CN209232754U - 微发光器件的转移装置及设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种微发光器件的转移装置及设备，转移装置包括：基板；间隔层，间隔层形成于基板上，且间隔层上设置有若干阵列排布的凹槽，每一凹槽底部对应的基板处设置有若干第一通孔；气流驱动器件，气流驱动器件设置于基板的远离间隔层的一侧，用于将气体从第一通孔灌入凹槽以将微发光器件释放，或将凹槽内气体从第一通孔排出以将微发光器件吸入凹槽。通过上述方式，本申请能够实现微发光器件与接收基板上对应驱动晶体管的精准对位，实现微发光器件的巨量转移。

Description

微发光器件的转移装置及设备

技术领域

本申请涉及半导体制造技术显示领域，特别是涉及一种微发光器件的转移装置及设备。

背景技术

微发光二极管(μLED)显示器是在接受基板上集成的高密度微小尺寸的LED阵列作为显示像素实现图像显示的显示器，每一个像素可定址、单独驱动点亮，将像素点距离从毫米级降低至微米级，μLED显示器和有机发光二极管显示器一样属于自发光显示器。

其中，微发光二极管的制备过程为首先在石英等基底上外延生长，然后将微发光二极管转移到玻璃基底上完成微发光二极管与驱动晶体管(TFT)的连接。在微发光二极管的拾取转移过程中，一般采用静电吸附、磁力吸附、范德华力作用、真空吸附等技术将微发光二极管从施主晶圆上拾取，并转移到接受衬底上。因微发光二极管的尺寸为毫米级别，显示屏上一般包含超过上百万个微发光二极管，对于批量转移技术来讲，转移的速度要快，相邻微发光二极管的相对位置需要固定且精确，这样才能保证微发光二极管与驱动晶体管的准确对位。因此，如何快速完成微发光二极管的转移和对位成为其应用于高分辨率显示产品的难题。

实用新型内容

本申请提供一种微发光器件的转移装置及设备，能够解决现有技术中微发光器件转移时和驱动晶体管快速且精确对位的问题。

本申请采用的一个技术方案是：提供一种微发光器件的转移装置，所述转移装置包括：基板；间隔层，所述间隔层形成于所述基板上，且所述间隔层上设置有若干阵列排布的凹槽，每一所述凹槽底部对应的所述基板处设置有第一通孔；气流驱动器件，所述气流驱动器件设置于所述基板的远离所述间隔层的一侧，用于将气体从所述第一通孔灌入所述凹槽以将所述微发光器件释放，或将所述凹槽内气体从所述第一通孔排出以将所述微发光器件吸入所述凹槽。

本申请采用的一个技术方案是：提供一种微发光器件的转移设备，所述转移设备包括，所述转移设备包括临时基板及至少一个如上述中任一所述的转移装置；其中，所述临时基板的至少一表面上设置有若干阵列排布的电极，所述临时基板接收所述转移装置上吸附的所述微发光器件并通过所述电极对所述微发光器件进行测试，并将通过测试后的所述微发光器件通过所述转移装置转移至接收基板。

本申请的有益效果是：提供一种微发光器件转移装置及设备，通过气流驱动器件改变转移装置凹槽内的风向，可以定向重点吸附特定区域内的微发光器件，且藉由气流驱动器件产生的气流可以对微发光器件均匀施加外力，降低局部受力引起的微发光器件损伤，还可以精确控制相邻微发光器件的相对位置，便于微发光器件与接收基板上对应驱动晶体管的精准对位，从而实现微发光器件的巨量转移。

附图说明

图1是本申请微发光器件转移装置制备方法一实施方式的流程示意图；

图2是本申请微发光器件转移装置制备过程一实施方式的示意图；

图3是本申请第一通孔及第二通孔的制备示意图；

图4是本申请微发光器件转移装置第一实施方式的截面示意图；

图5是本申请微发光器件吸附于凹槽内的两种状态示意图；

图6是本申请微发光器件转移装置第二实施方式的截面示意图；

图7是本申请控制件一实施方式的俯视图；

图8是本申请微发光器件转移方法一实施方式的流程示意图；

图9是本申请微发光器件转移过程第一实施方式的示意图；

图10是为本申请微发光器件第一吸附类型的示意图；

图11是为本申请微发光器件第二吸附类型的示意图；

图12是本申请微发光器件转移设备一实施方式的结构示意图；

图13是为本申请微发光器件转移方法第二实施方式的流程示意图；

图14是本申请为本申请微发光器件转移过程第二实施方式的示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

本申请中所提到的微发光器件均指微发光二极管(Micro LED)，具体可以包括红色微发光二极管、绿色微发光二极管以及蓝色为发光二极管。

请参阅图1，图1为本申请微发光器件转移装置制备方法一实施方式的流程示意图，如图1，本申请的微发光器件转移装置制备方法包括如下步骤：

S100，在基板上形成间隔层。

一并参阅图2，图2为本申请微发光器件转移装置制备过程一实施方式的示意图。首先，提供基板110，基板110可以为透明材质，具体可以是玻璃、陶瓷基板或者透明塑料等任意形式的基板，此处不做具体限定。

步骤S100中，在形成间隔层120之前还需在基板110上形成弹性缓冲层130，其中，该弹性缓冲层130的制备可以采用化学气相沉积(CVD)及物理气相沉积(PVD)中的一种。其中，为防止吸附转移过程中碰撞对微发光器件造成损伤，该弹性缓冲层130的材料可以采用柔性材料，例如聚酰亚胺及聚对苯二甲酸乙二醇酯，或者二者的组合等等，此处不做具体限定。

可选地，在该弹性缓冲层130上沉积间隔层120，其中，该间隔层120的制备可以采用化学气相沉积(CVD)及物理气相沉积(PVD)中的至少一种，且该间隔层120的材料可以选用有机胶。

S110，对间隔层进行处理，形成具有若干阵列排布的凹槽。

可选地，步骤S110中采用黄光制程对间隔层120进行曝光、显影坚膜、蚀刻等在间隔层120上形成若干阵列排布的凹槽121。该凹槽121用于容纳微发光器件。

S120，对每一凹槽底部的基板进行处理，以形成第一通孔。

可选地，本实施例中，基板110上还沉积有弹性缓冲层130，故可以采用一道蚀刻工艺同时实现第一通孔111和弹性缓冲层130上第二通孔131的制备。

该第一通孔111和第二通孔131可以采用纳米压印加蚀刻的方法制备。结合图3，图3为本申请第一通孔及第二通孔的制备示意图，首先准备一压印模板400，其中，压印模板400的一侧设置有阵列排布的凸点410及空腔420，将该压印模版400压在弹性缓冲层130上并施加适当压力，弹性缓冲层130会填充模版的空腔，在此过程中压印模版400的空腔420的高度大于弹性缓冲层130的厚度，模压结束后该弹性缓冲层因而具有和压印模版400相重合的图形，随后移去压印模版400，并进行各向异性刻蚀，该刻蚀过程中可以通过控制刻蚀液的浓度以及刻蚀时间从而形成第一通孔111及第二通孔131。

可选地，本实施例中选用纳米压印技术形成第一通孔111及第二通孔131，其精度可达50纳米，即该第一通孔111及第二通孔131的孔径相同，可以为50nm，此外采用纳米压印技术可以减小对曝光机的要求。

可选地，本实施例中，第一通孔111和第二通孔131的数量相同且可以为若干个，且第一通孔111及第二通孔131孔径和数量可以根据微发光器件的大小适当设计，在本实施例的一应用场景中，通过减小通孔的孔径且同时增加通孔的数量有利于微发光器件的吸附良率。

当然在其他实施方式中，还可以采用黄光加刻蚀工艺制备，此处不做具体限定。

S130，将气流驱动器件焊接于基板远离间隔层的一侧，以形成转移装置。

继续参阅图2，采用激光焊接的方式将气流驱动器件140焊接于基板110远离间隔层120的一侧，以形成转移装置100。其中，气流驱动器件140用于将气体从第一通孔111灌入凹槽121以将微发光器件释放，或将凹槽121内气体从第一通孔111排出以将微发光器件吸入凹槽121内。

上述实施方式中制备的微发光器件转移装置，通过气流驱动器件产生的气流诱导微发光器件从生长基板转移至转移装置，再使用反方向气流可以将微发光器件转移至显示基底，且本申请的转移装置还可以精确控制相邻微发光器件的相对位置，便于微发光器件与接收基板上对应驱动晶体管的精准对位，实现微发光器件的巨量转移。

参阅图4，图4为本申请微发光器件转移装置第一实施方式的截面示意图。如图4，本实施例提供的微发光器件的转移装置100包括基板110、间隔层120及气流驱动器件140。

基板110可以为透明材质，具体可以是玻璃、陶瓷基板或者透明塑料等任意形式的基板，此处不做具体限定。

其中，间隔层120形成于基板110上，且间隔层120上设置有若干阵列排布的凹槽121，每一凹槽121底部对应的基板110处设置有第一通孔111。

气流驱动器件140设置于基板110的远离间隔层120的一侧，用于将气体从第一通孔111灌入凹槽121以将微发光器件释放，或将凹槽121内气体从第一通孔111排出以将微发光器件吸入凹槽121。

可选地，该转移装置100还包括弹性缓冲层130，弹性缓冲层130设置于基板110和间隔层120之间，用于防止转移过程中对微发光器件造成损伤，其中，该弹性缓冲层130的材料可以采用柔性材料，例如聚酰亚胺及聚对苯二甲酸乙二醇酯等等，此处不做具体限定。

可选地，弹性缓冲层130对应第一通孔111处设置第二通孔131。其中，第一通孔111和第二通孔131的孔径大小相同，可以为50nm，数量可以相同且设置为若干个。其中，通过减小通孔孔径减小并增加通孔通孔数量的方式可以提高微发光器件的吸附良率。可选地，通孔的数量及孔径的大小设置和微发光器件的尺寸相关，此处可以根据微发光器件的具体尺寸进行灵活设置，此处不做具体限定。

可选地，结合图5，图5为本申请微发光器件吸附于凹槽内的两种状态示意图，如图5中的右上图，微发光器件300吸附于凹槽121中且靠近凹槽121的一侧，图5中的右下图中微发光器件吸附于凹槽121中且位于凹槽121的正中间位置。如上图可知，间隔层120的每一凹槽121的宽度L1可以设置为大于或者等于微发光器件300的宽度L2，其中，若设置凹槽121的宽度L1大于微发光器件300的宽度L2，则在吸附前对微发光器件300的对准精度要求相对较低，若将凹槽121的宽度L1设置为等于微发光器件300的宽度L2，则在吸附前对微发光器件300的对准精度要求相对较高，且微发光器件300吸附于凹槽121内后不容易脱落。此外，凹槽121的宽度L1和微发光器件300的宽度L2之差小于转移装置的水平对准精度。

可选地，考虑到将微发光器件300键合到接受基板上时，需要对微发光器件300施加足够的压力完成键合，而采用气流驱动不能提供足够压力，且气流驱动只能用于完成吸附或者解吸附，故为在键合过程对微发光器件300提供足够的压力，此处设置凹槽121的深度H1小于微发光器件300的高度H2，以使得转移装置在下移的过程中由凹槽121提供键合压力。

可选地，凹槽121的形状与微发光器件形状相匹配，即在具体的应用场景中，根据微发光器件的具体形状设计该凹槽121的形状，例如梯形、长方形、正方形等等，此处不做具体限定，在具体设计时可以将所有凹槽121设计为相同的形状，也可以设置为不相同的形状。

上述实施方式中，通过灵活自由的设置凹槽的形状、深度以及数量，可以满足微发光器件转移过程中的多样性需求。

继续参见图5，每一凹槽121内相邻第一通孔111之间的间距为L3，且该相邻第一通孔111之间的距离L3设置为大于或者等于微发光器件300上电极之间的间距L4(可以是P电极或者N电极之间的距离)。

可选地，凹槽121的侧壁与其相邻的第一通孔111之间的距离设置为L5，微发光器件300的电极宽度为L6(P电极或者N电极的宽度)，设置凹槽121侧壁与其相邻的第一通孔111之间的距离L5小于或等于微发光器件的电极宽度L6。

上述实施方式中，通过灵活设置凹槽、第一通孔以及微发光器件之间的距离及尺寸关系，可以提高转移过程中微发光器件吸附于凹槽内的稳定性，防止对器件造成损伤，提高微发光器件的转移良率。

上述实施方式中，通过气流驱动器件改变转移装置凹槽内的风向，可以定向重点吸附特定区域内的微发光器件，且藉由气流驱动器件产生的气流可以对微发光器件均匀施加外力，降低局部受力引起的微发光器件损伤，此外，还可以精确控制相邻微发光器件的相对位置，便于微发光器件与接收基板上对应驱动晶体管的对位，从而实现微发光器件的巨量转移。

参阅图6，图6为本申请微发光器件转移装置第二实施方式的截面示意图，本实施例是在第一实施方式上的进一步扩展，和第一实施方式中的转移装置类似，不同之处在于，本实施例中的转移装置还包括控制件150，其中，控制件150通过设置于其表面的滑动件152控制第一通孔的开合，从而实现选择性的拾取微发光器件，具体描述如下：

本申请提供的转移装置100包括基板110、间隔层120、气流驱动器件140以及控制件150。

其中，基板110可以为透明材质，具体可以是玻璃、陶瓷基板或者透明塑料等任意形式的基板，此处不做具体限定。

其中，间隔层120形成于基板110上，且间隔层120上设置有若干阵列排布的凹槽121，每一凹槽121底部对应的基板110处设置有若干第一通孔111。

气流驱动器件140设置于基板110的远离间隔层120的一侧，用于将气体从第一通孔111灌入凹槽121以将微发光器件释放，或将凹槽121内气体从第一通孔111排出以将微发光器件吸入凹槽121。

且上述的基板110、间隔层120以及气流驱动器件140的详细介绍，可以参见转移装置第一实施方式的具体描述，此处不再赘述。可选地，本实施例中的转移装置100还包括控制件150，控制件150设置于所述转移装置基板110的远离凹槽121的一面。其中，参阅图7，图7为本申请控制件一实施方式的俯视图，其中，控制件150包括设置于基板110远离凹槽121一表面的滑轨151以及若干滑动件152，滑动件152通过滑轨151滑动连接于控制件150。可选地，控制件150的每一滑动件152和转移装置100上的凹槽一一对应，每一滑动件152上设置有若干第三通孔1521，第三通孔1521和基板的第一通孔一一对应，滑动件152沿滑轨151向左或者向右滑动以控制第一通孔的开合，从而可以实现对原始衬底上微发光器件的选择性转移。

在其他实施方式中，本申请中微发光器件转移装置还可以包括阀门及阀门控制件，其中，阀门可以设置于第一通孔中，阀门控制件连接阀门，用于控制第一通孔的开合，通过在第一通孔的位置设置阀门，控制器件连接阀门控制第一通孔的开合，从而可以实现对原始衬底上微发光器件的选择性转移。

上述实施方式中，通过气流驱动器件改变转移装置凹槽内的风向，可以定向重点吸附特定区域内的微发光器件，且藉由气流驱动器件产生的气流可以对微发光器件均匀施加外力，降低局部受力引起的微发光器件损伤，还可以精确控制相邻微发光器件的相对位置，便于微发光器件与接收基板上对应驱动晶体管的精准对位，从而实现微发光器件的巨量转移。此外，在转移装置一表面设置控制件，通过控制件中的滑动件来控制第一通孔的开合，可以实现对微发光器件的选择性转移，提高微发光器件转移过程的良率，从而提高微发光器件的生产效率。

请参阅图8和图9，图8为本申请微发光器件转移方法第一实施方式的流程示意图，图9为本申请微发光器件转移过程第一实施方式的示意图。现结合图8及图9，详细介绍采用该微发光器件转移装置实施的转移过程，且本申请中在转移过程中采用两个转移装置，解决转移过程中微发光器件电极方向的问题。其中，在采用本申请的转移装置进行转移之前还包括：

S200，在原始衬底上制备若干微发光器件。

其中，该原始衬底200可以是激光透明衬底，例如蓝宝石衬底、碳化硅(SiC)衬底等等，此处不做具体限定。其中，该为若干微发光器件300可以被用于安装到显示屏面板上。可以理解的是，本实施例中可以在该原始衬底200上形成一个微发光器件300，也可以形成多个微发光器件300，且该原始衬底200上的多个微发光器件300可以形成阵列排布。

可选地，在吸附之前需要将微发光器件300从原始衬底200上预先进行剥离，其剥离方式可以采用激光剥离等方式实现。

S210，将转移装置设有若干阵列排布的凹槽的表面靠近且对准原始衬底上的微发光器件。

S220，采用气流驱动器件将凹槽内气体从第一通孔排出以将微发光器件吸入凹槽。

如图9，带有凹槽121和第一通孔111的转移装置配合气流驱动器件的气流导向，将微发光器件300从原始衬底200上吸附入凹槽内。此时，微发光器件300的电极应该向上，即靠近凹槽121的一侧为微发光器件300的电极侧。

可选地，当微发光器件300在气流的作用下从原始衬底200脱离，会被吸入凹槽121内，堵住凹槽121内的第一通孔111，确保微发光器件300阵列位置的确定性，且本实施例中凹槽121和基板110之间设置有弹性缓冲层130，可以减少吸附过程中碰撞对微发光器件300造成的损伤，从而可以提高转移过程中的良率。

可以理解的是，本申请中的微发光器件转移装置的材料也可以采用柔性材料制作，如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯等常用的柔性材料制成，可以确保转移装置将微发光器件吸入凹槽时不会对器件造成损伤，从而提高微发光器件的转移良率及成品率。

此外，请结合图10及图11，图10和图11分别为本申请微发光器件的两种不同吸附类型的示意图。其中，两种不同吸附方式对转移装置的对准精度要求不相同，如图10采用的对准式吸附，转移装置100和微发光器件300对准过程中，此时微发光器件300已经处于凹槽121范围内，此时转移装置100不能在水平移动，吸附过程中微发光器件300的水平移动范围被限制在凹槽121内，采用图10所示的吸附方式其对转移装置100的对准精度要求较高。

如图11采用的诱导式吸附，转移装置100和微发光器件300对准过程中，微发光器件300位于对应的凹槽121的垂直投影区域，并未被限制在凹槽121内，因此转移装置100可以在水平方向移动。采用诱导式吸附方式对转移装置100的对准精度要求相对较低，而且对于此种阵列转移头来讲，不需要严格要求转移装置100上阵列排布的凹槽121的数目与微发光器件300的数目一一对应，通过移动转移装置100的方式可以吸附任意位置的微发光器件300，直至微发光器件300将所有的凹槽121填满。

S230，将吸入凹槽内的微发光器件转移至接收基板。

步骤S130中，考虑到微发光器件300吸附于转移装置100的凹槽121中后，其电极方向向上，在后续和接收基板500进行键合时，微发光器件300的电极方向应该向下，故本实施例中采用另一转移装置100a和转移装置100进行对接完成微发光器件300的电极翻转。即将吸附有微发光器件300的转移装置100和转移装置100a上的凹槽121a对准，气流驱动器件140驱动气体从第一通孔111a灌入凹槽121a以将微发光器件300释放，且转移装置100a上的气流驱动器件140a驱动气体从第一通孔111a排出以将微发光器件300吸入凹槽121a内，从而完成微发光器件300的电极翻转。

进一步，将吸附有微发光器件300的转移装置100a和接收基板500上的驱动晶体管510对准。其中，该接收基板500可以为显示基板，其上设置有若干阵列排布的驱动晶体管，每一驱动晶体管510可以和一微发光器件300电学连接。此时，采用气流驱动器件140a产生反向气流推动吸附于凹槽121a内的微发光器件300，可以将微发光器件300从转移装置100a的凹槽121a内推向接收基板500。可选地，考虑到微发光器件300和接收基板500上驱动晶体管510的键合需要施加足够的压力，而气流驱动器件140不能提供足够的压力，此时需要将转移装置100a机械向下按压，因凹槽121a的深度小于微发光器件300的高度，故在向下按压转移装置100a时可以给微发光器件300提供键合压力，以完成微发光器件300与驱动晶体管510的电学连接。本实施例中，键合压力直接由转印装置提供，可以无需额外借助其他设备提供键合压力，节省成本。

上述实施方式，通过气流驱动器件改变转移装置凹槽内的风向，可以定向重点吸附特定区域内的微发光器件，且藉由气流驱动器件产生的气流可以对微发光器件均匀施加外力，降低局部受力引起的微发光器件损伤，此外，还可以精确控制相邻微发光器件的相对位置，便于微发光器件与接收基板上对应驱动晶体管的对位，从而实现微发光器件的巨量转移。

参阅图12，图12为本申请微发光器件转移设备一实施方式的结构示意图。如图12本申请提供的转移设备包括至少一个转移装置及临时基板600。

本实施例中的转移装置的个数可以为三个，即包括第一转移装置F1、第二转移装置F2及第三转移装置F3，其中，本实施例中的微发光器件转移装置的具体描述详见上述第一实施方式及第二实施方式的具体描述，此处不再赘述。可以理解的是，图12中所示的转移装置F1、F2以及F3上的凹槽的个数只是示意性的，在实际应用中，根据具体情况选择转移装置上凹槽的数量。

其中，临时基板600的至少一表面上设置有若干阵列排布的电极610，临时基板600接收转移装置上吸附的微发光器件并通过电极610对微发光器件进行测试，并将通过测试后的微发光器件通过转移装置转移至接收基板。

结合图13，图13为本申请微发光器件转移方法第二实施方式的流程示意图，其中和微发光器件转移方法第一实施方式相同之处，不再赘述，具体步骤入下：

S300，在原始衬底上制备若干微发光器件。

一并结合图14，图14为本申请为本申请微发光器件转移过程第二实施方式的示意图。其中，该原始衬底200可以是激光透明衬底，例如蓝宝石衬底、碳化硅(SiC)衬底等等，此处不做具体限定。其中，该为若干微发光器件300可以被用于安装到显示屏面板上。

S310，将转移装置设有若干阵列排布的凹槽的表面靠近且对准原始衬底上的微发光器件。

步骤S310中将第一转移装置F1设有若干阵列排布的凹槽121的表面靠近且对准原始衬底200上的微发光器件300。

S320，采用气流驱动器件将凹槽内气体从第一通孔排出以将微发光器件吸入凹槽。

将驱动第一转移装置F1上的气流驱动器件140将凹槽121内气体从第一通孔111排出以将微发光器件吸入凹槽121。

S330，将微发光器件和临时基板上的阵列排布的电极进行对位接触，以对微发光器件进行检测。

步骤S330中通过转移装置F1预先将微发光器件300放入临时基板600的电极610上进行检测，以剔除掉转移过程中存在损坏或者质量不过关的微发光器件300，提高微发光器件是转移良率，从而提高其生产效率。

在将吸附于转移装置F1上的微发光器件300转移至临时基板500之前，考虑到微发光器件300吸附于第一转移装置F1的凹槽中后，其电极方向向上，在后续和临时基板600的电极610进行电连接的时候，微发光器件300的电极方向应该向下，故需要将该微发光器件300的电极进行翻转，以使得微发光器件300的电极和临时基板600上的电极610进行电连接，完成微发光器件300的检测。其中，图14中采用转移装置F2和转移装置F1进行对接实现微发光器件300电极的翻转，以使得翻转后的微发光器件300的电极能和临时基板600上的电极610进行电连接，实现对微发光器件300的检测。

S340，将通过检测的微发光器件转移至接收基板。

可选地，步骤S340中在检测到临时基板600上有质量不过关或者损坏的微发光器件300后，此时采用不同尺寸的第二转移装置F3，绕开质量不过关或者损坏的微发光器件300，将通过检测的微发光器件300通过气流驱动装置吸附于凹槽内。

步骤S340中，微发光器件300吸附于第三转移装置F3的凹槽中后，其电极方向向下，故将吸附有微发光器件300的第三转移装置F3和接收基板500上的驱动晶体管510对准。其中，该接收基板500可以为显示基板，其上设置有若干阵列排布的驱动晶体管，每一驱动晶体管510可以和一微发光器件300电学连接。此时，采用气流驱动器件产生反向气流推动吸附于凹槽内的微发光器件300，可以将微发光器件300从第三转移装置F3的凹槽内推向接收基板500。可选地，考虑到微发光器件300和接收基板500上驱动晶体管510的键合需要施加足够的压力，而气流驱动器件不能提供足够的压力，此时需要将第三转移装置F3机械向下按压，因凹槽的深度小于微发光器件300的高度，故在向下按压第三转移装置F3时可以给微发光器件300提供键合压力，以完成微发光器件300与驱动晶体管510的电学连接。本实施例中，键合压力直接由转印装置提供，可以无需额外借助其他设备提供键合压力，节省成本。

此外，在其他实施方式中在剔除掉质量不过关或者损坏的微发光器件300后，无需更换不同尺寸的第二转移装置F3，直接采用本申请转移装置第二实施方式中所述的转移装置即可，即通过控制器件控制设置于第一通孔中的阀门闭合即可，从而可以绕开该损坏的微发光器件300，实现对微发光器件300的选择性拾取，且无需更换不同尺寸的转移装置。

上述实施方式中，通过气流驱动器件改变转移装置凹槽内的风向，可以定向重点吸附特定区域内的微发光器件，且藉由气流驱动器件产生的气流可以对微发光器件均匀施加外力，降低局部受力引起的微发光器件损伤，还可以精确控制相邻微发光器件的相对位置，便于微发光器件与接收基板上对应驱动晶体管的精准对位，从而实现微发光器件的巨量转移。此外，结合临时基板实现对微发光器件的检测，可以剔除质量不过关或损坏的微发光器件，提高微发光器件转移过程的良率，从而提高微发光器件的生产效率，实现微发光器件的巨量转移。

综上所述，本领域技术人员容易理解，本申请提供一种微发光器件转移装置及设备，通过气流驱动器件改变转移装置凹槽内的风向，可以定向重点吸附特定区域内的微发光器件，且藉由气流驱动器件产生的气流可以对微发光器件均匀施加外力，降低局部受力引起的微发光器件损伤，还可以精确控制相邻微发光器件的相对位置，便于微发光器件与接收基板上对应驱动晶体管的精准对位，实现微发光器件的巨量转移。

以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种微发光器件的转移装置，其特征在于，所述转移装置包括：

基板；

间隔层，所述间隔层形成于所述基板上，且所述间隔层上设置有若干阵列排布的凹槽，每一所述凹槽底部对应的所述基板处设置有若干第一通孔；

气流驱动器件，所述气流驱动器件设置于所述基板的远离所述间隔层的一侧，用于将气体从所述第一通孔灌入所述凹槽以将所述微发光器件释放，或将所述凹槽内气体从所述第一通孔排出以将所述微发光器件吸入所述凹槽。

2.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述转移装置还包括弹性缓冲层，所述弹性缓冲层设置于所述基板和所述间隔层之间，且所述弹性缓冲层对应所述第一通孔处设置第二通孔。

3.根据权利要求2所述的转移装置，其特征在于，所述第一通孔和所述第二通孔的数量相同且为若干，所述第一通孔和所述第二通孔的孔径相同。

4.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，每一所述凹槽的宽度大于或等于所述微发光器件的宽度。

5.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，相邻所述第一通孔之间的间距大于或等于所述微发光器件的电极之间的间距。

6.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，每一所述凹槽的侧壁与其相邻的所述第一通孔之间的距离小于或等于所述微发光器件的电极宽度。

7.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述凹槽的深度小于或等于所述微发光器件的高度。

8.根据权利要求2所述的转移装置，其特征在于，所述弹性缓冲层的材料为聚酰亚胺和聚对苯二甲酸乙二醇酯中的一种或两者的组合。

9.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述转移装置还包括控制件，所述控制件设置于所述转移装置的基板远离所述凹槽的一面，其中，所述控制件包括滑轨以及若干滑动件，所述滑动件通过所述滑轨滑动连接于所述控制件；

其中，所述控制件的每一所述滑动件和所述转移装置上的所述凹槽一一对应，每一所述滑动件上设置有若干第三通孔，所述第三通孔和所述基板的所述第一通孔一一对应，所述滑动件沿所述滑轨滑动以控制所述第一通孔的开合。

10.一种微发光器件的转移设备，其特征在于，所述转移设备包括临时基板及至少一个如权利要求1至9中任一所述的转移装置；

其中，所述临时基板的至少一表面上设置有若干阵列排布的电极，所述临时基板接收所述转移装置上吸附的所述微发光器件并通过所述电极对所述微发光器件进行测试，并将通过测试后的所述微发光器件通过所述转移装置转移至接收基板。