CN105097673A - Tft基板结构的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种TFT基板结构的制作方法，利用半曝光光罩对有机涂层进行曝光、显影，在有机涂层上形成过孔的同时，在过孔的孔壁上形成数个盲孔，增加过孔孔壁的表面积，且利用盲孔部分容纳光阻，从而减薄有机涂层过孔孔壁上的光阻厚度，减少光阻受热时流动至有机涂层过孔底部的光阻量，避免光阻集聚在有机涂层过孔的底部，从而避免由此引发的电极材料残留，进而提高显示面板的显示效果。

Description

TFT基板结构的制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板结构的制作方法。
背景技术
在显示技术领域，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)与有机发光二极管显示器(OrganicLightEmittingDiode，OLED)等平板显示器已经逐步取代CRT显示器，广泛的应用于液晶电视、手机、个人数字助理、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)是目前液晶显示装置和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(ActiveMatrix/OrganicLight-EmittingDiode，简称AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种，低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，简称LTPS)材料是其中较为优选的一种，由于低温多晶硅的原子规则排列，载流子迁移率高，对电压驱动式的液晶显示装置而言，多晶硅薄膜晶体管由于其具有较高的迁移率，可以使用体积较小的薄膜晶体管实现对液晶分子的偏转驱动，在很大程度上缩小了薄膜晶体管所占的体积，增加透光面积，得到更高的亮度和解析度；对于电流驱动式的有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置而言，低温多晶硅薄膜晶体管可以更好的满足驱动电流要求。
在液晶显示面板的制作过程中，如图1所示，已经形成薄膜晶体管的基板100上需要覆盖一层有机膜作为平坦层(planarization，PLN)200，以改变下层膜表面的平整性，防止电场互相干扰，平坦层通常为感旋光材料，利用光罩，通过曝光显影工艺可在平坦层上形成过孔210，之后，需要在平坦层200上沉积氧化铟锡(ITO)薄膜300以用作于共通电极(COM)，由于共通电极与TFT电性绝缘，因此需要通过在ITO薄膜300上涂覆光阻400(photoresist，PR)，对光阻400曝光、显影后，将未被光阻400覆盖的平坦层过孔210底部的ITO刻蚀掉；但是，为增强光阻400与下层ITO膜300的黏附性，涂覆光阻的工艺本身需要进行加热烘烤，光阻400受热可能发生流动现象，同时又由于平坦层200厚度较大，一般约为2.5μm，平坦层200上的过孔210的坡度较缓，涂覆于平坦层200的过孔210孔壁上的光阻因受热会积聚在过孔210的底部，曝光无法将其除掉，从而导致光阻残留，最终造成积聚光阻下的ITO残留。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT基板结构的制作方法，能够在显示面板制造工艺中，避免有机涂层上的光阻涂敷时因加热烘烤工艺而导致光阻流到有机涂层的过孔的底部，在有机涂层的过孔中形成光阻残留，从而导致过孔底部的电极材料残留，进而因此造成的显示不良。
为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板结构的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板，所述基板上设有薄膜晶体管；在所述基板上涂布一层有机涂层，所述有机涂层为感旋光性材料；
步骤2、提供光罩，所述光罩具有全曝光区、位于全曝光区外围的数个半曝光区、及位于全曝光区与半曝光区之外区域的非曝光区；
利用所述光罩对所述有机涂层进行曝光、显影，通过光罩上的全曝光区实现全曝光从而在所述有机涂层上形成过孔、通过光罩上的半曝光区实现半曝光从而在所述过孔孔壁上形成数个盲孔；
步骤3、在所述有机涂层上形成透明导电层；
步骤4、在所述透明导电层上涂覆光阻，并对所述光阻进行加热；通过一道光罩对所述光阻进行曝光、显影，去除位于所述过孔底部的光阻；
步骤5、以剩余的光阻为遮挡，对所述透明导电层进行蚀刻，并剥离剩余的光阻，得到电极。
所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管、或者氧化铟镓锌薄膜晶体管。
所述步骤1中形成的有机涂层为形成于所述薄膜晶体管表面的平坦化层。
所述步骤1中形成的有机涂层的厚度为2.5μm。
所述步骤2中的光罩的半曝光区的面积小于全曝光区的面积。
所述步骤5中形成的电极为液晶显示装置的共通电极。
所述电极的材料为ITO。
所述步骤1中形成的有机涂层为形成于所述薄膜晶体管表面的绝缘覆盖层。
所述步骤5中形成的电极为OLED显示装置的阳极。
所述步骤5采用湿法蚀刻制程对所述透明导电层进行蚀刻。
本发明的有益效果：本发明的TFT基板结构的制作方法，利用半曝光光罩对有机涂层进行曝光、显影，在有机涂层上形成过孔的同时，在过孔的孔壁上形成数个盲孔，增加过孔孔壁的表面积，且利用盲孔部分容纳光阻，从而减薄有机涂层的过孔孔壁上的光阻厚度，减少光阻受热时流动至有机涂层过孔底部的光阻量，避免光阻集聚在有机涂层过孔的底部，从而避免由此引发的电极材料残留，进而提高显示面板的显示效果。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的TFT基板结构的制作方法中光阻受热后的示意图；
图2为本发明的TFT基板结构的制作方法的流程示意图；
图3为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤1的示意图；
图4为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤2的示意图；
图5为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤2中在有机涂层上形成的过孔及盲孔的示意图；
图6为本发明的TFT基板结构的制作方法的的步骤3的示意图；
图7为本发明的TFT基板结构的制作方法的的步骤4的示意图；
图8为本发明的TFT基板结构的制作方法的的步骤5的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明提供一种TFT基板结构的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、如图3所示，提供一基板10，所述基板10上设有薄膜晶体管，在所述基板10上涂布一层有机涂层20。
具体的，所述基板10作为液晶显示装置的TFT基板，所述薄膜晶体管可以是低温多晶硅薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管、或者氧化铟镓锌薄膜晶体管。
具体的，所述有机涂层20作为形成于所述薄膜晶体管表面的平坦化层，以改变下层膜表面的平整性，防止电场互相干扰。
优选的，有机涂层20的厚度为2.5μm。
步骤2、如图4所示，提供光罩50，所述光罩50具有全曝光区51、位于全曝光区51外围的数个半曝光区52、及位于全曝光区51与半曝光区52之外区域的非曝光区53。
利用所述光罩50对所述有机涂层20进行曝光、显影，通过光罩50上的全曝光区51实现全曝光从而在所述有机涂层20上形成过孔21、通过光罩50上的半曝光区52实现半曝光从而在所述过孔21孔壁上形成数个盲孔22。
具体的，所述光罩50的半曝光区52的面积小于全曝光区51的面积。所述过孔21为上口宽下口窄，围成所述过孔21的孔壁相对所述基板10的表面倾斜。该步骤中，非曝光区53下方的有机涂层20完全保留，半曝光区52下方的有机涂层20部分保留，全曝光区51下方的有机涂层20不保留，从而形成孔壁具有一定坡度的过孔21及过孔21孔壁上的盲孔22。
步骤3、如图5所示，在所述有机涂层20上形成透明导电层30。
具体的，该形成透明导电层30过程中，所述透明导电层30也会在盲孔22内成膜，但盲孔22内形成透明导电层30后仍会空出大部分空间，以便容纳后续步骤中的光阻。
优选的，所述透明导电层30的材料为ITO。
步骤4、如图6所示，在所述透明导电层30上涂覆光阻40，并对所述光阻40进行加热，以增加所述光阻40的黏附性；之后通过一道光罩对所述光阻40进行曝光、显影，去除位于所述过孔21底部的光阻。
具体的，由于过孔21孔壁上具有盲孔22，光阻40涂敷后，部分光阻40经加热烘烤工艺后可能发生流动，但流动的光阻40会进入过孔21孔壁上的盲孔22，从而减少流动的光阻量，最终避免光阻加热烘烤后流到有机涂层过孔21的底部，或者流到过孔21底部的光阻量非常少，经轻微过曝光即可将过孔21底部的光阻完全去除，从而避免过孔21内光阻残留。
步骤5、如图7所示，以剩余的光阻40为遮挡，对所述透明导电层30进行蚀刻，并剥离剩余的光阻40，得到电极31，所述电极31作为液晶显示装置的共通电极。
具体的，采用湿法蚀刻制程对所述透明导电层30进行蚀刻。
值得一提的是，上述TFT基板结构的制作方法还可以用于OLED显示装置的制程中，步骤1中提供的基板10用于形成OLED显示面板。所述步骤1中形成的有机涂层20用作绝缘覆盖层(OverCoat，OC)，所述步骤5中形成的电极31用作OLED的阳极。
综上所述，本发明的TFT基板结构的制作方法，利用半曝光光罩对有机涂层进行曝光、显影，在有机涂层上形成过孔的同时，在过孔的孔壁上形成数个盲孔，增加过孔孔壁的表面积，且利用盲孔部分容纳光阻，从而减薄有机涂层的过孔孔壁上的光阻厚度，从而减少光阻受热时流动至有机涂层过孔底部的光阻量，避免光阻集聚在有机涂层过孔的底部，从而避免由此引发的电极材料残留，进而提高显示面板的显示效果。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种TFT基板结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(10)，所述基板(10)上设有薄膜晶体管；在所述基板(10)上涂布一层有机涂层(20)，所述有机涂层(20)为感旋光性材料；
步骤2、提供光罩(50)，所述光罩(50)具有全曝光区(51)、位于全曝光区(51)外围的数个半曝光区(52)、及位于全曝光区(51)与半曝光区(52)之外区域的非曝光区(53)；
利用所述光罩(50)对所述有机涂层(20)进行曝光、显影，通过光罩(50)上的全曝光区(51)实现全曝光从而在所述有机涂层(20)上形成过孔(21)、通过光罩(50)上的半曝光区(52)实现半曝光从而在所述过孔(21)孔壁上形成数个盲孔(22)；
步骤3、在所述有机涂层(20)上形成透明导电层(30)；
步骤4、在所述透明导电层(30)上涂覆光阻(40)，并对所述光阻(40)进行加热；通过一道光罩对所述光阻(40)进行曝光、显影，去除位于所述过孔(21)底部的光阻；
步骤5、以剩余的光阻(40)为遮挡，对所述透明导电层(30)进行蚀刻，并剥离剩余的光阻(40)，得到电极(31)。
2.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管、或者氧化铟镓锌薄膜晶体管。
3.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤1中形成的有机涂层(20)为形成于所述薄膜晶体管表面的平坦化层。
4.如权利要求3所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤1中形成的有机涂层(20)的厚度为2.5μm。
5.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤2中的光罩(50)的半曝光区(52)的面积小于全曝光区(51)的面积。
6.如权利要求3所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤5中形成的电极(31)为液晶显示装置的共通电极。
7.如权利要6所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述电极(31)的材料为ITO。
8.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤1中形成的有机涂层(20)为形成于所述薄膜晶体管表面的绝缘覆盖层。
9.如权利要求8所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤5中形成的电极(31)为OLED显示装置的阳极。
10.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤5采用湿法蚀刻制程对所述透明导电层(30)进行蚀刻。
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