CN112786645B - 一种显示面板和电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种显示面板和电子设备。显示面板的显示区划分为至少两个像素区，像素区包括至少两个子像素，显示区包括第一显示区和第二显示区，第一显示区的子像素密度小于第二显示区的子像素密度；在第一显示区中，至少部分相邻两个像素区的结构不同。通过改变第一显示区内至少部分像素区的结构，在一定程度上改变第一显示区内像素区内结构的排布规律性，能够打破以一个像素区为周期的短周期衍射光栅的规律，形成长周期的衍射光栅或者无周期的衍射光栅，从而能够改善光线穿透显示面板时导致的衍射现象。

Description

一种显示面板和电子设备

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和电子设备。

【背景技术】

随着显示技术的发展，人们对使用的电子产品不仅要求流畅的使用体验，而且对视觉体验的要求也越来越高，高屏占比成为目前研究的方向。对于电子产品来说，前置摄像头等光学元件的设置必然会占据一定的空间，从而影响屏占比。而为了提升屏占比，实现全面屏，研究人员考虑屏下光学元件的实现方案。

将光学元件设置在显示面板的发光器件所在膜层的下方，即将光学元件设置在显示区内。当需要显示时，光学元件所在的位置能够正常显示；当需要使用光学元件时，光线穿透显示面板到达光学元件最终被光学元件利用。光学元件设置在屏下，光线需要穿透显示面板的膜层结构才能被光学元件利用，对目前的屏下光学元件设置方案进行评估发现，屏下光学元件的成像非常模糊，难以满足用户的需求。

【发明内容】

有鉴于此，本申请提供了一种显示面板和电子设备，改善光线穿透显示面板后的成像质量，以提升屏下光学元件的光学效果。

第一方面，本申请提供了一种显示面板，显示面板的显示区划分为至少两个像素区，像素区包括至少两个子像素，显示区包括第一显示区和第二显示区，第一显示区的子像素密度小于第二显示区的子像素密度；其中，在第一显示区中，至少部分相邻两个像素区的结构不同。

本申请提供的显示面板中第一显示区的子像素密度小于第二显示区的子像素密度，在显示面板组装成显示装置时，在第一显示区对应的位置下方可以设置光学元件，比如可以为：摄像头、光学指纹传感器、结构光发射器、结构光接收器、接近光发射器、接近光接收器、飞行时间(time of flight,TOF)器件中一种或多种。通过设置第一显示区的子像素密度小于第二显示区的子像素密度，能够提升第一显示区的透光率，从而能够增大屏下光学元件接收的光量。在本申请提供的显示面板中，可以是第一显示区内部分相邻两个像素区的结构不同，也可以是第一显示区内全部相邻的两个像素区(也即任意相邻的两个像素区)的结构不同。与相关技术中在显示区内设置相同结构的多个像素区相比，本申请能够在一定程度上改变第一显示区内像素区排布的规律性，从而能够减弱光线穿透显示面板时的衍射现象，进而提升屏下光学元件的光学效果。

在一些可选的实施方式中，第一显示区包括阵列排布的至少两个重复单元，重复单元包括至少两个像素区，在一个重复单元中，至少部分相邻两个像素区的结构不同。重复单元中包括两个像素区或两个以上的像素区。当重复单元中包括两个像素区时，这两个像素区的结构不同。当重复单元包括两个以上的像素区时，可以是部分相邻两个像素区的结构不同，而部分相邻两个像素区的结构相同；也可以是任意相邻两个像素区的结构不同。通过设置包括至少两个像素区的重复单元在第一显示区内阵列排布，而在重复单元内的至少两个像素区非周期排布，在第一显示区内实现了短程非周期化，长程周期化的像素区的排布，能够改善光线穿透显示面板时的衍射现象，进而提升屏下光学元件的光学效果，同时像素区周期性排布，能够保证在蒸镀工艺中掩膜板均匀受力，从而满足掩膜板的平整度要求，保证蒸镀工艺的可靠性。

在一些可选的实施方式中，重复单元内的所有像素区呈阵列排布，至少部分像素区与其对角线方向上的相邻像素区的结构相同。

在一些可选的实施方式中，在第一显示区中，任意相邻两个像素区的结构不同。

在一些可选的实施方式中，像素区包括发光区，一个子像素对应一个发光区，在结构不同的相邻两个像素区中：子像素的发光区的排布结构不同。

在一些可选的实施方式中，子像素的发光区的排布结构不同，包括下述至少之一：相邻两个发光区之间的间隔距离不同；发光区相对于显示面板的同一边缘的倾斜角度不同；发光区的形状不同；发光区的面积大小不同；发光区的相对位置不同。

在一些可选的实施方式中，在结构不同的相邻两个像素区中：至少一个像素区包括遮光结构；像素区包括发光区和非发光区，一个子像素对应一个发光区，非发光区包围发光区，遮光结构与非发光区交叠。

在一些可选的实施方式中，子像素包括依次堆叠的第一电极、发光层和第二电极；遮光结构和第一电极同层同材料制作。

在一些可选的实施方式中，结构不同的相邻两个所述像素区均包括遮光结构，且两个像素区中遮光结构的下述至少之一不同：遮光结构的面积大小、遮光结构的形状、遮光结构的个数、遮光结构与所述发光区的相对位置。

在一些可选的实施方式中，像素区包括发光区和非发光区，一个子像素对应一个发光区，非发光区包围发光区；显示区还包括至少两条信号线，信号线包括位于非发光区的第一信号线段；在结构不同的相邻两个像素区中，下述至少之一不同：第一信号线段的线宽；第一信号线段的线形；相邻两条第一信号线段之间的间距。

在一些可选的实施方式中，在第二显示区中，相邻两个像素区的结构相同。

第二方面，本申请提供了一种电子设备，包括本申请提供的任意一种显示面板，还包括光学元件，光学元件位于第一显示区的下方。

本申请实施例提供的显示面板和电子设备具有如下有益效果：在第一显示区内至少部分相邻两个像素区的结构不同，实现至少部分的相邻两个像素区的透光区域的形状不同，也即通过改变至少部分像素区的结构，在一定程度上改变第一显示区内像素区的结构的排布规律性，能够打破以一个像素区为周期的短周期衍射光栅的规律，形成长周期的衍射光栅或者无周期的衍射光栅，从而能够改善光线穿透显示面板时导致的衍射现象，改善光线穿透显示面板后的成像质量，提升屏下光学元件的光学效果。另外，本申请实施例提供的显示面板仅需要对第一显示区内的至少部分像素区的结构做差异性设计，不会影响第一显示区内像素密度。

【附图说明】

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本申请实施例提供的显示面板的一种可选实施方式示意图；

图2为图1中Q1位置处的局部放大图；

图3为本申请实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式示意图；

图4为相关技术中的显示面板局部示意图；

图5为本申请实施例提供的显示面板一种可选实施方式膜层结构局部示意图；

图6为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的一种可选实施方式局部俯视示意图；

图7为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图；

图8为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图；

图9为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图；

图10为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图；

图11为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图；

图12为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图；

图13为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图；

图14为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图；

图15为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图；

图16为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图；

图17为图13中切线A-A＇位置处的一种可选实施方式膜层结构示意图；

图18为图13中切线A-A＇位置处的另一种可选实施方式膜层结构示意图；

图19为本申请实施例提供的显示面板中第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图；

图20为本申请实施例提供的显示面板中第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图；

图21为本申请实施例提供的显示面板中第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图；

图22为本申请实施例提供的显示面板中第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图；

图23为本申请实施例提供的显示面板中第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图；

图24为本申请实施例提供的显示面板中第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图；

图25为本申请实施例提供的电子设备示意图。

【具体实施方式】

为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。

应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。

应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

在相关的显示技术中，将光学元件设置在显示面板的下方，且位于显示区，即在光学元件对应的上方仍然设置有像素。当需要进行显示时，光学元件所在位置处能够正常显示；当开启光学元件的功能时，光线穿透显示面板后被光学元件所利用。实现了屏下光学元件的方案，能够有利于提高屏占比。发明人发现，在目前的屏下光学元件的方案中，光线穿透显示面板时会产生明显的衍射现象，经衍射后的光线会严重影响光学元件的光学性能。以光学元件为摄像头为例，屏下摄像头的主要作用就是拍照或者摄像，摄像头利用衍射后的光线而成像的图像清晰度非常差，严重影响摄像头的拍照效果。

光学元件设置在显示面板的显示区的下方，光线需要穿透显示面板的显示层和阵列层之后才能被光学元件所利用。而在光线穿透显示面板时，显示层中的排布的多个发光器件和阵列层中的像素电路、以及信号线均相当于衍射光栅，光线穿透时会产生衍射现象。而在相关技术中，为了降低制作工艺的难度，在整个面板中会采用相同结构的像素来制作，即在显示区内结构相同的像素呈阵列排布。在阵列层中的像素电路也相应的阵列排布。发明人通过大量的试验研究和思考认为：相关技术中的显示区相当于以一个像素作为一个周期形成短周期的规则衍射光栅，在光线穿透显示面板时形成短周期的规则条纹衍射，而严重影响光学元件的光学性能。

基于此，本申请提供一种显示面板和电子设备，在光学元件对应的显示区域(也即本申请中第一显示区)，设置至少部分相邻两个像素区的结构不同，实现至少部分的相邻两个像素区透光区域的形状不同，也即通过改变至少部分相邻两个像素区的结构，在一定程度上改变第一显示区内像素区的排布规律性，能够打破至少部分的短周期的规则衍射光栅，增大光栅的周期长度或者形成无周期的光栅，能够弱化光线穿透显示面板时导致的衍射现象，进而提升屏下光学元件的光学效果。

图1为本申请实施例提供的显示面板的一种可选实施方式示意图。图2为图1中Q1位置处的局部放大图。图3为本申请实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式示意图。图4为相关技术中的显示面板局部示意图。

如图1所示，显示区AA包括第一显示区AA1和第二显示区AA2，第一显示区AA1的子像素密度小于第二显示区AA2的子像素密度，子像素密度即为单位面积内的子像素数量。在显示面板组装成电子设备时，在第一显示区AA1对应的位置下方可以设置光学元件，比如可以为：摄像头、光学指纹传感器、结构光发射器、结构光接收器、接近光发射器、接近光接收器、飞行时间(time of flight,TOF)器件中一种或多种。通过设置第一显示区AA1的子像素密度小于第二显示区AA2的子像素密度，能够提升第一显示区AA1的透光率，从而能够增大屏下光学元件接收的光量。本申请实施例中对于第一显示区AA1的形状不做限定，第一显示区AA1的形状可以为圆形、半圆形、三角形、矩形或者任意多边形。对于第一显示区AA1和第二显示区AA2的相对位置关系也不做限定。图1仅以第二显示区AA2包围第一显示区AA1进行示意，如图3示意的，第二显示区AA2也可以半包围第一显示区AA1。

如图2所示，显示面板的显示区AA划分为多个像素区P，像素区P包括至少两个子像素sp，图中示意一个像素区P包括发红光的子像素spR、发蓝光的子像素spB和发绿光的子像素spG，共三个子像素进行示意，可选的，一个像素区P还可以包括发白光的子像素，或者一个像素区只包括2中不同颜色的子像素，在此不再附图示意。由图2可以看出第一显示区AA1的子像素密度小于第二显示区AA2的子像素密度。

需要说明的是，本申请实施例中所述的像素区是指若干相邻的子像素及其附近结构所构成的区域。在一种实施例中，一个像素区包括两个子像素；在另一种实施例中，一个像素区包括三个子像素；在另一种实施例中，一个像素区也可以包括四个子像素。本申请实施例中均以一个像素区包括三个子像素进行示意，对于其他情况，可以参照进行理解。

在第一显示区AA1中，至少部分相邻两个像素区P的结构不同。其中，本申请所述的结构包括但不限于像素区内子像素的发光区的排布结构、像素区的组成结构、以及像素区内信号线的排布结构。子像素的发光区的排布结构包括子像素的发光区之间的间隔距离、子像素的发光区相对于显示面板的同一边缘的倾斜角度、子像素的发光区的形状、子像素发光区的面积大小中的至少一种。像素区的组成结构可以是：像素区除包括子像素外，还可以包括其他结构，比如遮光结构。图2中示意的结构不同仅以子像素的发光区相对于显示面板同一边缘的倾斜角度不同进行示意。

需要说明的是，本申请提供的显示面板可以为有机发光显示面板，显示面板包括依次堆叠的衬底基板、阵列层和显示层。显示层包括多个有机发光器件，有机发光器件包括阳极、发光层和阴极。多个有机发光器件至少包括配置为发射红光的发光器件、配置为发射绿光的发光器件和配置为发射蓝光的发光器件，一个有机发光器件对应一个子像素。在显示时，通过在阳极和阴极上施加电压之后，发光层受激发后发出光线，实现子像素的发光，所以子像素的发光区的形状和大小通常与发光层的形状和大小相对应。继续参考图2示意的，像素区内包括多个发光区G和非发光区FG，其中，发光区G也即子像素sp的能够发光的区域，图2中也仅以发光区G的形状来示意子像素sp。非发光区FG即为包围发光区G的区域。通常情况下，为了提高子像素sp的出光效率，会相应的将有机发光器件的阳极设置成反射阳极，发光层发出的光线照射到反射阳极之后会被阳极反射，然后再次由阴极出射，所以阳极的透光率非常低，通常认为阳极不透光，也即发光区G不透光。则本申请提供的显示面板应用在屏下光学元件方案中时，光线只能穿透非发光区FG后被光学元件利用。而在阵列层中还设置有多个像素电路和多条信号线，这些像素电路和信号线并不能完全被有机发光器件遮挡，则在相邻的两个发光区G之间会有多条信号线，这些信号线对光线也具有一定的遮挡作用，所以非发光区FG区域并非完全都是透光区域。而非发光区FG内信号线之间的间隙也能够形成衍射光栅，对穿透显示面板的光线具有一定的衍射作用。由于非发光区FG内走线较复杂，在此仅做文字说明，并未在图2中进行示意。

如图4示意的相关技术中显示面板的设计方式，示出了部分显示区域AA1＇和显示区域AA2＇，显示区域AA1＇的子像素密度小于显示区域AA2＇的子像素密度。显示区域AA1＇内的像素区P＇采用规律的排布方式，各个像素区P＇的结构相同，一个像素区P＇包括发红光的子像素spR＇、发蓝光的子像素spB＇和发绿光的子像素spG＇。发明人认为：相关技术中每一个像素区P＇均相当于一个衍射光栅，由于各个像素区P＇的结构相同，则在各个像素区P＇对应的非发光区FG＇内走线排布也大致相同，当图4示意的显示面板应用在屏下光学元件方案中时，则相当于以一个像素区P＇作为一个周期，形成短周期的规则衍射光栅，在光线穿透显示面板时形成短周期的规则条纹衍射，而严重影响光学元件的光学性能。

继续参考图2示意的，示意出相互垂直的第一方向x和第二方向y，以显示面板包括一条延伸方向为第二方向y的边缘(图中为局部示意图，并未示出显示面板的边缘)为例，以子像素均为条状结构进行示意，像素区P1内的三个子像素sp均相对于第二方向y倾斜一定的角度，而在第二方向y上与像素区P1相邻的像素区P2内的三个子像素sp相对于第二方向y大致不倾斜，在第二方向y上相邻的像素区P1和像素区P2的结构不同。像素区P3内的三个子像素sp也相对于第二方向y倾斜一定的角度，但像素区P3内的三个子像素sp相对于第二方向y的倾斜方向，与像素区P1内三个子像素sp相对于第二方向y的倾斜方向相反，则像素区P3的结构和像素区P1的结构不同。如图中示意的，像素区P3和像素区P1之间没有间隔像素区P，则像素区P3和像素区P1也属于相邻的且结构不同的两个像素区。同理，像素区P2和像素区P3也属于相邻的且结构不同的两个像素区。如图2示意的，以相邻的像素区P1和像素区P2为例，通过设置像素区P1和像素区P2的结构不同后，则像素区P1和像素区P2各自对应的非发光区FG的形状发生变化，同时在各自的非发光区FG内暴露出的走线的长短或数量也会相应发生变化，从而非发光区FG内对应的透光区域的形状相应的发生变化。则像素区P1和像素区P2形成了两个不同的衍射光栅，所以本申请提供的显示面板中，不再以一个像素区作为衍射光栅的周期，打破了以一个像素区为周期的短周期衍射光栅的规律。

本申请实施例提供的显示面板，在第一显示区内至少部分相邻两个像素区的结构不同，通过改变至少部分像素区的结构，在一定程度上改变第一显示区内像素区结构的排布规律性，能够打破以一个像素区为周期的短周期衍射光栅的规律。可以对第一显示区内像素区的结构进行规律性的差异设计来增大衍射光栅的周期长度，或者也可以对第一显示区内像素区的结构进行差异性设计来实现无周期的衍射光栅，从而能够改善光线穿透显示面板时导致的衍射现象，提升屏下光学元件的光学效果。另外，本申请实施例提供的显示面板仅需要对第一显示区内的至少部分像素区的结构做差异性设计，不会影响第一显示区内子像素密度。

需要说明的是，图2仅示意出部分相邻的两个像素区P的结构不同的情况。可选的，也可以是任意相邻两个像素区P的结构不同，而在此种情况下，对于不相邻的像素区的结构是可以相同的，将在下述具体的实施方式中进行详细说明。

图5为本申请实施例提供的显示面板一种可选实施方式膜层结构局部示意图。如图5所示，显示面板包括衬底基板101、阵列层102和显示层103。显示层103包括有机发光器件J，有机发光器件J包括阳极a、发光层b和阴极c。其中，有机发光器件J至少包括配置为发射红光的发光器件、配置为发射绿光的发光器件和配置为发射蓝光的发光器件，图中并未做区分。可选的，有机发光器件J中还包括空穴传输层、电子传输层、空穴注入层、电子注入层中至少一种，图中并未示出。显示层103还包括像素定义层PDL，像素定义层PDL包括多个开口K，一个开口K对应一个有机发光器件J，像素定义层PDL用于间隔各个有机发光器件J。阵列层102包括多个像素电路，像素电路与有机发光器件J的阳极a电连接，图中仅示意出像素电路中的一个晶体管T。图中仅以顶栅结构的晶体管进行示意，可选的晶体管T也可以为底栅结构的，在此不再附图示意。在显示层103之上还设置有封装结构104，封装结构104用于阻隔水氧，防止水氧对有机发光器件J造成侵害，保证有机发光器件J的使用寿命。封装结构104可以为薄膜封装，包括至少一层有机层和至少一层无机层。

本申请实施例提供的显示面板可以采用如下制作方法进行制作：首先制作衬底基板101；然后在衬底基板101上制作阵列层102，其中，阵列层102至少包括半导体有源层、栅极金属层、源漏金属层以及各个金属层之间的绝缘层。其中，阵列层102采用现有技术中的工艺制程来制作。如采用经涂胶-曝光-显影-刻蚀的工艺制程依次制作晶体管T中的有源层、栅极、以及源极和漏极。在晶体管的源极和漏极制作完成之后，制作绝缘层C1，绝缘层C1可以是平坦化层。对绝缘层C1进行刻蚀形成暴露漏极的过孔O，然后再在绝缘层C1之上制作有机发光器件的阳极a，阳极a同样采用刻蚀工艺制作，阳极a通过过孔O与晶体管T的漏极电连接；然后在阳极a之上制作整层的像素定义层PDL，对像素定义层PDL进行刻蚀形成暴露阳极的开口K。然后采用蒸镀的工艺制作发光层b和其他有机膜层，其中，在蒸镀发光层b时，采用同一个掩膜板对发射相同颜色光的发光器件对应的开口K进行蒸镀。有机发光器件中的空穴传输层等其他有机膜层也同样采用蒸镀工艺制作。蒸镀完有机层之后，一般情况下铺设整层的阴极层。

在一种实施例中，在本申请实施例提供的显示面板中，在第二显示区中，相邻两个像素区的结构相同。继续参考图2所示的第二显示区AA2的局部区域，在第二显示区AA2内，相邻两个像素区P的结构相同。也即在第二显示区AA2内的多个像素区，仍然以一个像素区为周期，呈周期排布。该实施例中，仅对第一显示区AA1内的像素区的结构做改变，而不对第二显示区AA2内的像素区的结构做改变。设置第一显示区内子像素密度减小，且第一显示区内至少部分相邻两个像素区的结构不同，实现提升第一显示区的透光率，并且能够在至少部分区域中打破以一个像素区为周围的排布规律。该实施例提供的显示面板应用在屏下光学元件方案时，能够增大光学元件接收的光量，同时改善光线穿透显示面板时的衍射现象，提升光学元件的光学性能。

在本申请实施例提供的显示面板中，在第一显示区内采用改变子像素的发光区的排布结构来实现相邻两个像素区的结构不同时，可以通过相应的调整阳极刻蚀工艺中采用的掩膜板和像素定义层的刻蚀工艺中采用的掩膜板来实现，通过相应的对两种掩膜板进行调整设计后，能够实现对像素区内子像素的发光区的排布结构进行改变，从而能够对子像素的发光区之间的间隔距离、子像素的发光区相对于显示面板的同一边缘的倾斜角度、子像素的发光区的形状或者子像素发光区的面积大小中的任意一种进行调整，实现相邻两个像素区的结构不同。在第一显示区内采用改变像素区的组成结构来实现相邻两个像素区的结构不同时，可以在上述描述的制作过程中增加相应的工艺制程来增加新的结构，或者也可以通过对掩膜板进行设计来改变现有部分膜层结构的形状来实现。在第一显示区内采用改变像素区内信号线的排布结构来实现相邻两个像素区的结构不同时，可以通过对信号线制作工艺中用到的掩膜板进行设计来实现。

在一些可选的实施方式中，本申请实施例提供的显示面板，像素区包括发光区，一个子像素对应一个发光区，在结构不同的相邻两个像素区中：子像素的发光区的排布结构不同。通过调整子像素的发光区的排布结构，来实现相邻两个像素区的结构不同。像素区内子像素的发光区的排布结构变化，则该像素区对应的非发光区的形状发生变化，非发光区对应的阵列层的走线数量或者走线长短也会相应发生变化，从而打破以一个像素区为周期的短周期衍射光栅的规律，改善光线穿透显示面板时导致的衍射现象，提升屏下光学元件的光学效果。

可选的，本申请实施例提供的显示面板中，所述子像素的所述发光区的排布结构不同，包括下述至少之一：相邻两个发光区之间的间隔距离不同、发光区相对于显示面板的同一边缘的倾斜角度不同、发光区的形状不同、发光区的面积大小不同、发光区的相对位置不同。对于具体的通过调整子像素的发光区的排布结构来实现相邻两个像素区的结构不同的实施方式，将在下述实施例中进行举例说明。

在一种实施例中，通过调整像素区内相邻两个发光区之间的间隔距离，来调整像素内子像素的发光区的排布结构，来实现相邻两个像素区的结构不同。图6为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的一种可选实施方式局部俯视示意图。如图6所示，像素区包括发光区G，一个子像素sp对应一个发光区G。图中仅以发光区G的形状来示意子像素sp。以一个像素区P包括三个子像素sp1、sp2和sp3进行示意，子像素sp1、sp2和sp3分别发射不同颜色的光。图中以像素区内三个子像素在第一方向x上排列，且三个子像素均为条状结构进行示意。在一个像素区内的两个子像素的发光区G之间的间隔距离即为两个子像素的发光区G在第一方向x上的间距。在像素区P4中：子像素sp1的发光区G和子像素sp2的发光区G之间的间隔距离为L1，子像素sp2的发光区G和子像素sp3的发光区G之间的间隔距离为L2；在像素区P5中：子像素sp1的发光区G和子像素sp2的发光区G之间的间隔距离为L1＇，子像素sp2的发光区G和子像素sp3的发光区G之间的间隔距离为L2＇；其中，L1≠L1＇，且L2≠L2＇，相邻的像素区P4和P5的子像素的排布结构不同。可选的，在该种实施方式中，L1与L2可以相等，也可以不相等。同样的，L1＇与L2＇可以相等，也可以不相等。图中示意的像素区P4在第一方向x上和在第二方向y上均与像素区P5相邻。

图6对应的实施例示意出了在相邻两个像素区中，通过设置像素区内相邻两个发光区之间的间隔距离不同，实现相邻两个像素区的子像素的发光区的排布结构不同，从而实现相邻两个像素区的结构不同，打破以一个像素区为周期的短周期衍射光栅的规律，来改善光线穿透显示面板时的衍射现象。以一个像素区包括三个子像素为例，如图6所示的，三个子像素sp在第一方向x上依次排列，则在一个像素区中，相邻两个发光区G之间的间隔距离至少包括两个，即子像素sp1的发光区G和子像素sp2的发光区G之间的间隔距离，以及子像素sp2的发光区G和子像素sp3的发光区G之间的间隔距离。图6实施例中，示意出在相邻的两个像素区中，对应的这两个间隔距离均不同。在另一种实施中，相邻两个像素区中，对应的一个间隔距离不同，而另一个间隔距离相同。比如：在相邻两个像素区中：子像素sp1的发光区G和子像素sp2的发光区G之间的间隔距离不同，而子像素sp2的发光区G和子像素sp3的发光区G之间的间隔距离相同。

在一种实施例中，通过调整像素区内子像素的发光区相对于显示面板的同一边缘的倾斜角度，来调整像素区内子像素的发光区的排布结构，来实现相邻两个像素区的结构不同。图7为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图。如图7所示，以发光区G的形状来示意子像素sp，以一个像素区包括三个子像素sp1、sp2和sp3，且三个子像素均为条状结构进行示意。以显示面板的某一个边缘的延伸方向与图7中示意的第一方向x相同为例(图中为局部示意图，并未示出显示面板的边缘)。图中像素区P6内子像素的发光区G相对于第一方向x的倾斜角度为α1，像素区P7内子像素的发光区G相对于第一方向x的倾斜角度为β1，其中，α1≠β1，即相邻的像素区P6和像素区P7内发光区相对于显示面板的同一边缘的倾斜角度不同，则相邻的像素区P6和像素区P7的子像素的排布结构不同。该实施例中，可选的，β1＝90°。

在一种实施例中，图8为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图。如图8所示，以发光区G的形状来示意子像素sp，以一个像素区包括三个子像素sp1、sp2和sp3，且三个子像素均为条状结构进行示意。以显示面板的某一个边缘的延伸方向与图8中示意的第一方向x相同为例。图中像素区P8内子像素的发光区G相对于第一方向x的倾斜角度为α2，像素区P9内子像素的发光区G相对于第一方向x的倾斜角度为β2，其中，α2≠β2，即相邻的像素区P8和像素区P9内发光区相对于显示面板的同一边缘的倾斜角度不同，则相邻的像素区P8和像素区P9的子像素的排布结构不同。

图7和图8对应的实施例示意了，通过调整相邻两个像素区内发光区相对于显示面板的同一边缘的倾斜角度，来实现相邻两个像素区内子像素的发光区的排布结构不同，从而实现相邻两个像素区的结构不同。图7和图8均示意的同一个像素区内的所有的子像素的发光区相对于显示面板的同一边缘的倾斜角度相同的情况，在一些可选的实施方式中，在结构不同的相邻两个像素区中：同一个像素区内的所有的子像素的发光区相对于显示面板的同一边缘的倾斜角度不完全相同。

在一种实施例中，通过调整像素区内子像素的发光区的形状，来调整像素区内子像素的发光区的排布结构，来实现相邻两个像素区的结构不同。图9为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图。如图9所示，以发光区G的形状来示意子像素sp，以一个像区素包括三个子像素sp1、sp2和sp3进行示意，图中示意一个像素区中三个子像素呈三角形排列为例,三个子像素sp1、sp2和sp3分别占据三角形的三个顶角。像素区P10和像素区P11中相对应的子像素sp1的发光区G的形状、子像素sp2的发光区G的形状和子像素sp3的发光区G的形状均不相同，相邻的像素区P10和像素区P11的子像素的排布结构不同。

需要说明的是，图9实施例中，同种图案填充表示同一种子像素，而不以相同形状表示同一种子像素。而且，图9中各个子像素的形状仅做示意性表示，并不作为对本申请实施例的限定。通过调整像素区内发光区的形状，来调整子像素的发光区的排布结构的实施方式中，可以根据具体设计需要及工艺需要，对子像素的形状进行设计。

图9对应的实施例示意的是，在相邻两个像素区中，对应排布的子像素的发光区的形状均不相同，来实现两个像素区的结构不同。在另一种实施例中，相邻两个像素区中，对应的部分子像素的发光区的形状不相同，剩余的对应子像素的发光区的形状相同。以图9示意的一个像素区中三个子像素呈三角形排列为例，可以是相邻的两个像素区中，对应的子像素sp1的发光区形状不同，对应的子像素sp2的发光区形状不同，而对应的子像素sp3的发光区形状相同。

在一种实施例中，在结构不同的相邻两个像素区中：属于同一个像素区的所有的子像素的形状可以全部相同，也可以部分相同，在此不再附图示意。

在一种实施例中，通过调整像素区内子像素的发光区的面积大小，来调整像素区内子像素的发光区的排布结构，来实现相邻两个像素区的结构不同。图10为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图。如图10所示，以发光区G的形状来示意子像素sp，以一个像素区包括三个子像素sp1、sp2和sp3进行示意，像素区P12中三个子像素各自的发光区G的面积均对应大于像素区P13中三个子像素的发光区G的面积，相邻的像素区P12和像素区P13的子像素排布结构不同。需要说明的是，图10中像素区内子像素的发光区的排布方式仅做示意性表示，不作为对本申请的限定，通过调整像素区内子像素的发光区的面积大小，来调整子像素的排布结构的实施方式，适用于任意一种能够实现的子像素排布方式。

图10示意出，在相邻的两个像素区中：一个像素区内的三个子像素的发光区的面积，均大于另一个像素区内对应的三个子像素的发光区的面积。

在另一种实施例中，在结构不同的相邻两个像素区中：两个子像素的发光区的面积对应相同，一个子像素的发光区的面积对应不相同。

在另一种实施例中，在结构不同的相邻两个像素区中：一个子像素的发光区的面积对应相同，两个子像素的发光区的面积对应不相同。

在一种实施例中，图11为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图。如图11所示，以发光区G的形状来示意子像素sp，以一个像素区包括三个子像素sp1、sp2和sp3进行示意。像素区P14和像素区P15中相对应的子像素sp1的发光区G的形状、子像素sp2的发光区G的形状和子像素sp3的发光区G的形状均不相同。且，像素区P14和像素区P15中，对应的相邻两个发光区之间的间隔距离也不同。像素区P14和像素区P15的子像素发光区的排布结构不同。该实施例通过同时调整相邻两个发光区之间的间隔距离和发光区的形状，来调整子像素的发光区的排布结构，实现相邻两个像素区的结构不同。

在一种实施例中，图12为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图。如图12所示，以发光区G的形状来示意子像素sp，以一个像素区包括三个子像素sp1、sp2和sp3进行示意。像素区P43和像素区P44中相对应的子像素sp1的发光区G的形状相同(图中以发光区均为圆形进行示意)，但是相邻的两个发光区G之间的相对位置不同。实现了像素区P43和像素区P44的子像素发光区的排布结构不同。该实施例通过调整相邻两个发光区的相对位置，来调整子像素的发光区的排布结构，实现相邻两个像素区的结构不同。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请实施例可以采用调整相邻两个发光区之间的间隔距离、调整发光区相对于显示面板的同一边缘的倾斜角度、调整发光区的形状、调整发光区的面积大小、调整相邻两个发光区的相对位置中的一种或者多种，来调整像素内子像素的发光区的排布结构，实现相邻两个像素区的结构不同。

在一些可选的实施方式中，本申请实施例提供的显示面板，在结构不同的相邻两个像素区中：至少一个像素区包括遮光结构；像素区包括发光区和非发光区，一个子像素对应一个发光区，非发光区包围发光区，遮光结构与非发光区交叠。在第一显示区内，遮光结构能够对穿透显示面板的光线起到遮挡作用，遮光结构与非发光区交叠，则在像素区内遮光结构的设置能够改变该像素区对应的非发光区内的透光区域的形状，从而改变该像素区形成的衍射光栅的形状，实现相邻的两个像素区对应形成不同的衍射光栅。进而能够打破以一个像素区为周期的短周期衍射光栅的规律，改善光线穿透显示面板时导致的衍射现象，提升屏下光学元件的光学效果。

在一种实施例中，图13为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图。如图13所示，像素区包括至少两个发光区G和包围发光区G的非发光区FG，以一个像素区包括三个子像素sp1、sp2和sp3进行示意。则一个像素区除了包括三个子像素对应的发光区G之外，还包括包围这些发光区G的非发光区FG。像素区P16包括遮光结构Z，遮光结构Z与非发光区FG交叠，在俯视图中，可以看出遮光结构Z位于非发光区FG。遮光结构Z能够对光线起到遮挡作用，改变了像素区P16对应的非发光区FG内的透光区域的形状，从而改变像素区P16形成的衍射光栅的形状。与像素区P16相邻的像素区P17不包括遮光结构，像素区P16和像素区P17的结构不同，则像素区P16和像素区P17形成的衍射光栅的形状不同，能够打破以一个像素区为周期的短周期衍射光栅的规律，改善光线穿透显示面板时导致的衍射现象。

图13中仅示意出了一种遮光结构的设置方式，在另一种实施例中，如图14所示，图14为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图。像素区P18包括遮光结构Z，遮光结构Z与非发光区FG交叠，与像素区P18相邻的像素区P19不包括遮光结构，则像素区P18和像素区P19的结构不同。该实施例中遮光结构Z的形状、以及遮光结构Z与子像素sp的相对位置与图13不同。遮光结构Z与非发光区FG交叠，遮光结构Z的形状和以及其与子像素的相对位置会相应的影响非发光区FG内透光区域的形状，从而能够影响该非发光区FG对应的像素区形成的衍射光栅的形状。

需要说明的是，图13和图14中像素区内子像素的排布方式仅做示意性表示。本申请实施例提供的显示面板中对于像素区内的遮光结构的面积大小、遮光结构与子像素的相对位置、遮光结构的个数、遮光结构的形状均不作限定。

在一种实施例中，图15为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图。如图15所示，像素区P20包括遮光结构Z1，像素区P21包括遮光结构Z2，遮光结构Z1和遮光结构Z2的面积大小不同。遮光结构与非发光区交叠，则遮光结构的面积大小会影响遮光结构与非发光区的交叠面积，从而影响非发光区内透光区域的形状，进而影响了该非发光区对应的像素区形成的衍射光栅的形状。该实施例中，相邻两个像素区中遮光结构的面积大小不同，则相邻两个像素区形成的衍射光栅的形状不同，能够打破以一个像素区为周期的短周期衍射光栅的规律，改善光线穿透显示面板时导致的衍射现象。

在一种实施例中，图16为本申请实施例提供的显示面板的第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图。如图16所示，像素区P22包括遮光结构Z3，像素区P23包括遮光结构Z4，遮光结构Z3和遮光结构Z4与子像素的发光区的相对位置不同，相邻的像素区P22和像素区P23的结构不同。遮光结构与非发光区交叠，遮光结构与子像素的发光区的相对位置，影响遮光结构与非发光区的交叠位置，从而影响非发光区内透光区域的形状，进而影响了该非发光区对应的像素区形成的衍射光栅的形状。该实施例中，相邻两个像素区中遮光结构与子像素的发光区的相对位置不同，则相邻两个像素区形成的衍射光栅的形状不同，能够打破以一个像素区为周期的短周期衍射光栅的规律，改善光线穿透显示面板时导致的衍射现象。

在一种实施例中，结构不同的相邻两个像素区均包括遮光结构，且两个像素区中遮光结构的个数不同。本申请中对于像素区中遮光结构的个数不做限定。遮光结构的个数不同，则遮光结构与非发光区总的交叠位置不同，则相邻两个像素区对应的非发光区内透光区域的形状不同，则相邻两个像素区形成的衍射光栅的形状不同，能够打破以一个像素为周期的短周期衍射光栅的规律。

在一种实施例中，结构不同的相邻两个像素区均包括遮光结构，且两个像素区中遮光结构的形状不同。本申请对于像素区中遮光结构的具体形状不做限定。遮光结构与非发光区交叠，则遮光结构的形状能够影响非发光区内透光区域的形状，两个像素区中遮光结构的形状不同，则相邻两个像素区形成的衍射光栅的形状不同，能够打破以一个像素区为周期的短周期衍射光栅的规律。

在本申请实施例提供的显示面板中，遮光结构在显示面板中的膜层位置包括多种情况。遮光结构可以与显示面板中的现有的膜层结构位于同一层，或者也可以在显示面板中增加膜层结构来制作遮光结构。下述实施例将对遮光结构的膜层位置做举例说明。

在一种实施例中，图17为图13中切线A-A＇位置处的一种可选实施方式膜层结构示意图。如图17所示，显示面板包括衬底基板101、阵列层102和显示层103。对于面板的部分膜层结构也可以参考上述图5对应的实施例说明进行理解。本申请实施例中子像素sp包括依次堆叠的第一电极a1、发光层b1和第二电极c1；也即一个子像素sp对应一个有机发光区器件。可选的，第一电极a1为阳极、第二电极c1为阴极。遮光结构Z和第一电极a1同层同材料制作。在显示面板制作时，首先铺设整层的用于制作第一电极的膜层材料，然后材料刻蚀工艺对膜层进行刻蚀，同时形成遮光结构的图案和第一电极的图案。遮光结构复用第一电极的工艺制程来完成制作，仅需要对第一电极制作中采用的掩膜板的形状进行设计，不需要增加额外的膜层结构，工艺简单。

图17示意的实施例中，遮光结构Z与第一电极a1不连接。在另一种实施例中，遮光结构与第一电极同层同材料制作，且部分遮光结构与第一电极相连接，该实施例中，也仅需要对刻蚀第一电极时采用的掩膜板的形状进行设计，即能实现显示面板的制作。

在一种实施例中，图18为图13中切线A-A＇位置处的另一种可选实施方式膜层结构示意图。如图18所示，遮光结构Z位于衬底基板101远离阵列层102的一侧，该实施例中，可以在衬底基板101的背面贴附遮光结构Z。遮光结构Z的设置不需要对阵列层102和显示层103的制作工艺做改变。

在一种实施例中，遮光结构也可以位于衬底基板和阵列层之间，也即在显示面板制作时，首先在衬底基板上制作出遮光结构，在完成遮光结构的制作工艺之后，再开始阵列层的工艺制程。

