)이 형성된다. 여기서, 버퍼층(115)은 불순 원소의 침투를 방지하며 표면을 평탄화하는 역할을 한다. 그러나 버퍼층(115)은 기판 부재(110)의 종류 및 반도체층(127)의 종류에 따라 생략될 수도 있다.
버퍼층(115) 위에는 구동 반도체층(127)이 형성된다. 구동 반도체층(127)은 다결정 규소로 만들어진다. 버퍼층(115) 및 구동 반도체층(127) 위에는 보조 공통 전원 라인(131), 제1 유지 전극(133), 구동 소스 전극(138) 및 구동 드레인 전극(139)을 포함한 제1 도전층이 형성된다. 여기서, 제1 유지 전극(133) 및 공통 전원 라인(131)은 보조 구동 소스 전극(138)에서 연장 형성되며, 구동 드레인 전극(139)은 독립적으로 형성된다. 또한, 제1 도전층(131, 133, 138, 139)은 다른 도전층, 특히 제3 도전층(181, 182, 185, 186)에 비해 상대적으로 열적 안정성이 우수한 금속을 사용하여 얇은 두께를 갖도록 형성된다. 그리고 구동 소스 전극(138) 및 구동 드레인 전극(139)의 적어도 일부는 구동 반도체층(127)과 중첩된다.
또한, 구동 반도체층(127)과 구동 소스 전극(138) 사이 및 구동 반도체층(127)과 구동 드레인 전극(139) 사이에는 구동 저항성 접촉층(128, 129)이 형성된다. 구동 저항성 접촉층(128, 129)은 n형 불순물이 고농도 도핑된 n+ 다결정 규소로 만들어진다. 구동 저항성 접촉층(128, 129)은 구동 반도체층(127)과 구동 소스 전극(138) 및 구동 드레인 전극(139) 간의 접촉 저항을 감소시킨다.
제1 도전층(131, 133, 138, 139) 위에는 제1 절연막(140)이 형성된다. 그리고 제1 절연막(140) 위에는 게이트 라인(151), 구동 게이트 전극(157), 스위칭 게이트 전극(154) 및 제2 유지 전극(153)을 포함한 제2 도전층이 형성된다. 여기서, 스위칭 게이트 전극(154)은 게이트 라인(151)에서 분기되고, 구동 게이트 전극(157)은 독립적으로 형성된다. 제2 유지 전극(153)은 구동 게이트 전극(157)에서 연장 형성되며 제1 유지 전극(133)과 중첩된다.
제2 도전층(151, 153, 154, 157) 위에는 제2 절연막(160)이 형성된다. 그리 고 제2 절연막(160) 위에는 스위칭 반도체층(174)이 형성된다. 스위칭 반도체층(174)은 비정질 규소층으로 만들어진다.
제2 절연막(160) 및 스위칭 반도체층(174) 위에는 공통 전원 라인(182), 데이터 라인(181), 스위칭 소스 전극(185), 스위칭 드레인 전극(186)을 포함하는 제3 도전층을 포함한다. 여기서, 스위칭 소스 전극(185)은 데이터 라인(181)에서 분기되고, 스위칭 드레인 전극(186)은 독립적으로 형성된다. 그리고 스위칭 소스 전극(185) 및 스위칭 드레인 전극(186)의 적어도 일부는 스위칭 반도체층(174)과 중첩된다. 공통 전원 라인(182)은 보조 공통 전원 라인(131)을 따라 중첩된다.
스위칭 반도체층(174)과 스위칭 소스 전극(185) 사이 및 스위칭 반도체층(174)과 스위칭 드레인 전극(186) 사이에는 스위칭 저항성 접촉층(175, 176)이 형성된다. 스위칭 저항성 접촉층(175, 176)은 n형 불순물이 고농도 도핑된 n+ 비정질 규소로 만들어진다. 스위칭 저항성 접촉층(175, 176)은 구동 반도체층(174)과 구동 소스 전극(185) 및 구동 드레인 전극(186) 간의 접촉 저항을 감소시킨다.
제3 도전층(181, 182, 185, 186) 위에는 보호막(190)이 형성된다. 보호막(190)은 평탄화 특성을 갖는 것이 좋다. 보호막(190)은 제1 접촉 구멍(191), 제2 접촉 구멍(192), 제3 접촉 구멍(193), 제4 접촉 구멍(194) 및 제5 접촉 구멍(195)을 포함한 다수의 접촉 구멍을 갖는다.
