CN114765196A - 显示面板的修补方法 - Google Patents
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Abstract
一种显示面板的修补方法，所述显示面板包含基板、多个排列在基板上的微发光二极管、形成在基板与微发光二极管间的导电层，及连接导电层与微发光二极管的连接层。连接层与每一个微发光二极管间形成有两个接点。所述修补方法包含下列步骤：检测微发光二极管，获得至少一个缺陷位置，然后以至少一束特定波长的激光束照射所述至少一个缺陷位置的微发光二极管与连接层，此时，所述至少一个缺陷位置的微发光二极管、连接层两个中的至少一个会吸收激光束的能量，使对应的微发光二极管断开所述接点，且由所述连接层剥离。借此，能够在所述至少一个缺陷位置植入功能正常的微发光二极管，进而提升修补的便利性与成功率，及提升修补后的产品质量。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体装置，特别是涉及一种显示面板的修补方法。
背景技术
参阅图1与图2，中国专利申请公布号CN106684098A专利案所公开的一种现有的微发光二极管显示面板，主要包含一个基板1，及多个设置于所述基板1的像素单元2。每一个像素单元2包括一个形成在所述基板1上的阳极21，及多个微发光二极管22。所述阳极21划分有一个输入板210、多个电极板211，及多个电连接所述电极板211的连接线212。每一个微发光二极管22电连接于各自的电极板211。借此，当任一个像素单元2的其中一个微发光二极管22毁损而无法发光时，可切断对应的连接线212，使毁损的微发光二极管22形成暗点，其余微发光二极管22则通过其它连接线212，仍与输入板210电连接，而能够正常发光。借此，避免整个像素单元2因为一个微发光二极管22毁损就无法正常运作。
惟，中国专利申请公布号CN106684098A专利案仅能将某一个有问题的微发光二极管或像素单元变成暗点，并无法使暗点位置的微发光二极管恢复正常，因此，显示效果仍然会受到影响。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够提升修补的便利性与成功率，及提升显示效果的显示面板的修补方法。
本发明的显示面板的修补方法，所述显示面板包括基板、多个排列在所述基板上的微发光二极管(MicroLED)、形成在所述基板与所述微发光二极管间的导电层，及连接所述导电层与所述微发光二极管的连接层，所述连接层与每一个微发光二极管间形成两个接点，所述修补方法包含下列步骤：
检测所述微发光二极管，获得至少一个缺陷位置。
至少一束特定波长的激光束照射所述至少一个缺陷位置的微发光二极管与所述连接层。
所述至少一个缺陷位置的微发光二极管、连接层两个中的至少一个吸收所述至少一束激光束的能量，使对应的微发光二极管断开所述接点，且由所述连接层剥离。
清除剥离的微发光二极管。
本发明的显示面板的修补方法，所述至少一个缺陷位置决定于无法正常发光的任一个所述微发光二极管的所在位置。
本发明的显示面板的修补方法，所述至少一个缺陷位置决定于发光颜色错误的任一个所述微发光二极管的所在位置。
本发明的显示面板的修补方法，所述微发光二极管沿数组方向排列，所述至少一个缺陷位置决定于与所述数组方向成角度的任一个微发光二极管的所在位置。
本发明的显示面板的修补方法，所述至少一束激光束的波长介于200～2000纳米。
本发明的显示面板的修补方法，所述至少一束激光束的能量密度小于1112焦耳/平方米。
本发明的显示面板的修补方法，所述至少一束激光束的脉冲宽度介于1皮秒～100纳秒。
本发明的显示面板的修补方法，所述连接层是一种熔点低于摄氏350度的导电材料。
本发明的有益效果在于：能够在所述至少一个缺陷位置植入功能正常的微发光二极管，进而提升修补的便利性与成功率，及提升修补后的产品质量。
附图说明
本发明的其他的特征及功效，将于参照附图的实施方式中清楚地呈现，其中：
图1是一剖视图，说明中国专利申请公布号CN106684098A专利案所公开的一种现有的微发光二极管显示面板；
