CN106597771B - 阵列基板、液晶显示面板和显示装置 - Google Patents

阵列基板、液晶显示面板和显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明实施例提供了一种阵列基板、液晶显示面板和显示装置，涉及液晶显示技术领域，能够增大像素的存储电容。阵列基板包括：基板；位于基板上方的遮光层，遮光层为导体，遮光层包括第一电极板和遮光部分；位于遮光层上方的有源层，有源层包括沟道区域，遮光部分覆盖沟道区域；位于有源层上方的源漏金属层，源漏金属层包括源极、漏极和第二电极板，第一电极板与第二电极板至少部分重叠；位于源漏金属层上方的相互绝缘的像素电极和公共电极，像素电极与漏极电连接；像素电极与第一电极板电连接，公共电极与第二电极板电连接；或者，公共电极与第一电极板电连接，像素电极与第二电极板电连接。

Description

阵列基板、液晶显示面板和显示装置
【技术领域】
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、液晶显示面板和显示装置。
【背景技术】
目前，在液晶显示装置中，可以在阵列基板上同时设置像素电极与公共电极，像素电极与公共电极之间形成对应每个子像素单元的存储电容。存储电容用于在显示画面时保持像素电极上的电压，以维持液晶分子的状态。
在实现本发明过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：
然而，由于对显示面板分辨率的要求日益增高，造成像素尺寸逐渐减小，由于像素尺寸的限制，现有技术中像素的存储电容也不断减小，影响显示画面的效果。
【发明内容】
有鉴于此，本发明实施例提供了一种阵列基板、液晶显示面板和显示装置，能够增大像素的存储电容，从而提高显示效果。
一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：
基板；
位于所述基板上方的遮光层，所述遮光层为导体，所述遮光层包括第一电极板和遮光部分；
位于所述遮光层上方的有源层，所述有源层包括沟道区域，所述有源层与所述遮光层间隔设置，在垂直于所述基板的方向上，所述遮光部分覆盖所述沟道区域；
位于所述有源层上方的源漏金属层，所述源漏金属层包括源极、漏极和第二电极板，在垂直于所述基板的方向上，所述第一电极板与所述第二电极板至少部分重叠；
位于所述源漏金属层上方的相互绝缘的像素电极和公共电极，所述像素电极与所述漏极电连接；
所述像素电极与所述第一电极板电连接，所述公共电极与所述第二电极板电连接；或者，所述公共电极与所述第一电极板电连接，所述像素电极与所述第二电极板电连接。
可选地，所述公共电极与所述第二电极板电连接，所述像素电极与所述第一电极板电接连；
所述漏极通过所述像素电极与所述源漏金属层之间的第一过孔与所述像素电极电连接，所述漏极还通过所述源漏金属层与所述遮光层之间的第二过孔与所述第一电极板电连接；
所述公共电极通过所述公共电极与所述源漏金属层之间的第三过孔与所述第二电极板电连接。
具体地，所述第一电极板和所述遮光部分相互绝缘。
可选地，所述公共电极与所述第一电极板电连接，所述像素电极与所述第二电极板电连接；
所述公共电极通过所述公共电极与所述遮光层之间的第四过孔与所述第一电极板电连接，所述像素电极通过所述像素电极与所述源漏金属层之间的第五过孔与所述第二电极板电连接。
具体地，所述第一电极板与所述遮光部分为一体结构。
具体地，所述第二电极板与所述漏极为一体结构。
具体地，所述像素电极位于所述公共电极的上方或者所述公共电极位于所述像素电极的上方，在垂直于所述基板的方向上，所述像素电极与所述公共电极至少部分重叠；
所述第一电极板与所述第二电极板之间的重叠面积小于或等于所述公共电极与所述像素电极之间的重叠面积的四分之一。
具体地，所述阵列基板包括由多行栅线和多列数据线交叉限定的多个子像素单元；
每个所述子像素单元包括一个第一电极板、一个漏极和一个第二电极板；
在每个所述子像素单元中，漏极位于该子像素单元所对应的栅线和数据线交叉处，漏极远离该栅线的一端与该栅线之间的距离大于或等于第一电极板远离该栅线的一端与该栅线之间的距离，漏极远离该栅线的一端与该栅线之间的距离大于或等于第二电极板远离该栅线的一端与该栅线之间的距离。
另一方面，本发明实施例提供一种液晶显示面板，包括上述的阵列基板。
另一方面，本发明实施例提供一种显示装置，包括上述的液晶显示面板。
本发明实施例提供的阵列基板、液晶显示面板和显示装置，通过在遮光层设置第一电极板，在源漏金属层设置第二电极板，并且使第一电极板和第二电极分别于像素电极和公共电极电连接，因此重叠设置的第一电极板和第二电极板之间可以形成电容，从而增大了像素的存储电容，提高了显示效果。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例中一种阵列基板上子像素单元的结构示意图；
图2为图1中AA’向的剖面结构示意图；
图3为本发明实施例中另一种阵列基板的剖面结构示意图；
图4为本发明实施例中另一种阵列基板的剖面结构示意图；
图5为本发明实施例中另一种阵列基板的剖面结构示意图；
图6为本发明实施例中另一种阵列基板的剖面结构示意图；
图7为本发明实施例中另一种阵列基板的剖面结构示意图；
图8为本发明实施例中另一种阵列基板上子像素单元的结构示意图；
图9为本发明实施例中一种液晶显示面板的结构示意图；
图10为本发明实施例中一种显示装置的结构示意图。
【具体实施方式】
为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
本发明实施例提供一种阵列基板，如图1至图7所示，图1为本发明实施例中一种阵列基板上子像素单元的结构示意图，图2为图1中AA’向的剖面结构示意图，图3为本发明实施例中另一种阵列基板的剖面结构示意图，图4为本发明实施例中另一种阵列基板的剖面结构示意图，图5为本发明实施例中另一种阵列基板的剖面结构示意图，图6为本发明实施例中另一种阵列基板的剖面结构示意图，图7为本发明实施例中另一种阵列基板的剖面结构示意图，阵列基板包括：基板1；位于基板1上方的遮光层2，遮光层2为导体，遮光层2包括第一电极板21和遮光部分22；位于遮光层2上方的有源层3，有源层3包括沟道区域C，有源层3与遮光层2间隔设置，在垂直于基板的方向上，遮光部分22覆盖沟道区域；位于有源层3上方的源漏金属层4，源漏金属层4包括源极41、漏极42和第二电极板43，在垂直于基板的方向上，第一电极板21与第二电极板43至少部分重叠；位于源漏金属层4上方的相互绝缘的像素电极5和公共电极6(图1中未示出)，像素电极5与漏极42电连接；如图2、图3和图4所示，像素电极5与第一电极板21电连接，公共电极6与第二电极板43电连接；或者，如图5、图6和图7所示，公共电极6与第一电极板21电连接，像素电极5与第二电极板43电连接。其中，图2、图3、图5和图6中的像素电极5和公共电极6设置于不同层，图4和图7中的像素电极5和公共电极6设置于同一层。图1至7中的每个子像素单元对应的栅极g为两个，每个子像素单元对应的遮光部分22同样为两个；在其他可选的实施方式中，可以设置每个子像素单元对应的栅极为两个，每个子像素单元对应的遮光部分为一个；也可以设置每个子像素单元对应的栅极为一个，本发明对此不作限定。。
其中，阵列基板包括由多行栅线G和多列数据线D交叉限定的多个子像素单元，每个子像素单元包括一个第一电极板21、一个漏极42和一个第二电极板43；在每个子像素单元中，漏极42位于该子像素单元所对应的栅线G和数据线D交叉处，有源层3和源漏金属层4之间还设置有栅极g，栅极g与有源层3和源漏金属层4均间隔设置，栅极g与有源层3的沟道区域相对设置，有源层3分别通过源极过孔31和漏极过孔32与源漏金属层4中的源极41和漏极42电连接，源极41、漏极42、有源层3和栅极形成阵列基板中的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)。阵列基板工作时，在对应的栅线11的控制下，TFT的源极41对应的数据线D通过TFT向漏极42对应的像素电极5实施充放电，像素电极5与公共电极之间形成电场，以达到显示功能。遮光部分22的作用是遮挡有源层3的沟道区域C的光，以避免光对TFT产生不良影响。本实施例中，在制作遮光部分22的同时，通过同一次构图工艺形成第一电极板21，在制作源漏金属层4的源极41和漏极42的同时，通过同一次构图工艺形成第二电极板43，并且使第一电极板21和第二电极板43重叠设置，以使两者的重叠部分可以形成电容，第一电极板21和第二电极板43分别与像素电极5和公共电极6电连接，可以作为像素存储电容的两极，以增大像素的存储电容，从而提高显示效果。
需要说明的是，本实施例中，还包括上述各膜层之间的绝缘层，如图2中的绝缘层11、12、13、14和15，其他附图未标注，此处不再赘述。
本实施例中的阵列基板，通过在遮光层设置第一电极板，在源漏金属层设置第二电极板，并且使第一电极板和第二电极分别于像素电极和公共电极电连接，因此重叠设置的第一电极板和第二电极板之间可以形成电容，从而增大了像素的存储电容，提高了显示效果。
可选地，如图1、图2、图3和图4所示，公共电极6与第二电极板43电连接，像素电极5与第一电极板21电接连；漏极42通过像素电极5与源漏金属层4之间的第一过孔71与像素电极5电连接，漏极42还通过源漏金属层4与遮光层2之间的第二过孔72与第一电极板21电连接，通过漏极42将像素电极5与第一电极板21电连接；公共电极6通过公共电极6与源漏金属层4之间的第三过孔73与第二电极板43电连接。具体地，由于第一电极板21与像素电极5电连接，因此在显示画面的过程中，第一电极板21具有像素电极电压，为了避免该电压对TFT的影响，第一电极板21和遮光部分22相互绝缘。其中，图2所示为像素电极5位于公共电极6上方时的结构；图3所示为公共电极6位于像素电极5上方时的结构；图4所示为像素电极5与公共电极6位于同一层时的结构。
可选地，如图5、图6和图7所示，公共电极6与第一电极板21电连接，像素电极5与第二电极板43电连接；公共电极6通过公共电极6与遮光层2之间的第四过孔74与第一电极板21电连接，像素电极5通过像素电极5与源漏金属层4之间的第五过孔75与第二电极板43电连接。在图5、图6和图7中，漏极42与第二电极板43电连接，像素电极5通过第五过孔75与漏极42电连接，即在实现漏极42与像素电极5电连接的同时实现了第二电极板43与像素电极5之间的电连接，此时第二电极板43与漏极42可以为一体结构；可以理解地，若漏极42与第二电极板43相互绝缘，则需要单独的两个过孔(图中未示出)来实现像素电极5与漏极42的电连接以及像素电极5与第二电极板43之间的电连接。具体地，当公共电极6与第一电极板21电连接时，在显示画面的过程中，公共电极6的电压不变，且公共电极6的电压通常为0V或接近0V，因此，第一电极板21与遮光部分22可以为一体结构，公共电极电压不会对TFT造成不良影响。将第一电极板21与遮光部分22设置为一体结构，则不需要将第一电极板21与遮光部分22刻蚀分离，随着像素尺寸逐渐减小，这有利于减小工艺难度。其中，图5所示为像素电极5位于公共电极6上方时的结构；图6所示为公共电极6位于像素电极5上方时的结构；图7所示为像素电极5与公共电极6位于同一层时的结构。
具体地，对于图2、图3、图5和图6中的结构，即像素电极5位于公共电极6的上方或者公共电极6位于像素电极5的上方，在垂直于基板的方向上，像素电极5与公共电极6至少部分重叠；第一电极板21与第二电极板43之间的重叠面积小于或等于公共电极6与像素电极5之间的重叠面积的四分之一。由于第一电极板21和第二电极板43所占用的面积较小，因此对像素开口率的影响较小。
请参考图8，图8为本发明实施例中另一种阵列基板上子像素单元的结构示意图。如图8所示，每个子像素单元包括一个第一电极板21、一个漏极42和一个第二电极板43；在每个子像素单元中，漏极42位于该子像素单元所对应的栅线G和数据线D交叉处，漏极42远离该栅线G的一端与该栅线G之间的距离h1大于或等于第一电极板21远离该栅线G的一端与该栅线G之间的距离h2，漏极42远离该栅线G的一端与该栅线G之间的距离h1大于或等于第二电极板43远离该栅线G的一端与该栅线G之间的距离h3。漏极42位于子像素单元的底部，漏极42远离栅线G的一侧设置有该子像素单元的开口区域，由于第一电极板21和第二电极板43不透光，因此将第一电极板21和第二电极板43同样设置于子像素单元的底部且位于漏极42与相邻子像素单元的数据线D之间，使第一电极板21和第二电极板43能够尽可能的利用子像素单元中的空间，并且位于开口区域之外，不会影响透过率。
如图9所示，本发明实施例还提供一种液晶显示面板，包括上述的阵列基板300、彩膜基板400和液晶层500。
其中，阵列基板300的具体结构和原理与上述实施例相同，在此不再赘述。
本实施例中的液晶显示面板，通过在阵列基板的遮光层设置第一电极板，在源漏金属层设置第二电极板，并且使第一电极板和第二电极分别于像素电极和公共电极电连接，因此重叠设置的第一电极板和第二电极板之间可以形成电容，从而增大了像素的存储电容。
