CN112054105A - 微型发光二极管显示器的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种微型发光二极管显示器的制造方法，包含：配置多个微型发光二极管于一载板上；转移该些微型发光二极管至一显示基板，并对该些微型发光二极管进行一预接合(pre‑bonding)制程以将该些微型发光二极管连接至该显示基板上；对该显示基板上的该些微型发光二极管进行一第一检测，并辨别是否有不良的微型发光二极管；以及，在进行完该第一检测后，对该些微型发光二极管进行一主接合(main‑bonding)制程。
Description
技术领域
本发明涉及一种微型发光二极管显示器的制造方法。
背景技术
随着光电科技的进步，光电组件的体积逐渐往小型化发展。近几年来由于发光二极管(light-emitting diode，LED)制作尺寸上的突破，目前将发光二极管以数组排列制作的微型发光二极管(micro-LED)显示器在市场上逐渐受到重视。微型发光二极管显示器属于主动发光微型发光二极管显示器，其除了相较于有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)显示器而言更为省电以外，也具备更佳优异的对比度表现，而可以在阳光下具有可视性。此外，由于微型发光二极管显示器采用无机材料，因此其相较于有机发光二极管显示器而言具备更加优良的可靠性以及更长的使用寿命。
然而，随着显示器尺寸和分辨率的增加，制造没有任何像素缺陷的显示器变得更加困难，因此导致显示器制造产量降低并且成本增加。因此，业界需要一种新颖的微型发光二极管显示面版的制造方法，以解决现有技术所遇到的问题。
发明内容
根据本发明实施例，本发明提供一种微型发光二极管显示器的制造方法，包含：配置多个微型发光二极管于一载板上；转移该些微型发光二极管至一显示基板，并对该些微型发光二极管进行一预接合(pre-bonding)制程；对该显示基板上的该微型发光二极管进行一第一检测，并辨别是否有不良的微型发光二极管；以及，在进行完该第一检测后，对该微型发光二极管进行一主接合(main-bonding)制程。
根据本发明实施例，该第一检测为电性检测(electrical detection)。
根据本发明实施例，当辨别出至少一不良微型发光二极管时，修复该不良微型发光二极管。
根据本发明实施例，该第一检测为量测微型发光二极管的电致发光性质(electroluminescent properties)或电子信号(electrical signals)。
根据本发明实施例，该微型发光二极管显示器的制造方法还包含：对该载板上的该微型发光二极管进行一第二检测，并辨别多个良好微型发光二极管(good micro lightemitting diode)；以及，转移该些良好微型发光二极管并预接合至该显示基板上。
根据本发明实施例，该第二检测为光学检测(optical detection)。
根据本发明实施例，该第二检测为量测微型发光二极管的光致发光性质(photoluminescent properties)或光学图像(optical images)。
根据本发明实施例，修复该不良微型发光二极管的步骤可包含：以一已知良好微型发光二极管置换该不良微型发光二极管。
根据本发明实施例，修复不良微型发光二极管的步骤可包含：断开该不良微型发光二极管与该显示基板上一控制电路的电性链接；以及，将一备用(redundant)微型发光二极管与显示基板上的该控制电路进行电性链接。
根据本发明实施例，在对该微型发光二极管进行该预接合(pre-bonding)制程时，可使该微型发光二极管与该显示基板之间具有一第一接合强度；以及，在对该微型发光二极管进行该主接合(main-bonding)制程时，使该微型发光二极管与该显示基板之间具有一第二接合强度，其中该第二接合强度大于第一接合强度。
根据本发明实施例，该预接合制程的接合温度小于该主接合制程的接合温度。
根据本发明实施例，该预接合制程的接合温度与该主接合制程的接合温度的差值大于或等于100℃。
根据本发明实施例，该预接合制程的制程压力小于该主接合制程的制程压力。
根据本发明实施例，该预接合制程的制程压力与该主接合制程的制程压力的差值大于或等于20kgf/cm2。
根据本发明实施例，该预接合制程的制程时间小于该主接合制程的制程时间。
附图说明
图1为本发明一实施例所述微型发光二极管显示器的制程步骤流程图。
图2为本发明一实施例所述的具有多个微型发光二极管的载板的示意图。
图3为本发明一实施例所述由载板拾取多个微型发光二极管的示意图。
图4为本发明一实施例所述将多个微型发光二极管配置于显示基板的示意图。
图5为本发明一实施例所述对具有多个微型发光二极管进行预接合制程的示意图。
图6为本发明一实施例所述对具有多个微型发光二极管进行第一检测的示意图。
图7为本发明一实施例所述对具有多个微型发光二极管进行主接合制程的示意图。
图8为本发明一实施例所述对具有多个微型发光二极管进行第二检测的示意图。
图9为本发明一实施例所述将多个第一光色微型发光二极管配置于显示基板的示意图。
图10为本发明一实施例所述具有第一光色、第二光色、及第三光色微型发光二极管的显示基板的示意图。
【符号说明】
10 微型发光二极管显示器的制造方法
11 步骤
13 步骤
15 步骤
17 步骤
19 步骤
20 载板
21 步骤
30 微型发光二极管
30a 不良微型发光二极管
30b 良好微型发光二极管
30B 第一光色微型发光二极管
30G 第二光色微型发光二极管
30R 第三光色微型发光二极管
40 拾取装置
42 拾取单元
50 显示基板
60 预接合制程
70 主接合制程
80 微型发光二极管数组
具体实施方式
以下针对本发明的显示设备作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本发明的不同样态。以下所述特定的组件及排列方式仅为简单描述本发明。当然，这些仅用以举例而非本发明的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例和/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。
必需了解的是，未特别描述或图标的组件可以本领域技术人员所熟知的各种形式存在。此外，当某层在其它层或基板“上”时，有可能是指“直接”在其它层或基板上，或指某层在其它层或基板上，或指其它层或基板之间夹设其它层。
且在附图中，实施例的形状或是厚度可扩大，并以简化或是方便标示。再者，附图中各组件的部分将以分别描述说明，值得注意的是，图中未示出或描述的组件，为所属技术领域中的技术人员所知的形式，此外，特定的实施例仅为揭示本发明使用的特定方式，其并非用以限定本发明。
再者，说明书与请求项中所使用的序数例如”第一”、”第二”、”第三”等用词，以修饰请求项的组件，其本身并不意含及代表该请求组件有任何之前的序数，也不代表某一请求组件与另一请求组件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一请求组件得以和另一具有相同命名的请求组件能作出清楚区分。
一般来说，微型发光二极管显示器配置于显示区的电路及微型发光二极管，通常需要等到微型发光二极管永久性固定于显示基板之后才会进行功能测试以验证质量。然而，要是微型发光二极管存在任何缺陷，则在微型发光二极管永久性固定于显示基板之后的修复工序较为繁复，而且成本相对提高很多。本发明提供一种微型发光二极管显示器的制造方法，当将微型发光二极管由载板(即临时基板(template)或磊晶成长基板)转移至一显示基板时，通过导入一预接合(pre-bonding)制程先使微型发光二极管暂时(temporarily)固定于显示基板上，如此一来，可使显示基板的控制电路与微型发光二极管电性连结，以利对微型发光二极管进行电性检测。此外，由于该预接合(pre-bonding)制程仅使微型发光二极管暂时固定在显示基板以方便进行电性检测，因此微型发光二极管并非稳固固定于显示基板上(即微型发光二极管与显示基板间的接合强度并不强)。如此一来，当经由电性检测辨别出不良微型发光二极管时，可轻易将暂时接合于显示基板的微型发光二极管移除或修复。在修复不良微型发光二极管后，对显示基板上的微型发光二极管进行一主接合(main-bonding)制程，以使微型发光二极管永久性(permanently)固定于显示基板上。
图1为本发明一实施例所述微型发光二极管显示器的制造方法10的步骤流程图，以及图2至图7为一系列示意图，用以说明本发明所述微型发光二极管显示器的制造流程。首先，如图2所示，提供一载板20，其中多个微型发光二极管30配置于该载板20上(步骤11)。根据本发明实施例，载板20可例如为一临时基板(template)，用以承载微型发光二极管30。载板20可例如为塑料基板、陶瓷基板、玻璃基板、蓝宝石基板、或其他刚性基板。根据本发明某些实施例，一支撑结构(tether)(未图标)可进一步设置于载板之上，用以固定微型发光二极管30，使得微型发光二极管30之间保持一定的间距。
本发明所述微型发光二极管，是指其长、宽、及高在1μm至100μm范围内的发光二极管。根据本发明实施例，微型发光二极管的最大宽度可为20μm、10μm或5μm。根据本发明实施例，微型发光二极管的最大高度可为10μm或5μm。然应理解本发明的实施例不必限于此，某些实施例的态样当可应用到更大与也许更小的尺度。
与一般的发光二极管技术相比，微型半导体组件从毫米级降至微米级，因此将本发明的微型半导体组件转移并被整合及组装后所得的微型发光二极管显示器能达高分辨率，并能够降低显示的电力消耗，更具节能、机构简单、薄型等优势。
根据本发明实施例，本发明所述微型发光二极管可为水平式结构(horizontalstructured)的微型发光二极管(即电极(未图示)位于微型发光二极管的同一侧)或是垂直式结构(vertical structured)的微型发光二极管(即电极(未图示)位于微型发光二极管的相反侧)。在图2中，为简化图示，本发明所述的微型发光二极管仅以一六面体表示。
接着，如图3及图4所示，将微型发光二极管30由载板20转移至一显示基板50(步骤13)。根据本发明实施例，可利用一巨量转移(mass transfer)制程将微型发光二极管30由载板20转移至显示基板50。
根据本发明实施例，该转移制程可逐一或批量将微型发光二极管30由载板20转移至显示基板50。举例来说，转移制程可为机械静电吸取法或黏着胶黏取法。根据本发明实施例，该转移制程包含一拾取步骤及一放置步骤。请参照图3，在拾取步骤中，可利用一具有多个拾取单元42的拾取装置40将位于载板20上的微型发光二极管30由载板20拾取。
接着，请参照图4，在放置步骤中，利用拾取装置40将微型发光二极管30配置于显示基板50上。根据本发明实施例，该显示基板50上可预先配置有多个控制电路(未图标)，而每一微型发光二极管30被配置于显示基板50上一预定位置，以使得微型发光二极管30的电极与对应的控制电路的接触垫接触。
接着，如图5所示，对该微型发光二极管30进行一预接合(pre-bonding)制程60(步骤15)，以使微型发光二极管30与显示基板50上对应的控制电路电性链接。在预接合(pre-bonding)制程60中，可对微型发光二极管30加热至一接合温度。在此状态下，使微型发光二极管的电极与控制电路的接触垫互相接触，且对微型发光二极管30在一制程时间中施加一制程压力。根据本发明实施例，该预接合制程60的接合温度可介于约20℃至100℃之间(例如介于约25℃至60℃之间)、制程时间可介于约1秒至150秒(例如利用胶体连结的制程时间介于约1秒至10秒之间、或利用金属键结的制程时间则介于约50秒至150秒之间)。
在进行预接合(pre-bonding)制程后，微型发光二极管30与控制电路之间具有一第一接合强度(bonding strength)，以使微型发光二极管30可暂时接合于显示基板50上，并与显示基板50上对应的控制电路电性链接，以利后续检测步骤的进行。在此，本发明所述“微型发光二极管暂时接合于显示基板上”是指微型发光二极管与显示基板之间具有一较弱的接合强度(bonding strength)，因此可轻易将微型发光二极管由显示基板上移除，且不会损害到显示基板上的控制电路。本发明所述微型发光二极管与显示基板之间的接合强度是指微型发光二极管于显示基板上的剪切粘附性(shear adhesion)，该剪切粘附性可根据ASTM D1002标准测试方法测定。
根据本发明实施例，在进行预接合(pre-bonding)制程后，对显示基板50上的微型发光二极管30进行一第一检测，以辨别至少一不良微型发光二极管30a(步骤17)，如图6所示。该第一检测的目的在于在主接合(main-bonding)制程前及早测知微型发光二极管显示器中的微型发光二极管是否存在任何缺陷或瑕疵，以方便在完成微型发光二极管显示器组装前先行进行修复。根据本发明实施例，该第一检测可为电性检测以准确地检测微型发光二极管电特性的偏移或接合的精准度。若在进行预接合(pre-bonding)制程后微型发光二极管与显示基板之间的接合强度过大，易造成微型发光二极管不易于显示基板上移除、或是在移除微型发光二极管的过程中损害到显示基板上的控制电路。若在进行预接合(pre-bonding)制程后微型发光二极管与显示基板之间的接合强度过小，易导致微型发光二极管无法与显示基板的控制电路进行电性链接，无法进行后续微型发光二极管的电性检测步骤。
根据本发明某些实施例，显示基板上的控制电路具有多的信号线(例如p型电极信号线或n型电极信号线)。此外，显示基板上亦设置有多的测试信号输入垫(例如p型电极测试信号输入垫或n型电极测试信号输入垫)，而信号线与测试信号输入垫之间以向外扇出线路进行连结。
该第一检测可通过输入测试信号，并经由信号线传递至微型发光二极管。如此一来，除了可通过该第一检测得知是否有断路或短路发生(例如微型发光二极管错位)，亦可通过第一检测得知微型发光二极管的电致发光性质(electroluminescent properties)(例如光色、亮度、驱动电压、或电流)，辨别出不良微型发光二极管30a。
由于测试信号输入一般需要另外设置测试电路于显示基板的外围区域(即非显示区)，因此会降低微型发光二极管显示器的显示区面积。根据本发明某些实施例，本发明所述显示基板上并未额外设置测试电路，因此该第一检测是采用非接触式的电性检测，以判别不良微型发光二极管。
举例来说，当进行非接触式的电性检测时，在显示基板上方可配置一检测装置(显示基板与检测装置相隔一特定距离，例如50μm至500μm)，其中该检测装置具有用以发送感测信号的信号感测单元以及用以接收信号的信号接收单元。当进行非接触式的电性检测时，检测装置可沿着控制电路上的电子信号线进行分析。上述非接触的电子信号感测方式可通过电容耦合或电磁耦合方式测得，并通过所感测到的电子信号辨别出不良微型发光二极管30a。
接着，修复不良微型发光二极管(步骤19)。根据本发明某些实施例，修复显示基板上不良微型发光二极管可包含以下步骤。首先，将不良微型发光二极管由显示基板上移除。由于不良微型发光二极管仅通过预接合制程暂时固定在显示基板上(即电性检测步骤是在预接合制程之后)以方便进行电性检测，因此不良微型发光二极管并非稳固固定于显示基板上(即电性检测步骤是在主接合制程之前)，可轻易由显示基板上移除，且不会损害到显示基板上的控制电路。
接着，将已知良好(known good)微型发光二极管置换显示基板上不良微型发光二极管，即将已知良好微型发光二极管配置于被移除的不良微型发光二极管其原本位于显示基板的位置上。
根据本发明某些实施例，修复显示基板上不良微型发光二极管亦可包含以下步骤。首先，断开不良微型发光二极管与该显示基板上一控制电路的电性链接；以及，将一备用(redundant)微型发光二极管与显示基板上的控制电路进行电性链接。根据本发明实施例，可以激光方式断开不良微型发光二极管与控制电路的电性链接。
根据本发明实施例，在步骤13中，多个微型发光二极管被转移至显示基板上，其中多个微型发光二极管包含多个主要微型发光二极管以及多个备用微型发光二极管。备用微型发光二极管与主要微型发光二极管可以在相同或不同转移步骤中配置于显示基板上。此外，在步骤17中则是对多个主要微型发光二极管进行第一检测，以辨别主要微型发光二极管中的不良微型发光二极管。根据本发明实施例，主要微型发光二极管以及其对应的备用微型发光二极管相邻配置。
根据本发明某些实施例，显示基板上部分的不良微型发光二极管可被移除，并以已知良好(known good)微型发光二极管置换；以及，显示基板上其他的不良微型发光二极管与显示基板上控制电路的电性链接可被断开，并将备用微型发光二极管与显示基板上的控制电路进行电性链接。
最后，如图7所示，对该微型发光二极管30(包含已知良好(known good)微型发光二极管)进行一主接合(main bonding)制程70(步骤21)，以使微型发光二极管30永久性(permanently)固定于显示基板上。在主接合(pre-bonding)制程70中，可对微型发光二极管30加热至一接合温度，并在一制程时间中对微型发光二极管30施加一制程压力。根据本发明实施例，该主接合制程70的接合温度可介于约120℃至400℃之间、制程时间可介于约2秒至400秒。
在进行主接合制程70后，微型发光二极管30与控制电路之间具有一第二接合强度(bonding strength)，以使微型发光二极管30可永久性接合于显示基板50上，并与显示基板50上对应的控制电路电性链接，以形成微型发光二极管装置。在此，本发明所述“微型发光二极管永久性接合于显示基板上”是指微型发光二极管与显示基板之间具有一强的接合强度(bonding strength)，因此不易将微型发光二极管由显示基板上移除。
根据本发明实施例，对该微型发光二极管进行该预接合制程使该微型发光二极管与该显示基板之间具有第一接合强度，且对该微型发光二极管进行该主接合制程使该微型发光二极管与该显示基板之间具有第二接合强度。根据本发明实施例，其中该第二接合强度大于第一接合强度。根据本发明某些实施例，其中该第二接合强度与第一接合强度的差值介于约20Kgf/cm2至100Kgf/cm2之间。
根据本发明实施例，该预接合制程的接合温度小于该主接合制程的接合温度。根据本发明某些实施例，该预接合制程的接合温度与该主接合制程的接合温度的差值大于或等于100℃。
根据本发明实施例，该预接合制程的制程压力小于该主接合制程的制程压力。根据本发明某些实施例，该预接合制程的制程压力与该主接合制程的制程压力的差值大于或等于20Kgf/cm2。
根据本发明实施例，当预接合制程与主接合制程具有相同的制程压力(和/或相同的制程温度)，该预接合制程的制程时间可小于该主接合制程的制程时间。
此外，根据本发明实施例，在将多个微型发光二极管30由载板20转移至显示基板50之前，可先对该载板上的该微型发光二极管进行一第二检测，以辨别不良微型发光二极管30a及良好微型发光二极管30b，如图8所示。如此一来，可在进行微型发光二极管转移步骤前，可初步筛选出良好微型发光二极管30b，以避免将不良微型发光二极管30a转移至显示基板50，减少后续在显示基板上不良微型发光二极管30a的修复工序。
根据本发明实施例，该第二检测可为光学检测(optical detection)，即量测微型发光二极管的光致发光性质(photoluminescent properties)(例如光致发光波长)或光学图像(optical images)(例如磊晶层或电极的外观是否破损)，以辨别不良微型发光二极管30a及良好微型发光二极管30b。
根据本发明实施例，一检测装置可用来量测微型发光二极管的光致发光性质。该检测装置包含一检测光源及一光感测单元。检测光源可发出一具有特定波长的光，并以该光照射微型发光二极管，以引发微型发光二极管进行光致发光，并以光感测单元量测出该微型发光二极管其所发出的光的波长。如此一来，可通过第二检测得知微型发光二极管的光致发光性质(photoluminescent properties)或得知该微型发光二极管的位置信息，辨别出不良微型发光二极管30a。
根据本发明实施例，检测光源所发出用来检测的光的波长(检测波长)小于待测微型发光二极管其所发出的光的波长(待测波长)(即检测光源所发出的光其能量大于发光二极管其所发出的光的能量)，以使微型发光二极管能够吸收检测光源后光致发光。根据本发明某些实施例，检测波长与待测波长的差值大于或等于50nm；根据本发明某些实施例，检测波长与待测波长的差值小于或等于150nm；以及，根据本发明某些实施例，检测波长与待测波长的差值介于50nm至150nm。若检测波长与待测波长的差值太小，则无法有效激发微型发光二极管使其发光；此外，若检测波长与待测波长的差值太大，则容易有噪声而降低检测准确性。举例来说，若微型发光二极管为绿光微型发光二极管(发光波长约为530nm)或蓝光微型发光二极管(发光波长约为468nm)，则所使用的检测光源的波长可约为390nm至415nm(例如约405nm)；以及，若微型发光二极管为红光微型发光二极管(发光波长约为625nm)，则所使用的检测光源的波长可约为520nm至540nm(例如约532nm)。
根据本发明实施例，一具有传感器的检测装置可用来量测微型发光二极管的光学图像。该检测装置可将获取的光学图像信息向一分析系统连续馈送，并且通过该分析系统检测出微型发光二极管是否存在外观上的缺陷及其位置信息，以辨别出不良微型发光二极管30a。举例来说，该具有传感器的检测装置可为一线扫描相机。
根据本发明实施例，在进行第二检测后，可将良好微型发光二极管30b由载板20转移至显示基板50。微型发光二极管的转移方式可为避开不良微型发光二极管30a，将良好微型发光二极管30b逐一由载板20转移至显示基板50。此外，亦可将一完全没有不良微型发光二极管30a的微型发光二极管数组80(即该微型发光二极管数组80)，批量转移至显示基板50。
根据本发明某些实施例，该微型发光二极管可包含第一光色微型发光二极管(例如蓝色微型发光二极管)、第二光色微型发光二极管(例如绿色微型发光二极管)、以及第三光色微型发光二极管(例如红色微型发光二极管)。
根据本发明某些实施例，请参照图9，可利用一具有多个拾取单元42的拾取装置40将位于载板上的第一光色微型发光二极管30B由载板拾取，并利用拾取装置40将第一光色微型发光二极管30B配置于显示基板50上。
接着，在对显示基板50上第一光色微型发光二极管30B进行一预接合制程后，对第一光色微型发光二极管30B进行第一检测，并修复不良第一光色微型发光二极管30B。
接着，再利用拾取装置40将位于载板上的第二光色微型发光二极管30G由载板拾取，并利用拾取装置40将第二光色微型发光二极管30G配置于显示基板50上。再对显示基板50上第二光色微型发光二极管30G进行一预接合制程后，对第二光色微型发光二极管30G进行第一检测，并修复不良第二光色微型发光二极管30G。
接着，再利用拾取装置40将位于载板上的第三光色微型发光二极管30R由载板拾取，并利用拾取装置40将第三光色微型发光二极管30R配置于显示基板50上。再对显示基板50上第三光色微型发光二极管30R进行一预接合制程后，对第三光色微型发光二极管30R进行第一检测，并修复不良第三光色微型发光二极管30R。得到配置有预接合且检测过的第一光色微型发光二极管30B、第二光色微型发光二极管30G、及第三光色微型发光二极管30R的显示基板50，请参照图10。
换言之，于本实施例中分别转移、预接合、进行第一检测以及修复第一光色微型发光二极管30B、第二光色微型发光二极管30G、及第三光色微型发光二极管30R的显示基板50。接着，再对显示基板50上第一光色微型发光二极管30B、第二光色微型发光二极管30G、及第三光色微型发光二极管30R进行一主接合制程，得到配置不同光色微型发光二极管的显示基板50。
根据本发明某些实施例，第一光色微型发光二极管30B、第二光色微型发光二极管30G、及第三光色微型发光二极管30R亦可同时通过一转移制程，使该等微型发光二极管同时配置于显示基板之上。
根据本发明某些实施例，在将第一光色微型发光二极管30B、第二光色微型发光二极管30G、及第三光色微型发光二极管30R同时配置于显示基板后，再同时对第一光色微型发光二极管30B、第二光色微型发光二极管30G、及第三光色微型发光二极管30R进行预接合制程。
根据本发明某些实施例，在对第一光色微型发光二极管30B、第二光色微型发光二极管30G、及第三光色微型发光二极管30R进行预接合制程后，再同时对第一光色微型发光二极管30B、第二光色微型发光二极管30G、及第三光色微型发光二极管30R进行第一检测。
根据本发明某些实施例，在对第一光色微型发光二极管30B、第二光色微型发光二极管30G、及第三光色微型发光二极管30R进行第一检测与修复后，再同时对第一光色微型发光二极管30B、第二光色微型发光二极管30G、及第三光色微型发光二极管30R进行主接合制程。
根据本发明某些实施例，在第一光色微型发光二极管30B、第二光色微型发光二极管30G、及第三光色微型发光二极管30R配置于载板时，可同时或分别进行一第二检测，其中第二检测的定义如上所述。
根据本发明实施例，微型发光二极管显示器可包含其他组件。此等其他组件包含(但不限于)：内存、触控屏幕控制器及电池。在其他实施方案中，微型发光二极管显示器可为电视机、平板计算机、电话、膝上型计算机、计算机监视器、网亭、数字相机、手持游戏控制面板、媒体显示器、电子书显示器、车用显示器或大面积电子广告牌显示器。
虽然本发明已以多个实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本技术领域中的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作任意的更改与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定的为准。
Claims (12)
1.一种微型发光二极管显示器的制造方法，包含：
配置多个微型发光二极管于载板上；
转移所述多个微型发光二极管至显示基板，并对所述多个微型发光二极管进行预接合制程以将所述多个微型发光二极管连接至所述显示基板上；
对所述显示基板上的所述多个微型发光二极管进行第一检测，并辨别是否有不良的微型发光二极管；以及
在进行完所述第一检测后，对所述微型发光二极管进行主接合制程。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器的制造方法，其中所述第一检测为电性检测，当辨别出至少一不良微型发光二极管时，修复所述不良微型发光二极管。
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器的制造方法，还包含：
对所述载板上的所述微型发光二极管进行第二检测，并辨别多个良好微型发光二极管；以及
转移所述多个良好微型发光二极管并预接合至所述显示基板上。
4.根据权利要求3所述的微型发光二极管显示器的制造方法，其中所述第二检测为光学检测。
5.根据权利要求2所述的微型发光二极管显示器的制造方法，其中修复所述不良微型发光二极管的步骤包含：
以已知良好微型发光二极管置换所述不良微型发光二极管。
6.根据权利要求2所述的微型发光二极管显示器的制造方法，其中修复不良微型发光二极管的步骤包含：
断开所述不良微型发光二极管与所述显示基板上控制电路的电性链接；以及
将备用微型发光二极管与显示基板上的所述控制电路进行电性链接。
7.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器的制造方法，其中对所述微型发光二极管进行所述预接合制程使所述微型发光二极管与所述显示基板之间具有第一接合强度，且对所述微型发光二极管进行所述主接合制程使所述微型发光二极管与所述显示基板之间具有第二接合强度，其中所述第二接合强度大于第一接合强度。
8.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器的制造方法，其中所述预接合制程的接合温度小于所述主接合制程的接合温度。
9.根据权利要求8所述的微型发光二极管显示器的制造方法，其中所述预接合制程的接合温度与所述主接合制程的接合温度的差值大于或等于100℃。
10.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器的制造方法，其中所述预接合制程的制程压力小于所述主接合制程的制程压力。
11.根据权利要求10所述的微型发光二极管显示器的制造方法，其中所述预接合制程的制程压力与所述主接合制程的制程压力的差值大于或等于20kgf/cm2。
12.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器的制造方法，其中所述预接合制程的制程时间小于所述主接合制程的制程时间。
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