在一些可选的实施例中，遮光结构包括遮光层，遮光结构可以采用现有的能够对光具有吸收或者反射作用的材料来制作，遮光结构的制作材料包括金属、金属氧化物、有机聚合物中至少一种或多种。

进一步的，在一些可选的实施方式中，本申请实施例提供的显示面板，第一显示区包括阵列排布的至少两个重复单元，重复单元包括至少两个像素区，在一个重复单元中，至少部分相邻两个像素区的结构不同。本申请实施例对于重复单元中像素区的个数不做限定，一个重复单元中可以包括两个像素区、三个像素区或者更多个像素区。在一个重复单元中，所有的像素区可以沿某一个方向依次排列，或者所有的像素区也可以呈阵列排布。在一个重复单元中，可以是部分相邻两个像素区的结构不同，而部分相邻两个像素区的结构相同；也可以是任意相邻的两个像素区的结构均不同。

本申请实施例中通过在第一显示区内设置阵列排布的至少两个重复单元，一个重复单元包括至少两个像素区，第一显示区内衍射光栅的周期为一个重复单元的长度，与相关技术相比增大了衍射光栅的周期长度，实现了短程非周期化，长程周期化的像素区排布，能够弱化光线穿透显示面板时导致的衍射现象，进而提升屏下光学元件的光学效果。另外，在显示面板中发光层的蒸镀工艺中，蒸镀工艺采用的掩膜板非常薄，像素定义层对掩膜板起到一定的支撑作用。本申请实施例通过设置重复单元阵列排布，则像素定义层的开口也以一个重复单元为周期呈阵列排布，能够保证在蒸镀工艺中掩膜板均匀受力，从而保证掩膜板的平整度要求，保证蒸镀工艺的可靠性。

在一种实施例中，重复单元包括两个像素区。图19为本申请实施例提供的显示面板中第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图。如图19所示，重复单元CC包括两个像素区，分别为像素区P24和像素区P25，像素区P24和像素区P25的结构不同，多个重复单元CC在第一方向x上依次排列，且多个重复单元CC在第二方向y上依次排列，也即多个重复单元CC在第一显示区内阵列排布。

在一种实施例中，重复单元包括三个像素区。图20为本申请实施例提供的显示面板中第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图。如图20所示，重复单元CC包括三个像素区，分别为像素区P26、像素区P27和像素区P28。相邻的像素区P26和像素区P27的结构不同，相邻的像素区P27和像素区P28的结构也不同，多个重复单元CC在第一方向x上依次排列，且多个重复单元CC在第二方向y上依次排列，也即多个重复单元CC在第一显示区内阵列排布。

图20实施例中重复单元理解为“ABC”结构，即重复单元内任意相邻的两个像素区的结构均不同。当重复单元包括三个像素区时，在一些可选的实施例中，重复单元也可以为“ABB”结构，或者也可以为“AAB”结构，即在重复单元中，部分相邻两个像素区的结构不同，剩余部分相邻两个像素区的结构是相同的，在此不再附图示意。

在一种实施例中，重复单元包括四个像素区。图21为本申请实施例提供的显示面板中第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图。如图21所示，重复单元CC包括四个像素区，分别为像素区P29、像素区P30、像素区P31和像素区P32。重复单元CC中任意相邻的两个像素区的结构不同，多个重复单元CC在第一方向x上依次排列，且多个重复单元CC在第二方向y上依次排列，也即多个重复单元CC在第一显示区内阵列排布。

图21实施例中示意出一个重复单元中任意相邻的两个像素区的结构均不同的情况。当重复单元包括四个像素区时，在一些可选的实施例中，可以是部分相邻两个像素区的结构不同，剩余部分相邻两个像素区的结构是相同的。

在一些可选的实施方式中，重复单元内至少两个像素区呈阵列排布，至少部分像素区与其对角线方向上的相邻像素区的结构相同。可选的，重复单元内的所有的像素区呈“n*m”的阵列，其中，n≥2、m≥2，且n和m均为整数。该实施例中通过在第一显示区内设置重复单元，实现第一显示区内衍射光栅的周期为一个重复单元的长度，增大了衍射光栅的周期长度，实现了短程非周期化，长程周期化的像素区结构，能够弱化光线穿透显示面板时导致的衍射现象，进而提升屏下光学元件的光学效果。另外，设置在重复单元内至少部分像素区与其对角线方向上的相邻像素区的结构相同，则在重复单元内部分相邻像素区的结构不同，剩余部分相邻像素区的结构相同。以重复单元包括4个阵列排布的像素区为例，可以设置对角线方向上相邻的两个像素区的结构相同，在设计时可以最少设计两种不同的像素区结构，就能组成一个重复单元。该实施方式能够保证在改善衍射现象的基础上，减少了像素区结构的设计种类，有利于降低制作过程中采用的掩膜板的设计难度。

在一种实施例中，以重复单元包括四个像素区为例。图22为本申请实施例提供的显示面板中第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图。如图22所示，重复单元CC包括阵列排布的四个像素区，分别为像素区P33、像素区P34、像素区P35和像素区P36。其中，像素区P33与其在对角线方向上相邻的像素区P36的结构相同，像素区P34与其在对角线方向上相邻的像素区P35的结构相同。

在一种实施例中，以重复单元包括六个像素区为例。图23为本申请实施例提供的显示面板中第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图。如图23所示，重复单元CC包括“2*3”阵列排布的六个像素区，分别为像素区P37、像素区P38、像素区P39、像素区P40、像素区P41和像素区P42。其中，像素区P40与其在对角线方向上相邻的像素区P38的结构相同，像素区P41与其在对角线方向上相邻的像素区P39的结构相同。该实施例示意出了在一个重复单元中，部分相邻两个像素区的结构不同，剩余部分相邻两个像素区的结构相同的情况。

在一些可选的实施方式中，在第一显示区中，任意相邻两个像素区的结构不同。在一种实施例中，可参考上述图21中的示意，重复单元CC在第一显示区内阵列排布，在重复单元CC内任意相邻两个像素区的结构不同，该实施例中能够保证在第一显示区内像素区排布方式仍然存在一定的规律性，形成以一个重复单元为周期的长周期的衍射光栅。在另一种实施例中，在第一显示区中，任意相邻两个像素区的结构不同，且像素区的排布方式没有规律性，则能够形成无周期的衍射光栅，而该实施中第一显示区可以包括结构相同的像素区，只是这些结构相同的像素区不相邻。

需要说明的是，上述图19至图23仅为了说明本申请实施例中重复单元内像素区的排布的多种方式，图19至图23中一个像素区内子像素的形状、及像素区内子像素的排布方式不作为对本申请的限定。

在一些可选的实施方式中，本申请实施例提供的显示面板，在第一显示区内采用改变像素区内信号线的排布结构来实现相邻两个像素区的结构不同。像素区包括发光区和非发光区，一个子像素对应一个发光区，非发光区包围发光区；显示区还包括至少两条信号线，信号线包括位于非发光区的第一信号线段。在第一显示区内，结构不同的相邻两个像素区中，下述至少之一不同：第一信号线段的线宽；第一信号线段的线形；相邻两条第一信号线段之间的间距。其中，线宽为该第一信号线段在垂直于其延伸方向上的宽度，线宽不同则第一信号线段在非发光区内的占据面积发生变化。第一信号线段的线形指第一信号线段的形状，比如为直线、曲线、波浪线、折线等形状。

本申请实施例中所述的信号线包括显示面板中用于驱动显示面板进行显示的信号线、以及支撑显示面板其他功能(比如触控功能)的信号线。多条信号线包括数据线、扫描线、电源信号线、复位信号线、触控信号线等信号线、以及像素驱动电路中的信号走线。在实现显示面板中，部分信号线会与发光区交叠，而部分信号线会与非发光区交叠。在应用屏下光学元件方案的显示面板中，与非发光区交叠的部分信号线也会形成衍射光栅，对穿透显示面板的光造成衍射。本申请实施例中通过对于非发光区交叠的信号线(也即位于非发光区的第一信号线段)的排布结构进行调整，实现相邻两个像素区的结构的不同，从而相邻的两个像素区形成的衍射光栅的形状不同。

具体的，在一种实施例中，以相邻两个像素区内的相邻两条第一信号线段之间的间距不同进行示意。图24为本申请实施例提供的显示面板中第一显示区的另一种可选实施方式局部俯视示意图。如图24所示的，以一个像素区包括三个发光区G进行示意，还包括包围发光区G的非发光区FG。像素区包括位于非发光区FG的第一信号线段D1，像素区P45和像素区P46中非发光区FG内的相邻两条第一信号线段D1的间距不同。从而相邻的像素区P45和像素区P46的透光区域的形状不同。该实施方式能够通过调整像素区内第一信号线段的排布结构，来实现相邻两个像素区的透光区域的不同，进而相邻两个像素区形成不同的衍射光栅，破坏以一个像素区的长度为周期的周期衍射光栅的规律。

进一步的，在一些可选的实施方式中，采用调整像素内位于非发光区的第一信号线段的排布结构，来实现相邻两个像素区的结构不同。也能够实现至少两个像素区构成重复单元，设置重复单元在第一显示区内阵列排布，从而形成以一个重复单元的长度为周期的衍射光栅，实现短程非周期化，长程周期化的像素区的排布，能够改善光线穿透显示面板时的衍射现象，进而提升屏下光学元件的光学效果，同时像素区周期性排布，能够保证在蒸镀工艺中掩膜板均匀受力，从而满足掩膜板的平整度要求，保证蒸镀工艺的可靠性。

需要说明的是，在不相互冲突的情况下，在本申请实施例中，通过设置遮光结构来调整像素区内的结构的方案、调整像素区内子像素的发光区的排布方式的方案、通过调整像素区内第一信号线段的排布结构的方案，可以相互进行结合来实现相邻两个像素区的结构不同。

基于同一发明构思，本申请还提供一种电子设备，图25为本申请实施例提供的电子设备示意图，如图25所示，电子设备包括本申请任意实施例提供的显示面板100，电子设备还包括光学元件(未示出)，光学元件位于第一显示区AA1下方。其中，光学元件可以为摄像头、光学指纹传感器、结构光发射器、结构光接收器、接近光发射器、接近光接收器、飞行时间器件中一种或多种。显示面板100的具体结构已经在上述实施例中进行了详细说明，此处不再赘述。当然，图25所示的电子设备仅仅为示意说明，该电子设备可以是例如手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有显示功能的电子设备。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。

Claims (12)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板的显示区划分为至少两个像素区，所述像素区包括至少两个子像素，所述像素区包括发红光的子像素、发绿光的子像素和发蓝光的子像素，各所述像素区中所述子像素的个数相同；

所述显示区包括第一显示区和第二显示区，所述第一显示区的子像素密度小于所述第二显示区的子像素密度；其中，

在所述第一显示区中：所述像素区内发不同颜色光的所述子像素的形状不同，至少部分相邻两个所述像素区的结构不同。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一显示区包括阵列排布的至少两个重复单元，所述重复单元包括至少两个所述像素区，在一个所述重复单元中，至少部分相邻两个所述像素区的结构不同。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述重复单元内的所有所述像素区呈阵列排布，至少部分所述像素区与其对角线方向上的相邻所述像素区的结构相同。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

在所述第一显示区中，任意相邻两个所述像素区的结构不同。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述像素区包括发光区，一个所述子像素对应一个所述发光区；

在结构不同的相邻两个所述像素区中：所述子像素的所述发光区的排布结构不同。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，

所述子像素的所述发光区的排布结构不同，包括下述至少之一：

相邻两个所述发光区之间的间隔距离不同；

所述发光区相对于所述显示面板的同一边缘的倾斜角度不同；

所述发光区的形状不同；

所述发光区的面积大小不同；

相邻两个所述发光区的相对位置不同。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

在结构不同的相邻两个所述像素区中：至少一个所述像素区包括遮光结构；

所述像素区包括发光区和非发光区，一个所述子像素对应一个所述发光区，所述非发光区包围所述发光区，所述遮光结构与所述非发光区交叠。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，

所述子像素包括依次堆叠的第一电极、发光层和第二电极；

所述遮光结构和所述第一电极同层同材料制作。

9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，

结构不同的相邻两个所述像素区均包括所述遮光结构，且两个所述像素区中所述遮光结构的下述至少之一不同：所述遮光结构的面积大小、所述遮光结构的形状、所述遮光结构的个数、所述遮光结构与所述发光区的相对位置。

10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述像素区包括发光区和非发光区，一个所述子像素对应一个所述发光区，所述非发光区包围所述发光区；

所述显示区还包括至少两条信号线，所述信号线包括位于所述非发光区的第一信号线段；

在结构不同的相邻两个所述像素区中，下述至少之一不同：

所述第一信号线段的线宽；

所述第一信号线段的线形；

相邻两条所述第一信号线段之间的间距。

11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

在所述第二显示区中，相邻两个所述像素区的结构相同。

12.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至11任一项所述的显示面板，所述电子设备还包括光学元件，所述光学元件位于所述第一显示区的下方。