CN110459578B - 显示基板及其制备方法和修复方法、显示装置 - Google Patents

显示基板及其制备方法和修复方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110459578B
CN110459578B CN201910775157.4A CN201910775157A CN110459578B CN 110459578 B CN110459578 B CN 110459578B CN 201910775157 A CN201910775157 A CN 201910775157A CN 110459578 B CN110459578 B CN 110459578B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
layer
repair
auxiliary cathode
driving transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910775157.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110459578A (zh
Inventor
孙诗
谢学武
艾雨
刘博文
刘浩
孔玉宝
张阿猛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201910775157.4A priority Critical patent/CN110459578B/zh
Publication of CN110459578A publication Critical patent/CN110459578A/zh
Priority to PCT/CN2020/110304 priority patent/WO2021032169A1/zh
Priority to US17/288,927 priority patent/US20210384481A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN110459578B publication Critical patent/CN110459578B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/861—Repairing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供了一种显示基板及其制备方法和修复方法、显示装置。显示基板包括在基底上叠设的驱动电路层和发光结构层，所述驱动电路层包括驱动晶体管、辅助阴极线和修复电极，所述发光结构层的阳极连接所述驱动晶体管的漏电极，所述发光结构层的阴极连接所述辅助阴极线，所述修复电极用于在修复亮点不良时，将所述驱动晶体管的漏电极与辅助阴极线连接。本发明通过预先设置修复电极，修复电极用于在出现亮点不良时将所述驱动晶体管的漏电极与辅助阴极线连接，将亮点修复为暗点，不仅实现了有效修复顶发射型显示基板的亮点不良，提升了产品良品率，而且修复成功率高，不会对像素驱动电路造成破坏，也不会引起其它不良。

Description

显示基板及其制备方法和修复方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法和修复方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Diode，OLED)具有超薄、大视角、主动发光、高亮度、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、低功耗、工作温度范围宽及可柔性显示等优点，已逐渐成为极具发展前景的下一代显示技术。依据出光方向的不同，OLED可分为底发射型和顶发射型。其中，底发射型OLED包括在平行于面板平面内并列设置的发光区和驱动电路区，发光结构设置在发光区，多个薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)和存储电容(CST)设置在驱动电路区。顶发射型OLED包括在垂直于面板平面内叠设的驱动电路层和发光层，驱动电路层包括多个薄膜晶体管和存储电容，发光层包括发光结构。由于顶发射型OLED的发光区与驱动电路重叠，因而具有开口率高的特点，已得到广泛应用。
在OLED显示基板生产过程中，不可避免的会产生亮点不良。目前，现有亮点不良修复方法通常采用切断电源线或将阴阳极短路方式。但本申请发明人研究发现，采用现有亮点修复方法修复顶发射型OLED的亮点不良时，不仅亮点修复成功率低，而且会对像素驱动电路造成破坏，引起其它不良。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种显示基板及其制备方法和修复方法、显示装置，以解决现有亮点不良修复方法成功率低且对像素驱动电路造成破坏等问题。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示基板，包括在基底上叠设的驱动电路层和发光结构层，所述驱动电路层包括驱动晶体管、辅助阴极线和修复电极，所述发光结构层的阳极连接所述驱动晶体管的漏电极，所述发光结构层的阴极连接所述辅助阴极线，所述修复电极用于在修复亮点不良时，将所述驱动晶体管的漏电极与辅助阴极线连接。
可选地，所述修复电极设置在第一结构层中，所述驱动晶体管的漏电极和辅助阴极线设置在第二结构层中，所述第一结构层与第二结构层之间设置有绝缘层，所述修复电极与驱动晶体管的漏电极具有第一重叠区域，所述修复电极与辅助阴极线具有第二重叠区域。
可选地，所述修复电极与栅线同层设置，所述驱动晶体管的漏电极和辅助阴极线与数据线同层设置。
可选地，所述第一重叠区域设置有过孔，所述驱动晶体管的漏电极通过所述过孔与修复电极连接。
可选地，所述第二重叠区域设置有过孔，所述辅助阴极线通过所述过孔与修复电极连接。
可选地，所述修复电极为修复电极线，所述修复电极线与栅线平行，与所述辅助阴极线构成网格结构。
可选地，所述驱动电路层还包括开关晶体管和存储电容，所述驱动晶体管和开关晶体管为底栅结构，所述发光结构层为顶发射结构。
本发明实施例提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。
为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：
在基底上形成包括驱动晶体管、辅助阴极线和修复电极的驱动电路层，所述修复电极用于在修复亮点不良时将所述驱动晶体管的漏电极与辅助阴极线连接；
在所述驱动电路层上形成发光结构层，所述发光结构层的阳极连接所述驱动晶体管的漏电极，所述发光结构层的阴极连接所述辅助阴极线。
可选地，在基底上形成包括驱动晶体管、辅助阴极线和修复电极的驱动电路层中，所述修复电极形成在第一结构层中，所述驱动晶体管的漏电极和辅助阴极线形成在第二结构层中，所述第一结构层与第二结构层之间形成有绝缘层，所述修复电极与驱动晶体管的漏电极具有第一重叠区域，所述修复电极与辅助阴极线具有第二重叠区域。
可选地，所述修复电极与栅线同层设置且通过同一次构图工艺形成，所述辅助阴极线和驱动晶体管的漏电极与数据线同层设置且通过同一次构图工艺形成。
可选地，在基底上形成包括驱动晶体管、辅助阴极线和修复电极的驱动电路层中，所述第一重叠区域形成有过孔，所述驱动晶体管的漏电极通过所述过孔与修复电极连接。
可选地，在基底上形成包括驱动晶体管、辅助阴极线和修复电极的驱动电路层中，所述第二重叠区域形成有过孔，所述辅助阴极线通过所述过孔与修复电极连接。
可选地，所述修复电极为修复电极线，所述修复电极线与栅线平行，与所述辅助阴极线构成网格结构。
可选地，在基底上形成包括驱动晶体管、辅助阴极线和修复电极的驱动电路层中，还形成有开关晶体管和存储电容，所述驱动晶体管和开关晶体管为底栅结构；在所述驱动电路层上形成发光结构层中，所述发光结构层为顶发射结构。
为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种显示基板的修复方法，显示基板包括在基底上叠设的驱动电路层和发光结构层，所述驱动电路层包括驱动晶体管、辅助阴极线和修复电极，所述发光结构层的阳极连接所述驱动晶体管的漏电极，所述发光结构层的阴极连接所述辅助阴极线；在修复亮点不良时，所述修复方法包括：
利用所述修复电极将所述驱动晶体管的漏电极与辅助阴极线连接。
