CN110112141A - 微发光二极管显示面板及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种微发光二极管显示面板及制备方法，该微发光二极管显示面板包括形成薄膜晶体管的有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极，像素电极、微发光二极管、以及覆盖有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极的遮光层；在本发明中，遮光层阻挡了微发光二极管所发出的光线照射到薄膜晶体管，减小了微发光二极管发光对薄膜晶体管的影响，降低了微发光二极管照射薄膜晶体管导致的阈值漂移，进而降低了光漏电流。

Description

微发光二极管显示面板及制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种微发光二极管显示面板及制备方法。
背景技术
微发光二极管(Micro LED)显示面板是一种以在一个基板上集成的高密度微小尺寸的发光二极管(LED)阵列作为显示像素来实现图像显示的显示装置，微发光二极管(Micro LED)显示面板属于自发光显示器。
由于微发光二极管所发的光为全方位的，阵列基板内的薄膜晶体管(TFT)会受到微发光二极管所发出的短波段光照射而产生阈值(Vth)漂移，进而导致光漏电流变大而影响显示效果。
即，现有微发光二极管显示面板存在微发光二极管发光引起薄膜晶体管阈值偏移的技术问题，需要改进。
发明内容
本发明提供一种微发光二极管显示面板及制备方法，以缓解现有微发光二极管显示面板存在微发光二极管发光引起薄膜晶体管阈值偏移的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明实施例提供一种微发光二极管显示面板制备方法，其包括：
提供一基板；
在所述基板上依次形成有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极；
在所述基板上形成第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述源极和漏极；所述第一钝化层上设有第一通孔；
在所述基板上形成像素电极，所述像素电极通过所述第一通孔连接所述漏极或者所述源极；
在所述基板上形成遮光层，所述遮光层覆盖所述有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极；
在所述基板上设置微发光二极管，所述微发光二极管与所述像素电极连接。
在本发明实施例提供的微发光二极管显示面板制备方法中，在所述基板上形成遮光层的步骤之前，所述微发光二极管显示面板制备方法还包括：
在所述像素电极上形成第二钝化层，所述第二钝化层设有第二通孔，所述微发光二极管通过所述第二通孔与所述像素电极连接。
在本发明实施例提供的微发光二极管显示面板制备方法中，在所述像素电极上形成第二钝化层的步骤之前，所述微发光二极管显示面板制备方法还包括：
在所述像素电极上形成金属电极，所述微发光二极管通过所述第二通孔、金属电极与所述像素电极连接。
在本发明实施例提供的微发光二极管显示面板制备方法中，在所述基板上形成遮光层的步骤之后，所述微发光二极管显示面板制备方法还包括：
在所述遮光层上形成第三钝化层，所述第三钝化层覆盖所述遮光层和部分第二钝化层。
同时，本发明实施例还提供一种微发光二极管显示面板，其包括：
基板；
设置在所述基板上的有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极；
覆盖所述源极和所述漏极的第一钝化层，所述第一钝化层上设有第一通孔；
像素电极，所述像素电极通过所述第一通孔连接所述漏极或者所述源极；
遮光层，所述遮光层覆盖所述有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极；
微发光二极管，所述微发光二极管与所述像素电极连接。
在本发明提供的微发光二极管显示面板中，所述微发光二极管显示面板还包括：第二钝化层，所述第二钝化层设置在所述像素电极上；所述第二钝化层设有第二通孔，所述微发光二极管通过所述第二通孔与所述像素电极连接。
在本发明提供的微发光二极管显示面板中，所述微发光二极管显示面板还包括：金属电极，所述金属电极设置在所述像素电极上；所述微发光二极管通过所述第二通孔、金属电极与所述像素电极连接。
在本发明提供的微发光二极管显示面板中，所述微发光二极管显示面板还包括：第三钝化层，所述第三钝化层设置在所述遮光层上；所述第三钝化层覆盖所述遮光层和部分所述第二钝化层。
在本发明提供的微发光二极管显示面板中：所述像素电极在所述基板上的投影，与所述源极或者所述漏极在所述基板上的投影部分重合；所述遮光层覆盖部分所述第二钝化层。
在本发明提供的微发光二极管显示面板中，所述遮光层的材料为黑色光阻。
本发明的有益效果为：本发明提供一种微发光二极管显示面板及制备方法，该微发光二极管显示面板包括形成薄膜晶体管的有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极，像素电极、微发光二极管、以及覆盖有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极的遮光层，基于该遮光层，阻挡了微发光二极管所发出的光线照射到薄膜晶体管，减小了微发光二极管发光对薄膜晶体管的影响，降低了微发光二极管照射薄膜晶体管导致的阈值Vth漂移，进而降低了光漏电流，缓解了现有微发光二极管显示面板存在的微发光二极管发光引起薄膜晶体管阈值偏移的技术问题，同时降低非开启时薄膜晶体管的漏电流，提高亮暗态对比度。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明微发光二极管显示面板的第一种结构示意图；
图2至图24为本发明微发光二极管显示面板制备方法的流程示意图；
图25为本发明微发光二极管显示面板的第二种结构示意图；
图26为本发明微发光二极管显示面板的第三种结构示意图；
图27为本发明微发光二极管显示面板的第四种结构示意图；
图28为本发明微发光二极管显示面板的第五种结构示意图；
图29为本发明微发光二极管显示面板的第六种结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
针对现有微发光二极管显示面板存在的微发光二极管发光引起薄膜晶体管阈值偏移的技术问题，本发明实施例可以缓解。
如图1所示，本发明提供的微发光二极管显示面板包括：
基板101；基板101可以是玻璃或者柔性衬底等；
设置在所述基板101上的有源层21、栅绝缘层22、栅极23、源极24和漏极25；有源层21、栅绝缘层22、栅极23、源极24和漏极25形成薄膜晶体管；
覆盖所述源极24和所述漏极25的第一钝化层108，所述第一钝化层108上设有第一通孔a；
像素电极31，所述像素电极31通过所述第一通孔连接所述漏极25或者所述源极24；在薄膜晶体管为N型薄膜晶体管时，像素电极31通过所述第一通孔连接所述漏极25，在薄膜晶体管为P型薄膜晶体管时，像素电极31通过所述第一通孔连接所述漏极25；
遮光层112，所述遮光层112覆盖所述有源层21、栅绝缘层22、栅极23、源极24和漏极25；
微发光二极管4，所述微发光二极管与所述像素电极连接。
本实施例提供了一种微发光二极管显示面板，该微发光二极管显示面板包括形成薄膜晶体管的有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极，像素电极、微发光二极管、以及覆盖有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极的遮光层；基于该遮光层，阻挡了微发光二极管所发出的光线照射到薄膜晶体管，减小了微发光二极管发光对薄膜晶体管的影响。
在一种实施例中，若像素电极的电位为正时，像素电极31通过所述第一通孔连接所述漏极25，若像素电极的电位为负时，像素电极31通过所述第一通孔连接所述源极24。
在一种实施例中，如图1所示，所述微发光二极管显示面板还包括：第二钝化层111，所述第二钝化层111设置在所述像素电极31上；所述第二钝化层111设有第二通孔b，所述微发光二极管4通过所述第二通孔与所述像素电极31连接。
在一种实施例中，如图1所示，所述微发光二极管显示面板还包括：金属电极32，所述金属电极32设置在所述像素电极31上；所述微发光二极管4通过所述第二通孔b、金属电极32与所述像素电极31连接。
在一种实施例中，如图1所示，所述微发光二极管显示面板还包括：第三钝化层113，所述第三钝化层113设置在所述遮光层112上；所述第三钝化层113覆盖所述遮光层112和部分所述第二钝化层111。
在一种实施例中，如图1所示，所述像素电极31在所述基板101上的投影，与所述源极或者所述漏极在所述基板上的投影部分重合；所述遮光层112覆盖部分所述第二钝化层111。
微发光二极管4按照结构不同，可分为垂直结构的微发光二极管和水平结构的微发光二极管，垂直结构的微发光二极管的第一电极和第二电极分别位于微发光二极管的上下两侧，水平的结构的微发光二极管的第一电极和第二电极均位于微发光二极管的下侧。
在一种实施例中，所述微发光二极管4为水平结构的微发光二极管，所述微发光二极管显示面板还包括：用于连接公共电压的连接电极26、透明公共电极33，透明公共电极33通过所述第一通孔连接所述连接电极26；所述微发光二极管4的第一电极连接像素电极31，第二电极连接透明公共电极33。
在一种实施例中，如图1所示，所述第二钝化层111还设置在所述透明公共电极33上；所述微发光二极管4的第二电极通过所述第二通孔连接透明公共电极33。
在一种实施例中，如图1所示，所述微发光二极管显示面板还包括：金属公共电极34，设置在所述透明公共电极33上，所述微发光二极管4的第二电极通过第二过孔、金属公共电极34连接透明公共电极33。
在一种实施例中，所述微发光二极管4为倒装的水平结构微发光二极管，以提高出光效率。
在一种实施例中，所述微发光二极管4为垂直结构的微发光二极管，所述微发光二极管显示面板还包括：透明公共电极层，所述微发光二极管4的第一电极连接像素电极31，第二电极连接透明公共电极层。
在一种实施例中，薄膜晶体管包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、感测薄膜晶体管等；驱动薄膜晶体管包括金属氧化物半导体薄膜晶体管等，开关薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管等。
在一种实施例中，微发光二极管显示基板包括阵列排布的子像素单元，一个子像素单元包括一个微发光二极管4，以及至少一个驱动薄膜晶体管，微发光二极管4在驱动薄膜晶体管的驱动下发光。
在一种实施例中，像素电极31和透明公共电极33的材料可以是氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锌等。
在一种实施例中，金属电极32和金属公共电极34的材料可以是铜钼叠层、铜钼钛叠层、铜钛叠层，铝钼叠层，铜铌合金、镍铬合金等。
在一种实施例中，所述遮光层112的材料是黑色光阻。
在一种实施例中，如图1所示，所述微发光二极管显示面板还包括：缓冲层102，设置在所述基板101上，所述有源层21、栅绝缘层22、栅极23、源极24和漏极25设置在所述缓冲层102上。
在一种实施例中，如图1所示，所述微发光二极管显示面板还包括：中间电介质层106，设置在所述栅极23上，所述源极24和漏极25设置在所述中间电介质层106上。
在一种实施例中，如图1所示，所述微发光二极管显示面板还包括：封装膜114，封装膜可以为有机/无机交替沉积的隔水氧及机械碰撞保护膜，用于封装微发光二极管4。
为了制备得到图1所示的微发光二极管显示面板，本发明实施例也提供了一种微发光二极管显示面板制备方法，其包括以下步骤：
步骤1、提供一基板；
步骤2、在所述基板上依次形成有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极；
步骤3、在所述基板上形成第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述源极和漏极；所述第一钝化层上设有第一通孔；
步骤4、在所述基板上形成像素电极和遮光层，所述像素电极通过所述第一通孔连接所述漏极或者所述源极，所述遮光层覆盖所述有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极；
步骤5、在所述基板上设置微发光二极管，所述微发光二极管与所述像素电极连接。
在一种实施例中，步骤4包括：
步骤41、在所述基板上形成像素电极，所述像素电极通过所述第一通孔连接所述漏极或者所述源极；
步骤42、在所述基板上形成遮光层，所述遮光层覆盖所述有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极。
在一种实施例中，在步骤42之前，所述微发光二极管显示面板制备方法还包括：
步骤43、在所述像素电极上形成第二钝化层，所述第二钝化层设有第二通孔，所述微发光二极管通过所述第二通孔与所述像素电极连接。
在一种实施例中，在步骤43之前，所述微发光二极管显示面板制备方法还包括：
步骤44、在所述像素电极上形成金属电极，所述微发光二极管通过所述第二通孔、金属电极与所述像素电极连接。
在一种实施例中，在步骤42之后，所述微发光二极管显示面板制备方法还包括：
步骤45、在所述遮光层上形成第三钝化层，所述第三钝化层覆盖所述遮光层和部分第二钝化层。
现以薄膜晶体管为金属氧化物半导体薄膜晶体管、微发光二极管为水平结构的微发光二极管为例，对本发明提供的微发光二极管显示面板制备方法进行描述。
如图2至图24所示，本发明实施例提供的微发光二极管显示面板制备方法包括以下步骤：
如图2所示，提供一基板101。
基板101可以是玻璃基板、柔性基板等，并进行清洗等处理。
如图3所示，在基板101上沉积缓冲层102。
缓冲层102的材料可以为氧化硅、氮化硅/氧化硅叠层，氧化铝/氧化硅叠层等。
如图4所示，在缓冲层102上沉积金属氧化物半导体膜层103。
金属氧化物半导体膜层103的材料可以是氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟镓、氧化铟镓钛、氧化铟镓锌钛等。
如图5所示，对金属氧化物半导体膜层103进行处理，形成有源层21。
有源层21包括N掺杂区和P掺杂区、以及位于N掺杂区和P掺杂区之间的沟道区。
如图6所示，在缓冲层102和有源层21上沉积绝缘层104和金属层105。
绝缘层104的材料可以为氧化硅、氮化硅/氧化硅叠层，氧化铝/氧化硅叠层等，第一金属层105的材料可以为铜钼叠层、铜钼钛叠层、铜钛叠层，铝钼叠层，铜铌合金等。
如图7所示，对绝缘层104进行图案化处理，形成栅绝缘层22，对金属层105进行图案化处理，形成栅极23。
如图8所示，在缓冲层102、有源层21、栅绝缘层22、栅极23上沉积中间电介质层106。
中间电介质层106的材料可以为氧化硅、氮化硅/氧化硅叠层等。
如图9所示，对中间电介质层106图案化处理，形成对应N掺杂区和P掺杂区的开孔。
如图10所示，在中间电介质层106上金属层107。
金属层107的材料可以为铜钼叠层、铜钼钛叠层、铜钛叠层，铝钼叠层，铜铌合金等。
如图11所示，对金属层107进行图案化处理，形成源极24、漏极25以及连接电极26。
如图12所示，在中间电介质层106、源极24、漏极25以及连接电极26上沉积第一钝化层108。
第一钝化层108的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮化硅/氧化硅叠层。
如图13所示，对第一钝化层108图案化处理，形成对应漏极25以及连接电极26的第一通孔a。
如图14所示，在第一钝化层108上沉积透明导电层109及金属层110。
透明导电层109的材料可以为氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锌等，金属层110的材料可以是铜钼叠层、铜钼钛叠层、铜钛叠层，铝钼叠层，铜铌合金、镍铬合金等。
如图15所示，对透明导电层109进行图案化处理，形成像素电极31和透明公共电极33，对金属层110进行图案化处理，形成金属电极32和金属公共电极34。
像素电极31通过第一通孔a连接漏极25，透明公共电极33通过第一通孔a与连接电极26连接。
如图16所示，在第一钝化层108、金属电极32和金属公共电极34上沉积第二钝化层111。
第二钝化层111的材料可以为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化硅/氧化硅叠层等。
如图17所示，对第二钝化层111进行图案化处理，保留覆盖金属电极32和金属公共电极34的区域。
如图18所示，在第一钝化层108、第二钝化层111上沉积遮光层112。
遮光层112的材料可以是黑色光阻、不透明金属等。
如图19所示，对遮光层112进行图案化处理，保留覆盖有源层21、栅绝缘层22、栅极23、源极24和漏极25的区域。
如图20所示，在第一钝化层108、第二钝化层111、遮光层112上沉积第三钝化层113。
第三钝化层113的材料可以为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化硅/氧化硅叠层等。
如图21所示，对第三钝化层113进行图案化处理，保留覆盖遮光层112的区域。
如图22所示，对第二钝化层111进行图案化挖孔，形成对应金属电极32和金属公共电极34的第二通孔b。
如图23所示，进行微发光二极管4的绑定。
将微发光二极管4的第一电极通过第二通孔b与金属电极32连接，将微发光二极管4的第二电极通过第二通孔b与金属公共电极32连接。
如图24所示，在第一钝化层108、第二钝化层111、微发光二极管4上沉积透明的封装膜114。
封装膜114可以为有机/无机交替沉积的隔水氧及机械碰撞保护膜等。
现结合图25至图29对本发明的其他实现方式进行描述。
在图25至图29所示的微发光二极管显示面板中，相同标号所对应的膜层以及构件名称与图1所示的微发光二极管显示面板一致。
在一种实施例中，如图25所示，所述遮光层112设置在所述第一钝化层108上；所述像素电极31在所述遮光层112上，所述像素电极31通过贯穿所述遮光层112和所述第一钝化层108的通孔c，与所述漏极25连接。
为了得到图25所示的微发光二极管显示面板，本发明提供的微发光二极管显示面板制备方法包括以下步骤：
提供一基板101；
在所述基板101上依次形成有源层21、栅绝缘层22、栅极23、源极24和漏极25；
在所述基板101上形成第一钝化层108，所述第一钝化层覆盖所述源极24和漏极25；
在所述第一钝化层108上形成遮光层112；
对所述第一钝化层108、以及遮光层112进行处理，形成第三通孔c；
在所述遮光层112形成像素电极31，所述像素电极通过所述第三通孔c(包括第一钝化层108形成的第一通孔)连接所述漏极或者所述源极；
在所述基板上设置微发光二极管，所述微发光二极管与所述像素电极连接。
在一种实施例中，如图26所示，所述微发光二极管显示面板还包括第三钝化层113，第三钝化层113设置在遮光层112上；所述像素电极31在所述第三钝化层113上，所述像素电极31通过贯穿所述第三钝化层113、遮光层112和所述第一钝化层108的通孔d，与所述漏极25连接。
为了得到图26所示的微发光二极管显示面板，本发明提供的微发光二极管显示面板制备方法包括以下步骤：
提供一基板101；
在所述基板101上依次形成有源层21、栅绝缘层22、栅极23、源极24和漏极25；
在所述基板101上形成第一钝化层108，所述第一钝化层覆盖所述源极24和漏极25；
在所述第一钝化层108上形成遮光层112；
在所述遮光层112上形成第三钝化层113；
对所述第一钝化层108、第三钝化层113以及遮光层112进行处理，形成第四通孔d；
在所述遮光层112形成像素电极31，所述像素电极通过所述第四通孔d(包括第一钝化层108形成的第一通孔)连接所述漏极或者所述源极；
在所述基板上设置微发光二极管，所述微发光二极管与所述像素电极连接。
在一种实施例中，如图27所示，所述遮光层112设置在所述第一钝化层108和第二钝化层111上；所述微发光二极管4通过贯穿所述遮光层112和所述第二钝化层111的第五通孔e，与所述像素电极31连接。
为了得到图27所示的微发光二极管显示面板，本发明提供的微发光二极管显示面板制备方法包括以下步骤：
提供一基板101；
在所述基板101上依次形成有源层21、栅绝缘层22、栅极23、源极24和漏极25；
在所述基板101上形成第一钝化层108，所述第一钝化层覆盖所述源极24和漏极25；第一钝化层108形成有第一通孔a；
在所述第一钝化层108上形成像素电极31；
在所述像素电极31上形成遮光层112；
对所述遮光层112进行处理，形成第五通孔e；
在所述遮光层112上设置微发光二极管4，所述微发光二极管通过第五通孔e与所述像素电极31连接。
在一种实施例中，如图28所示，所述遮光层112设置在所述第一钝化层108和第二钝化层111上，所述遮光层112在所述像素电极31的部分区域内形成凹槽；所述微发光二极管4设置在所述凹槽内，通过贯穿所述遮光层112和所述第二钝化层111的第五通孔e，与所述像素电极31连接。
为了得到图27所示的微发光二极管显示面板，本发明提供的微发光二极管显示面板制备方法包括以下步骤：
提供一基板101；
在所述基板101上依次形成有源层21、栅绝缘层22、栅极23、源极24和漏极25；
在所述基板101上形成第一钝化层108，所述第一钝化层覆盖所述源极24和漏极25；第一钝化层108形成有第一通孔a；
在所述第一钝化层108上形成像素电极31；
在所述像素电极31上形成遮光层112；
对所述遮光层112进行处理，形成凹槽以及第五通孔e；
在所述遮光层112的凹槽内设置微发光二极管4，所述微发光二极管通过第五通孔e与所述像素电极31连接。
在一种实施例中，如图29所示，所述微发光二极管显示面板还包括第三钝化层113，所述第三钝化层113设置在所述遮光层112上；所述微发光二极管4通过贯穿所述第三钝化层113、所述遮光层112和所述第二钝化层111的第六通孔f，与所述像素电极31连接。
为了得到图29所示的微发光二极管显示面板，本发明提供的微发光二极管显示面板制备方法包括以下步骤：
提供一基板101；
在所述基板101上依次形成有源层21、栅绝缘层22、栅极23、源极24和漏极25；
在所述基板101上形成第一钝化层108，所述第一钝化层覆盖所述源极24和漏极25；第一钝化层108形成有第一通孔a；
在所述第一钝化层108上形成像素电极31；
在所述像素电极31上形成遮光层112；
在所述遮光层112上形成第三钝化层113；
对所述遮光层112以及所述第三钝化层113进行处理，形成第六通孔f；
在所述遮光层112上设置微发光二极管4，所述微发光二极管通过第六通孔f与所述像素电极31连接。
同时，本发明还提供一种显示装置，包括一微发光二极管显示面板，该微发光二极管显示面板包括：
基板；
设置在所述基板上的有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极；
覆盖所述源极和所述漏极的第一钝化层，所述第一钝化层上设有第一通孔；
像素电极，所述像素电极通过所述第一通孔连接所述漏极或者所述源极；
遮光层，所述遮光层覆盖所述有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极；
微发光二极管，所述微发光二极管与所述像素电极连接。
在一种实施例中，在本发明提供的显示装置中，所述微发光二极管显示面板还包括：第二钝化层，所述第二钝化层设置在所述像素电极上；所述第二钝化层设有第二通孔，所述微发光二极管通过所述第二通孔与所述像素电极连接。
在一种实施例中，在本发明提供的显示装置中，所述微发光二极管显示面板还包括：金属电极，所述金属电极设置在所述像素电极上；所述微发光二极管通过所述第二通孔、金属电极与所述像素电极连接。
在一种实施例中，在本发明提供的显示装置中，所述微发光二极管显示面板还包括：第三钝化层，所述第三钝化层设置在所述遮光层上；所述第三钝化层覆盖所述遮光层和部分所述第二钝化层。
在一种实施例中，在本发明提供的显示装置中：所述像素电极在所述基板上的投影，与所述源极或者所述漏极在所述基板上的投影部分重合；所述遮光层覆盖部分所述第二钝化层。
在一种实施例中，在本发明提供的显示装置中，所述遮光层的材料为黑色光阻。
根据上述实施例可知：
本发明提供一种微发光二极管显示面板及制备方法，该微发光二极管显示面板包括形成薄膜晶体管的有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极，像素电极、微发光二极管、以及覆盖有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极的遮光层，基于该遮光层，阻挡了微发光二极管所发出的光线照射到薄膜晶体管，减小了微发光二极管发光对薄膜晶体管的影响，降低了微发光二极管照射薄膜晶体管导致的阈值Vth漂移，进而降低了光漏电流，缓解了现有微发光二极管显示面板存在的微发光二极管发光引起薄膜晶体管阈值偏移的技术问题，同时降低非开启时薄膜晶体管的漏电流，提高亮暗态对比度。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种微发光二极管显示面板制备方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
在所述基板上依次形成有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极；
在所述基板上形成第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述源极和漏极；所述第一钝化层上设有第一通孔；
在所述基板上形成像素电极，所述像素电极通过所述第一通孔连接所述漏极或者所述源极；
在所述基板上形成遮光层，所述遮光层覆盖所述有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极；
在所述基板上设置微发光二极管，所述微发光二极管与所述像素电极连接。
2.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板制备方法，其特征在于，在所述基板上形成遮光层的步骤之前，所述微发光二极管显示面板制备方法还包括：
在所述像素电极上形成第二钝化层，所述第二钝化层设有第二通孔，所述微发光二极管通过所述第二通孔与所述像素电极连接。
3.根据权利要求2所述的微发光二极管显示面板制备方法，其特征在于，在所述像素电极上形成第二钝化层的步骤之前，所述微发光二极管显示面板制备方法还包括：
在所述像素电极上形成金属电极，所述微发光二极管通过所述第二通孔、金属电极与所述像素电极连接。
4.根据权利要求2或3所述的微发光二极管显示面板制备方法，其特征在于，在所述基板上形成遮光层的步骤之后，所述微发光二极管显示面板制备方法还包括：
在所述遮光层上形成第三钝化层，所述第三钝化层覆盖所述遮光层和部分第二钝化层。
5.一种微发光二极管显示面板，其特征在于，包括：
基板；
设置在所述基板上的有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极；
覆盖所述源极和所述漏极的第一钝化层，所述第一钝化层上设有第一通孔；
像素电极，所述像素电极通过所述第一通孔连接所述漏极或者所述源极；
遮光层，所述遮光层覆盖所述有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极；
微发光二极管，所述微发光二极管与所述像素电极连接。
6.根据权利要求5所述的微发光二极管显示面板，其特征在于，所述微发光二极管显示面板还包括：
第二钝化层，所述第二钝化层设置在所述像素电极上；所述第二钝化层设有第二通孔，所述微发光二极管通过所述第二通孔与所述像素电极连接。
7.根据权利要求6所述的微发光二极管显示面板，其特征在于，所述微发光二极管显示面板还包括：
金属电极，所述金属电极设置在所述像素电极上；所述微发光二极管通过所述第二通孔、金属电极与所述像素电极连接。
8.根据权利要求6所述的微发光二极管显示面板，其特征在于，所述微发光二极管显示面板还包括：
第三钝化层，所述第三钝化层设置在所述遮光层上；所述第三钝化层覆盖所述遮光层和部分所述第二钝化层。
9.根据权利要求6至8任一项所述的微发光二极管显示面板，其特征在于：
所述像素电极在所述基板上的投影，与所述源极或者所述漏极在所述基板上的投影部分重合；
所述遮光层覆盖部分所述第二钝化层。
10.根据权利要求5至8任一项所述的微发光二极管显示面板，其特征在于，所述遮光层的材料为黑色光阻。
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