제1 접촉 구멍(191)은 보호막(190)뿐만 아니라 제1 절연막(140) 및 제2 절연막(160)에 함께 형성되어 구동 드레인 전극(139)의 일부를 드러낸다. 제2 접촉 구멍(192)은 스위칭 드레인 전극(186)의 일부를 드러낸다. 제3 접촉 구멍(193)은 보 호막(190)뿐만 아니라 제2 절연막(160)에 함께 형성되어 제2 유지 전극(153)의 일부를 드러낸다. 제4 접촉 구멍(194)은 보호막(190)뿐만 아니라 제1 절연막(140) 및 제2 절연막(160)에 함께 형성되어 제1 공통 전원 라인(131)의 일부를 드러낸다. 제5 접촉 구멍(195)은 제2 공통 전원 라인(182)의 일부를 드러낸다.
보호막(190) 위에는 화소 전극(310), 제1 연결 부재(311) 및 제2 연결 부재(312)가 형성된다. 화소 전극(310)은 제1 접촉 구멍(191)을 통해 구동 드레인 전극(139)과 전기적으로 연결된다. 제1 연결 부재(311)는 제2 접촉 구멍(192) 및 제3 접촉 구멍(193)을 통해 각각 스위칭 드레인 전극(186)과 제2 유지 전극(153)을 서로 연결한다. 제2 접촉 부재(312)는 제4 접촉 구멍(194) 및 제5 접촉 구멍(195)을 통해 구동 소스 전극(138)과 공통 전원 라인(182)을 서로 연결한다. 따라서 공통 전원 라인(182)과 보조 공통 전원 라인(131)도 서로 연결된다.
화소 전극(310), 제1 연결 부재(311) 및 제2 연결 부재(312)는 ITO(Indium Tin Oxide) 계열 및 IZO(Indium Zinc Oxide) 계열 중 하나 이상의 소재를 사용하여 투명한 도전막으로 형성된다.
화소 전극(310), 제1 연결 부재(311) 및 제2 연결 부재(312) 위에는 화소 정의막(350)이 형성된다. 화소 정의막(350)은 화소 전극(310)을 드러내는 개구부를 갖는다. 즉, 화소 정의막(350)은 실질적으로 표시 장치(100)에서 각각의 화소를 정의하게 된다.
그리고 화소 정의막(350)의 개구부 내에서 화소 전극(310) 위에는 유기층(320)이 형성되고, 화소 정의막(350) 및 유기층(320)을 덮는 공통 전극(330)이 형성된다. 여기서, 화소 전극(310), 유기층(320) 및 공통 전극(330)은 유기 발광 소자(30)를 형성한다.또한, 보호막(190)이 평탄하게 형성되므로, 보호막(190) 위에 형성된 화소 전극(310) 및 유기층(320)도 평탄하게 형성된다. 이와 같이 유기층(320)이 균일한 두께를 갖도록 평탄하게 형성되면 유기 발광 소자(30)가 균일한 휘도를 가질 수 있게 된다.유기층(320)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 만들어진다. 또한, 유기층(320)은 정공 주입층(hole-injection layer, HIL), 정공 수송층(hole-transporting layer, HTL), 발광층, 전자 수송층(electron-transportiong layer, ETL), 그리고 전자 주입층(electron-injection layer, EIL)을 포함하는 다중층으로 만들어진다. 즉, 정공 주입층은 양극인 화소 전극(310) 상에 배치되고, 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층된다.
정공 주입층 및 정공 수송층은 강한 형광을 가진 아민(amine)유도체, 일예로 트리페닐디아민 유도체, 스티릴 아민 유도체, 방향족 축합환을 가지는 아민 유도체를 사용할 수 있다.
전자 수송층으로는 퀴놀린(quinoline) 유도체, 특히 알루미늄 트리스(8-히드록시퀴놀린) (aluminum tris(8-hydroxyquinoline), Alq3)를 사용할 수 있다. 또한 페닐 안트라센(phenyl anthracene) 유도체, 테트라아릴에텐 유도체도 사용할 수 있다. 전자 주입층으로는 바륨(Ba) 또는 칼슘(Ca)으로 형성될 수 있다.
