KR20200129340A - 전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 led 디스플레이의 제조 방법 - Google Patents

전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 led 디스플레이의 제조 방법 Download PDF

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KR20200129340A
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micro
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오민섭
곽도영
김병철
박상무
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삼성전자주식회사
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Abstract

마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법이 개시된다. 본 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법은 제1 기판 상의 복수의 제1 마이크로 LED 중 불량 마이크로 LED의 위치를 고려하여, 제2 기판 상의 복수의 제2 마이크로 LED 중 리페어 마이크로 LED를 결정하는 단계, 불량 마이크로 LED를 제1 기판에서 제거하는 단계, 리페어 마이크로 LED의 위치가 불량 마이크로 LED가 제거된 위치에 대응되도록 제2 기판 및 제1 기판을 매칭시키는 단계 및 불량 마이크로 LED를 리페어 마이크로 LED로 대체하도록, 레이저 전사 방식으로 리페어 마이크로 LED를 제1 기판 상으로 전사하는 단계를 포함한다.

Description

전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법{TRANSFERRING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING MICRO LED DISPLAY USING THE SAME}
본 개시는 마이크로 LED(Light Emitting Diode)의 제조 효율이 개선된 전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법에 관한 것이다.
자발광 무기 디스플레이 소자인 마이크로 LED는 스스로 빛을 내는 초소형 무기 발광소자이며, 가로, 세로 및 높이가 10 ~ 100 마이크로미터(μm) 크기의 LED를 지칭할 수 있다. 마이크로 LED는 웨이퍼 상에서 칩 형태로 제조되고, 타겟 기판 상에 배치됨으로써 디스플레이의 발광 모듈을 구성할 수 있다.
마이크로 LED를 이용한 디스플레이 장치는 마이크로 LED를 조밀한 간격으로 적게는 수만에서 많게는 수천만 개를 실장하여 제조될 수 있다.
다만, 적게는 수만에서 많게는 수천만 개 실장된 마이크로 LED 중 일부 마이크로 LED는 공정 상의 공차 및 마이크로 LED 자체의 불량으로 인해 제 기능을 수행하지 못하는 경우가 있다.
이에 따라, 불량의 마이크로 LED를 제거하고, 제거된 위치에 새로운 마이크로 LED로 교체하는 리페어 공정에 많은 시간이 소모되어 리페어 공정의 효율화 향상이 중요하다.
본 개시의 목적은 마이크로 LED의 리페어 효율이 개선된 전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 개시에 따른 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법은, 복수의 제1 마이크로 LED가 배치된 제1 기판 상의 불량 마이크로 LED의 배치 위치를 고려하여 제2 기판에 배치된 복수의 제2 마이크로 LED 중 상기 불량 마이크로 LED를 대체할 리페어 마이크로 LED(Repairing Micro LED)를 결정하는 단계, 상기 불량 마이크로 LED를 상기 제1 기판에서 제거하는 단계, 상기 리페어 마이크로 LED를 상기 불량 마이크로의 배치 위치에 대응한 상기 제1 기판의 상부에 배치하는 단계 및 상기 리페어 마이크로 LED를 레이저 전사 방식으로 상기 제1 기판의 상기 제거된 위치로 전사하는 단계를 포함한다.
상기 리페어 마이크로 LED를 결정하는 단계는, 상기 불량 마이크로 LED가 복수 개이면, 상기 복수의 불량 마이크로 LED간의 거리에 기초하여, 상기 제2 기판 상의 복수의 마이크로 LED 중에서 상기 리페어 마이크로 LED를 복수 개 결정할 수 있다.
상기 리페어 마이크로 LED를 결정하는 단계는, 상기 제2 기판 상의 상기 복수의 제2 마이크로 LED들 중에서, 상기 불량 마이크로 LED와 최단 거리에 위치한 마이크로 LED를 상기 리페어 마이크로 LED로 결정할 수 있다.
상기 리페어 마이크로 LED를 결정하는 단계는, 상기 제2 기판 상에서 상기 불량 마이크로 LED에 대응되는 특성 정보를 가지는 마이크로 LED 중에서, 상기 불량 마이크로 LED와 최단 거리에 위치한 마이크로 LED를 상기 리페어 마이크로 LED로 결정할 수 있다.
상기 전사하는 단계는, 상기 리페어 마이크로 LED가 복수 개로 결정되면, 각 복수의 리페어 마이크로 LED가 배치된 상기 제2 기판의 상부 표면에 순차적으로 레이저를 주사하여 상기 복수의 리페어 마이크로 LED를 순차적으로 상기 제1 기판 방향으로 전사할 수 있다.
상기 제1 기판은, 상기 마이크로 LED 디스플레이에 탑재되는 타겟 기판이고, 상기 제2 기판은 상기 타겟 기판으로 마이크로 LED를 전사하기 위한 전사 기판이며, 상기 매칭시키는 단계는, 상기 제2 기판을 상기 제1 기판 상측으로 이동시킬 수 있다.
상기 매칭시키는 단계는, 상기 불량 마이크로 LED의 주변 마이크로 LED와 상기 리페어 마이크로 LED가 정렬되도록 상기 제1 기판 또는 제2 기판 중 적어도 하나를 이동할 수 있다.
상기 제1 기판 상의 상기 복수의 제1 마이크로 LED 중 상기 불량 마이크로 LED를 식별하는 단계 및 상기 제1 기판의 불량 마이크로 LED의 위치 정보를 저장하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 개시에 따른 전사 장치는, 레이저 장치, 복수의 제1 마이크로 LED가 배치된 제1 기판 및 복수의 제2 마이크로 LED가 배치된 제2 기판 중 적어도 하나를 이동시키기 위한 이동 부재, LED 제거를 위한 추출 부재 및 상기 전사 장치의 동작을 제어하기 위한 프로세서를 포함하며, 상기 프로세서는, 상기 복수의 제1 마이크로 LED 중 불량 마이크로 LED의 위치를 고려하여, 상기 복수의 제2 마이크로 LED 중 리페어 마이크로 LED를 결정하고, 상기 추출 부재를 제어하여 상기 불량 마이크로 LED를 상기 제1 기판에서 제거하며, 상기 이동부재를 제어하여, 상기 리페어 마이크로 LED의 위치가 상기 불량 마이크로 LED가 제거된 위치에 대응되도록 상기 제2 기판 및 상기 제1 기판을 매칭시키며, 상기 불량 마이크로 LED를 상기 리페어 마이크로 LED로 대체하도록, 상기 레이저 장치를 제어하여 상기 리페어 마이크로 LED를 상기 제1 기판의 상기 제거된 위치로 전사시키는 전사 장치를 포함한다.
상기 프로세서는, 상기 불량 마이크로 LED가 복수 개이면, 상기 복수의 불량 마이크로 LED간의 거리에 기초하여, 상기 제2 기판 상의 복수의 마이크로 LED 중에서 상기 리페어 마이크로 LED를 복수 개 결정할 수 있다.
상기 프로세서는, 상기 제2 기판 상의 상기 복수의 제2 마이크로 LED들 중에서, 상기 불량 마이크로 LED와 최단 거리에 위치한 마이크로 LED를 상기 리페어 마이크로 LED로 결정할 수 있다.
상기 프로세서는, 상기 제2 기판 상에서 상기 불량 마이크로 LED에 대응되는 특성 정보를 가지는 마이크로 LED 중에서, 상기 불량 마이크로 LED와 최단 거리에 위치한 마이크로 LED를 상기 리페어 마이크로 LED로 결정할 수 있다.
상기 프로세서는, 상기 리페어 마이크로 LED가 복수 개로 결정되면, 각 복수의 리페어 마이크로 LED가 배치된 상기 제2 기판의 상부 표면에 순차적으로 레이저를 주사하여 상기 복수의 리페어 마이크로 LED를 순차적으로 상기 제1 기판 방향으로 전사하도록 상기 레이저 장치를 제어할 수 있다.
상기 제1 기판은, 상기 마이크로 LED 디스플레이에 탑재되는 타겟 기판이고, 상기 제2 기판은 상기 타겟 기판으로 마이크로 LED를 전사하기 위한 전사 기판이며, 상기 프로세서는, 상기 이동부재를 제어하여, 상기 제2 기판을 상기 제1 기판 상측으로 이동시킬 수 있다.
상기 프로세서는, 상기 이동부재를 제어하여, 상기 불량 마이크로 LED의 주변 마이크로 LED와 상기 리페어 마이크로 LED가 정렬되도록 상기 제1 기판 또는 제2 기판 중 적어도 하나를 이동시킬 수 있다.
상기 특성 정보는, 출력 파장, 휘도, 성능 등급 중 적어도 하나일 수 있다.
상기 복수의 제1 마이크로 LED는, 적색광을 방출하는 적색 마이크로 LED, 녹색광을 방출하는 녹색 마이크로 LED 및 청색광을 방출하는 청색 마이크로 LED를 포함하고, 상기 리페어 마이크로 LED가 방출하는 색상은 상기 불량 마이크로 LED가 방출하는 색상과 대응할 수 있다.
