CN112331689B - 一种阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置。其中，阵列基板包括衬底和设置于衬底一侧的像素驱动电路，像素驱动电路包括多个驱动单元，驱动单元包括相互电连接的导电衬垫和连接电极，连接电极位于导电衬垫远离衬底的一侧，导电衬垫包括至少两个间隔设置的衬垫分部，相邻两个衬垫分部之间包括间隙。本发明提供阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置，通过在连接电极靠近衬底的一侧设置具有间隙的导电衬垫，以使阵列基板与微发光单元对位键合时，受到按压的连接电极填充进间隙中，从而在提高微发光单元与阵列基板连接概率的同时，避免受到按压的连接电极向周边流动而造成相邻的连接电极之间短路，提高了产品良率。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
微发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)显示器是一种将MicroLED以芯片的形式单独制作出来，然后通过巨量转移方法将其转移并键和到阵列基板的像素驱动电路上所构成的显示器，该种显示器具有显示性能好、体积小、功率低等优点，具有广泛的应用前景。
在将Micro-LED键和到像素驱动电路上时，可能会发生电极间短路的现象，从而影响Micro LED显示器的良率。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置，以避免将Micro-LED键和到像素驱动电路上时发生短路现象。
第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括衬底和设置于所述衬底一侧的像素驱动电路；
所述像素驱动电路包括多个驱动单元，所述驱动单元包括相互电连接的导电衬垫和连接电极，所述连接电极位于所述导电衬垫远离所述衬底的一侧；
所述导电衬垫包括至少两个间隔设置的衬垫分部，相邻两个所述衬垫分部之间包括间隙。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括多个微发光单元和第一方面所述的阵列基板；
所述微发光单元包括第一电极，所述第一电极通过所述连接电极与所述驱动单元电连接，所述连接电极填充至少部分所述间隙。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，用于制备第二方面所述的显示面板，所述制备方法包括：
在衬底一侧制备像素驱动电路，其中，所述像素驱动电路包括多个驱动单元，所述驱动单元包括相互电连接的导电衬垫和连接电极，所述连接电极位于所述导电衬垫远离所述衬底一侧，所述导电衬垫包括至少两个间隔设置的衬垫分部，相邻两个所述衬垫分部之间包括间隙；
制备多个微发光单元，其中，所述微发光单元包括第一电极；
将所述第一电极通过所述连接电极与所述驱动单元电连接，其中，所述连接电极填充至少部分所述间隙。
第四方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括第二方面所述的显示面板。
本发明实施例提供阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置，通过在连接电极靠近衬底的一侧设置导电衬垫，并设置导电衬垫包括至少两个间隔设置的衬垫分部，相邻两个衬垫分部之间形成间隙，以使阵列基板与微发光单元对位键合时，受到按压的连接电极填充进间隙中，从而在提高微发光单元与阵列基板连接概率的同时，避免受到按压的连接电极向周边流动而造成相邻的连接电极之间短路，提高了产品良率。
附图说明
图1为现有的一种显示面板的制备流程示意图；
图2为现有的一种显示面板的局部结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的局部结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种驱动单元与微发光单元键合的流程示意图；
图5为本发明实施例提供的一种阵列基板与微发光单元键合的流程示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的局部结构示意图；
图7为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种阵列基板在去除遮挡结构之前的局部结构示意图；
图9为本发明实施例提供的一种阵列基板在去除遮挡结构之后的局部结构示意图；
图10为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图；
图11为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图；
图12为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图；
图13为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图；
图14为本发明实施例提供的另一种驱动单元与微发光单元键合的流程示意图；
图15为本发明实施例提供的另一种阵列基板与微发光单元键合的流程示意图；
图16为本发明实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图；
图17为本发明实施例提供的又一种驱动单元与微发光单元键合的流程示意图；
图18为本发明实施例提供的另一种显示面板的局部结构示意图；
图19为本发明实施例提供的又一种驱动单元与微发光单元键合的流程示意图；
图20为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部结构示意图；