발광층은 빛을 발생한다. 또한, 본 발명에 따른 제1 실시예에서, 표시 장치(100)는 보호막(190) 아래에 유기층(320)과 중첩되도록 배치된 컬러 필터(250)를 더 포함한다. 따라서 유기층(320)에서 발광된 빛이 색을 갖게 된다. 컬러 필터(250)는 각각 적색, 녹색 및 청색의 3원색을 갖는다. 그러나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 컬러 필터(250)는 3원색 이외의 색을 가질 수 있다.
또한, 일부 유기층(320)은 컬러 필터(250)와 중첩되지 않는다. 이와 같이, 컬러 필터(250)가 형성되지 않는 화소는 백색을 표시한다.
또한, 백색, 적색, 청색 및 녹색을 각각 발광하는 4개의 화소가 하나의 그룹이 된다. 그리고 하나의 그룹에 속한 화소는 동일한 공통 전원 라인(182) 및 보조 공통 전원 라인(131)과 연결된다.
그러나 본 발명에 따른 제1 실시예가 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 발광층(320)은 각각 3원색 및 백색의 빛을 직접 발광할 수도 있다.
반면, 유기층(320)이 고분자물질로 이루어진 경우, 유기층(320)은 잉크제팅 방식으로 형성될 수 있다. 이 때, 정공 주입층은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT)과 폴리스티렌술폰산(PSS)과 같은 정공 주입 물질로 이루어지 수 있다. 그리고 발광층은 폴리플루오렌 유도체, (폴리)파라페닐렌비닐렌 유도체, 폴리페닐렌 유도체, 폴리비닐카바졸, 폴리티오펜 유도체, 또는 이들의 고분자 재료에 페릴렌계 색소, 로더민계 색소, 루브렌, 페릴렌, 9,10-디페닐안트라센, 테트라페닐부타디엔, 나일 레드, 쿠마린 6, 퀴나크리돈 등을 도핑하여 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 제1 실시예에서 화소 전극(310)이 양극이고, 공통 전극(330)이 음극이지만, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 화소 전극(310)이 전자 주입 전극은 음극이 되고, 공통 전극(330)이 정공 주입 전극인 양극이 될 수도 있다. 이때에는, 화소 전극(310) 위로 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층, 및 정공 주입층 순서로 유기층(320)이 형성된다.
또한, 본 발명에 따른 제1 실시예에서, 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 스위칭 반도체층(174)이 비정질 규소로 만들어진 비정질 규소 박막 트랜지스터이다. 그리고 구동 박막 트랜지스터(20)는 구동 반도체층(127)이 다결정 규소로 만들어진 다결정 규소 박막 트랜지스터이다.
비정질 규소 박막 트랜지스터는 누설전류(leakage current)가 적은 반면 장시간 사용 시 품질인 불안정한 문제가 있다. 반면, 다결정 규소 박막 트랜지스터는 품질이 안정적이지만 누설전류가 비교적 큰 문제가 있다.
다결정 규소 박막 트랜지스터를 구동 박막 트랜지스터(20)로 사용하면, 오프 상태에서 수 nA 수준의 누설 전류로는 유기 발광 소자가 턴온되지 않기 때문에 누설 전류가 문제되지 않는다. 반면, 다결정 규소 박막 트랜지스터를 스위칭 박막 트랜지스터(10)로 사용하면 누설 전류에 의해 크로스 톡(cross talk)과 같은 불량이 발생한다.
따라서 누설 전류가 문제되지 않는 구동 박막 트랜지스터(20)는 다결정 규소 박막 트랜지스터로 형성하여 표시 장치(100)의 품질을 안정적으로 유지하며, 스위칭 박막 트랜지스터(20)는 비정질 규소 박막 트랜지스터로 형성하여 크로스 톡과 같은 불량을 방지한다.
또한, 도 2에는 도시하지 않았으나, 표시장치(100)는 공통 전극(330)을 보호 하고, 유기층(320)으로 수분 및 공기가 침투하는 것을 방지하기 위한 봉지 부재를 더 포함할 수 있다. 봉지 부재는 밀봉수지와 밀봉캔을 포함할 수 있다.