아울러, 상술한 목적을 달성하기 위한 본 개시에 따른 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법을 실행하기 위한 프로그램을 포함하는 컴퓨터 판독가능 기록매체에 있어서, 상기 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법은, 제1 기판 상의 복수의 제1 마이크로 LED 중 불량 마이크로 LED의 위치를 고려하여, 상기 제2 기판 상에서 상기 불량 마이크로 LED에 대응되는 특성 정보를 가지는 마이크로 LED 중에서, 상기 불량 마이크로 LED와 최단 거리에 위치한 마이크로 LED를 리페어 마이크로 LED로 결정하는 마이크로 결정하는 단계, 상기 불량 마이크로 LED를 상기 제1 기판에서 제거하는 단계, 상기 리페어 마이크로 LED의 위치가 상기 불량 마이크로 LED가 제거된 위치에 대응되도록 상기 제2 기판 및 상기 제1 기판을 매칭시키는 단계 및 레이저 전사 방식으로 상기 리페어 마이크로 LED를 상기 제1 기판의 상기 제거된 위치로 전사하여, 상기 불량 마이크로 LED를 상기 리페어 마이크로 LED로 대체되도록 하는 단계를 포함한다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 전사 장치를 나타낸 개략도이다.
도 2는 프로세서와 메모리를 나타낸 블록도이다.
도 3a는 본 개시의 일 실시예에 따른 제2 기판을 나타낸 하면도이다.
도 3b는 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈을 나타낸 상면도이다.
도 4a는 본 개시의 일 실시예에 따른 제1 디스플레이 모듈에서 제1 불량 마이크로 LED를 제거하는 과정을 나타낸 개략도이다.
도 4b는 도 4a에서 제1 리페어 마이크로 LED가 전사되는 과정을 나타낸 개략도이다.
도 5a는 본 개시의 변형 실시예에 따른 제1 디스플레이 모듈을 나타낸 상면도이다.
도 5b는 본 개시의 변형 실시예에 따른 제2 기판을 나타낸 하면도이다.
도 6a는 본 개시의 일 실시예에 따른 제2 디스플레이 모듈을 나타낸 상면도이다.
도 6b는 본 개시의 일 실시예에 따른 제2 기판을 나타낸 하면도이다.
도 7a는 본 개시의 일 실시예에 따른 제2 디스플레이 모듈에서 복수의 제2 불량 마이크로 LED를 제거하는 과정을 나타낸 개략도이다.
도 7b는 도 7a에서 복수의 제2 리페어 마이크로 LED가 전사되는 과정을 나타낸 개략도이다.
도 8a는 본 개시의 일 실시예에 따른 불량 마이크로 LED가 제거된 위치와 리페어 마이크로 LED가 겹쳐지지 않은 제1 상태를 나타낸 개략도이다.
도 8b은 본 개시의 일 실시예에 따른 불량 마이크로 LED(31P)가 제거된 위치와 리페어 마이크로 LED가 정렬되지 않은 제2 상태를 나타낸 개략도이다.
도 8c는 본 개시의 일 실시예에 따른 불량 마이크로 LED와 리페어 마이크로 LED가 정렬된 상태를 나타낸 개략도이다.
도 9a는 본 개시의 일 실시예에 따른 제3 디스플레이 모듈을 나타낸 상면도이다.
도 9b는 본 개시의 일 실시예에 따른 제2 기판을 나타낸 하면도이다.
도 10a는 본 개시의 변형 실시예에 따른 제3 디스플레이 모듈을 나타낸 상면도이다.
도 10b는 본 개시의 변형 실시예에 따른 제2 기판을 나타낸 하면도이다.
도 11a는 본 개시의 일 실시예에 따른 제4 디스플레이 모듈을 나타낸 상면도이다.
도 11b는 본 개시의 일 실시예에 따른 제2 기판을 나타낸 하면도이다.
도 12는 본 개시의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다.
본 개시의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 개시의 바람직한 실시예들을 설명한다. 그러나 본 개시는 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예들에 대한 설명은 본 개시의 개시가 완전하도록 하며, 본 개시가 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 구성 요소들은 설명의 편의를 위하여 그 크기를 실제보다 확대하여 도시한 것이며, 각 구성 요소의 비율은` 과장되거나 축소될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "상에" 있다거나 "접하여" 있다고 기재된 경우, 다른 구성 요소에 상에 직접 맞닿아 있거나 또는 연결되어 있을 수 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "바로 상에" 있다거나 "직접 접하여" 있다고 기재된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "～사이에"와 "직접 ～사이에" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 개시의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 표현하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. "포함한다" 또는 "가진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하기 위한 것으로, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들이 부가될 수 있는 것으로 해석될 수 있다.
본 개시의 실시예들에서 사용되는 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 통상적으로 알려진 의미로 해석될 수 있다.
이하에서는, 도 1 및 도 2를 참조하여 본 개시의 일 실시예에 따른 전사 장치(1)의 구조에 대해 설명한다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 전사 장치(1)를 나타낸 개략도이고, 도 2는 프로세서(60)와 메모리(70)를 나타낸 블록도이며, 도 3a는 본 개시의 일 실시예에 따른 제2 기판(40)을 나타낸 하면도이고, 도 3b는 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈(30)을 나타낸 상면도이다.
전사 장치(1)는 복수의 마이크로 LED가 배치된 제1 기판(30)을 리페어 하기 위한 장치로서, 레이저 장치(10), 복수의 제1 마이크로 LED(31)가 배치된 제1 기판(30) 및 복수의 제2 마이크로 LED(41)가 배치된 제2 기판(40)을 이동시키는 이동부재(50), 불량 마이크로 LED(31P)를 제1 기판(30)에서 제거하는 추출 부재(80, 도 4b 참조) 및 이동부재(50)와 레이저 장치(10)를 제어하는 프로세서(60)를 포함할 수 있다.
레이저 장치(10)는 제2 기판(40) 상에 배치된 복수의 제2 마이크로 LED(41)에 레이저를 가하여, 복수의 제2 마이크로 LED(41)를 전사시키는 장치이다.
레이저 장치(10)는 레이저 원을 제공하는 레이저 광원(11), 레이저 광원(11)에서 조사되는 레이저(Z)의 경로를 변경시키는 경로변경부재(12)를 포함할 수 있다.
레이저 광원(11)은 전사될 리페어 마이크로 LED(41R)가 배치된 위치에 레이저를 가해 제2 기판(40)으로부터 리페어 마이크로 LED(41R)를 리프트 오프(lift-off)시킬 수 있다.
구체적으로, 레이저 광원(11)은 리페어 마이크로 LED(41R)가 배치된 제2 기판(40)의 상부로 특정 파장대의 레이저(Z)를 가하고, 특정 파장대를 가지는 레이저(Z)와 반응한 반응층(45)의 접착성이 없어짐으로써, 리페어 마이크로 LED(41R)가 제2 기판(40)으로부터 떨어질 수 있다.
레이저 광원(11)은 전사 장치(1)의 다양한 위치에 배치될 수 있다.
경로변경부재(12)는 레이저 광원(11)으로부터 방출되는 레이저(Z)의 경로를 빠르게 변경시켜, 점 광원인 레이저 광원(11)을 마치 면, 선 광원과 가깝게 변경할 수 있다.
구체적으로, 경로변경부재(12)는 하나의 레이저 광원(11)으로 방출되는 레이저(Z)를 ms, μ(micro sec), ns(nano sec) 단위로 변경하여, 하나의 레이저(Z)를 제2 기판(40)으로부터 이격시키고자 하는 복수의 리페어 마이크로 LED(41R)가 대응하는 위치로 조사할 수 있다.
따라서, 경로변경부재(12)에 의해 빠르게 경로가 변경된 레이저(Z)를 조사받은 복수의 리페어 마이크로 LED(41R)는 순차적으로 제2 기판(40)으로부터 이격될 수 있다.
여기서, 복수의 리페어 마이크로 LED(41R)의 서로 이격되는 시간 간격은 ms, μ(micro sec), ns(nano sec)이므로, 복수의 리페어 마이크로 LED(41R)는 빠르게 제2 기판(40)으로부터 이격될 수 있다.
즉, 경로변경부재(12)는 하나의 레이저 광원(11)에서 방출되는 레이저(Z)의 경로를 빠르게 변경시켜, 복수의 리페어 마이크로 LED(41R)를 거의 동시에 가깝게 제1 기판(30)으로 전사할 수 있다.
예를 들어, 경로변경부재(12)는 갈바노 미러(galvano mirror)를 포함할 수 있다. 갈바노 미러는 광원을 반사시키는 미러를 빠르게 회전시켜 광원의 경로를 빠르게 변경할 수 있는 장치이다.
구체적으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 프로세서(60)에 의해 전사하고자 하는 복수의 리페어 마이크로 LED(41R)를 위치 정보를 기초로, 해당 위치 정보로 레이저(Z)의 경로를 변경하기 위해 기 설정된 회전 방향(R1, R2)으로 이동할 수 있다.
예를 들어, 레이저(Z)는 갈바노 미러에 의해 순차적으로 반사되어 전사하고자 하는 복수의 리페어 마이크로 LED(41R)가 위치하는 제1 레이저 경로 및 제2 레이저 경로를 구현할 수 있다.
렌즈부재(20)는 경로변경부재(12)와 제2 기판(40) 사이에 배치되어 레이저(Z)의 초점 거리 및 레이저(Z)의 경로를 선택적으로 변경할 수 있다. 예를 들어, 렌즈부재(20)는 에프-세타 렌즈(f-θ, f-theta lens)일 수 있다.
이에 따라, 레이저(Z)는 갈바노 미러에 순차적으로 반사되어 경로가 변경될 수 있다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 제2 기판(40)은 제1 기판(30) 상에 선택적으로 전사하기 위한 복수의 제2 마이크로 LED(41)를 포함할 수 있다.
여기서, 설명의 편의를 위해 복수의 제2 마이크로 LED(41)의 전극들은 도시하지 않았다.
