KR20130087894A - 발광 소자 및 그 리페어 방법 - Google Patents

발광 소자 및 그 리페어 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 발광 소자 및 그 리페어 방법에 관한 것으로, 복수의 발광 셀과, 복수의 발광 셀 사이에 마련된 배선을 포함하며, 복수의 발광 셀 각각은 전기적으로 적어도 둘 이상의 영역으로 분리되고, 배선은 일 영역으로부터 적어도 둘 이상으로 분기되어 적어도 둘 이상의 영역에 각각 연결되는 발광 소자 및 그 리페어 방법이 제시된다.

Description

발광 소자 및 그 리페어 방법{Light emitting device and method of repairing the same}
본 발명은 발광 소자에 관한 것으로, 특히 복수의 발광 셀이 연결된 발광 소자 및 그 리페어(repair) 방법에 관한 것이다.
발광 소자(Light Emitting Device; LED)는 화합물 반도체의 P-N 접합 구조를 이용하여 전자 및 홀을 생성하고, 이들의 재결합에 의하여 소정의 광을 발산하는 소자이다. 이러한 발광 소자는 표시 장치의 백라이트 유닛 또는 조명 장치 등에 이용되며, 소모 전력이 기존의 전구 또는 형광등 등에 비하여 수 내지 수십분의 1에 불과하고, 수명이 수 내지 수십배에 이르러 소모 전력의 절감과 내구성 측면에서 유리하다.
한편, 최근의 조명 장치는 고전력(high power)의 발광 소자를 요구하고 있으며, 고전력 발광 소자를 구현하기 위해 발광 소자의 면적을 넓힐 수 있다. 예를 들어, 하나의 발광 칩의 면적을 넓혀 대면적 칩으로 구현하거나 여러 개의 발광 칩을 병렬로 연결하여 고전력 발광 소자를 구현할 수 있다. 이 경우에는 발광 칩을 예컨데 3.3V 정도로 구동시키므로 20W 정도의 조명 장치를 구현하기 위해서는 6A 이상의 큰 전류 용량을 가지는 전원 장치가 필요하다. 그러나, 이와 같은 저전압/대전류 조명 장치의 에너지 효율과 장치 크기 면에서 고전압/저전류 조명 장치에 비하여 불리한 측면이 있다. 그리고, 한 발광 칩의 면적을 과도하게 증가시키는 것은 재료의 불균일성 및 전극에서의 확산 저항(spreading resistance) 때문에 정격 전류가 감소하여 비효율적인 단점이 있다.
또한, 복수의 발광 칩이나 단위 발광 셀을 직렬 접속하여 고전압 구동 발광 셀 어레이를 구현할 수 있다. 이 경우, 조명 장치를 100V로 구동하고 20W를 구현한다면 전류가 200mA 정도이기 때문에 저전압/대전류 장치에 비해 전원 장치의 크기와 효율 면에서 훨씬 유리하다. 따라서, 일반적인 조명 장치를 제작할 경우 이러한 복수의 단위 발광 셀이 직렬 접속된 발광 셀 어레이를 이용하고 있다.
이러한 발광 셀 어레이는 커스토머(customer)의 요구에 따라 다른 구동 전압으로 구동하게 된다. 예를 들어 3.3V로 구동하는 단위 발광 셀이 16개 직렬 연결된 경우 50V의 구동 전압으로 구동할 수 있다. 그런데, 발광 셀 어레이를 제작한 후 테스트 시 복수의 단위 발광 셀 중 적어도 어느 하나가 불량인 경우 발광 셀 어레이는 50V보다 낮은 구동 전압에서 구동하게 된다. 예를 들어, 하나의 단위 발광 셀이 불량인 경우 발광 셀 어레이는 3.3V보다 낮은 약 46.7V에서 구동하게 된다. 이러한 구동 전압의 저하는 커스토머가 요구한 대략 50±1V 범위를 벗어난 것이므로 발광 셀 어레이 전체를 불량 처리하여 폐기하게 되고, 그에 따라 수율이 저하된다.
본 발명은 수율을 향상시킬 수 있는 복수의 발광 셀이 연결된 발광 소자 및 그 리페어 방법를 제공한다.
본 발명은 복수의 발광 셀이 연결된 발광 셀 어레이의 적어도 하나의 단위 발광 셀이 불량인 경우에도 구동 전압이 저하되지 않는 발광 소자 및 그 리페어 방법을 제공한다.
본 발명의 실시 예들에 따른 발광 소자는 복수의 발광 셀; 상기 복수의 발광 셀 사이에 마련된 배선을 포함하며, 상기 복수의 발광 셀 각각은 전기적으로 적어도 둘 이상의 영역으로 분리되고, 상기 배선은 적어도 일부가 둘 이상으로 분기되어 상기 적어도 둘 이상의 영역에 각각 연결된다.
상기 발광 셀은 복수의 반도체층과, 서로 이격된 적어도 둘 이상의 투명 전극을 포함한다.
상기 배선 하부에 전기적 절연을 위한 절연막을 포함한다.
상기 적어도 둘 이상의 투명 전극은 서로 동일 사이즈 또는 다른 사이즈로 형성된다.
상기 배선은 일 발광 셀의 일 반도체층과 타 발광 셀의 상기 적어도 둘 이상의 투명 전극을 연결한다.
상기 배선은 일 발광 셀의 제 1 전극과 타 발광 셀의 제 2 전극을 전기적으로 연결한다.
본 발명의 실시 예들에 따른 발광 소자의 리페어 방법은 전기적으로 둘 이상의 영역으로 각각 분리된 복수의 발광 셀이 적어도 둘 이상으로 분기된 배선에 의해 연결된 발광 소자를 제작하는 단계; 상기 배선을 통해 상기 발광 소자에 전원을 인가한 후 상기 발광 소자의 발광 여부를 확인하는 단계; 및 적어도 일 발광 셀의 일 영역이 비발광의 경우 상기 비발광 영역과 연결된 상기 배선의 일부를 절단하는 단계를 포함한다.
상기 발광 셀은 복수의 반도체층과, 서로 이격된 적어도 둘 이상의 투명 전극을 포함한다.
상기 배선은 일 발광 셀의 일 반도체층과 타 발광 셀의 상기 적어도 둘 이상의 투명 전극을 연결한다.
본 발명의 실시 예들은 각각이 전기적으로 적어도 두 영역으로 분리된 복수의 발광 셀을 적어도 두 영역에 각각 연결되도록 분기된 배선을 통해 연결함으로써 발광 셀 어레이가 제작된다. 또한, 이러한 발광 셀 어레이에 배선을 통해 테스트 전원을 인가하여 적어도 일부 영역이 발광하지 않는 불량 발광 셀을 검출하고, 불량 영역과 연결되는 배선의 일부를 끊어줌으로써 리페어하게 된다.
따라서, 발광 셀 어레이의 구동 전압을 유지할 수 있고, 발광 셀 어레이 전체를 불량 처리하지 않기 때문에 수율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 소자의 개략 평면도.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 소자의 부분 사시도.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 소자의 부분 단면도.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 소자의 리페어 방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 5는 종래의 발광 소자의 구동 개념도.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 소자의 구동 개념도.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 소자의 부분 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 여러 층 및 각 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 표현하였으며 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭하도록 하였다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 소자의 개략 평면도이고, 도 2는 부분 사시도이며, 도 3은 부분 단면도이다. 여기서, 도 3(a)는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ 라인을 따라 절취한 상태의 단면도이고, 도 3(b)는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ 라인을 따라 절취한 상태의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 소자는 복수의 발광 셀(10)과, 인접한 두 발광 셀(10)을 연결하는 복수의 배선(20)을 포함하여 복수의 발광 셀(10)이 연결된다. 이때, 복수의 발광 셀(10)은 직렬 또는 병렬 연결될 수 있다.
복수의 발광 셀(10)은 동일 기판(110) 상에 형성되고, 도 3에 도시된 바와 같이 기판(110) 상에 순차적으로 적층 형성된 제 1 반도체층(120), 활성층(130), 제 2 반도체층(140) 및 투명 전극(150)과, 제 2 반도체층(140) 및 활성층(130)이 제거되어 노출된 제 1 반도체층(130) 상에 형성된 제 1 전극(160)과, 투명 전극(150) 상부의 소정 영역에 형성된 제 2 전극(170)을 포함한다. 여기서, 본 발명에 따른 발광 소자는 복수의 발광 셀(10) 각각의 투명 전극(150a, 150b; 150)이 적어도 둘 이상으로 분리되어 형성되고, 투명 전극(150) 상에 각각 제 2 전극(170a, 170b; 170)이 형성된다. 즉, 제 2 반도체층(140) 상부에 적어도 둘 이상의 투명 전극(150a, 150b)이 소정 간격 이격되어 형성되고, 적어도 둘 이상의 투명 전극(150a, 150b) 각각의 상부에 적어도 둘 이상의 제 2 전극(170a, 170b)이 각각 형성된다. 이러한 발광 셀(10)은 이후 보다 상세히 설명한다. 또한, 발광 셀(10)은 측면이 경사지게 형성될 수 있다. 즉, 발광 셀(10)의 측면에 접하여 배선(20)이 형성되는데, 발광 셀(10)의 측면이 수직일 경우 배선(20)의 형성이 용이하지 않고 배선(20)이 단선될 수 있기 때문에 배선(20)이 형성되는 발광 셀(10)의 적어도 두 측면이 경사지게 형성된다. 이때, 발광 셀(10)은 측면이 예를 들어 30°∼60°의 기울기로 형성될 수 있다. 또한, 배선(20)에 의해 발광 셀(10)의 제 1 반도체층(120), 활성층(130) 및 제 2 반도체층(140)이 단락되는 것을 방지하기 위해 발광 셀(10)의 측벽에는 절연막(180)이 형성된다.
배선(20)은 인접한 두 발광 셀(10) 사이에 형성되어 인접한 두 발광 셀(10)을 전기적으로 연결한다. 이러한 배선(20)은 일 발광 셀(10)의 제 1 전극(160)으로부터 인접한 타 발광 셀(10)의 제 2 전극(170)을 연결한다. 따라서, 복수의 발광 셀(10)은 직렬 연결될 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 소자의 배선(20)은 일 영역으로부터 적어도 둘로 분기되어 타 발광 셀(10)의 제 2 전극(170)과 연결된다. 즉, 적어도 둘 이상의 투명 전극(150a, 150b; 150) 상부에 형성된 적어도 둘 이상의 제 2 전극(170a, 170b; 170)에 각각 연결하기 위해 배선(20a, 20b; 20)은 일 영역으로부터 적어도 둘 이상으로 분기되어 제 2 전극(170)과 연결된다. 예를 들어, 배선(20)은 인접한 두 발광 셀(10) 사이의 기판(110) 상에서 적어도 둘 이상으로 분기될 수도 있고, 타 발광 셀(10)의 측벽 상에서 적어도 둘 이상으로 분기될 수도 있다.
한편, 복수의 발광 셀(10) 각각은 동일 기판(110) 상에 형성되고, 제 1 반도체층(120), 활성층(130), 제 2 반도체층(140), 소정 간격 이격된 적어도 둘 이상의 투명 전극(150a, 150b), 제 1 반도체층(130) 상에 형성된 제 1 전극(160), 적어도 둘 이상의 투명 전극(150) 상부의 소정 영역에 각각 형성된 적어도 둘 이상의 제 2 전극(170a, 170b)을 포함한다. 한편, 기판(110)과 제 1 반도체층(120) 사이에 형성된 버퍼층(미도시)을 더 포함할 수 있다
기판(110)은 발광 소자를 제작하기 위한 통상의 웨이퍼를 지칭하며, 바람직하게는 질화물 반도체 단결정을 성장시키기에 적합한 재질을 이용할 수 있다. 예를 들면, 기판(110)은 Al2O3, SiC, ZnO, Si, GaAs, GaP, LiAl2O3, BN, AlN 및 GaN 중 어느 하나를 이용할 수 있다.
제 1 반도체층(120)은 N형 불순물이 도핑된 N형 반도체일 수 있고, 그에 따라 활성층(130)에 전자를 공급할 수 있다. 예를 들어 제 1 반도체층(120)은 N형 불순물, 예를 들어 Si가 도핑된 GaN층을 이용할 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고 다양한 반도체 물질이 가능하다. 즉, GaN, InN, AlN(Ⅲ-Ⅴ족) 등과 같은 질화물과 이러한 질화물을 일정한 비율로 혼합한 화합물이 이용될 수 있는데, 예를 들어 AlGaN을 이용할 수 있다. 또한, 제 1 반도체층(120)은 다층막으로 형성할 수도 있다.
활성층(130)은 소정의 밴드 갭을 가지며 양자 우물이 만들어져 전자 및 홀이 재결합되는 영역이다. 활성층(130)은 단일 양자 우물 구조(SQW) 또는 다중 양자 우물 구조(MQW)로 형성할 수 있는데, 다중 양자 우물 구조는 양자 우물층과 장벽층이 반복적으로 복수 적층되어 형성될 수 있다. 예를 들어 다중 양자 우물 구조의 활성층(130)은 InGaN과 GaN이 반복적으로 적층되어 형성될 수 있고, AlGaN과 GaN이 반복적으로 적층되어 형성될 수도 있다. 여기서, 활성층(130)을 이루는 물질의 종류에 따라 전자 및 홀이 결합하여 발생하는 발광 파장이 변화되기 때문에 목표로 하는 파장에 따라 활성층(130)에 포함되는 반도체 재료를 조절하는 것이 바람직하다. 한편, 활성층(130)은 제 1 전극(160)이 형성될 영역이 제거되어 형성된다.
제 2 반도체층(140)은 P형 불순물이 도핑된 반도체층일 수 있으며, 그에 따라 활성층(130)에 홀을 공급할 수 있다. 예를 들어 제 2 반도체층(140)은 P형 불순물, 예를 들어 Mg가 도핑된 GaN층을 이용할 수도 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고 다양한 반도체 물질이 가능하다. 즉, GaN, InN, AlN(Ⅲ-Ⅴ족) 등과 같은 질화물과 이러한 질화물을 일정한 비율로 혼합한 화합물이 이용될 수 있는데, 예를 들어 AlGaN, AlInGaN을 포함한 다양한 반도체 물질이 가능하다. 또한, 제 2 반도체층(140)은 다층으로 형성할 수도 있다. 한편, 제 2 반도체층(140)은 제 1 전극(160)이 형성될 영역이 제거되어 형성된다.
투명 전극(150)은 제 2 반도체층(140) 상부에 형성되어 제 2 전극(170)을 통해 인가되는 전원이 제 2 반도체층(140)에 고르게 공급되도록 한다. 즉, 제 2 반도체층(140)은 수직으로 예컨데 수Ω의 저항을 갖고 수평으로 예컨데 수백㏀을 갖기 때문에 수평 방향으로는 전류가 흐르지 않고 수직 방향으로만 전류가 흐르게 된다. 따라서, 제 2 반도체층(140)에 국부적으로 전원을 인가하게 되면 제 2 반도체층(140) 전체적으로 전류가 흐르지 않으므로 투명 전극(150)을 형성하여 제 2 반도체층(140)에 전체적으로 전류가 흐를 수 있도록 한다. 또한, 투명 전극(150)은 활성층(130)에서 발생된 광이 잘 투과될 수 있도록 투명 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 투명 전극(150)은 ITO, IZO, ZnO, RuOx, TiOx, IrOx 등을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 투명 전극(150a, 150b; 150)은 적어도 둘 이상으로 서로 소정 간격 이격된다. 이때, 적어도 둘 이상의 투명 전극(150a, 150b; 150)은 동일 사이즈로 형성할 수 있으나, 서로 다른 사이즈로 형성할 수도 있다.
제 1 및 제 2 전극(160, 170)은 도전성 물질을 이용하여 형성할 수 있는데, 예를 들어 Ti, Cr, Au, Al, Ni, Ag 등의 금속 물질 또는 이들의 합금을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 제 1 및 제 2 전극(160, 170)은 단일층 또는 다층으로 형성할 수 있다. 제 1 전극(160)은 제 2 반도체층(140) 및 활성층(130)의 소정 영역이 제거되어 노출된 제 1 반도체층(120) 상에 형성되어 제 1 반도체층(120)에 전원을 공급한다. 또한, 제 2 전극(170)은 투명 전극(150) 상부의 소정 영역에 형성되어 투명 전극(150)을 통해 제 2 반도체층(140)에 전원을 공급한다. 따라서, 제 2 전극(170a, 170b)은 두 투명 전극(150a, 150b) 각각의 상부에 형성된다. 한편, 제 1 전극(160)은 예를 들어 사각형 형상의 발광 소자의 일 모서리 부근에 형성되고, 제 2 전극(170)은 제 1 전극(160)이 형성된 면과 대향되는 면에 접하여 중앙부에 형성될 수 있다. 그러나, 이러한 제 1 및 제 2 전극(160, 170)의 형성 위치는 다양하게 변경될 수 있다.
절연막(180)은 배선(20)에 의해 발광 셀(10)의 제 1 반도체층(120), 활성층(130) 및 제 2 반도체층(140)이 단락되는 것을 방지하기 위해 형성된다. 따라서, 절연막(180)은 투명 전극(150)의 측면으로부터 제 1 반도체층(120)의 측면으로 형성된다. 또한, 절연막(180)은 발광 셀(10)의 측면에만 형성될 수 있고, 일 발광 셀(10)의 측면으로부터 기판(110) 상부를 지나 타 발광 셀(10)의 측면까지 형성될 수 있다. 이러한 절연막(180)은 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(Si3N4) 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 단일층 또는 적어도 둘 이상의 복수의 층으로 형성할 수 있다.
상기한 바와 같이 각각이 적어도 두 영역으로 분리된 복수의 발광 셀(10)을 적어도 두 영역에 각각 연결되도록 분기된 배선(20)을 통해 직렬 연결함으로써 발광 셀 어레이가 제작되었다. 이렇게 제작된 발광 셀 어레이는 테스트를 위해 배선(20)을 통해 전원을 인가하면 정상인 경우 모든 영역에서 발광하게 되지만, 불량인 경우 일 영역이 발광하지 않을 수 있다. 이때, 불량 발광 셀의 발광하지 않는 일 영역과 연결된 배선(20)의 일부를 끊어줌으로써 리페어(repair)가 가능하게 된다. 이러한 본 발명에 따른 리페어 방법을 도 4 내지 도 6을 이용하여 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 소자의 리페어 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 또한, 도 5는 종래의 발광 소자의 구동 개념도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 소자의 구동 개념도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 소자의 리페어 방법은 복수의 발광 셀이 직렬 연결된 발광 셀 어레이를 제작하는 단계(S110)와, 발광 셀 어레이에 테스트 전원을 인가하는 단계(S120)와, 복수의 발광 셀의 발광 여부 및 발광 영역을 확인하는 단계(S130, S140)와, 발광 여부 및 발광 영역에 따라 정상 처리, 리페어 처리 또는 불량 처리하는 단계(S150, S160, S170)를 포함한다. 이러한 테스트 방법을 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.
단계 S110 : 상기한 바와 같이 본 발명의 실시 예들에 따라 투명 전극(150a, 150b; 150)이 적어도 둘 이상으로 분리되어 형성되고 그 상부에 적어도 둘 이상의 제 2 전극(170a, 170b; 170)이 각각 형성된 복수의 발광 셀(10)이 일 영역으로부터 적어도 둘 이상으로 분기된 배선(20)에 의해 직렬 연결되어 발광 셀 어레이가 제작된다. 즉, 일 영역이 적어도 둘 이상으로 분리된 배선(20)이 일 발광 셀(10)의 제 1 전극(160)으로부터 타 발광 셀(10)의 적어도 둘 이상의 제 2 전극(170a, 170b; 170)에 형성되어 복수의 발광 셀(10)이 직렬 연결된다.
단계 S120 : 이렇게 제작된 발광 소자의 테스트를 위해 전원을 인가한다. 테스트 전원은 발광 셀 어레이를 구성하는 발광 셀(10)들의 수와 커스토머가 요구한 구동 전압 등에 따라 조절할 수 있다. 예를 들어, 각각 3.3V로 구동되는 16개의 발광 셀(10)로 발광 셀 어레이를 제작하는 경우 50V의 테스트 전압을 인가할 수 있다.
단계 S130 및 S140 : 이렇게 테스트 전원을 인가하게 되면 도 5 및 도 6에 정상 발광 셀(10a)은 모든 영역에서 발광하게 되지만, 불량 발광 셀(10b)은 일 영역이 발광하지 않을 수 있다. 즉, 적어도 하나의 발광 셀(10)이 적층 구조의 결함 또는 파티클 등에 의한 특정 영역의 불량인 경우 불량 발광 셀(10b)은 불량 영역(11b)이 발광하지 않고 정상 영역(11a)은 발광하게 된다. 이는 적어도 둘 이상의 투명 전극(150)을 통해 인가되는 전류는 제 2 반도체층(140)의 수평 방향으로 흐르지 않고 수직 방향으로만 흐르기 때문에 가능하다. 즉, 제 2 반도체층(140)은 수평 방향으로 예컨데 수백㏀의 높은 저항을 갖고 수직 방향으로 예컨데 수Ω의 낮은 저항을 갖기 때문에 수평 방향으로는 전류가 흐르지 않고 수직 방향으로만 전류가 흐르게 된다. 따라서, 결함이 발생된 불량 발광 셀(10)의 투명 전극(150)에 전류가 인가되면 결함이 발생되지 않은 영역에서 수직 방향으로만 전류가 흐르게 된다.
단계 S150, S160 및 S170 : 발광 여부 및 발광 영역을 확인한 후 복수의 발광 셀(10) 전체가 정상적으로 발광하는 경우 정상 처리하게 된다. 그러나, 일 발광 셀(10)의 일 영역이 발광하지 않는 경우 발광하지 않는 영역과 연결된 배선(20)의 일부를 레이저 조사 등으로 절단하게 된다. 따라서, 일 발광 셀(10)이 부분적인 불량의 경우에도 구동 전압을 원하는 범위 내에서 유지할 수 있고, 그에 따라 수율을 향상시킬 수 있다. 즉, 종래에는 어느 하나의 발광 셀(10)이 불량일 경우 도 5에 도시된 바와 같이 불량 발광 셀(10b)은 발광하지 못하고, 그에 따라 구동 전압이 저하되어 발광 소자 전체를 불량 처리할 수 밖에 없었다. 그러나, 본 발명은 어느 하나의 발광 셀(10)이 불량 발광 셀(10b)일 경우에도 도 6에 도시된 바와 같이 일부는 발광하고 일부는 발광하지 않을 경우 해당 부분의 배선(22a)을 절단하여 리페어 처리하고, 발광 셀 어레이 전체를 불량 처리하지 않고 정상 처리함으로써 수율을 향상시킬 수 있다. 물론, 일 발광 셀(10)이 모두 발광하지 않거나 모든 발광 셀(10)들이 발광하지 않을 수도 있다. 즉, 일 발광 셀(10)이 전체 영역에 결함이 발생되거나, 배선(20) 불량 등에 의해 발광 셀 어레이 전체가 발광하지 않을 수 있다. 이 경우는 발광 셀 어레이 전체를 불량 처리할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 발광 소자는 제 1 전극(160) 및 제 2 전극(170)의 적어도 어느 하나를 별도로 형성하지 않을 수 있다. 즉, 도 7에 도시된 바와 같이 투명 전극(150) 상으로 연결되는 배선(20)에 의해 투명 전극(150)을 통해 전원이 인가되므로 별도의 제 2 전극(170)을 형성하지 않을 수 있다. 또한, 제 1 반도체층(120) 상에 연결되는 배선(20)에 의해 제 1 반도체층(120) 및 배선(20)이 전기적으로 연결될 수 있으므로 제 1 전극(160)을 형성하지 않을 수 있다.
본 발명의 기술적 사상은 상기 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시 예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 발광 셀 20 : 배선
110 : 기판 120 : 제 1 반도체층
130 : 활성층 140 : 제 2 반도체층
150 : 투명 전극 160 : 제 1 전극
170 : 제 2 전극 180 : 절연막

Claims (9)

  1. 복수의 발광 셀;
    상기 복수의 발광 셀 사이에 마련된 배선을 포함하며,
    상기 복수의 발광 셀 각각은 전기적으로 적어도 둘 이상의 영역으로 분리되고,
    상기 배선은 적어도 일부가 둘 이상으로 분기되어 상기 적어도 둘 이상의 영역에 각각 연결되는 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 발광 셀은 복수의 반도체층과, 서로 이격된 적어도 둘 이상의 투명 전극을 포함하는 발광 소자.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 배선 하부에 전기적 절연을 위한 절연막을 포함하는 발광 소자.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 적어도 둘 이상의 투명 전극은 서로 동일 사이즈 또는 다른 사이즈로 형성되는 발광 소자.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 배선은 일 발광 셀의 일 반도체층과 타 발광 셀의 상기 적어도 둘 이상의 투명 전극을 연결하는 발광 소자.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 배선은 일 발광 셀의 제 1 전극과 타 발광 셀의 제 2 전극을 전기적으로 연결하는 발광 소자.
  7. 전기적으로 둘 이상의 영역으로 각각 분리된 복수의 발광 셀이 적어도 둘 이상으로 분기된 배선에 의해 연결된 발광 소자를 제작하는 단계;
    상기 배선을 통해 상기 발광 소자에 전원을 인가한 후 상기 발광 소자의 발광 여부를 확인하는 단계; 및
    적어도 일 발광 셀의 일 영역이 비발광의 경우 상기 비발광 영역과 연결된 상기 배선의 일부를 절단하는 단계를 포함하는 발광 소자의 리페어 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 발광 셀은 복수의 반도체층과, 서로 이격된 적어도 둘 이상의 투명 전극을 포함하는 발광 소자의 리페어 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 배선은 일 발광 셀의 일 반도체층과 타 발광 셀의 상기 적어도 둘 이상의 투명 전극을 연결하는 발광 소자의 리페어 방법.
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