이와 같은 구성에 의하여, 단락과 같은 불량의 발생을 억제함과 동시에 표시 장치(100)의 전체적인 비저항을 낮춰 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 제1 실시예에서, 제1 도전층(131, 133, 138, 139) 상에 제2 도전층(151, 153, 154, 157)을 형성하고, 제2 도전층(151, 153, 154, 157) 상에 제3 도전층(181, 182, 185, 186)을 형성하였으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 도전층(131, 133, 138, 139), 제2 도전층(151, 153, 154, 157) 및 제3 도전층(181, 182, 185, 186)의 배치 구조는 다양하게 형성할 수 있다.
또한, 보조 공통 전극(131)은 반드시 필요한 구성은 아니며, 생략되어도 무방하다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치(100)의 제조 방법을 도 3 내지 도 9를 참조하여 상세히 설명한다.
먼저, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 기판 부재(110) 상에 버퍼층(115)을 형성한다. 버퍼층(115)은 산화 규소 따위로 만들어질 수 있다. 다음, 버퍼층(115) 위에 구동 반도체층(127)을 형성한다. 구동 반도체층(127)은 다결정 규소층으로 만들어진다. 구동 반도체층(127)은 일반적으로 비정질 규소층을 증착한 다음 이를 다결정화하는 방법으로 형성한다. 비정질 규소층을 결정화하는 방법으로는 SPC(solid phase crystallization), ELC(excimer laser crystallization), MIC(metal induced crystallization), MILC(metal induced lateral crystallization), SLS(sequential lateral solidfication) 및 그 외의 다양한 방법이 있다.
다음, 구동 반도체층(127) 위에 구동 저항성 접촉층(128, 129)을 형성한다. 구동 저항성 접촉층(128, 129)은 다결정 규소층에 n형 불순물을 고농도로 도핑하여 형성한다.
다음, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 탄탈(Ta) 등과 같이 상대적으로 열적 안정성이 우수한 금속을 스퍼터링 등의 방법으로 증착하여 형성된 단일층의 금속막을 패터닝하여 제1 도전층(131, 133, 138, 139)을 형성한다. 제1 도전층은 제1 공통 전원 라인(131), 제1 유지 전극(133), 구동 소스 전극(138) 및 구동 드레인 전극(139)을 포함한다.
다음, 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 제1 도전층(131, 133, 138, 139) 위에 질화 규소 또는 산화 규소 따위를 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD) 방법 등으로 증착하여 제1 절연막(140)을 형성한다.
그리고 제1 절연막(140) 위에 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈(Ta), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 은(Ag) 중에서 하나 이상의 금속을 포함하여 만들어진 단일층 또는 다중층의 금속막을 패터닝하여 제2 도전층(151, 153, 154, 157)을 형성한다. 제2 도전층은 게이트 라인(151), 구동 게이트 전극(157), 제2 유지 전극(153) 및 스위칭 게이트(154) 전극을 포함한다.
다음, 도 7 및 도 8에 도시한 바와 같이, 제2 도전층(151, 153, 154, 157) 위에 제1 절연막(140)과 마찬가지 방법으로 제2 절연막(160)을 형성한다. 그리고 제2 절연막(160) 위에 스위칭 반도체층(174)을 형성한다. 여기서, 스위칭 반도체층(174)은 스위칭 게이트 전극(154)과 중첩된다. 스위칭 반도체층(174)은 비정질 규소층으로 만들어진다.다음, 스위칭 반도체층(174) 위에 스위칭 저항성 접촉층(175, 176)을 형성한다. 스위칭 저항성 접촉층(128, 129)은 비정질 규소층에 n형 불순물을 고농도로 도핑하여 형성한다.
다음, 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 은(Ag) 등의 저저항 금속을 하나 이상 포함하여 만들어진 단일층 또는 다중층의 금속막을 패터닝하여 제3 도전층(181, 182, 185, 186)을 형성한다. 제3 도전층은 스위칭 소스 전극(185), 스위칭 드레인 전극(186), 데이터 라인(181) 및 제2 공통 전원 라인(182)을 포함한다.
다음, 컬러 필터(250)를 유기층(320)에 대응하는 위치에 형성한다. 컬러 필터(250)는 모든 유기층(320)에 대응하여 형성되는 것은 아니며, 백색을 구현하고자 하는 화소에서는 컬러 필터(250)를 생략한다.
