CN110349989B - 发光二极管、显示基板和转移方法 - Google Patents
发光二极管、显示基板和转移方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110349989B CN110349989B CN201910643338.1A CN201910643338A CN110349989B CN 110349989 B CN110349989 B CN 110349989B CN 201910643338 A CN201910643338 A CN 201910643338A CN 110349989 B CN110349989 B CN 110349989B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- display substrate
- cross
- light emitting
- light
- emitting diodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Abstract
本发明实施例提供一种发光二极管、显示基板和转移方法。转移方法包括:将显示基板设置在吸附载板上,传送头从供体基板上吸附多个发光二极管;传送头将所述多个发光二极管掉落在显示基板上,所述发光二极管掉入显示基板上的定位孔中;传送头吸附并移走显示基板上未落入定位孔的发光二极管。本发明预先将不同颜色的发光二极管设置成具有不同的截面形状,在显示基板上不同颜色的子像素内设置不同截面形状的定位孔,在转移过程中通过定位孔的定位作用,保证了每个发光二极管的准确落位,提高了定位精度,有效增加了传送头一次性抓取发光二极管的数量,提高了转移效率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种发光二极管、显示基板和转移方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)技术发展了近三十年,从最初的固态照明电源到显示领域的背光源再到LED显示屏,为其更广泛的应用提供了坚实的基础。随着芯片制作及封装技术的发展,约50微米~60微米的次毫米发光二极管(Mini Light EmittingDiode,Mini LED)显示和15微米以下的微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)显示逐渐成为显示面板的一个热点。其中,Micro LED(也称微发光二极管uLED)显示具有低功耗、高色域、高稳定性、高分辨率、超薄、易实现柔性显示等显著优势,有望成为替代有机发光二极管显示(Organic Light Emitting Diode,OLED)的更优显示技术。
Micro LED显示技术存在的一个技术难点是巨量转移技术。Micro LED只能通过外延生长制备,而如何将Micro LED从最初的外延衬底上简便、可靠地转移到显示基板上,一直是业界难题,阻碍了Micro LED显示的发展。目前,巨量转移技术的主要方向包括转移头转移、激光辅助转移等。其中,转移头转移是利用静电吸附或范德华力等方式抓取MicroLED并释放到指定位置,然后进行绑定(bonding)。
现有转移头转移方式中,由于需要Micro LED与显示基板的子像素精准定位,因而传送头一次性抓取Micro LED的数量较少,转移效率低,转移时间长,转移过程复杂,生产成本高,不适宜大规模量产。
因此,如何提高巨量转移的效率,是本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是,提供一种发光二极管、显示基板和转移方法,以克服现有技术存在的转移效率低等问题。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种发光二极管,包括发光结构以及与所述发光结构连接的第一电极焊盘和第二电极焊盘,所述第一电极焊盘和第二电极焊盘用于绑定连接显示基板,在出射第一颜色光线时,所述发光结构具有第一截面形状,在出射第二颜色光线时,所述发光结构具有不同于所述第一截面形状的第二截面形状,在出射第三颜色光线时,所述发光结构具有不同于所述第一截面形状和第二截面形状的第三截面形状。
可选地,所述第一截面形状包括矩形,所述第二截面形状包括椭圆形,所述第三截面形状包括菱形。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种显示基板,包括周期性排布的多个第一子像素、第二子像素和第三子像素,每个子像素包括驱动电路层以及设置在所述驱动电路层上的第一接触电极、第二接触电极和像素定义层,所述第一接触电极和第二接触电极用于绑定连接发光二极管,所述像素定义层上设置有定位孔,所述第一子像素设置的定位孔具有第一截面形状,所述第二子像素设置的定位孔具有不同于所述第一截面形状的第二截面形状,所述第三子像素设置的定位孔具有不同于所述第一截面形状和第二截面形状的第三截面形状。
可选地,所述第一子像素设置的定位孔的截面形状与出射第一颜色光线的第一发光二极管的截面形状相同,所述第二子像素设置的定位孔的截面形状与出射第二颜色光线的第二发光二极管的截面形状相同,所述第三子像素设置的定位孔的截面形状与出射第三颜色光线的第三发光二极管的截面形状相同。
可选地,所述定位孔的深度大于发光二极管的高度。
可选地,所述像素定义层的材料包括氮化硅、氧化硅或树脂。
可选地,所述定位孔的截面等效直径为发光二极管的截面等效直径的1.01~1.10倍。
可选地,所述第一截面形状包括矩形,所述第二截面形状包括椭圆形,所述第三截面形状包括菱形。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种转移方法,用于将多个前述的发光二极管转移到前述的显示基板上;所述转移方法包括:
将显示基板设置在吸附载板上,传送头从供体基板上吸附多个发光二极管;
传送头将所述多个发光二极管掉落在显示基板上,所述发光二极管掉入显示基板上的定位孔中;
传送头吸附并移走显示基板上未落入定位孔的发光二极管。
可选地,
传送头从供体基板上吸附多个发光二极管,包括:传送头从供体基板上吸附多个具有相同截面形状的发光二极管;
传送头将所述多个发光二极管掉落在显示基板上,所述发光二极管掉入显示基板上的定位孔中,包括:传送头将多个具有相同截面形状的发光二极管释放,所述多个发光二极管掉落在显示基板上,所述多个发光二极管掉入显示基板上截面形状相匹配的定位孔中;
传送头吸附并移走显示基板上未落入定位孔的发光二极管,包括:传送头再次加电,吸附并移走显示基板上因截面形状不匹配而未落入定位孔的发光二极管。
可选地,传送头将所述多个发光二极管掉落在显示基板上之前,还包括:传送头上吸附的发光二极管与显示基板的子像素对位。
可选地,传送头将所述多个发光二极管掉落在显示基板上之后,还包括:振动机构驱动承载装置振动。