제2 기판(40)은 타겟 기판으로 마이크로 LED를 전사하기 위한 전사 기판일 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(40)은 웨이퍼일 수 있다. 다만, 필요에 따라 제2 기판(40)은 중계 기판일 수 있다.
제2 기판(40) 상에는 복수의 제2 마이크로 LED(41)가 동일한 제1 간격(L1)으로 이격되어 배치될 수 있으며, 복수의 제2 마이크로 LED(41)는 단일색으로 구성될 수 있다.
예를 들어, 복수의 제2 마이크로 LED(41)는 적색광을 방출하는 적색 마이크로 LED, 녹색광을 방출하는 녹색 마이크로 LED, 청색광을 방출하는 청색 마이크로 LED 중 하나일 수 있다.
아울러, 복수의 제2 마이크로 LED(41)는 제1 기판(30)의 불량 마이크로 LED(31P)가 배치된 위치에 전사될 수 있다.
여기서, 복수의 제2 마이크로 LED(41) 중 불량 마이크로 LED(31P)가 배치된 위치에 전사되는 것은 리페어 마이크로 LED(41R)로 지칭될 수 있다. 아울러, 리페어 마이크로 LED(41R)은 복수의 제2 마이크로 LED(41) 중 프로세서(60)가 전사하고자 결정한 마이크로 LED를 의미할 수 있다.
또한, 제2 기판(40)은 기판 이동부재(51)에 의해 연결될 수 있다. 이에 따라, 제2 기판(40)은 기판 이동부재(51)에 의해 제1 중심축(O1)을 기준으로 U1, U2 방향으로 회전할 수 있다.
도 1 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 제1 기판(30)은 제1 내지 제4 디스플레이 모듈(30-1, 30-2, 30-3, 30-4)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 내지 제4 디스플레이 모듈(30-1, 30-2, 30-3, 30-4) 각각은 제1 기판(30)을 의미할 수 있다.
즉, 프로세서(60)가 리페어 공정을 수행할 때에는, 제1 내지 제4 디스플레이 모듈(30-1, 30-2, 30-3, 30-4) 각각이 제1 기판(30)으로 처리될 수 있다.
제1 기판(30)은 마이크로 LED 디스플레이로서, 제1 기판(30) 상에 배치된 복수의 제1 마이크로 LED(31)에 의해 디스플레이 화면을 구현할 수 있다.
제1 기판(30)은 디스플레이 화면을 구현할 수 있는 디스플레이 기본 단위이며, 제1 기판(30)은 TV, 휴대폰, PC, 노트북 PC, PDA 등과 같은 다양한 전자 제품에 디스플레이 화면을 구현할 수 있다.
아울러, 제1 기판(30)은 마이크로 LED 디스플레이에 탑재되는 타겟 기판일 수 있다.
제1 기판(30)은 제1 기판(30) 상에 일정한 간격인 제2 간격(L2)으로 배치된 복수의 제1 마이크로 LED(31)를 포함할 수 있다. 여기서, 복수의 제2 마이크로 LED(41) 사이의 간격인 제1 간격(L1)과 복수의 제1 마이크로 LED(31) 사이의 간격인 제2 간격(L2)은 서로 같을 수 있다.
이에 따라, 복수의 불량 마이크로 LED(31P)가 제2 간격(L2)으로 나란히 배치되는 경우, 복수의 제2 마이크로 LED(41) 중 제1 간격(L1)으로 나란히 배치된 복수의 리페어 마이크로 LED(41R)를 전사함으로써, 제1 기판(30)과 제2 기판(40)을 이동시키지 않을 수 있다.
즉, 제1 간격(L1)과 제2 간격(L2)이 같을 경우, 제1 간격(L1)과 제2 간격(L2)을 조절하기 위해 제1 기판(30)과 제2 기판(40)을 이동시키지 않아도 되므로, 전사 및 리페어 속도가 빨라질 수 있다.
아울러, 복수의 제1 마이크로 LED(31)는 적색광을 방출하는 적색 마이크로 LED(31-1), 녹색광을 방출하는 녹색 마이크로 LED(31-2), 청색광을 방출하는 청색 마이크로 LED(31-3)를 포함할 수 있다.
아울러, 적색 마이크로 LED(31-1), 녹색 마이크로 LED(31-2), 청색 마이크로 LED(31-3)는 서로 동일한 간격으로 배치되어 하나의 픽셀(P)을 구성할 수 있다.
즉, 적색 마이크로 LED(31-1), 녹색 마이크로 LED(31-2), 청색 마이크로 LED(31-3)는 각각 하나의 픽셀(P)을 구성하는 서브 픽셀로 지칭될 수 있다.
또한, 제1 기판(30)의 제1 행에는 적색 마이크로 LED(31-1)가 배치되고, 제1 기판(30)의 제2 행에는 녹색 마이크로 LED(31-2)가 배치되며, 제1 기판(30)의 제3 행에는 청색 마이크로 LED(31-3)이 배치될 수 있다.
다만, 픽셀(P)을 구성하는 적색 마이크로 LED(31-1), 녹색 마이크로 LED(31-2), 청색 마이크로 LED(31-3)은 일렬로 배치된 것에 제한되지 않고 다양하게 배치될 수 있다.
아울러, 전사 장치(1)는 불량 마이크로 LED(31P)를 판단하기 위한 검사부재(미도시)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 검사부재(미도시)는 제1 내지 제4 디스플레이 모듈(30-1, 30-2, 30-3, 30-4)을 포함하는 제1 기판(30) 상에 배치된 복수의 제1 마이크로 LED(31)에 대해, 불량 마이크로 LED(31P)를 판단할 수 있다.
구체적으로, 검사부재(미도시)는 제1 기판(30) 상에 배치된 복수의 제1 마이크로 LED(31)에 대해 비전 검사를 포함하는 여러 종류의 검사를 통해, 복수의 제1 마이크로 LED(31) 각각의 특성 정보를 판단할 수 있다.
여기서, 특성 정보는 복수의 마이크로 LED 각각에 대한 출력 파장 또는 휘도에 대한 측정값이거나, 입력된 출력 파장, 휘도, 성능 등급 중 적어도 하나일 수 있다.
다음으로, 프로세서(60)는 판단된 복수의 제1 마이크로 LED(31) 각각의 특성 정보와, 기 설정된 특성 기준을 비교하여 불량 마이크로 LED(31P)에 해당하는 지 여부 및 불량 마이크로 LED(31P)에 해당하는 배치 위치를 알 수 있다.
여기서, 배치 위치는 제1 기판(30) 상에 배치된 불량 마이크로 LED(31P)의 좌표 값을 의미할 수 있다.
즉, 프로세서(60)는 제1 기판(30)의 불량 마이크로 LED(31P)의 위치 정보를 메모리(70)에 저장할 수 있다.
따라서 검사부재를 통해, 도 3b에 도시된 바와 같이, 제1 디스플레이 모듈(30-1)에는 하나의 불량 마이크로 LED인 제1 불량 마이크로 LED(31P-1)가 있으며, 제2 디스플레이 모듈(30-2)에는 복수의 제2 불량 마이크로 LED(31P-2)가 있고, 제3 디스플레이 모듈(30-3)에는 복수의 제3 불량 마이크로 LED(31P-3)가 있으며, 제4 디스플레이 모듈(30-4)에는 복수의 제4 불량 마이크로 LED(31P-4)가 있는 것을 알 수 있다.
다만, 전사 장치(1)가 검사부재(미도시)를 포함하는 것에 제한되지 않고 전사 장치(1)와 별도로 구비된 검사장치(미도시)를 통해 불량 마이크로 LED(31P)를 판단하고, 판단된 불량 마이크로 LED(31P)의 배치 위치 및 특성 정보를 해당 검사장치(미도시)로부터 수신하여 메모리(70)에 저장하는 방식으로도 판단된 불량 마이크로 LED(31P)의 배치 위치 및 특성 정보를 알 수 있다.
아울러, 검사부재(미도시)는 비전 검사 장치, AOI(automatic optical inspection)을 포함할 수 있다.
이동부재(50)는 제2 기판(40)을 이동 및 회전시키는 기판 이동부재(51)와 제1 기판(30)을 이동 및 회전시키는 스테이지(52)를 포함할 수 있다.
이동부재(50)는 제2 기판(40) 상의 리페어 마이크로 LED(41R)이 제1 기판(30) 상의 불량 마이크로 LED(31P)가 제거된 위치에 정렬하기 위해, 제1 기판(30) 및 제2 기판(40)을 이동 및 회전시킬 수 있다.
이동부재(50)는 프로세서(60)의 제어에 의해 움직임이 제어될 수 있으며, 제1 기판(30) 및 제2 기판(40)의 이동 및 회전시킬 수 있는 구성이면 다양할 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 프로세서(60)는 전사 장치(1) 내에 내재될 수 있으며, 전사 장치(1)의 전반적인 동작을 제어할 수 있다. 아울러, 프로세서(60)는 전사 장치(1)의 전반적인 동작을 제어하는 기능을 수행할 수 있다.
예를 들어, 프로세서(60)는 후술하는 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법을 전사 장치(1)를 통해 구현할 수 있다.
즉, 프로세서(60)는 레이저 장치(10), 이동부재(50)와 전기적으로 연결되어, 각 구성을 제어할 수 있다.
다만, 하나의 프로세서(60)에 의해 모든 구성을 제어하는 것에 한정되지 않고, 다수의 독립된 프로세서를 이용하여, 각 구성을 제어할 수도 있다.
여기서, 프로세서(60)는 중앙처리장치(central processing unit(CPU)), controller, 어플리케이션 프로세서(application processor(AP)), 또는 커뮤니케이션 프로세서(communication processor(CP)), ARM 프로세서 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다.
아울러, 프로세서(60)는 메모리(70)와 전기적으로 연결되어, 메모리(70)에 저장된 복수의 제1 마이크로 LED(31)의 제1 특성 정보 및 복수의 제2 마이크로 LED(41)의 제2 특성 정보를 이용할 수 있다. 본 개시의 일 실시예에 따른 프로세서(60)의 구체적인 기능에 대해서는 후술한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 메모리(70)는 전사 장치(1) 내에 내재될 수 있다. 아울러, 메모리(70)는 플래시 메모리 타입(flash memory), 롬(ROM), 램(RAM), 하드 디스크(hard disk type), 멀티미디어 카드 마이크로 타입(multimedia card micro type), 카드 타입의 메모리(예를 들어 SD 또는 XD 메모리 등) 중 적어도 하나로 구현될 수 있다.
아울러, 메모리(70)는 프로세서(60)와 전기적으로 연결되어 있어 프로세서(60)와 상호간 신호 및 정보를 전송할 수 있다. 이에 따라, 메모리(70)는 입력되거나 검사된 복수의 제1 마이크로 LED(31)의 제1 특성 정보와 복수의 제2 마이크로 LED(41)의 제2 특성 정보를 저장하여 프로세서(60)에 저장된 특성 정보를 전송할 수 있다.
이하에서는, 도 4a 내지 도 4b를 참조하여, 본 개시의 일 실시예에 따른 마이크로 LED의 리페어 과정에 대해 설명한다.
도 4a는 본 개시의 일 실시예에 따른 제1 디스플레이 모듈(30-1)에서 제1 불량 마이크로 LED(31P-1)를 제거하는 과정을 나타낸 개략도이고, 도 4b는 도 4a에서 제1 리페어 마이크로 LED(41R-1)가 전사되는 과정을 나타낸 개략도이다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 검사부재(미도시)를 통해 제1 기판(30)의 불량 마이크로 LED(31R)의 배치 위치를 알 수 있다.
이하에서는, 제1 디스플레이 모듈(30-1)에 배치된 제1 불량 마이크로 LED(31P)의 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법에 대해 구체적으로 설명한다.
먼저, 프로세서(60)는 검사부재(미도시)를 통해 제1 불량 마이크로 LED(31P)의 배치 위치를 알 수 있다.
이후, 프로세서(60)는 판단된 배치 위치를 메모리(70)로 전송하여, 불량 마이크로 LED(31P)를 대체할 리페어 마이크로 LED(41R)를 결정할 수 있다.
여기서, 리페어 마이크로 LED(41R)가 방출하는 색상은 불량 마이크로 LED(31P)가 방출하는 색상과 대응될 수 있다.
즉, 프로세서(60)는 복수의 제1 마이크로 LED(31)가 배치된 제1 기판(30) 상에 불량 마이크로 LED(31P)의 배치 위치를 고려하여 제2 기판(40)에 배치된 복수의 제2 마이크로 LED(41) 중 불량 마이크로 LED(31P)를 대체할 리페어 마이크로 LED(41R)를 결정할 수 있다.
마찬가지로, 제1 기판(30) 상의 복수의 제1 마이크로 LED(31) 중 불량 마이크로 LED(31P)의 위치를 고려하여, 제2 기판(40) 상의 복수의 제2 마이크로 LED(41) 중 리페어 마이크로 LED(41R)를 결정할 수 있다.
여기서, 프로세서(60)가 리페어 마이크로 LED(41R)를 결정하는 것은, 제2 기판(40)의 중심축(O1)과 제1 디스플레이 모듈(30-1)의 중심축(O2)이 일치하도록 제2 기판(40)과 제1 디스플레이 모듈(30-1)이 정렬되었을 경우, 제1 불량 마이크로 LED(31P-1)의 배치 위치와 마주보도록 배치된 마이크로 LED를 제1 리페어 마이크로 LED(41R-1)로 결정할 수 있다.
아울러, 프로세서(60)는 제1 불량 마이크로 LED(31P-1)와 마주보도록 배치된 마이크로 LED가 없을 경우, 제1 불량 마이크로 LED(31P-1)과 가장 인접하게 위치한 복수의 제2 마이크로 LED(41) 중 하나의 마이크로 LED를 제1 리페어 마이크로 LED(41R-1)로 결정할 수 있다.
예를 들어, 프로세서(60)는 제1 불량 마이크로 LED(31P-1)와의 거리가 가장 짧은 복수의 제2 마이크로 LED(41) 중 하나의 마이크로 LED를 제1 리페어 마이크로 LED(41R-1)로 결정할 수 있다.
즉, 프로세서(60)는 제1 불량 마이크로 LED(31P-1)의 좌표 값과 복수의 제2 마이크로 LED(41)의 좌표 값과의 최소 거리를 기초로, 제1 리페어 마이크로 LED(41R-1)를 결정할 수 있다.
이후, 도 4a에 도시된 바와 같이, 추출 부재(80)는 결정된 제1 불량 마이크로 LED(31P-1)를 제거할 수 있다. 여기서, 추출 부재(80)는 전사 장치(1)에 포함될 수 있으며, 다양한 방식으로 불량 마이크로 LED(31P)를 제거할 수 있다.
이때, 추출 부재(80)는 전사 장치(1) 내에 구비되거나, 전사 장치(1)의 외부의 별도 장치로 구비될 수 있다. 즉, 불량 마이크로 LED(31P)는 전사 장치(1) 내에서 제거되거나, 불량 마이크로 LED(31P)가 제거된 상태의 제1 기판(30)이 전사 장치(1) 내에 제공될 수 있다.
다음으로, 프로세서(60)는 이동부재(50)를 제어하여, 제1 불량 마이크로 LED(31P-1)와 제1 리페어 마이크로 LED(41R-1)가 정렬하도록 제1 기판(30) 또는 제2 기판(40) 중 적어도 하나를 이동 및 회전시킬 수 있다.
즉, 프로세서(60)는 이동부재(50)를 제어하여, 리페어 마이크로 LED(41R)를 불량 마이크로 LED(31P)의 배치 위치에 대응한 제1 기판(30)의 상부에 배치할 수 있다.
마찬가지로, 프로세서(60)는 이동부재(50)를 제어하여, 리페어 마이크로 LED(41R)의 위치가 불량 마이크로 LED(31P)가 제거된 위치에 대응되도록 제2 기판(40) 및 제1 기판(30)을 매칭시킬 수 있다.
이후, 도 4b에 도시된 바와 같이, 프로세서(60)는 레이저 장치(10)를 제어하여, 제1 리페어 마이크로 LED(41R-1)를 제거된 제1 불량 마이크로 LED(31P-1)의 위치에 전사할 수 있다.
즉, 프로세서(60)는 레이저 장치(10)를 제어하여, 리페어 마이크로 LED(41R)를 레이저 전사 방식으로 불량 마이크로 LED(31P)에 대응하는 위치에 전사할 수 있다.
마찬가지로, 불량 마이크로 LED(31P)를 리페어 마이크로 LED(41R)로 대체하도록, 레이저 전사 방식으로 리페어 마이크로 LED(41R)를 제1 기판(30)의 불량 마이크로 LED(31P)가 제거된 위치로 전사할 수 있다.
이때, 프로세서(60)는 이동부재(50)를 제어하여, 제2 기판(40)을 제1 기판(30)의 상측으로 이동시킬 수 있다.
이하에서는, 본 개시의 변형 실시예에 따른 제1 디스플레이 모듈(30-1)에 배치된 제1 불량 마이크로 LED(31P)의 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법에 대해 구체적으로 설명한다.
도 5a는 본 개시의 변형 실시예에 따른 제1 디스플레이 모듈(30-1)을 나타낸 상면도이고, 도 5b는 본 개시의 변형 실시예에 따른 제2 기판(40)을 나타낸 하면도이다.
여기서, 변형 실시예는 프로세서(60)가 리페어 마이크로 LED(41R)를 결정하는 과정의 차이이며, 구조적으로 차이가 없을 수 있다. 이에 따라, 동일한 구성에 대해서는 동일한 부재번호를 사용하며, 중복되는 설명은 생략한다.
먼저, 프로세서(60)는 판단된 제1 디스플레이 모듈(30-1)의 제1 불량 마이크로 LED(31P-1)의 특성 정보를 알 수 있다. 예를 들어, 프로세서(60)는 메모리(70) 저장된 복수의 제1 마이크로 LED(31)의 특성 정보를 바탕으로, 불량 마이크로 LED(31P)의 배치 위치를 고려하여 제1 불량 마이크로 LED(31P-1)의 특성 정보를 알 수 있다.
이후, 프로세서(60)는 제2 기판(40)의 복수의 제2 마이크로 LED(41) 중에서 제1 불량 마이크로 LED(31P-1)의 특성 정보와 대응되는 특성 정보를 가지는 제1 리페어 마이크로 LED(41R-1)를 결정할 수 있다.
예를 들어, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 제1 불량 마이크로 LED(31P-1)는 A1 등급으로서, 제1 리페어 마이크로 LED(41R-1)는 복수의 제2 마이크로 LED(41) 중 동일한 A1 등급으로 결정될 수 있다.
여기서, A1 등급은 마이크로 LED의 성능 등급을 의미할 수 있다. 예를 들어, 성능 등급은 출력 파장 또는 휘도를 특정 기준에 따라 분류한 것이며, 특정 기준은 사용자의 필요에 따라 다양할 수 있다.
예를 들어, 성능 등급이 출력 파장을 기준으로 할 경우, 특정 기준의 파장대에 가까울수록 높은 성능 등급으로 설정할 수 있으며, 특정 기준의 파장대에 멀어질수록 낮은 성능 등급으로 설정할 수 있다.
또한, 성능 등급이 휘도를 기준으로 할 경우, 높은 휘도를 가질수록 높은 성능 등급으로 설정할 수 있으며, 낮은 휘도를 가질수록 낮은 성능 등급을 설정할 수 있다.
아울러, 성능 등급은 사용자의 임의의 기준에 따라 출력 파장과 휘도를 모두 고려할 수 있다. 예를 들어, 마이크로 LED에서 사용자가 구현하고자 하는 특성에 따라 출력 파장에 U/100의 비중을 두고(여기서 U는 100이하의 자연수), 휘도에 (100-U)/100을 비중을 두고 성능 등급을 설정할 수 있다.
즉, 불량 마이크로 LED(31P)의 특성 정보에 기초하여 복수의 제2 마이크로 LED(41) 중 불량 마이크로 LED(31P)의 특성 정보에 대응되는 리페어 마이크로 LED(41R)를 결정할 수 있다.
이에 따라, 리페어 공정을 통해 제1 불량 마이크로 LED(31P-1)가 교체되더라도, 동일한 특성 정보를 가지는 제1 리페어 마이크로 LED(41R-1)로 대체되므로, 리페어 전후의 디스플레이 모듈의 휘도, 색상의 차이를 최소화할 수 있다.
또한, 프로세서(60)는 제1 리페어 마이크로 LED(41R-1)를 결정할 때, 제1 불량 마이크로 LED(31P-1)와 제1 리페어 마이크로 LED(41R-1) 사이의 특성 정보뿐만 아니라 이동 거리를 고려하여, 제1 리페어 마이크로 LED(41R-1)를 결정할 수 있다.
예를 들어, 도 5b에 도시된 바와 같이, 복수의 제2 마이크로 LED(41) 중 A1 등급의 마이크로 LED가 복수 개로 판단되는 경우, A1 등급의 복수 개의 마이크로 LED 중, 불량 마이크로 LED(31P)와 가장 가까운 거리에 있는 마이크로 LED가 리페어 마이크로 LED(41R)로 결정될 수 있다.
이에 따라, 리페어 공정의 속도를 향상시킴과 동시에 리페어 전후의 디스플레이 모듈의 휘도, 색상의 차이를 최소화할 수 있다.
이하에서는, 도 6a 및 도 7b를 참조하여, 제2 디스플레이 모듈(30-1)에 배치된 제2 불량 마이크로 LED(31P-2)의 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법에 대해 구체적으로 설명한다.
도 6a는 본 개시의 일 실시예에 따른 제2 디스플레이 모듈(30-2)을 나타낸 상면도이고, 도 6b는 본 개시의 일 실시예에 따른 제2 기판(40)을 나타낸 하면도이며, 도 7a는 본 개시의 일 실시예에 따른 제2 디스플레이 모듈(30-1)에서 복수의 제2 불량 마이크로 LED(31P-2)를 제거하는 과정을 나타낸 개략도이고, 도 7b는 도 7a에서 복수의 제2 리페어 마이크로 LED(41R-2)가 전사되는 과정을 나타낸 개략도이다.
먼저, 프로세서(60)는 검사부재(미도시)를 통해 복수의 제2 불량 마이크로 LED(31P-2)의 배치 위치를 알 수 있다.
이후, 프로세서(60)는 판단된 배치 위치를 메모리(70)로 전송하여, 복수의 제2 불량 마이크로 LED(31P-2)를 대체할 복수의 제2 리페어 마이크로 LED(41R-2)를 결정할 수 있다.
구체적으로, 프로세서(60)는 제2 디스플레이 모듈(30-2) 상의 복수의 제2 불량 마이크로 LED(31P-2) 각각의 거리에 기초하여, 제2 기판(40) 상의 복수의 제2 리페어 마이크로 LED(41R-2)를 결정할 수 있다.
즉, 프로세서(60)는 제1 기판(30)이 복수의 불량 마이크로 LED(31R)를 포함하며, 복수의 불량 마이크로 LED(31R) 각각의 거리에 기초하여 제2 기판(40) 상의 복수의 리페어 마이크로 LED(41R)를 결정할 수 있다.
마찬가지로, 불량 마이크로 LED(31P)가 복수 개이며, 복수의 불량 마이크로 LED(31P) 간의 거리에 기초하여, 제2 기판(40) 상의 복수의 제2 마이크로 LED(41) 중에서 리페어 마이크로 LED(41R)를 복수 개 결정할 수 있다.
예를 들어, 도 6a에 도시된 바와 같이, 프로세서(60)는 복수의 제2 불량 마이크로 LED(31P-2)의 배치 위치와 제2 기판(40) 상의 가상의 리페어 마이크로 LED를 결정한다.
이후, 가상의 리페어 마이크로 LED와 복수의 제2 불량 마이크로 LED(31P-2)의 배치 위치 사이의 거리 간격이 최소화되는 가상의 리페어 마이크로 LED를 복수의 제2 리페어 마이크로 LED(41R-2)로 결정할 수 있다.
예를 들어, 도 6b에 도시된 바와 같이, 복수의 제2 리페어 마이크로 LED(41R-2)는 복수의 제2 마이크로 LED(41) 중 복수의 제2 불량 마이크로 LED(31P-2)의 배치 위치와 대응되는 위치의 마이크로 LED가 결정될 수 있다.
즉, 프로세서(60)는 제2 기판(40) 상의 복수의 제2 마이크로 LED(41) 중에서, 불량 마이크로 LED(31P)와 최단 거리에 위치한 마이크로 LED를 리페어 마이크로 LED(41R)로 결정할 수 있다.
이때, 프로세서(60)는 복수의 제2 리페어 마이크로 LED(41R-2)가 제1 디스플레이 모듈(30-1)에 리페어된 제1 리페어 마이크로 LED(41R-1)와 겹치지 않도록 복수의 제2 리페어 마이크로 LED(41R-2)를 선택할 수 있다.
즉, 프로세서(60)는 복수의 디스플레이 모듈 사이에 사용된 리페어 마이크로 LED가 서로 중복되지 않으므로, 제2 기판(40) 상에 배치된 복수의 제2 마이크로 LED(41)를 모두 리페어 공정에 쓰일 수 있다.
따라서, 제2 기판(40) 상의 복수의 제2 마이크로 LED(41)를 모두 사용하므로, 리페어 비용을 줄일 수 있다.
한편, 프로세서(60)는 복수의 제2 불량 마이크로 LED(31P-2) 사이의 배치 위치를 기준으로 결정된 복수의 제2 리페어 마이크로 LED(41R-2)의 레이저 전사 방식을 결정할 수 있다.
구체적으로, 프로세서(60)는 복수의 제2 불량 마이크로 LED(31P-2) 사이의 거리의 합이 기 설정된 값보다 클 경우, 복수의 제2 불량 마이크로 LED(31P-2)는 산발 형태로 배치된 것으로 판단할 수 있다.
이에 따라, 프로세서(60)는 결정된 복수의 제2 리페어 마이크로 LED(41R-2)를 갈바노 타입(galvano type)으로서 복수의 제2 리페어 마이크로 LED(41R-2)를 선택이고 순차적으로 전사할 수 있다.
한편, 도 9a에 도시된 바와 같이, 프로세서(60)는 복수의 제3 불량 마이크로 LED(31P-3) 사이의 거리의 합이 기 설정된 값보다 작은 경우, 복수의 제3 불량 마이크로 LED(31P-3)는 군집 형태로 배치된 것으로 판단할 수 있다.
이에 따라, 프로세서(60)는 결정된 복수의 제3 리페어 마이크로 LED(41R-3)를 레스터 타입(raster type)으로서 복수의 제3 리페어 마이크로 LED(41R-3)를 연속되는 하나의 라인을 포함하도록 전사할 수 있다.
따라서, 프로세서(60)는 복수의 불량 마이크로 LED(31P) 사이의 거리를 기준으로 레이저 전사 방식을 결정할 수 있다.
아울러, 도 11b에 도시된 바와 같이, 복수의 제4 불량 마이크로 LED(31P-4)가 산발 형태 및 군집 형태로 분포되는 경우, 산발 형태에 대해서는 갈바노 타입, 군집 형태에 대해서는 레스터 타입으로 레이저 전사를 수행할 수 있다.
즉, 프로세서(60)는 복수의 불량 마이크로 LED(31R)의 분포 형태에 따라, 전사 시간을 최소한으로 줄일 수 있는 레이저 전사 방식을 선택할 수 있다.
다시, 도 7a를 참조할 때, 추출 부재(미도시)에 의해 제1 기판(30) 상의 복수의 제2 불량 마이크로 LED(31P-2)가 제거될 수 있다.
이후, 도 7b에 도시된 바와 같이, 프로세서(60)는 이동부재(50)를 제어하여, 복수의 제2 불량 마이크로 LED(31P-2)가 제거된 위치에, 결정된 복수의 제2 리페어 마이크로 LED(41R-2)를 배치(정렬) 및 전사할 수 있다.
이때, 제1 기판(30)이 복수의 불량 마이크로 LED(31P)를 포함하면, 복수의 불량 마이크로 LED(31P) 각각에 대응하도록 결정된 복수의 리페어 마이크로 LED(41R)를 순차적으로 레이저 전사할 수 있다.
아울러, 복수의 제2 불량 마이크로 LED(31P-2)가 제거된 위치에, 결정된 복수의 제2 리페어 마이크로 LED(41R-2)를 정렬할 때, 프로세서(60)는 이동부재(50)를 제어하여, 제1 기판(30) 또는 제2 기판(40) 중 적어도 하나를 이동하여 리페어 마이크로 LED(41R)를 배치할 수 있다.
이후, 프로세서(60)는 레이저 장치(10)를 제어하여, 정렬된 복수의 제2 리페어 마이크로 LED(41R-2) 각각의 상부로 레이저(Z)를 조사할 수 있다.
이때, 레이저(Z)는 경로변경부재(12)에 의해 경로가 변경되어 제1 레이저(Z1), 제1 레이저(Z1)와 다른 경로를 가지는 제2 레이저(Z2)를 조사할 수 있다.
여기서, 제1 레이저(Z1)와 제2 레이저(Z2)는 서로 다른 복수의 제2 리페어 마이크로 LED(41R-2)와 대응되는 위치에 조사될 수 있다.
또한, 제1 레이저(Z1)와 제2 레이저(Z2)의 경로가 변경되는 것은 ms, μ(micro sec), ns(nano sec) 단위로 변경되므로, 복수의 제2 리페어 마이크로 LED(41R-2)은 거의 동시에 제2 기판(40)으로부터 리프트 오프될 수 있다.
이하에서는, 도 8a 및 도 8b를 참조하여, 불량 마이크로 LED(31P)가 제거된 위치에 리페어 마이크로 LED(41R)가 정렬하는 과정에 대해 설명한다.
도 8a는 본 개시의 일 실시예에 따른 불량 마이크로 LED(31P)가 제거된 위치와 리페어 마이크로 LED(41R)가 겹쳐지지 않은 제1 상태를 나타낸 개략도이고, 도 8b은 본 개시의 일 실시예에 따른 불량 마이크로 LED(31P)가 제거된 위치와 리페어 마이크로 LED(41R)가 겹쳐지지 않은 제2 상태를 나타낸 개략도이며, 도 8c는 본 개시의 일 실시예에 따른 불량 마이크로 LED(31P)와 리페어 마이크로 LED(41R)가 정렬된 상태를 나타낸 개략도이다.
먼저, 도 8a에 도시된 바와 같이, 제1 기판(30) 상의 불량 마이크로 LED(31P)가 제거된 위치와 다른 위치에 리페어 마이크로 LED(41R)가 배치될 수 있다.
이에 따라, 프로세서(60)는 이동부재(50)를 제어하여, 불량 마이크로 LED(31P)가 제거된 위치와 리페어 마이크로 LED(41R)가 정렬할 수 있도록, 제2 기판(40)을 X1 방향(즉, X 축 방향)으로 이동시킬 수 있다.
다만, 제2 기판(40)이 X 축 방향으로 이동하는 것에 제한되지 않고, 제1 기판(30)은 Y축 방향으로도 이동할 수 있으며, 제1 기판(30)이 이동할 수도 있다.
아울러, 도 8b에 도시된 바와 같이, 제1 기판(30) 상의 불량 마이크로 LED(31P)가 제거된 위치와 리페어 마이크로 LED(41R)가 어긋나도록 배치될 수 있다.
이에 따라, 프로세서(60)는 이동부재(50)를 제어하여, 불량 마이크로 LED(31P)가 제거된 위치와 리페어 마이크로 LED(41R)가 정렬할 수 있도록, 제2 기판(40)을 U1, U2 방향으로 회전할 수 있다.
이에 따라, 도 8c에 도시된 바와 같이, 제1 기판(30) 상의 불량 마이크로 LED(31P)가 제거된 위치와 리페어 마이크로 LED(41R)가 정렬할 수 있으며, 이후 전사가 진행될 수 있다.
다만, 제2 기판(40)이 회전하는 것에 제한되지 않고, 필요에 다라 제1 기판(30)이 회전할 수도 있다.
아울러, 불량 마이크로 LED(31P)가 제거된 위치와 리페어 마이크로 LED(41R)가 정렬하는 것은, 불량 마이크로 LED(31P)의 배치 위치 주변에 배치된 제1 마이크로 LED(31)와 리페어 마이크로 LED(41R)가 정렬되는 것을 의미할 수 있다
이하에서는, 도 9a 및 도 9b를 참조하여, 제3 디스플레이 모듈(30-3)에 배치된 제3 불량 마이크로 LED(31P-3)의 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법에 대해 구체적으로 설명한다.
도 9a는 본 개시의 일 실시예에 따른 제3 디스플레이 모듈(30-3)을 나타낸 상면도이고, 도 9b는 본 개시의 일 실시예에 따른 제2 기판(40)을 나타낸 하면도이다.
먼저, 프로세서(60)는 검사부재(미도시)를 통해 복수의 제3 불량 마이크로 LED(31P-3)의 배치 위치를 알 수 있다.
이후, 프로세서(60)는 판단된 배치 위치를 메모리(70)로 전송하여, 복수의 제3 불량 마이크로 LED(31P-3)를 대체할 복수의 제3 리페어 마이크로 LED(41R-3)를 결정할 수 있다.
구체적으로, 프로세서(60)는 제1 기판(30) 상의 복수의 제3 불량 마이크로 LED(31P-3) 각각의 배치 위치와 동일한 제2 기판(40) 상의 복수의 제3 리페어 마이크로 LED(41R-3)를 결정할 수 있다.
즉, 제1 기판(30)이 복수의 불량 마이크로 LED(31P)를 포함하면, 제1 기판(30) 상의 복수의 불량 마이크로 LED(31P) 각각의 배치 위치와 동일한 제2 기판(40) 상의 복수의 리페어 마이크로 LED(41P)를 결정할 수 있다.
이에 따라, 복수의 제3 불량 마이크로 LED(31P-3) 각각의 배치 위치와 제2 기판(40) 상의 복수의 제3 리페어 마이크로 LED(41R-3)가 동일하므로, 제2 기판(40)이 이동할 필요가 없이 바로 전사가 진행될 수 있다. 따라서, 리페어 공정에 소모되는 시간을 크게 줄일 수 있다.
이하에서는, 도 10a 및 도 10b를 참조하여, 본 개시의 변형 실시예에 따른 제3 디스플레이 모듈(30-3)에 배치된 제3 불량 마이크로 LED(31P-3)의 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법에 대해 구체적으로 설명한다.
도 10a는 본 개시의 변형 실시예에 따른 제3 디스플레이 모듈(30-3)을 나타낸 상면도이고, 도 10b는 본 개시의 변형 실시예에 따른 제2 기판(40)을 나타낸 하면도이다.
여기서, 변형 실시예는 프로세서(60)가 리페어 마이크로 LED(41R)를 결정하는 과정의 차이이며, 구조적으로 차이가 없을 수 있다. 이에 따라, 동일한 구성에 대해서는 동일한 부재번호를 사용하며, 중복되는 설명은 생략한다.
프로세서(60)는 복수의 제3 리페어 마이크로 LED(41R-3)를 결정할 때, 복수의 제3 불량 마이크로 LED(31P-3)와 복수의 제3 리페어 마이크로 LED(41P-3)의 정렬을 위하 제2 기판(40)의 이동 거리 뿐만 아니라, 복수의 제3 불량 마이크로 LED(31P-3)의 특성 정보를 고려하여, 복수의 제3 리페어 마이크로 LED(41P-3)를 결정할 수 있다.
즉, 불량 마이크로 LED(31P)의 특성 정보에 기초하여 복수의 제2 마이크로 LED(41) 중 불량 마이크로 LED(31P)의 특성 정보에 대응되는 리페어 마이크로 LED(41R)를 결정할 수 있다.
여기서, 특성 정보는 복수의 마이크로 LED 각각에 대한 출력 파장 또는 휘도에 대한 측정값이거나, 입력된 출력 파장, 휘도, 성능 등급 중 적어도 하나일 수 있다.
예를 들어, 프로세서(60)는 제2 기판(40)에 배치된 복수의 제2 마이크로 LED(41) 중, 제3 디스플레이 모듈(30-3) 상에 배치된 복수의 제3 불량 마이크로 LED(31P-3)의 특성 정보와 대응되는 복수의 제3 리페어 마이크로 LED(41P-3)를 결정할 수 있다.
예를 들어, 복수의 제3 불량 마이크로 LED(31P-3)의 특성 정보에 따라 B1 내지 B3 등급의 마이크로 LED를 포함하는 경우, 프로세서(60)는 2 기판(40)에 배치된 복수의 제2 마이크로 LED(41) 중, B1 내지 B3 등급의 마이크로 LED를 포함하는 복수의 제3 리페어 마이크로 LED(41P-3)를 결정할 수 있다.
즉, 프로세서(60)는 제2 기판(40) 상에서 불량 마이크로 LED(31R)에 대응되는 특성 정보를 가지는 마이크로 LED 중에서, 불량 마이크로 LED(31R)와 최단 거리에 위치한 마이크로 LED를 리페어 마이크로 LED(414P)로 결정할 수 있다.
이에 따라, 리페어 공정을 통해 제3 불량 마이크로 LED(31P-3)가 교체되더라도, 동일한 특성 정보를 가지는 제3 리페어 마이크로 LED(41R-3)로 대체되므로, 리페어 전후의 디스플레이 모듈의 휘도, 색상의 차이를 최소화할 수 있다.
아울러, 프로세서(60)는 복수의 제3 불량 마이크로 LED(31P-3)의 각각의 특성 정보와 대응되는 특성 정보를 가지는 제3 리페어 마이크로 LED(41R-3)를 결정하는 것에 제한되지 않고, 복수의 제3 불량 마이크로 LED(31P-3)의 평균의 특성 정보를 이용하여, 제3 리페어 마이크로 LED(41R-3)를 결정할 수 있다.
예를 들어, 프로세서(60)는 제2 기판(40)에 배치된 복수의 제2 마이크로 LED(41) 중, 제3 디스플레이 모듈(30-3)의 복수의 제3 불량 마이크로 LED(31P-3)이 포함되는 Q1 영역의 평균 특성 정보와 대응되는 평균 특성 정보를 가지는 Q2 영역을 선택할 수 있다.
이에 따라, 제2 기판(40) 상에 복수의 제3 불량 마이크로 LED(31P-3)의 각각의 특성 정보와 동일한 특성 정보를 가지는 복수의 제2 마이크로 LED(41)가 없더라도, 평균 특성 정보를 이용함으로써, 다양한 조합으로의 제3 리페어 마이크로 LED(41R-3)를 결정할 수 있다.
이후, 프로세서(60)는 리페어 마이크로 LED(41R)가 복수 개로 결정되면, 복수의 리페어 마이크로 LED(41R)가 배치된 제2 기판(40)의 상부 표면에 순차적으로 레이저를 주사하여, 복수의 리페어 마이크로 LED(41R)를 순차적으로 제1 기판(30) 방향으로 전사할 수 있다.
따라서, 제2 기판(40) 상의 복수의 제2 마이크로 LED(41)가 서로 다른 특성 정보를 가지더라도, 리페어 공정에서 모두 쓰일 수 있으므로, 리페어 공정의 비용을 감소시킬 수 있다.
이하에서는, 도 11a 및 도 11b를 참조하여, 제4 디스플레이 모듈(30-4)에 배치된 제4 불량 마이크로 LED(31P-4)의 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법에 대해 구체적으로 설명한다.
도 11a는 본 개시의 일 실시예에 따른 제4 디스플레이 모듈(30-4)을 나타낸 상면도이고, 도 11b는 본 개시의 일 실시예에 따른 제2 기판(40)을 나타낸 하면도이다.
먼저, 프로세서(60)는 검사부재(미도시)를 통해 복수의 제4 불량 마이크로 LED(31P-4)의 배치 위치를 알 수 있다.
이후, 프로세서(60)는 판단된 배치 위치를 메모리(70)로 전송하여, 복수의 제4 불량 마이크로 LED(31P-4)를 대체할 복수의 제4 리페어 마이크로 LED(41R-4)를 결정할 수 있다.
구체적으로, 프로세서(60)는 복수의 제4 리페어 마이크로 LED(41R-4) 각각을 복수의 제4 불량 마이크로 LED(31P-4)의 상부로 배치시키기 위한 이동 거리를 고려하여, 복수의 제4 리페어 마이크로 LED(41R-4)를 결정할 수 있다.
즉, 프로세서(60)는 복수의 리페어 마이크로 LED(41R) 각각을 복수의 불량 마이크로 LED(31P)의 상부로 배치시키기 위한 이동 거리를 고려하여, 복수의 리페어 마이크로 LED(41R)를 결정할 수 있다.
예를 들어, 반복적인 리페어 공정을 통해, 제2 기판(40) 상의 배치된 복수의 제4 마이크로 LED(41)의 수가 줄어든 경우, 제2 기판(40)의 복수의 제2 마이크로 LED(41) 중 복수의 제4 불량 마이크로 LED(31R-4)과 대응되는 위치의 마이크로 LED가 없을 수 있다.
구체적으로, 도 11b에 도시된 바와 같이, 프로세서(60)는 가상의 복수의 리페어 마이크로 LED를 결정하나, 가상의 복수의 리페어 마이크로 LED 중 Q3 영역과 동일한 간격으로 이격된 Q4 영역에는 이전 리페어 공정으로 인해 사용되어 빈 공간의 제2 마이크로 LED(41S)를 포함한다.
이에 따라, 프로세서(60)는 제2 기판(40)의 이동 거리를 최소화 하기 위해, Q4 영역에 인접한 Q5 영역을 선택할 수 있다.
따라서, 프로세서(60)는 Q3 영역 및 Q5 영역에 포함되는 복수의 제4 리페어 마이크로 LED(41R-4)를 결정할 수 있다.
이후, 복수의 제4 리페어 마이크로 LED(41R-4)를 제1 기판(30) 상에 전사하는 과정에서도, 복수의 불량 마이크로 LED(31P) 각각에 대해서 복수의 제4 리페어 마이크로 LED(41R-4)의 배치 및 전사를 교번적으로 수행할 수 있다.
예를 들어, Q3 영역에 포함되는 제4 리페어 마이크로 LED(41R-3)를 일차적으로 전사하고 난뒤, X2 방향으로 제2 기판(40)이 이동한다. 다음으로, Q5 영역에 포함되는 제4 리페어 마이크로 LED(41R-3)를 이차적으로 전사할 수 있다.
이에 따라, 제2 기판(40)의 이동 거리를 최소화함으로써 리페어 공정의 속도를 향상시킬 수 있음과 동시에, 제2 기판(40)의 모든 복수의 제2 마이크로 LED(41)를 사용할 수 있으므로, 리페어 비용도 줄일 수 있다.
이하에서는, 도 12를 참조하여, 본 개시의 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법에 대해 구체적으로 설명한다.
도 12는 본 개시의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다.
먼저, 불량 마이크로 LED(31P)를 대체할 리페어 마이크로 LED(41P)를 결정할 수 있다(S10). 구체적으로, 복수의 제1 마이크로 LED(31)가 배치된 제1 기판(30) 상의 불량 마이크로 LED(31P)의 배치 위치를 고려하여, 제2 기판(40)에 배치된 복수의 제2 마이크로 LED(41) 중 불량 마이크로 LED(31P)를 대체할 리페어 마이크로 LED(41R)를 결정할 수 있다.
이때, 결정하는 것은, 복수의 제2 마이크로 LED(41) 중 가상의 마이크로 LED를 지정하고, 가상의 마이크로 LED와 불량 마이크로 LED(31P) 사이의 거리, 전사 시 제2 기판(40)이 이동해야하는 거리, 대응되는 마이크로 LED의 존재 여부 및 불량 마이크로 LED(31P)의 특성 정보 등 여러가지 요소를 고려하여, 시뮬레이션을 수행할 수 있다.
이에 따라, 사용자의 선택한 요소에 따라, 프로세서(60)는 리페어 마이크로 LED(41R)를 선택할 수 있다.
다음으로, 불량 마이크로 LED(31P)를 제1 기판(30)으로부터 제거할 수 있다(S20).
이후, 제1 기판(30) 상의 제거된 불량 마이크로 LED(31P)의 위치에 결정된 리페어 마이크로 LED(41R)를 전사할 수 있다(S30).
구체적으로, 리페어 마이크로 LED(41R)를 불량 마이크로 LED(31P)의 배치 위치와 대응되는 제1 기판(30) 상부에 매칭할 수 있다(S30-1). 다음으로, 리페어 마이크로 LED(41R)를 레이저 전사 방식으로 불량 마이크로 LED(31P)와 대응되는 위치에 전사할 수 있다(S30-2).
이때, 제1 기판(30) 상에 복수의 불량 마이크로 LED(31P)를 포함하는 경우, 상기의 배치 단계(S30-1)와 전사 단계(S30-2)는 F 경로를 따라 반복적으로 수행될 수 있다.
이에 따라, 반복된 배치(정렬) 및 전사 과정을 통해, 불량 마이크로 LED(31P)를 제거하고, 해당 위치에 리페어 마이크로 LED(41R)를 전사함으로써, 리페어 공정이 수행될 수 있다.
한편, 상술한 본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 방법들은, 기존 전자 장치에 설치 가능한 어플리케이션 형태로 구현될 수 있다.
또한, 상술한 본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 방법들은, 기존 전자 장치에 대한 소프트웨어 업그레이드, 또는 하드웨어 업그레이드 만으로도 구현될 수 있다.
또한, 상술한 본 개시의 다양한 실시 예들은 전자 장치에 구비된 임베디드 서버, 또는 전자 장치의 외부 서버를 통해 수행되는 것도 가능하다.
한편, 이상에서 설명된 다양한 실시 예들은 소프트웨어(software), 하드웨어(hardware) 또는 이들의 조합을 이용하여 컴퓨터(computer) 또는 이와 유사한 장치로 읽을 수 있는 기록 매체 내에서 구현될 수 있다. 일부 경우에 있어 본 명세서에서 설명되는 실시 예들이 프로세서(60) 자체로 구현될 수 있다. 소프트웨어적인 구현에 의하면, 본 명세서에서 설명되는 절차 및 기능과 같은 실시 예들은 별도의 소프트웨어 모듈들로 구현될 수 있다. 소프트웨어 모듈들 각각은 본 명세서에서 설명되는 하나 이상의 기능 및 동작을 수행할 수 있다.
한편, 상술한 본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 전사 장치(1)의 프로세싱 동작을 수행하기 위한 컴퓨터 명령어(computer instructions)는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체(non-transitory computer-readable medium) 에 저장될 수 있다. 이러한 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체에 저장된 컴퓨터 명령어는 특정 기기의 프로세서에 의해 실행되었을 때 상술한 다양한 실시 예에 따른 전사 장치(1)에서의 처리 동작을 특정 기기가 수행하도록 한다.
비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체란 레지스터, 캐쉬, 메모리 등과 같이 짧은 순간 동안 데이터를 저장하는 매체가 아니라 반영구적으로 데이터를 저장하며, 기기에 의해 판독(reading)이 가능한 매체를 의미한다. 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체의 구체적인 예로는, CD(Compact Disc), DVD(Digital Versatile Disc), 하드 디스크, 블루레이 디스크, USB(Universal Serial Bus) 메모리, 메모리카드, ROM(Read Only memory) 등이 있을 수 있다.
이상에서는 본 개시의 다양한 실시예를 각각 개별적으로 설명하였으나, 각 실시예들은 반드시 단독으로 구현되어야만 하는 것은 아니며, 각 실시예들의 구성 및 동작은 적어도 하나의 다른 실시예들과 조합되어 구현될 수도 있다.
또한, 이상에서는 본 개시의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 개시는 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위상에서 청구하는 본 개시의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 개시의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.
1: 전사 장치 10: 레이저 장치
11: 레이저 광원 12: 경로변경부재
20: 렌즈부재 30: 제1 기판
40: 제2 기판 50: 이동부재
60: 프로세서 70: 메모리

Claims (20)

  1. 제1 기판 상의 복수의 제1 마이크로 LED 중 불량 마이크로 LED의 위치를 고려하여, 제2 기판 상의 복수의 제2 마이크로 LED 중 리페어 마이크로 LED를 결정하는 단계;
    상기 불량 마이크로 LED를 상기 제1 기판에서 제거하는 단계;
    상기 리페어 마이크로 LED의 위치가 상기 불량 마이크로 LED가 제거된 위치에 대응되도록 상기 제2 기판 및 상기 제1 기판을 매칭시키는 단계; 및
    상기 불량 마이크로 LED를 상기 리페어 마이크로 LED로 대체하도록, 레이저 전사 방식으로 상기 리페어 마이크로 LED를 상기 제1 기판의 상기 제거된 위치로 전사하는 단계;를 포함하는 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 리페어 마이크로 LED를 결정하는 단계는,
    상기 불량 마이크로 LED가 복수 개이면, 상기 복수의 불량 마이크로 LED간의 거리에 기초하여, 상기 제2 기판 상의 복수의 제2 마이크로 LED 중에서 상기 리페어 마이크로 LED를 복수 개 결정하는 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 리페어 마이크로 LED를 결정하는 단계는,
    상기 제2 기판 상의 상기 복수의 제2 마이크로 LED들 중에서, 상기 불량 마이크로 LED와 최단 거리에 위치한 마이크로 LED를 상기 리페어 마이크로 LED로 결정하는 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 리페어 마이크로 LED를 결정하는 단계는,
    상기 제2 기판 상에서 상기 불량 마이크로 LED에 대응되는 특성 정보를 가지는 마이크로 LED 중에서, 상기 불량 마이크로 LED와 최단 거리에 위치한 마이크로 LED를 상기 리페어 마이크로 LED로 결정하는 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 전사하는 단계는,
    상기 리페어 마이크로 LED가 복수 개로 결정되면, 각 복수의 리페어 마이크로 LED가 배치된 상기 제2 기판의 상부 표면에 순차적으로 레이저를 주사하여 상기 복수의 리페어 마이크로 LED를 순차적으로 상기 제1 기판 방향으로 전사하는 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판은, 상기 마이크로 LED 디스플레이에 탑재되는 타겟 기판이고, 상기 제2 기판은 상기 타겟 기판으로 마이크로 LED를 전사하기 위한 전사 기판이며,
    상기 매칭시키는 단계는,
    상기 제2 기판을 상기 제1 기판 상측으로 이동시키는 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 매칭시키는 단계는,
    상기 불량 마이크로 LED의 주변 마이크로 LED와 상기 리페어 마이크로 LED가 정렬되도록 상기 제1 기판 또는 제2 기판 중 적어도 하나를 이동하는 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판 상의 상기 복수의 제1 마이크로 LED 중 상기 불량 마이크로 LED를 식별하는 단계; 및
    상기 제1 기판의 불량 마이크로 LED의 위치 정보를 저장하는 단계;를 더 포함하는 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 특성 정보는, 출력 파장, 휘도, 성능 등급 중 적어도 하나인 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 제1 마이크로 LED는,
    적색광을 방출하는 적색 마이크로 LED;
    녹색광을 방출하는 녹색 마이크로 LED; 및
    청색광을 방출하는 청색 마이크로 LED;를 포함하고,
    상기 리페어 마이크로 LED가 방출하는 색상은 상기 불량 마이크로 LED가 방출하는 색상과 대응하는 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법.
  11. 전사 장치에 있어서,
    레이저 장치;
    복수의 제1 마이크로 LED가 배치된 제1 기판 및 복수의 제2 마이크로 LED가 배치된 제2 기판 중 적어도 하나를 이동시키기 위한 이동부재;
    LED 제거를 위한 추출 부재; 및
    상기 전사 장치의 동작을 제어하기 위한 프로세서;를 포함하며,
    상기 프로세서는,
    상기 복수의 제1 마이크로 LED 중 불량 마이크로 LED의 위치를 고려하여, 상기 복수의 제2 마이크로 LED 중 리페어 마이크로 LED를 결정하고,
    상기 추출 부재를 제어하여 상기 불량 마이크로 LED를 상기 제1 기판에서 제거하며,
    상기 이동부재를 제어하여, 상기 리페어 마이크로 LED의 위치가 상기 불량 마이크로 LED가 제거된 위치에 대응되도록 상기 제2 기판 및 상기 제1 기판을 매칭시키며,
    상기 불량 마이크로 LED를 상기 리페어 마이크로 LED로 대체하도록, 상기 레이저 장치를 제어하여 상기 리페어 마이크로 LED를 상기 제1 기판 의 상기 제거된 위치로 전사시키는 전사 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 불량 마이크로 LED가 복수 개이면, 상기 복수의 불량 마이크로 LED간의 거리에 기초하여, 상기 제2 기판 상의 복수의 마이크로 LED 중에서 상기 리페어 마이크로 LED를 복수 개 결정하는 전사 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 제2 기판 상의 상기 복수의 제2 마이크로 LED들 중에서, 상기 불량 마이크로 LED와 최단 거리에 위치한 마이크로 LED를 상기 리페어 마이크로 LED로 결정하는 전사 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 제2 기판 상에서 상기 불량 마이크로 LED에 대응되는 특성 정보를 가지는 마이크로 LED 중에서, 상기 불량 마이크로 LED와 최단 거리에 위치한 마이크로 LED를 상기 리페어 마이크로 LED로 결정하는 전사 장치.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 리페어 마이크로 LED가 복수 개로 결정되면, 각 복수의 리페어 마이크로 LED가 배치된 상기 제2 기판의 상부 표면에 순차적으로 레이저를 주사하여 상기 복수의 리페어 마이크로 LED를 순차적으로 상기 제1 기판 방향으로 전사하도록 상기 레이저 장치를 제어하는 전사 장치.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 제1 기판은, 상기 마이크로 LED 디스플레이에 탑재되는 타겟 기판이고, 상기 제2 기판은 상기 타겟 기판으로 마이크로 LED를 전사하기 위한 전사 기판이며,
    상기 프로세서는,
    상기 이동부재를 제어하여, 상기 제2 기판을 상기 제1 기판 상측으로 이동시키는 전사 장치.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 이동부재를 제어하여, 상기 불량 마이크로 LED의 주변 마이크로 LED와 상기 리페어 마이크로 LED가 정렬되도록 상기 제1 기판 또는 제2 기판 중 적어도 하나를 이동시키는 전사 장치.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 특성 정보는, 출력 파장, 휘도, 성능 등급 중 적어도 하나인 리페어 장치.
  19. 제11항에 있어서,
    상기 복수의 제1 마이크로 LED는,
    적색광을 방출하는 적색 마이크로 LED;
    녹색광을 방출하는 녹색 마이크로 LED; 및
    청색광을 방출하는 청색 마이크로 LED;를 포함하고,
    상기 리페어 마이크로 LED가 방출하는 색상은 상기 불량 마이크로 LED가 방출하는 색상과 대응하는 리페어 장치.
  20. 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법을 실행하기 위한 프로그램을 포함하는 컴퓨터 판독가능 기록매체에 있어서,
    상기 마이크로 LED 디스플레이의 제조 방법은,
    제1 기판 상의 복수의 제1 마이크로 LED 중 불량 마이크로 LED의 위치를 고려하여, 상기 제2 기판 상에서 상기 불량 마이크로 LED에 대응되는 특성 정보를 가지는 마이크로 LED 중에서, 상기 불량 마이크로 LED와 최단 거리에 위치한 마이크로 LED를 리페어 마이크로 LED로 결정하는 마이크로 결정하는 단계:
    상기 불량 마이크로 LED를 상기 제1 기판에서 제거하는 단계;
    상기 리페어 마이크로 LED의 위치가 상기 불량 마이크로 LED가 제거된 위치에 대응되도록 상기 제2 기판 및 상기 제1 기판을 매칭시키는 단계; 및
    레이저 전사 방식으로 상기 리페어 마이크로 LED를 상기 제1 기판의 상기 제거된 위치로 전사하여, 상기 불량 마이크로 LED를 상기 리페어 마이크로 LED로 대체되도록 하는 단계;를 포함하는 컴퓨터 판독가능 기록매체.
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