CN108957880B - 阵列基板、显示面板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板、显示面板及其制作方法。该阵列基板包括:衬底基板,包括周边区;以及引线区,位于周边区,引线区包括多条引线,其中,衬底基板设置有引线的主平面包括第一侧边,引线延伸至第一侧边,第一侧边所在侧面设置有凹陷部,凹陷部内设置有与引线电连接的电极。本公开提供的阵列基板的第一侧边所在侧面设置有包括缺口的凹陷部,且位于凹陷部内的电极与引线电连接,不仅可以实现四周超窄边框的设计,而且凹陷部可以保护电极,防止位于阵列基板侧面的电极受到损伤而发生断裂。

Description

阵列基板、显示面板及其制作方法
技术领域
本公开至少一个实施例涉及一种阵列基板、显示面板及其制作方法。
背景技术
目前,超薄、超窄边框甚至无边框的显示器越来越受到广泛的关注,因此很多厂家向制作超窄边框甚至无边框的显示器的方向发展。
发明内容
本公开的至少一实施例提供一种阵列基板、显示面板及其制作方法。
本公开的至少一实施例提供一种阵列基板,包括:衬底基板,包括周边区;以及引线区,位于所述周边区,所述引线区包括多条引线,其中,所述衬底基板设置有所述引线的主平面包括第一侧边,且所述引线延伸至所述第一侧边,所述第一侧边所在侧面设置有凹陷部,所述凹陷部内设置有与所述引线电连接的电极。
在一些示例中,沿平行于所述主平面且垂直于所述第一侧边的第一方向,所述凹陷部的尺寸为1-10微米。
在一些示例中,沿垂直于所述主平面的第二方向,所述凹陷部贯穿所述衬底基板。
在一些示例中,沿平行于所述主平面且垂直于所述第一侧边的第一方向,所述电极的尺寸不大于所述凹陷部的尺寸。
在一些示例中,沿垂直于所述主平面的第二方向,所述凹陷部的尺寸小于所述衬底基板的尺寸。
在一些示例中,沿所述第二方向,所述凹陷部延伸至所述衬底基板的主平面。
在一些示例中,沿平行于所述主平面且垂直于所述第一侧边的第一方向,所述电极的尺寸不小于所述凹陷部的尺寸。
在一些示例中,所述凹陷部包括多个子凹陷部,所述多个子凹陷部与所述多条引线一一对应设置,且每个所述子凹陷部内的所述电极与每条所述引线电连接。
在一些示例中,所述侧面包括一个所述凹陷部,且该凹陷部内的所述电极包括多个子电极,每个所述子电极与每条所述引线电连接。
本公开的至少一实施例提供一种显示面板,包括:上述任一示例所述的阵列基板;以及对置基板,与所述阵列基板对置设置,且位于所述阵列基板设置有所述引线区的一侧。
在一些示例中,显示面板还包括:电路板,设置在所述衬底基板的与所述主平面相对的面或所述侧面上,且通过所述电极与所述引线电连接。
在一些示例中,沿垂直于所述主平面的第二方向,所述第一侧边与所述对置基板的第二侧边对齐。
本公开的至少一实施例提供一种显示面板的制作方法,包括:形成阵列基板,所述阵列基板包括周边区,所述周边区包括引线区,所述引线区内形成有多条引线,且所述阵列基板设置有所述引线的主平面包括第一侧边,所述引线延伸至所述第一侧边;提供对置基板;将所述对置基板与所述阵列基板设置有所述引线区的一侧对合;在所述阵列基板的所述第一侧边所在的侧面形成凹陷部;在所述凹陷部内形成与所述引线电连接的电极。
在一些示例中,制作方法还包括:在所述阵列基板的与所述主平面相对的面或所述侧面上设置电路板;以及将所述电路板通过所述电极与所述引线电连接。
在一些示例中,形成所述阵列基板包括:形成阵列基板母板,所述阵列基板母板包括多个所述阵列基板;提供所述对置基板包括:提供对置基板母板,所述对置基板母板包括多个所述对置基板;将所述对置基板与所述阵列基板设置有所述引线区的一侧对合包括:将所述对置基板母板与所述阵列基板母板对合,并对所述阵列基板母板和所述对置基板母板进行切割,以使沿垂直于所述阵列基板的主平面的方向,所述第一侧边与所述对置基板的第二侧边对齐。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1为一种阵列基板的局部正面结构示意图;
图2A为本公开一实施例提供的阵列基板的局部正面结构示意图;
图2B为图2A所示的阵列基板的侧面示意图;
图2C为与图2A所示的阵列基板的正面相对的面的示意图;
图3A为本公开另一实施例提供的阵列基板的侧面结构示意图;