다음, 도 9에 도시한 바와 같이, 제3 도전층(181, 182, 185, 186) 및 컬러 필터(250) 위에 감광성 물질로 만들어진 보호막(190)을 형성한다. 보호막(190)은 질화 규소(SiNx), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)방법에 의하여 증착된 a-Si:C:O막 또는 a-Si:C:F막(저유전율 CVD막) 및 아크릴계 유기막 등으로 만들어질 수 있다.
그리고 보호막(190), 제1 절연막(140) 및 제2 절연막(160)을 관통하는 제1 접촉 구멍(191) 및 제4 접촉 구멍(194)을 형성한다. 또한, 보호막(190) 및 제2 절연막(160)을 관통하는 제3 접촉 구멍(193)을 형성한다. 또한, 보호막(190)을 관통 하는 제2 접촉 구멍(192) 및 제5 접촉 구멍(195)을 형성한다. 접촉 구멍들(191, 192, 193, 194, 195)은 사진 식각 공정을 통해 형성할 수 있다.
그리고 보호막(190) 위에 화소 전극(310), 제1 연결 부재(311) 및 제2 연결 부재(312)를 형성한다. 여기서, 화소 전극(310), 제1 연결 부재(311) 및 제2 연결 부재(312)는 ITO 또는 IZO를 사용하여 투명하게 만들어진다. 이 때, 화소 전극(310)은 제1 접촉 구멍(191)을 통해 구동 드레인 전극(139)과 연결된다. 제1 연결 부재(311)는 제2 접촉 구멍(192) 및 제3 접촉 구멍(193)을 통해 각각 스위칭 드레인 전극(186) 및 제2 유지 전극(153)과 연결된다. 제2 연결 부재(312)는 제4 접촉 구멍(194) 및 제5 접촉 구멍(195)을 통해 각각 공통 전원 라인(182) 및 보조 공통 전원 라인(131)과 연결된다.
다음, 앞서 도 1 및 도 2에서 도시한 바와 같이, 화소 전극(310), 제1 연결 부재(311) 및 제2 연결 부재(322) 위에 화소 정의막(350)을 형성한다. 여기서, 화소 정의막(350)은 화소 전극(310)을 드러내는 개구부를 갖는다.
마지막으로, 화소 정의막(350)의 개구부에서 화소 전극(310) 상에 유기층(320)을 형성한 후, 화소 정의막(350)과 유기층(320)을 덮는 공통 전극(330)을 형성함으로써 유기 발광 소자(30)를 형성한다.
이와 같은 제조 방법에 의해, 단락과 같은 불량의 발생을 억제함과 동시에 전체적인 비저항을 낮춰 전기적 특성을 향상시킨 표시 장치(100)를 제조할 수 있다.
도 10을 참조하여 본 발명의 제2 실시예를 설명한다.
도 10에 도시한 바와 같이, 구동 박막 트랜지스터(20)에서 구동 반도체층(127)이 구동 소스 전극(138) 및 구동 드레인 전극(139) 위에 형성된다. 즉, 구동 반도체층(127)의 일부가 구동 소스 전극(138) 및 구동 드레인 전극(139)과 중첩되도록 형성된다.
또한, 구동 저항성 접촉층(128, 129)은 구동 반도체층(127)과 구동 소스 전극(138) 및 구동 드레인 전극(139) 사이에 각각 배치되므로, 구동 저항성 접촉층(128, 129)은 구동 반도체층(127) 아래에 각각 배치된다.이와 같은 구성에 의하여, 구동 소스 전극(138) 및 구동 드레인 전극(139)이 구동 게이트 전극(157)을 포함한 제2 도전층(151, 153, 154, 157)과 더욱 거리를 두게 된다.