图21为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；
图22为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为现有的一种显示面板的制备流程示意图，图2为现有的一种显示面板的局部结构示意图。参见图1和图2，Micro LED晶片10在生长衬底11上单独制作出来，然后转运装置12利用范德华力粘附Micro LED晶片10，并将其按压到阵列基板13上，通过加热阵列基板13，使阵列基板13上像素驱动电路的金属连接电极14熔化，从而使得金属连接电极14与Micro LED晶片10的电极形成共晶结构，实现Micro LED晶片10和阵列基板11上像素驱动电路的连接。
发明人研究发现，由于阵列基板13和转运装置12都会有凹凸不平的情况，会存在一部分Micro LED晶片10与像素驱动电路的金属连接电极14接触时，另一部分Micro LED晶片10没有与金属连接电极14接触到的情况，从而使得该部分Micro LED晶片10无法与金属连接电极14连接。现有技术中通常采用厚度较大的金属连接电极14，在将Micro LED晶片10按压到阵列基板11上时，加大金属连接电极14熔化后的变形程度，以提升Micro LED晶片连接的概率，但是金属连接电极14变形程度较大容易造成Micro LED晶片的两个电极之间短路，影响显示面板的良率。
基于上述技术问题，本发明实施例提供一种阵列基板，包括衬底和设置于衬底一侧的像素驱动电路，像素驱动电路包括多个驱动单元，驱动单元包括相互电连接的导电衬垫和连接电极，连接电极位于导电衬垫远离衬底的一侧，导电衬垫包括至少两个间隔设置的衬垫分部，相邻两个衬垫分部之间包括间隙。采用上述技术方案，通过在连接电极靠近衬底的一侧设置导电衬垫，并设置导电衬垫包括至少两个间隔设置的衬垫分部，相邻两个衬垫分部之间形成间隙，以使阵列基板与微发光单元对位键合时，受到按压的连接电极填充进间隙中，从而在提高微发光单元与阵列基板连接概率的同时，避免受到按压的连接电极向周边流动而造成相邻的连接电极之间短路，提高了产品良率。
以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的局部结构示意图，如图3所示，本发明实施例提供的阵列基板41包括衬底20和设置于衬底20一侧的像素驱动电路。像素驱动电路包括多个驱动单元21，驱动单元21包括相互电连接的导电衬垫31和连接电极32，连接电极32位于导电衬垫31远离衬底20的一侧。导电衬垫31包括至少两个间隔设置的衬垫分部311，相邻两个衬垫分部311之间包括间隙312。
具体的，如图1所示，阵列基板41的衬底20一侧设置有像素驱动电路，像素驱动电路包括多个驱动单元21，驱动单元21可用于驱动微发光单元发光。驱动单元21包括相互电连接的导电衬垫31和连接电极32，连接电极32和导电衬垫31位于阵列基板41的表面，且连接电极32位于导电衬垫31远离衬底20的一侧，连接电极32可作为连接端子用于连接阵列基板41外的微发光单元，以实现驱动单元21驱动微发光单元发光。
图4为本发明实施例提供的一种驱动单元与微发光单元键合的流程示意图，图5为本发明实施例提供的一种阵列基板与微发光单元键合的流程示意图，如图3-5所示，导电衬垫31包括至少两个间隔设置的衬垫分部311，相邻两个衬垫分部311之间形成间隙312。在将微发光单元40与阵列基板41键合时，先对阵列基板41进行加热，以使连接电极32融化，然后由转运装置42将微发光单元40转移至阵列基板41上。由于阵列基板41和转运装置42的表面存在不平整的情况，转运装置42上各微发光单元40与阵列基板41之间的距离不尽相同，因此，在转运装置42将微发光单元40转移至阵列基板41上时，与阵列基板41距离较小的微发光单元40接触到连接电极32，还存在部分与阵列基板41距离较大的微发光单元40无法接触到连接电极32。然后，转运装置42向朝向阵列基板41的方向施加压力，微发光单元40向阵列基板41方向靠近，直到与阵列基板41距离较大的微发光单元40接触到连接电极32，从而使得全部微发光单元40均接触到连接电极32，提升微发光单元40与连接电极32的连接概率。此时，与阵列基板41距离较小的微发光单元40所接触到连接电极32发生形变，此时，发生形变的连接电极32会被挤压进相邻两个衬垫分部311之间形成间隙312中，从而避免融化状态的连接电极32向周边流动而造成相邻的连接电极32之间发生短路。
其中，如图3-5所示，每个导电衬垫31可包括两个间隔设置的衬垫分部311，在其他实施例中，每个导电衬垫31可包括更多个间隔设置的衬垫分部311，只要相邻衬垫分部311之间存在间隙312，能够使融化状态的连接电极32流入即可。本领域技术人员还可根据实际需求对衬垫分部311的形状进行设置，例如，将衬垫分部311设置为立方体、圆柱体等，本发明实施例对此不作限定。
本发明实施例提供的阵列基板，通过在连接电极32靠近衬底20的一侧设置导电衬垫31，并设置导电衬垫31包括至少两个间隔设置的衬垫分部311，相邻两个衬垫分部311之间形成间隙312，以使阵列基板41与微发光单元40对位键合时，受到按压的连接电极32填充进间隙312中，从而在提高微发光单元40与阵列基板41连接概率的同时，避免受到按压的连接电极32向周边流动而造成相邻的连接电极32之间短路，提高了产品良率。
图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的局部结构示意图，如图6所示，可选的，驱动单元21还包括金属种子层33，金属种子层33包括镂空部331，导电衬垫31位于金属种子层33远离衬底20的一侧，且导电衬垫31在衬底20所在平面上的垂直投影覆盖至少部分金属种子层33在衬底所在平面的垂直投影，镂空部331在衬底20所在平面的垂直投影覆盖间隙312在衬底20所在平面的垂直投影。