图3B为图3A所示的阵列基板的局部正面结构示意图;
图3C为本公开另一实施例的另一示例提供的阵列基板的侧面结构示意图;
图4A为本公开另一实施例的另一示例提供的阵列基板的局部侧面结构示意图;
图4B为图4A所示的阵列基板的正面结构示意图;
图5为本公开另一实施例提供的显示面板的局部结构示意图;
图6为本公开另一实施例的一示例示出的显示面板包括的阵列基板的远离对置基板的面的示意图;
图7为本公开另一实施例的另一示例示出的显示面板的侧面的示意图;
图8为本公开另一实施例提供的显示面板的制作方法的示意性流程图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。
图1为一种阵列基板的局部平面结构示意图。如图1所示,阵列基板包括显示区1和围绕显示区1的周边区2。周边区2包括绑定区3,绑定区3内设置有多条引线4以与柔性印刷电路板或者覆晶薄膜等电路板实现绑定。例如,如图1所示,阵列基板的周边区可以包括两个绑定区,分别位于沿X方向延伸的侧边5附近和沿Y方向延伸的侧边6附近,两个绑定区分别用于与数据驱动芯片和扫描驱动芯片绑定。但不限于此,阵列基板的周边区也可以包括更多个绑定区。以位于沿X方向延伸的侧边5附近的绑定区3为例,该绑定区3沿Y方向的尺寸至少为1-2毫米,由此,图1所示的阵列基板很难适应超窄显示屏对窄边框的要求。
为了实现超窄边框的设计,可以在阵列基板的侧边5所在的垂直于XY面的侧面设置银胶电极,该银胶电极与位于阵列基板正面(图1所示的面为正面)的引线4电连接,从而将原本位于阵列基板正面的绑定区3转移至阵列基板的侧边5所在的侧面或者阵列基板的背面,从而可以减少边框的宽度以实现四周超窄边框的设计。然而,本申请的发明人发现:阵列基板在组装过程中,直接在阵列基板的侧面设置银胶电极的方式会导致位于阵列基板侧面的银胶电极容易受到损伤而发生断裂。
本公开的实施例提供一种阵列基板、显示面板及其制作方法。该阵列基板包括:衬底基板,包括周边区;以及引线区,位于周边区,引线区包括多条引线,其中,衬底基板设置有引线的主平面包括第一侧边,且引线延伸至第一侧边,第一侧边所在侧面设置有凹陷部,凹陷部内设置有与引线电连接的电极。本公开提供的阵列基板的第一侧边所在侧面设置有凹陷部,且位于凹陷部内的电极与引线电连接,不仅可以实现四周超窄边框的设计,而且凹陷部可以保护电极,防止位于阵列基板侧面的电极受到损伤而发生断裂。此外,在阵列基板的侧面形成凹陷部的制备方法简单,且容易实现。
下面结合附图对本公开实施例提供的阵列基板、显示面板及其制作方法进行描述。
图2A为本公开一实施例提供的阵列基板的局部正面结构示意图,图2B为图2A所示的阵列基板的侧面示意图。如图2A和图2B所示,本实施例提供一种阵列基板,其包括衬底基板100,衬底基板100包括显示区101以及位于显示区101周边的周边区110。本实施例以图2A所示的衬底基板100设施有显示区101和周边区110的面为正面。图中示意性的示出一部分显示区以及围绕显示区相邻两边的一部分周边区。如图2A和图2B所示,阵列基板还包括位于周边区110的引线区200,引线区200包括多条引线210,这里的引线210可以为阵列基板上的数据线或者扫描线,也可以为将数据线或扫描线连接至驱动芯片的配线(例如扇形配线)。
如图2A和图2B所示,衬底基板100设置有引线210的主平面包括第一侧边120,第一侧边120所在侧面130设置有凹陷部131,凹陷部131内设置有与引线210电连接的电极300。
一方面,本实施例通过在阵列基板的第一侧边所在的侧面设置凹陷部,且使设置在凹陷部内的电极与引线电连接,从而将阵列基板的与电路板绑定的绑定区转移至阵列基板的侧面或者背面以实现四周超窄边框的设计;另一方面,由于凹陷部可以保护电极,从而可以防止位于阵列基板侧面的电极受到损伤而发生断裂。此外,在阵列基板的侧面形成凹陷部的制备方法简单,且容易实现。
上述的主平面指平行于XY面的平面,该平面包括四条侧边,多条引线中的一条引线沿某一方向延伸至四条侧边中的一条侧边,该侧边即为第一侧边。该第一侧边所在的侧面例如可以为垂直于主平面的面,该侧面通过第一侧边与主平面相连。
需要说明的是,阵列基板上仅示意了一个引线区,实际工艺中,阵列基板可以包括两个引线区(图1所示的情况)以实现单边驱动,或者阵列基板也可以包括分布在显示区四周的四个引线区以实现双边驱动,本实施例对此不作限制。由此,阵列基板包括至少一条第一侧边。本实施例以第一侧边120为图2A所示的沿X方向延伸的一条侧边为例进行描述。
例如,如图2A和图2B所示,本实施例的一示例中,引线210延伸至第一侧边120,第一侧边120所在侧面130设置的凹陷部131至少延伸至衬底基板100的主平面以在第一侧边120形成缺口121。
例如,如图2A和图2B所示,衬底基板100设置有引线210的主平面为第一面(即为正面),衬底基板100的与第一面相对的面为第二面(即为背面)。第一面的第一侧边120设置的缺口121可以向第二面延伸,从而在连接第一面和第二面的侧面130形成包括缺口121的凹陷部131。
例如,第一面的第一侧边120设置的缺口121可以沿垂直于第一面的方向(即沿Z方向)向第二面延伸以形成图2B所示的凹陷部131。本实施例包括但不限于此,缺口也可以沿其他方向从第一面向第二面延伸以在侧面形成凹陷部。
例如,如图2A和图2B所示,沿平行于主平面且垂直于第一侧边120的第一方向,即Y方向,凹陷部131的尺寸为1-10微米。也就是,沿Y方向,缺口121的尺寸为1-10微米。相对于图1所示的将绑定区沿Y方向的尺寸设计为1-2毫米的情况,本实施例提供的阵列基板通过凹陷部以及位于凹陷部中的电极的设置可以将绑定区转移至阵列基板的侧面或者背面以减小边框的宽度。
例如,如图2A和图2B所示,引线区200所在边框区沿Y方向的尺寸可以为0.07-0.7毫米。例如,引线区200所在边框区沿Y方向的尺寸可以为0.3-0.5毫米。
例如,在本实施例的一示例中,如图2A和图2B所示,沿Y方向,电极300的尺寸不大于凹陷部131的尺寸,即,沿Y方向,电极300可以没有将凹陷部131填充满,也可以刚好将凹陷部131填充满,但电极300不会相对于侧面130的没有设置凹陷部131的部分突出。由此,在阵列基板进行后续组装工艺时,凹陷部可以保护电极以防止电极受到损伤,进而保证阵列基板与电路板的电连接效果。
例如,如图2A和图2B所示,沿垂直于衬底基板100的主平面的第二方向,即Z方向,凹陷部131贯穿衬底基板100,即,凹陷部131从衬底基板100的第一面延伸至第二面,以在第二面的与第一侧边120相对的第三侧边132也形成缺口。也就是,侧面130包括沿X方向延伸的位于第一面的第一侧边120以及位于第二面的第三侧边132,凹陷部131贯穿衬底基板以在第一面和第二面均形成缺口。
例如,如图2A和图2B所示,凹陷部131可以沿Z方向延伸,本实施例不限于此,凹陷部也可以沿其他方向延伸,只要凹陷部贯穿衬底基板即可。
例如,如图2A和图2B所示,沿Z方向,电极300的尺寸不小于凹陷部131的尺寸,以使位于衬底基板100的第一面上的引线210可以与电极300电连接。
例如,沿Z方向,电极300的尺寸不小于衬底基板100的尺寸。
例如,图2C为与图2A所示的阵列基板的平面相对的面的示意图。图2A所示的衬底基板100的设置有引线区200的面为第一面(即为正面),图2C所示的面为衬底基板的与第一面相对的第二面(即为背面),该第二面包括与第一侧边对应的第三侧边132。图2C示出了凹陷部贯穿衬底基板的情况。
例如,如图2C所示,在本实施例的一示例中,衬底基板的第二面可以设置有与电极300电连接的背面电极220,背面电极220通过电极300与位于衬底基板的第一面的引线电连接。在沿Z方向,电极300的尺寸不小于凹陷部131的尺寸时,电极300可以更方便与背面电极220电连接。
例如,本示例不限于背面电极220与电极300为一体化的同一电极,还是分别制作的不同的电极,只要背面电极220与引线210可以电连接即可。
例如,如图2C所示,阵列基板的绑定区可以为背面电极220所在区域,即,阵列基板的绑定工艺是在其衬底基板的第二面进行的。由此,柔性印刷电路板或者覆晶薄膜等电路板可以与背面电极220电连接以实现绑定。在本示例中,阵列基板的与电路板绑定的绑定区被转移至阵列基板的背面,从而可以实现四周超窄边框的设计。
例如,在本实施例的另一示例中,柔性印刷电路板或者覆晶薄膜等电路板可以直接与图2B所示的电极300电连接以实现绑定,即,阵列基板的绑定区可以为电极300所在的阵列基板的侧面,从而将阵列基板的与电路板绑定的绑定区转移至阵列基板的侧面以实现四周超窄边框的设计。在阵列基板的与电路板绑定的绑定区位于阵列基板的侧面时,沿Y方向,电极300的尺寸也可以略大于(不超过1微米,例如可以为几千埃)凹陷部131的尺寸以使电路板绑定区的绑定电极可以更容易与电极300电连接。此时,电极300即使受到损伤也不容易发生断裂。
例如,图3A为本公开另一实施例提供的阵列基板的侧面结构示意图。如图3A所示,本实施例的一个示例中,沿垂直于衬底基板的主平面的第二方向,即Z方向,凹陷部131的尺寸小于衬底基板的尺寸,即,沿Z方向,凹陷部131没有贯穿衬底基板。例如,沿Z方向,凹陷部131仅贯穿衬底基板的主平面以在第一侧边120形成缺口,也就是说,衬底基板的第二面包括的与第一侧边120相对的第三侧边132上没有缺口。
例如,如图3A所示,在凹陷部131没有贯穿衬底基板的情况下,位于凹陷部131内的电极300不会延伸至衬底基板的第二面,此时,阵列基板的绑定区仅为电极300所在的侧面,即,柔性印刷电路板或者覆晶薄膜等电路板上的绑定电极直接与图3A所示的电极300电连接以实现绑定,从而将阵列基板的与电路板绑定的绑定区转移至阵列基板的侧面以实现四周超窄边框的设计。
例如,图3B为图3A所示的阵列基板的局部正面结构示意图。如图3A和3B所示,沿平行于主平面且垂直于第一侧边120的第一方向(即Y方向),电极300的尺寸不小于凹陷部131的尺寸,即,电极300相对于第一侧边120所在的侧面130向远离衬底基板中心的方向突出以使电路板可以与电极300电连接。本实施例中,沿即Y方向,电极300的尺寸略大于凹陷部131的尺寸,即,沿Y方向,电极300的尺寸比凹陷部131的尺寸大不超过1微米,例如,电极300的尺寸可以比凹陷部131的尺寸大几千埃。
例如,如图3B所示,位于凹陷部131内的电极300的沿Y方向的尺寸可以为2-4微米。
例如,电极300的材料可以为纳米银胶或者导电薄膜材料等,本实施例对此不作限制。
本实施例不限于此,例如,凹陷部131还可以既没有贯穿衬底基板的主平面,也没有贯穿与主平面相对的面。如图3C所示,沿Z方向,凹陷部131距第一侧边120和第三侧边132之间的距离均大于零,此时,设置在图3C所示的凹陷部131之中的电极300具有与图3B所示的电极的作用,从而将阵列基板的与电路板绑定的绑定区转移至阵列基板的侧面以实现四周超窄边框的设计。
例如,图2A-图3C以缺口121包括多个子缺口1210为例进行描述,也即是凹陷部131包括多个子凹陷部1310。多个子缺口1210与多条引线210一一对应设置,即,每条引线210延伸至一个子缺口1210处,且每个子凹陷部1310内的电极300与每条引线210电连接。将与多条引线210电连接的多个电极300设置在多个独立的子凹陷部1310内,可以使位于相邻的子凹陷部1310内的电极300彼此绝缘。
例如,每个子缺口1210沿X方向的尺寸可以为30-60微米。
例如,沿X方向,相邻的子缺口1210之间的间距可以为30-60微米。
例如,图4A为本实施例的另一示例提供的阵列基板的局部侧面结构示意图,图4B为图4A所示的阵列基板的正面结构示意图。如图4A和图4B所示,本示例提供的阵列基板的第一侧边120包括一个缺口121,即,阵列基板的侧面130包括一个凹陷部131。该缺口121与多条引线210对应设置,即,所有引线210均延伸至缺口121处。
例如,如图4A和图4B所示,一个凹陷部131内的电极300包括多个子电极310,每个子电极310与每条引线210电连接,且每个子电极310彼此绝缘设置。
例如,图5为本公开另一实施例提供的显示面板的局部结构示意图。如图5所示,显示面板包括阵列基板10,该阵列基板10为上述任一实施例提供的阵列基板。该显示面板还包括与阵列基板10相对设置的对置基板20,该对置基板20位于阵列基板10设置有引线区200的一侧。且沿垂直于阵列基板10包括的衬底基板的主平面(即XY面)的方向,第一侧边120的未设置缺口121的部分与对置基板20的第二侧边21对齐。图中的阵列基板和对置基板是错开表示的,实际上阵列基板的第一侧边的未设置缺口的部分与对置基板的第二侧边是对齐的,即,阵列基板的第一侧边所在的侧面与对置基板的第二侧边所在的侧面在同一平面内。
本实施例中将阵列基板10的与电路板绑定的绑定区转移至阵列基板10的侧面或者背面,由此,对置基板20的沿Y方向的尺寸可以与阵列基板10的沿Y方向的尺寸相同,即,无需在阵列基板10面向对置基板20的面预留出绑定区,从而实现四周超窄边框的设计。
例如,对置基板20可以为彩膜基板。此时,在阵列基板与彩膜基板之间还设置有液晶层。该显示面板即为液晶显示面板。本实施例不限于此,对置基板也可以为盖板玻璃,该显示面板可以为有机发光二极管显示面板。
例如,图6为本实施例的一示例示出的显示面板包括的阵列基板的远离对置基板的面的示意图。如图6所示,阵列基板10的远离对置基板的一侧设置有与电极300电连接的背面电极220。例如,本示例不限于背面电极220与电极300为一体化的同一电极,还是分别制作的不同的电极,只要背面电极220与引线区内的引线可以电连接即可。
例如,如图6所示,显示面板还包括电路板30,其设置在衬底基板的与主平面相对的面(即衬底基板的第二面)上。电路板30上设置了多个绑定电极(图中未示出),多个绑定电极分别与多个背面电极220电连接以实现与引线区的引线的电连接。因此,本示例中电路板30与阵列基板10的绑定区位于阵列基板10的远离对置基板的一侧,也即是阵列基板10的设置有显示区的相反的一侧,即阵列基板10的背面。本示例中将阵列基板10的与电路板30绑定的绑定区转移至阵列基板10的背面,从而实现四周超窄边框的设计。
例如,图7为本实施例的另一示例示出的显示面板的侧面的示意图。如图7所示,显示面板还包括电路板30,其设置在阵列基板10的侧面130上。电路板30上设置了多个绑定电极(图中未示出),多个绑定电极直接与电极300电连接以实现绑定,即,阵列基板10的绑定区可以为电极300所在的侧面,从而将阵列基板10的与电路板30绑定的绑定区转移至阵列基板10的侧面以实现四周超窄边框的设计。
图8为本公开另一实施例提供的显示面板的制作方法的示意性流程图。如图8所示,本实施例提供的显示面板的制作方法包括如下步骤。
S301:形成阵列基板,阵列基板包括周边区,周边区包括引线区,引线区内形成有多条引线,且阵列基板设置有引线的主平面包括第一侧边,引线延伸至第一侧边。
例如,阵列基板包括衬底基板,衬底基板的材料可以为玻璃、氧化铟锡等。
S302:提供对置基板。
例如,对置基板可以为彩膜基板,也可以为盖板玻璃,本实施例对此不作限制。
S303:将对置基板与阵列基板设置有引线区的一侧对合。
例如,沿垂直于阵列基板的主平面的方向,第一侧边与对置基板的第二侧边对齐。例如,阵列基板在平行于阵列基板的一平面上的正投影与对置基板在该平面上的正投影完全重合,即,阵列基板的第一侧边在该平面上的正投影与对置基板的第二侧边在该平面上的正投影完全重合。
例如,在实际工艺中,本实施例中的阵列基板为一大尺寸阵列基板母板中的一部分,即,该阵列基板母板包括多个阵列基板;同理,本实施例中的对置基板为另一大尺寸对置基板母板中包括的多个对置基板中的一个对置基板。
例如,待形成的显示面板为液晶显示面板,对置基板为彩膜基板时,对置基板与阵列基板的对合指彩膜基板与阵列基板的对盒。
例如,在彩膜基板或者阵列基板的周围涂布封框胶,在彩膜基板与阵列基板之间形成液晶层并在真空条件下完成阵列基板与彩膜基板的对盒。在两者对盒后对阵列基板母板以及彩膜基板母板进行切割以形成多个显示面板。在切割时,直接对阵列基板与彩膜基板做四边对齐切割,以使阵列基板的形状及尺寸与彩膜基板完全相同,即,沿垂直于阵列基板的主平面的方向,阵列基板的第一侧边与对置基板的第二侧边对齐。由于本实施例形成的阵列基板的设置有引线区的主平面没有预留出绑定区的位置,因此阵列基板的第一侧边可以与对置基板的第二侧边对齐。本实施例采用四边对齐切割方式切割得到的显示面板,可以使设置在阵列基板面向彩膜基板一侧的引线受到阵列基板与彩膜基板的保护,不容易受到破坏。但本实施例不限于此,也可以采用其他切割方式。
例如,待形成的显示面板为有机发光二极管显示面板,对置基板为盖板玻璃时,对置基板与阵列基板的对合指盖板玻璃盖合在阵列基板上。
例如,本实施例形成的阵列基板的设置有引线区的主平面(即正面)没有预留出绑定区的位置,即,阵列基板与后续电路板的绑定工艺将在阵列基板的侧面或者背面进行。
例如,本实施例形成的阵列基板的设置有引线区的主平面可以没有预留出扇形(fanout)区的位置,即,阵列基板与后续电路板的绑定工艺在阵列基板的背面进行时,扇形区可以设置在阵列基板的背面。
例如,阵列基板与后续电路板的绑定工艺在阵列基板的侧面进行时,扇形区可以仍设置在阵列基板的主平面。
S304:在阵列基板的第一侧边所在的侧面形成凹陷部。
例如,在阵列基板与对置基板完成对合以及切割后,可以利用激光或者等离子刻蚀在阵列基板的第一侧边所在的侧面对应引线的位置进行刻蚀以形成凹陷部。
例如,形成的凹陷部可以至少贯穿阵列基板的主平面以在第一侧边形成缺口。在形成凹陷部之前,引线距第一侧边之间可以设置一定预设距离,在沿平行于主平面且垂直于第一侧边的第一方向,对阵列基板的第一侧边所在的侧面对应引线的位置进行刻蚀时,阵列基板被刻蚀的尺寸刚好等于引线距第一侧边的预设距离,即,沿第一方向,阵列基板的第一侧面形成的缺口的尺寸刚好等于预设距离,从而保证引线可以延伸至缺口。本实施例不限于此,凹陷部还可以不贯穿阵列基板的主平面。
例如,该凹陷部具有图2A-图4B所示的任一实施例所述的特征,在此不再赘述。
S305:在凹陷部内形成与引线电连接的电极。
例如,在凹陷部内采用银胶或者导电薄膜材料等作为位于阵列基板侧面的电极线路。
例如,凹陷部内形成的电极具有图2A-图4B所示的任一实施例所述的特征,在此不再赘述。
例如,本实施例提供的显示面板的制作方法还包括:在阵列基板的与主平面相对的面或侧面上设置电路板;以及将电路板通过位于凹陷部内的电极与引线电连接。
例如,在本实施例的一示例中,可以在阵列基板的远离对置基板的一侧形成与电极电连接的背面电极。本示例不限于背面电极与电极为一体化的同一电极,还是分别制作的不同的电极,只要背面电极与引线区内的引线可以电连接即可。
例如,将电路板上包括的多个绑定电极分别与多个背面电极电连接以实现电路板与引线的电连接。因此,本示例中电路板与阵列基板绑定的绑定区位于阵列基板的远离对置基板的一侧,也即是阵列基板的背面。本示例中将阵列基板的与电路板绑定的绑定区转移至阵列基板的背面,可以实现四周超窄边框的设计。
例如,在本实施例的另一示例中,电路板包括的多个绑定电极直接与电极电连接以实现绑定,即,阵列基板的绑定区可以为电极所在的侧面,从而将阵列基板的与电路板绑定的绑定区转移至阵列基板的侧面以实现四周超窄边框的设计。
本实施例中,在阵列基板与对置基板对合后形成位于阵列基板的侧面的凹陷部的制作方法的工艺难度低,且对阵列基板与对置基板对合前的工艺没有影响。
有以下几点需要说明:
(1)本公开的实施例附图中,只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下,本公开的同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
以上所述仅是本公开的示范性实施方式,而非用于限制本公开的保护范围,本公开的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (7)

1.一种显示面板,包括:
阵列基板;
所述阵列基板包括:
衬底基板,包括周边区;以及
引线区,位于所述周边区,所述引线区包括多条引线,
其中,所述衬底基板设置有所述引线的主平面包括第一侧边,且所述引线延伸至所述第一侧边,所述第一侧边所在侧面设置有凹陷部,所述凹陷部内设置有与所述引线电连接的电极,
其中,沿平行于所述主平面且垂直于所述第一侧边的第一方向,所述电极的尺寸不大于所述凹陷部的尺寸,并且
其中,沿垂直于所述主平面的第二方向,所述凹陷部贯穿所述衬底基板,并且所述电极的尺寸不小于所述凹陷部的尺寸,
所述显示面板还包括:
对置基板,与所述阵列基板对置设置,且位于所述阵列基板设置有所述引线区的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,沿平行于所述主平面且垂直于所述第一侧边的第一方向,所述凹陷部的尺寸为1-10微米。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述凹陷部包括多个子凹陷部,所述多个子凹陷部与所述多条引线一一对应设置,且每个所述子凹陷部内的所述电极与每条所述引线电连接。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述侧面包括一个所述凹陷部,且该凹陷部内的所述电极包括多个子电极,每个所述子电极与每条所述引线电连接。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其中,沿垂直于所述主平面的第二方向,所述第一侧边与所述对置基板的第二侧边对齐。
6.一种显示面板的制作方法,包括:
形成阵列基板,所述阵列基板包括衬底基板,所述衬底基板包括周边区,所述周边区包括引线区,所述引线区内形成有多条引线,且所述阵列基板设置有所述引线的主平面包括第一侧边,所述引线延伸至所述第一侧边;
提供对置基板;
将所述对置基板与所述阵列基板设置有所述引线区的一侧对合;
在所述阵列基板的所述第一侧边所在的侧面形成凹陷部;以及
在所述凹陷部内形成与所述引线电连接的电极,
其中,沿平行于所述主平面且垂直于所述第一侧边的第一方向,所述电极的尺寸不大于所述凹陷部的尺寸,并且
其中,沿垂直于所述主平面的第二方向,所述凹陷部贯穿所述衬底基板,并且所述电极的尺寸不小于所述凹陷部的尺寸。
7.根据权利要求6所述的制作方法,其中,形成所述阵列基板包括:形成阵列基板母板,所述阵列基板母板包括多个所述阵列基板;
提供所述对置基板包括:提供对置基板母板,所述对置基板母板包括多个所述对置基板;
将所述对置基板与所述阵列基板设置有所述引线区的一侧对合包括:将所述对置基板母板与所述阵列基板母板对合,并对所述阵列基板母板和所述对置基板母板进行切割,以使沿垂直于所述阵列基板的主平面的方向,所述第一侧边与所述对置基板的第二侧边对齐。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200080485A (ko) * 2018-12-26 2020-07-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112930516B (zh) * 2018-12-29 2023-06-02 华为技术有限公司 显示模组和显示装置
CN110109299B (zh) * 2019-04-09 2020-11-10 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示面板的线路结构及其制造方法
CN110047804B (zh) * 2019-04-30 2021-08-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及制作方法、显示面板、拼接屏
KR20210016237A (ko) * 2019-08-02 2021-02-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 그것의 제조 방법, 및 멀티 표시 장치
US11563192B2 (en) 2019-08-16 2023-01-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Display device having some edges of cover plate that do not overlap with the underlying array substrate and method for manufacturing the same
CN110619815B (zh) * 2019-09-26 2021-09-03 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN110910774A (zh) * 2019-11-04 2020-03-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、制造方法以及拼接显示面板
CN111312090A (zh) * 2019-11-07 2020-06-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN110928061B (zh) * 2019-11-29 2022-04-26 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置
CN112885236A (zh) * 2021-01-11 2021-06-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 导电走线、显示面板及其制备方法、拼接屏
CN112863370A (zh) * 2021-02-26 2021-05-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、拼接显示装置
CN116068795A (zh) * 2023-04-06 2023-05-05 深圳铭创智能装备有限公司 液晶显示屏的加工方法、液晶显示屏及大幅面拼接屏

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015175969A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 日本放送協会 タイル型ディスプレイ及びその作製方法
CN105511181A (zh) * 2014-10-14 2016-04-20 乐金显示有限公司 窄边框平板显示器
JP2016146439A (ja) * 2015-02-09 2016-08-12 Ngkエレクトロデバイス株式会社 高周波用半導体素子収納用パッケージ
CN106950763A (zh) * 2017-03-28 2017-07-14 武汉华星光电技术有限公司 显示模组及终端
CN107741677A (zh) * 2017-10-31 2018-02-27 武汉天马微电子有限公司 显示模组和显示装置
CN108389868A (zh) * 2018-02-26 2018-08-10 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4882284B2 (ja) * 2005-06-09 2012-02-22 日立化成工業株式会社 Led装置およびその製造方法
CN106647070A (zh) * 2017-01-03 2017-05-10 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN107402466B (zh) * 2017-08-31 2021-01-26 Tcl华星光电技术有限公司 液晶显示面板的邦定方法与液晶显示面板邦定结构
CN108153070A (zh) * 2017-12-29 2018-06-12 惠州市华星光电技术有限公司 一种液晶面板及其制作方法、显示装置
KR20190098709A (ko) * 2018-02-14 2019-08-22 에피스타 코포레이션 발광 장치, 그 제조 방법 및 디스플레이 모듈
CN112930516B (zh) * 2018-12-29 2023-06-02 华为技术有限公司 显示模组和显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015175969A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 日本放送協会 タイル型ディスプレイ及びその作製方法
CN105511181A (zh) * 2014-10-14 2016-04-20 乐金显示有限公司 窄边框平板显示器
JP2016146439A (ja) * 2015-02-09 2016-08-12 Ngkエレクトロデバイス株式会社 高周波用半導体素子収納用パッケージ
CN106950763A (zh) * 2017-03-28 2017-07-14 武汉华星光电技术有限公司 显示模组及终端
CN107741677A (zh) * 2017-10-31 2018-02-27 武汉天马微电子有限公司 显示模组和显示装置
CN108389868A (zh) * 2018-02-26 2018-08-10 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板

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