图2是所述现有的微发光二极管显示面板的一示意图；
图3是一俯视图，说明一种适用本发明的修补方法的显示面板；
图4是所述显示面板的一局部剖视图；
图5是所述显示面板的一局部放大俯视图；
图6是一流程图，说明本发明修补方法的一实施例；及
图7是一示意图，说明一微发光二极管通过所述实施例断开两个接点。
具体实施方式
参阅图3、图4与图5，本发明修补方法的一个实施例适用于修补一个显示面板。所述显示面板包括一个基板3、多个沿一个数组方向X排列在所述基板3上的微发光二极管(MicroLED)4、一个形成在所述基板3与所述微发光二极管4间的导电层5，及一个连接层6。
所述连接层6连接所述导电层5与所述微发光二极管4，且与每一个微发光二极管4间形成有两个接点61。
所述连接层6可以是熔点低于摄氏350度的导电材料，例如铟(In)及其合金，但不限于此。
参阅图3与图6、图7，本发明修补方法的一实施例，包括以下步骤：
步骤S101：检测所述微发光二极管4，获得一个缺陷位置81。在本实施例中，所述缺陷位置81决定于无法正常发光的任一个微发光二极管4的所在位置，或决定于发光颜色错误的任一个所述微发光二极管4的所在位置。获取所述缺陷位置81时，可以通过一个光学检测装置(图未示)，在触发所有微发光二极管4发光的情形下，检测出无法正常发光或颜色错误的微发光二极管4及其所在位置。
应当注意的是，所述缺陷位置81不限于由无法正常发光或颜色错误的任一个微发光二极管4所决定，在本实施例的其它变化例中，也可以决定于与所述数组方向X成角度的任一个微发光二极管4的所在位置。获取所述缺陷位置81时，可以通过一个光学检测装置(图未示)，获得所述微发光二极管4的影像，检测出歪斜而无法与数组方向X平行的微发光二极管4及其所在位置。
步骤S102：两束特定波长的激光束7照射所述缺陷位置81的微发光二极管4。在本实施例中，所述激光束7的波长介于200纳米～2000纳米、能量密度小于1112焦耳/平方米、脉冲宽度介于1皮秒～100纳秒。
应当注意的是，激光束7的数目不限于是2束，在本实施例的其它变化例中，也可以是1束，当不以此为限。
步骤S103：所述微发光二极管4吸收所述激光束7的能量而断开所述接点61，使对应的微发光二极管4由所述连接层6剥离。
由于所述激光束7是由对应的微发光二极管4朝所述连接层6行进，而每一个微发光二极管4、所述连接层6各有合适的吸收波长，因此，在所述微发光二极管4较所述连接层6更易于吸收前述特定波长的激光束7的能量，而吸收大部分能量的情形下，所述缺陷位置81的微发光二极管4会有部分气化，而其余部分被击碎成粉末且四处飞散，并断开所述接点61，借此，所述缺陷位置81的微发光二极管4就会由所述连接层6剥离。
应当注意的是，吸收所述激光束7的能量的材料，不限于是对应的微发光二极管4，在本实施例的其它变化例中，也可以变化所述激光束7的波长，使对应的连接层6吸收所述激光束7大部分的能量，所述微发光二极管4则几乎不吸收所述激光束7的能量，此时，所述连接层6的表面会因为吸收能量而呈现熔融状态，而不再连接对应的微发光二极管4，且所述连接层6表面的粒子会同时将部分能量传递给对应的微发光二极管4，使对应的微发光二极管4飞离所述连接层6(相当于所述连接层6表面发生小爆炸)，而由所述连接层6剥离，借此，所述缺陷位置81的所述接点61会熔解而断开对应的微发光二极管4，达到移除的功效。
另外，在本实施例的其它变化例中，也可以是所述缺陷位置81的微发光二极管4与所述连接层6同时吸收所述激光束7的能量，借此，使所述连接层6与对应的微发光二极管4分别呈现熔融状态及气化，进而达到移除的功效。
