KR101054341B1 - 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (21)
- 제1 소스 전극, 제1 드레인 전극, 제1 게이트 전극, 제1 반도체 패턴, 상기 제1 게이트 전극과 제1 반도체 패턴을 전기적으로 절연시키기 위한 제1 게이트 절연막으로 이루어진 제1 박막 트랜지스터,제2 소스 전극, 제2 드레인 전극, 상기 제1 드레인 전극에 연결된 제2 게이트 전극, 제2 반도체 패턴, 상기 제2 게이트 전극과 제2 반도체 패턴을 전기적으로 절연시키고 제1 게이트 절연막의 두께보다 얇은 두께를 갖는 제2 게이트 절연막으로 이루어진 제2 박막 트랜지스터,상기 제2 드레인 전극에 전기적으로 연결된 화소 전극,상기 화소 전극 상에 형성된 유기 발광층, 그리고상기 유기 발광층 상에 형성된 대향 전극을 포함하는 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1 게이트 절연막은 단일막, 상기 제2 게이트 절연막은 적어도 이중막 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1 게이트 절연막의 두께는 3,000Å ∼ 4,500Å인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제2 게이트 절연막의 두께는 1,500Å ∼ 3,000Å인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1 반도체 패턴은 제1 채널층과 상기 제1 채널층 위에 위치하며 서로 이격된 제1 및 제2 저항성 접촉층을 포함하는 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제2 반도체 패턴은 제2 채널층, 상기 제2 채널층 위에 위치하며 서로 이격된 제3 및 제4 저항성 접촉층을 포함하는 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 화소 전극 상에 형성되어 상기 화소 전극을 구획하는 격벽을 더 포함하는 표시 장치.
- 제1 소스 전극에 인가된 데이터 신호를 제1 게이트 전극에 인가된 타이밍 신호에 의하여 제1 드레인 전극으로 출력하는 제1 반도체 패턴, 상기 제1 게이트 전극과 제1 반도체 패턴을 전기적으로 절연시키기 위한 제1 게이트 절연막을 갖는 제1 박막 트랜지스터,상기 제1 드레인 전극으로부터 출력된 상기 데이터 신호의 레벨에 대응하여 제2 소스 전극에 인가된 제1 구동 전류의 전류량을 제어하는 제2 게이트 전극, 상기 제2 게이트 전극에 의하여 제어된 제2 구동 전류를 제2 드레인 전극으로 출력하는 제2 반도체 패턴, 상기 제2 게이트 전극과 상기 제2 반도체 패턴을 전기적으로 절연시키며 상기 제1 게이트 절연막의 두께보다 얇은 두께를 갖는 제2 게이트 절연막으로 이루어진 제2 박막 트랜지스터,상기 제2 구동 전류가 인가되는 화소 전극,상기 화소 전극의 상면에 배치된 유기 발광층, 그리고상기 유기 발광층의 상면에 배치된 대향 전극을 포함하는 표시 장치.
- 제8항에 있어서,상기 제1 게이트 전극은 상기 타이밍 신호를 인가하는 게이트 버스선에 연결되고, 제1 소스 전극은 상기 데이터 신호를 인가하는 데이터 버스선에 연결되고, 상기 제2 게이트 전극은 상기 제1 드레인 전극에 연결되고, 상기 제2 소스 전극은 상기 제1 구동 전류를 제공하는 전력 공급선에 연결된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제9항에 있어서,상기 제1 드레인 전극 및 상기 전력 공급선에는 지정된 시간 동안 상기 제2 게이트 전극으로 상기 데이터 신호를 인가하는 유지 축전기가 형성된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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