可选地，所述修复电极设置在第一结构层中，所述驱动晶体管的漏电极和辅助阴极线设置在第二结构层中，所述第一结构层与第二结构层之间设置有绝缘层，所述修复电极与驱动晶体管的漏电极具有第一重叠区域，所述修复电极与辅助阴极线具有第二重叠区域；利用所述修复电极将所述驱动晶体管的漏电极与辅助阴极线连接，包括：
从基底远离驱动电路层的一侧，对所述第一重叠区域和第二重叠区域进行激光照射，将所述修复电极和驱动晶体管的漏电极焊接连接，将所述修复电极和辅助阴极线焊接连接。
可选地，所述修复电极设置在第一结构层中，所述驱动晶体管的漏电极和辅助阴极线设置在第二结构层中，所述第一结构层与第二结构层之间设置有绝缘层，所述修复电极与驱动晶体管的漏电极通过过孔连接，所述修复电极与辅助阴极线具有第二重叠区域；利用所述修复电极将所述驱动晶体管的漏电极与辅助阴极线连接，包括：
从基底远离驱动电路层的一侧，对所述第二重叠区域进行激光照射，将所述修复电极和辅助阴极线焊接连接。
可选地，所述修复电极设置在第一结构层中，所述驱动晶体管的漏电极和辅助阴极线设置在第二结构层中，所述第一结构层与第二结构层之间设置有绝缘层，所述修复电极与驱动晶体管的漏电极具有第一重叠区域，所述修复电极与辅助阴极线通过过孔连接；利用所述修复电极将所述驱动晶体管的漏电极与辅助阴极线连接，包括：
从基底远离驱动电路层的一侧，对所述第一重叠区域进行激光照射，将所述修复电极和驱动晶体管的漏电极焊接连接。
可选地，激光照射的功率为50mW～100mW。
本发明实施例提供了一种显示基板及其制备方法和修复方法、显示装置，通过预先设置修复电极，修复电极用于在出现亮点不良时，将所述驱动晶体管的漏电极与辅助阴极线连接，将亮点修复为暗点，不仅实现了有效修复顶发射型显示基板的亮点不良，避免了产品报废，提升了产品良品率，而且修复成功率高，不会对像素驱动电路造成破坏，也不会引起其它不良，能够应用于实际生产，具有良好的应用前景。
当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
图1为OLED部分膜层的结构示意图；
图2为图1所示膜层中掺入异物的示意图；
图3为OLED像素驱动电路的等效电路示意图；
图4为图3所示电路产生亮点不良的示意图；
图5为切断VDD线位置的聚焦离子束FIB图；
图6为焊接发光区域的示意图；
图7为本发明显示基板第一实施例的结构示意图；
图8为本发明第一实施例形成栅线和修复电极图案后的示意图；
图9为图8中A-A向的剖视图；
图10为本发明第一实施例形成有源层图案图案后的示意图；
图11为图10中A-A向的剖视图；
图12为本发明第一实施例形成第二绝缘层图案后的示意图；
图13为图12中A-A向的剖视图；
图14为本发明第一实施例形成数据线和辅助阴极线图案后的示意图；
图15为图14中A-A向的剖视图；
图16为本发明第一实施例形成第三、第四绝缘层图案后的示意图；
图17为图16中A-A向的剖视图；
图18为本发明第一实施例形成反射阳极和连接电极图案后的示意图；
图19为本发明第一实施例形成发光层和透明阴极图案后的示意图；
图20为本发明第一实施例修复亮点不良的示意图；
图21为图20中A-A向的剖视图；
图22为本发明显示基板第二实施例的结构示意图；
图23为本发明第二实施例修复亮点不良的示意图；
图24为本发明显示基板第三实施例的结构示意图；
图25为本发明第三实施例修复亮点不良的示意图；
图26为本发明显示基板第四实施例的结构示意图；
图27为本发明第四实施例修复亮点不良的示意图。
附图标记说明:
10—基底； 11—第一栅电极； 12—第一绝缘层；
13—第一有源层； 14—第二绝缘层； 15—第一源电极；
16—第一漏电极； 17—第三绝缘层； 18—第四绝缘层；
19—像素定义层； 21—第二栅电极； 23—第二有源层；
25—第二源电极； 26—第二漏电极； 31—第一电容电极；
32—第二电容电极； 40—修复电极； 41—反射阳极；
42—连接电极； 43—发光层； 44—透明阴极；
45—彩膜层； 46—封装层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在OLED显示基板的生产过程中，亮点产生的原因通常是异物导通了发光结构的阳极和高电位电源线VDD，使像素持续发光，表现为亮点。图1为OLED部分膜层的结构示意图，图2为图1所示膜层中掺入异物的示意图。如图1和图2所示，部分膜层包括阴极、阳极和高电位电源线VDD，发光层设置在阴极和阳极之间，绝缘层设置在阳极和高电位电源线VDD之间。当绝缘层中掺入异物时，异物会同时接触到高电位电源线VDD和阳极，使高电位电源线VDD层和阳极导通，从而产生亮点不良。图3为OLED像素驱动电路的等效电路示意图，图4为图3所示电路产生亮点不良的示意图，以2T1C为例。如图3和图4所示，像素驱动电路与开关扫描线GN、数据线DN、高电位电源线VDD以及低电位电源线VSS连接，包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和存储电容CST，第一晶体管T1为驱动晶体管，第二晶体管T2为开关晶体管。发光层等效为一个发光二极管，其阳极连接第一晶体管T1的漏电极，阴极连接低电位电源线VSS，当阳极和阴极之间的电压大于发光二极管的开启电压时，发光层发光。正常情况下，高电位电源线VDD为24V，第一晶体管T1的开启程度不同，发光层发光强度则不同。当有异物将高电位电源线VDD和阳极导通时，如图4中虚线所示，使得阳极电压恒为24V，由于低电位电源线VSS恒为0V，则发光层两端电压恒为24V，发光层持续发光，像素表现为亮点。显然，对于存在亮点不良缺陷的显示基板，需要将亮点修复为暗点后才能出厂，否则只能报废。
目前，亮点修复方法通常采用切断电源线和焊接发光区域方式，但本申请发明人研究发现，这些现有修复方法修复成功率较低。切断电源线方式是采用激光(Laser)切断VDD线，从而将亮点修复为暗点。图5为切断VDD线位置的聚焦离子束FIB图。如图5所示，在制备显示基板过程中，为保证成膜的平坦度，部分区域的树脂(Resin)很厚，由于很厚树脂层的存在，激光切断VDD线位置处的金属元素并没有消失，只是含量较之前有所降低，仍有导通两侧VDD线的可能，导致修复成功率较低，无法应用于实际生产。
图6为焊接发光区域的示意图。如图6所示，焊接发光区域方式是采用激光焊接发光区域，使发光层两端的阴极和阳极短路，或使发光层受到破坏，从而将亮点修复为暗点。但焊接发光区域方法仅仅适用于底发射型显示基板，而不能应用于顶发射型显示基板。由于底发射型显示基板的发光区和驱动电路区在不同位置，因此焊接发光区域阴阳极时不会对驱动电路造成影响。顶发射型显示基板的发光区与驱动电路重叠，若在驱动电路一侧焊接阴阳极，由于TFT和存储电容的阻挡，没有供激光穿过的空间，若在彩膜一侧焊接阴阳极，由于彩膜层和封装层均比较厚，需要激光能量大，大能量激光会对驱动电路造成破坏，引起其它不良。同时，由于透明阴极膜层较薄，控制激光能量使透明阴极熔融焊接到反射阳极上的工艺难度很大。此外，若在彩膜一侧切割隔离透明阴极，同样面临较厚的彩膜层和封装层需要激光能量大、会对驱动电路造成破坏的问题。因此，对于顶发射型显示基板的亮点不良，现有焊接发光区域方法的修复成功率很低，无法应用于实际生产。目前，尚没有合适的方法修复顶发射型显示基板的亮点不良。
为了解决现有修复亮点不良方法成功率低等问题，本发明实施例提供了一种显示基板。本发明实施例的设计思路是，在显示基板上预先设置修复电极，当出现亮点不良时，利用修复电极使发光结构层的阳极和阴极短路，将亮点修复为暗点。具体地，本发明实施例显示基板包括在基底上叠设的驱动电路层和发光结构层，所述驱动电路层包括驱动晶体管、辅助阴极线和修复电极，所述发光结构层的阳极连接所述驱动晶体管的漏电极，所述发光结构层的阴极连接所述辅助阴极线，所述修复电极用于在修复亮点不良时将所述驱动晶体管的漏电极与辅助阴极线连接。其中，所述修复电极设置在第一结构层中，所述驱动晶体管的漏电极和辅助阴极线设置在第二结构层中，所述第一结构层与第二结构层之间设置有绝缘层，所述修复电极与驱动晶体管的漏电极具有第一重叠区域，所述修复电极与辅助阴极线具有第二重叠区域。当需要修改亮点不良时，将所述修复电极分别与驱动晶体管的漏电极和辅助阴极线连接，使驱动晶体管的漏电极与辅助阴极线导通，由于驱动晶体管的漏电极连接发光结构层的阳极，辅助阴极线连接发光结构层的阴极，因此驱动晶体管的漏电极与辅助阴极线导通意味着使发光结构层的阳极和阴极短路，将亮点修复为暗点。
本发明实施例提供了一种显示基板，通过预先设置修复电极，修复电极用于在出现亮点不良时将所述驱动晶体管的漏电极与辅助阴极线连接，即使发光结构层的阳极和阴极短路，将亮点修复为暗点，不仅实现了有效修复顶发射型显示基板的亮点不良，避免了产品报废，提升了产品良品率，而且修复成功率高，不会对像素驱动电路造成破坏，也不会引起其它不良，能够应用于实际生产，具有良好的应用前景。
本发明实施例显示基板可以采用多种方式实现，下面通过具体实施例详细说明本发明实施例的技术方案。
第一实施例
图7为本发明显示基板第一实施例的结构示意图。如图7所示并结合图8～图21，本实施例显示基板包括：
基底10；
设置在基底10上的栅线GN、第一栅电极11、第二栅电极21、第一电容电极31和修复电极40；
覆盖栅线GN、第一栅电极11、第二栅电极21、第一电容电极31和修复电极40的第一绝缘层12；
设置在第一绝缘层12上的第一有源层13、第二有源层23和第二电容电极32；
覆盖第一有源层13、第二有源层23和第二电容电极32的第二绝缘层14，第二绝缘层14上开设有多个过孔，多个过孔包括：分别暴露出第一有源层13的第一过孔V1和第二过孔V2，暴露出第一栅电极11的第三过孔V3，暴露出第一电容电极31的第四过孔V4，分别暴露出第二有源层23的第五过孔V5和第六过孔V6；
设置在第二绝缘层14上的数据线DN、电源线VDD、辅助阴极线FV、第一源电极15、第一漏电极16、第二源电极25和第二漏电极26；第一源电极15与电源线VDD连接，且通过第一过孔V1与第一有源层13连接，第一漏电极16通过第二过孔V2与第一有源层13连接；第二源电极25与数据线DN连接，且通过第六过孔V6与第二有源层23连接，第二漏电极26通过第五过孔V5与第二有源层23连接，同时通过第三过孔V3与第一栅电极11连接和通过第四过孔V4与第一电容电极31连接；第一漏电极16与修复电极40具有第一重叠区域，辅助阴极线FV与修复电极40具有第二重叠区域；
覆盖数据线DN、电源线VDD、辅助阴极线FV、第一源电极15、第一漏电极16、第二源电极25和第二漏电极26的第三绝缘层17，以及设置第三绝缘层17上的第四绝缘层18，其上开设有暴露出第一漏电极16的第七过孔V7和暴露出辅助阴极线FV的第八过孔V8；
设置在第四绝缘层18上的反射阳极41和连接电极42，反射阳极41通过第七过孔V7与第一漏电极16连接，连接电极42通过第八过孔V8与辅助阴极线FV连接；
设置在反射阳极41上的发光层43和透明阴极44，透明阴极44通过第九过孔与连接电极42连接。
进一步地，显示基板还包括：
设置在透明阴极44上的彩膜层45；
覆盖彩膜层45的封装层46。
本实施例中，修复电极40与栅线同层设置，采用相同的材料且通过同一次构图工艺形成，作为第一结构层，第一漏电极16和辅助阴极线FV与数据线同层设置，采用相同的材料且通过同一次构图工艺形成，作为第二结构层，第一绝缘层12和第二绝缘层14作为设置在第一结构层与第二结构层之间的绝缘层，修复电极40与第一漏电极16具有第一重叠区域，同时修复电极40与辅助阴极线FV具有第二重叠区域，修复电极40用于在修复亮点不良时，将第一漏电极16与辅助阴极线FV连接，实现了有效修复顶发射型显示基板的亮点不良，且修复成功率高。
下面通过显示基板的制备过程进一步说明本实施例的技术方案。本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是相关技术中成熟的制备工艺。本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光和显影，是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。在本实施例的描述中，需要理解的是，“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺或光刻工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺或光刻工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺或光刻工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。
(1)在基底上形成栅线、栅电极、第一电容电极和修复电极图案。形成栅线、栅电极、第一电容电极和修复电极图案包括：在基底上沉积第一金属薄膜，在第一金属薄膜上涂覆一层光刻胶，采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在栅线、栅电极、第一电容电极和修复电极图案位置形成未曝光区域，保留有光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，对完全曝光区域的第一金属薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，在基底10上形成栅线GN、第一栅电极11、第二栅电极21、第一电容电极31和修复电极40图案，如图8、图9所示，图9为图8中A-A向的剖视图。其中，第一电容电极31是作为下电极板，用于形成存储电容，第二栅电极21是与栅线GN连接的一体结构。其中，第一金属薄膜可以采用金属材料，如银Ag、铜Cu、铝Al、钼Mo等，或上述金属的合金材料，如铝铌合金AlNd、钼铌合金MoNb等，可以是多层金属，如Mo/Cu/Mo等，也可以是金属和透明导电材料形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO等。
(2)形成有源层图案。形成有源层图案包括：在形成有前述图案的基底上，依次沉积第一绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成覆盖栅线GN、第一栅电极11、第二栅电极21、第一电容电极31和修复电极40的第一绝缘层12图案，以及设置在第一绝缘层12上的第一有源层13、第二有源层23和第二电容电极32图案，如图10、图11所示，图11为图10中A-A向的剖视图。其中，第二电容电极32是作为上电极板，用于形成存储电容。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料a-IGZO、氮氧化锌ZnON、氧化铟锌锡IZTO、非晶硅a-Si、多晶硅p-Si、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本实施例同时适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的基于底栅TFT的显示基板。形成有源层图案过程中，还包括对第二电容电极32进行导体化的处理。第一绝缘薄膜可以采用硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx、氮氧化硅SiON等，也可以采用High k材料，如氧化铝AlOx、氧化铪HfOx、氧化钽TaOx等，可以是单层、多层或复合层。通常，第一绝缘层12称之为栅绝缘(GI)层。
(3)形成第二绝缘层图案。形成第二绝缘层图案包括：在形成有前述图案的基底上，沉积第二绝缘薄膜，通过构图工艺对第二绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第一有源层13、第二有源层23和第二电容电极32图案的第二绝缘层14图案，第二绝缘层14上开设有多个过孔，多个过孔包括：分别暴露出第一有源层13两端的第一过孔V1和第二过孔V2，暴露出第一栅电极11的第三过孔V3，暴露出第一电容电极31的第四过孔V4，分别暴露出第二有源层23两端的第五过孔V5和第六过孔V6，如图12、图13所示，图13为图12中A-A向的剖视图。其中，第一过孔V1和第二过孔V2中的第二绝缘层14被刻蚀掉，暴露出第一有源层13的表面，第五过孔V5和第六过孔V6中的第二绝缘层14被刻蚀掉，暴露出第二有源层23的表面，第三过孔V3中的第二绝缘层14和第一绝缘层12被刻蚀掉，暴露出第一栅电极11的表面，第四过孔V4中的第二绝缘层14和第一绝缘层12被刻蚀掉，暴露出第一电容电极31的表面。第二绝缘薄膜可以采用硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx、氮氧化硅SiON等，也可以采用High k材料，如氧化铝AlOx、氧化铪HfOx、氧化钽TaOx等，可以是单层、多层或复合层。通常，第二绝缘层14称之为层间绝缘(ILD)层。