可选地,传送头从供体基板上吸附多个发光二极管,包括:传送头从供体基板上吸附多个第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管。
可选地,所述发光二极管掉入显示基板上的定位孔中,包括:具有第一截面形状的第一发光二极管掉入显示基板第一子像素具有第一截面形状的的定位孔中,具有第二截面形状的第二发光二极管掉入显示基板第二子像素具有第二截面形状的的定位孔中,具有第三截面形状的第三发光二极管掉入显示基板第三子像素具有第三截面形状的的定位孔中。
本发明实施例提供了一种发光二极管、显示基板和转移方法,预先将不同颜色的发光二极管设置成具有不同的截面形状,在显示基板上不同颜色的子像素内设置不同截面形状的定位孔,在转移过程中通过定位孔的定位作用,保证了每个发光二极管的准确落位,提高了定位精度,不仅能够有效增加传送头一次性抓取发光二极管的数量,提高了转移效率,而且有效缩短了转移时间,提高了生产率,降低了生产成本,有效解决了现有技术存在的转移效率低等问题。
当然,实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述,并且,部分地从说明书实施例中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案,并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例,目的只是示意说明本发明内容。
图1为本发明实施例转移方法的流程图;
图2a、图2b和图2c为本发明实施例Micro LED的结构示意图;
图3为本发明实施例显示基板的结构示意图;
图4为图3中A-A向的剖面图;
图5为本发明实施例传送头吸附第一Micro LED的示意图。
附图标记说明:
100—发光结构; 101—第一电极焊盘; 102—第二电极焊盘;
103—封装壳体; 200—基底; 201—第一接触电极;
202—第二接触电极; 300—驱动电路层; 400—像素定义层;
401—定位孔; 501—转移板; 502—传送头;
503—控制器; 600—Micro LED。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
为了克服现有巨量转移技术存在的转移效率低等问题,本发明实施例提供了一种转移方法。图1为本发明实施例转移方法的流程图。如图1所示,本发明实施例转移方法包括:
S1、将显示基板设置在吸附载板上,传送头从供体基板上吸附多个发光二极管;
S2、传送头将所述多个发光二极管掉落在显示基板上,所述发光二极管掉入显示基板上的定位孔中;
S3、传送头吸附并移走显示基板上未落入定位孔的发光二极管。
其中,供体基板上放置有规则排布的多个第一发光二极管,显示基板包括周期性排布的第一子像素、第二子像素和第三子像素。第一发光二极管具有第一截面形状,第一子像素设置有具有第一截面形状的定位孔。
其中,传送头从供体基板上吸附多个发光二极管,包括:传送头从供体基板上吸附多个具有相同截面形状的发光二极管;
其中,传送头将所述多个发光二极管掉落在显示基板上,所述发光二极管掉入显示基板上的定位孔中,包括:传送头将多个具有相同截面形状的发光二极管释放,所述多个发光二极管掉落在显示基板上,所述多个发光二极管掉入显示基板上截面形状相匹配的定位孔中;
其中,传送头吸附并移走显示基板上未落入定位孔的发光二极管,包括:传送头再次加电,吸附并移走显示基板上因截面形状不匹配而未落入定位孔的发光二极管。
其中,供体基板上放置有周期性排布的多个第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管,显示基板包括周期性排布的第一子像素、第二子像素和第三子像素。第一发光二极管具有第一截面形状,第一子像素设置有具有第一截面形状的定位孔;第二发光二极管具有不同于第一截面形状的第二截面形状,第二子像素设置有第二截面形状的定位孔;第三发光二极管具有不同于所述第一截面形状和第二截面形状的第三截面形状,第三子像素设置有第三截面形状的定位孔。
其中,传送头将所述多个发光二极管掉落在显示基板上之前,还包括:传送头上吸附的发光二极管与显示基板的子像素对位。
其中,传送头将所述多个发光二极管掉落在显示基板上之后,还包括:振动机构驱动承载装置振动。
其中,传送头从供体基板上吸附多个发光二极管,包括:传送头从供体基板上吸附多个第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管。
其中,发光二极管掉入显示基板上的定位孔中,包括:具有第一截面形状的第一发光二极管掉入显示基板第一子像素具有第一截面形状的的定位孔中,具有第二截面形状的第二发光二极管掉入显示基板第二子像素具有第二截面形状的的定位孔中,具有第三截面形状的第三发光二极管掉入显示基板第三子像素具有第三截面形状的的定位孔中。
本发明实施例提供了一种转移方法,预先将不同颜色的发光二极管设置成具有不同的截面形状,在显示基板上不同颜色的子像素内设置不同截面形状的定位孔,在转移过程中通过定位孔的定位作用,保证了每个发光二极管的准确落位,提高了定位精度,不仅能够有效增加传送头一次性抓取发光二极管的数量,提高了转移效率,而且有效缩短了转移时间,提高了生产率,降低了生产成本,有效解决了现有技术存在的转移效率低等问题。
本发明实施例Micro LED的主体结构与相关技术Micro LED的主体结构基本上相同,所不同的是,本发明实施例的Micro LED,根据出光颜色不同设置成不同的截面形状。图2a、图2b和图2c为本发明实施例Micro LED的结构示意图。本发明实施例Micro LED的主体结构包括发光结构100,与发光结构100电连接的第一电极焊盘101和第二电极焊盘102,以及将发光结构100、第一电极焊盘101和第二电极焊盘102封装起来的封装壳体103。其中,第一电极焊盘101和第二电极焊盘102用于与显示基板的第一接触电极和第二接触电极绑定连接,第一电极焊盘101和第二电极焊盘102可以分别是P电极焊盘和N电极焊盘,也可以分别是N电极焊盘和P电极焊盘,发光结构100可以是出射第一颜色光线且具有第一截面形状的第一发光结构,形成第一Micro LED,也可以是出射第二颜色光线具有第二截面形状的第二发光结构,形成第二Micro LED,还可以是出射第三颜色光线具有第三截面形状的第三发光结构,形成第三Micro LED,使得第一Micro LED具有第一截面形状,第二Micro LED具有第二截面形状,第三Micro LED具有第三截面形状,第一截面形状、第二截面形状、第三截面形状各不相同。