如图10所示，本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述的液晶显示面板。
其中，液晶显示面板600的具体结构和原理与上述实施例相同，在此不再赘述。显示装置可以是例如触摸显示屏、手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有液晶显示功能的电子设备。
本实施例中的显示装置，通过在液晶显示面中阵列基板的遮光层设置第一电极板，在源漏金属层设置第二电极板，并且使第一电极板和第二电极分别于像素电极和公共电极电连接，因此重叠设置的第一电极板和第二电极板之间可以形成电容，从而增大了像素的存储电容。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括：基板；位于所述基板上方的遮光层，所述遮光层为导体，所述遮光层包括遮光部分；位于所述遮光层上方的有源层，所述有源层包括沟道区域，所述有源层与所述遮光层间隔设置，在垂直于所述基板的方向上，所述遮光部分覆盖所述沟道区域；位于所述有源层上方的源漏金属层，所述源漏金属层包括源极、漏极；位于所述源漏金属层上方的相互绝缘的像素电极和公共电极，所述像素电极与所述漏极电连接，其特征在于：
所述遮光层还包括第一电极板，所述源漏金属层还包括第二电极板，在垂直于所述基板的方向上，所述第一电极板与所述第二电极板至少部分重叠；
所述像素电极与所述第一电极板电连接，所述公共电极与所述第二电极板电连接；或者，所述公共电极与所述第一电极板电连接，所述像素电极与所述第二电极板电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述公共电极与所述第二电极板电连接，所述像素电极与所述第一电极板电接连；
所述漏极通过所述像素电极与所述源漏金属层之间的第一过孔与所述像素电极电连接，所述漏极还通过所述源漏金属层与所述遮光层之间的第二过孔与所述第一电极板电连接；
所述公共电极通过所述公共电极与所述源漏金属层之间的第三过孔与所述第二电极板电连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一电极板和所述遮光部分相互绝缘。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述公共电极与所述第一电极板电连接，所述像素电极与所述第二电极板电连接；
所述公共电极通过所述公共电极与所述遮光层之间的第四过孔与所述第一电极板电连接，所述像素电极通过所述像素电极与所述源漏金属层之间的第五过孔与所述第二电极板电连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一电极板与所述遮光部分为一体结构。
6.根据权利要求4中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，
所述第二电极板与所述漏极为一体结构。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，
所述像素电极位于所述公共电极的上方或者所述公共电极位于所述像素电极的上方，在垂直于所述基板的方向上，所述像素电极与所述公共电极至少部分重叠；
所述第一电极板与所述第二电极板之间的重叠面积小于或等于所述公共电极与所述像素电极之间的重叠面积的四分之一。
8.根据权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，
所述阵列基板包括由多行栅线和多列数据线交叉限定的多个子像素单元；
每个所述子像素单元包括一个第一电极板、一个漏极和一个第二电极板；
在每个所述子像素单元中，漏极位于该子像素单元所对应的栅线和数据线交叉处，漏极远离该栅线的一端与该栅线之间的距离大于或等于第一电极板远离该栅线的一端与该栅线之间的距离，漏极远离该栅线的一端与该栅线之间的距离大于或等于第二电极板远离该栅线的一端与该栅线之间的距离。
9.一种液晶显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至8中任意一项所述的阵列基板。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的液晶显示面板。
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