CN106876552B - 微发光二极管阵列基板及显示面板 - Google Patents
微发光二极管阵列基板及显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106876552B CN106876552B CN201710106242.2A CN201710106242A CN106876552B CN 106876552 B CN106876552 B CN 106876552B CN 201710106242 A CN201710106242 A CN 201710106242A CN 106876552 B CN106876552 B CN 106876552B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- micro
- conductive layer
- layer
- electrode
- pixel electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供了一种微发光二极管阵列基板，包括玻璃基板，所述玻璃基板上依次形成有栅极、绝缘层，在绝缘层上形成有半导体层以及像素电极，在半导体层上设有源极、漏极，所述漏极与相邻的像素电极连接，在像素电极上覆盖有一层第一导电层，第一导电层上连接有微发光二极管。本发明还提供了一种显示面板，包括CF基板，还包括所述的微发光二极管阵列基板。与现有技术相比，通过在像素电极与微发光二极管之间覆盖一层导电层，使得微发光二极管处的热量能够经导电层传导至其他区域，从而提高散热能力。
Description
技术领域
本发明涉及一种微发光二极管显示技术领域，特别是一种微发光二极管阵列基板及显示面板。
背景技术
平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
微发光二极管(Micro LED，μLED)显示器是一种以在一个基板上集成的高密度微小尺寸的LED阵列作为显示像素来实现图像显示的显示器，同大尺寸的户外LED显示屏一样，每一个像素可定址、单独驱动点亮，可以看成是户外LED显示屏的缩小版，将像素点距离从毫米级降低至微米级，μLED显示器和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器一样属于自发光显示器，但μLED显示器相比OLED显示器还具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点，被认为是OLED显示器的最大竞争对手。
目前微发光二极管显示阵列示设计在驱动阵列上方的微发光二极管阵列结构，通过正负电极欲驱动阵列的导通连接，以TFT阵列控制每个像素的微发光二极管的开关和亮度，通过TFT驱动显示单元已经成为主流的电流控制技术，这种薄膜晶体管通过栅极控制，在源极/漏极之间形成电流沟道，从而使子像素存储电容被充电来保持液晶的持续式(Holdtype)显示模式；而微发光二极管阵列由于其微米尺度，当为了达到高像素数目(PPI)显示时，会导致微发光二极管的密度极高，使得其存在散热不通畅的问题。
发明内容
为克服现有技术的不足，本发明提供一种微发光二极管阵列基板及显示面板，从而提高散热能力。
本发明提供了一种微发光二极管阵列基板，包括玻璃基板，所述玻璃基板上依次形成有栅极、绝缘层，在绝缘层上形成有半导体层以及像素电极，在半导体层上设有源极、漏极，所述漏极与相邻的像素电极连接，在像素电极上覆盖有一层第一导电层，第一导电层上连接有微发光二极管。
进一步地，所述第一导电层由石墨烯材料制成。
进一步地，所述第一导电层由碳纳米管材料制成。
进一步地，所述微发光二极管的管脚处与第一导电层之间设有金属凸起部，微发光二极管的管脚经金属凸起部与第一导电层连接导通。
进一步地，所述金属凸起部的截面形状为梯形。
进一步地，所述金属凸起部外覆盖有石墨烯层。
进一步地，所述源极以及漏极上覆盖有一层第二导电层，第二导电层与设置在漏极相邻的像素电极上的这部分第一导电层连接。
进一步地，所述第二导电层由石墨烯材料制成。
进一步地，所述第一导电层通过等离子体增强气相沉积制程将石墨烯覆盖在像素电极上并且与像素电极的图形重叠形成石墨烯膜得到。
本发明还提供了一种显示面板，包括CF基板，还包括所述的微发光二极管阵列基板。
本发明与现有技术相比，通过在像素电极与微发光二极管之间覆盖一层导电层，使得微发光二极管处的热量能够经导电层传导至其他区域，从而提高散热能力。
附图说明
图1是本发明的第一种微发光二极管阵列基板的结构示意图；
图2是本发明的第二种微发光二极管阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明。
如图1所示，本发明的第一种微发光二极管阵列基板，包括玻璃基板1，在玻璃基板1上采用现有技术依次形成有栅极2、绝缘层3，在绝缘层3上形成有半导体层4以及像素电极5，在半导体层4上设有源极6、漏极7，所述漏极7与相邻的像素电极5连接，在像素电极5上覆盖有一层第一导电层8，第一导电层8上连接有微发光二极管9；在微发光二极管9的管脚处与第一导电层8之间设有金属凸起部10，微发光二极管9的管脚经金属凸起部10与第一导电层8连接导通。
在第一种微发光二极管阵列基板中，第一导电层8可由石墨烯材料或碳纳米管(CNT)制成，最好为石墨烯材料，石墨烯不仅具有较好的导电能力，同时具有优秀的导热能力，可以有效地讲较大密度排布的微发光二极管9和较大电流密度下的局部区域热能传递到周边温度较低区域，这样能够提高整个显示面板的散热能力。
所述第一导电层8通过等离子体增强气相沉积制程将石墨烯覆盖在像素电极5上并且与像素电极5的图形重叠形成石墨烯膜得到。
在金属凸起部10外可覆盖有石墨烯层12；金属凸起部10的截面形状为梯形。
如图2所示，在第一种微发光二极管阵列基板的基础上，在源极6以及漏极7上也覆盖有一层第二导电层11，第二导电层11与设置在漏极7相邻的像素电极5上的这部分第一导电层8连接；第二导电层11由石墨烯材料制成，通过在源极6、漏极7以及像素电极5上都覆盖导电层，进一步提高散热能力。
本发明在源极6、漏极7以及像素电极5上覆盖导电层可以提高散热能力外，还可以保护源极6、漏极7以及像素电极5不受到环境腐蚀以及氧化问题，从而保障器件性能。
本发明中除了对微发光二极管阵列基板设置导电层外，其余部分均与现有技术的TFT器件相同，其中的源极6、漏极7、像素电极5、栅极2可采用Al/Mo/Cu/Mg/Ag/Ti中的一种以上，像素电极5还可以采用ITO(铟锡氧化物半导体导电膜)和Sn及Sn的合金材料；半导体层4可以为非晶硅或多晶硅，其与形成源极6和漏极7的金属层可以叠加n+/p+掺杂层。
上述的两种微发光二极管阵列基板的结构还可以用于顶栅结构的TFT器件中，同样通过漏极与像素电极相连，从而控制通过微发光二极管的电流。
本发明还提供了一种显示面板，包括CF(彩色滤光片)基板，还包括上述的微发光二极管阵列基板，在此不再赘述。
虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解：在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。
Claims (3)
1.一种微发光二极管阵列基板，包括玻璃基板(1)，其特征在于：所述玻璃基板(1)上依次形成有栅极(2)、绝缘层(3)，在绝缘层(3)上形成有半导体层(4)以及像素电极(5)，在半导体层(4)上设有源极(6)、漏极(7)，所述漏极(7)与相邻的像素电极(5)连接，在像素电极(5)上覆盖有一层第一导电层(8)，第一导电层(8)上连接有微发光二极管(9)；所述源极(6)以及漏极(7)上覆盖有一层第二导电层(11)，第二导电层(11)与设置在漏极(7)相邻的像素电极(5)上的这部分第一导电层(8)连接，所述第一导电层(8)、所述第二导电层(11)均由石墨烯材料制成；所述微发光二极管(9)的管脚处与第一导电层(8)之间设有金属凸起部(10)，微发光二极管(9)的管脚经金属凸起部(10)与第一导电层(8)连接导通；所述金属凸起部(10)的截面形状为梯形，所述金属凸起部(10)外覆盖有石墨烯层(12)。
2.根据权利要求1所述的微发光二极管阵列基板，其特征在于：所述第一导电层(8)通过等离子体增强气相沉积制程将石墨烯覆盖在像素电极(5)上并且与像素电极(5)的图形重叠形成石墨烯膜得到。
3.一种显示面板，包括CF基板，其特征在于：还包括如权利要求1或2所述的微发光二极管阵列基板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710106242.2A CN106876552B (zh) | 2017-02-27 | 2017-02-27 | 微发光二极管阵列基板及显示面板 |
| US15/515,235 US20180247584A1 (en) | 2017-02-27 | 2017-03-21 | Micro light emitting diode array substrates and display panels |
| PCT/CN2017/077464 WO2018152907A1 (zh) | 2017-02-27 | 2017-03-21 | 微发光二极管阵列基板及显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710106242.2A CN106876552B (zh) | 2017-02-27 | 2017-02-27 | 微发光二极管阵列基板及显示面板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106876552A CN106876552A (zh) | 2017-06-20 |
| CN106876552B true CN106876552B (zh) | 2019-07-26 |
Family
ID=59167947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710106242.2A Active CN106876552B (zh) | 2017-02-27 | 2017-02-27 | 微发光二极管阵列基板及显示面板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106876552B (zh) |
| WO (1) | WO2018152907A1 (zh) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107657900A (zh) * | 2017-09-25 | 2018-02-02 | 上海九山电子科技有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN109728021A (zh) * | 2017-10-30 | 2019-05-07 | 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 | 发光二极管显示器 |
| TWI672683B (zh) | 2018-04-03 | 2019-09-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
| TWI675471B (zh) | 2018-07-18 | 2019-10-21 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構 |
| CN109285856B (zh) * | 2018-11-22 | 2020-07-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | Led发光基板及其制作方法、显示装置 |
| CN111492485B (zh) * | 2018-11-27 | 2023-07-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 制造微发光二极管阵列基板的方法、微发光二极管阵列基板、微发光二极管显示设备 |
| CN109859647B (zh) * | 2019-03-29 | 2022-04-08 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN110112141B (zh) * | 2019-04-26 | 2021-02-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微发光二极管显示面板及制备方法 |
| US11764343B2 (en) | 2019-05-31 | 2023-09-19 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display backboard and manufacturing method thereof and display device |
| US11688724B2 (en) | 2019-05-31 | 2023-06-27 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display backplate and method for manufacturing same, display panel and method for manufacturing same, and display device |
| TWI707466B (zh) * | 2019-07-23 | 2020-10-11 | 國立中興大學 | 亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置 |
| RU2759445C1 (ru) | 2019-07-24 | 2021-11-12 | Боэ Текнолоджи Груп Ко., Лтд. | Подложка дисплея и способ ее изготовления |
| CN110571224B (zh) * | 2019-08-05 | 2021-12-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置及其制备方法 |
| CN112997314B (zh) | 2019-08-16 | 2022-12-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制作方法、显示装置 |
| CN111613714A (zh) * | 2020-05-25 | 2020-09-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 微型发光二极管及其制作方法 |
| CN112331689B (zh) * | 2020-10-30 | 2022-10-14 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN114765196A (zh) * | 2021-01-15 | 2022-07-19 | 扬朋科技股份有限公司 | 显示面板的修补方法 |
| CN112928192A (zh) * | 2021-02-09 | 2021-06-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN113270435B (zh) * | 2021-04-29 | 2022-06-24 | 浙江大学 | 硅基石墨烯光电探测阵列及其cmos三维集成方法 |
| CN114114745B (zh) * | 2021-12-06 | 2023-05-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 半透半反显示装置及其制作方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101937950A (zh) * | 2009-07-01 | 2011-01-05 | 吕联祥 | 覆晶式氮化镓发光二极管的制造方法 |
| CN102110759A (zh) * | 2009-12-25 | 2011-06-29 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 发光二极管封装结构及其封装方法 |
| CN103002616A (zh) * | 2011-09-16 | 2013-03-27 | 江苏广发光电科技有限公司 | 大面积有机电致发光面光源及其电极引出方法 |
| CN205081118U (zh) * | 2015-08-31 | 2016-03-09 | 广州万维立视数码科技有限公司 | 新型led面板组件、3d面板组件及3d显示屏 |
| CN205944093U (zh) * | 2016-08-19 | 2017-02-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101423907B1 (ko) * | 2011-11-22 | 2014-07-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| CN203218266U (zh) * | 2012-12-12 | 2013-09-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、有机发光二极管显示装置 |
| CN103000640B (zh) * | 2012-12-12 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN103943655B (zh) * | 2014-03-11 | 2016-06-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled阵列基板及其制备方法、显示器 |
| CN103887245B (zh) * | 2014-03-28 | 2017-03-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板的制造方法 |
-
2017
- 2017-02-27 CN CN201710106242.2A patent/CN106876552B/zh active Active
- 2017-03-21 WO PCT/CN2017/077464 patent/WO2018152907A1/zh active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101937950A (zh) * | 2009-07-01 | 2011-01-05 | 吕联祥 | 覆晶式氮化镓发光二极管的制造方法 |
| CN102110759A (zh) * | 2009-12-25 | 2011-06-29 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 发光二极管封装结构及其封装方法 |
| CN103002616A (zh) * | 2011-09-16 | 2013-03-27 | 江苏广发光电科技有限公司 | 大面积有机电致发光面光源及其电极引出方法 |
| CN205081118U (zh) * | 2015-08-31 | 2016-03-09 | 广州万维立视数码科技有限公司 | 新型led面板组件、3d面板组件及3d显示屏 |
| CN205944093U (zh) * | 2016-08-19 | 2017-02-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106876552A (zh) | 2017-06-20 |
| WO2018152907A1 (zh) | 2018-08-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106876552B (zh) | 微发光二极管阵列基板及显示面板 | |
| CN105336745B (zh) | 低温多晶硅tft基板 | |
| CN106935608B (zh) | 微发光二极管阵列基板及显示面板 | |
| CN107170773B (zh) | 微发光二极管显示面板及其制作方法 | |
| CN107403804B (zh) | 显示设备 | |
| US20180247584A1 (en) | Micro light emitting diode array substrates and display panels | |
| CN106847743B (zh) | Tft基板及其制作方法 | |
| CN109585520A (zh) | 显示面板及显示模组、电子装置 | |
| CN104953044B (zh) | 柔性oled及其制作方法 | |
| CN104157678B (zh) | 具有高开口率的像素结构及电路 | |
| CN104600200B (zh) | 一种阵列基板及显示面板 | |
| CN107611085B (zh) | Oled背板的制作方法 | |
| CN104253148B (zh) | 一种有机发光二极管阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN106024838B (zh) | 基于混合tft结构的显示元件 | |
| CN103715231A (zh) | 有机发光显示面板、显示装置 | |
| CN110010624A (zh) | 显示装置 | |
| TWI228384B (en) | Active matrix organic light emitting diode | |
| CN104538421B (zh) | Oled显示基板及其制造方法 | |
| US10504731B2 (en) | TFT substrate and manufacturing method thereof | |
| CN104821329A (zh) | Oled显示装置 | |
| CN100435380C (zh) | 带支撑板的有机电致发光器件及其制作方法 | |
| CN206322696U (zh) | 有机发光二极管显示面板、显示装置和掩模板 | |
| CN104952879A (zh) | 采用coa技术的双栅极tft基板结构 | |
| CN103413898B (zh) | 有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法 | |
| CN109065753A (zh) | 一种顶发光型oled显示面板及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: TCL China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |