CN112103214A - 发光二极管产品的检测修复系统及检测修复方法 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种发光二极管产品的检测修复系统及检测修复方法。该系统包括：上料装置、承载装置、检测装置、修复装置；上料装置，用于将LED产品传输到承载装置上；承载装置，用于承载LED产品；检测装置，用于检测承载装置上的各个LED芯片，当检测结果不符合预设规格时，判定LED芯片为异常芯片，获取并发送各个异常芯片在LED产品上的位置信息；修复装置，用于获取位置信息后，根据位置信息光照加热基板与异常芯片之间的导电材料，使得异常芯片与基板分离，并使用预设LED芯片替换与基板分离的各个异常芯片；检测装置还用于检测所述LED产品上的预设LED芯片。实现了对具有小尺寸LED芯片的LED产品上异常芯片的维修。
Description
技术领域
本申请涉及检测设备技术领域，特别是涉及一种发光二极管产品的检测修复系统及检测修复方法，以及一种计算机设备。
背景技术
Mini LED(Mini Light Emitting Diode，迷你发光二极管)是指LED晶粒尺寸约在50微米～200微米的LED，可用于相邻LED晶粒间距在10毫米～1.0毫米的新型显示技术，例如包含户外大尺寸以及各种中大尺寸的显示器，也可以用于可以大量开发液晶显示背光源市场。
Micro LED技术即LED微缩化和矩阵化技术，是将LED背光源进行薄膜化、微小化、阵列化,使得LED晶粒小于50微米，相邻LED晶粒间距小于0.01mm,与OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)一样能够实现每个像素单独寻址、单独驱动发光(自发光)。它的优势在于既继承了无机LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，又具有自发光无需背光源的特性，体积小、轻薄,还能轻易实现节能的效果。
Mini LED和Micro LED中的微小LED晶粒经过生产封装组装形成显示器或者LED背光源过程中，显示器或者LED背光源上LED晶粒的良率无法做到100％，也就是说有些LED晶粒在显示器或者LED背光源生产过程中会有不良现象产生，包括LED压伤，掉落，焊接不良，焊接偏移，亮度异常等。此时，需要针对不良的LED晶粒进行维修，尤其是对Micro LED来说，实现55寸4K分辨率时，在一张面板上需要大约2500万个LED晶粒。如不良率为0.001％，则一张面板上有2500个像素不良需要进行维修。
传统LED产品中的LED晶粒较大，不良LED晶粒维修是通过电烙铁进行的，具体为：通过电烙铁加热方式直接进行焊锡解焊后，去除不良LED晶粒，然后更换新的良品LED晶粒，并重新使用电烙铁进行焊接。然而Mini LED或Micro LED产品中的LED晶粒均小于200微米，使用传统的电烙铁方式无法进行不良LED晶粒的维修。
发明内容
基于此，有必要针对上述不能进行Mini LED或Micro LED产品中不良LED晶粒的维修的技术问题，提供一种发光二极管产品的检测修复系统及一种发光二极管产品的检测修复方法，一种计算机设备。
一种发光二极管产品的检测修复系统，所述发光二极管产品包括基板及位于基板上的多个发光二极管芯片，所述检测修复系统包括：上料装置、承载装置、检测装置、修复装置；
所述上料装置，用于将所述发光二极管产品传输到所述承载装置上；
所述承载装置，用于承载所述发光二极管产品；
检测装置，用于检测所述承载装置上的各个发光二极管芯片，当检测结果不符合预设规格时，判定所述发光二极管芯片为异常芯片，获取并发送各个异常芯片在所述发光二极管产品上的位置信息；
修复装置，用于获取所述位置信息后，根据所述位置信息光照加热基板与异常芯片之间的导电材料，使得异常芯片与基板分离，并使用预设发光二极管芯片替换与基板分离的各个所述异常芯片；所述检测装置还用于检测所述发光二极管产品上的预设发光二极管芯片。
在其中一个实施例中，所述检测修复系统还包括存储装置，分别与所述检测装置、所述修复装置连接，用于存储各个所述异常芯片的位置信息，并根据所述位置信息获取所述异常芯片在发光二极管产品上的分布图，所述存储装置还用于将所述位置信息发送给所述修复装置。
在其中一个实施例中，所述检测结果包括亮度参数，所述检测装置包括：
亮度检测模块，用于在相同驱动条件下检测各个所述发光二极管芯片的亮度，获取对应的亮度参数。
在其中一个实施例中，所述检测结果包括外观参数，所述检测装置包括：
光学检测模块，用于对各个所述发光二极管芯片进行3D检测，获取对应的外观参数。
在其中一个实施例中，所述修复装置包括：
加热模块，用于光照加热基板与异常芯片之间的导电材料；
芯片取放模块，用于拾取与基板分离的异常芯片后，获取芯片放置区域，所述芯片取放模块还用于将预设发光二极管芯片放置在芯片放置区域。
在其中一个实施例中，所述修复装置还包括：
芯片放置模块，用于放置预设发光二极管芯片，所述芯片取放模块还用于拾取芯片放置模块上的预设发光二极管芯片。
在其中一个实施例中，所述加热模块通过激光加热所述导电材料，所述导电材料包括锡膏。
上述发光二极管产品的检测修复系统中所述发光二极管产品包括基板及位于基板上的多个发光二极管芯片，所述检测修复系统包括：上料装置、承载装置、检测装置、修复装置；所述上料装置，用于将所述发光二极管产品传输到所述承载装置上；所述承载装置，用于承载所述发光二极管产品；检测装置，用于检测所述承载装置上的各个发光二极管芯片，当检测结果不符合预设规格时，判定所述发光二极管芯片为异常芯片，获取并发送各个异常芯片在所述发光二极管产品上的位置信息；修复装置，用于获取所述位置信息后，根据所述位置信息光照加热基板与异常芯片之间的导电材料，使得异常芯片与基板分离，并使用预设发光二极管芯片替换与基板分离的各个所述异常芯片；所述检测装置还用于检测所述发光二极管产品上的预设发光二极管芯片。本申请通过检测装置获取发光二极管产品上各个异常芯片的位置信息后，修复装置根据所述异常芯片的位置信息光照加热基板与异常芯片之间的导电材料，使得异常芯片与基板分离，并且使用预设发光二极管芯片替换与基板分离的各个所述异常芯片。与传统技术中使用电烙铁进行不良LED晶粒修复相比，本申请获取异常芯片的位置信息后通过光照加热使得异常芯片与基板分离，实现了对导电材料的精确定位加热，光罩加热的加热光斑的大小可控，从而实现了对具有小尺寸发光二极管芯片的发光二极管产品上不良LED晶粒(异常芯片)的维修，克服了现有维修方式不能进行Mini LED或Micro LED产品中不良LED晶粒的维修的问题，同时光罩加热的热辐射小，避免加热过程中热辐射对异常芯片周边发光二极管芯片的热损伤。
一种发光二极管产品的检测修复方法，所述检测修复方法包括：
获取发光二极管产品，所述发光二极管产品包括基板及位于基板上的多个发光二极管芯片；
检测所述发光二极管产品上的各个发光二极管芯片，当所述检测结果不符合预设规格时，判定所述发光二极管芯片为异常芯片，获取各个所述异常芯片在所述发光二极管产品上的位置信息；
根据所述位置信息光照加热基板与异常芯片之间的导电材料，使得异常芯片与基板分离；
使用预设发光二极管芯片替换与基板分离的各个异常芯片。
在其中一个实施例中，获取各个所述异常芯片在所述发光二极管产品上的位置信息之后还包括：
存储所述各个所述异常芯片的位置信息，并根据所述位置信息获取所述异常芯片在发光二极管芯片上的分布图。
在其中一个实施例中，所述检测结果包括亮度参数，检测所述发光二极管产品上的各个发光二极管芯片的步骤包括：
在相同驱动条件下检测各个所述发光二极管芯片的亮度，获取对应的亮度参数。
在其中一个实施例中，所述检测结果包括外观参数，检测所述发光二极管产品上的各个发光二极管芯片的步骤包括：
对各个所述发光二极管芯片进行3D检测，获取对应的外观参数。
在其中一个实施例中，所述使用预设发光二极管芯片替换与基板分离的各个异常芯片的步骤包括：
拾取与基板分离的异常芯片后，获取芯片放置区域；
将预设发光二极管芯片放置在芯片放置区域。
在其中一个实施例中，所述根据所述位置信息光照加热基板与异常芯片之间的导电材料，使得异常芯片与基板分离的步骤包括：
通过激光加热基板与异常芯片之间的锡膏，使得异常芯片与基板分离。
一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一项所述的方法的步骤。
上述发光二极管产品的检测修复方法中所述发光二极管产品包括基板及位于基板上的多个发光二极管芯片，所述检测修复方法包括：获取发光二极管产品；检测所述发光二极管产品上的各个发光二极管芯片，当所述检测结果不符合预设规格时，判定所述发光二极管芯片为异常芯片，获取各个所述异常芯片在所述发光二极管产品上的位置信息；根据所述位置信息光照加热基板与异常芯片之间的导电材料，使得异常芯片与基板分离；使用预设发光二极管芯片替换与基板分离的各个异常芯片。与传统技术中使用电烙铁进行不良LED晶粒修复相比，本申请获取异常芯片的位置信息后通过光照加热使得异常芯片与基板分离，实现了对导电材料的精确定位加热，光罩加热的加热光斑的大小可控，从而实现了对具有小尺寸发光二极管芯片的发光二极管产品上不良LED晶粒(异常芯片)的维修，克服了现有维修方式不能进行Mini LED或Micro LED产品中不良LED晶粒的维修的问题，同时光罩加热的热辐射小，避免加热过程中热辐射对异常芯片周边发光二极管芯片的热损伤。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一个实施例中发光二极管产品的检测修复系统的结构框图的示意图；
图2为另一个实施例中发光二极管产品的检测修复系统的结构框图的示意图；
图3为一个实施例中修复装置的结构框图的示意图；
图4为一个实施例中发光二极管产品的检测修复方法的流程示意图。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件时，它可以是直接连接到另一个元件，或者通过居中元件连接另一个元件。此外，以下实施例中的“连接”，如果被连接的对象之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。
在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中使用的术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
如图1所示，在其中一个实施例中，提供一种发光二极管产品的检测修复系统，所述发光二极管产品包括基板及位于基板上的多个发光二极管芯片，所述检测修复系统包括：上料装置100、承载装置200、检测装置300、修复装置400；
所述上料装置100，用于将所述发光二极管产品传输到所述承载装置200上；
所述承载装置200，用于承载所述发光二极管产品；
检测装置300，用于检测所述承载装置200上的各个发光二极管芯片，当检测结果不符合预设规格时，判定所述发光二极管芯片为异常芯片，获取并发送各个异常芯片在所述发光二极管产品上的位置信息；
修复装置400，用于获取所述位置信息后，根据所述位置信息光照加热基板与异常芯片之间的导电材料，使得异常芯片与基板分离，并使用预设发光二极管芯片替换与基板分离的各个所述异常芯片；所述检测装置300还用于检测所述发光二极管产品上的预设发光二极管芯片。
如图2所示，在其中一个实施例中，所述检测修复系统还包括存储装置500，分别与所述检测装置300、所述修复装置400连接，用于存储各个所述异常芯片的位置信息，并根据所述位置信息获取所述异常芯片在发光二极管产品上的分布图，所述存储装置500还用于将所述位置信息发送给所述修复装置400。通过存储装置500存储各个异常芯片在LED产品上的分布图(MAP图)和位置信息，为修复装置400的修复过程提供精确的位置数据，从而实现了对LED产品的快速定位维修。
在其中一个实施例中，所述检测结果包括亮度参数，所述检测装置300包括：
亮度检测模块302，用于在相同驱动条件下检测各个所述发光二极管芯片的亮度，获取对应的亮度参数。
当获取的亮度参数符合预设规格，即亮度参数的波动在可接受的范围内时，判定该发光二极管芯片(LED芯片)为正常芯片；当获取的亮度参数不符合预设规格，即亮度参数的波动超过在可接受的范围时，判定该发光二极管芯片(LED芯片)为异常芯片即不良二极管芯片。
在其中一个实施例中，所述亮度参数包括亮度值和亮度的均一性。
在其中一个实施例中，所述检测结果包括外观参数，所述检测装置300包括：
光学检测模块304，用于对各个所述发光二极管芯片进行3D检测，获取对应的外观参数。
在其中一个实施例中，所述光学检测模块包括高解析度CCD相机(charge coupleddevice camera，CCD相机)。
在其中一个实施例中，所述外观参数至少包括发光二极管芯片的压伤、掉落、焊接不良、焊接偏移中的一种参数。
如图3所示，在其中一个实施例中，所述修复装置400包括：
加热模块402，用于光照加热基板与异常芯片之间的导电材料。
加热模块402利用光照加热当前需要修复的异常芯片(不良LED芯片)与基板之间的导电材料，使得异常芯片与基板分离；通过光照加热异常芯片与基板之间的导电材料的同时，不会对当前需要修复的异常芯片周边的非异常芯片造成影响。
芯片取放模块404，用于拾取与基板分离的异常芯片后，获取芯片放置区域，所述芯片取放模块404还用于将预设发光二极管芯片放置在芯片放置区域。
在其中一个实施例中，所述芯片取放模块404通过真空吸嘴或者静电方式吸附与基板分离的异常芯片，并将异常芯片放置在指定位置，例如用于放置与基板分离的异常芯片的异常芯片放置模块。
在其中一个实施例中，所述修复装置400还包括：
芯片放置模块406，用于放置预设发光二极管芯片，所述芯片取放模块404还用于拾取芯片放置模块406上的预设发光二极管芯片。
在其中一个实施例中，所述芯片放置模块406上放置的预设发光二极管芯片吸附在蓝膜上，通过顶针机构实现预设发光二极管芯片与蓝膜载体的分离。
在其中一个实施例中，所述芯片取放模块404通过真空吸嘴将预设发光二极管芯片吸附转移到芯片放置区域(即维修位置)，进而实现预设发光二极管芯片与基板之间的连接。
在其中一个实施例中，所述加热模块402还用于加热预设发光二极管芯片与基板之间的导电材料，进而实现预设发光二极管芯片与基板之间的有效导通连接。
在其中一个实施例中，所述加热模块402通过激光加热所述导电材料，所述导电材料包括锡膏。在实际应用中可以选择不同的光照加热和导电材料，其中，光罩加热只要实现异常芯片与基板的分离即解焊，而不对周围二极管芯片造成影响，以及对预设二极管芯片与基板的导电材料进行加热焊接即可。导电材料只要能满足发光二极管芯片与基板之间的导电连接即可。
在其中一个实施例中，所述预设二极管芯片和所述发光二极管芯片为同一种二极管芯片，至少包括Mini LED和Micro LED种的一种。
以下举例说明发光二极管产品的检测修复系统的工作过程，具体为：第一步，上料装置100通过X/Y方向的搬送，将发光二极管产品(LED产品)传输到承载装置200上之后，承载装置200对位于承载装置上的LED产品进行机械固定。第二步，定位装置通过视觉CCD影视系统实现对LED产品的准确定位和位置校正。第三步，校测装置300中的亮度检测模块302在通电条件下(相同驱动条件下)，检测LED产品上各个LED芯片的亮度、均一性、以及其他客户要求的通电情况下对产品检测的参数；和/或校测装置300中的光学检测模块304在不通电的情况下，对LED产品上各个LED芯片进行3D检测，包括LED芯片压伤、掉落、焊接不良、焊接偏移等，然后标注检测结果不合格的不良LED芯片(即异常芯片)在LED产品上的位置信息，同时将异常芯片在LED产品上的MAP图(分布图)和位置信息记录在存储装置中，为下一步修复装置的修复过程提供精确的位置数据，从而实现快速定位维修，即记录LED产品上各个异常芯片的位置信息。第四步，修复装置400获取各个异常芯片的位置信息例如位置信息A、B、C、D等后，首先，根据位置信息A使用激光加热当前需要修复的异常芯片与基板之间的锡膏，将位置信息A对应的异常芯片与基板分离开；其次，通过芯片取放模块404将位置信息A对应的异常芯片取出并放置在指定位置；再次，去除位置信息A对应的基板上的锡膏，并加上新的锡膏；再次，芯片取放模块404拾取芯片放置模块406放置的预设发光二极管芯片，并将其放置在位置信息A对应的基板上(即芯片放置区域)。第五步，通过激光加热位置信息A对应的基板与预设发光二极管芯片之间新的锡膏，使其软化实现预设发光二极管芯片与基板之间的有效导通连接，然后固化锡膏。第六步，检测装置300检测基板上的预设发光二极管芯片，若检测结果合格，则进行位置信息B、C等位置信息对应的异常芯片；否则重复第四步和第五步，直至基板上的预设发光二极管芯片的检测结果合格。
上述发光二极管产品的检测修复系统中所述发光二极管产品包括基板及位于基板上的多个发光二极管芯片，所述检测修复系统包括：上料装置、承载装置、检测装置、修复装置；所述上料装置，用于将所述发光二极管产品传输到所述承载装置上；所述承载装置，用于承载所述发光二极管产品；检测装置，用于检测所述承载装置上的各个发光二极管芯片，当检测结果不符合预设规格时，判定所述发光二极管芯片为异常芯片，获取并发送各个异常芯片在所述发光二极管产品上的位置信息；修复装置，用于获取所述位置信息后，根据所述位置信息光照加热基板与异常芯片之间的导电材料，使得异常芯片与基板分离，并使用预设发光二极管芯片替换与基板分离的各个所述异常芯片；所述检测装置还用于检测所述发光二极管产品上的预设发光二极管芯片。本申请通过检测装置获取发光二极管产品上各个异常芯片的位置信息后，修复装置根据所述异常芯片的位置信息光照加热基板与异常芯片之间的导电材料，使得异常芯片与基板分离，并且使用预设发光二极管芯片替换与基板分离的各个所述异常芯片。与传统技术中使用电烙铁进行不良LED晶粒修复相比，本申请获取异常芯片的位置信息后通过光照加热使得异常芯片与基板分离，实现了对导电材料的精确定位加热，光罩加热的加热光斑的大小可控，从而实现了对具有小尺寸发光二极管芯片的发光二极管产品上不良LED晶粒(异常芯片)的维修，克服了现有维修方式不能进行Mini LED或Micro LED产品中不良LED晶粒的维修的问题，同时光罩加热的热辐射小，避免加热过程中热辐射对异常芯片周边发光二极管芯片的热损伤。
如图4所示，一种发光二极管产品的检测修复方法，所述检测修复方法包括：
S102，获取发光二极管产品，所述发光二极管产品包括基板及位于基板上的多个发光二极管芯片。
S104，检测发光二极管产品上的各个发光二极管芯片，获取各个异常芯片的位置信息。
检测所述发光二极管产品上的各个发光二极管芯片，当所述检测结果不符合预设规格时，判定所述发光二极管芯片为异常芯片，获取各个所述异常芯片在所述发光二极管产品上的位置信息。
S106，根据所述位置信息光照加热基板与异常芯片之间的导电材料，使得异常芯片与基板分离。
S108，使用预设发光二极管芯片替换与基板分离的各个异常芯片。
在其中一个实施例中，获取各个所述异常芯片在所述发光二极管产品上的位置信息之后还包括：
存储所述各个所述异常芯片的位置信息，并根据所述位置信息获取所述异常芯片在发光二极管芯片上的分布图。通过存储各个异常芯片在LED产品上的分布图(MAP图)和位置信息，为使用预设发光二极管芯片替换与基板分离的各个异常芯片的修复过程提供精确的位置数据，从而实现了对LED产品的快速定位维修。
在其中一个实施例中，所述检测结果包括亮度参数，检测所述发光二极管产品上的各个发光二极管芯片的步骤包括：
在相同驱动条件下检测各个所述发光二极管芯片的亮度，获取对应的亮度参数。
当获取的亮度参数符合预设规格，即亮度参数的波动在可接受的范围内时，判定该发光二极管芯片(LED芯片)为正常芯片；当获取的亮度参数不符合预设规格，即亮度参数的波动超过在可接受的范围时，判定该发光二极管芯片(LED芯片)为异常芯片即不良二极管芯片。
在其中一个实施例中，所述亮度参数包括亮度值和亮度的均一性。
在其中一个实施例中，所述检测结果包括外观参数，检测所述发光二极管产品上的各个发光二极管芯片的步骤包括：
对各个所述发光二极管芯片进行3D检测，获取对应的外观参数。
在其中一个实施例中，所述光学检测模块包括高解析度CCD相机(charge coupleddevice camera，CCD相机)。
在其中一个实施例中，所述外观参数至少包括发光二极管芯片的压伤、掉落、焊接不良、焊接偏移中的一种参数。
在其中一个实施例中，所述使用预设发光二极管芯片替换与基板分离的各个异常芯片的步骤包括：
拾取与基板分离的异常芯片后，获取芯片放置区域；
将预设发光二极管芯片放置在芯片放置区域。
在其中一个实施例中，所述根据所述位置信息光照加热基板与异常芯片之间的导电材料，使得异常芯片与基板分离的步骤包括：
通过激光加热基板与异常芯片之间的锡膏，使得异常芯片与基板分离。
在其中一个实施例中，将预设发光二极管芯片放置在芯片放置区域之前还包括：去除芯片放置区域对应的基板表面的导电胶，然后加上新的导电胶。
具体为：将预设发光二极管芯片放置在芯片放置区域之前还包括去除锡膏、加新的锡膏的步骤，利用真空吸附或其他机构将芯片放置区域已经软化的锡膏去除或清除干净；然后在放置预设发光芯片前加上新的锡膏，例如通过点锡膏装置加上新的锡膏。
在其中一个实施例中，将预设发光二极管芯片放置在芯片放置区域的步骤包括：
拾取预设发光二极管芯片，然后将所述预设发光二极管芯片放置在芯片放置区域。
具体为：将预设二极管芯片与载体分离，然后通过真空吸嘴将与载体分离的预设二极管芯片吸附转移至维修位置即芯片放置区域。
在其中一个实施例中，将预设发光二极管芯片放置在芯片放置区域之后还包括：加热预设发光二极管芯片与基板之间的导电材料，使得预设发光二极管芯片与基板连接，进而实现预设发光二极管芯片与基板之间的导电连接，然后固化。
在其中一个实施例中，所述预设二极管芯片和所述发光二极管芯片为同一种二极管芯片，至少包括Mini LED和Micro LED种的一种。
预设二极管芯片吸附在特殊载体或者胶材上面，不同载体因其材料特性不同，将预设二极管芯片与载体分离的方式也不同。
在其中一个实施例中，通过激光照射使得预设二极管芯片与载体分离。具体为：通过点激光将预设二极管芯片从原始载体精准剥离，生成气体并产生机械力实现预设二极管芯片与载体的分离；或者预设二极管芯片预先组装在临时载体晶片或胶带上。这些粘合剂极易吸收紫外线。在准分子激光的照射下，粘合剂会发生光化学分解反应，从而与预设二极管芯片分离并产生把预设二极管芯片推向接收基板维修位置的作用力。
在其中一个实施例中，通过线圈电感产生电磁力的方式使得预设二极管芯片与载体分离，进而将预设二极管芯片吸附及放置在维修位置。
在其中一个实施例中，通过静电力使得预设二极管芯片与载体分离。采用具有双级结构的转移头，在预设二极管芯片转移到维修位置的过程中，分别施于正负电压，当从载体上抓取预设二极管芯片时，对一硅电极通正电，预设二极管芯片就会吸附在转移头上，当需要把预设二极管芯片放到既定位置时，对另外一个硅电极通负电，即可完成转移。
以下举例说明发光二极管产品的检测修复方法的工作过程，具体为：第一步，通过X/Y方向的搬送，将发光二极管产品(LED产品)传输到检测位置，并对LED产品进行机械固定。第二步，通过视觉CCD影视系统实现对LED产品的准确定位和位置校正。第三步，在通电条件下(相同驱动条件下)，检测LED产品上各个LED芯片的亮度、均一性、以及其他客户要求的通电情况下对产品检测的参数；和/或在不通电的情况下，对LED产品上各个LED芯片进行3D检测，包括LED芯片压伤、掉落、焊接不良、焊接偏移等，然后标注检测结果不合格的不良LED芯片(即异常芯片)在LED产品上的位置信息，同时记录存储异常芯片在LED产品上的MAP图(分布图)和位置信息，为下一步的修复过程提供精确的位置数据，从而实现快速定位维修，即记录LED产品上各个异常芯片的位置信息。第四步，获取各个异常芯片的位置信息例如位置信息A、B、C、D等后，首先，根据位置信息A使用激光加热当前需要修复的异常芯片与基板之间的锡膏，将位置信息A对应的异常芯片与基板分离开；其次，通过将位置信息A对应的异常芯片取出并放置在指定位置；再次，去除位置信息A对应的基板上的锡膏，并加上新的锡膏；再拾取预设发光二极管芯片，并将其放置在位置信息A对应的基板上(即芯片放置区域)。第五步，通过激光加热位置信息A对应的基板与预设发光二极管芯片之间新的锡膏，使其软化实现预设发光二极管芯片与基板之间的有效导通连接，然后固化锡膏。第六步，检测基板上的预设发光二极管芯片，若检测结果合格，则进行位置信息B、C等位置信息对应的异常芯片；否则重复第四步和第五步，直至基板上的预设发光二极管芯片的检测结果合格。
本申请中发光二极管产品的检测修复方法采用自动方式，实现发光二极管产品上不良LED芯片的准确检测、定位以及维修一体，有利于提升维修效率和维修的良率。
上述发光二极管产品的检测修复方法中所述发光二极管产品包括基板及位于基板上的多个发光二极管芯片，所述检测修复方法包括：获取发光二极管产品；检测所述发光二极管产品上的各个发光二极管芯片，当所述检测结果不符合预设规格时，判定所述发光二极管芯片为异常芯片，获取各个所述异常芯片在所述发光二极管产品上的位置信息；根据所述位置信息光照加热基板与异常芯片之间的导电材料，使得异常芯片与基板分离；使用预设发光二极管芯片替换与基板分离的各个异常芯片。与传统技术中使用电烙铁进行不良LED晶粒修复相比，本申请获取异常芯片的位置信息后通过光照加热使得异常芯片与基板分离，实现了对导电材料的精确定位加热，光罩加热的加热光斑的大小可控，从而实现了对具有小尺寸发光二极管芯片的发光二极管产品上不良LED晶粒(异常芯片)的维修，克服了现有维修方式不能进行Mini LED或Micro LED产品中不良LED晶粒的维修的问题，同时光罩加热的热辐射小，避免加热过程中热辐射对异常芯片周边发光二极管芯片的热损伤。
应该理解的是，虽然图4的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图4中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
关于检测修复系统的具体限定可以参见上文中对于检测修复方法的限定，在此不再赘述。上述检测修复系统中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。需要说明的是，本申请实施例中对模块的划分是示意性的，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式。
在其中一个实施例中，提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一项所述的方法的步骤。
在其中一个实施例中，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述任一项所述的方法的步骤。
上述计算机设备及计算机可读存储介质中的计算机程序时实现上述任一项所述的方法的步骤，与传统技术中使用电烙铁进行不良LED晶粒修复相比，本申请获取异常芯片的位置信息后通过光照加热使得异常芯片与基板分离，实现了对导电材料的精确定位加热，光罩加热的加热光斑的大小可控，从而实现了对具有小尺寸发光二极管芯片的发光二极管产品上不良LED晶粒(异常芯片)的维修，克服了现有维修方式不能进行Mini LED或Micro LED产品中不良LED晶粒的维修的问题，同时光罩加热的热辐射小，避免加热过程中热辐射对异常芯片周边发光二极管芯片的热损伤。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、磁带、软盘、闪存或光存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)或外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)等。
在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (14)
1.一种发光二极管产品的检测修复系统，所述发光二极管产品包括基板及位于基板上的多个发光二极管芯片，其特征在于，包括：上料装置、承载装置、检测装置、修复装置；
所述上料装置，用于将所述发光二极管产品传输到所述承载装置上；
所述承载装置，用于承载所述发光二极管产品；
检测装置，用于检测所述承载装置上的各个发光二极管芯片，当检测结果不符合预设规格时，判定所述发光二极管芯片为异常芯片，获取并发送各个异常芯片在所述发光二极管产品上的位置信息；
修复装置，用于获取所述位置信息后，根据所述位置信息光照加热基板与异常芯片之间的导电材料，使得异常芯片与基板分离，并使用预设发光二极管芯片替换与基板分离的各个所述异常芯片；所述检测装置还用于检测所述发光二极管产品上的预设发光二极管芯片。
2.根据权利要求1所述的检测修复系统，其特征在于，还包括存储装置，分别与所述检测装置、所述修复装置连接，用于存储各个所述异常芯片的位置信息，并根据所述位置信息获取所述异常芯片在发光二极管产品上的分布图，所述存储装置还用于将所述位置信息发送给所述修复装置。
3.根据权利要求1所述的检测修复系统，其特征在于，所述检测结果包括亮度参数，所述检测装置包括：
亮度检测模块，用于在相同驱动条件下检测各个所述发光二极管芯片的亮度，获取对应的亮度参数。
4.根据权利要求1所述的检测修复系统，其特征在于，所述检测结果包括外观参数，所述检测装置包括：
光学检测模块，用于对各个所述发光二极管芯片进行3D检测，获取对应的外观参数。
5.根据权利要求1所述的检测修复系统，其特征在于，所述修复装置包括：
加热模块，用于光照加热基板与异常芯片之间的导电材料；
芯片取放模块，用于拾取与基板分离的异常芯片后，获取芯片放置区域，所述芯片取放模块还用于将预设发光二极管芯片放置在芯片放置区域。
6.根据权利要求5所述的检测修复系统，其特征在于，所述修复装置还包括：
芯片放置模块，用于放置预设发光二极管芯片，所述芯片取放模块还用于拾取芯片放置模块上的预设发光二极管芯片。
7.根据权利要求5所述的检测修复系统，其特征在于，所述加热模块通过激光加热所述导电材料，所述导电材料包括锡膏。
8.一种发光二极管产品的检测修复方法，其特征在于，包括：
获取发光二极管产品，所述发光二极管产品包括基板及位于基板上的多个发光二极管芯片；
检测所述发光二极管产品上的各个发光二极管芯片，当所述检测结果不符合预设规格时，判定所述发光二极管芯片为异常芯片，获取各个所述异常芯片在所述发光二极管产品上的位置信息；
根据所述位置信息光照加热基板与异常芯片之间的导电材料，使得异常芯片与基板分离；
使用预设发光二极管芯片替换与基板分离的各个异常芯片。
9.根据权利要求8所述的检测修复方法，其特征在于，获取各个所述异常芯片在所述发光二极管产品上的位置信息之后还包括：
存储所述各个所述异常芯片的位置信息，并根据所述位置信息获取所述异常芯片在发光二极管芯片上的分布图。
10.根据权利要求8所述的检测修复方法，其特征在于，所述检测结果包括亮度参数，检测所述发光二极管产品上的各个发光二极管芯片的步骤包括：
在相同驱动条件下检测各个所述发光二极管芯片的亮度，获取对应的亮度参数。
11.根据权利要求8所述的检测修复方法，其特征在于，所述检测结果包括外观参数，检测所述发光二极管产品上的各个发光二极管芯片的步骤包括：
对各个所述发光二极管芯片进行3D检测，获取对应的外观参数。
12.根据权利要求8所述的检测修复方法，其特征在于，所述使用预设发光二极管芯片替换与基板分离的各个异常芯片的步骤包括：
拾取与基板分离的异常芯片后，获取芯片放置区域；
将预设发光二极管芯片放置在芯片放置区域。
13.根据权利要求12所述的检测修复方法，其特征在于，所述根据所述位置信息光照加热基板与异常芯片之间的导电材料，使得异常芯片与基板分离的步骤包括：
通过激光加热基板与异常芯片之间的锡膏，使得异常芯片与基板分离。
14.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求8至13中任一项所述的方法的步骤。
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