具体的，驱动单元21还包括金属种子层33，通过电镀工艺，导电衬垫31可由金属种子层33生长而成，金属种子层33为后续形成的导电衬垫31提供良好的导电层基础，并可提高电镀工艺或化学镀工艺的效率。如图6所示，金属种子层33包括镂空部331，导电衬垫31的衬垫分部311分别在镂空部331两侧的金属种子层33上生长，由于镂空部331处不会形成导电衬垫31，衬垫分部311之间形成间隙312。
在导电衬垫31远离衬底20的一侧形成连接电极32，阵列基板41与微发光单元40对位键合时，连接电极32受热融化，后续连接电极32受到按压时可填充进间隙312中，避免受到按压的连接电极32向周边流动而造成相邻的连接电极32之间短路，提高产品良率。
图7为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图，如图7所示，可选的，驱动单元21还包括遮挡结构34，金属种子层33包括相互连接的被遮挡部332和暴露部333，暴露部333位于靠近镂空部331的一侧。遮挡结构34在衬底20所在平面上的垂直投影覆盖被遮挡部332在衬底20所在平面上的垂直投影，遮挡结构34包括第一开口312，第一开口312暴露金属种子层33的暴露部333，导电衬垫31以及连接电极32在衬底20所在平面上的垂直投影位于第一开口312在衬底20所在平面上的垂直投影内。
示例性的，如图7所示，导电衬垫31和连接电极32可采用相同的材料制备而成，从而减少制备阵列基板的工艺步骤。具体的，先在金属种子层33远离衬底20的一侧设置遮挡结构34，遮挡结构34上设置有第一开口312，第一开口312在衬底20所在平面的垂直投影覆盖镂空部331在衬底20所在平面的垂直投影，金属种子层33被遮挡结构34遮挡的部分为被遮挡部332，金属种子层33在第一开口312处暴露的部分为暴露部333。通过电镀工艺在金属种子层33上制备导电衬垫31时，被遮挡结构34遮挡的被遮挡部332上不会形成导电衬垫31，因此，导电衬垫31的衬垫分部311分别在镂空部331两侧的暴露部333上形成，形成的导电衬垫31在衬底20所在平面上的垂直投影覆盖暴露部333在衬底20所在平面的垂直投影；并且，形成的导电衬垫31在镂空部331处形成间隙312。遮挡结构34的第一开口312可限定导电衬垫31的生长范围，随着衬垫分部311在第一开口312内的生长，衬垫分部311之间逐渐靠近，最终连接在一起，形成连接电极32，从而无需再通过额外的工艺步骤制备连接电极32。在阵列基板41与微发光单元40对位键合时，连接电极32受热融化，后续连接电极32受到按压时可填充进导电衬垫31的间隙312中，避免受到按压的连接电极32向周边流动而造成相邻的连接电极32之间短路，提高产品良率。
其中，遮挡结构34可采用光刻胶，制备阵列基板时，先在金属种子层33远离衬底20的一侧涂布一整层光刻胶层，在通过光刻工艺在光刻胶层上刻蚀第一开口312，形成遮挡结构34，工艺成熟，容易实现。
在其他实施例中，在导电衬垫31在第一开口312内生长完成后，还可通过额外的工艺在导电衬垫31远离衬底20的一侧制备其他材料的连接电极32，以满足不同需求，本发明实施例对此不作限定。
在上述实施例中，导电衬垫31以及连接电极32至少部分位于开口第一开口312内。
示例性的，导电衬垫31以及连接电极32可部分位于第一开口312内。
具体的，继续参考图7，连接电极32包括远离衬底20一侧的第一表面321，遮挡结构34包括远离衬底20一侧的第二表面341，第一表面321位于第二表面341远离衬底20的一侧。
其中，如图7所示，连接电极32的第一表面321高于遮挡结构34的第二表面341，从而在阵列基板41与微发光单元40对位键合时，保证微发光单元40能够连接到连接电极32。
继续参考图7，可选的，第一表面321与衬底20之间的距离为第一距离H1,第二表面341与衬底20之间的距离为第二距离H2，其中，1μm≤H1-H2≤10μm。
其中，如图7所示，通过设置连接电极32比遮挡结构34高1μm-10μm，保证连接电极32具有足够的变形空间，有助于使全部微发光单元40均能够接触到连接电极32，从而提升微发光单元40与连接电极32的连接概率。
需要注意的是，H1-H2并不限定于以上数值，本领域技术人员可根据实际需求对连接电极32和遮挡结构34的高度进行设置。
在其他实施例中，导电衬垫31以及连接电极32还可全部位于第一开口312内，在阵列基板41与微发光单元40对位键合前，去除遮挡结构34。
示例性的，图8为本发明实施例提供的一种阵列基板在去除遮挡结构之前的局部结构示意图，图9为本发明实施例提供的一种阵列基板在去除遮挡结构之后的局部结构示意图，如图8所示，在去除遮挡结构34之前，遮挡结构34的第二表面341位于连接电极32的第一表面321远离衬底20的一侧，导电衬垫31和连接电极32全部位于第一开口312内，如图9所示，在去除遮挡结构34之后，连接电极32凸出于阵列基板41，从而在阵列基板41与微发光单元40对位键合时，保证微发光单元40能够连接到连接电极32，该阵列基板减小了导电衬垫31和连接电极32的厚度，有助于实现更加轻薄的显示面板。
图10为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图，如图10所示，可选的，驱动单元21还包括辅助层35，辅助层35包括朝向连接电极32的第二开口351。至少两个衬垫分部311包括第一衬垫分部51和第二衬垫分部52，第一衬垫分部51和第二衬垫分部52分别位于第二开口351两侧的辅助层35远离衬底20的一侧。连接电极32包括第一电极分部54和第二电极分部55，第一电极分部54位于第一衬垫分部51远离衬底20的一侧，第二电极分部55位于第二衬垫分部52远离衬底20的一侧。