本发明实施例将出射不同颜色的Micro LED设置成不同的截面形状,用于在转移过程中使相应颜色的Micro LED与显示基板上相应颜色的子像素的相匹配,具有第一截面形状的Micro LED只能掉落进第一子像素开设的具有第一截面形状的定位孔中,具有第二截面形状的Micro LED只能掉落进第二子像素开设的具有第二截面形状的定位孔中,具有第三截面形状的Micro LED只能掉落进第三子像素开设的具有第三截面形状的定位孔中,即Micro LED的截面形状与所落入的定位孔的截面形状相同。其中,本发明实施例所说的截面是指垂直于Micro LED出光方向的平面,也是指平行于显示基板的平面。其中,第一MicroLED可以是红色Micro LED,第二Micro LED可以是绿色Micro LED,第三Micro LED可以是蓝色Micro LED。实际实施时,发光结构100还可以包括第四颜色发光结构,形成第四MicroLED,第四Micro LED可以是白色Micro LED。
本发明实施例中,制备微型发光二极管Micro LED可以采用本领域成熟的制备工艺。例如,制备发光二极管的过程可以包括:在衬底上生长一层缓冲层,在缓冲层上生长N型半导体层,在N型半导体层上生长多量子阱,在多量子阱上生长P型半导体层,随后在N型半导体层上形成台阶,在N型半导体层上制备N电极焊盘,在P型半导体层上制备P电极焊盘,通过刻蚀在衬底上形成多个发光二极管,最后通过封装工艺形成封装每个发光二极管的封装壳体,N电极焊盘和P电极焊盘位于封装壳体外部,用于与显示基板绑定连接。其中,缓冲层、N型半导体层、多量子阱和P型半导体层一起作为本发明实施例的发光结构,N电极焊盘和P电极焊盘与发光结构连接。与相关技术Micro LED制备过程不同的是,在刻蚀形成多个发光二极管时,按照发光二极管的颜色以及所需匹配的像素大小,将不同颜色的Micro LED刻蚀成不同的截面形状。将不同颜色的Micro LED刻蚀成不同的截面形状可以利用现有成熟的工艺制备,只需调整相应掩膜板,这里不再赘述。最后,将制成的Micro LED与衬底分离,即可制备完成所需的Micro LED。实际实施时,形成特定截面形状的Micro LED也可以采用其它方式制备,本发明在此不做具体限定。
优选地,本发明实施例设置红色Micro LED的截面形状为矩形,如图2a所示,设置绿色Micro LED的截面形状为椭圆形,如图2b所示,设置蓝色Micro LED的截面形状为菱形,如图2c所示。实际实施时,可以根据实际需要将红色Micro LED、绿色Micro LED或蓝色Micro LED设计成其它截面形状,如正方形、圆形或三角形等,只需保证三种Micro LED的截面形状不同,本发明在此不做具体限定。
当制备完成具有不同截面形状的红色Micro LED、绿色Micro LED和蓝色MicroLED后,将多个Micro LED按照所需转移的间距排列设置在供体基板上,多个Micro LED在供体基板上周期性排布,周期性排布方式与显示基板的多个子像素的周期性排布方式相同,这样即形成本发明实施例的供体基板。
图3为本发明实施例显示基板的结构示意图,图4为图3中A-A向的剖面图。本发明实施例显示基板的主体结构与相关技术显示基板的主体结构基本上相同,所不同的是,本发明实施例显示基板上增加有像素定义层,像素定义层上开设有多个定位孔。如图3和图4所示,在平行于显示基板的平面上,显示基板包括矩阵排布的多个像素单元,每个像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,形成在基底200上周期性排布的第一子像素、第二子像素和第三子像素。在垂直于显示基板的平面上,每个子像素包括基底200,设置在基底200上的驱动电路层300,设置在驱动电路层300上的第一接触电极201、第二接触电极202和像素定义层400,像素定义层400上开设有定位孔401。其中,第一接触电极201和第二接触电极202用于与Micro LED的第一电极焊盘和第二电极焊盘绑定连接,第一接触电极201和第二接触电极202可以分别是P接触电极和N接触电极,也可以分别是N接触电极和P接触电极。像素定义层400的定位孔401用于在转移过程中使Micro LED准确地落到子像素的指定位置,保证Micro LED的第一电极焊盘与显示基板的第一接触电极接触以及Micro LED的第二电极焊盘与显示基板的第二接触电极接触。
本发明实施例中,第一子像素中像素定义层的定位孔401具有第一截面形状,第二子像素中像素定义层的定位孔401具有第二截面形状,第三子像素中像素定义层的定位孔401具有第三截面形状,第一截面形状、第二截面形状、第三截面形状各不相同。同时,第一子像素中像素定义层的定位孔401的截面形状与出射第一颜色光线的第一Micro LED的截面形状相同,第二子像素中像素定义层的定位孔401的截面形状与出射第二颜色光线的第二Micro LED的截面形状相同,第三子像素中像素定义层的定位孔401的截面形状与出射第三颜色光线的第三Micro LED的截面形状相同。实际实施时,可以根据三种颜色Micro LED的亮度,精确设计三种颜色Micro LED的截面尺寸大小以及在显示基板上的设置位置,以满足显示要求。
本发明实施例将不同子像素的定位孔设置成不同的截面形状,用于在转移过程中使显示基板上相应颜色的子像素与相应颜色的Micro LED相匹配,只有Micro LED的截面形状与定位孔的截面形状相同,该Micro LED才能掉入定位孔中,即具有第一截面形状的定位孔只能允许具有第一截面形状的Micro LED掉落其中,具有第二截面形状的定位孔只能允许具有第二截面形状的Micro LED掉落其中,具有第三截面形状的定位孔只能允许具有第三截面形状的Micro LED掉落其中。实际实施时,像素单元还可以包括第四子像素,如白色子像素。
本发明实施例中,像素定义层的材料可以采用氮化硅SiNx、氧化硅SiOx或树脂,或其它较为稳定的材料,以不影响Micro LED的发光及稳定工作。像素定义层的厚度大于Micro LED的高度,即像素定义层上定位孔的深度大于Micro LED的高度。这样,一旦MicroLED掉落在定位孔中,Micro LED便位于像素定义层的表面之下。实际实施时,像素定义层的厚度可以根据Micro LED的高度以及传送头的静电力的大小设计,只要保证传送头再次施加静电力时不会吸附上掉落在定位孔中的Micro LED即可。
本发明实施例中,制备显示基板可以采用本领域成熟的制备工艺,先在基底上制备驱动电路层,驱动电路层包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)和公共电极,然后在驱动电路层上制备与薄膜晶体管的漏电极连接的第一接触电极和与公共电极连接的第二接触电极。其中,制备驱动电路层、第一接触电极和第二接触电极的过程与相关技术相同。与相关技术显示基板制备过程不同的是,在制备完成第一接触电极和第二接触电极后,本发明实施例通过图形化工艺形成开设有定位孔的像素定义层,定位孔用于在转移过程中使显示基板上相应颜色的子像素与相应颜色的Micro LED相匹配,只有Micro LED的截面形状与定位孔的截面形状相同,该Micro LED才能掉入定位孔中。
