CN112802942A - 一种显示面板、制备方法及显示装置 - Google Patents
一种显示面板、制备方法及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112802942A CN112802942A CN202011630519.XA CN202011630519A CN112802942A CN 112802942 A CN112802942 A CN 112802942A CN 202011630519 A CN202011630519 A CN 202011630519A CN 112802942 A CN112802942 A CN 112802942A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- micro light
- emitting diode
- layer
- display panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 370
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 179
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明实施例公开一种显示面板、制备方法及显示装置。该显示面板的制备方法包括:提供第一基板和第二基板;其中,第一基板包括多个第一微型发光二极管以及位于第一微型发光二极管背离第一衬底一侧的连接层;第二基板包括至少一个第二微型发光二极管;对多个第一微型发光二极管进行检测;判断多个第一微型发光二极管中的至少一个第一微型发光二极管是否发光异常;如果多个第一微型发光二极管中的至少一个第一微型发光二极管发光异常,将第一基板与第二基板对位贴合;其中,贴合方式为第二基板设置有第二微型发光二极管的一侧与第一基板的连接层对位贴合;至少一个发光异常的第一微型发光二极管与至少一个第二微型发光二极管对应设置。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板、制备方法及显示装置。
背景技术
目前,微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)显示面板因其亮度高、工作电压低、功耗小、寿命长、耐冲击和性能稳定等优点日益受到显示市场的关注。
现有的Micro-LED显示面板都包括呈阵列排布的多个子像素,每个子像素包括一个主设置区和至少一个备用设置区。在每个子像素中的主设置区设置微型发光二极管,同时通过共晶层或键合层实现微型发光二极管与阵列基板之间的电连接。之后对显示面板内所有的微型发光二极管进行点亮测试,如果发现微型发光二极管出现损坏,则需要在备用设置区重新设置新的微型发光二极管,以实现该子像素的显示。
然而,通过共晶层或键合层实现微型发光二极管与阵列基板之间的电连接时,是需要加热的,所以当在备用设置区设置新的微型发光二极管时,需要重新加热,如此导致整个阵列基板的共晶层或键合层发生相变,尤其当不同颜色的微型发光二极管出现损坏时,绑定到阵列基板上的微型发光二极管的共晶层或键合层会反复相变,该过程会影响已经绑定好的微型发光二极管与阵列基板电连接性能等,导致微型发光二极管显示异常,影响显示面板的显示效果。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种显示面板、制备方法及显示装置,以解决现有技术中当在备用设置区设置新的微型发光二极管时,会导致已经绑定好的微型发光二极管与阵列基板之间的共晶层或键合层发生相变,影响已经绑定好的微型发光二极管与阵列基板电连接性能的问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法,该显示面板的制备方法包括:
提供第一基板和第二基板;其中,所述第一基板包括第一衬底、位于所述第一衬底一侧的第一导电层、位于所述第一导电层背离所述第一衬底一侧的多个第一微型发光二极管以及位于所述第一微型发光二极管背离所述第一衬底一侧的连接层;所述第一微型二极管发光与所述第一导电层电连接;所述第二基板包括第一盖板、位于所述第一盖板一侧的第二导电层以及位于所述第二导电层背离所述第一盖板一侧的至少一个第二微型发光二极管;所述第二微型发光二极管与所述第二导电层电连接;
对多个所述第一微型发光二极管进行检测;
判断多个所述第一微型发光二极管中的至少一个所述第一微型发光二极管是否发光异常;
如果多个所述第一微型发光二极管中的至少一个所述第一微型发光二极管发光异常,将所述第一基板与所述第二基板对位贴合;其中,贴合方式为所述第二基板设置有第二微型发光二极管的一侧与所述第一基板的所述连接层对位贴合;
其中,至少一个发光异常的所述第一微型发光二极管与至少一个所述第二微型发光二极管对应设置。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示面板,该显示面板包括:至少一个子面板;
所述子面板包括:第一基板和第二基板,所述第一基板和所述第二基板相对设置;多个第一微型发光二极管设置于所述第一基板;
多个第二微型发光二极管设置于所述第二基板;
其中,至少一个发光异常的所述第一微型发光二极管与至少一个所述第二微型发光二极管对应设置;
和/或者,所述子面板包括第一基板和第三基板,所述第一基板和所述第三基板相对设置;
多个第一微型发光二极管设置于所述第一基板。
第三方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括第二方面所述的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板的制备方法包括提供第一基板和第二基板,由于第二基板上设置有备用的第二微型发光二极管,当第一基板上的第一微型发光二极管出现发光异常时,将第二基板和第一基板进行贴合,通过第二基板上的第二微型发光二极管至少代替第一基板上发光异常的第一微型发光二极管发光,以实现显示面板各子像素的显示,相比于现有技术中在备用设置区重新设置新的微型发光二极管,本实施例提供的显示面板的制备方法,一次贴合即可完成所有发光异常的第一微型发光二极管的替换,简化工艺步骤,提高显示面板的制备效率;且此方法无需键合,所以可以避免在备用设置区设置新的微型发光二极管时,导致已经绑定好的第一微型发光二极管与阵列基板之间的共晶层或键合层发生相变,影响第一微型发光二极管与阵列基板电连接性能的问题。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图;
图2是本发明实施例提供的一种第一基板的结构示意图;
图3是本发明实施例提供的一种第二基板的结构示意图;
图4是本发明实施例提供的一种垂直结构的微型发光二极管的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的一种水平结构的微型发光二极管的结构示意图;
图6是本发明实施例提供的一种第一基板和第二基板对位贴合后的结构示意图;
图7是本发明实施例提供的又一种第一基板和第二基板对位贴合后的结构示意图;
图8是本发明实施例提供的一种第三基板的结构示意图;
图9是本发明实施例提供的一种第一基板和第三基板贴合后的结构示意图;
图10是本发明实施例提供的又一种第三基板的结构示意图;
图11是本发明实施例提供的一种形成显示面板后的结构示意图;
图12是本发明实施例提供的又一种形成显示面板后的结构示意图;
图13是本发明实施例提供的又一种形成显示面板后的结构示意图;
图14是本发明实施例提供的又一种形成显示面板后的结构示意图;
图15是本发明实施例提供的一种形成光转换层后的结构示意图;
图16是本发明实施例提供的又一种形成光转换层后的结构示意图;
图17是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图18是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图19是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图20是本发明实施例提供的一种子面板的结构示意图;
图21是本发明实施例提供的又一种子面板的结构示意图;
图22是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图23是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图24是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,以下将结合本发明实施例中的附图,通过具体实施方式,完整地描述本发明的技术方案。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本发明的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例,均落入本发明的保护范围之内。
有鉴于背景技术的问题,本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法,该显示面板的制备方法包括:提供第一基板和第二基板;其中,第一基板包括第一衬底、位于第一衬底一侧的第一导电层、位于第一导电层背离第一衬底一侧的多个第一微型发光二极管以及位于第一微型发光二极管背离第一衬底一侧的连接层;第一微型二极管发光与第一导电层电连接;第二基板包括第一盖板、位于第一盖板一侧的第二导电层以及位于第二导电层背离第一盖板一侧的至少一个第二微型发光二极管;第二微型发光二极管与第二导电层电连接;对多个第一微型发光二极管进行检测;判断多个第一微型发光二极管中的至少一个第一微型发光二极管是否发光异常;如果多个第一微型发光二极管中的至少一个第一微型发光二极管发光异常,将第一基板与第二基板对位贴合;其中,贴合方式为第二基板设置有第二微型发光二极管的一侧与第一基板的连接层对位贴合;其中,至少一个发光异常的第一微型发光二极管与至少一个第二微型发光二极管对应设置。
采用上述技术方案,由于第二基板上设置有备用的第二微型发光二极管,当第一基板上的第一微型发光二极管出现发光异常时,将第二基板和第一基板进行贴合,通过第二基板上的第二微型发光二极管至少代替第一基板上发光异常的第一微型发光二极管发光,以实现显示面板各子像素的显示,相比于现有技术中在备用设置区重新设置新的微型发光二极管,本实施例提供的显示面板的制备方法,一次贴合即可完成所有发光异常的第一微型发光二极管的替换,简化工艺步骤,提高显示面板的制备效率;且此方法无需键合,所以可以避免了在备用设置区设置新的微型发光二极管时,导致已经绑定好的第一微型发光二极管与阵列基板之间的共晶层或键合层发生相变,影响第一微型发光二极管与阵列基板电连接性能的问题。
以上是本发明的核心思想,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下,所获得的所有其它实施例,都属于本发明实施例保护的范围。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图,如图1所示,本发明实施例提供的显示面板的制备方法包括:
S110、提供第一基板和第二基板;其中,第一基板包括第一衬底、位于第一衬底一侧的第一导电层、位于第一导电层背离第一衬底一侧的多个第一微型发光二极管以及位于第一微型发光二极管背离第一衬底一侧的连接层;第一微型二极管发光与第一导电层电连接;第二基板包括第一盖板、位于第一盖板一侧的第二导电层以及位于第二导电层背离所述第一盖板一侧的至少一个第二微型发光二极管;第二微型发光二极管与第二导电层电连接。
其中,图2是本发明实施例提供的一种第一基板的结构示意图,图3是本发明实施例提供的一种第二基板的结构示意图。如图2所示,第一基板10包括第一衬底11、位于第一衬底11一侧的第一导电层12、位于第一导电层12背离第一衬底11一侧的多个第一微型发光二极管13以及位于第一微型发光二极管13背离第一衬底11一侧的连接层14。如图3所示,第二基板20包括第一盖板21、位于第一盖板21一侧的第二导电层22以及位于第二导电层22背离第一盖板21一侧的至少一个第二微型发光二极管23。第一微型发光二极管13可以为垂直结构的微型发光二极管,也可以为横向结构的微型发光二极管;第二微型发光二极管23可以为垂直结构的微型发光二极管,也可以为横向结构的微型发光二极管,本领域技术人员可根据实际情况进行选择,本实施例不进行具体限定。图2和图3以第一微型发光二极管13和第二微型发光二极管23均为垂直结构的微型发光二极管为例进行说明,为方便解释说明,后文中均以垂直结构的微型发光二极管为例进行说明。其中,图4是本发明实施例提供的一种垂直结构的微型发光二极管的结构示意图,如图4所示,当微型发光二极管包括垂直结构的微型发光二极管时,垂直结构的微型发光二极管包括背离第一衬底11依次设置的第二电极135、第二型半导体层132、有源层133、第一型半导体层134以及第一电极135。图5是本发明实施例提供的一种横向结构的微型发光二极管的结构示意图,如图5所示,当微型发光二极管包括横向结构的微型发光二极管,横向结构的微型发光二极管包括背离第一基板10依次设置的第一型半导体层132、有源层133和第二型半导体层134;还包括第一电极131和第二电极135;其中,第一电极131位于第一型半导体层132背离有源层133的一侧;第二电极135位于第二型半导体层1344靠近有源层133的一侧。可选本实施例中第一型半导体层133例如可以为P型半导体,第二型半导体层131为N型半导体;或者,第一型半导体层133例如可以为N型半导体,第二型半导体层131为P型半导体。
可选的,第一基板10还可以包括第一保护层15;第二基板20还可以包括第二保护层24,当后续形成显示面板后,通过设置第一保护层15阻隔水氧等对第一微型发光二极管13的侵蚀和设置第二保护层24阻隔水氧等对第二微型发光二极管23的侵蚀。
S120、对多个第一微型发光二极管进行检测。
由于受到第一微型发光二极管制备工艺和/或设置第一微型发光二极管过程的影响,设置于第一基板上的第一微型发光二极管会存在发光异常的情况,所以需对第一基板中的第一微型发光二极管进行检测,以防止第一微型发光二极管出现损坏,影响该子像素显示,进而影响显示面板显示效果的问题。对多个第一微型发光二极管进行检测的方式本实施例不做限定,示例性的,继续参见图2,连接层14包括多个连接单元141,多个连接单元141与第一微型发光二极管13一一对应电连接,例如每个连接单元14向与其电连接的第一微型发光二极管13传输阳极信号,第一导电层12传输阴极信号,以使第一微型发光二极管12发光,完成对第一基板10中多个第一微型发光二极管13的检测。
S130、判断多个第一微型发光二极管中的至少一个第一微型发光二极管是否发光异常。
基于检测结果,判断多个第一微型发光二极管是否出现损坏。其中,判断的方式本实施例不进行具体限定,例如可以通过观察的方式,即观察多个第一微型发光二极管13的发光情况,确定出是否存在发光异常的第一微型发光二极管13。
S140、如果多个第一微型发光二极管中的至少一个第一微型发光二极管发光异常,将第一基板与第二基板对位贴合;其中,贴合方式为第二基板设置有第二微型发光二极管的一侧与第一基板的连接层对位贴合;其中,至少一个发光异常的第一微型发光二极管与至少一个第二微型发光二极管对应设置。
其中,图6是本发明实施例提供的一种第一基板和第二基板对位贴合后的结构示意图。如图6所示,第二基板20上设置的第二微型发光二极管23与第一基板10的连接层14对位贴合,沿垂直于第一衬底11的方向上,第一微型发光二极管13和第二微型发光二极管23分别位于连接层14的两侧。
至少一个发光异常的第一微型发光二极管13与至少一个第二微型发光二极管23对应设置可以理解为:示例性的,继续参见图6,第一基板10包括多个子像素设置区BB,每个子像素设置区BB均包括一个第一微型发光二极管13。对位贴合时,第二基板20中的第二微型发光二极管23在第一衬底11所在平面的垂直投影位于子像素设置区BB内,且每个子像素设置区BB均包括一个第二微型发光二极管23。或者,示例性的,图7是本发明实施例提供的又一种第一基板和第二基板对位贴合后的结构示意图,如图7所示,第一基板10包括多个子像素设置区BB,每个子像素设置区BB均包括一个第一微型发光二极管13。对位贴合时,第二基板20中的第二微型发光二极管23在第一衬底11所在平面的垂直投影位于子像素设置区BB内,且只有发光异常的第一微型发光二极管13’所在子像素设置区BB包括第二微型发光二极管23。在此方案的基础上,可选的,继续参见图6和图7,在同一子像素设置区BB中,第二微型发光二极管23在第一衬底11所在平面的垂直投影与第一微型发光二极管13在第一衬底11所在平面的垂直投影不交叠。考虑到第一微型发光二极管13和第二微型发光二极管23为四面发光,所以本技术方案通过设置第二微型发光二极管23在第一衬底11所在平面的垂直投影与第一微型发光二极管13在第一衬底11所在平面的垂直投影不交叠,即第二微型发光二极管23下面设置的膜层结构较少,对第二微型发光二极管23发出的光线的折射就会减少,提高光线的反射率,后续形成显示面板后提高该子像素出光效率。
可以理解的是,继续参见图6,每个子像素设置区BB均包括一个第二微型发光二极管23,即由第二基板20中所有的第二微型发光二极管23代替第一基板10中所有的第一微型发光二极管13发光,具体的实现方式可以为,第二导电层22传输阴极信号;相应的,连接层14例如包括多个连接单元141,多个连接单元141与第二微型发光二极管13的第一电极131一一对应电连接,每个连接单元14用来向与其电连接的第二微型发光二极管23传输阳极信号,如此,第二微型发光二极管23的第一电极231接收阳极信号,第二微型发光二极管的第二电极135接收阴极信号,并在阳极信号和阴极信号的驱动下进行发光。此时的第一导电层12不传输阴极信号,例如可以通过激光等方式将第一导电层12与驱动芯片(图中未示出)之间电连接的导线切断,第一基板10中的发光未见异常的第一微型发光二极管13也不发光,保证每个子像素区域BB发光效率基本一致。可选的,当第二导电层22传输阴极信号时,第二导电层22可以为整层连续设置的第二导电层,也可以为图案化设置但相互电连接的第二导电层。图案化设置的第二导电层22可以提高显示面板的透光率。需要说明的是,图6以连接层14传输阳极信号为例,在其他可选实施例中,连接层还可以传输阴极信号,此时,第二导电层包括多个导电电极,导电电极用来向与其电连接的第二微型发光二极管传输阳极信号实现第二微型发光二极管的发光。
可以理解的是,继续参见图7,只有发光异常的第一微型发光二极管13所在子像素设置区BB包括第二微型发光二极管23,即由第二基板20中的第二微型发光二极管23代替第一基板10中发光异常的第一微型发光二极管13’发光,而第一基板10中的未发光异常的第一微型发光二极管13继续发光。具体的实现方式可以为,第一导电层12和第二导电层22均传输阴极信号;相应的,连接层14例如可以包括多个连接单元141,多个连接单元141既与第一微型发光二极管13的第一电极131一一对应电连接,同时还与第二微型发光二极管的第一电极131一一对应电连接,每个连接单元14用来向其电连接的第一微型发光二极管13和第二微型发光二极管23传输阳极信号。发光异常的第一微型发光二极管13由第二微型发光二极管23代替发光;发光未有异常的第一微型发光二极管13正常发光,如此,实现显示面板中各子像素的显示。
可选的,显示面板的制备方法还包括:提供第三基板;第三基板包括第二盖板;如果多个第一微型发光二极管均未异常,在第一基板上设置第三基板。
其中,图8是本发明实施例提供的一种第三基板的结构示意图,如图8所示,第三基板30包括第二盖板31。示例性的,在对第一微型发光二极管进行检测之前,先提供上述内容所提及的第一基板10、第二基板20以及图8中所示的第三基板30。然后,开始对第一基板10中的多个第一微型发光二极管13进行检测,如果发现第一基板10中的第一微型发光二极管13中的至少一个有发光异常,则将第一基板10和第二基板20贴合,通过第二基板20中的第二微型发光二极管23至少代替第一基板10中的发光异常的第一微型发光二极管13发光;如果发现第一基板10中的第一微型发光二极管13均发光正常,则在第一基板10设置第三基板30,如图9所示,通过第三基板30实现对第一基板10中第一微型发光二极管13的保护,防止水氧对第一微型发光二极管13的侵蚀。可选的,图10是本发明实施例提供的又一种第三基板的结构示意图,如图10所示,本实施例提供的第三基板30还包括第三导电层32和第三保护层33,第三导电层32和第二基板20中的第二导电层22的材料和高度相同,第三保护层33与第二保护层24的材料和高度相同。本实施例的第三基板31能够产生的有益效果此处先不作详细叙述,后续将示例性在多个子面板形成显示面板时再进行解释。
可选的,将第一基板与第二基板对位贴合后形成子面板,或在第一基板上设置第三基板后形成子面板;显示面板的制备方法还包括:形成多个子面板;将多个子面板拼接形成显示面板。
示例性的,图11是本发明实施例提供的一种形成显示面板后的结构示意图,如图11所示,当显示面板的尺寸较大时,可以通过将多个子面板100进行拼接形成;其中,该显示面板中可以仅包括将第一基板10与第二基板20对位贴合形成的子面板100;或者,该显示面板中可以仅包括在第一基板上设置第三基板后形成的子面板100,如图12所示,其中,图12仅以第三基板30为图10所示的第三基板30为例进行的说明;或者,该显示面板中即包括第一基板10与第二基板20对位贴合形成的子面板100,又包括第一基板10上设置第三基板30的子面板100,如图13所示。当显示面板中即包括第一基板10与第二基板20对位贴合形成的子面板100,又包括第一基板10上设置第三基板30的子面板100时,第三基板30可选为图10所示的第三基板30,即第三基板30还包括第三导电层32和第三保护层33,第三导电层32和第二基板20中的第二导电层22的材料和高度相同,第三保护层33与第二保护层24的材料和高度相同,如此,保证第二基板20和第三基板30的高度一致,有利于后续的拼接;且各膜层对包括第二基板20的子面板100中的第二微型发光二极管23发出的光线和包括第三基板30的子面板100中的第一微型发光二极管13发出的光线影响差别较小。
当显示面板的尺寸较小时,第一基板和第二基板对位贴合后形成显示面板母板,或,第一基板上设置第三基板形成显示面板母板,切割显示面板母板,以形成尺寸较小的显示面板。
当显示面板的尺寸与第一基板和第二基板贴合后的尺寸相同时,或者,第一基板上设置第三基板后的尺寸相同,则无需进行拼接和切割即可形成显示面板。
可以理解的是,本发明实施例制备形成的显示面板可以为有源矩阵发光二极管显示面板,也可以为无源矩阵发光二极管显示面板。图14是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图,如图14所示,当制备形成的显示面板为有源矩阵发光二极管显示面板时,第一基板10还包括像素电路40,例如,当连接层14传输阳极信号时,第一保护层15中设置有第一过孔151,且第一导电层12中设置有第二过孔121,通过第一过孔151和第二过孔121实现该像素电路40与连接层14的导电电极141电连接;当显示面板100为无源矩阵发光二极管显示面板时,可以按行、按列或单独驱动各微型发光二极管,具体驱动方式,本发明实施例不做具体限定。
可选的,提供第二基板,具体可以包括:提供第一盖板;在第一盖板上形成第二导电层;在第二导电层背离第一盖板的一侧设置多个第二微型发光二极管;第二微型发光二极管与第二导电层电连接;至少一个发光异常的第一微型发光二极管与至少一个第二微型发光二极管对应设置;其中,第一盖板复用为显示面板的封装层。
当第一基板和第二基板对位贴合完成后,第一盖板可以复用为显示面板的封装层,即第一盖板既可以为第二微型发光二极管的承载基板,又可以复用为显示面板的封装层,如此,节约显示面板的制备成本。
综上,本发明实施例提供的显示面板的制备方法,由于第二基板上设置有备用的第二微型发光二极管,当第一基板上的第一微型发光二极管出现发光异常时,将第二基板和第一基板进行贴合,通过第二基板上的第二微型发光二极管至少代替第一基板上发光异常的第一微型发光二极管发光,以实现显示面板各子像素的显示,相比于现有技术中在备用设置区重新设置新的微型发光二极管,本实施例提供的显示面板的制备方法,一次贴合即可完成所有发光异常的第一微型发光二极管的替换,简化工艺步骤,提高显示面板的制备效率;且此方法无需键合,所以可以避免了在备用设置区设置新的微型发光二极管时,导致已经绑定好的第一微型发光二极管与阵列基板之间的共晶层或键合层发生相变,影响第一微型发光二极管与阵列基板电连接性能的问题。
可选的,多个第一微型发光二极管和多个第二微型发光二极管的发光颜色均相同;显示面板的制备方法,还包括:在第一盖板背离第一衬底的一侧形成光转换层;或者,在第二盖板背离第一衬底的一侧形成光转换层。
其中,图15是本发明实施例提供的一种形成光转换层后的结构示意图,如图15所示,第一基板10和第二基板20对位贴合后,在第一盖板21背离第一衬底11的一侧形成光转换层50;或者,图16是本发明实施例提供的又一种形成光转换层后的结构示意图,如图16所示,第一基板10上设置第三基板30后,在第二盖板31背离第一衬底11的一侧形成光转换层50,当基板中的微型发光二极管中的发光颜色相同时,通过光转换层50将微型发光二极管发出的光线的颜色进行转换,经过光转换层之后发出光线的颜色与光转换层50所对应子像素区域BB所需发出的光线的颜色相。本实施例中,在第一基板10中设置第一微型发光二极管13时,由于颜色相同,所以一次键合工艺就可以完成对所有第一微型发光二极管13的绑定,相比于,对不同颜色第一微型发光二极管13进行设置,避免了每种颜色的第一微型发光二极管13分别进行绑定,造成进行绑定好的第一微型发光二极管13的键合层或共晶层多次相变造成的不良。
可选的,光转换层70的材料例如可以包括量子点材料、荧光粉材料和磷光粉材料中的至少一种。
可选的,当第一微型发光二极管和第二微型发光二极管均包括垂直结构的微型发光二极管。连接层包括:紫外固化胶或高温固化胶,如此,连接层既可以实现第二基板和第一基板的固定连接,同时还可以分别向第一基板和第二基板传输信号,结构简单,成本低。需要说明的是,连接层包括但不限于上述示例,本领域技术人员可以根据实际情况进行设置。
本发明实施例还提供了一种显示面板,该显示面板与上述各实施例的显示面板的制备方法属于同一个发明构思,在显示面板的实施例中未详尽描述的细节内容,可以参考上述显示面板的制备方法的实施例。图17是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图,如图17所示,本发明实施例提供的显示面板1000包括:至少一个子面板100;子面板100包括:第一基板10和第二基板20,第一基板10和第二基板20相对设置;多个第一微型发光二极管13设置于第一基板10;多个第二微型发光二极管23设置于第二基板20;其中,至少一个发光异常的第一微型发光二极管13与至少一个第二微型发光二极管23对应设置。例如,只有发光异常的第一微型发光二极管13对应一个第二微型发光二极管23;再如,第一微型发光二极管13与第二微型发光二极管23一一对应设置。当第一微型发光二极管13与第二微型发光二极管23一一对应设置,即全部由第二基板20中的第二微型发光二极管23进行显示,各微型发光二极管的位置相同,各子像素的发光效率基本一致,提高显示面板的显示均一性。
或者,图18是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图,如图18所示,显示面板100包括至少一个子面板100;子面板100包括第一基板10和第三基板30,第一基板10和第三基板30相对设置;多个第一微型发光二极管13设置于第一基板10。
或者,图19是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图,如图19所示,显示面板100包括至少两个子面板100,至少两个子面板100包括第一子面板101和第二子面板102;第一子面板101包括第一基板10和第二基板20,第一基板10和第二基板20相对设置;多个第一微型发光二极管13设置于第一基板10;多个第二微型发光二极管23设置于第二基板20;其中,至少一个发光异常的第一微型发光二极管13与至少一个第二微型发光二极管23对应设置;第二子面板102包括第一基板10和第三基板30,第一基板10和第三基板30相对设置;多个第一微型发光二极管13设置于第一基板10。
具体的,在制备显示面板1000中的子面板100时,由于第二基板20包括备用的第二微型发光二极管23,当第一基板10上的第一微型发光二极管13出现发光异常时,通过第二基板23上的第二微型发光二极管23至少代替第一基板10上发光异常的第一微型发光二极管13发光,以实现显示面板各子像素的显示;当第一基板10上的第一微型发光二极管13未发光异常,则通过第一基板10上的第一微型发光二极管13发光,以实现显示面板中各子像素的显示。相比于现有技术中,当微型发光二极管出现发光异常时,需要在备用设置区重新设置新的微型发光二极管,本实施例提供的显示面板,第二基板20上的第二微型发光二极管23至少代替第一基板10中发光异常的第一微型发光二极管13发光,无需在备用设置区通过键合工艺等设置备用的微型发光二极管,所以可以避免在备用设置区设置新的微型发光二极管时,导致已经绑定好的第一微型发光二极管与阵列基板之间的共晶层或键合层发生相变,影响第一微型发光二极管与阵列基板电连接性能的问题。
可选的,图20是本发明实施例提供的一种子面板的结构示意图,如图19所示,当子面板100包括第一基板10和第二基板20时,第一基板10包括:第一衬底11;位于第一衬底11一侧的第一导电层12;位于第一导电层12背离第一衬底11一侧的多个第一微型发光二极管13;其中,第一微型发光二极管13与第一导电层12电连接;位于第一微型发光二极管13背离第一衬底11一侧的连接层14;第二基板20包括:位于连接层14背离第一衬底11一侧的多个第二微型发光二极管23;位于第二微型发光二极管23背离第一衬底11一侧的第二导电层22;第二微型发光二极管23与第二导电层22电连接;位于第二导电层22背离第一衬底11一侧的第一盖板21。连接层14、第一导电层12和第二导电层22例如可以用于传输显示时所需的信号,第一盖板21为显示面板的封装层,通过第一盖板21对显示面板内部的第一微型发光二极管13和第二微型发光二极管23进行保护,防止水氧对第一微型发光二极管13和第二微型发光二极管23的侵蚀。可选的,第一基板10还包括第一保护层15,第二基板20还包括第二保护层24,通过第一保护层15进一步保护第一微型发光二极管13,防止水氧从侧面侵蚀第一微型发光二极管13,通过第二保护层24进一步保护第二微型发光二极管23,防止水氧冲侧面侵蚀第二微型发光二极管23。
或者,图21是本发明实施例提供的又一种子面板的结构示意图,如图21所示,当子面板100包括第一基板10和第三基板30时,第一基板10包括:第一衬底11;位于第一衬底11一侧的第一导电层12;位于第一导电层12背离第一衬底11一侧的多个第一微型发光二极管13;其中,第一微型二极管发光13与第一导电层12电连接;位于第一微型发光二极管背离第一衬底11一侧的连接层14;第三基板30包括:位于连接层14背离第一衬底11一侧的第二盖板31。连接层14和第一导电层12例如可以用于传输显示时所需的信号,第二盖板31为显示面板的封装层,通过第二盖板31对显示面板内部的第一微型发光二极管13进行保护,防止水氧对第一微型发光二极管13的侵蚀。可选的,第三基板30还包括第三导电层32和第三保护层33,第三导电层32和第二基板20中的第二导电层22的材料和高度相同,第三保护层33与第二保护层24的材料和高度相同。后续通过子面板100拼接形成显示面板时,有利于后续的拼接;且各膜层对包括第二基板20的子面板100中的第二微型发光二极管23发出的光线和包括第三基板30的子面板100中的第一微型发光二极管13发出的光线影响差别较小。
继续参见图17,当子面板100包括第一基板10和第二基板20,且第一微型发光二极管13和第二微型发光二极管23均包括垂直结构的微型发光二极管时,连接层14包括多个导电电极141;第一微型发光二极管13的第一电极与导电电极141一一对应电连接;与发光异常的第一微型发光二极管13对应设置的第二微型发光二极管23的第一电极与该发光异常的第一微型发光二极管13对应的导电电极14连接;第二微型发光二极管23的第二电极与第二导电层22电连接;导电电极141用于接收阳极信号;第二导电层22用于接收阴极信号。当第二基板20中所有的第二微型发光二极管23代替第一基板10中所有的第一微型发光二极管13发光时,第一导电层12不传输阴极信号,第二基板20中所有的第二微型发光二极管23在阳极信号和阴极信号的驱动下进行发光,实现显示面板1000各子像素的显示。当第二基板20中的第二微型发光二极管23仅代替第一基板10中发光异常的第一微型发光二极管发光13发光时时,第一导电层12也同时传输阴极信号,此时,发光异常的第一微型发光二极管13由第二微型发光二极管23代替发光;发光未有异常的第一微型发光二极管13正常发光,如此,实现显示面板1000中各子像素的显示。
或者,继续参见图19,当显示面板1000包括至少两个子面板,至少两个子面板100包括第一子面板101和第二子面板102,第一子面板101包括第一基板10和第二基板20,以及第二子面板102包括第一基板10和第三基板30;且第一微型发光二极管13和第二微型发光二极管23均包括垂直结构的微型发光二极管时,连接层14包括多个导电电极141;第一微型发光二极管13的第一电极与导电电极141一一对应电连接;与发光异常的第一微型发光二极管13对应设置的第二微型发光二极管23的第一电极与该发光异常的第一微型发光二极管13对应的导电电极连接;第二微型发光二极管23的第二电极与第二导电层33电连接;导电电极141用于接收阳极信号;第二导电层22用于接收阴极信号。第一子面板101中,当第二基板20中所有的第二微型发光二极管23代替第一基板10中所有的第一微型发光二极管13发光时,第一导电层12不传输阴极信号,第二基板20中所有的第二微型发光二极管23在阳极信号和阴极信号的驱动下进行发光;第二子面板102中,导电电极141用于接收阳极信号,第一导电层12传输阴极信号,第一基板10中所有的第一微型发光二极管13在阳极信号和阴极信号的驱动下进行发光,如此,实现显示面板1000中各子像素的显示。
可选的,图22是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图,如图22所示,第一基板10还包括位于第一衬底11与第一导电层12之间的像素电路层41;像素电路层41包括多个像素电路40;像素电路40与导电电极141一一对应电连接。当显示面板1000为有源矩阵发光二极管显示面板时,通过像素电路40向导电电极141传输阳极信号。
可选的,继续参见图17和图19,显示面板1000还包括位于第一衬底11与第一微型发光二极管13之间的反射层60;第一微型发光二极管13和第二微型发光二极管23在第一衬底11所在平面的垂直投影位于反射层60在第一衬底11所在平面的垂直投影内。通过设置反射层60对第一微型发光二极管13发出的光线以及第二微型发光二极管23发出的光线进行反射,提高各子像素的出光效率。在此方案的基础上,可选的,第一导电层12复用为反射层60。即第一导电层12即可传输信号,同时还具有反射的作用,如此,无需单独设置反射层60,简化工艺步骤,节省成本。
可选的,继续参见图17和图19,至少一个发光异常的第一微型发光二极管13与至少一个第二微型发光二极管23对应设置时,第一微型发光二极管13在第一衬底11所在平面的垂直投影与第二微型发光二极管23在第一衬底11所在平面的垂直投影不交叠。即第二微型发光二极管23下面设置的膜层结构较少,对第二微型发光二极管23发出的光线的折射就会减少,提高光线的反射率,后续形成显示面板后提高该子像素出光效率。
可选的,图23是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图,如图23所示,还包括:位于第一盖板21背离第一衬底11一侧的光转换层50;或者,位于第二盖板背离第一衬底一侧的光转换层。其中,图23以显示面板1000包括的子面板100中仅包括第一基板10和第二基板20为例。当基板中的微型发光二极管中的发光颜色相同时,通过光转换层50将微型发光二极管发出的光线的颜色进行转换,经过光转换层之后发出光线的颜色与光转换层50所对应子像素区域BB所需发出的光线的颜色相同。本实施例中,在第一基板10中设置第一微型发光二极管13时,由于颜色相同,所以一次键合工艺就可以完成对所有第一微型发光二极管13的绑定,相比于,对不同颜色第一微型发光二极管13进行设置,避免了每种颜色的第一微型发光二极管13分别进行绑定,造成进行绑定好的第一微型发光二极管13的键合层或共晶层多次相变造成的不良。
基于同样的发明构思,本发明实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括上述实施方式提供的任一种显示面板。示例性的,如图24所示,该显示装置1001包括显示面板1000。因此,该显示装置也具有上述实施方式中的显示面板所具有的有益效果,相同之处可参照上文对显示面板的解释说明进行理解,下文不再赘述。
本发明实施例提供的显示装置1001可以为图24所示的手机,也可以为任何具有显示功能的电子产品,包括但不限于以下类别:电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、工控设备、医用显示屏、触摸交互终端等,本发明实施例对此不作特殊限定。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (17)
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供第一基板和第二基板;其中,所述第一基板包括第一衬底、位于所述第一衬底一侧的第一导电层、位于所述第一导电层背离所述第一衬底一侧的多个第一微型发光二极管以及位于所述第一微型发光二极管背离所述第一衬底一侧的连接层;所述第一微型二极管发光与所述第一导电层电连接;所述第二基板包括第一盖板、位于所述第一盖板一侧的第二导电层以及位于所述第二导电层背离所述第一盖板一侧的至少一个第二微型发光二极管;所述第二微型发光二极管与所述第二导电层电连接;
对多个所述第一微型发光二极管进行检测;
判断多个所述第一微型发光二极管中的至少一个所述第一微型发光二极管是否发光异常;
如果多个所述第一微型发光二极管中的至少一个所述第一微型发光二极管发光异常,将所述第一基板与所述第二基板对位贴合;其中,贴合方式为所述第二基板设置有第二微型发光二极管的一侧与所述第一基板的所述连接层对位贴合;
其中,至少一个发光异常的所述第一微型发光二极管与至少一个所述第二微型发光二极管对应设置。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括:提供第三基板;所述第三基板包括第二盖板;
如果多个所述第一微型发光二极管均未异常,在所述第一基板上设置所述第三基板。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,将所述第一基板与所述第二基板对位贴合后形成子面板,或在所述第一基板上设置所述第三基板后形成子面板;
所述显示面板的制备方法还包括:
形成多个所述子面板;
将多个所述子面板拼接形成显示面板。
4.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,多个所述第一微型发光二极管和多个所述第二微型发光二极管的发光颜色均相同;
所述显示面板的制备方法,还包括:
在所述第一盖板背离所述第一衬底的一侧形成光转换层;或者,在所述第二盖板背离所述第一衬底的一侧形成光转换层。
5.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一微型发光二极管和所述第二微型发光二极管均包括垂直结构的微型发光二极管;所述连接层包括:紫外固化胶或高温固化胶。
6.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,提供第二基板,具体包括:
提供第一盖板;
在所述第一盖板上形成第二导电层;
在所述第二导电层背离所述第一盖板的一侧设置多个第二微型发光二极管;所述第二微型发光二极管与所述第二导电层电连接;至少一个发光异常的所述第一微型发光二极管与至少一个所述第二微型发光二极管对应设置;
其中,所述第一盖板复用为所述显示面板的封装层。
7.一种显示面板,其特征在于,包括:至少一个子面板;
所述子面板包括:第一基板和第二基板,所述第一基板和所述第二基板相对设置;多个第一微型发光二极管设置于所述第一基板;
多个第二微型发光二极管设置于所述第二基板;
其中,至少一个发光异常的所述第一微型发光二极管与至少一个所述第二微型发光二极管对应设置;
和/或者,所述子面板包括第一基板和第三基板,所述第一基板和所述第三基板相对设置;
多个第一微型发光二极管设置于所述第一基板。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述子面板包括:第一基板和第二基板;所述第一基板包括:
第一衬底;
位于所述第一衬底一侧的第一导电层;
位于所述第一导电层背离所述第一衬底一侧的多个第一微型发光二极管;其中,所述第一微型发光二极管与所述第一导电层电连接;
位于所述第一微型发光二极管背离所述第一衬底一侧的连接层;
所述第二基板包括:
位于所述连接层背离所述第一衬底一侧的多个第二微型发光二极管;
位于所述第二微型发光二极管背离所述第一衬底一侧的第二导电层;所述第二微型发光二极管与所述第二导电层电连接;
位于所述第二导电层背离所述第一衬底一侧的第一盖板;
或者,
所述子面板包括:第一基板和第三基板;所述第一基板包括:
第一衬底;
位于所述第一衬底一侧的第一导电层;
位于所述第一导电层背离所述第一衬底一侧的多个第一微型发光二极管;其中,所述第一微型二极管发光与所述第一导电层电连接;
位于所述第一微型发光二极管背离所述第一衬底一侧的连接层;
所述第三基板包括:
位于所述连接层背离所述第一衬底一侧的第二盖板。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,还包括位于所述第一衬底与所述第一微型发光二极管之间的反射层;
所述第一微型发光二极管和所述第二微型发光二极管在所述第一衬底所在平面的垂直投影位于所述反射层在所述第一衬底所在平面的垂直投影内。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第一导电层复用为所述反射层。
11.根据权利要求7-10任一项所述的显示面板,其特征在于,至少一个发光异常的所述第一微型发光二极管与至少一个所述第二微型发光二极管对应设置时,所述第一微型发光二极管在所述第一衬底所在平面的垂直投影与所述第二微型发光二极管在所述第一衬底所在平面的垂直投影不交叠。
12.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,还包括:位于所述第一盖板背离所述第一衬底一侧的光转换层;或者,位于所述第二盖板背离所述第一衬底一侧的光转换层。
13.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第一微型发光二极管和所述第二微型发光二极管均包括垂直结构的微型发光二极管。
14.根据权利要求13所述的显示面板,其特征在于,所述子面板包括第一基板和第二基板;或者,所述子面板包括第一基板和第二基板,以及所述子面板包括第一基板和第三基板;
所述连接层包括多个导电电极;所述第一微型发光二极管的第一电极与所述导电电极一一对应电连接;
与发光异常的所述第一微型发光二极管对应设置的所述第二微型发光二极管的第一电极与该发光异常的所述第一微型发光二极管对应的所述导电电极连接;
所述第二微型发光二极管的第二电极与所述第二导电层电连接;
所述导电电极用于接收阳极信号;所述第二导电层用于接收阴极信号。
15.根据权利要求14所述的显示面板,其特征在于,所述第一基板还包括位于所述第一衬底与所述第一导电层之间的像素电路层;所述像素电路层包括多个像素电路;所述像素电路与所述导电电极一一对应电连接。
16.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,
所述第一微型发光二极管与所述第二微型发光二极管一一对应设置。
17.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求7-16任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011630519.XA CN112802942A (zh) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 一种显示面板、制备方法及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011630519.XA CN112802942A (zh) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 一种显示面板、制备方法及显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112802942A true CN112802942A (zh) | 2021-05-14 |
Family
ID=75808259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011630519.XA Pending CN112802942A (zh) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 一种显示面板、制备方法及显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112802942A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113540145A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-10-22 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种发光器件、发光器件制作方法及显示装置 |
CN114497112A (zh) * | 2022-03-30 | 2022-05-13 | 季华实验室 | 一种MicroLED显示面板制作方法及显示面板 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106684098A (zh) * | 2017-01-06 | 2017-05-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微发光二极管显示面板及其修复方法 |
KR101890934B1 (ko) * | 2017-12-01 | 2018-08-22 | 한국광기술원 | 픽셀형 led 공정 |
CN208014703U (zh) * | 2018-03-29 | 2018-10-26 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 驱动背板、微发光二极管显示面板及显示器 |
CN109003996A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-12-14 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板、显示面板的检修方法及显示装置 |
CN210837757U (zh) * | 2020-01-06 | 2020-06-23 | 北京京东方光电科技有限公司 | 显示基板、拼接显示面板及显示装置 |