具体的，如图10所示，辅助层35上设置有第二开口351，在第二开口351两侧的辅助层35上分别设置第一衬垫分部51和第二衬垫分部52，第二开口351处形成第一衬垫分部51和第二衬垫分部52之间的间隙，在第一衬垫分部51远离衬底20的一侧设置第一电极分部54，在第二衬垫分部52远离衬底20的一侧设置第二电极分部55。在阵列基板41与微发光单元40对位键合时，第一电极分部54和第二电极分部55受热融化，后续第一电极分部54和第二电极分部55受到按压时可填充进第二开口351中，避免受到按压的第一电极分部54和第二电极分部55向周边流动而造成相邻的连接电极32之间短路，提高产品良率。其中，通过设置辅助层35，并在辅助层35设置第二开口351，可以为连接电极32提供更大的流入空间，从而进一步避免连接电极32受到按压时向周边流动而造成短路现象。
图11为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图，如图11所示，可选的，至少两个衬垫分部311还包括第三衬垫分部53，第三衬垫分部53位于第二开口351中，连接电极32还包括第三电极分部56，第三电极分部56位于第三衬垫分部53远离衬底20的一侧。第一电极分部54包括远离衬底20一侧的第一子表面541，第二电极分部55包括远离衬底20一侧的第二子表面551，第三电极分部56包括远离衬底20一侧的第三子表面561，第一子表面541和第二子表面551均位于第三子表面561远离衬底20的一侧。
具体的，如图11所示，在辅助层35的第二开口351中依次设置第三衬垫分部53和第三电极分部56，以使第一电极分部54和第二电极分部55能够通过第三衬垫分部53和第三电极分部56与驱动单元21中的电路电连接，保证驱动单元21与微发光单元40之间的信号传输。
在制备阵列基板时，第一衬垫分部51、第三衬垫分部53和第二衬垫分部52可在同一工艺步骤中制备，第一电极分部54、第二电极分部55和第三电极分部56可在同一工艺步骤中制备，从而不会增加工艺复杂度。如图11所示，利用辅助层35在第一电极分部54和第三电极分部56之间，以及第二电极分部55和第三电极分部56之间形成高度差，以使第一电极分部54和第二电极分部55之间形成间隙；在阵列基板41与微发光单元40对位键合时，第一电极分部54和第二电极分部55受热融化，后续第一电极分部54和第二电极分部55如果受到压力，由于液体张力第一电极分部54和第二电极分部55会粘附在一起，向第一电极分部54和第二电极分部55之间的间隙塌陷，减小受到压力的第一电极分部54和第二电极分部55向周边流动的程度，从而避免相邻的连接电极32之间短路，提高产品良率。
图12为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图，如图12所示，可选的，第三电极分部56与第二开口351的侧壁之间包括空隙。
示例性的，如图12所示，辅助层35的第二开口351沿垂直于衬底20所在平面方向的截面可以设置为梯形，在辅助层35上制备导电衬垫31和连接电极32时，导电衬垫31和连接电极32与第二开口351的侧壁之间会形成空隙，该空隙可为连接电极32提供流入空间，从而进一步避免连接电极32向周边流动。具体的，在阵列基板41与微发光单元40对位键合时，第一电极分部54和第二电极分部55受热融化，后续第一电极分部54和第二电极分部55受到按压时第一电极分部54和第二电极分部55相互靠近，并可进一步流入导电衬垫31和连接电极32与第二开口351的侧壁之间会形成空隙，从而进一步减小受到按压的第一电极分部54和第二电极分部55向周边流动的程度，避免相邻的连接电极32之间短路，提高产品良率。
其中，本领域技术人员可根据实际需求对第二开口351的形状进行任意设置，以使第二开口351靠近衬底20一侧的空间大于第二开口351远离衬底20一侧的空间，从而在导电衬垫31和连接电极32与第二开口351的侧壁之间形成空隙，增大连接电极32流入的空间，本发明实施例对此不作限定。
继续参考图10-图12，辅助层35的厚度为H3，其中，1μm≤H3≤10μm。
其中，通过设置辅助层35的厚度为1μm-10μm，保证第一电极分部54和第三电极分部56之间，以及第二电极分部55和第三电极分部56之间形成足够的高度差，以使第一电极分部54和第二电极分部55之间形成足够的流入空间，有助于减小受到按压的第一电极分部54和第二电极分部55向周边流动的程度，避免相邻的连接电极32之间短路，提高产品良率。
需要注意的是，辅助层35的厚度并不限定于以上数值，本领域技术人员可根据实际需求对辅助层35的厚度进行设置。
可选的，辅助层35为有机层。
其中，有机层可通过较少的工艺步骤满足较大的厚度需求，以使第二电极分部55和第三电极分部56之间形成足够的高度差，工艺简单，容易实现。
继续参考图3，连接电极32的厚度为H4，其中，1μm≤H4≤10μm。
其中，通过设置连接电极32的厚度为1μm-10μm，保证连接电极32具有足够的变形空间，有助于使全部微发光单元40均能够接触到连接电极32，从而提升微发光单元40与连接电极32的连接概率。
需要注意的是，连接电极32的厚度并不限定于以上数值，本领域技术人员可根据实际需求对连接电极32的厚度进行设置。
继续参考图3，导电衬垫31的厚度为H5，相邻两个衬垫分部311之间的间隔距离为D1，其中，1μm≤H5≤10μm，1μm≤D1≤10μm。
其中，通过设置导电衬垫31的厚度H5和相邻两个衬垫分部311之间的间隔距离D1满足1μm≤H5≤10μm，1μm≤D1≤10μm，以使相邻两个衬垫分部311之间的间隙312能够为连接电极32提供充足的流入空间，从而保证连接电极32受到按压时不会向周边扩散而造成相邻的连接电极32之间发生短路。
可选的，导电衬垫31的材料包括银或铜。