(4)形成数据线、电源线、辅助阴极线和源漏电极图案。形成数据线、电源线、辅助阴极线和源漏电极图案包括：在形成有前述图案的基底上，沉积第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，在第二绝缘层14上形成数据线DN、电源线VDD、辅助阴极线FV、第一源电极15、第一漏电极16、第二源电极25和第二漏电极26图案，如图14、图15所示，图15为图14中A-A向的剖视图。其中，数据线DN垂直于栅线GN，位于像素的一侧，电源线VDD和辅助阴极线FV与数据线DN平行，位于像素的另一侧，第一源电极15是与电源线VDD连接的一体结构，通过第一过孔V1与第一有源层13的一端连接，第一漏电极16通过第二过孔V2与第一有源层13的另一端连接，第二源电极25是与数据线DN连接的一体结构，通过第六过孔V6与第二有源层23的一端连接，第二漏电极26的一端通过第五过孔V5与第二有源层23的另一端连接，第二漏电极26的另一端通过第三过孔V3与第一栅电极11连接，第二漏电极26的中部通过第四过孔V4与第一电容电极31连接。其中，第一漏电极16与修复电极40具有第一重叠区域，辅助阴极线FV与修复电极40具有第二重叠区域，即第一漏电极16在基底上的正投影与修复电极40在基底上的正投影有重叠部分，辅助阴极线FV在基底上的正投影与修复电极40在基底上的正投影重叠。其中，第二金属薄膜可以采用金属材料，如银Ag、铜Cu、铝Al、钼Mo等，或上述金属的合金材料，如铝铌合金AlNd、钼铌合金MoNb等，可以是多层金属，如Mo/Cu/Mo等，也可以是金属和透明导电材料形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO等。
(5)形成第三绝缘层和第四绝缘层图案。形成第三绝缘层和第四绝缘层包括：在形成有前述图案的基底上，先沉积第三绝缘薄膜，然后涂覆第四绝缘薄膜，以第四绝缘薄膜作为光刻胶，通过构图工艺对第三绝缘薄膜进行构图，形成覆盖数据线、电源线、辅助阴极线和源漏电极图案的第三绝缘层17图案和覆盖第三绝缘层17图案和第四绝缘层18图案，其上开设有第七过孔V7和第八过孔V8，第七过孔V7中的第三绝缘层17和第四绝缘层18被刻蚀掉，暴露出第一漏电极16的表面，第八过孔V8中的第三绝缘层17和第四绝缘层18被刻蚀掉，暴露出辅助阴极线FV的表面，如图16、图17所示，图17为图16中A-A向的剖视图。其中，第三绝缘薄膜可以采用硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx、氮氧化硅SiON等，也可以采用High k材料，如氧化铝AlOx、氧化铪HfOx、氧化钽TaOx等，可以是单层、多层或复合层。第四绝缘薄膜可以采用有机材料。通常，第三绝缘层17称之为钝化(PVX)层，第四绝缘层18称之为平坦(PNL)层。
(6)形成像素定义层、反射阳极和连接电极图案。形成像素定义层和反射阳极包括：在形成有前述图案的基底上，先涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光和显影，在第四绝缘层18上形成像素定义层19图案。然后沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，形成反射阳极41和连接电极42图案，反射阳极41通过第七过孔V7与第一漏电极16连接，连接电极42通过第八过孔V8与辅助阴极线FV连接，如图18所示。其中，第四绝缘层18上还形成有另外一个连接电极，该连接电极通过过孔与第一漏电极16和第二电容电极32连接。实际实施时，使第一漏电极16与第二电容电极32连接可以采用本领域熟知的多种方式，这里不再赘述。
(7)形成发光层和透明阴极图案。形成发光层和透明阴极图案包括：在形成有前述图案的基底上，先通过蒸镀形成发光层43，发光层43在连接电极42位置开设有第九过孔。然后沉积透明导电薄膜，在发光层43上形成透明阴极44，透明阴极44通过第九过孔与连接电极42连接，如图19所示。顶发射型OLED是采用透明阴极，通常为较薄的镁Mg/银Ag合金，由于透明阴极较薄，电阻压降(IR Drop)严重，因而设置辅助阴极线与透明阴极连接起来，降低透明阴极的整体电阻。本实施例中，透明阴极44通过第九过孔与连接电极42连接，而由于连接电极42通过第八过孔与辅助阴极线FV连接，因此使得透明阴极44通过连接电极42连接辅助阴极线FV。
(8)形成彩膜层和封装层图案。形成彩膜层和封装层图案包括：在形成有前述图案的基底上，先通过涂覆方式形成彩膜层45图案，然后通过沉积/涂覆方式形成封装层46图案，如图7所示。本实施例设置彩膜层的结构适用于所有子像素的发光层出射相同颜色的光线，通过彩膜层的过滤实现每个子像素出射所需颜色的光线。实际实施时，也可以不设置彩膜层，适用于发光层出射所需颜色的光线。
这样，即完成本实施例显示基板的制备。第一栅电极11、第一有源层13、第一源电极15和第一漏电极16构成作为驱动晶体管的第一晶体管，第二栅电极21、第二有源层23、第二源电极25和第二漏电极26构成作为开关晶体管的第二晶体管。其中，第一源电极15与电源线VDD连接，第一漏电极16分别与反射阳极41和第二电容电极32连接，第一漏电极16、反射阳极41和第二电容电极32的电位相同。第一栅电极11与第二漏电极26连接，由于第二漏电极26与第一电容电极31连接，因此第一栅电极11还与第一电容电极31连接，第一栅电极11、第二漏电极26和第一电容电极31的电位相同，使第一电容电极31和第二电容电极32构成存储电容。
图20为本发明第一实施例修复亮点不良的示意图，图21为图20中A-A向的剖视图。如图20、图21所示，修复电极40与栅线同层设置，并通过同一次构图工艺形成。第一漏电极16和辅助阴极线FV同层设置，并通过同一次构图工艺形成。修复电极40与第一漏电极16和辅助阴极线FV之间间隔有第一绝缘层12和第二绝缘层14，修复电极40与第一漏电极16具有第一重叠区域，同时修复电极40与辅助阴极线FV具有第二重叠区域，修复电极40用于在修复亮点不良时使反射阳极41和透明阴极44短路。具体地，当显示基板的某个像素出现亮点不良需要修复时，从基底10远离驱动电路层的一侧(图20中的下侧)，对第一重叠区域和第二重叠区域进行激光照射，激光照射的功率为50mW～100mW，激光照射使得重叠区域的第一绝缘层12和第二绝缘层14融化，在第一重叠区域将修复电极40与第一漏电极16连接起来，在第二重叠区域将修复电极40与辅助阴极线FV连接起来，使第一漏电极16与辅助阴极线FV通过修复电极40导通。由于第一漏电极16连接反射阳极41，辅助阴极线FV连接透明阴极44，因此第一漏电极16与辅助阴极线FV导通意味着反射阳极41与透明阴极44导通，即反射阳极41与透明阴极44短路，发光层两端电压为0，发光层不发光，亮点修复成为暗点。
通过本实施例显示基板的结构以及制备过程可以看出，本实施例的技术思路是利用预先设置修复电极实现像素中反射阳极与透明阴极短路，将亮点修复为暗点。具体地，本实施例在显示基板上预先设置修复电极，修复电极与第一漏电极具有第一重叠区域，修复电极与辅助阴极线具有第二重叠区域。当需要修改某个像素的亮点不良时，从基底远离驱动电路层的一侧对第一重叠区域和第二重叠区域进行激光照射，在第一重叠区域将修复电极与第一漏电极连接，在第二重叠区域将修复电极与辅助阴极线连接连接，使第一漏电极与辅助阴极线通过修复电极导通。由于第一漏电极连接反射阳极，辅助阴极线连接透明阴极，因此实现了反射阳极和透明阴极短路，该像素成为暗点。本实施例有效解决了现有修复亮点不良方法成功率低等问题，不仅实现了有效修复顶发射型显示基板的亮点不良，避免了产品报废，提升了产品良品率，而且不会对像素驱动电路造成破坏，也不会引起其它不良，修复成功率高，能够应用于实际生产，具有良好的应用前景。
进一步地，由于本实施例将修复电极设置成与栅线同层，且通过同一次构图工艺形成，因此本实施例显示基板的制备流程与现有工艺流程相同，不需要改变现有工艺流程和工艺设备，也不需增加新的工艺以及引入新的材料，工艺兼容性好，工艺可实现性高，且设置修复电极没有改变TFT及存储电容的布局，对产品开口率及修复前产品良品率均没有影响。此外，由于本实施例修复电极与第一漏电极和辅助阴极线之间仅间隔较薄的第一绝缘层和第二绝缘层，采用常规的的激光焊接方式即可进行亮点修复，焊接成功率高，修复成功率可达100％。实际制备工艺过程中，异物同时导致修复电极与第一漏电极连通和修复电极与辅助阴极线连通的可能性几乎没有，因此设置修复电极不会引起不良，对产品良品率没有影响。
需要说明的是，本实施例描述的制备显示基板的过程仅仅是一种示例，实际实施时，制备本实施例显示基板也可以采用其它次序，本实施例在此不做具体限定。虽然本实施例以2T1C为例进行了说明，但不限于此，本实施例方案同样适用于3T1C、4T1C等显示基板结构。
第二实施例
图22为本发明显示基板第二实施例的结构示意图。本实施例是前述第一实施例的一种扩展，本实施例显示基板的主体结构与前述第一实施例基本上相同，修复电极40与栅线同层设置，第一漏电极16和辅助阴极线FV同层设置，修复电极40与第一漏电极16和辅助阴极线FV之间间隔有第一绝缘层12和第二绝缘层14，修复电极40与辅助阴极线FV具有第二重叠区域。如图22所示，所不同的是，本实施例显示基板结构中，第一漏电极16与修复电极40通过第十过孔连接。
图23为本发明第二实施例修复亮点不良的示意图。如图23所示，当显示基板的某个像素出现亮点不良需要修复时，从基底10远离驱动电路层的一侧，对第二重叠区域进行激光照射，激光照射使得修复电极40与辅助阴极线FV在第二重叠区域连接起来，使第一漏电极16与辅助阴极线FV通过修复电极40导通，即反射阳极41与透明阴极44短路，将亮点修复成为暗点。
本实施例显示基板的制备过程与前述第一实施例基本上相同，所不同的是，在步骤(3)形成第二绝缘层14时，还形成有暴露出修复电极40的第十过孔，第十过孔中的第二绝缘层14和第一绝缘层12被刻蚀掉，暴露出修复电极40的表面。这样，即可使步骤(4)所形成的第一漏电极16通过第十过孔与修复电极40连接。
本实施例同样实现了前述第一实施例的技术效果，包括实现了有效修复顶发射型显示基板的亮点不良，且修复成功率高，有效解决了现有修复亮点不良方法成功率低等问题，同时可以简化修复工艺，仅在一个位置激光焊接即可。同时，第一漏电极与修复电极连接不会影响像素驱动电路的正常工作。
第三实施例
图24为本发明显示基板第三实施例的结构示意图。本实施例是前述第一实施例的一种扩展，本实施例显示基板的主体结构与前述第一实施例基本上相同，修复电极40与栅线同层设置，第一漏电极16和辅助阴极线FV同层设置，修复电极40与第一漏电极16和辅助阴极线FV之间间隔有第一绝缘层12和第二绝缘层14，修复电极40与辅助阴极线FV具有第二重叠区域。如图24所示，所不同的是，本实施例显示基板结构中，辅助阴极线FV与修复电极40通过第十一过孔连接。
图25为本发明第三实施例修复亮点不良的示意图。如图25所示，当显示基板的某个像素出现亮点不良需要修复时，从基底10远离驱动电路层的一侧，对第一重叠区域进行激光照射，激光照射使得修复电极40与第一漏电极16在第一重叠区域连接起来，使第一漏电极16与辅助阴极线FV通过修复电极40导通，即反射阳极41与透明阴极44短路，将亮点修复成为暗点。
本实施例显示基板的制备过程与前述第一实施例基本上相同，所不同的是，在步骤(3)形成第二绝缘层14时，还形成有暴露出修复电极40的第十一过孔，第十一过孔中的第二绝缘层14和第一绝缘层12被刻蚀掉，暴露出修复电极40的表面。这样，即可使步骤(4)所形成的辅助阴极线FV通过第十一过孔与修复电极40连接。
本实施例同样实现了前述第一实施例的技术效果，包括实现了有效修复顶发射型显示基板的亮点不良，且修复成功率高，有效解决了现有修复亮点不良方法成功率低等问题，同时可以简化修复工艺，仅在一个位置激光焊接即可。同时，辅助阴极线与修复电极连接不会影响像素驱动电路的正常工作。
第四实施例
图26为本发明显示基板第四实施例的结构示意图。本实施例是前述第三实施例的一种扩展，本实施例显示基板的主体结构与前述第三实施例基本上相同，修复电极40与栅线同层设置，第一漏电极16和辅助阴极线FV同层设置，修复电极40与第一漏电极16和辅助阴极线FV之间间隔有第一绝缘层12和第二绝缘层14，修复电极40与辅助阴极线FV具有第二重叠区域，辅助阴极线FV与修复电极40通过第十一过孔连接。如图26所示，所不同的是，本实施例显示基板结构中，修复电极40是长度较长的修复电极线，修复电极线平行于栅线LN，与每个像素的辅助阴极线FV通过第十一过孔V11连接。
图27为本发明第四实施例修复亮点不良的示意图。如图27所示，当显示基板的某个像素(如右侧像素)出现亮点不良需要修复时，从基底10远离驱动电路层的一侧，对右侧像素的第一重叠区域进行激光照射，激光照射使得修复电极40与第一漏电极16连接起来，使右侧像素的第一漏电极16与辅助阴极线FV通过修复电极40导通，即反射阳极41与透明阴极44短路，将亮点修复成为暗点。
本实施例显示基板的制备过程与前述第三实施例基本上相同，所不同的是，在步骤(1)中形成与栅线平行的修复电极40，修复电极40延伸该行的所有像素，在步骤(3)形成第二绝缘层14时，在每个像素形成有暴露出修复电极40的第十一过孔，第十一过孔暴露出修复电极40的表面。这样，即可使步骤(4)所形成的多条辅助阴极线FV均通过第十一过孔与修复电极40连接。
本实施例同样实现了前述第三实施例的技术效果，包括实现了有效修复顶发射型显示基板的亮点不良，且修复成功率高，有效解决了现有修复亮点不良方法成功率低等问题，同时可以简化修复工艺，仅在一个位置激光焊接即可，辅助阴极线与修复电极连接不会影响像素驱动电路的正常工作。同时，由于修复电极线与每个像素的辅助阴极线连接，使行方向延伸的修复电极线与列方向延伸的辅助阴极线形成相互连接的网络结构，大幅度降低了辅助阴极的电阻，有效减小了电阻压降，提高了显示质量。
基于本发明的技术构思，前述实施例的技术方案还可以进行多方面扩展。作为一种实现方案，修复电极可以设置在其它膜层内，如设置成与遮挡层同层，作为又一种实现方案，修复电极可以单独设置在一个膜层内，通过一次单独的构图工艺制备，本发明在此不做具体限定。上述扩展均可以实现高成功率修复顶发射型显示基板的亮点不良。
第五实施例
基于前述实施例的发明构思，本实施例提供了一种显示基板的制备方法。显示基板的制备方法包括：
在基底上形成包括驱动晶体管、辅助阴极线和修复电极的驱动电路层，所述修复电极用于在修复亮点不良时将所述驱动晶体管的漏电极与辅助阴极线连接；
在所述驱动电路层上形成发光结构层，所述发光结构层的阳极连接所述驱动晶体管的漏电极，所述发光结构层的阴极连接所述辅助阴极线。
其中，在基底上形成包括驱动晶体管、辅助阴极线和修复电极的驱动电路层中，所述修复电极形成在第一结构层中，所述驱动晶体管的漏电极和辅助阴极线形成在第二结构层中，所述第一结构层与第二结构层之间形成有绝缘层，所述修复电极与驱动晶体管的漏电极具有第一重叠区域，所述修复电极与辅助阴极线具有第二重叠区域。
其中，所述修复电极与栅线同层设置且通过同一次构图工艺形成，所述辅助阴极线和驱动晶体管的漏电极与数据线同层设置且通过同一次构图工艺形成。
其中，在基底上形成包括驱动晶体管、辅助阴极线和修复电极的驱动电路层中，所述第一重叠区域形成有过孔，所述驱动晶体管的漏电极通过所述过孔与修复电极连接。
其中，在基底上形成包括驱动晶体管、辅助阴极线和修复电极的驱动电路层中，所述第二重叠区域形成有过孔，所述辅助阴极线通过所述过孔与修复电极连接。
其中，所述修复电极为修复电极线，所述修复电极线与栅线平行，与所述辅助阴极线构成网格结构。
其中，在基底上形成包括驱动晶体管、辅助阴极线和修复电极的驱动电路层中，还形成有开关晶体管和存储电容，所述驱动晶体管和开关晶体管为底栅结构；在所述驱动电路层上形成发光结构层中，所述发光结构层为顶发射结构，所述发光结构层的阳极为反射阳极，所述发光结构层的阴极为透明阴极。
本发明实施例提供了一种显示基板的制备方法，通过预先设置修复电极，修复电极用于在出现亮点不良时，将所述驱动晶体管的漏电极与辅助阴极线连接，将亮点修复为暗点，不仅实现了有效修复顶发射型显示基板的亮点不良，避免了产品报废，提升了产品良品率，而且修复成功率高，不会对像素驱动电路造成破坏，也不会引起其它不良，能够应用于实际生产，具有良好的应用前景。
有关显示基板的具体制备过程，已在前述实施例中详细说明，这里不再赘述。
第六实施例
基于前述实施例的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示基板的修复方法。本发明实施例显示基板的修复方法中，显示基板包括在基底上叠设的驱动电路层和发光结构层，所述驱动电路层包括驱动晶体管、辅助阴极线和修复电极，所述发光结构层的阳极连接所述驱动晶体管的漏电极，所述发光结构层的阴极连接所述辅助阴极线；在修复亮点不良时，所述修复方法包括：
利用所述修复电极将所述驱动晶体管的漏电极与辅助阴极线连接。
其中，所述修复电极设置在第一结构层中，所述驱动晶体管的漏电极和辅助阴极线设置在第二结构层中，所述第一结构层与第二结构层之间设置有绝缘层，所述修复电极与驱动晶体管的漏电极具有第一重叠区域，所述修复电极与辅助阴极线具有第二重叠区域；利用所述修复电极将所述驱动晶体管的漏电极与辅助阴极线连接，包括：
从基底远离驱动电路层的一侧，对所述第一重叠区域和第二重叠区域进行激光照射，将所述修复电极和驱动晶体管的漏电极焊接连接，将所述修复电极和辅助阴极线焊接连接。
其中，所述修复电极设置在第一结构层中，所述驱动晶体管的漏电极和辅助阴极线设置在第二结构层中，所述第一结构层与第二结构层之间设置有绝缘层，所述修复电极与驱动晶体管的漏电极通过过孔连接，所述修复电极与辅助阴极线具有第二重叠区域；利用所述修复电极将所述驱动晶体管的漏电极与辅助阴极线连接，包括：
从基底远离驱动电路层的一侧，对所述第二重叠区域进行激光照射，将所述修复电极和辅助阴极线焊接连接。
其中，所述修复电极设置在第一结构层中，所述驱动晶体管的漏电极和辅助阴极线设置在第二结构层中，所述第一结构层与第二结构层之间设置有绝缘层，所述修复电极与驱动晶体管的漏电极具有第一重叠区域，所述修复电极与辅助阴极线通过过孔连接；利用所述修复电极将所述驱动晶体管的漏电极与辅助阴极线连接，包括：
从基底远离驱动电路层的一侧，对所述第一重叠区域进行激光照射，将所述修复电极和驱动晶体管的漏电极焊接连接。
其中，激光照射的功率为50mW～100mW。
本发明实施例提供了一种显示基板的修复方法，通过预先设置修复电极，修复电极用于在出现亮点不良时，将所述驱动晶体管的漏电极与辅助阴极线连接，将亮点修复为暗点，不仅实现了有效修复顶发射型显示基板的亮点不良，避免了产品报废，提升了产品良品率，而且修复成功率高，不会对像素驱动电路造成破坏，也不会引起其它不良，能够应用于实际生产，具有良好的应用前景。
有关显示基板的具体修复过程，已在前述实施例中详细说明，这里不再赘述。
第七实施例
基于前述实施例的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，显示装置包括采用前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括在基底上叠设的驱动电路层和发光结构层，所述驱动电路层包括驱动晶体管、辅助阴极线和修复电极，所述修复电极与所述驱动晶体管的栅电极同层设置，且通过同一次构图工艺形成，所述辅助阴极线与所述驱动晶体管的漏电极同层设置，且通过同一次构图工艺形成，所述辅助阴极线和修复电极之间间隔有第一绝缘层和第二绝缘层；所述发光结构层的阳极连接所述驱动晶体管的漏电极，所述发光结构层的阴极通过连接电极连接所述辅助阴极线，所述连接电极与所述发光结构层的阳极同层设置，且通过同一次构图工艺形成；所述修复电极为与栅线平行的修复电极线，所述修复电极线与每个像素的辅助阴极线通过过孔连接，使行方向延伸的所述修复电极线与列方向延伸的所述辅助阴极线形成相互连接的网络结构；在修复亮点不良之前，所述修复电极通过过孔与所述辅助阴极线连接；在修复亮点不良时，所述驱动晶体管的漏电极与所述修复电极连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述修复电极设置在第一结构层中，所述驱动晶体管的漏电极和辅助阴极线设置在第二结构层中，所述第一结构层与第二结构层之间设置有绝缘层，所述修复电极与驱动晶体管的漏电极具有第一重叠区域，所述修复电极与辅助阴极线具有第二重叠区域。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述驱动电路层还包括开关晶体管和存储电容，所述驱动晶体管和开关晶体管为底栅结构，所述发光结构层为顶发射结构。
4.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～3任一所述的显示基板。
5.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在基底上形成包括驱动晶体管、辅助阴极线和修复电极的驱动电路层，所述修复电极与所述驱动晶体管的栅电极同层设置，且通过同一次构图工艺形成，所述辅助阴极线与所述驱动晶体管的漏电极同层设置，且通过同一次构图工艺形成，所述辅助阴极线和修复电极之间间隔有第一绝缘层和第二绝缘层；所述修复电极为与栅线平行的修复电极线，所述修复电极线与每个像素的辅助阴极线通过过孔连接，使行方向延伸的所述修复电极线与列方向延伸的所述辅助阴极线形成相互连接的网络结构；在修复亮点不良之前，所述修复电极通过过孔与所述辅助阴极线连接；在修复亮点不良时，所述驱动晶体管的漏电极与所述修复电极连接；
在所述驱动电路层上形成发光结构层，所述发光结构层的阳极连接所述驱动晶体管的漏电极，所述发光结构层的阴极通过连接电极连接所述辅助阴极线，所述连接电极与所述发光结构层的阳极同层设置，且通过同一次构图工艺形成。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在基底上形成包括驱动晶体管、辅助阴极线和修复电极的驱动电路层中，所述修复电极形成在第一结构层中，所述驱动晶体管的漏电极和辅助阴极线形成在第二结构层中，所述第一结构层与第二结构层之间形成有绝缘层，所述修复电极与驱动晶体管的漏电极具有第一重叠区域，所述修复电极与辅助阴极线具有第二重叠区域。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在基底上形成包括驱动晶体管、辅助阴极线和修复电极的驱动电路层中，还形成有开关晶体管和存储电容，所述驱动晶体管和开关晶体管为底栅结构；在所述驱动电路层上形成发光结构层中，所述发光结构层为顶发射结构。
8.一种显示基板的修复方法，其特征在于，显示基板包括在基底上叠设的驱动电路层和发光结构层，所述驱动电路层包括驱动晶体管、辅助阴极线和修复电极，所述修复电极与所述驱动晶体管的栅电极同层设置，且通过同一次构图工艺形成，所述辅助阴极线与所述驱动晶体管的漏电极同层设置，且通过同一次构图工艺形成，所述辅助阴极线和修复电极之间间隔有第一绝缘层和第二绝缘层；所述发光结构层的阳极连接所述驱动晶体管的漏电极，所述发光结构层的阴极通过连接电极连接所述辅助阴极线，所述连接电极与所述发光结构层的阳极同层设置，且通过同一次构图工艺形成；所述修复电极为与栅线平行的修复电极线，所述修复电极线与每个像素的辅助阴极线通过过孔连接，使行方向延伸的所述修复电极线与列方向延伸的所述辅助阴极线形成相互连接的网络结构；在修复亮点不良之前，所述修复电极通过过孔与所述辅助阴极线连接；在修复亮点不良时，所述修复方法包括：
将所述修复电极与所述驱动晶体管的漏电极连接。
9.根据权利要求8所述的修复方法，其特征在于，所述修复电极设置在第一结构层中，所述驱动晶体管的漏电极和辅助阴极线设置在第二结构层中，所述第一结构层与第二结构层之间设置有绝缘层，所述修复电极与驱动晶体管的漏电极具有第一重叠区域，所述修复电极与辅助阴极线通过过孔连接；将所述修复电极与所述驱动晶体管的漏电极连接，包括：
从基底远离驱动电路层的一侧，对所述第一重叠区域进行激光照射，将所述修复电极和驱动晶体管的漏电极焊接连接。
10.根据权利要求9所述的修复方法，其特征在于，激光照射的功率为50mW～100mW。
CN201910775157.4A 2019-08-21 2019-08-21 显示基板及其制备方法和修复方法、显示装置 Active CN110459578B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910775157.4A CN110459578B (zh) 2019-08-21 2019-08-21 显示基板及其制备方法和修复方法、显示装置
PCT/CN2020/110304 WO2021032169A1 (zh) 2019-08-21 2020-08-20 显示基板及其制备方法和修复方法、显示装置
US17/288,927 US20210384481A1 (en) 2019-08-21 2020-08-20 Display substrate, preparation method and repair method therefor and display apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910775157.4A CN110459578B (zh) 2019-08-21 2019-08-21 显示基板及其制备方法和修复方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110459578A CN110459578A (zh) 2019-11-15
CN110459578B true CN110459578B (zh) 2022-06-10

Family

ID=68488296

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910775157.4A Active CN110459578B (zh) 2019-08-21 2019-08-21 显示基板及其制备方法和修复方法、显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20210384481A1 (zh)
CN (1) CN110459578B (zh)
WO (1) WO2021032169A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110459578B (zh) * 2019-08-21 2022-06-10 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板及其制备方法和修复方法、显示装置
CN110690229A (zh) * 2019-09-12 2020-01-14 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示面板的制作方法
CN112750860B (zh) * 2019-10-29 2024-04-19 合肥京东方卓印科技有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
US11476301B2 (en) 2020-01-14 2022-10-18 Au Optronics Corporation Display apparatus and manufacturing method thereof
WO2022104584A1 (zh) * 2020-11-18 2022-05-27 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置
CN114141843B (zh) * 2021-11-29 2023-06-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN114420882B (zh) * 2022-01-12 2023-09-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其修复方法、显示装置
CN114784056A (zh) * 2022-02-28 2022-07-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示面板的修复方法
CN114664903A (zh) * 2022-03-16 2022-06-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示面板的修复方法
CN114784076A (zh) * 2022-04-27 2022-07-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示面板的修复方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003233329A (ja) * 2002-02-07 2003-08-22 Toshiba Corp 表示装置のリペア方法
CN1971939A (zh) * 2005-11-25 2007-05-30 三星电子株式会社 修复显示装置中的像素缺陷
CN101384110A (zh) * 2007-09-05 2009-03-11 索尼株式会社 有机发光显示器修复方法
WO2013038450A1 (ja) * 2011-09-15 2013-03-21 パナソニック株式会社 有機ｅｌパネルおよびその製造方法
CN105374843A (zh) * 2014-08-21 2016-03-02 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其修复方法
CN107221287A (zh) * 2017-07-31 2017-09-29 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其像素修复装置、像素修复方法和显示器
CN107464525A (zh) * 2017-09-19 2017-12-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板修补方法及显示面板
CN108258007A (zh) * 2016-12-28 2018-07-06 京东方科技集团股份有限公司 Oled阵列基板、显示装置及其暗点修复方法
CN108376697A (zh) * 2012-03-27 2018-08-07 索尼公司 显示装置及其制造方法、修理显示装置的方法及电子设备
CN108511506A (zh) * 2018-06-07 2018-09-07 京东方科技集团股份有限公司 一种oled基板及显示面板
CN208111487U (zh) * 2018-03-26 2018-11-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3973223B2 (ja) * 2003-09-19 2007-09-12 シャープ株式会社 アクティブ基板、表示装置およびその製造方法
JP4622532B2 (ja) * 2005-01-18 2011-02-02 三菱電機株式会社 表示装置および表示装置の欠陥修復方法
KR100667089B1 (ko) * 2005-11-11 2007-01-11 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
US20070139330A1 (en) * 2005-12-19 2007-06-21 Toppoly Optoelectronics Corp. Display units, display devices, and repair methods for convering a bright dot to a dark dot in same
CN101784949B (zh) * 2007-08-30 2013-10-02 夏普株式会社 显示装置及其制造方法
KR101022156B1 (ko) * 2009-02-16 2011-03-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치의 화소수리구조 및 그 수리방법
WO2012001740A1 (ja) * 2010-06-30 2012-01-05 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US8557614B2 (en) * 2010-12-28 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing lighting device
CN102437112B (zh) * 2011-12-15 2013-04-03 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种有源矩阵有机发光显示器基板像素电路的修补方法
CN102402943A (zh) * 2011-12-15 2012-04-04 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 有源矩阵有机发光显示器的像素电路及其修补方法
KR20130110990A (ko) * 2012-03-30 2013-10-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법
KR20140118005A (ko) * 2013-03-27 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102088227B1 (ko) * 2013-12-02 2020-03-12 엘지디스플레이 주식회사 리페어 구조를 갖는 표시장치
CN104536166B (zh) * 2014-12-18 2017-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 铜互连coa型液晶面板暗点修复方法及铜互连coa型液晶面板结构
KR102510003B1 (ko) * 2015-12-22 2023-03-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102576998B1 (ko) * 2016-07-01 2023-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
CN106226966B (zh) * 2016-09-05 2019-12-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板及其缺陷修复方法
KR102355953B1 (ko) * 2017-09-29 2022-01-25 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN110459578B (zh) * 2019-08-21 2022-06-10 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板及其制备方法和修复方法、显示装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003233329A (ja) * 2002-02-07 2003-08-22 Toshiba Corp 表示装置のリペア方法
CN1971939A (zh) * 2005-11-25 2007-05-30 三星电子株式会社 修复显示装置中的像素缺陷
CN101384110A (zh) * 2007-09-05 2009-03-11 索尼株式会社 有机发光显示器修复方法
WO2013038450A1 (ja) * 2011-09-15 2013-03-21 パナソニック株式会社 有機ｅｌパネルおよびその製造方法
CN108376697A (zh) * 2012-03-27 2018-08-07 索尼公司 显示装置及其制造方法、修理显示装置的方法及电子设备
CN105374843A (zh) * 2014-08-21 2016-03-02 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其修复方法
CN108258007A (zh) * 2016-12-28 2018-07-06 京东方科技集团股份有限公司 Oled阵列基板、显示装置及其暗点修复方法
CN107221287A (zh) * 2017-07-31 2017-09-29 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其像素修复装置、像素修复方法和显示器
CN107464525A (zh) * 2017-09-19 2017-12-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板修补方法及显示面板
CN208111487U (zh) * 2018-03-26 2018-11-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
CN108511506A (zh) * 2018-06-07 2018-09-07 京东方科技集团股份有限公司 一种oled基板及显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021032169A1 (zh) 2021-02-25
CN110459578A (zh) 2019-11-15
US20210384481A1 (en) 2021-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110459578B (zh) 显示基板及其制备方法和修复方法、显示装置
US9761644B2 (en) Organic electroluminescent device and repairing method thereof
JP4974661B2 (ja) 平板表示装置及び平板表示装置の製造方法
US7948173B2 (en) Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
US20180006098A1 (en) Organic light-emitting display device and manufacturing method thereof
US8866706B2 (en) Organic electroluminescent display device and manufacturing method of the same
US9698206B2 (en) Organic light-emitting display apparatus
KR20190129998A (ko) 어레이 기판 및 디스플레이 디바이스
US8823913B2 (en) Thin film transistor array panel and method for repairing the same
CN111524954B (zh) 显示基板及其维修方法、显示装置
US9070598B2 (en) Thin film transistor array panel and organic light emitting diode display including the same, method for cutting wire in thin film transistor array panel
KR101719372B1 (ko) 반사 전극을 구비한 유기전계발광 표시장치 제조 방법
KR20100076603A (ko) 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
US9806136B2 (en) Organic light emitting diode display device and method for repairing organic light emitting diode display
US8841832B2 (en) Organic light emitting diode display having improved strength by preventing the exfoliation of a sealant
US10741786B2 (en) Display device having an auxiliary electrode
KR20120070870A (ko) 유기전계 발광소자용 기판 및 그 제조 방법
JP2001100655A (ja) Ｅｌ表示装置
US8564194B2 (en) Organic light emitting diode device and method for fabricating the same
KR20080074565A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150029207A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160058297A (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR20140044566A (ko) 박막 트랜지스터 기판, 박막 트랜지스터 기판 리페어 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 리페어 방법
KR20030081991A (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
CN112420944B (zh) 一种显示面板、制程方法及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant