TWI723417B - 微型發光二極體顯示器的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供一種微型發光二極體顯示器的製造方法，包含：配置複數個微型發光二極體於一載板上；轉移該些微型發光二極體至一顯示基板，並對該些微型發光二極體進行一預接合(pre-bonding)製程以將該些微型發光二極體連接至該顯示基板上；對該顯示基板上的該些微型發光二極體進行一第一檢測，並辨別是否有不良的微型發光二極體；以及，在進行完該第一檢測後，對該些微型發光二極體進行一主接合(main-bonding)製程。

Description

微型發光二極體顯示器的製造方法
本揭露關於一種微型發光二極體顯示器的製造方法。
隨著光電科技的進步，光電元件的體積逐漸往小型化發展。近幾年來由於發光二極體(light-emitting diode，LED)製作尺寸上的突破，目前將發光二極體以陣列排列製作的微型發光二極體(micro-LED)顯示器在市場上逐漸受到重視。微型發光二極體顯示器屬於主動發光微型發光二極體顯示器，其除了相較於有機發光二極體(organic light-emitting diode，OLED)顯示器而言更為省電以外，也具備更佳優異的對比度表現，而可以在陽光下具有可視性。此外，由於微型發光二極體顯示器採用無機材料，因此其相較於有機發光二極體顯示器而言具備更佳優良的可靠性以及更長的使用壽命。
然而，隨著顯示器尺寸和解析度的增加，製造沒有任何像素缺陷的顯示器變得更加困難，因此導致顯示器製造產量降低並且成本增加。因此，業界需要一種新穎的微型發光二極體顯示面版的製造方法，以解決習知技術所遭遇到的問題。
根據本揭露實施例，本揭露提供一種微型發光二極體顯示器的製造方法，包含：配置複數個微型發光二極體於一載板上；轉移該些微型發光二極體至一顯示基板，並對該些微型發光二極體進行一預接合(pre-bonding)製程；對該顯示基板上的該微型發光二極體進行一第一檢測，並辨別是否有不良的微型發光二極體；以及，在進行完該第一檢測後，對該微型發光二極體進行一主接合(main-bonding)製程。
根據本揭露實施例，該第一檢測為電性檢測(electrical detection)。
根據本揭露實施例，當辨別出至少一不良微型發光二極體時，修復該不良微型發光二極體。
根據本揭露實施例，該第一檢測為量測微型發光二極體的電致發光性質(electroluminescent properties)或電子訊號(electrical signals)。
根據本揭露實施例，該微型發光二極體顯示器的製造方法更包含：對該載板上的該微型發光二極體進行一第二檢測，並辨別複數個良好微型發光二極體(good micro light emitting diode)；以及，轉移該些良好微型發光二極體並預接合至該顯示基板上。
根據本揭露實施例，該第二檢測為光學檢測(optical detection)。
根據本揭露實施例，該第二檢測為量測微型發光二極體的光致發光性質(photoluminescent properties)或光學影像(optical images)。
根據本揭露實施例，修復該不良微型發光二極體的步驟可包含：以一已知良好微型發光二極體置換該不良微型發光二極體。
根據本揭露實施例，修復不良微型發光二極體的步驟可包含：斷開該不良微型發光二極體與該顯示基板上一控制電路的電性連結；以及，將一備用(redundant)微型發光二極體與顯示基板上的該控制電路進行電性連結。
根據本揭露實施例，在對該微型發光二極體進行該預接合(pre-bonding)製程時，可使該微型發光二極體與該顯示基板之間具有一第一接合強度；以及，在對該微型發光二極體進行該主接合(main-bonding)製程時，使該微型發光二極體與該顯示基板之間具有一第二接合強度，其中該第二接合強度大於第一接合強度。
根據本揭露實施例，該預接合製程的接合溫度小於該主接合製程的接合溫度。
根據本揭露實施例，該預接合製程的接合溫度與該主接合製程的接合溫度之差值大於或等於100℃。
根據本揭露實施例，該預接合製程的製程壓力小於該主接合製程的製程壓力。
根據本揭露實施例，該預接合製程的製程壓力與該主接合製程的製程壓力之差值大於或等於20 kgf/cm 2。
根據本揭露實施例，該預接合製程的製程時間小於該主接合製程的製程時間。
以下針對本發明之顯示裝置作詳細說明。應了解的是，以下之敘述提供許多不同的實施例或例子，用以實施本發明之不同樣態。以下所述特定的元件及排列方式僅為簡單描述本發明。當然，這些僅用以舉例而非本發明之限定。此外，在不同實施例中可能使用重複的標號或標示。這些重複僅為了簡單清楚地敘述本發明，不代表所討論之不同實施例及/或結構之間具有任何關連性。再者，當述及一第一材料層位於一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸之情形。或者，亦可能間隔有一或更多其它材料層之情形，在此情形中，第一材料層與第二材料層之間可能不直接接觸。
必需了解的是，為特別描述或圖示之元件可以此技術人士所熟知之各種形式存在。此外，當某層在其它層或基板「上」時，有可能是指「直接」在其它層或基板上，或指某層在其它層或基板上，或指其它層或基板之間夾設其它層。
且在圖式中，實施例之形狀或是厚度可擴大，並以簡化或是方便標示。再者，圖式中各元件之部分將以分別描述說明之，值得注意的是，圖中未繪示或描述之元件，為所屬技術領域中具有通常知識者所知的形式，此外，特定之實施例僅為揭示本發明使用之特定方式，其並非用以限定本發明。
再者，說明書與請求項中所使用的序數例如”第一”、”第二”、”第三”等之用詞，以修飾請求項之元件，其本身並不意含及代表該請求元件有任何之前的序數，也不代表某一請求元件與另一請求元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的一請求元件得以和另一具有相同命名的請求元件能作出清楚區分。
一般來說，微型發光二極體顯示器配置於顯示區的電路及微型發光二極體，通常需要等到微型發光二極體永久性固定於顯示基板之後才會進行功能測試以驗證品質。然而，要是微型發光二極體存在任何缺陷，則在微型發光二極體永久性固定於顯示基板之後的修復工序較為繁複，而且成本相對提高很多。本揭露提供一種微型發光二極體顯示器的製造方法，當將微型發光二極體由載板(即臨時基板(template)或磊晶成長基板)轉移至一顯示基板時，藉由導入一預接合(pre-bonding)製程先使微型發光二極體暫時(temporarily)固定於顯示基板上，如此一來，可使顯示基板的控制電路與微型發光二極體電性連結，以利對微型發光二極體進行電性檢測。此外，由於該預接合(pre-bonding)製程僅使微型發光二極體暫時固定在顯示基板以方便進行電性檢測，因此微型發光二極體並非穩固固定於顯示基板上(即微型發光二極體與顯示基板間的接合強度並不強)。如此一來，當經由電性檢測辨別出不良微型發光二極體時，可輕易將暫時接合於顯示基板的微型發光二極體移除或修復。在修復不良微型發光二極體後，對顯示基板上的微型發光二極體進行一主接合(main-bonding)製程，以使微型發光二極體永久性(permanently)固定於顯示基板上。
第1圖為本揭露一實施例所述微型發光二極體顯示器的製造方法10之步驟流程圖，以及第2圖至第7圖為一系列示意圖，用以說明本揭露所述微型發光二極體顯示器的製造流程。首先，如第2圖所示，提供一載板20，其中複數個微型發光二極體30配置於該載板20上(步驟11)。根據本揭露實施例，載板20可例如為一臨時基板(template)，用以承載微型發光二極體30。載板20可例如為塑膠基板、陶瓷基板、玻璃基板、藍寶石基板、或其他剛性基板。根據本揭露某些實施例，一支撐結構(tether)(未圖示)可進一步設置於載板之上，用以固定微型發光二極體30，使得微型發光二極體30之間保持一定之間距。
本揭露所述微型發光二極體，係指其長、寬、及高在1μm至100μm範圍內的發光二極體。根據本揭露實施例，微型發光二極體的最大寬度可為20μm、10μm或5μm。根據本揭露實施例，微型發光二極體的最大高度可為10μm或5μm。然應理解本揭露的實施例不必限於此，某些實施例的態樣當可應用到更大與也許更小的尺度。
與一般的發光二極體技術相比，微型半導體元件從毫米級降至微米級，因此將本揭露之微型半導體元件轉移並被整合及組裝後所得之微型發光二極體顯示器能達高解析度，並能夠降低顯示之電力消耗，更具節能、機構簡單、薄型等優勢。
根據本揭露實施例，本揭露所述微型發光二極體可為水平式結構(horizontal structured)的微型發光二極體(即電極(未圖示)位於微型發光二極體的同一側)或是垂直式結構(vertical structured)的微型發光二極體(即電極(未圖示)位於微型發光二極體的相反側)。在第2圖中，為簡化圖示，本揭露所述的微型發光二極體僅以一六面體表示。
接著，如第3圖及第4圖所示，將微型發光二極體30由載板20轉移至一顯示基板50(步驟13)。根據本揭露實施例，可利用一巨量轉移(mass transfer)製程將微型發光二極體30由載板20轉移至顯示基板50。
根據本揭露實施例，該轉移製程可逐一或批量將微型發光二極體30由載板20轉移至顯示基板50。舉例來說，轉移製程可為機械靜電吸取法或黏著膠黏取法。根據本揭露實施例，該轉移製程包含一拾取步驟及一放置步驟。請參照第3圖，在拾取步驟中，可利用一具有複數個拾取單元42的拾取裝置40將位於載板20上的微型發光二極體30由載板20拾取。
接著，請參照第4圖，在放置步驟中，利用拾取裝置40將微型發光二極體30配置於顯示基板50上。根據本揭露實施例，該顯示基板50上可預先配置有複數個控制電路(未圖示)，而每一微型發光二極體30係被配置於顯示基板50上一預定位置，以使得微型發光二極體30的電極與對應的控制電路之接觸墊接觸。
接著，如第5圖所示，對該微型發光二極體30進行一預接合(pre-bonding)製程60(步驟15)，以使微型發光二極體30與顯示基板50上對應的控制電路電性連結。在預接合(pre-bonding)製程60中，可對微型發光二極體30加熱至一接合溫度。在此狀態下，使微型發光二極體的電極與控制電路之接觸墊互相接觸，且對微型發光二極體30在一製程時間中施加一製程壓力。根據本揭露實施例，該預接合製程60的接合溫度可介於約20℃至100℃之間(例如介於約25℃至60℃之間)、製程時間可介於約1秒至150秒(例如利用膠體連結的製程時間介於約1秒至10秒之間、或利用金屬鍵結的製程時間則介於約50秒至150秒之間)。
在進行預接合(pre-bonding)製程後，微型發光二極體30與控制電路之間具有一第一接合強度(bonding strength)，以使微型發光二極體30可暫時接合於顯示基板50上，並與顯示基板50上對應的控制電路電性連結，以利後續檢測步驟的進行。在此，本揭露所述「微型發光二極體暫時接合於顯示基板上」係指微型發光二極體與顯示基板之間具有一較弱的接合強度(bonding strength)，因此可輕易將微型發光二極體由顯示基板上移除，且不會損害到顯示基板上的控制電路。本揭露所述微型發光二極體與顯示基板之間的接合強度係指微型發光二極體於顯示基板上的剪切粘附性(shear adhesion)，該剪切粘附性可根據ASTM D1002標準測試方法測定。
根據本揭露實施例，在進行預接合(pre-bonding)製程後，對顯示基板50上的微型發光二極體30進行一第一檢測，以辨別至少一不良微型發光二極體30a(步驟17)，如第6圖所示。該第一檢測的目的在於在主接合(main-bonding)製程前及早測知微型發光二極體顯示器中的微型發光二極體是否存在任何缺陷或瑕疵，以方便在完成微型發光二極體顯示器組裝前先行進行修復。根據本揭露實施例，該第一檢測可為電性檢測以準確地檢測微型發光二極體電特性的偏移或接合的精準度。若在進行預接合(pre-bonding)製程後微型發光二極體與顯示基板之間的接合強度過大，易造成微型發光二極體不易於顯示基板上移除、或是在移除微型發光二極體的過程中損害到顯示基板上的控制電路。若在進行預接合(pre-bonding)製程後微型發光二極體與顯示基板之間的接合強度過小，易導致微型發光二極體無法與顯示基板的控制電路進行電性連結，無法進行後續微型發光二極體的電性檢測步驟。
根據本揭露某些實施例，顯示基板上的控制電路具有複數之信號線(例如p型電極信號線或n型電極信號線)。此外，顯示基板上亦設置有複數之測試信號輸入墊(例如p型電極測試信號輸入墊或n型電極測試信號輸入墊)，而信號線與測試信號輸入墊之間以向外扇出線路進行連結。
該第一檢測可藉由輸入測試信號，並經由信號線傳遞至微型發光二極體。如此一來，除了可藉由該第一檢測得知是否有斷路或短路發生(例如微型發光二極體錯位)，亦可藉由第一檢測得知微型發光二極體的電致發光性質(electroluminescent properties) (例如光色、亮度、驅動電壓、或電流)，辨別出不良微型發光二極體30a。
由於測試信號輸入一般需要另外設置測試電路於顯示基板的週邊區域(即非顯示區)，因此會降低微型發光二極體顯示器的顯示區面積。根據本揭露某些實施例，本揭露所述顯示基板上並未額外設置測試電路，因此該第一檢測係採用非接觸式的電性檢測，以判別不良微型發光二極體。
舉例來說，當進行非接觸式的電性檢測時，在顯示基板上方可配置一檢測裝置(顯示基板與檢測裝置相隔一特定距離，例如50µm至500µm)，其中該檢測裝置具有用以發送感測信號的信號感測單元以及用以接收信號的信號接收單元。當進行非接觸式的電性檢測時，檢測裝置可沿著控制電路上的電子信號線進行分析。上述非接觸的電子信號感測方式可透過電容耦合或電磁耦合方式測得，並藉由所感測到的電子信號辨別出不良微型發光二極體30a。
接著，修復不良微型發光二極體(步驟19)。根據本揭露某些實施例，修復顯示基板上不良微型發光二極體可包含以下步驟。首先，將不良微型發光二極體由顯示基板上移除。由於不良微型發光二極體僅藉由預接合製程暫時固定在顯示基板上(即電性檢測步驟係在預接合製程之後)以方便進行電性檢測，因此不良微型發光二極體並非穩固固定於顯示基板上(即電性檢測步驟係在主接合製程之前)，可輕易由顯示基板上移除，且不會損害到顯示基板上的控制電路。
接著，將已知良好(known good)微型發光二極體置換顯示基板上不良微型發光二極體，即將已知良好微型發光二極體配置於被移除的不良微型發光二極體其原本位於顯示基板的位置上。
根據本揭露某些實施例，修復顯示基板上不良微型發光二極體亦可包含以下步驟。首先，斷開不良微型發光二極體與該顯示基板上一控制電路的電性連結；以及，將一備用(redundant)微型發光二極體與顯示基板上的控制電路進行電性連結。根據本揭露實施例，可以雷射方式斷開不良微型發光二極體與控制電路的電性連結。
根據本揭露實施例，在步驟13中，複數個微型發光二極體被轉移至顯示基板上，其中複數個微型發光二極體包含複數個主要微型發光二極體以及複數個備用微型發光二極體。備用微型發光二極體與主要微型發光二極體可以在相同或不同轉移步驟中配置於顯示基板上。此外，在步驟17中則係對複數個主要微型發光二極體進行第一檢測，以辨別主要微型發光二極體中的不良微型發光二極體。根據本揭露實施例，主要微型發光二極體以及其對應的備用微型發光二極體係相鄰配置。
根據本揭露某些實施例，顯示基板上部份的不良微型發光二極體可被移除，並以已知良好(known good)微型發光二極體置換；以及，顯示基板上其他的不良微型發光二極體與顯示基板上控制電路的電性連結可被斷開，並將備用微型發光二極體與顯示基板上的控制電路進行電性連結。
最後，如第7圖所示，對該微型發光二極體30(包含已知良好(known good)微型發光二極體)進行一主接合(main bonding)製程70(步驟21)，以使微型發光二極體30永久性(permanently)固定於顯示基板上。在主接合(pre-bonding)製程70中，可對微型發光二極體30加熱至一接合溫度，並在一製程時間中對微型發光二極體30施加一製程壓力。根據本揭露實施例，該主接合製程70的接合溫度可介於約120℃至400℃之間、製程時間可介於約2秒至400秒。
在進行主接合製程70後，微型發光二極體30與控制電路之間具有一第二接合強度(bonding strength)，以使微型發光二極體30可永久性接合於顯示基板50上，並與顯示基板50上對應的控制電路電性連結，以形成微型發光二極體裝置。在此，本揭露所述「微型發光二極體永久性接合於顯示基板上」係指微型發光二極體與顯示基板之間具有一強的接合強度(bonding strength)，因此不易將微型發光二極體由顯示基板上移除。
根據本揭露實施例，對該微型發光二極體進行該預接合製程使該微型發光二極體與該顯示基板之間具有第一接合強度，且對該微型發光二極體進行該主接合製程使該微型發光二極體與該顯示基板之間具有第二接合強度。根據本揭露實施例，其中該第二接合強度大於第一接合強度。根據本揭露某些實施例，其中該第二接合強度與第一接合強度的差值介於約20 Kgf/cm 2至100 Kgf/cm 2之間。
根據本揭露實施例，該預接合製程的接合溫度小於該主接合製程的接合溫度。根據本揭露某些實施例，該預接合製程的接合溫度與該主接合製程的接合溫度之差值大於或等於100℃。
根據本揭露實施例，該預接合製程的製程壓力小於該主接合製程的製程壓力。根據本揭露某些實施例，該預接合製程的製程壓力與該主接合製程的製程壓力之差值大於或等於20 Kgf/cm 2。
根據本揭露實施例，當預接合製程與主接合製程具有相同的製程壓力(及/或相同的製程溫度)，該預接合製程的製程時間可小於該主接合製程的製程時間。
此外，根據本揭露實施例，在將複數微型發光二極體30由載板20轉移至顯示基板50之前，可先對該載板上的該微型發光二極體進行一第二檢測，以辨別不良微型發光二極體30a及良好微型發光二極體30b，如第8圖所示。如此一來，可在進行微型發光二極體轉移步驟前，可初步篩選出良好微型發光二極體30b，以避免將不良微型發光二極體30a轉移至顯示基板50，減少後續在顯示基板上不良微型發光二極體30a的修復工序。
根據本揭露實施例，該第二檢測可為光學檢測(optical detection)，即量測微型發光二極體的光致發光性質(photoluminescent properties)(例如光致發光波長)或光學影像(optical images)(例如磊晶層或電極的外觀是否破損)，以辨別不良微型發光二極體30a及良好微型發光二極體30b。
根據本揭露實施例，一檢測裝置可用來量測微型發光二極體的光致發光性質。該檢測裝置包含一檢測光源及一光感測單元。檢測光源可發出一具有特定波長的光，並以該光照射微型發光二極體，以引發微型發光二極體進行光致發光，並以光感測單元量測出該微型發光二極體其所發出的光之波長。如此一來，可藉由第二檢測得知微型發光二極體的光致發光性質(photoluminescent properties)或得知該微型發光二極體的位置資訊，辨別出不良微型發光二極體30a。
根據本揭露實施例，檢測光源所發出用來檢測的光之波長(檢測波長)小於待測微型發光二極體其所發出的光之波長(待測波長)(即檢測光源所發出的光其能量大於發光二極體其所發出的光之能量)，以使微型發光二極體能夠吸收檢測光源後光致發光。根據本揭露某些實施例，檢測波長與待測波長的差值大於或等於50nm；根據本揭露某些實施例，檢測波長與待測波長的差值小於或等於150nm；以及，根據本揭露某些實施例，檢測波長與待測波長的差值介於50nm至150nm。若檢測波長與待測波長的差值太小，則無法有效激發微型發光二極體使其發光；此外，若檢測波長與待測波長的差值太大，則容易有雜訊而降低檢測準確性。舉例來說，若微型發光二極體為綠光微型發光二極體(發光波長約為530nm)或藍光微型發光二極體(發光波長約為468nm)，則所使用的檢測光源之波長可約為390nm至415nm(例如約405nm)；以及，若微型發光二極體為紅光微型發光二極體(發光波長約為625nm)，則所使用的檢測光源之波長可約為520nm至540nm(例如約532nm)。
根據本揭露實施例，一具有感測器的檢測裝置可用來量測微型發光二極體的光學影像。該檢測裝置可將獲取的光學影像資訊向一分析系統連續饋送，並且通過該分析系統檢測出微型發光二極體是否存在外觀上的缺陷及其位置資訊，以辨別出不良微型發光二極體30a。舉例來說，該具有感測器的檢測裝置可為一線掃描相機。
根據本揭露實施例，在進行第二檢測後，可將良好微型發光二極體30b由載板20轉移至顯示基板50。微型發光二極體的轉移方式可為避開不良微型發光二極體30a，將良好微型發光二極體30b逐一由載板20轉移至顯示基板50。此外，亦可將一完全沒有不良微型發光二極體30a的微型發光二極體陣列80(即該微型發光二極體陣列80)，批量轉移至顯示基板50。
根據本揭露某些實施例，該微型發光二極體可包含第一光色微型發光二極體(例如藍色微型發光二極體)、第二光色微型發光二極體(例如綠色微型發光二極體)、以及第三光色微型發光二極體(例如紅色微型發光二極體)。
根據本揭露某些實施例，請參照第9圖，可利用一具有複數個拾取單元42的拾取裝置40將位於載板上的第一光色微型發光二極體30B由載板拾取，並利用拾取裝置40將第一光色微型發光二極體30B配置於顯示基板50上。
接著，在對顯示基板50上第一光色微型發光二極體30B進行一預接合製程後，對第一光色微型發光二極體30B進行第一檢測，並修復不良第一光色微型發光二極體30B。
接著，再利用拾取裝置40將位於載板上的第二光色微型發光二極體30G由載板拾取，並利用拾取裝置40將第二光色微型發光二極體30G配置於顯示基板50上。再對顯示基板50上第二光色微型發光二極體30G進行一預接合製程後，對第二光色微型發光二極體30G進行第一檢測，並修復不良第二光色微型發光二極體30G。
接著，再利用拾取裝置40將位於載板上的第三光色微型發光二極體30R由載板拾取，並利用拾取裝置40將第三光色微型發光二極體30R配置於顯示基板50上。再對顯示基板50上第三光色微型發光二極體30R進行一預接合製程後，對第三光色微型發光二極體30R進行第一檢測，並修復不良第三光色微型發光二極體30R。得到配置有預接合且檢測過的第一光色微型發光二極體30B、第二光色微型發光二極體30G、及第三光色微型發光二極體30R的顯示基板50，請參照第10圖。
換言之，於本實施例中係分別轉移、預接合、進行第一檢測以及修復第一光色微型發光二極體30B、第二光色微型發光二極體30G、及第三光色微型發光二極體30R的顯示基板50。接著，再對顯示基板50上第一光色微型發光二極體30B、第二光色微型發光二極體30G、及第三光色微型發光二極體30R進行一主接合製程，得到配置不同光色微型發光二極體的顯示基板50。
根據本揭露某些實施例，第一光色微型發光二極體30B、第二光色微型發光二極體30G、及第三光色微型發光二極體30R亦可同時藉由一轉移製程，使該等微型發光二極體同時配置於顯示基板之上。
根據本揭露某些實施例，在將第一光色微型發光二極體30B、第二光色微型發光二極體30G、及第三光色微型發光二極體30R同時配置於顯示基板後，再同時對第一光色微型發光二極體30B、第二光色微型發光二極體30G、及第三光色微型發光二極體30R進行預接合製程。
根據本揭露某些實施例，在對第一光色微型發光二極體30B、第二光色微型發光二極體30G、及第三光色微型發光二極體30R進行預接合製程後，再同時對第一光色微型發光二極體30B、第二光色微型發光二極體30G、及第三光色微型發光二極體30R進行第一檢測。
根據本揭露某些實施例，在對第一光色微型發光二極體30B、第二光色微型發光二極體30G、及第三光色微型發光二極體30R進行第一檢測與修復後，再同時對第一光色微型發光二極體30B、第二光色微型發光二極體30G、及第三光色微型發光二極體30R進行主接合製程。
根據本揭露某些實施例，在第一光色微型發光二極體30B、第二光色微型發光二極體30G、及第三光色微型發光二極體30R配置於載板時，可同時或分別進行一第二檢測，其中第二檢測的定義如上所述。
根據本揭露實施例，微型發光二極體顯示器可包含其他組件。此等其他組件包含(但不限於)：記憶體、觸控螢幕控制器及電池。在其他實施方案中，微型發光二極體顯示器可為電視機、平板電腦、電話、膝上型電腦、電腦監視器、獨立式終端機服務台、數位相機、手持遊戲控制台、媒體顯示器、電子書顯示器、車用顯示器或大面積電子看板顯示器。
雖然本揭露已以數個實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何本技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10  微型發光二極體顯示器的製造方法 11  步驟 13  步驟 15  步驟 17  步驟 19  步驟 20  載板 21  步驟 30  微型發光二極體 30a  不良微型發光二極體 30b  良好微型發光二極體 30B  第一光色微型發光二極體 30G  第二光色微型發光二極體 30R  第三光色微型發光二極體 40  拾取裝置 42  拾取單元 50  顯示基板 60  預接合製程 70  主接合製程 80  微型發光二極體陣列
第1圖為本揭露一實施例所述微型發光二極體顯示器的製程步驟流程圖。 第2圖為本揭露一實施例所述之具有複數個微型發光二極體之載板的示意圖。 第3圖為本揭露一實施例所述由載板拾取複數個微型發光二極體之的示意圖。 第4圖為本揭露一實施例所述將複數個微型發光二極體配置於顯示基板的示意圖。 第5圖為本揭露一實施例所述對具有複數個微型發光二極體進行預接合製程的示意圖。 第6圖為本揭露一實施例所述對具有複數個微型發光二極體進行第一檢測的示意圖。 第7圖為本揭露一實施例所述對具有複數個微型發光二極體進行主接合製程的示意圖。 第8圖為本揭露一實施例所述對具有複數個微型發光二極體進行第二檢測的示意圖。 第9圖為本揭露一實施例所述將複數個第一光色微型發光二極體配置於顯示基板的示意圖。 第10圖為本揭露一實施例所述具有第一光色、第二光色、及第三光色微型發光二極體的顯示基板的示意圖。
10  微型發光二極體顯示器的製造方法 11  步驟 13  步驟 15  步驟 17  步驟 19  步驟 21  步驟

Claims (11)

  1. 一種微型發光二極體顯示器的製造方法，包含：配置複數個微型發光二極體於一載板上；轉移該些微型發光二極體至一顯示基板，並對該些微型發光二極體進行一預接合(pre-bonding)製程以將該些微型發光二極體連接至該顯示基板上，並使該微型發光二極體與該顯示基板之間具有一第一接合強度；對該顯示基板上的該些微型發光二極體進行一第一檢測，並辨別是否有不良的微型發光二極體；以及在進行完該第一檢測後，對該微型發光二極體進行一主接合(main-bonding)製程，使該微型發光二極體與該顯示基板之間具有一第二接合強度，其中該第二接合強度大於第一接合強度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之微型發光二極體顯示器的製造方法，其中該第一檢測為電性檢測，當辨別出至少一不良微型發光二極體時，修復該不良微型發光二極體。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之微型發光二極體顯示器的製造方法，更包含：對該載板上的該微型發光二極體進行一第二檢測，並辨別複數個良好微型發光二極體；以及轉移該些良好微型發光二極體並預接合至該顯示基板上。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之微型發光二極體顯示器的製造方法，其中該第二檢測為光學檢測。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之微型發光二極體顯示器的製造方法，其中修復該不良微型發光二極體的步驟包含：以一已知良好微型發光二極體置換該不良微型發光二極體。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之微型發光二極體顯示器的製造方法，其中修復不良微型發光二極體的步驟包含：斷開該不良微型發光二極體與該顯示基板上一控制電路的電性連結；以及將一備用(redundant)微型發光二極體與顯示基板上的該控制電路進行電性連結。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之微型發光二極體顯示器的製造方法，其中該預接合製程的接合溫度小於該主接合製程的接合溫度。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之微型發光二極體顯示器的製造方法，其中該預接合製程的接合溫度與該主接合製程的接合溫度之差值大於或等於100℃。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之微型發光二極體顯示器的製造方法，其中該預接合製程的製程壓力小於該主接合製程的製程壓力。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之微型發光二極體顯示器的製造方法，其中該預接合製程的製程壓力與該主接合製程的製程壓力之差值大於或等於20kgf/cm2。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之微型發光二極體顯示器的製造方法，其中該預接合製程的製程時間小於該主接合製程的製程時間。
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