其中，银和铜均具有良好的抗氧化性，可避免导电衬垫31氧化而影响其导电性，并且，银和铜均与熔融态低温金属的亲和力较好，导电衬垫31的材料采用银或铜，可使连接电极32融化后更容易流入相邻两个衬垫分部311之间的间隙312中。
具体的，连接电极32通常采用低熔点的共晶合金等低温金属材料，在阵列基板41与微发光单元40对位键合时，连接电极32受热融化，由于导电衬垫31采用与熔融态低温金属的亲和力较好的材料，连接电极32受到按压时会优先落入相邻两个衬垫分部311之间的间隙312中，从而避免融化状态的连接电极32向周边流动而造成相邻的连接电极32之间发生短路，提高产品良率。
可选的，导电衬垫31远离衬底20一侧的表面设置有抗氧化层。
具体的，通过在导电衬垫31远离衬底20一侧的表面设置抗氧化层，可避免导电衬垫31氧化而影响其导电性，示例性的，抗氧化层可采用松香，松香为易挥发材料，在制备阵列基板41时不会形成残留，从而保证导电衬垫31与连接电极32之间的导电性。
在其他实施例中，本领域技术人员可根据实际需求对抗氧化层的材料和厚度进行设置，本发明实施例对此不作限定。
可选的，连接电极32和导电衬垫31之间的界面能大于连接电极32和与连接电极32相邻的其他膜层之间的界面能。
其中，界面能越大，浸润性越好，亲和性就越好。因此，通过设置连接电极32和导电衬垫31之间的界面能大于连接电极32和与连接电极32相邻的其他膜层之间的界面能，在阵列基板41与微发光单元40对位键合时，能够保证融化的连接电极32受到按压时会优先落入相邻两个衬垫分部311之间的间隙312中，而不会向与连接电极32相邻的其他膜层扩散，从而避免相邻的连接电极32之间发生短路，提高产品良率。
图13为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图，如图13所示，可选的，连接电极32包括至少两个间隔设置的连接子电极322，至少两个连接子电极322与同一导电衬垫31的不同衬垫分部311对应设置，且连接子电极322在衬底20所在平面上的垂直投影与衬垫分部311在衬底20所在平面上的垂直投影至少部分交叠。
具体的，如图13所示，可将连接电极32设置为至少两个间隔设置的连接子电极322，并将至少部分连接子电极322与同一导电衬垫31的不同衬垫分部311对应设置，从而在连接子电极322之间形成空隙，该空隙可为连接电极32提供流入空间，从而进一步避免连接电极32向周边流动。
图14为本发明实施例提供的另一种驱动单元与微发光单元键合的流程示意图，图15为本发明实施例提供的另一种阵列基板与微发光单元键合的流程示意图，如图13-15所示，在将微发光单元40与阵列基板41键合时，先对阵列基板41进行加热，以使连接电极32融化，然后由转运装置42将微发光单元40转移至阵列基板41上。然后，转运装置42向朝向阵列基板41的方向施加压力，以使全部微发光单元40均接触到连接电极32，提升微发光单元40与连接电极32的连接概率。此时，与阵列基板41距离较小的微发光单元40所接触到连接电极32，受到压力，由于液体张力间隔设置的连接子电极322会粘附在一起，向连接子电极322之间的间隙塌陷，形成较大形变，并可流入相邻两个衬垫分部311之间形成间隙312中，从而避免融化状态的连接电极32向周边流动而造成相邻的连接电极32之间发生短路，提高产品良率。
本发明实施例提供的阵列基板，利用具有镂空部331的金属种子层33制备具有间隙312的导电衬垫31，可在同一工艺步骤中形成连接电极32，降低工艺复杂度。在其他实施例中，利用设置有第二开口351的辅助层35在第一电极分部54和第三电极分部56之间，以及第二电极分部55和第三电极分部56之间形成高度差，以使第一电极分部54和第二电极分部55之间形成间隙。在阵列基板41与微发光单元40对位键合时，连接电极32受热融化，后续连接电极32受到按压时可填充进间隙中，从而避免受到按压的连接电极32向周边流动而造成相邻的连接电极32之间短路，提高产品良率。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，图16为本发明实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图，如图16所示，本发明实施例提供的显示面板包括多个微发光单元40和上述任一实施例所提供的阵列基板41，微发光单元40包括第一电极401，第一电极401通过连接电极32与驱动单元21电连接，连接电极32填充至少部分间隙312。
示例性的，继续参考图4和图16，多个微发光单元40与阵列基板41键合，键合时与阵列基板41距离较大的微发光单元40接触到连接电极32，键合时与阵列基板41距离较小的微发光单元40被按压到连接电极32上，因此，键合时与阵列基板41距离较小的微发光单元40所接触到连接电极32发生形变，此时，发生形变的连接电极32会被填充进相邻两个衬垫分部311之间形成间隙312中，从而避免融化状态的连接电极32向周边流动而造成相邻的连接电极32之间发生短路。
其中，微发光单元40可以为微发光二极管(MicroLight Emitting Diode，MicroLED)，Micro LED具有显示性能好、体积小、功率低等优点，具有广泛的应用前景。
在其他实施例中，微发光单元40也可采用其他发光器件，本发明实施例对此不作限定。显示面板中还可包括用于实现显示功能的其他模块结构，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
图17为本发明实施例提供的又一种驱动单元与微发光单元键合的流程示意图，图18为本发明实施例提供的另一种显示面板的局部结构示意图，如图6、图17和图18所示，可选的，驱动单元21还包括金属种子层33，金属种子层33包括镂空部331，导电衬垫31位于金属种子层33远离衬底20的一侧，且导电衬垫31在衬底20所在平面上的垂直投影覆盖至少部分金属种子层33在衬底所在平面的垂直投影，镂空部331在衬底20所在平面的垂直投影覆盖间隙312在衬底20所在平面的垂直投影，至少部分连接电极32填充间隙312。
其中，导电衬垫31由金属种子层33生长而成，金属种子层33为形成的导电衬垫31提供良好的导电层基础，并可提高电镀工艺或化学镀工艺的效率。如图6所示，金属种子层33包括镂空部331，导电衬垫31的衬垫分部311分别在镂空部331两侧的金属种子层33上生长，由于镂空部331处不会形成导电衬垫31，衬垫分部311之间形成间隙312。
示例性的，继续参考图17和图18，多个微发光单元40与阵列基板41键合，键合时连接电极32受热融化，与阵列基板41距离较大的微发光单元40接触到连接电极32，保证与驱动单元21之间电连接；与阵列基板41距离较小的微发光单元40被按压到连接电极32上，连接电极32发生形变并填充进相邻两个衬垫分部311之间形成间隙312中，从而避免融化状态的连接电极32向周边流动而造成相邻的连接电极32之间发生短路。
图19为本发明实施例提供的又一种驱动单元与微发光单元键合的流程示意图，图20为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部结构示意图，如图10、图19和图20所示，可选的，驱动单元21还包括辅助层35，辅助层35包括朝向连接电极32的第二开口351。至少两个衬垫分部311包括第一衬垫分部51和第二衬垫分部52，第一衬垫分部51和第二衬垫分部52分别位于第二开口351两侧的辅助层35远离衬底20的一侧。连接电极32包括第一电极分部54和第二电极分部55，第一电极分部54位于第一衬垫分部51远离衬底20的一侧，第二电极分部55位于第二衬垫分部52远离衬底20的一侧，至少部分连接电极32的第一电极分部54和第二电极分部55连为一体，并填充第二开口351。
具体的，如图10所示，辅助层35上设置有第二开口351，第二开口351两侧的辅助层35上分别设置有第一衬垫分部51和第二衬垫分部52，第二开口351处形成第一衬垫分部51和第二衬垫分部52之间的间隙，第一衬垫分部51远离衬底20的一侧设置有第一电极分部54，第二衬垫分部52远离衬底20的一侧设置有第二电极分部55。
示例性的，继续参考图19和图20，多个微发光单元40与阵列基板41键合，键合时第一电极分部54和第二电极分部55受热融化，与阵列基板41距离较大的微发光单元40接触到第一电极分部54和第二电极分部55，保证与驱动单元21之间电连接；与阵列基板41距离较小的微发光单元40被按压到第一电极分部54和第二电极分部55上，第一电极分部54和第二电极分部55发生形变粘附在一起，并填充进第二开口351中，从而避免融化状态的第一电极分部54和第二电极分部55向周边流动而造成相邻的连接电极32之间发生短路。
本发明实施例提供的显示面板具有上述任一实施例中的技术方案所具有的技术效果，与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，用于制备上述实施例提供的任一显示面板，与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述，图21为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图，如图21所示，该方法包括如下步骤：
S110、在衬底一侧制备像素驱动电路，其中，所述像素驱动电路包括多个驱动单元，所述驱动单元包括相互电连接的导电衬垫和连接电极，所述连接电极位于所述导电衬垫远离所述衬底一侧，所述导电衬垫包括至少两个间隔设置的衬垫分部，相邻两个所述衬垫分部之间包括间隙。
其中，通过设置导电衬垫包括至少两个间隔设置的衬垫分部，相邻两个衬垫分部之间形成间隙，以使后续阵列基板与微发光单元对位键合时，融化的连接电极填充进间隙中，从而避免受到按压的连接电极向周边流动而造成相邻的连接电极之间短路，提高了产品良率。
S120、制备多个微发光单元，其中，所述微发光单元包括第一电极。
其中，第一电极用于连接微发光单元与连接电极，需要注意的是，S120与S110不分先后顺序，也可以制备多个微发光单元，再在衬底一侧制备像素驱动电路，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
S130、将所述第一电极通过所述连接电极与所述驱动单元电连接，其中，所述连接电极填充至少部分所述间隙。
其中，键合时与阵列基板距离较小的微发光单元所接触到连接电极发生形变，此时，发生形变的连接电极会被填充进相邻两个衬垫分部之间形成间隙中，从而避免融化状态的连接电极向周边流动而造成相邻的连接电极之间发生短路。
可选的，在衬底一侧制备像素驱动电路包括：
在所述衬底一侧制备金属种子层，其中，所述金属种子层包括镂空部以及相互连接的被遮挡部和暴露部，所述暴露部位于靠近所述镂空部的一侧。
在所述金属种子层远离所述衬底的一侧制备遮挡结构，其中，所述遮挡结构在所述衬底所在平面上的垂直投影覆盖所述被遮挡部在所述衬底所在平面上的垂直投影，且所述遮挡结构包括第一开口，所述第一开口暴露所述金属种子层的暴露部。
在所述暴露部远离所述衬底的一侧制备所述导电衬垫和所述连接电极，其中，所述导电衬垫以及所述连接电极在所述衬底所在平面上的垂直投影位于所述第一开口在所述衬底所在平面上的垂直投影内。
其中，通过电镀工艺，具有间隙的导电衬垫可由设置有镂空部的金属种子层生长而成，金属种子层为后续形成的导电衬垫提供良好的导电层基础，并可提高电镀工艺或化学镀工艺的效率。
示例性的，导电衬垫和连接电极可采用相同的材料制备而成，从而减少制备阵列基板的工艺步骤。具体的，先在金属种子层远离衬底的一侧设置遮挡结构，遮挡结构上设置有第一开口，金属种子层被遮挡结构遮挡的部分为被遮挡部，金属种子层在第一开口处暴露的部分为暴露部。通过电镀工艺在金属种子层上制备导电衬垫时，导电衬垫的衬垫分部分别在镂空部两侧的暴露部上形成，且形成的导电衬垫在镂空部处形成间隙。遮挡结构的第一开口可限定导电衬垫的生长范围，随着衬垫分部在第一开口内的生长，衬垫分部之间逐渐靠近，最终连接在一起，形成连接电极，从而无需再通过额外的工艺步骤制备连接电极。在阵列基板与微发光单元对位键合时，连接电极受热融化，后续连接电极受到按压时可填充进导电衬垫的间隙中，避免受到按压的连接电极向周边流动而造成相邻的连接电极之间短路，提高产品良率。
可选的，在所述暴露部远离所述衬底的一侧制备所述导电衬垫和所述连接电极之后，还包括去除所述遮挡结构。
其中，去除遮挡结构有助于减小导电衬垫和连接电极的厚度，实现更加轻薄的显示面板。
可选的，在衬底一侧制备像素驱动电路包括：
在所述衬底一侧制备辅助层，其中，所述辅助层包括所述辅助层包括朝向所述连接电极的第二开口。
制备至少两个所述衬垫分部，其中，至少两个所述衬垫分部包括第一衬垫分部和第二衬垫分部，所述第一衬垫分部和所述第二衬垫分部分别位于所述第二开口两侧的所述辅助层远离所述衬底的一侧。
制备所述连接电极，其中，所述连接电极包括第一电极分部和第二电极分部，所述第一电极分部位于所述第一衬垫分部远离所述衬底的一侧，所述第二电极分部位于所述第二衬垫分部远离所述衬底的一侧。
其中，辅助层包括第二开口，在第二开口两侧的辅助层上分别设置第一衬垫分部和第二衬垫分部，第二开口处形成第一衬垫分部和第二衬垫分部之间的间隙，在第一衬垫分部远离衬底的一侧设置第一电极分部，在第二衬垫分部远离衬底的一侧设置第二电极分部。在阵列基板与微发光单元对位键合时，第一电极分部和第二电极分部受热融化，后续第一电极分部和第二电极分部受到按压时可填充进第二开口中，避免受到按压的第一电极分部和第二电极分部向周边流动而造成相邻的连接电极之间短路，提高产品良率。其中，通过设置辅助层，并在辅助层设置第二开口，可以为连接电极提供更大的流入空间，从而进一步避免连接电极受到按压时向周边流动而造成短路现象。
本发明实施例提供的显示面板的制备方法，利用具有镂空部的金属种子层制备具有间隙的导电衬垫，可在同一工艺步骤中形成连接电极32，降低工艺复杂度。在其他实施例中，利用设置有第二开口的辅助层在第一电极分部和第三电极分部之间，以及第二电极分部和第三电极分部之间形成高度差，以使第一电极分部和第二电极分部之间形成间隙，可以为连接电极提供更大的流入空间，从而进一步避免连接电极受到按压时向周边流动而造成短路现象。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，图22为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，如图22所示，该显示装置50包括本发明任意实施例所述的显示面板51，因此，本发明实施例提供的显示装置50具有上述任一实施例中的技术方案所具有的技术效果，与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述。本发明实施例提供的显示装置50可以为图22所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、医疗设备、工控设备、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (19)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底和设置于所述衬底一侧的像素驱动电路；
所述像素驱动电路包括多个驱动单元，所述驱动单元包括相互电连接的导电衬垫和连接电极，所述连接电极位于所述导电衬垫远离所述衬底的一侧；
所述导电衬垫包括至少两个间隔设置的衬垫分部，相邻两个所述衬垫分部之间包括间隙；
所述驱动单元还包括金属种子层，所述金属种子层包括镂空部；所述导电衬垫位于所述金属种子层远离所述衬底的一侧，且所述导电衬垫在所述衬底所在平面上的垂直投影覆盖至少部分所述金属种子层在所述衬底所在平面的垂直投影，所述镂空部在所述衬底所在平面的垂直投影覆盖所述间隙在所述衬底所在平面的垂直投影；所述驱动单元还包括遮挡结构；所述金属种子层包括相互连接的被遮挡部和暴露部，所述暴露部位于靠近所述镂空部的一侧；所述遮挡结构在所述衬底所在平面上的垂直投影覆盖所述被遮挡部在所述衬底所在平面上的垂直投影，所述遮挡结构包括第一开口，所述第一开口暴露所述金属种子层的暴露部，所述导电衬垫以及所述连接电极在所述衬底所在平面上的垂直投影位于所述第一开口在所述衬底所在平面上的垂直投影内；
或者，所述驱动单元还包括辅助层，所述辅助层包括朝向所述连接电极的第二开口；至少两个所述衬垫分部包括第一衬垫分部和第二衬垫分部；所述第一衬垫分部和所述第二衬垫分部分别位于所述第二开口两侧的所述辅助层远离所述衬底的一侧；所述连接电极包括第一电极分部和第二电极分部，所述第一电极分部位于所述第一衬垫分部远离所述衬底的一侧，所述第二电极分部位于所述第二衬垫分部远离所述衬底的一侧。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述连接电极包括远离所述衬底一侧的第一表面，所述遮挡结构包括远离所述衬底一侧的第二表面，所述第一表面位于所述第二表面远离所述衬底的一侧。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一表面与所述衬底之间的距离为第一距离H1,所述第二表面与所述衬底之间的距离为第二距离H2，其中，1μm≤H1-H2≤10μm。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，至少两个所述衬垫分部还包括第三衬垫分部，所述第三衬垫分部位于所述第二开口中；
所述连接电极还包括第三电极分部，所述第三电极分部位于所述第三衬垫分部远离所述衬底的一侧；
所述第一电极分部包括远离所述衬底一侧的第一子表面，所述第二电极分部包括远离所述衬底一侧的第二子表面，所述第三电极分部包括远离所述衬底一侧的第三子表面，所述第一子表面和所述第二子表面均位于所述第三子表面远离所述衬底的一侧。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第三电极分部与所述第二开口的侧壁之间包括空隙。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助层的厚度为H3，其中，1μm≤H3≤10μm。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助层为有机层。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述连接电极的厚度为H4，其中，1μm≤H4≤10μm。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电衬垫的厚度为H5，相邻两个所述衬垫分部之间的间隔距离为D1，其中，1μm≤H5≤10μm，1μm≤D1≤10μm。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电衬垫的材料包括银或铜。
11.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电衬垫远离所述衬底一侧的表面设置有抗氧化层。
12.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述连接电极和所述导电衬垫之间的界面能大于所述连接电极和与所述连接电极相邻的其他膜层之间的界面能。
13.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述连接电极包括至少两个间隔设置的连接子电极，至少两个所述连接子电极与同一所述导电衬垫的不同所述衬垫分部对应设置，且所述连接子电极在所述衬底所在平面上的垂直投影与所述衬垫分部在所述衬底所在平面上的垂直投影至少部分交叠。
14.一种显示面板，其特征在于，包括多个微发光单元和权利要求1-13中任一项所述的阵列基板；
所述微发光单元包括第一电极，所述第一电极通过所述连接电极与所述驱动单元电连接，所述连接电极填充至少部分所述间隙。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述驱动单元还包括金属种子层，所述金属种子层包括镂空部；
所述导电衬垫位于所述金属种子层远离所述衬底的一侧，且所述导电衬垫在所述衬底所在平面上的垂直投影覆盖至少部分所述金属种子层在所述衬底所在平面的垂直投影，所述镂空部在所述衬底所在平面的垂直投影覆盖所述间隙在所述衬底所在平面的垂直投影；
至少部分所述连接电极填充所述间隙。
16.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述驱动单元还包括辅助层，所述辅助层包括朝向所述连接电极的第二开口；
至少两个所述衬垫分部包括第一衬垫分部和第二衬垫分部；所述第一衬垫分部和所述第二衬垫分部分别位于所述第二开口两侧的所述辅助层远离所述衬底的一侧；
所述连接电极包括第一电极分部和第二电极分部，所述第一电极分部位于所述第一衬垫分部远离所述衬底的一侧，所述第二电极分部位于所述第二衬垫分部远离所述衬底的一侧；
至少部分所述连接电极的所述第一电极分部和所述第二电极分部连为一体，并填充所述第二开口。
17.一种显示面板的制备方法，用于制备权利要求14-16任一项所述的显示面板，其特征在于，所述制备方法包括：
在衬底一侧制备像素驱动电路，其中，所述像素驱动电路包括多个驱动单元，所述驱动单元包括相互电连接的导电衬垫和连接电极，所述连接电极位于所述导电衬垫远离所述衬底一侧，所述导电衬垫包括至少两个间隔设置的衬垫分部，相邻两个所述衬垫分部之间包括间隙；
制备多个微发光单元，其中，所述微发光单元包括第一电极；
将所述第一电极通过所述连接电极与所述驱动单元电连接，其中，所述连接电极填充至少部分所述间隙；
在衬底一侧制备像素驱动电路包括：
在所述衬底一侧制备金属种子层，其中，所述金属种子层包括镂空部以及相互连接的被遮挡部和暴露部，所述暴露部位于靠近所述镂空部的一侧；
在所述金属种子层远离所述衬底的一侧制备遮挡结构，其中，所述遮挡结构在所述衬底所在平面上的垂直投影覆盖所述被遮挡部在所述衬底所在平面上的垂直投影，且所述遮挡结构包括第一开口，所述第一开口暴露所述金属种子层的暴露部；
在所述暴露部远离所述衬底的一侧制备所述导电衬垫和所述连接电极，其中，所述导电衬垫以及所述连接电极在所述衬底所在平面上的垂直投影位于所述第一开口在所述衬底所在平面上的垂直投影内；
或者，在衬底一侧制备像素驱动电路包括：
在所述衬底一侧制备辅助层，其中，所述辅助层包括所述辅助层包括朝向所述连接电极的第二开口；
制备至少两个所述衬垫分部，其中，至少两个所述衬垫分部包括第一衬垫分部和第二衬垫分部，所述第一衬垫分部和所述第二衬垫分部分别位于所述第二开口两侧的所述辅助层远离所述衬底的一侧；制备所述连接电极，其中，所述连接电极包括第一电极分部和第二电极分部，所述第一电极分部位于所述第一衬垫分部远离所述衬底的一侧，所述第二电极分部位于所述第二衬垫分部远离所述衬底的一侧。
18.根据权利要求17所述的制备方法，其特征在于，在所述暴露部远离所述衬底的一侧制备所述导电衬垫和所述连接电极之后，还包括：
去除所述遮挡结构。
19.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求14-16任一项所述的显示面板。
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