较佳的，所述微发光二极管4可以是III-V族半导体材料，例如氮化铝铟镓(AlInGaN)、砷化镓(GaAs)、磷化砷镓(GaAlAs)、磷化铝铟镓(AlInGaP)、锑化铝(AlSb)、磷化铝(AlP)、磷化镓(GaP)、氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)及所述些材料组合的双异质结构系统，但不限于此；所述激光束7的波长可以是1064±20nm、或532±20nm、或355±20nm、或266±20nm，但不限于此，也可以是其它能够被所述微发光二极管4或所述连接层6部分吸收的波长范围。值得说明的是，当所述激光束7的波长高于2000纳米时，会容易对周围的组件造成损伤，当低于200纳米时，会使所述微发光二极管4与所述接点61难以断开。
同样的，当能量密度大于1112焦耳/平方米时，会容易对周围的组件造成损伤，当脉冲宽度大100纳秒时，会使所述微发光二极管4与所述接点61难以断开，若增加激光能量强行断开则可能对周围的组件造成损伤。
步骤S104：清除所述缺陷位置81上的微发光二极管4。
应当注意的是，本发明检测微发光二极管4时，所述缺陷位置81的数量不限于是1个，在本实施例的其它变化例中，也可能是2个或2个以上。借此，可以通过前述修补方法，逐一修补每一个缺陷位置81的微发光二极管4，或通过多束激光束7，同时修补所述缺陷位置81的所有微发光二极管4。由于本领域中具有通常知识者根据以上说明可以推知扩充细节，因此不多加说明。
另外，清除所述缺陷位置81的微发光二极管4时，可以通过吸盘、或通过负压清除由所述缺陷位置81剥离的微发光二极管4，或配合一个吹气装置，清除由所述缺陷位置81剥离的微发光二极管4，避免剥离的微发光二极管4掉落在所述基板3的其他位置上。值得说明的是，若后续制程中包含有清洁所述显示面板表面的工序，则甚至不需要于前述清除动作。
经由以上的说明，可将前述实施例的优点归纳如下：
本发明能够以简易且精准的修补方法，使所述缺陷位置81的微发光二极管4顺利地由所述连接层6剥离，而能够在所述缺陷位置81植入功能正常的微发光二极管4，进而提升修补的便利性与成功率，及提升修补后的产品质量。
以上所述者，仅为本发明的实施例而已，当不能以此限定本发明实施的范围，即凡依本发明权利要求书及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明的范围。
Claims (8)
1.一种显示面板的修补方法，所述显示面板包括基板、多个排列在所述基板上的微发光二极管、形成在所述基板与所述微发光二极管间的导电层，及连接所述导电层与所述微发光二极管的连接层，所述连接层与每一个微发光二极管间形成两个接点，其特征在于，所述修补方法包含下列步骤：
检测所述微发光二极管，获得至少一个缺陷位置；
至少一束特定波长的激光束照射所述至少一个缺陷位置的微发光二极管与所述连接层；
所述至少一个缺陷位置的微发光二极管、连接层两个中的至少一个吸收所述至少一束激光束的能量，使对应的微发光二极管断开所述接点，且由所述连接层剥离；及
清除剥离的微发光二极管。
2.根据权利要求1所述的显示面板的修补方法，其特征在于：所述至少一个缺陷位置决定于无法正常发光的任一个所述微发光二极管的所在位置。
3.根据权利要求1所述的显示面板的修补方法，其特征在于：所述至少一个缺陷位置决定于发光颜色错误的任一个所述微发光二极管的所在位置。
4.根据权利要求1所述的显示面板的修补方法，其特征在于：所述微发光二极管沿数组方向排列，所述至少一个缺陷位置决定于与所述数组方向成角度的任一个微发光二极管的所在位置。
5.根据权利要求1所述的显示面板的修补方法，其特征在于：所述至少一束激光束的波长介于200～2000纳米。
6.根据权利要求5所述的显示面板的修补方法，其特征在于：所述至少一束激光束的能量密度小于1112焦耳/平方米。
7.根据权利要求5所述的显示面板的修补方法，其特征在于：所述至少一束激光束的脉冲宽度介于1皮秒～100纳秒。
8.根据权利要求5所述的显示面板的修补方法，其特征在于：所述连接层是一种熔点低于摄氏350度的导电材料。
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| REG | Reference to a national code |
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