具体地,显示基板的制备过程可以包括:(1)在基底200上先形成缓冲层;(2)通过构图工艺在缓冲层上形成有源层;(3)形成覆盖有源层的第一绝缘层和设置在第一绝缘层上的第一栅电极;(4)形成覆盖第一栅电极的第二绝缘层和设置在第二绝缘层上的第二栅电极;(5)形成覆盖第二栅电极的第三绝缘层,其上开设有暴露出有源层的两个第一过孔;(6)在第三绝缘层上形成源电极、漏电极和公共电极,源电极和漏电极分别通过第一过孔与有源层连接;(7)形成覆盖源电极、漏电极和公共电极的第四绝缘层,其上开设有暴露出漏电极和公共电极的两个第二过孔;(8)在第四绝缘层上形成第一电极和第二电极,第一电极通过一个第二过孔与漏电极连接,第二电极通过另一个第二过孔与公共电极连接;(9)形成第五绝缘层,其上开设有暴露出第一电极和第二电极的第三过孔。本发明实施例中,从缓冲层到第五绝缘层之间的结构称之为驱动电路层300;(10)在第五绝缘层的第三过孔内形成第一接触电极201和第二接触电极202,第一接触电极201与第一电极连接,第二接触电极202与第二电极连接;(11)沉积或涂覆一层像素定义薄膜,通过对像素定义薄膜进行构图,形成像素定义层400,像素定义层400在每个子像素形成有定位孔,定位孔暴露出第一接触电极201和第二接触电极202。其中,每个子像素的定位孔具有不同的截面形状,第一子像素中定位孔的截面形状与第一Micro LED的截面形状相同,第二子像素中定位孔的截面形状与第二Micro LED的截面形状相同,第三子像素中定位孔的截面形状与第三Micro LED的截面形状相同。
优选地,本发明实施例设置第一子像素为红色子像素,定位孔的截面形状为矩形,第二子像素为绿色子像素,定位孔的截面形状为椭圆形,第三子像素为蓝色子像素,定位孔的截面形状为菱形,如图3所示。实际实施时,可以根据实际需要将红色子像素、绿色子像素或蓝色子像素中的定位孔设计成其它截面形状,如正方形、圆形或三角形等,只需保证三种子像素中定位孔的截面形状不同,但子像素中定位孔的截面形状与相同颜色的Micro LED的截面形状和相同。此外,为了保证Micro LED顺利地掉入定位孔中,本发明实施例设置定位孔的截面尺寸稍大于Micro LED的截面尺寸,对于Micro LED截面的等效直径为D,设置定位孔截面的等效直径为1.01~1.10D。
下面通过Micro LED转移过程详细说明本发明实施例的技术方案。
(1)分别制备供体基板和显示基板。有关制备供体基板以及制备显示基板的过程,已在前面详细说明。所制备的供体基板包括规则排布的多个第一Micro LED,第一MicroLED具有第一截面形状。所制备的显示基板包括周期性排布的多个第一子像素、第二子像素和第三子像素,第一子像素设置有具有第一截面形状的定位孔,第二子像素设置有具有第二截面形状的定位孔,第三子像素设置有具有第三截面形状的定位孔。其中,制备供体基板和制备显示基板没有时序要求,两者可以同时进行。实际实施时,吸附的第一Micro LED的数量可以多于显示基板上第一子像素的数量。
(2)传送头从供体基板上吸附所有第一Micro LED,移动至显示基板的上方并简单对位。图5为本发明实施例传送头吸附第一Micro LED的示意图。本发明实施例中,传送头吸附Micro LED并与显示基板进行对位的设备和方式与相关技术基本上相同。转移设备包括转移板501、传送头502和控制器503,多个微器件传送头设置在转移板的表面上,每个传送头设置有阵列电极,控制器用于向传送头上的阵列电极施加电压,使阵列电极充电并产生静电力,以吸附Micro LED 600,同时控制转移板移动到显示基板的上方,被吸附的MicroLED朝向下方的显示基板。显示基板设置在承载装置上,显示基板的像素定义层400朝向上方的传送头,即像素定义层400的定位孔401朝向上方的Micro LED,如图5所示。当吸附有第一Micro LED的传送头距离显示基板一定距离时开始对位,传送头上排布的第一Micro LED的位置与显示基板上排布的第一子像素的位置一一对应,且每个第一Micro LED的位置与定位孔的位置相对应。
(3)传送头逐渐靠近显示基板,当传送头上吸附的第一Micro LED的端部与显示基板上像素定义层的表面相距设定距离时,控制器停止向传送头的阵列电极施加电压,使传送头的静电力消失,多个第一Micro LED在自身重力作用下掉落到显示基板对应的第一子像素上,并掉入第一子像素的定位孔中。
由于传送头上规则排布的第一Micro LED的位置与显示基板上周期性排布的第一子像素的位置一一对应,且第一Micro LED的截面形状与第一子像素中开设的定位孔的截面形状相同,因而在第一Micro LED落到第一子像素后,具有第一截面形状的第一MicroLED掉入显示基板第一子像素具有第一截面形状的的定位孔中。当第一Micro LED的截面形状与定位孔的截面形状不符时,第一Micro LED无法掉入定位孔中。这样,由于定位孔的定位作用,有效保证了Micro LED落到相应的子像素且位于相应的位置,进而保证了MicroLED的第一电极焊盘与子像素的第一接触电极实现良好的接触,Micro LED的第二电极焊盘与子像素的第二接触电极实现良好的接触。
实际实施时,可以在承载装置上设置振动机构,在第一Micro LED落到显示基板上后,振动机构驱动承载装置振动,调整第一Micro LED的姿态,提高第一Micro LED掉入定位孔的概率,促进第一Micro LED掉入定位孔的顺利程度,增强第一Micro LED的电极焊盘与子像素的接触电极的良好接触。
(4)控制器重新向传送头上的阵列电极施加电压,使传送头恢复静电力,显示基板上未落入定位孔的第一Micro LED被传送头重新吸附,并被移走。
本发明实施例中,由于像素定义层的存在,使得落入定位孔的第一Micro LED与传送头有一定距离,因而传送头的静电力无法再次抓取落入定位孔的第一Micro LED。具体地,由于定位孔的深度大于Micro LED的高度,一旦第一Micro LED落入定位孔中,第一Micro LED便位于像素定义层的表面之下,而因截面形状不符而未落入定位孔的第一MicroLED则散落在像素定义层的表面上,这样就使落入定位孔的第一Micro LED与未落入定位孔的第一Micro LED之间具有一定距离差距,可以保证在传送头重新抓取位于像素定义层表面上的第一Micro LED时,不会吸走已落入定位孔的第一Micro LED。
之后,对第二Micro LED和第三Micro LED重复执行上述转移处理,即可完成全部Micro LED的转移。分别转移不同颜色的Micro LED,可以简化供体基板上Micro LED的排列,有利于Micro LED落入定位孔。
全部Micro LED转移完成后,进行焊接和封装等后续处理,焊接和封装等后续处理与相关技术的处理过程相同。例如,在制作像素定义层之后,在显示基板的第一接触电极和第二接触电极上涂抹锡膏,在完成Micro LED转移后,通过回流焊过程实现Micro LED上第一电极焊盘和第二电极焊盘与显示基板上第一接触电极和第二接触电极的连接。又如,在完成Micro LED转移、连接及检查修复后,进行封装以提升Micro LED的稳定性。封装过程可采取多种方式,包括覆盖盖板、涂覆有机树脂等。本发明中的像素定义层不需要去除,像素定义层可以作为封装盖板的支撑物,能够提升Micro LED的封装效果。具体焊接和封装过程,这里不再赘述。
通过上述转移过程可以看出,本发明实施例预先将不同颜色的Micro LED设置成具有不同的截面形状,在显示基板上不同颜色的子像素内设置不同截面形状的定位孔,在转移过程中通过定位孔的定位作用,保证了每个Micro LED的准确落位,提高了定位精度,不仅能够有效增加传送头一次性抓取Micro LED的数量,提高了转移效率,而且有效缩短了转移时间,提高了生产率,降低了生产成本。此外,通过设置定位孔,使落入定位孔的MicroLED与未落入定位孔的Micro LED之间产生距离差异,在传送头重新抓取Micro LED时,既不需要选择性抓取,也不会触碰到已落入定位孔的Micro LED,使得Micro LED的巨量转移变得快速、简单、易于操作,便于大规模量产,同时减少了对Micro LED的损伤,保证了转移可靠性,提高了成品率,降低了后续检测和更新需求,进一步降低了生产成本。
与现有技术相比,本发明实施例有效解决了现有技术存在的转移效率低等问题,具有工艺难度低、易于实施、适用于任意尺寸、任意形状、任意批量的大规模量产。基于本申请实施例的技术方案,传送头可以采用大型传送头,可一次性抓取某个显示背板所需的全部Micro LED,或某个衬底的全部Micro LED,转移方式选择性更高,利于量产,具有很强的实现性,具有良好的应用前景。此外,本发明实施例所提出的发光二极管和显示基板,利用现有成熟的设备即可实现,能够很好地与现有制备工艺兼容,具有工艺简单、易于实现、生产效率高、生产成本低和良品率高等优点。
需要说明的是,前述Micro LED转移过程仅仅是一种示例说明,并非限定本发明转移方法。实际实施时,基于本发明实施例的技术构思,上述转移方法可以根据实际情况进行相应调整。例如,供体基板包括周期性排布的多个第一Micro LED、第二Micro LED和第三Micro LED,第一Micro LED、第二Micro LED和第三Micro LED的周期性排布方式与第一子像素、第二子像素和第三子像素的周期性排布方式相同。传送头从供体基板上一次性抓取全部第一Micro LED、第二Micro LED和第三Micro LED,经简单对位后将多个第一MicroLED、第二Micro LED和第三Micro LED洒落在显示基板上,振动机构驱动承载装置振动,使第一Micro LED落入第一子像素的定位孔中,第二Micro LED落入第二子像素的定位孔中,第三Micro LED落入第三子像素的定位孔中。然后传送头恢复静电力,吸附并移走显示基板上剩余的Micro LED。
此外,相对于现有转移工艺,本发明实施例还具有返工机制简便的特点。由于本发明转移工艺采用形状匹配,对于遗漏的子像素,可以进行二次转移,重复进行一次转移工序。因此,相较于其它生产工艺,本发明形状匹配的转移放方式提供了简单方便的返工机制。
在本发明实施例的描述中,需要理解的是,术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“绑定”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上,但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式,并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员,在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下,可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化,但本发明的专利保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (11)
1.一种显示基板,其特征在于,包括周期性排布的多个第一子像素、第二子像素和第三子像素,每个子像素包括驱动电路层以及设置在所述驱动电路层上的第一接触电极、第二接触电极和像素定义层,所述第一接触电极和第二接触电极用于绑定连接发光二极管,所述像素定义层上设置有定位孔,所述第一接触电极和第二接触电极位于所述定位孔中,所述定位孔暴露出所述第一接触电极和第二接触电极,所述定位孔的深度大于发光二极管的高度,使得落入定位孔中的发光二极管位于所述像素定义层的表面之下,未落入定位孔的发光二极管位于所述像素定义层的表面上,落入定位孔的发光二极管与未落入定位孔的发光二极管之间具有一定距离差距,在传送头吸附并移走显示基板上未落入定位孔的发光二极管的过程中,保证已落入定位孔的发光二极管不会被吸走,且落入定位孔中的发光二极管的第一电极焊盘和第二电极焊盘分别与所述第一接触电极和第二接触电极实现良好的接触;所述第一子像素设置的定位孔具有第一截面形状,所述第二子像素设置的定位孔具有不同于所述第一截面形状的第二截面形状,所述第三子像素设置的定位孔具有不同于所述第一截面形状和第二截面形状的第三截面形状。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一子像素设置的定位孔的截面形状与出射第一颜色光线的第一发光二极管的截面形状相同,所述第二子像素设置的定位孔的截面形状与出射第二颜色光线的第二发光二极管的截面形状相同,所述第三子像素设置的定位孔的截面形状与出射第三颜色光线的第三发光二极管的截面形状相同。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述像素定义层的材料包括氮化硅、氧化硅或树脂。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述定位孔的截面等效直径为发光二极管的截面等效直径的1.01~1.10倍。
5.根据权利要求1~4任一所述的显示基板,其特征在于,所述第一截面形状包括矩形,所述第二截面形状包括椭圆形,所述第三截面形状包括菱形。
6.一种转移方法,用于将多个发光二极管转移到如权利要求1~5任一所述的显示基板上;所述发光二极管包括发光结构以及与所述发光结构连接的第一电极焊盘和第二电极焊盘,所述第一电极焊盘和第二电极焊盘用于绑定连接显示基板,在出射第一颜色光线时,所述发光结构具有第一截面形状,在出射第二颜色光线时,所述发光结构具有不同于所述第一截面形状的第二截面形状,在出射第三颜色光线时,所述发光结构具有不同于所述第一截面形状和第二截面形状的第三截面形状;其特征在于,所述转移方法包括:
将显示基板设置在吸附载板上,传送头从供体基板上吸附多个发光二极管;
传送头将所述多个发光二极管掉落在显示基板上,所述发光二极管掉入显示基板上的定位孔中,所述定位孔的深度大于发光二极管的高度,使得落入定位孔中的发光二极管位于所述像素定义层的表面之下,未落入定位孔的发光二极管位于所述像素定义层的表面上,落入定位孔的发光二极管与未落入定位孔的发光二极管之间具有一定距离差距,保证已落入定位孔的发光二极管不会被吸走,且落入定位孔中的发光二极管的第一电极焊盘和第二电极焊盘分别与所述第一接触电极和第二接触电极实现良好的接触;
传送头吸附并移走显示基板上未落入定位孔的发光二极管。
7.根据权利要求6所述的转移方法,其特征在于,
传送头从供体基板上吸附多个发光二极管,包括:传送头从供体基板上吸附多个具有相同截面形状的发光二极管;
传送头将所述多个发光二极管掉落在显示基板上,所述发光二极管掉入显示基板上的定位孔中,包括:传送头将多个具有相同截面形状的发光二极管释放,所述多个发光二极管掉落在显示基板上,所述多个发光二极管掉入显示基板上截面形状相匹配的定位孔中;
传送头吸附并移走显示基板上未落入定位孔的发光二极管,包括:传送头再次加电,吸附并移走显示基板上因截面形状不匹配而未落入定位孔的发光二极管。
8.根据权利要求6所述的转移方法,其特征在于,传送头将所述多个发光二极管掉落在显示基板上之前,还包括:传送头上吸附的发光二极管与显示基板的子像素对位。
9.根据权利要求6所述的转移方法,其特征在于,传送头将所述多个发光二极管掉落在显示基板上之后,还包括:振动机构驱动承载装置振动。
10.根据权利要求6所述的转移方法,其特征在于,传送头从供体基板上吸附多个发光二极管,包括:传送头从供体基板上吸附多个第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管。
11.根据权利要求10所述的转移方法,其特征在于,所述发光二极管掉入显示基板上的定位孔中,包括:具有第一截面形状的第一发光二极管掉入显示基板第一子像素具有第一截面形状的的定位孔中,具有第二截面形状的第二发光二极管掉入显示基板第二子像素具有第二截面形状的的定位孔中,具有第三截面形状的第三发光二极管掉入显示基板第三子像素具有第三截面形状的的定位孔中。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910643338.1A CN110349989B (zh) | 2019-07-17 | 2019-07-17 | 发光二极管、显示基板和转移方法 |
US16/904,584 US11362072B2 (en) | 2019-07-17 | 2020-06-18 | Light emitting diodes having different shapes with each having corresponding shape with respective pixel defining layer openings and a transfer method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910643338.1A CN110349989B (zh) | 2019-07-17 | 2019-07-17 | 发光二极管、显示基板和转移方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110349989A CN110349989A (zh) | 2019-10-18 |
CN110349989B true CN110349989B (zh) | 2022-05-03 |
Family
ID=68175759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910643338.1A Active CN110349989B (zh) | 2019-07-17 | 2019-07-17 | 发光二极管、显示基板和转移方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11362072B2 (zh) |
CN (1) | CN110349989B (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109950182A (zh) | 2019-03-29 | 2019-06-28 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | Micro LED的巨量转移方法和巨量转移装置 |
CN112786645B (zh) * | 2019-11-07 | 2023-09-12 | 华为技术有限公司 | 一种显示面板和电子设备 |
CN111081160B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-01-04 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
US11855050B2 (en) * | 2020-10-08 | 2023-12-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Micro-LED displays, micro-led transferring substrates, and methods of transferring micro-LEDs using the micro-LED transferring substrates |
CN114141804B (zh) * | 2021-11-23 | 2023-05-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 发光二极管的转移方法、发光基板以及显示面板 |
CN114280845B (zh) * | 2021-12-29 | 2024-02-20 | 广东晶科电子股份有限公司 | 一种Mini LED背光源、背光模组及其制作方法 |
CN116612699B (zh) * | 2023-07-17 | 2023-11-21 | 惠科股份有限公司 | 灯板、显示装置和灯板的组装方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104115266A (zh) * | 2012-02-09 | 2014-10-22 | 勒克斯维科技公司 | 转移并键合微型器件阵列的方法 |
CN107146769A (zh) * | 2017-05-23 | 2017-09-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微发光二极管的转移设备及转移方法 |
CN107833526A (zh) * | 2016-09-15 | 2018-03-23 | 伊乐视有限公司 | 拾取‑移除系统以及发光显示器的修复方法 |
CN107863316A (zh) * | 2017-11-06 | 2018-03-30 | 上海天马微电子有限公司 | Micro LED转运装置、转运方法及其制作方法 |
CN108461438A (zh) * | 2018-04-03 | 2018-08-28 | 泉州市盛维电子科技有限公司 | 一种微型发光二极管的巨量转移装置及转移方法 |
CN109065677A (zh) * | 2018-08-17 | 2018-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | Micro-LED巨量转移方法及Micro-LED基板 |
CN109755162A (zh) * | 2019-01-15 | 2019-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种转移装置、Micro-LED晶粒及转移方法 |
CN109950182A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-28 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | Micro LED的巨量转移方法和巨量转移装置 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101058880B1 (ko) * | 2010-05-07 | 2011-08-25 | 서울대학교산학협력단 | 액티브 소자를 구비한 led 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
US9281451B2 (en) * | 2012-02-17 | 2016-03-08 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting element and fabricating method thereof |
US9178123B2 (en) * | 2012-12-10 | 2015-11-03 | LuxVue Technology Corporation | Light emitting device reflective bank structure |
US9105714B2 (en) * | 2012-12-11 | 2015-08-11 | LuxVue Technology Corporation | Stabilization structure including sacrificial release layer and staging bollards |
KR101427593B1 (ko) * | 2013-04-26 | 2014-08-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN106688115B (zh) * | 2014-09-12 | 2019-06-14 | 世迈克琉明有限公司 | 半导体发光元件的制造方法 |
KR102393374B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2022-05-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법 |
JP2017073508A (ja) * | 2015-10-09 | 2017-04-13 | 旭化成株式会社 | Led基板 |
CN105528969B (zh) * | 2016-03-03 | 2019-03-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN105870265A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管基板及其制备方法、显示装置 |
CN107170773B (zh) * | 2017-05-23 | 2019-09-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微发光二极管显示面板及其制作方法 |
KR102436750B1 (ko) * | 2017-09-15 | 2022-08-26 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 |
CN207705223U (zh) * | 2017-12-11 | 2018-08-07 | 上海九山电子科技有限公司 | 一种微型led芯片及其转移设备 |
US20190252637A1 (en) * | 2018-02-13 | 2019-08-15 | Innolux Corporation | Foldable display device |
KR20200057872A (ko) * | 2018-11-16 | 2020-05-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 감지 유닛과 그를 포함하는 표시 장치 |
KR20200110569A (ko) * | 2019-03-15 | 2020-09-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 감지 유닛과 이를 포함하는 표시 장치 |
KR20200119444A (ko) * | 2019-04-09 | 2020-10-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조 방법 |
TWI723417B (zh) * | 2019-06-06 | 2021-04-01 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型發光二極體顯示器的製造方法 |
KR20210020187A (ko) * | 2019-08-13 | 2021-02-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210021216A (ko) * | 2019-08-16 | 2021-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2019
- 2019-07-17 CN CN201910643338.1A patent/CN110349989B/zh active Active
-
2020
- 2020-06-18 US US16/904,584 patent/US11362072B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104115266A (zh) * | 2012-02-09 | 2014-10-22 | 勒克斯维科技公司 | 转移并键合微型器件阵列的方法 |
CN107833526A (zh) * | 2016-09-15 | 2018-03-23 | 伊乐视有限公司 | 拾取‑移除系统以及发光显示器的修复方法 |
CN107146769A (zh) * | 2017-05-23 | 2017-09-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微发光二极管的转移设备及转移方法 |
CN107863316A (zh) * | 2017-11-06 | 2018-03-30 | 上海天马微电子有限公司 | Micro LED转运装置、转运方法及其制作方法 |
CN108461438A (zh) * | 2018-04-03 | 2018-08-28 | 泉州市盛维电子科技有限公司 | 一种微型发光二极管的巨量转移装置及转移方法 |
CN109065677A (zh) * | 2018-08-17 | 2018-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | Micro-LED巨量转移方法及Micro-LED基板 |
CN109755162A (zh) * | 2019-01-15 | 2019-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种转移装置、Micro-LED晶粒及转移方法 |
CN109950182A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-28 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | Micro LED的巨量转移方法和巨量转移装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11362072B2 (en) | 2022-06-14 |
US20210020613A1 (en) | 2021-01-21 |
CN110349989A (zh) | 2019-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110349989B (zh) | 发光二极管、显示基板和转移方法 | |
US10886257B2 (en) | Micro LED display device and method for manufacturing same | |
US9935136B2 (en) | Manufacturing method of display with lighting devices | |
CN110047866B (zh) | 阵列基板、显示面板及微型led的转移方法 | |
US20230119947A1 (en) | A substrate for manufacturing display device and a manufacturing method using the same | |
CN110350063B (zh) | 发光二极管、显示基板和转移方法 | |
CN109273565B (zh) | 一种微发光二极管芯片的转移方法 | |
EP3993049A1 (en) | Substrate for producing display device, and method for producing display device | |
US20190058081A1 (en) | Micro light-emitting diode (led) display and assembly apparatus | |
US10707377B2 (en) | Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same | |
US20230047241A1 (en) | Display device using semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof | |
CN111492488B (zh) | 使用半导体发光元件的显示装置及其制造方法 | |
CN111492487B (zh) | 使用半导体发光元件的显示装置及其制造方法 | |
CN109545731B (zh) | 转移头及其制备方法、转移方法、转移装置 | |
US11777057B2 (en) | Spherical LED chip, method for manufacturing the same, display panel, and method for spherical LED chip transfer | |
US20230163248A1 (en) | Semiconductor light-emitting device self-assembly apparatus and method | |
US20220416125A1 (en) | Display apparatus using micro led and manufacturing method therefor | |
US20230268456A1 (en) | Substrate for manufacturing display apparatus and method for manufacturing display apparatus using same | |
US20230005888A1 (en) | Semiconductor light-emitting element supply device and supply method | |
EP3871263B1 (en) | Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same | |
EP4030481A1 (en) | Display device using semiconductor light-emitting diode | |
KR20200026770A (ko) | 마이크로 엘이디를 이용한 디스플레이 장치 | |
EP4092748A1 (en) | Display device using semiconductor light-emitting element | |
US20220367423A1 (en) | Apparatus and method for collecting semiconductor light emitting diodes | |
KR20210004767A (ko) | 마이크로 진공모듈을 이용한 마이크로 led 어레이 전사를 위한 기판, 마이크로 led 어레이, 마이크로 진공모듈 간의 배치 구조 및 이를 이용한 마이크로 led 디스플레이 제작 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |