CN112928192A - 显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种显示面板以及显示装置，所述显示面板包括：包括反射层的阵列基板以及连接于所述阵列基板的微发光二极管；其中，所述反射层位于所述微发光二极管的侧部，用于将所述微发光二极管发出的光朝向所述显示面板的显示面进行反射。本申请实施例能够在提高微发光二极管转移成功率的同时，进一步提高微发光二极管的发光效率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
Micro-LED(Micro Light-Emitting Diode,微型发光二极管)技术，即LED微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列。相较目前应用的液晶显示器件以及OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机电致发光二极管)显示器件相比，具有反应快、高色域、高PPI、低能耗等优势，成为未来显示技术的研究热点之一。
但是，Micro-LED发光单元为点光源，其发光具有点光源特征，在使用中其大部分光无法被利用，降低了Micro-LED显示装置的发光效率。同时，在制造Micro-LED发光单元的过程中，首先在施主晶圆上形成Micro-LED发光单元，接着将Micro-LED发光单元转移到接受衬底上，接受衬底例如是显示屏；而由于需要把巨量的Micro-LED发光单元从母版转移到目标显示基板，因此，此项精确转移被认为是目前Micro-LED发光单元主要的制作瓶颈之一，导致使用这种方法转移Micro-LED发光单元的效率和良率均有较大的问题，大大降低微发光二极管显示面板的良率。
因此，如何改善现有显示面板及显示装置，由于微发光二极管的发光效率低且转移成功率低的技术问题，是本领域技术人员目前亟待解决的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，可以在提高微发光二极管转移成功率的同时，进一步提高微发光二极管的发光效率。
本申请实施例提供一种显示面板，包括：包括阵列基板的反射层以及连接于所述阵列基板的微发光二极管；
其中，所述反射层位于所述微发光二极管的侧部，用于将所述微发光二极管发出的光朝向所述显示面板的显示面进行反射。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括连接电极层，所述连接电极层包括阳极以及阴极，所述微发光二极管分别与所述阳极和所述阴极电性连接；所述反射层包括两第一反射部，两所述第一反射部设置于所述阳极以及所述阴极上，并电性连接于所述阳极和所述微发光二极管，以及所述阴极和所述微发光二极管。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述微发光二极管包括本体和连接于所述本体下方的两个引脚，两所述引脚分别电连接所述阳极和和两所述第一反射部中的一个，以及所述阴极和两所述第一反射部中的另一个，所述显示面位于所述本体的背离所述引脚的一侧。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板设有开口结构，所述开口结构暴露所述阴极和所述阳极，所述微发光二极管位于所述开口结构内，所述反射层包括两第二反射部，每一所述第二反射部连接于对应的所述第一反射部并位于所述开口结构的侧壁上。
可选的，在本申请的一些实施例中，每一所述第一反射部与对应的所述第二反射部之间的夹角大于90°。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述反射层包括ITO/Ag/ITO导电层、Al金属层以及Mg金属层中的任意一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板包括薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层还包括栅极、位于所述栅极上的栅极绝缘层、位于所述栅极绝缘层上的层间绝缘层、位于所述层间绝缘层上的源极金属层以及漏极金属层，所述漏极金属层电连接所述阳极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阳极位于所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层之间。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管阵列层还包括位于所述层间绝缘层上的平坦化层，所述开口结构设于所述平坦化层和所述层间绝缘层。
相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，包括上述任一项所述的显示面板。
本申请实施例提供的显示面板及显示装置，在阵列基板上需要绑定微发光二极管的区域挖孔形成开口区域，且在开口区域增设反射层，在提高微发光二极管转移成功率的同时，进一步提高微发光二极管的发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的显示面板的截面示意图；
图2是本申请实施例提供的显示面板中微发光二极管的出射光路径示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供一种触控显示面板及触控显示装置。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。用语第一、第二、第三等仅仅作为标示使用，并没有强加数字要求或建立顺序。本发明的各种实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所数范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
本申请实施例针对现有显示面板及显示装置，由微发光二极管的发光效率低且转移成功率低的技术问题，本申请实施例能够解决上述技术问题。
如图1所示，是本申请实施例提供的显示面板的截面示意图；其中，所述显示面板包括：阵列基板、连接电极层以及微发光二极管50，所述阵列基板包括衬底基板10、设置于所述衬底基板10上的薄膜晶体管阵列层20以及连接电极层，所述薄膜晶体管阵列层20具有开口结构281；所述连接电极层设置于所述薄膜晶体管阵列层20的栅极绝缘层25上，所述开口结构281暴露出部分所述连接电极层；所述微发光二极管50设置于所述开口结构281内，所述微发光二极管50经由所述连接电极层连接至所述薄膜晶体管阵列层20；
其中，所述开口结构内还设置有反射层40，所述反射层40包括两第一反射部41以及与所述第一反射部41连接的两第二反射部42，所述第一反射部41设置于所述连接电极层上。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述反射层40包括两第二反射部42，每一所述第二反射部42连接于对应的所述第一反射部41并位于所述开口结构281的侧壁上，所述反射层40用于将所述微发光二极管50发出的光朝向所述显示面板的显示面进行反射。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述微发光二极管50包括Micro-LED发光单元以及Mini-LED发光单元。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述连接电极层包括同层且间隔设置于所述栅极绝缘层25上的阳极31以及阴极32，所述微发光二极管50分别与所述阳极31和所述阴极32电性连接；两所述第一反射部41设置于所述阳极31以及所述阴极32上，并电性连接于所述阳极31和所述微发光二极管50，以及所述阴极32和所述微发光二极管50。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述微发光二极管50包括本体和连接于所述本体下方的两个引脚，两所述引脚分别电连接所述阳极31和两所述第一反射部41中的一个，以及所述阴极32和两所述第一反射部41中的另一个，所述显示面位于所述本体的背离所述引脚的一侧。
具体地，所述连接电极层包括同层且间隔设置于所述栅极绝缘层25上的阳极31以及阴极32，所述阳极31以及所述阴极32分别与所述第一反射部41电连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一反射部41与所述微发光二极管发光单元50电连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述反射层40为三层ITO/Ag/ITO导电层、Al金属层以及Mg金属层中的任意一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，每一所述第一反射部41与对应的所述第二反射部42之间的夹角大于90°。
由于所述微发光二极管发光单元50为点光源，其发光具有点光源特征。所述反射层40的上述设置能够有效提高所述微发光二极管发光单元50的出光效率。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管阵列层20还包括：
缓冲层21，设置于所述衬底基板10上；
有源层22，设置于所述缓冲层21上；
第一绝缘层23，设置于所述缓冲层21上并完全覆盖所述有源层22；
栅极金属层24，设置于所述第一绝缘层23上，所述栅极金属层24与所述有源层22相对设置；
所述栅极绝缘层25，设置于所述第一绝缘层23上并完全覆盖所述栅极金属层24；
层间绝缘层26，设置于所述栅极绝缘层25上并部分覆盖所述连接电极层；
源极金属层271以及漏极金属层272，同层设置于所述层间绝缘层26上；
平坦化层28，设置于所述层间绝缘层26上并完全覆盖所述源极金属层271以及所述漏极金属层272；
其中，所述层间绝缘层26以及所述平坦化层28形成所述开口结构281并暴露出部分所述层间绝缘层26、部分所述阳极金属层31以及部分所述阴极金属层32。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二反射部42远离所述第一反射部41的一端与所述平坦化层28的顶部平齐。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述源极金属层271以及所述漏极金属层272分别经由第一过孔261以及第二过孔262与所述有源层22电连接，所述漏极金属层272还经由第三过孔263与所述阳极金属层31电连接。
具体地，所述薄膜晶体管阵列层20作为所述显示面板的驱动薄膜晶体管；通过增加所述薄膜晶体管阵列层20中的所述栅极金属层24与所述源极金属层271/所述漏极金属层272之间绝缘层的距离(包括所述栅极绝缘层25以及所述层间绝缘层26)，减小了寄生电容，提高电路信号的稳定性。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板的制备方法如下：
首先，在衬底基板10表面沉积缓冲层21，所述衬底基板10可以为玻璃或柔性基板，所述柔性基板的材料优选为聚酰亚胺(PI)或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)；所述缓冲层21可以为氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)的一层或多层结构。
其次，在所述缓冲层21上面沉积图案化的所述有源层22，所述有源层22的材料优选为低温多晶硅。
之后，在所述有源层22的上表面沉积第一绝缘层23，所述第一绝缘层13的材料包含氮化硅材料或氧化硅材料的一层或多层结构。
然后，在所述第一绝缘层23上沉积栅极金属层24，所述栅极金属层24的材料优选为金属铜，所述栅极金属层24与所述有源层22相对设置。
之后，在所述栅极金属层24上面沉积栅极绝缘层25，所述栅极绝缘层25的材料包含氮化硅材料或氧化硅材料的一层或多层结构。
再之后，在所述栅极绝缘层25上沉积阳极31以及阴极32；其中，所述阴极32与所述阳极31构成连接电极层，且所述阴极32与所述阳极31间隔设置。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阴极32与所述阳极31可以为相同或不相同的金属材料，所述阴极32还通过其他过孔连接到外电路。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阳极31的制成材料为透明导电金属(ITO)。
之后，在所述栅极绝缘层25上沉积层间绝缘层26，所述层间绝缘层26完全覆盖所述阴极32与所述阳极31。所述层间绝缘层26的材料包含氮化硅材料或氧化硅材料的一层或多层结构。
然后，在所述层间绝缘层26上沉积一层金属层，形成所述源极金属层271以及所述漏极金属层272；并在所述层间绝缘层26上分别制备第一过孔261、第二过孔262以及第三过孔263，使得所述源极金属层271以及所述漏极金属层272分别经由所述第一过孔261以及所述第二过孔262与所述有源层22电连接，所述漏极金属层272还经由所述第三过孔263与所述阳极31电连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一过孔261、所述第二过孔262和所述第三过孔263可采用半掩膜工艺在同一道制程中制成，从而减少生产工序，降低成本。
之后，在所述层间绝缘层26上沉积平坦化层28，所述平坦化层28材料包含氮化硅材料或氧化硅材料的一层或多层结构。
然后，在所述平坦化层28上绑定所述微发光二极管50的区域挖孔，形成所述开孔结构281，所述开孔结构281暴露出部分所述阳极31、部分所述阴极32以及部分所述层间绝缘层26。
之后，在所述开口结构281内的部分所述阳极31、部分所述阴极32以及所述开口结构281的侧壁上沉积反射层40；所述反射层40包括第一反射部41以及与所述第一反射部41连接的第二反射部42，所述第一反射部41设置于所述阳极31以及所述阴极32上，所述第二反射部42设置于所述开口结构281的侧壁上。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一反射部41与所述第二反射部42一体成型。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一反射部41与所述第二反射部42之间的夹角大于90°；所述第二反射部42远离所述第一反射部41的一端与所述平坦化层28的顶部平齐；所述反射层40为三层ITO/Ag/ITO导电层、Al金属层以及Mg金属层中的任意一种。
最后，在所述开口结构281内绑定转移过来的微发光二极管50，所述微发光二极管50分别与所述阳极31、所述阴极32以及所述第一反射部41电连接。由于所述微发光二极管50为点光源，其发光具有点光源特征。所述反射层40的上述设置能够有效提高所述微发光二极管50的出光效率。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述微发光二极管50包括本体和连接于所述本体下方的两个引脚，所述引脚分别电连接所述阳极31和所述阴极32，所述显示面位于所述本体的背离所述引脚的一侧。
如图2所示，是本申请实施例提供的显示面板中微发光二极管的出射光路径示意图。其中，由于所述反射层40的设置，所述微发光二极管50的出射光均沿着第一方向D发射，进而提高了所述微发光二极管50的出光率。
本申请实施例的显示面板相对于现有技术，具有以下优点：
第一方面，通过改变驱动薄膜晶体管的制程和结构，增加了低温多晶硅型驱动薄膜晶体管的栅极金属层(Gate)和源极金属层(Source)/漏极金属层(Drain)之间绝缘层的距离，减小了寄生电容。
第二方面，阵列基板上需要在绑定微发光二极管的区域挖孔，有利于提高微发光二极管转移成功率。
第三方面，在微发光二极管与阵列基板绑定的挖孔区域增加反射层，有利于提高微发光二极管出光率。
本申请实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述实施例所述的显示面板。
其中，所述显示装置可以为手机、电脑、电视机和智能穿戴显示设备等，本实施例对此不作特殊限定。
综上所述，本申请实施例提供的显示面板及显示装置，在阵列基板上需要绑定微发光二极管的区域挖孔形成开口区域，且在开口区域增设反射层，在提高微发光二极管转移成功率的同时，进一步提高微发光二极管发光单元的发光效率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板，包括：
阵列基板，包括反射层；以及
微发光二极管，连接于所述阵列基板；
其中，所述反射层位于所述微发光二极管的侧部，用于将所述微发光二极管发出的光朝向所述显示面板的显示面进行反射。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括连接电极层，所述连接电极层包括阳极以及阴极，所述微发光二极管分别与所述阳极和所述阴极电性连接；所述反射层包括两第一反射部，两所述第一反射部设置于所述阳极以及所述阴极上，并电性连接于所述阳极和所述微发光二极管，以及所述阴极和所述微发光二极管。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述微发光二极管包括本体和连接于所述本体下方的两个引脚，两所述引脚分别电连接所述阳极和和两所述第一反射部中的一个，以及所述阴极和两所述第一反射部中的另一个，所述显示面位于所述本体的背离所述引脚的一侧。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板设有开口结构，所述开口结构暴露所述阴极和所述阳极，所述微发光二极管位于所述开口结构内，所述反射层包括两第二反射部，每一所述第二反射部连接于对应的所述第一反射部并位于所述开口结构的侧壁上。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，每一所述第一反射部与对应的所述第二反射部之间的夹角大于90°。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述反射层包括ITO/Ag/ITO导电层、Al金属层以及Mg金属层中的任意一种。
7.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层还包括栅极、位于所述栅极上的栅极绝缘层、位于所述栅极绝缘层上的层间绝缘层、位于所述层间绝缘层上的源极金属层以及漏极金属层，所述漏极金属层电连接所述阳极。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述阳极位于所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层之间。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列层还包括位于所述层间绝缘层上的平坦化层，所述开口结构设于所述平坦化层和所述层间绝缘层。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的显示面板。
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