따라서 표시 장치(200)는 구동 소스 전극(138) 및 구동 드레인 전극(139)이 구동 게이트 전극(157)과 같은 제2 도전층(151, 153, 154, 157)에 불필요하게 접촉하여 단락되는 것을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 설명하였지만, 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 표시 장치는 단락과 같은 불량의 발생을 억제함과 동시에 전체적인 비저항을 낮춰 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
즉, 열적 안정성이 요구되는 구동 박막 트랜지스터의 구동 소스 전극 및 구동 드레인 전극이 포함된 제1 도전층을 상대적으로 열적 안정성이 우수한 금속을 사용하여 형성한다. 따라서 구동 소스 전극 및 구동 드레인 전극에서 힐럭(hillock) 발생과 같은 현상이 일어나는 것을 억제할 수 있다. 이에, 구동 소스 전극 및 구동 드레인 전극이 구동 게이트 전극과 같은 다른 층의 도전막과 불필요하게 접촉하여 단락되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 제1 도전층은 다른 도전층에 비해 상대적으로 열적 안정성이 우수한 금속을 사용하여 얇은 두께를 갖도록 형성한다. 즉, 제1 도전층은 열적 안정성이 우수한 금속을 사용하므로 힐럭이 잘 발생되지 않는다. 따라서 제1 도전층은 단일막으로 형성할 수 있어, 다중막으로 형성된 구조보다 두께를 줄일 수 있다. 따라서 구동 소스 전극 및 구동 드레인 전극으로 인한 단차를 최소화할 수 있다. 이에, 구동 소스 전극 및 구동 드레인 전극을 덮는 제1 절연막이 얇아지는 것을 억제할 수 있다. 결과적으로, 구동 소스 전극 및 구동 드레인 전극이 구동 게이트 전극과 같은 다른 도전층과 단락되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 구동 소스 전극과 전기적으로 연결된 공통 전원 라인은 상대적으로 비저항이 낮은 금속을 사용하여 만들어진 제3 도전층에 포함된다. 따라서 저저항 금속으로 만들어진 공통 전원 라인을 통해 전류가 흐르게 되므로 저항에 의한 전압 강하를 억제할 수 있다. 즉, 전류는 주로 공통 전원 라인을 통해 흐르다가 구동 소스 전극으로 전달되므로, 표시 장치의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. 이에, 각 화소의 유기 발광 소자에 일정한 전압을 인가할 수 있게 된다.또한, 공통 전원 라인이 이중으로 형성되므로, 어느 하나의 공통 전원 라인이 단선되어도 다른 하나의 공통 전원 라인에 의해 작동 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 장점도 있 다.
또한, 표시 장치의 전체적인 저항이 낮아지기 때문에 공통 전원 라인 및 보조 공통 전원 배선 라인의 폭을 줄일 수 있다. 따라서 표시 장치는 향상된 개구율을 가질 수 있다.
또한, 상기한 표시 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.
Claims (19)
- 표시 장치에 있어서,구동 소스 전극 및 구동 드레인 전극을 포함하는 제1 도전층과,상기 제1 도전층과 절연 배치되며, 구동 게이트 전극, 스위칭 게이트 전극 및 게이트 라인을 포함하는 제2 도전층과,상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층과 절연 배치되며, 스위칭 소스 전극, 스위칭 드레인 전극, 데이터 라인 및 공통 전원 라인을 포함하는 제3 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1항에서,상기 제1 도전층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 탄탈(Ta) 등과 같이 상기 제3 도전층에 비해 상대적으로 열적 안정성이 우수한 금속을 포함하여 만들어지며,상기 제3 도전층은 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 은(Ag) 등과 같이 상기 제1 도전층에 비해 상대적으로 비저항이 낮은 금속을 포함하여 만들어진 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제2항에서,상기 제2 도전층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈(Ta), 구 리(Cu), 알루미늄(Al) 및 은(Ag) 중에서 하나 이상의 금속을 포함하여 만들어진 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제2항에서,상기 스위칭 게이트 전극은 상기 게이트 라인에서 분기되며,상기 스위칭 소스 전극은 상기 데이터 라인에서 분기되고,상기 스위칭 드레인 전극은 상기 구동 게이트 전극과 전기적으로 연결되고,상기 구동 소스 전극은 상기 공통 전원 라인과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제4항에서,상기 구동 소스 전극에서 연장 형성된 제1 유지 전극과,상기 구동 게이트 전극에서 분기되며 상기 제1 유지 전극과 중첩된 제2 유지 전극을 더 포함하며,상기 제1 유지 전극과 상기 제2 유지 전극은 축전 소자를 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제4항에서,상기 제1 도전층, 상기 제2 도전층 및 상기 제3 도전층과 다른 층에 형성된 제1 연결 부재 및 제2 연결 부재를 더 포함하며,상기 제1 연결 부재는 상기 스위칭 드레인 전극과 상기 구동 게이트 전극을 전기적으로 연결하고,상기 제2 연결 부재는 상기 공통 전원 라인과 상기 구동 소스 전극을 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제4항에서,상기 제1 도전층은 상기 구동 소스 전극에서 연장 형성된 보조 공통 전원 라인을 더 포함하며,상기 보조 공통 전원 라인은 상기 공통 전원 라인을 따라 중첩 배치된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에서,상기 구동 드레인 전극과 전기적으로 연결된 유기 발광 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제8항에서,상기 유기 발광 소자는,상기 제3 도전층 상에 절연 배치되며 상기 구동 드레인 전극과 전기적으로 연결된 화소 전극과,상기 제1 화소 전극 상에 형성된 유기층과,상기 유기층 상에 형성된 공통 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제9항에서,상기 화소 전극은 ITO(Indium Tin Oxide) 계열 및 IZO(Indium Zinc Oxide) 계열 중 하나 이상을 포함하여 만들어진 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제9항에서,상기 구동 게이트 전극, 상기 구동 소스 전극 및 상기 구동 드레인 전극은 구동 박막 트랜지스터를 형성하며,상기 스위칭 게이트 전극, 상기 스위칭 소스 전극 및 상기 스위칭 드레인 전극은 스위칭 박막 트랜지스터를 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제9항에서,상기 구동 박막 트랜지스터는 다결정 규소를 포함하여 만들어진 구동 반도체층을 더 포함하고,상기 스위칭 박막 트랜지스터는 비정질 규소를 포함하여 만들어진 스위칭 반도체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제12항에서,상기 구동 반도체층은 상기 구동 소스 전극, 상기 구동 드레인 전극 및 상기 구동 게이트 전극 아래에 중첩되며,상기 구동 박막 트랜지스터는 상기 구동 소스 전극 및 상기 구동 반도체층 사이 및 상기 구동 드레인 전극 및 상기 구동 반도체층 사이에 각각 배치된 구동 저항성 접촉층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제12항에서,상기 구동 반도체층은 상기 게이트 전극과 상기 구동 소스 전극 및 상기 구동 드레인 전극 사이에 배치되며,상기 구동 박막 트랜지스터는 상기 구동 소스 전극 및 상기 구동 반도체층 사이 및 상기 구동 드레인 전극 및 상기 구동 반도체층 사이에 각각 배치된 구동 저항성 접촉층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 표시 장치 제조 방법에 있어서,기판 부재를 마련하는 단계와,상기 기판 부재 상에 구동 소스 전극 및 구동 드레인 전극을 포함하는 제1 도전층을 형성하는 단계와,상기 기판 부재 상에 구동 게이트 전극, 스위칭 게이트 전극 및 게이트 라인을 포함하는 제2 도전층을 형성하는 단계와,상기 기판 부재 상에 스위칭 소스 전극, 스위칭 드레인 전극, 데이터 라인 및 공통 전원 라인을 포함하는 제3 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
- 제15항에서상기 제1 도전층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 탄탈(Ta) 등과 같이 상기 제3 도전층에 비해 상대적으로 열적 안정성이 우수한 금속을 포함하여 만들어지며,상기 제3 도전층은 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 은(Ag) 등과 같이 상기 제1 도전층에 비해 상대적으로 비저항이 낮은 금속을 포함하여 만들어지는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
- 제16항에서상기 제1 도전층, 상기 제2 도전층 및 상기 제3 도전층은 각각 서로 절연 배치되며,상기 구동 소스 전극과 상기 공통 전극 라인과 전기적으로 연결되고,상기 스위칭 드레인 전극은 상기 구동 게이트 전극과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
- 제16항에서상기 구동 드레인 전극과 전기적으로 연결된 화소 전극과,상기 화소 전극 상에 형성된 유기층과,상기 유기층 상에 형성된 공통 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
- 제18항에서상기 구동 게이트 전극, 상기 구동 소스 전극 및 상기 구동 드레인 전극은 구동 박막 트랜지스터를 형성하며,상기 구동 박막 트랜지스터는 다결정 규소를 포함하여 만들어진 구동 반도체층을 더 포함하고,상기 스위칭 게이트 전극, 상기 스위칭 소스 전극 및 상기 스위칭 드레인 전극은 스위칭 박막 트랜지스터를 형성하며,상기 스위칭 박막 트랜지스터는 비정질 규소를 포함하여 만들어진 스위칭 반도체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070013867A KR20080074565A (ko) | 2007-02-09 | 2007-02-09 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2007199313A JP2008197614A (ja) | 2007-02-09 | 2007-07-31 | 表示装置及びその製造方法 |
| US11/844,156 US20080191613A1 (en) | 2007-02-09 | 2007-08-23 | Display Device and Method of Manufacturing the Same |
| TW097101512A TW200847410A (en) | 2007-02-09 | 2008-01-15 | Display device and method of manufacturing the same |
| EP08001463A EP1956655A2 (en) | 2007-02-09 | 2008-01-26 | Display device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070013867A KR20080074565A (ko) | 2007-02-09 | 2007-02-09 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080074565A true KR20080074565A (ko) | 2008-08-13 |
Family
ID=39432004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070013867A KR20080074565A (ko) | 2007-02-09 | 2007-02-09 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080191613A1 (ko) |
| EP (1) | EP1956655A2 (ko) |
| JP (1) | JP2008197614A (ko) |
| KR (1) | KR20080074565A (ko) |
| TW (1) | TW200847410A (ko) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8279145B2 (en) * | 2009-02-17 | 2012-10-02 | Global Oled Technology Llc | Chiplet driver pairs for two-dimensional display |
| KR101073545B1 (ko) * | 2010-01-07 | 2011-10-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101155903B1 (ko) * | 2010-03-09 | 2012-06-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| US20150221773A1 (en) * | 2012-09-05 | 2015-08-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for producing same |
| KR102179971B1 (ko) * | 2013-08-23 | 2020-11-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| JP6797042B2 (ja) * | 2017-02-02 | 2020-12-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG103846A1 (en) * | 2001-02-28 | 2004-05-26 | Semiconductor Energy Lab | A method of manufacturing a semiconductor device |
| TWI255032B (en) * | 2004-01-29 | 2006-05-11 | Casio Computer Co Ltd | Transistor array and manufacturing method thereof image processing device |
| KR101054341B1 (ko) * | 2004-04-30 | 2011-08-04 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
-
2007
- 2007-02-09 KR KR1020070013867A patent/KR20080074565A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-07-31 JP JP2007199313A patent/JP2008197614A/ja active Pending
- 2007-08-23 US US11/844,156 patent/US20080191613A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-01-15 TW TW097101512A patent/TW200847410A/zh unknown
- 2008-01-26 EP EP08001463A patent/EP1956655A2/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008197614A (ja) | 2008-08-28 |
| US20080191613A1 (en) | 2008-08-14 |
| TW200847410A (en) | 2008-12-01 |
| EP1956655A2 (en) | 2008-08-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7948173B2 (en) | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same | |
| JP4732140B2 (ja) | 補助電極ラインを備えた有機電界発光素子及びその製造方法 | |
| KR100573132B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| JP4208854B2 (ja) | 電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法 | |
| US8093585B2 (en) | Organic electro-luminescent display apparatus | |
| CN110459578B (zh) | 显示基板及其制备方法和修复方法、显示装置 | |
| KR100685804B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 | |
| KR100740132B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 | |
| KR101100885B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판 | |
| US20070188089A1 (en) | Organic light emitting device and manufacturing method of the same | |
| KR100647599B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2005331919A (ja) | 平板ディスプレイ装置及び電界発光ディスプレイ装置 | |
| JP2006013488A (ja) | 有機薄膜トランジスタを備えた能動駆動型の有機電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法 | |
| KR100700644B1 (ko) | 제 2 전극 전원공급라인을 갖는 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법 | |
| KR20120063746A (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20080074565A (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP5908671B2 (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
| KR100603336B1 (ko) | 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 | |
| US8860032B2 (en) | Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same, and display apparatus having the same which improve switching characteristics | |
| US11616082B2 (en) | Display apparatus | |
| KR100813841B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 | |
| KR101965256B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR100719599B1 (ko) | 평판 디스플레이 장치 | |
| KR100786847B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 | |
| KR20080034704A (ko) | 유기 박막 트랜지스터 표시 기판 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |