CN111540754B - 微型发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种微型发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，有效改善共晶层的反光现象。微型发光二极管显示面板包括：衬底基板；设于衬底基板的阵列层，阵列层设有多个驱动电路和第一电源信号线；设于阵列层背向衬底基板一侧的共晶层，共晶层包括多个第一共晶层和多个第二共晶层，第一共晶层与驱动电路连接，第二共晶层与第一电源信号线连接；位于共晶层远离衬底基板一侧的多个微型发光二极管，微型发光二极管侧面设置有遮光层；微型发光二极管的正极与第一共晶层连接，微型发光二极管的负极与第二共晶层连接；遮光层与微型发光二极管的侧面接合，在垂直衬底基板所在平面方向上，微型发光二极管和遮光层不交叠。
Description
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种微型发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
微型发光二极管(Micro LED)显示面板由于其具有更高亮度的优势，得到了越来越广泛的应用。在微型发光二极管显示面板的制作工艺中，在形成阵列层之后，在阵列层上形成共晶层，然后将制作完成的多个微型发光二极管与共晶层绑定在一起，通过共晶层与阵列层中的驱动电路和电源信号线电连接。
但是，在微型发光二极管与共晶层对位的过程中，受到对位精度等因素的影响，微型发光二极管无法完全覆盖共晶层，导致部分共晶层露出，如此一来，当外界环境光传输至露出的这部分共晶层上时，会被这部分共晶层反射至人眼，导致共晶层被人眼可见。尤其地，对于高像素密度的显示面板来说，该类型的显示面板中微型发光二极管的尺寸更小，且共晶层设置地更密集，因而微型发光二极管与共晶层的对位精度更难以保证，使得共晶层反光现象更为严重。
【发明内容】
有鉴于此，本发明实施例提供了一种微型发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置，能够有效改善共晶层的反光现象。
一方面，本发明实施例提供了一种微型发光二极管显示面板，包括：
衬底基板；
设于所述衬底基板的阵列层，所述阵列层内设有多个驱动电路和第一电源信号线；
设于所述阵列层背向所述衬底基板的一侧的共晶层，所述共晶层包括多个第一共晶层和多个第二共晶层，所述第一共晶层与所述驱动电路电连接，所述第二共晶层与所述第一电源信号线电连接；
位于所述共晶层远离所述衬底基板一侧的多个微型发光二极管，所述微型发光二极管包括发光面以及与所述发光面相交的侧面，所述发光面为所述微型发光二极管远离所述衬底基板一侧的表面，所述微型发光二极管的所述侧面设置有遮光层；所述微型发光二极管的正极和负极所在侧为所述微型发光二极管的面向所述衬底基板的一侧，所述微型发光二极管的正极与所述第一共晶层电连接，所述微型发光二极管的负极与所述第二共晶层电连接；
其中，所述遮光层与所述微型发光二极管的侧面接合，且在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述微型发光二极管和所述遮光层不交叠。
另一方面，本发明实施例提供了一种微型发光二极管显示面板的制作方法，用于制作上述微型发光二极管显示面板，包括：
在衬底基板上形成阵列层，所述阵列层内设有多个驱动电路和第一电源信号线；
在所述阵列层背向所述衬底基板的一侧形成共晶层，所述共晶层包括多个第一共晶层和多个第二共晶层，所述第一共晶层与所述驱动电路电连接，所述第二共晶层与所述第一电源信号线电连接；
在晶片上形成多个微型发光二极管，所述微型发光二极管包括发光面以及与所述发光面相交的侧面，所述微型发光二极管的所述侧面设置有遮光材料；
将所述微型发光二极管的正极与所述第一共晶层电连接，将所述微型发光二极管的负极与所述第二共晶层电连接，所述遮光材料形成遮光层；其中，所述遮光层与所述微型发光二极管的所述侧面接合，且在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述微型发光二极管和所述遮光层不交叠。
再一方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括上述微型发光二极管显示面板。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下有益效果：
在本发明实施例所提供的技术方案中，通过在微型发光二极管的侧面设置遮光层，当将微型发光二极管与共晶层对位，以实现正极与第一共晶层的绑定和负极与第二共晶层的绑定时，即使由于对位精度等因素的影响，微型发光二极管无法完全覆盖共晶层，使部分共晶层被微型发光二极管暴露，但仍可利用微型发光二极管侧面设置的遮光层对共晶层进行覆盖。当外界环境光朝向共晶层入射时，该部分光线会被共晶层上覆盖的遮光层遮挡，无法进一步传输至共晶层，从而降低了外界环境光被共晶层反射至人眼的风险，进而有效改善了共晶层的反光现象，优化了微型发光二极管显示面板的显示性能。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例所提供的微型发光二极管显示面板的俯视图；
图2为本发明实施例所提供的微型发光二极管显示面板的膜层示意图；
图3为本发明实施例所提供的微型发光二极管和共晶层的尺寸示意图；
图4为本发明实施例所提供的遮光层的另一种结构示意图；
图5为本发明实施例所提供的制作方法的流程图；
图6为本发明实施例所提供的制作方法的另一种流程图；
图7为本发明实施例所提供的制作方法的又一种流程图；
图8为本发明实施例所提供的显示装置的结构示意图。
【具体实施方式】
为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
本发明实施例提供了一种微型发光二极管显示面板，如图1和图2所示，图1为本发明实施例所提供的微型发光二极管显示面板的俯视图，图2为本发明实施例所提供的微型发光二极管显示面板的膜层示意图，该微型发光二极管显示面板包括：衬底基板1；设于衬底基板1的阵列层2，阵列层2内设有多个驱动电路3和第一电源信号线4；设于阵列层2背向衬底基板1的一侧的共晶层5，共晶层5包括多个第一共晶层6和多个第二共晶层7，第一共晶层6与驱动电路3电连接，第二共晶层7与第一电源信号线4电连接，其中，共晶层5可由金属或合金材料形成，例如，共晶层5由铜、金、铟、锡所形成的合金材料形成。
此外，微型发光二极管显示面板还包括位于共晶层5远离衬底基板1一侧的多个微型发光二极管8，微型发光二极管8包括发光面9以及与发光面9相交的侧面10，发光面9为微型发光二极管8远离衬底基板1一侧的表面，微型发光二极管8的侧面10设置有遮光层11；微型发光二极管8的正极12和负极13所在侧为微型发光二极管8的面向衬底基板1的一侧，微型发光二极管8的正极12与第一共晶层6电连接，微型发光二极管8的负极13与第二共晶层7电连接；其中，遮光层11与微型发光二极管8的侧面10接合，且在垂直于衬底基板1所在平面的方向上，微型发光二极管8和遮光层11不交叠。具体地，遮光层11可由深色遮光材料形成。
需要说明的是，驱动电路3可包括薄膜晶体管14，薄膜晶体管14包括有源层15、栅极16、源极17和漏极18，第一共晶层6与驱动电路3电连接具体可指第一共晶层6与薄膜晶体管中的源极17或漏极18电连接。在驱动微型发光二极管8发光时，驱动电路3将第一驱动信号通过第一共晶层6传输至微型发光二极管8的正极12，第一电源信号线4将第二驱动信号通过第二共晶层7传输至微型发光二极管8的负极13，微型发光二极管8在第一驱动信号和第二驱动信号的压差的作用下发光，并且，通过调节第一驱动信号和第二驱动信号的压差的大小，可以控制微型发光二极管8的发光亮度。
在本发明实施例所提供的微型发光二极管显示面板中，通过在微型发光二极管8的侧面10设置遮光层11，当将微型发光二极管8与共晶层5对位，以实现正极12与第一共晶层6的绑定和负极13与第二共晶层7的绑定时，即使由于对位精度等因素的影响，微型发光二极管8无法完全覆盖共晶层5，使部分共晶层5被微型发光二极管8暴露，但仍可利用微型发光二极管8侧面10设置的遮光层11对共晶层5进行覆盖。当外界环境光朝向共晶层5入射时，该部分光线会被共晶层5上覆盖的遮光层11遮挡，无法进一步传输至共晶层5，从而降低了外界环境光被共晶层5反射至人眼的风险，进而有效改善了共晶层5的反光现象，优化了微型发光二极管显示面板的显示性能。
此外，由于在垂直于衬底基板1所在平面的方向上，微型发光二极管8和遮光层11不交叠，因此，遮光层11不会对微型发光二极管8的出光面9造成遮挡，从而不会影响微型发光二极管8的出光效率。
进一步地，对于相互电连接的微型发光二极管8的正极12和第一共晶层6，和/或，微型发光二极管8的负极13和第二共晶层7，第一共晶层6的和/或第二共晶层7的被微型发光二极管8暴露的部分被遮光层11覆盖，从而使得第一共晶层6的和/或第二共晶层7的全部区域均被微型发光二极管8和遮光层11覆盖，避免第一共晶层6的和/或第二共晶层7暴露，以更大程度地改善共晶层5的反光现象。
可选地，遮光层11由遮光材料形成，遮光材料的熔点大于形成共晶层5的材料(以下简称共晶材料)的熔点。示例性的，当共晶材料的熔点在150～200℃之间时，那么，可以选用熔点大于200℃的遮光材料，如聚醚醚酮、聚四氟乙烯、聚对二甲苯撑、聚苯醚、聚酰亚胺、聚苯并咪唑、芳香尼龙、半芳香尼龙、或是通过添加染色剂制成深色的塑料或高分子聚合物等材料形成遮光层11。
需要说明的是，在将微型发光二极管8与共晶层5绑定在一起以实现电连接时，需要利用一个大于或等于共晶材料熔点的制程温度将共晶层5熔化，然后将微型发光二极管8的正极12按压在第一共晶层6上，将负极13按压在第二共晶层7上，待第一共晶层6、第二共晶层7凝固后，实现第一共晶层6与正极12之间、以及第二共晶层7与负极13之间的电连接。
当选用的遮光材料的熔点大于共晶材料的熔点时，在微型发光二极管8的侧面10涂覆遮光材料后，既可以利用一个大于或等于遮光材料熔点的制程温度，同时熔化共晶材料和遮光材料，同步实现微型发光二极管8与共晶层5的绑定和遮光层11的形成；也可以先利用一个大于共晶材料熔点且小于遮光材料熔点的制程温度熔化共晶层5，实现微型发光二极管8与共晶层5的绑定，然后再利用一个大于或等于遮光材料熔点的制程温度熔化遮光材料，使遮光材料在重力作用下对被微型发光二极管8暴露的共晶层5进行覆盖。
需要说明的是，当共晶层5与微型发光二极管8的正负极绑定在一起之后，共晶层5与正负极金属所形成的绑定部分的熔点会高于共晶材料本身的熔点，因此，在上述第二种实现方式中，即使在实现微型发光二极管8与共晶层5的绑定之后利用一个更高的制程温度熔化遮光层11，共晶层5也不易被再次熔化，而且，可以使遮光材料的熔化时间小于10s，以进一步降低共晶层5被该制程温度熔化的可能性。
进一步地，当遮光材料的熔点大于共晶材料的熔点时，还可进一步使得遮光材料的熔点小于形成衬底基板1的材料的熔点，以避免在熔化遮光材料时，对衬底基板1造成影响。示例性地，当衬底基板1采用柔性材料形成时，柔性材料的熔点一般在300℃左右，因而可以令遮光材料的熔点小于300℃。
可选地，遮光层11由遮光材料形成，遮光材料的熔点小于或等于形成共晶层5的材料的熔点。
当选用的遮光材料的熔点小于或等于共晶材料的熔点时，在微型发光二极管8的侧面10涂覆遮光材料后，可以利用一个大于或等于共晶材料熔点的制程温度，同时熔化共晶材料和遮光材料，同步实现微型发光二极管8与共晶层5的绑定和遮光层11的形成，从而使得遮光层11对被微型发光二极管8暴露的共晶层5进行覆盖，而且，微型发光二极管8与共晶层5的绑定和遮光层11的形成同步实现，还能简化工艺流程，降低工艺成本。
进一步地，当遮光材料的熔点小于或等于形成共晶层5的材料的熔点时，遮光材料包括沥青或橡胶。沥青或橡胶材料黏度较大，当利用一个大于或等于共晶材料熔点的制程温度，同时熔化共晶材料和遮光材料时，黏度较大的沥青或橡胶不易在微型发光二极管8与共晶层5的绑定过程中流失，避免了遮光材料从微型发光二极管8的侧面10滴落，从而确保遮光层11形成的可靠性，进而提高遮光层11对共晶层5进行覆盖的可靠性。
可选地，遮光层11由发泡塑料或光致变形高分子材料，如含三苯基甲烷衍生物的高分子材料形成。发泡塑料或光致变形高分子材料为可膨胀的遮光材料，当遮光层11由该类可膨胀的遮光材料形成时，在微型发光二极管8和共晶层5绑定之后，可通过光照膨胀、加热膨胀、化学反应膨胀等方式控制至少部分遮光材料膨胀以形成遮光层11。采用该种设置方式所形成的遮光层11的厚度较大，更大程度地实现了遮光层11对暴露的共晶层5进行覆盖，从而进一步改善了共晶层5的反光现象。
此外，需要说明的是，若在微型二极管的侧面10直接设置较厚的遮光材料形成较厚的遮光层11，由于微型发光二极管8自身尺寸较小，当将微型二极管绑定到共晶层5上时，较厚的遮光材料会影响微型发光二极管8与共晶层5的对位，例如会导致微型发光二极管8的正极12、负极13没有对位到第一遮光层11、第二遮光层11上，从而出现微型发光二极管8无法发光的问题。而且，在微型二极管的侧面10直接设置较厚的遮光材料，还会导致微型发光二极管8和遮光材料的整体尺寸较大，从而会对微型发光二极管8的排布密度造成限制，不利于实现高像素密度的设计。但是，采用本发明实施例所提供的利用可膨胀的遮光材料形成遮光层11的方式，可膨胀材料在膨胀前厚度较小，不仅不会影响微型发光二极管8与共晶层5的对位，而且更利于实现高像素密度的设计。
此外，还需要说明的是，对于像素密度较低的显示面板来说，对微型发光二极管8所占用空间的限制较小，在控制遮光材料膨胀时，可以对全部微型发光二极管8侧面10上设置的遮光材料进行膨胀，使其形成较厚的遮光层11；而对于像素密度较高的显示面板来说，每个微型发光二极管8所对应的设置空间较小，因而，当微型发光二极管8与共晶层5绑定之后，可以对共晶层5暴露的位置进行检测，然后仅对这部分区域内的微型发光二极管8侧面10上设置的遮光材料进行膨胀，具体的实施方式可根据显示面板的像素密度进行限定，本发明实施例对此不作具体限制。
可选地，如图3所示，图3为本发明实施例所提供的微型发光二极管和共晶层的尺寸示意图，第一共晶层6在第一方向上的宽度L1大于微型发光二极管8在第一方向上的宽度L2，第二共晶层7在第一方向上的宽度L3大于微型发光二极管8在第一方向上的宽度L2，如此设置，一方面能够保证微型发光二极管8的正极12和负极13与第一共晶层6和第二共晶层7之间有足够的接触面积，使二者之间具有良好的导电性和导热性；另一方面，即使由于对位精度等因素导致微型发光二极管8与共晶层5的相对位置发生偏移，由于第一共晶层6和第二共晶层7的宽度较大，仍能使得微型发光二极管8的正极12、负极13与第一共晶层6、第二共晶层7交叠，提高微型发光二极管8的正负极与第一共晶层6、第二共晶层7之间绑定的可靠性，进而提高微型发光二极管8发光的可靠性。而且，如此设置，即使第一共晶层6和第二共晶层7的部分区域会被微型发光二极管8暴露，但仍能被微型发光二极管8侧面10的遮光层11覆盖，因而不会产生反光现象。
可选地，请再次参见图3，在微型发光二极管8侧面10的遮光层11可断开设置，形成两个或两个以上的遮光部19；或者，如图4所示，图4为本发明实施例所提供的遮光层的另一种结构示意图，遮光层11在微型发光二极管8侧面10呈整圈环绕设置，如此一来，遮光层11能够对微型发光二极管8周边任意位置处暴露的共晶层5进行全方位的覆盖，实现了更好的遮光效果。
本发明实施例还提供了一种微型发光二极管显示面板的制作方法，该制作方法用于制作上述微型发光二极管显示面板，结合图1和图2，如图5所示，图5为本发明实施例所提供的制作方法的流程图，该制作方法包括：
步骤S1：在衬底基板1上形成阵列层2，阵列层2内设有多个驱动电路3和第一电源信号线4。
步骤S2：在阵列层2背向衬底基板1的一侧形成共晶层5，共晶层5包括多个第一共晶层6和多个第二共晶层7，第一共晶层6与驱动电路3电连接，第二共晶层7与第一电源信号线4电连接。
步骤S3：在晶片上形成多个微型发光二极管8，微型发光二极管8包括发光面9以及与发光面9相交的侧面10，微型发光二极管8的侧面10设置有遮光材料。
步骤S4：将微型发光二极管8的正极12与第一共晶层6电连接，将微型发光二极管8的负极13与第二共晶层7电连接，遮光材料形成遮光层11；其中，遮光层11与微型发光二极管8的侧面10接合，且在垂直于衬底基板1所在平面的方向上，微型发光二极管8和遮光层11不交叠。
采用本发明实施例所提供的制作方法，通过在微型发光二极管8的侧面10设置遮光材料以形成遮光层11，将微型发光二极管8与共晶层5对位时，即使微型发光二极管8无法完全覆盖共晶层5，使部分共晶层5被微型发光二极管8暴露，但仍可利用微型发光二极管8侧面10设置的遮光层11对共晶层5进行覆盖。当外界环境光朝向共晶层5入射时，该部分光线会被共晶层5上覆盖的遮光层11遮挡，无法进一步传输至共晶层5，从而降低了外界环境光被共晶层5反射至人眼的风险，进而有效改善了共晶层5的反光现象，优化了微型发光二极管显示面板的显示性能。
可选地，遮光材料的熔点为第一温度，形成共晶层5的材料的熔点为第二温度，第一温度大于第二温度。基于此，步骤S4的过程包括：在第一制程温度下，共晶层5熔化，将微型发光二极管8的正极12与第一共晶层6电连接，将微型发光二极管8的负极13与第二共晶层7电连接，与此同时，遮光材料熔化形成遮光层11，第一制程温度大于或等于第一温度。采用该种设置方式，能够同步实现微型发光二极管8与共晶层5的绑定和遮光层11的形成，在利用遮光层11对被微型发光二极管8暴露的共晶层5进行覆盖，以改善共晶层5反光现象的前提下，还简化了工艺流程，降低了工艺成本。
或者，步骤S4的过程包括：在第二制程温度下，共晶层5熔化，将微型发光二极管8的正极12与第一共晶层6电连接，将微型发光二极管8的负极13与第二共晶层7电连接，第二制程温度大于或等于第二温度，且第二制程温度小于第一温度；在第三制程温度下，遮光材料熔化形成遮光层11，第三制程温度大于或等于第一温度。采用该种设置方式，通过分时提供第二制程温度和第三制程温度，分次实现了微型发光二极管8与共晶层5的绑定和遮光层11的形成，如此设置，仍能在微型发光二极管8的侧面10形状遮光层11，利用遮光层11对被微型发光二极管8暴露的共晶层5进行覆盖，改善共晶层5的反光现象。
需要说明的是，当共晶层5与微型发光二极管8的正负极绑定在一起之后，共晶层5与正负极金属所形成的绑定部分的熔点会高于共晶材料本身的熔点，因此，在利用第二制程温度实现微型发光二极管8与共晶层5的绑定之后，利用一个更高的第三制程温度熔化遮光层11时，共晶层5也不易被再次熔化，而且，可以使遮光材料的熔化时间小于10s，以进一步降低共晶层5被第三制程温度熔化的可能性。
可选地，遮光材料的熔点为第一温度，形成共晶材料的熔点为第二温度，第一温度小于或等于第二温度。基于此，步骤S4的过程包括：在第四制程温度下，共晶层5熔化，将微型发光二极管8的正极12与第一共晶层6电连接，将微型发光二极管8的负极13与第二共晶层7电连接，与此同时，遮光材料熔化形成遮光层11，第四制程温度大于或等于第二温度。采用该种设置方式，能够同步实现微型发光二极管8与共晶层5的绑定和遮光层11的形成，在利用遮光层11对被微型发光二极管8暴露的共晶层5进行覆盖，以改善共晶层5反光现象的前提下，还简化了工艺流程，降低了工艺成本。
而且，在该种制作方式下，可以选用如沥青或橡胶等黏度较大的遮光材料，这样，在同时熔化共晶材料和遮光材料时，在绑定制程中遮光材料不易流失，避免从微型发光二极管8的侧面10滴落，从而确保遮光层11形成的可靠性。
可选地，遮光材料形成遮光层11的过程包括：通过光照、加热或化学反应的方式控制至少部分遮光材料膨胀以形成遮光层11。在该种设置方式下，遮光层11由可膨胀的遮光材料形成，遮光材料膨胀后所形成的遮光层11的厚度较大，更大程度地实现了遮光层11对暴露的共晶层5进行覆盖，从而进一步改善了共晶层5的反光现象。而且，相较于在微型二极管的侧面10直接设置较厚的遮光材料形成较厚的遮光层11，可膨胀材料在膨胀前厚度较小，不仅不会影响微型发光二极管8与共晶层5的对位，而且更利于实现高像素密度的设计。
可选地，如图6所示，图6为本发明实施例所提供的制作方法的另一种流程图，形成多个微型发光二极管8，以及在微型发光二极管8的侧面10设置遮光材料的过程包括：
步骤H1：在晶片上形成多个微型发光二极管8，相邻两个微型发光二极管8之间的区域为第一区域。
步骤H2：对第一区域进行刻蚀，在刻蚀后的第一区域内填充遮光材料。具体地，可以将遮光材料刮涂进第一区域中，或是通过喷墨打印工艺将遮光材料打印到第一区域中。
步骤H3：沿第一区域的中轴线进行切割，以形成多个独立的微型发光二极管8。
采用上述制作方式，在微型发光二极管8被切割之前，通过在相邻两个微型发光二极管8之间的第一区域内填充遮光材料，能够使遮光材料与微型发光二极管8的侧面10接触，沿第一区域的中轴线切割后，使得遮光材料附着在独立的微型发光二极管8的侧面10，以便在后续形成遮光层11。
或者，如图7所示，图7为本发明实施例所提供的制作方法的又一种流程图，形成多个微型发光二极管8，以及在微型发光二极管8的侧面10设置遮光材料的过程包括：
步骤K1：在晶片上形成多个微型发光二极管8，通过切割，形成多个独立的微型发光二极管8。
步骤K2：利用微型机械手在微型发光二极管8的侧面10涂覆遮光材料。
采用上述制作方式，在切割形成多个独立的微型发光二极管8之后，通过利用微型机械手在微型发光二极管8的侧面10涂覆遮光材料，以使遮光材料附着在微型发光二极管8的侧面10，以便在后续形成遮光层11。
本发明实施例还提供了一种显示装置，如图8所示，图8为本发明实施例所提供的显示装置的结构示意图，该显示装置包括上述微型发光二极管显示面板100。其中，微型发光二极管显示面板100的具体结构已经在上述实施例中进行了详细说明，此处不再赘述。当然，图8所示的显示装置仅仅为示意说明，该显示装置可以是例如手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有显示功能的电子设备。
由于本发明实施例所提供的显示装置包括上述微型发光二极管显示面板100，因而，采用该显示装置，能够使共晶层5中被微型发光二极管8暴露的部分被遮光层11覆盖，降低了外界环境光被共晶层5反射至人眼的风险，有效改善了共晶层5的反光现象，优化了显示装置的显示性能。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (6)
1.一种微型发光二极管显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板；
设于所述衬底基板的阵列层，所述阵列层内设有多个驱动电路和第一电源信号线；
设于所述阵列层背向所述衬底基板的一侧的共晶层，所述共晶层包括多个第一共晶层和多个第二共晶层，所述第一共晶层与所述驱动电路电连接，所述第二共晶层与所述第一电源信号线电连接；
位于所述共晶层远离所述衬底基板一侧的多个微型发光二极管，所述微型发光二极管包括发光面以及与所述发光面相交的侧面，所述发光面为所述微型发光二极管远离所述衬底基板一侧的表面，所述微型发光二极管的所述侧面设置有遮光层；所述微型发光二极管的正极和负极所在侧为所述微型发光二极管的面向所述衬底基板的一侧，所述微型发光二极管的正极与所述第一共晶层电连接，所述微型发光二极管的负极与所述第二共晶层电连接；
其中，所述遮光层与所述微型发光二极管的侧面接合，且在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述微型发光二极管和所述遮光层不交叠；
所述遮光层由发泡塑料或光致变形高分子材料形成，所述发泡塑料或光致变形高分子材料为可膨胀的遮光材料；所述遮光材料设置在所述微型发光二极管的所述侧面，用于通过光照膨胀、加热膨胀或化学反应膨胀的方式控制至少部分所述遮光材料膨胀以形成所述遮光层。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，对于相互电连接的所述微型发光二极管的正极和所述第一共晶层，和/或，所述微型发光二极管的负极和所述第二共晶层，所述第一共晶层的和/或所述第二共晶层的被所述微型发光二极管暴露的部分被所述遮光层覆盖。
3.一种微型发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1所述的微型发光二极管显示面板，包括：
在衬底基板上形成阵列层，所述阵列层内设有多个驱动电路和第一电源信号线；
在所述阵列层背向所述衬底基板的一侧形成共晶层，所述共晶层包括多个第一共晶层和多个第二共晶层，所述第一共晶层与所述驱动电路电连接，所述第二共晶层与所述第一电源信号线电连接；
在晶片上形成多个微型发光二极管，所述微型发光二极管包括发光面以及与所述发光面相交的侧面，所述微型发光二极管的所述侧面设置有遮光材料；
将所述微型发光二极管的正极与所述第一共晶层电连接，将所述微型发光二极管的负极与所述第二共晶层电连接，所述遮光材料形成遮光层；其中，所述遮光层与所述微型发光二极管的所述侧面接合，且在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述微型发光二极管和所述遮光层不交叠；
所述遮光材料形成遮光层的过程包括：通过光照、加热或化学反应的方式控制至少部分所述遮光材料膨胀以形成所述遮光层。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，形成多个所述微型发光二极管，以及在所述微型发光二极管的所述侧面设置遮光材料的过程包括：
在所述晶片上形成多个所述微型发光二极管，相邻两个所述微型发光二极管之间的区域为第一区域；
对所述第一区域进行刻蚀，在刻蚀后的所述第一区域内填充所述遮光材料；
沿所述第一区域的中轴线进行切割，以形成多个独立的所述微型发光二极管。
5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，形成多个所述微型发光二极管，以及在所述微型发光二极管的所述侧面设置遮光材料的过程包括：
在所述晶片上形成多个所述微型发光二极管，通过切割，形成多个独立的所述微型发光二极管；
利用微型机械手在所述微型发光二极管的所述侧面涂覆所述遮光材料。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1或2所述的微型发光二极管显示面板。
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