TWI757037B - 顯示面板的修補方法 - Google Patents

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Abstract

一種顯示面板，包含一基板、數排列在該基板上的微發光二極體、一形成在該基板與該等微發光二極體間的導電層，及一連接該導電層與該等微發光二極體的連接層。該連接層與每一微發光二極體間形成有二接點。該顯示面板的修補方法包含下列步驟：檢測該等微發光二極體，獲得至少一缺陷位置，然後，以至少一特定波長的雷射光束照射該至少一缺陷位置的微發光二極體與連接層，此時，該至少一缺陷位置的微發光二極體會吸收該至少一特定波長的雷射光束的能量，使對應的微發光二極體斷開該等接點，且由該連接層剝離。藉此，能夠在該至少一缺陷位置植入功能正常的微發光二極體，進而提升修補的便利性與成功率，及提升修補後的產品品質。

Description

顯示面板的修補方法
本發明是有關於一種半導體裝置，特別是指一種顯示面板的修補方法。
參閱圖1與圖2，中國專利公開號第106684098號專利案所揭露之一種習知的微發光二極管顯示面板，主要包含一基板1，及數設置於該基板1的像素單元2。每一像素單元2包括一形成在該基板1上的陽極21，及數微發光二極體22。該陽極21劃分有一輸入板210、數電極板211，及數電連接該等電極板211的連接線212。每一微發光二極體22電連接於各別的電極板211。藉此，當任一像素單元2的其中一個微發光二極體22毀損而無法發光時，可切斷對應的連接線212，使毀損的微發光二極體22形成暗點，其餘微發光二極體22則通過其它連接線212，仍與輸入板210電連接，而能夠正常發光。藉此，避免整個像素單元2因為一個微發光二極體22毀損就無法正常運作。
惟，中國專利公開號第106684098號專利案僅能將某一 個有問題的微發光二極體或像素單元變成暗點，並無法使暗點位置的微發光二極體恢復正常，因此，顯示效果仍然會受到影響。
因此，本發明之目的，即在提供一種能夠提升修補的便利性與成功率，及提升顯示效果的顯示面板的修補方法。
於是，本發明顯示面板的修補方法，該顯示面板包括一基板、數排列在該基板上的微發光二極體(Micro LED)、一形成在該基板與該等微發光二極體間的導電層，及一連接該導電層與該等微發光二極體的連接層，該連接層與每一微發光二極體間形成二接點，該修補方法包含下列步驟：檢測該等微發光二極體，獲得至少一缺陷位置。
至少一特定波長的雷射光束照射該至少一缺陷位置的微發光二極體與該連接層，該至少一特定波長的雷射光束的波長介於200~2000奈米、能量密度小於1112焦耳/每平方公尺、脈衝寬度介於1皮秒~100奈秒。
該至少一缺陷位置的微發光二極體吸收該至少一特定波長的雷射光束的能量，使對應的微發光二極體斷開該等接點，且由該連接層剝離。
清除剝離的微發光二極體。
本發明之功效在於：能夠在該至少一缺陷位置植入功能正常的微發光二極體，進而提升修補的便利性與成功率，及提升修補後的產品品質。
3:基板
4:微發光二極體
5:導電層
6:連接層
61:接點
7:雷射光束
81:缺陷位置
S101~S104:步驟
本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中：圖1是一剖視圖，說明中國專利公開號第106684098號專利案所揭露之一種習知的微發光二極管顯示面板；圖2是該習知之微發光二極管顯示面板的一示意圖；圖3是一俯視圖，說明一種適用本發明之修補方法的顯示面板；圖4是該顯示面板的一局部剖視圖；圖5是該顯示面板的一局部放大俯視圖；圖6是一流程圖，說明本發明修補方法的一實施例；及圖7是一示意圖，說明一微發光二極體通過該實施例斷開二接點。
參閱圖3、圖4與圖5，本發明修補方法的一實施例適用 於修補一顯示面板。該顯示面板包括一基板3、數沿一陣列方向X排列在該基板3上的微發光二極體(Micro LED)4、一形成在該基板3與該等微發光二極體4間的導電層5，及一連接層6。
該連接層6連接該導電層5與該等發光二極體4，且與每一微發光二極體4間形成有二接點61。
該連接層6可以是熔點低於攝氏350度的導電材料，例如銦(In)及其合金，但不限於此。
參閱圖3與圖6、圖7，本發明修補方法的一實施例，包括以下步驟：
步驟S101：檢測該等微發光二極體4，獲得一缺陷位置81。在本實施例中，該缺陷位置81決定於無法正常發光之任一微發光二極體4的所在位置，或決定於發光顏色錯誤之任一該微發光二極體4的所在位置。獲取該缺陷位置81時，可以通過一光學檢測裝置(圖未示)，在觸發所有微發光二極體4發光的情形下，檢測出無法正常發光或顏色錯誤的微發光二極體4及其所在位置。
應當注意的是，該缺陷位置81不限於由無法正常發光或顏色錯誤之任一微發光二極體4所決定，在本實施例的其它變化例中，也可以決定於與該陣列方向X成角度之任一微發光二極體4的所在位置。獲取該缺陷位置81時，可以通過一光學檢測裝置(圖未示)，獲得該等微發光二極體4的影像，檢測出歪斜而無法與陣列方 向X平行的微發光二極體4及其所在位置。
步驟S102：二特定波長的雷射光束7照射該缺陷位置81的微發光二極體4。在本實施例中，該等特定波長的雷射光束7的波長介於200奈米~2000奈米、能量密度小於1112焦耳/每平方公尺、脈衝寬度介於1皮秒~100奈秒。
應當注意的是，該等特定波長的雷射光束7的數目不限於是2束，在本實施例的其它變化例中，也可以是1束，當不以此為限。
步驟S103：該微發光二極體4吸收該等特定波長的雷射光束7的能量而斷開該等接點61，使對應的微發光二極體4由該連接層6剝離。
由於該等特定波長的雷射光束7是由對應的微發光二極體4朝該連接層6行進，而每一微發光二極體4、該連接層6各有合適的吸收波長，因此，在該等微發光二極體4較該連接層6更易於吸收前述特定波長之雷射光束7的能量，而吸收大部分能量的情形下，該缺陷位置81的微發光二極體4會有部分氣化，而其餘部分被擊碎成粉末且四處飛散，並斷開該等接點61，藉此，該缺陷位置81的微發光二極體4就會由該連接層6剝離。
應當注意的是，吸收該等特定波長的雷射光束7之能量的材料，不限於是對應的微發光二極體4，在本實施例的其它變化例中，也可以變化該等特定波長的雷射光束7的波長，使對應的連接 層6吸收該等特定波長的雷射光束7大部分的能量，該等微發光二極體4則幾乎不吸收該等特定波長的雷射光束7的能量，此時，該連接層6的表面會因為吸收能量而呈現熔融狀態，而不再連接對應的微發光二極體4，且該連接層6表面的粒子會同時將部分能量傳遞給對應的微發光二極體4，使對應的微發光二極體4飛離該連接層6(相當於該連接層6表面發生小爆炸)，而由該連接層6剝離，藉此，該缺陷位置81的該等接點61會熔解而斷開對應的微發光二極體4，達到移除的功效。
另外，在本實施例的其它變化例中，也可以是該缺陷位置81的微發光二極體4與該連接層6同時吸收該等特定波長的雷射光束7的能量，藉此，使該連接層6與對應之微發光二極體4分別呈現熔融狀態及氣化，進而達到移除的功效。
較佳的，該等微發光二極體4可以是III-V族半導體材料，例如氮化鋁銦鎵(AlInGaN)、砷化鎵(GaAs)、磷化砷鎵(GaAlAs)、磷化鋁銦鎵(AlInGaP)、銻化鋁(AlSb)、磷化鋁(AlP)、磷化鎵(GaP)、氮化鎵(GaN)、氮化銦鎵(InGaN)及該些材料組合之雙異質結構系統，但不限於此；該等特定波長的雷射光束7的波長可以是1064±20nm、或532±20nm、或355±20nm、或266±20nm，但不限於此，也可以是其它能夠被該等微發光二極體4或該連接層6部分吸收的波長範圍。值得說明的 是，當該等特定波長的雷射光束7的波長高於2000奈米時，會容易對周圍的元件造成損傷，當低於200奈米時，會使該等微發光二極體4與該等接點61難以斷開。
同樣的，當能量密度大於1112焦耳/每平方公尺時，會容易對周圍的元件造成損傷，當脈衝寬度大100奈秒時，會使該等微發光二極體4與該等接點61難以斷開，若增加雷射能量強行斷開則可能對周圍的元件造成損傷。
步驟S104：清除該缺陷位置81上的微發光二極體4。
應當注意的是，本發明檢測等微發光二極體4時，該缺陷位置81的數量不限於是1個，在本實施例的其它變化例中，也可能是2個或2個以上。藉此，可以通過前述修補方法，逐一修補每一缺陷位置81的微發光二極體4，或通過多個特定波長的雷射光束7，同時修補該等缺陷位置81的該等微發光二極體4。由於本領域中具有通常知識者根據以上說明可以推知擴充細節，因此不多加說明。
另外，清除該缺陷位置81的微發光二極體4時，可以通過吸盤、或通過負壓清除由該缺陷位置81剝離的微發光二極體4，或配合一吹氣裝置，清除由該缺陷位置81剝離的微發光二極體4，避免剝離的微發光二極體4掉落在該基板3的其他位置上。值得說明的是，若後續製程中包含有清潔該顯示面板表面的工序，則甚至不需要於前述清除動作。
經由以上的說明，可將前述實施例的優點歸納如下：本發明能夠以簡易且精準的修補方法，使該缺陷位置81的微發光二極體4順利地由該連接層6剝離，而能夠在該缺陷位置81植入功能正常的微發光二極體4，進而提升修補的便利性與成功率，及提升修補後的產品品質。
惟以上所述者，僅為本發明之實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
3:基板
4:微發光二極體
5:導電層
6:連接層
61:接點
7:雷射光束
81:缺陷位置

Claims (5)

  1. 一種顯示面板的修補方法，該顯示面板包括一基板、數排列在該基板上的微發光二極體(Micro LED)、一形成在該基板與該等微發光二極體間的導電層，及一連接該導電層與該等發光二極體的連接層，該連接層與每一微發光二極體間形成二接點，該修補方法包含下列步驟：檢測該等微發光二極體，獲得至少一缺陷位置；至少一特定波長的雷射光束照射該至少一缺陷位置的微發光二極體，該至少一特定波長的雷射光束的波長介於200~2000奈米、能量密度小於1112焦耳/每平方公尺、脈衝寬度介於1皮秒~100奈秒；該至少一缺陷位置的微發光二極體吸收該至少一特定波長的雷射光束的能量，使對應的微發光二極體斷開該等接點，且由該連接層剝離；及清除剝離的微發光二極體。
  2. 如請求項1所述的顯示面板的修補方法，其中，該至少一缺陷位置決定於無法正常發光之任一該微發光二極體的所在位置。
  3. 如請求項1所述的顯示面板的修補方法，其中，該至少一缺陷位置決定於發光顏色錯誤之任一該微發光二極體的所在位置。
  4. 如請求項1所述的顯示面板的修補方法，其中，該等微發光二極體沿一陣列方向排列，該至少一缺陷位置決定於與該陣列方向成角度之任一微發光二極體的所在位 置。
  5. 如請求項1所述的顯示面板的修補方法，其中，該連接層是一種熔點低於攝氏350度的導電材料。
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