CN111403372A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-10 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | Micro LED显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN112054105A (zh) * | 2019-06-06 | 2020-12-08 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型发光二极管显示器的制造方法 |
CN112103214A (zh) * | 2020-09-08 | 2020-12-18 | 深圳市联得自动化装备股份有限公司 | 发光二极管产品的检测修复系统及检测修复方法 |
-
2020
- 2020-12-31 CN CN202011630519.XA patent/CN112802942A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106684098A (zh) * | 2017-01-06 | 2017-05-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微发光二极管显示面板及其修复方法 |
KR101890934B1 (ko) * | 2017-12-01 | 2018-08-22 | 한국광기술원 | 픽셀형 led 공정 |
CN208014703U (zh) * | 2018-03-29 | 2018-10-26 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 驱动背板、微发光二极管显示面板及显示器 |
CN109003996A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-12-14 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板、显示面板的检修方法及显示装置 |
CN112054105A (zh) * | 2019-06-06 | 2020-12-08 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型发光二极管显示器的制造方法 |
CN210837757U (zh) * | 2020-01-06 | 2020-06-23 | 北京京东方光电科技有限公司 | 显示基板、拼接显示面板及显示装置 |
CN111403372A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-10 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | Micro LED显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN112103214A (zh) * | 2020-09-08 | 2020-12-18 | 深圳市联得自动化装备股份有限公司 | 发光二极管产品的检测修复系统及检测修复方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113540145A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-10-22 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种发光器件、发光器件制作方法及显示装置 |
CN114497112A (zh) * | 2022-03-30 | 2022-05-13 | 季华实验室 | 一种MicroLED显示面板制作方法及显示面板 |
CN114497112B (zh) * | 2022-03-30 | 2022-07-15 | 季华实验室 | 一种MicroLED显示面板制作方法及显示面板 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107359175B (zh) | 微发光二极管显示面板和显示装置 | |
CN111524928B (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
CN109037270B (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
CN112786760B (zh) | 一种显示面板、制备方法及显示装置 | |
CN110676281B (zh) | 发光二极管面板及其制作方法 | |
US11289635B2 (en) | Light emitting diode display apparatus and multi screen display apparatus using the same | |
CN112802942A (zh) | 一种显示面板、制备方法及显示装置 | |
CN113380929B (zh) | 显示面板制造方法、显示面板及显示设备 | |
KR102169819B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 | |
CN112582514A (zh) | 一种led芯片、多合一芯片、显示模块及显示屏 | |
CN110708790A (zh) | 发光基板及电子装置 | |
CN101165567A (zh) | 背光系统和液晶显示器 | |
CN112928104B (zh) | 一种显示面板以及显示装置 | |
KR102507072B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 | |
CN113594325B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
CN114446187B (zh) | 驱动背板、显示面板及其制备方法 | |
CN113671752B (zh) | 发光基板和显示装置 | |
CN115513247A (zh) | 显示背板及显示装置 | |
CN114649394A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN114283706A (zh) | 阵列基板和显示面板 | |
CN113433735A (zh) | 背光模块、背光板、显示屏和电子设备 | |
CN211297015U (zh) | 发光基板及电子装置 | |
CN217983391U (zh) | 显示模组的基板及显示模组 | |
KR20110082743A (ko) | 백라이트용 발광 다이오드 모듈 및 그 제조 방법 | |
US20230290918A1 (en) | Display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210514 |