KR20200094498A - 마스크를 포함하는 마이크로 엘이디 전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 엘이디 전사 방법 - Google Patents

마스크를 포함하는 마이크로 엘이디 전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 엘이디 전사 방법 Download PDF

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micro leds
micro
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leds
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곽도영
김은혜
박상무
오민섭
이윤석
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삼성전자주식회사
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Abstract

마이크로 엘이디 전사 장치가 개시된다. 마이크로 엘이디 전사 장치는, 다수의 마이크로 엘이디가 형성된 제1 기판을 제2 기판 상측에 이동 가능하게 배치시키는 이송 유닛; 상기 제1 기판에 레이저 빔을 주사하는 레이저 광원; 상기 제1 기판과 상기 레이저 광원 사이에 배치되어 다수의 개구를 선택적으로 개폐하는 마스크 유닛; 및 상기 제1 기판을 미리 설정된 위치로 이동하고 선택적으로 회전시키는 상기 마스크 유닛을 제어하고, 상기 제2 기판에 전사될 다수의 마이크로 엘이디에 대응하는 개구들을 개폐하도록 상기 마스크 유닛을 제어하는 프로세서;를 포함한다.

Description

마스크를 포함하는 마이크로 엘이디 전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 엘이디 전사 방법{MICRO LED TRANSFER DEVICE COMPRISING MASK AND MICRO LED TRANSFERRING METHOD USING THE SAME}
본 개시는 웨이퍼에 형성된 다수의 마이크로 엘이디(Micro Light Emitting Diode)를 디스플레이 패널의 인쇄회로기판에 전사하는 마이크로 엘이디 전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 엘이디 전사 방법에 관한 것이다.
마이크로 엘이디는 컬러 필터 및 백 라이트 없이 스스로 빛을 내는 초소형 무기 발광물질이다. 구체적으로, 마이크로 엘이디는 일반 발광 다이오드(LED) 칩 보다 길이가 10분의 1, 면적은 100분의 1 정도이며, 가로, 세로 및 높이가 10㎛ ~ 100㎛ 크기의 초소형 LED를 지칭할 수 있다.
마이크로 엘이디는 웨이퍼 상에서 칩 형태로 제조되고, 타겟 기판 상에 배치됨으로써 디스플레이의 발광 모듈을 구성할 수 있다.
다만, 웨이퍼 상의 반도체 칩은 제조 과정에 있어서 제조 공차로 인해 색상, 밝기 등의 성능이 상호 다른 상태로 제조됨에 따라, 웨이퍼 상의 반도체 칩의 각 영역간의 성능이 차이점이 발생한다.
이에 따라, 웨이퍼 상의 반도체 칩을 웨이퍼 상의 반도체 칩 간의 영역의 성능이 상이한 배치 상태 그대로 타겟 기판에 배치함에 따라, 타겟 기판 상의 반도체 칩의 각 영역간의 성능이 차이 나게 되었다.
이러한 타겟 기판 상의 반도체 칩의 각 영역간의 성능의 차이는, 제조된 디스플레이의 휘도 또는 색상이 균일하지 않은 문제점을 수반하게 되었다.
본 개시의 목적은 제2 기판 상에 배치되는 다수의 마이크로 엘이디 간의 성능 또는 특성의 균일도가 개선되도록 다수의 마이크로 엘이디를 전사하는 마이크로 엘이디 전사 장치 및 그 마이크로 엘이디 전사 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 개시에서는 다수의 마이크로 엘이디가 형성된 제1 기판을 제2 기판 상측에 이동 가능하게 배치시키는 이송 유닛; 상기 제1 기판에 레이저 빔을 주사하는 레이저 광원; 상기 제1 기판과 상기 레이저 광원 사이에 배치되어 다수의 개구를 선택적으로 개폐하는 마스크 유닛; 및 상기 제1 기판을 미리 설정된 위치로 이동하고 선택적으로 회전시키는 상기 마스크 유닛을 제어하고, 상기 제2 기판에 전사될 다수의 마이크로 엘이디에 대응하는 개구들을 개폐하도록 상기 마스크 유닛을 제어하는 프로세서;를 포함하는 마이크로 엘이디 전사 장치를 제공한다.
상기 프로세서는, 상기 다수의 마이크로 엘이디가 전사되는 상기 제2 기판의 다수의 전사 영역 간 출력 특성이 균일하도록 상기 제1 기판을 제1 방향 및 상기 제1 방향에 역방향인 제2 방향으로 회전시키도록 상기 이송 유닛을 제어할 수 있다.
상기 마스크 유닛은, 상기 다수의 개구가 형성된 마스크; 및 상기 제1 기판 상의 다수의 마이크로 엘이디 중, 상기 제2 기판에 배치될 제1 그룹 마이크로 엘이디에 대응하는 다수의 개구를 개방하는 제1 모드와 상기 제1 그룹의 마이크로 엘이디 사이에 배치될 제2 그룹의 마이크로 엘이디에 대응하는 다수의 개구를 개방하는 제2 모드로 선택적으로 변경되는 블라인드;를 포함할 수 있다.
상기 프로세서는, 상기 블라인드가 제1 모드이면 상기 제1 기판을 제1 위치로 설정하도록 상기 마스크 유닛을 제어하고, 상기 블라인드가 제2 모드이면 상기 제1 기판을 상기 제1 위치와 다른 제2 위치로 설정하도록 상기 마스크 유닛을 제어할 수 있다.
상기 제1 기판의 상기 제2 위치는 상기 제1 기판의 상기 제1 위치에 대하여 XY 평면상의 위치가 상이하고 180도 회전한 위치일 수 있다.
상기 제1 기판은 상기 다수의 마이크로 엘이디 각각과 상기 제1 기판 사이에 배치되는 접착층을 더 포함할 수 있고, 상기 레이저 빔은 상기 접착층에 열을 전달하여 상기 다수의 마이크로 엘이디를 상기 제1 기판으로부터 떨어뜨릴 수 있다.
상기 제1 기판 상에서 상기 제1 그룹의 마이크로 엘이디와 상기 제2 그룹의 마이크로 엘이디는 사선 방향으로 평행하게 배치될 수 있다.
상기 제2 기판에 배치되는 상기 제1 그룹의 마이크로 엘이디와 상기 제2 그룹의 마이크로 엘이디는 사선 방향으로 평행하게 배치될 수 있다.
상기 제1 기판 상의 상기 제1 그룹의 마이크로 엘이디와 상기 제2 그룹의 마이크로 엘이디는 애노드 전극 및 캐소드 전극이 서로 반대로 배치되며, 상기 제1 그룹의 마이크로 엘이디가 접속되는 상기 제2 기판 상의 애노드 전극 패드와 캐소드 전극 패드는 상기 제2 그룹의 마이크로 엘이디가 전사되는 상기 제2 기판 상의 애노드 전극 패드 및 캐소드 전극 패드와 동일한 방향으로 배치될 수 있다.
상기 제1 기판 상의 상기 제1 그룹의 마이크로 엘이디의 애노드 전극과 캐소드 전극은 상기 제1 기판 상의 상기 제2 그룹의 마이크로 엘이디의 애노드 전극 및 캐소드 전극과 동일한 방향으로 배치되며, 상기 제1 그룹의 마이크로 엘이디가 접속되는 상기 제2 기판 상의 애노드 전극 패드 및 캐소드 전극 패드는 상기 제2 그룹의 마이크로 엘이디가 접속되는 상기 제2 기판 상의 애노드 전극 패드 및 캐소드 전극 패드과 반대 방향으로 배치될 수 있다.
또한, 본 개시에서는 다수의 마이크로 엘이디가 형성된 제1 기판이 로딩 및 언로딩되는 제1 스테이지; 제2 기판이 로딩 및 언로딩되는 제2 스테이지; 상기 제1 기판 상의 다수의 마이크로 엘이디 중 제1 그룹의 마이크로 엘이디를 픽킹하여 상기 제2 기판에 플레이싱하는 제1 픽커; 상기 제1 기판 상의 다수의 마이크로 엘이디 중 상기 제1 그룹의 마이크로 엘이디와 상이한 제2 그룹 마이크로 엘이디를 픽킹하여 상기 제2 기판에 플레이싱하는 제2 픽커; 및 제1 그룹의 마이크로 엘이디와 상기 제1 기판 상의 다수의 마이크로 엘이디를 상기 제2 기판에 교대로 픽킹 및 플레이싱 하도록 상기 제1 및 제2 픽커를 제어하는 프로세서;를 포함하는 마이크로 엘이디 전사 장치를 제공함으로써, 상기 목적을 달성할 수 있다.
상기 제1 픽커는 상기 제1 기판 상의 제1 그룹의 다수의 마이크로 엘이디를 픽킹하는 다수의 제1 픽킹부를 포함하며, 상기 제2 픽커는 상기 제1 기판 상의 제2 그룹의 다수의 마이크로 엘이디를 픽킹하는 다수의 제2 픽킹부를 포함할 수 있다.
상기 제1 픽커 및 상기 제2 픽커는 각각 서로 다른 구동 장치에 의해 구동될 수 있다.
상기 제1 픽커 및 상기 제2 픽커는 단일 구동 장치에 의해 구동하며, 상기 단일 구동 장치의 헤드에 연결될 수 있다.
상기 제1 픽커 및 상기 제2 픽커는 헤드에 함께 연결되며, 상기 제1 픽커의 승강 동작은 상기 제2 픽커의 승강 동작과 반대로 이루어질 수 있다.
상기 제1 기판은 상기 제1 및 제2 픽커에 의해 다수의 마이크로 엘이디가 픽킹 가능하도록 상기 다수의 마이크로 엘이디 각각과 상기 제1 기판 사이에 형성된 접착층을 더 포함하며, 상기 다수의 마이크로 엘이디는 각각의 애노드 전극 및 캐소드 전극이 상기 접착층에 부착될 수 있다.
또한, 본 개시에서는 제1 기판을 제1 위치로 배치하는 단계; 상기 제1 기판 상의 다수의 마이크로 엘이디 중 미리 설정된 제1 그룹의 마이크로 엘이디를 제2 기판에 전사하는 단계; 상기 제1 기판을 제1 방향으로 회전하는 단계; 상기 제1 기판을 상기 제1 위치와 다른 제2 위치로 이동하는 단계; 및 상기 제1 기판 상의 다수의 마이크로 엘이디 중 미리 설정된 제2 그룹의 마이크로 엘이디를 제2 기판에 전사하는 단계;를 포함하는 마이크로 엘이디 전사 방법을 제공함으로써, 상기 목적을 달성할 수 있다.
상기 제2 그룹의 마이크로 엘이디를 제2 기판에 전사한 후, 상기 제1 기판을 제1 방향의 반대 방향인 제2 방향으로 회전하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 기판은 상기 제1 방향으로 회전하는 각도와 상기 제2 방향으로 회전하는 각도는 각각 180도일 수 있다.
또한, 본 개시에서는 마이크로 엘이디 전사 방법을 실행하기 위한 프로그램을 포함하는 컴퓨터 판독가능 기록매체에 있어서, 상기 마이크로 엘이디 전사 방법은, 제1 기판을 제1 위치로 배치하는 단계; 상기 제1 기판 상의 다수의 마이크로 엘이디 중 미리 설정된 제1 그룹의 마이크로 엘이디를 제2 기판에 전사하는 단계; 상기 제1 기판을 제1 방향으로 회전하는 단계; 상기 제1 기판을 상기 제1 위치와 다른 제2 위치로 이동하는 단계; 및 상기 제1 기판 상의 다수의 마이크로 엘이디 중 미리 설정된 제2 그룹의 마이크로 엘이디를 제2 기판에 전사하는 단계;를 포함하는 컴퓨터 판독가능 기록매체를 제공함으로써, 상기 목적을 달성할 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치를 나타낸 개략도이다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치내에 구비된 메모리와 프로세서를 나타낸 블록도이다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치의 마스크 유닛을 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 마스크 유닛의 마스크를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치에서 이용하는 제1 기판을 나타낸 도면이다.
도 6은 도 5에서 구획된 영역들 중 제1 영역을 확대한 도면으로, 다수의 마이크로 엘이디가 하측을 향하도록 제1 기판을 뒤집은 상태에서 제1 영역을 나타낸 도면이다.
도 7은 도 6에 표시된 A 부분 및 B 부분을 나타낸 확대도이다.
도 8은 스테이지에 로딩된 상태의 제2 기판을 나타낸 도면이다.
도 9는 본 개시의 일 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치를 이용하여 제1 기판으로부터 다수의 마이크로 엘이디를 제2 기판으로 전사하는 과정을 나타내는 흐름도이다.
도 10은 블라인드가 마스크에 대하여 좌측으로 이동한 이동한 상태를 나타낸 도면이다.
도 11은 도 10에 도시된 마스크의 개구를 통해 제1 기판으로 레이저 빔을 주사하는 예를 나타낸 도면이다.
도 12는 제1 기판이 제1 위치에 설정된 상태에서 레이저 전사에 의해 일부 마이크로 엘이디가 제1 영역으로부터 분리된 예를 나타낸 도면이다.
도 13은 마스크의 블라인드가 마스크에 대하여 우측으로 이동한 이동한 상태를 나타낸 도면이다.
도 14는 도 13에 도시된 마스크의 개구를 통해 제1 기판으로 레이저 빔을 주사하는 예를 나타낸 도면이다.
도 15는 제1 기판이 180도 회전 후 제2 위치에 설정된 상태에서 레이저 전사에 의해 일부 마이크로 엘이디가 제1 영역으로부터 분리된 예를 나타낸 도면이다.
도 16은 제1 기판의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 17은 제2 기판의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 18은 본 개시의 다른 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치를 나타낸 개략도이다.
도 19은 다수의 마이크로 엘이디를 픽킹하기 위한 제1 픽커를 나타낸 도면이다.
도 20은 다수의 마이크로 엘이디를 픽킹하기 위한 제2 픽커를 나타낸 도면이다.
도 21은 본 개시의 다른 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치를 이용하여 제1 기판으로부터 다수의 마이크로 엘이디를 제2 기판으로 전사하는 과정을 나타내는 흐름도이다.
본 개시의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 개시의 바람직한 실시예들을 설명한다. 그러나 본 개시는 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예들에 대한 설명은 본 개시의 개시가 완전하도록 하며, 본 개시가 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 구성 요소들은 설명의 편의를 위하여 그 크기를 실제보다 확대하여 도시한 것이며, 각 구성 요소의 비율은` 과장되거나 축소될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "상에" 있다거나 "접하여" 있다고 기재된 경우, 다른 구성 요소에 상에 직접 맞닿아 있거나 또는 연결되어 있을 수 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "바로 상에" 있다거나 "직접 접하여" 있다고 기재된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "～사이에"와 "직접 ～사이에" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 개시의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 표현하지 않는 한, 다수의 표현을 포함한다. "포함한다" 또는 "가진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하기 위한 것으로, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들이 부가될 수 있는 것으로 해석될 수 있다.
본 개시의 실시예들에서 사용되는 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 통상적으로 알려진 의미로 해석될 수 있다.
이하에서는, 제1 기판(예를 들면, 다수의 마이크로 엘이디가 반도체 칩 형태로 형성된 웨이퍼)에서 제2 기판(예를 들면, 디스플레이용 기판)으로 마이크로 엘이디를 전사함에 있어 제1 기판의 산포 불균일을 보상할 수 있도록 다수의 마이크로 엘이디를 제2 기판에 전사하는 본 개시에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치와 이를 이용한 전사 방법에 대해 설명한다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치를 나타내는 개략도이고, 도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치를 나타내는 블록도이고, 도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치의 마스크 유닛을 나타내는 도면이고, 도 4는 도 3에 도시된 마스크 유닛의 마스크를 나타내는 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치(1)는 제2 기판(30)의 상측에서 제1 기판(20)을 이동 가능하도록 지지하는 이송 유닛(10)과, 제2 기판(30)이 클램핑 가능하게 안착되며 제2 기판(30)을 이동시키는 스테이지(40)와, 제1 기판(20)으로 조사되는 레이저 빔을 선택적으로 통과시키는 마스크 유닛(50)과, 제1 기판(20)으로 레이저 빔을 조사하는 레이저 광원(60)과, 이송 유닛(10), 스테이지(40), 마스크 유닛(50)을 각각 제어하는 프로세서(80)를 포함할 수 있다.
이송 유닛(10)은 다수의 마이크로 엘이디(21)가 제2 기판(30)을 향하도록 제1 기판(20)을 지지하는 고정 부재(11)와, 고정 부재(11)가 회전 가능하게 연결된 가이드 부재(12)를 포함할 수 있다.
도 1에 도시된 좌표계를 기준으로 하면, 고정 부재(11)는 슬라이더(14)를 통해 가이드 부재(12)에 X축 방향을 따라 이동 가능하도록 회전축(15)에 의해 가이드 부재(12)에 연결될 수 있다. 또한, 고정 부재(11)는 Z축을 따라 배치된 회전축(15)을 중심으로 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전할 수 있다.
가이드 부재(12)는 고정 부재(11)를 Y축 방향으로 이동시킬 수 있도록 Y축 방향으로 각각 배치된 가이드 레일(미도시)에 슬라이딩 가능하게 연결될 수 있다.
제1 기판(20)은 고정 부재(11)와 가이드 부재(12)에 의해 XY 평면 상의 임의의 위치로 이동할 수 있고 Z축을 기준으로 시계 방향 및 반시계 방향으로 회전할 수 있다.
고정 부재(11)는 도 1과 같이 제1 기판(20)의 가장자리 영역을 지지함에 따라 제1 기판(20)을 고정시키는 것으로 도시하였으나. 이제 제한되지 않고 제1 기판(20)을 안정적으로 고정시킬 수 있는 구성 예를 들면, 진공 흡착 방식 등의 다양한 클램핑 구조를 통해 제1 기판(20)의 임의의 부분에 연결되도록 구성될 수 있다. 설명의 편의를 위해, 도 1에서는 고정 부재(11)를 회전하기 위한 구동장치와 가이드 부재(12)를 이동시키기 위한 구동장치의 도시를 생략한다.
가이드 부재(12)는 제2 기판(30)의 상측에 배치되어, 제1 기판(20)과 연결된 고정 부재(11)를 제2 기판(30)에 대하여 XY 평면 상의 임의의 위치로 이동시킬 수 있다. 아울러, 가이드 부재(12)는 다중 관절 구조, 피스톤 구조, 슬라이딩 구조 등의 다양한 구조를 통해 고정 부재(11)를 이동시킬 수 있다.
제1 기판(20)은 웨이퍼(wafer)일 수 있다. 사파이어 기판 등의 다양한 기판 상에 성장된 다수의 마이크로 엘이디(21)가 배치된 웨이퍼일 수 있다.
제1 기판(20)의 일면에는 접착층(22)이 위치할 수 있다. 접착층(22)은 다수의 마이크로 엘이디(21)를 제1 기판(20)에 부착시킨다. 또한, 접착층(22)은 마이크로 엘이디(21)가 제1 기판(20)으로부터 분리될 수 있도록 제1 기판(20)에 주사되는 레이저 빔에 의해 용융되는 물질로 구성될 수 있다.
마이크로 엘이디(21)는 가로, 세로 및 높이가 100㎛이하의 크기를 가지는 무기 발광물질로 이루어지고 전원이 공급되면 스스로 광을 발산할 수 있다.
아울러, 마이크로 엘이디(21)는 빠른 반응속도, 낮은 전력, 높은 휘도를 가지고 있어 차세대 디스플레이의 발광 소자로서 각광받고 있다. 구체적으로, 마이크로 엘이디(21)는 LCD(liquid crystal display) 또는 OLED(optical light emitting diode)에 비해 전기를 광자로 변환시키는 효율이 더 높다. 즉, LCD 또는 OLED 디스플레이에 비해 “와트 당 밝기”가 더 높다. 이로 인해 마이크로 엘이디(21)가 기존 LED 또는 OLED에 비해 약 절반 정도의 에너지로도 동일한 밝기를 낼 수 있다.
이외에도 마이크로 엘이디(21)는 높은 해상도, 우수한 색상, 명암 및 밝기 구현이 가능하여, 넓은 범위의 색상을 정확하게 표현할 수 있으며, 햇빛이 밝은 야외에서도 선명한 화면을 구현할 수 있다. 그리고, 마이크로 엘이디(21)는 번인(burn in) 현상에 강하고 발열이 적어 변형 없이 긴 수명이 보장된다.
또한, 마이크로 엘이디(21)는 적색광을 방출하는 적색 마이크로 엘이디, 녹색광을 방출하는 녹색 마이크로 엘이디, 청색광을 방출하는 청색 마이크로 엘이디일 수 있다.
하나의 웨이퍼 상에는 동일한 색상의 광을 발산하는 마이크로 엘이디가 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(20)이 웨이퍼일 경우, 제1 기판(20) 상에는 적색광을 방출하는 적색 마이크로 엘이디만으로 구성되거나, 녹색광을 방출하는 녹색 마이크로 엘이디만으로 구성되거나, 청색광을 방출하는 청색 마이크로 엘이디만으로 구성될 수 있다.
웨이퍼 상에 형성된 마이크로 엘이디(21)는 각각 애노드(Anode) 전극 및 다수의 캐소드(Cathode) 전극을 가진다.
하나의 웨이퍼 상에서 일부의 마이크로 엘이디는 나머지 마이크로 엘이디에 대하여 180도로 배치될 수 있다. 여기서, 나머지 마이크로 엘이디가 180도로 배치된다는 의미는 나머지 마이크로 엘이디(21b, 도 7 참조)의 애노드 전극과 캐소드 전극이 일부의 마이크로 엘이디(21a, 도 7 참조)의 애노드 전극과 캐소드 전극에 대해 반대 방향으로 위치하는 것일 수 있다.
또한, 하나의 웨이퍼 상의 모든 마이크로 엘이디는 애노드 전극과 캐소드 전극이 모두 동일한 방향으로 형성될 수도 있다(도 16 참조).
제2 기판(30)은 타겟 기판으로서 디스플레이 패널에 적용되는 인쇄회로기판(PCB)일 수 있으며 제1 기판(20)과 달리 다양한 크기 및 형상으로 이루어질 수 있다. 또한, 제2 기판(30)은 제1 기판을 전달 받아 디스플레이 패널의 인쇄회로기판으로 마이크로 엘이디를 중계하는 중계 기판일 수 있다.
제2 기판(30)은 제1 기판(20)으로부터 전사되는 다수의 마이크로 엘이디(21)가 실장된다. 제2 기판(30)은 각 마이크로 엘이디(21)가 물리적 및 전기적으로 연결되는 다수의 애노드 전극 패드(31a, 도 7 참조) 및 다수의 캐소드 전극 패드(31b, 도 7 참조)가 형성될 수 있다.
이 경우, 제2 기판(30)의 다수의 애노드 전극 패드 및 다수의 캐소드 전극 패드는 제1 기판(20) 상에서 배열된 다수의 마이크로 엘이디의 애노드 전극 및 캐소드 전극의 배열에 따라 달라질 수 있다.
예를 들면, 일부 마이크로 엘이디(21a)에 대하여 나머지 마이크로 엘이디(21b)가 180도로 배치된 경우(도 7 참조), 제2 기판(20) 상의 다수의 애노드 전극 패드 및 다수의 캐소드 전극 패드는 모두 동일한 방향으로 배치될 수 있다(도 8 참조). 또한, 모든 마이크로 엘이디의 애노드 전극과 캐소드 전극이 모두 동일한 방향으로 형성되는 경우(도 16 참조), 제2 기판(20) 상의 다수의 애노드 전극 패드 및 다수의 캐소드 전극 패드는 일부가 0도로 배치되고, 나머지가 180도로 배치될 수 있다(도 17 참조).
스테이지(40)는 제2 기판(30)이 각각 로딩 및 언로딩 되며, 제2 기판(30)을 제1 기판(20)에 대하여 평행하게 배치될 수 있도록 지지할 수 있다.
스테이지(40)는 제2 기판(30)이 로딩된 상태에서 이송 유닛(10)에 대해 상대적으로 이동할 수 있다. 즉, 스테이지(40)는 XY 평면 상을 이동할 수 있다. 또한, 스테이지(40)는 Z축 방향을 따라 상하로 이동할 수 있다. 설명의 편의상, 도 1에서는 스테이지(40)의 XY 평면 이동과 상하 이동을 위한 각각의 구동장치의 도시를 생략한다.
마스크 유닛(50)은 레이저 광원(60)과 제1 기판(20) 사이에 배치되어, 레이저 광원(60)에서 방출되는 레이저 빔을 제1 기판(20) 상으로 통과시킬 수 있다. 마스크 유닛(50)의 구체적인 구조는 도 3 및 도 4를 참조하여 후술한다.
레이저 광원(60)은 다수의 마이크로 엘이디(21)가 형성되지 않은 제1 기판(20)의 후면을 향해 레이저 빔을 조사하여 다수의 마이크로 엘이디(21)를 리프트 오프(lift off)시킬 수 있다. 레이저 빔에 의해 제1 기판(20)으로부터 리프트 오프된 마이크로 엘이디(21)는 제2 기판(30)으로 전사될 수 있다.
레이저 광원(60)은 제1 기판(20)을 향해 레이저 빔을 직접 조사하거나, 레이저 빔이 조사되는 경로 상에 레이저 빔의 방향을 적절히 변경할 수 있는 렌즈 부재(예를 들면, P-lens 등)를 배치할 수 있다.
아울러, 레이저 광원(60)은 포인트(point) 레이저 빔, 라인(line) 레이저 빔, 에어리어(area) 레이저 빔 중 어느 하나일 수 있다. 포인트 레이저 빔은 한 점을 향해 주사되는 레이저 빔이며, 라인 레이저 빔은 X축 또는 Y축을 따라 임의의 길이로 주사되는 레이저 빔이다. 에어리어 빔은 임의의 영역에 동시에 주사되는 레이저 빔으로, 다수의 [X,Y] 좌표 지점에 레이저 빔을 동시에 또는 순차적으로 주사될 수 있다. 이 경우, 에어리어 레이저 빔은 임의의 영역에 대하여 다수의 평행한 사선 방향으로 동시에 또는 순차적으로 주사될 수 있다.
레이저 광원(60)은 도면에 도시하지 않은 레이저 빔 주사장치(laser beam scanner)의 일부일 수 있으며, 레이저 빔 주사장치는 본 개시의 일 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치에 포함될 수 있다.
도 2에 도시된 메모리(70)는 마이크로 엘이디 전사 장치(1) 내에 구비될 수 있다. 메모리(70)는 플래시 메모리 타입(flash memory), 롬(ROM), 램(RAM), 하드 디스크(hard disk type), 멀티미디어 카드 마이크로 타입(multimedia card micro type), 카드 타입의 메모리(예를 들어 SD 또는 XD 메모리 등) 중 적어도 하나로 구현될 수 있다.
아울러, 메모리(70)는 프로세서(80)와 전기적으로 연결되어 있어 프로세서(80)와 상호간 신호 및 정보를 전송할 수 있다. 이에 따라, 메모리(70)는 제1 기판으로부터 제2 기판에 다수의 마이크로 엘이디를 전사하는 일련의 과정을 프로그래밍한 프로그램을 저장할 수 있다.
프로세서(80)는 마이크로 엘이디 전사 장치(1) 내에 구비될 수 있으며, 마이크로 엘이디 전사 장치(1)의 전반적인 동작을 제어한다. 즉, 프로세서(80)는 이송 유닛(10), 스테이지(40), 마스크 유닛(50), 레이저 광원(60)과 각각 전기적으로 연결되으며, 상기 각 구성을 제어할 수 있다.
예를 들어, 프로세서(80)는 이송 유닛(10)을 제어하여, 제1 기판(20)을 제2 기판(30)의 상측에서 임의의 XY 평면 상의 위치로 이송시킬 수 있고 원하는 각도로 회전시킬 수 있다. 또한 프로세서(80)는 스테이지(40)를 임의의 XY 평면 상의 위치로 이동시킬 수 있고 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 또한 프로세서(80)는 레이저 광원(60)을 제어하여 제1 기판(20)을 향해 미리 설정된 지점으로 레이저 빔을 주사하도록 제어할 수 있다.
다만, 본 개시에서는 하나의 프로세서(80)에 의해 모든 구성을 제어하는 것으로 설명하지만 이에 한정되지 않고, 다수의 독립된 프로세서를 이용하여 각 구성을 제어할 수도 있다.
프로세서(80)는 중앙처리장치(central processing unit(CPU)), controller, 어플리케이션 프로세서(application processor(AP)), 또는 커뮤니케이션 프로세서(communication processor(CP)), ARM 프로세서 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다.
아울러, 프로세서(80)는 메모리(70)와 전기적으로 연결되어 메모리(70)에 저장된 마이크로 엘이디 전사를 위한 프로그램과 다수의 정보를 이용할 수 있다. 본 개시의 일 실시예에 따른 프로세서(80)의 구체적인 기능에 대해서는 후술한다.
이하에서는, 도 3 및 도 4를 참조하여, 마스크 유닛(50)의 구체적인 구조에 대해서 설명한다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치의 마스크 유닛을 나타낸 도면이고, 도 4는 도 3에 도시된 마스크 유닛의 마스크를 나타낸 도면이고, 도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치에서 이용하는 제1 기판을 나타낸 도면이고, 도 6은 도 5에 표시된 A 부분을 나타낸 확대도이고, 도 7는 본 개시의 일 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치에서 이용하는 제2 기판을 나타낸 도면이다.
마스크 유닛(50)은 도 1과 같이 제1 기판(20)과 레이저 광원(60) 사이에 배치될 수 있다. 마스크 유닛(50)은 이송 유닛(10)의 고정 부재(11)에 연결된 제1 기판(20)과 함께 XY 평면을 따라 이동 할 수 있다. 이 경우, 마스크 유닛(40)은 고정 부재(11)의 회전에 영향을 받지 않는 상태로 고정 부재(11)에 연결될 수 있다. 즉, 제1 기판(20)을 회전시키기 위해 고정 부재(11)가 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전 시, 마스크 유닛(50)은 회전하지 않을 수 있다.
도 3을 참조하면, 마스크 유닛(50)은 마스크(51)와, 마스크(51)에 대하여 X축 방향으로 일정 거리만큼 이동 가능하게 배치된 블라인드(53)를 포함할 수 있다.
도 4를 참조하면, 마스크(51)는 대략 평판 형상으로 이루어질 수 있으며, 레이저 빔이 통과할 수 있도록 X축 방향 및 Y축 방향으로 일정한 간격을 두고 다수의 개구(S)가 형성될 수 있다.
다수의 개구(S)는 X축 방향으로 제1 피치(P1)로 배치될 수 있고 Y축 방향으로 제2 피치(P2)로 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 피치(P1)와 제2 피치(P1)는 동일한 길이 또는 상이한 길이를 가질 수 있다. 여기서, 제1 및 제2 피치(P1, P2)는 사용자의 설정에 따라 수십 ㎛에서 수백 ㎛로 다양하게 설정될 수 있다.
다수의 개구(S)는 홀수 행이 각각 대응하는 위치에 있고, 짝수 행이 각각 대응하는 위치에 있을 수 있으며, 홀수 행과 짝수 행은 서로 어긋나게 배치될 수 있다.
마스크(51)는 레이저 빔이 통과할 수 없는 재질로 구성되며, 레이저 빔에 대한 내구성을 위해 내열성을 가질 수 있다. 아울러, 레이저 광원(60) 측을 향하는 마스크(51)의 일면에는 레이저 빔의 고열을 견딜 수 있는 내열 물질이 도포될 수 있다.
도 3을 참조하면, 블라인드(53)는 마스크(51)의 상측 또는 하측에 배치될 수 있으며, 마스크(51)의 개구들 중 대부분의 개구를 항상 개방하고, 일부 개구를 선택적으로 개폐하기 위한 노출 구멍(54)을 가질 수 있다.
블라인드(53)는 일정 거리만큼 X축을 따라 이동하여 마스크(51)의 일부 개구(S')들을 선택적으로 폐쇄할 수 있다. 여기서 일부 개구(S')들은 마스크(21)의 가장 좌측에 배열된 열에 해당하는 개구들과 가장 우측에 배열된 열에 해당하는 개구들일 수 있다.
이 경우, 블라인드(53)가 좌측으로 이동하여 제1 위치로 설정되면, 우측 열을 이루는 개구들은 블라인드(53)에 의해 폐쇄되고, 마스크(51)의 나머지 개구들은 노출 구멍(54)에 의해 개방된다(제1 모드)(도 10 참조). 반대로, 블라인드(53)가 우측으로 이동하여 제2 위치로 설정되면, 좌측 열을 이루는 개구들은 블라인드(53)에 의해 폐쇄되고 나머지 개구들은 노출 구멍(54)에 의해 개방된다(제2 모드)(도 13 참조).
이러한 구조에 따라, 노출 구멍(54)에 의해 개방된 개구들을 통해 레이저 빔을 주사하면 이 개구들과 대응되는 위치에 있는 제1 기판(20)의 각 마이크로 엘이디는 레이저 빔에 의해 제1 기판(20)의 저면으로부터 분리되어 제2 기판(30)의 상면에 전사될 수 있다. 이때 각 마이크로 엘이디의 애노드 전극 및 캐소드 전극은 레이저 빔이 가지는 고열로 인해 각각 제2 기판(30)의 애노드 전극 패드 및 캐소드 전극 패드에 물리적 및 전기적으로 접속될 수 있다.
한편, 마스크(51)에 형성된 다수의 개구(S)는 제1 기판(20) 상의 마이크로 엘이디(21)를 제2 기판(30)에 전사하기 위해 레이저 빔이 통과할 수 있는 다양한 크기나 형상을 가질 수 있다.
또한, 다수의 개구(S)는 각각 X축 및 Y축 방향으로 제1 및 제2 피치(P1, P2)로 마스크(51)에 형성될 수 있다. 여기서, 각 개구(S) 간의 피치는 제1 기판(20) 상의 다수의 마이크로 엘이디(21)의 배열을 고려하여 설정될 수 있다.
또한, 다수의 개구(S)는 본 개시에 따른 마이크로 엘이디 전사 방법에 따라 다수의 마이크로 엘이디를 사선 방향으로 전사할 수 있는 배열을 이루도록 배열될 수 있다.
블라인드(53)는 도시하지 않은 구동장치에 의해 X축 방향 또는 Y축 방향으로 이동할 수 있다.
이와 같이 블라인드(53)는 제1 또는 제2 위치로 이동하면서 마스크(51)의 개구들을 선택적으로 개방할 수 있다. 이러한 블라인드(53)의 제1 및 제2 위치 이동은 제1 기판(20)의 0도 및 180도 회전과 각각 동기화될 수 있다. 예를 들면, 블라인드(53)가 제1 위치에 있을 때 제1 기판(20)은 0도 설정될 수 있고, 블라인드(53)가 제2 위치에 있을 때 제1 기판(20)은 180도로 설정될 수 있다.
이와 같이 본 개시에서는, 블라인드(53)의 이동과 제1 기판(20)의 회전을 동기화하면서 전사가 진행됨에 따라, 제1 기판(20)에서 영역 별로 상이한 성능을 가지는 다수의 마이크로 엘이디를 제2 기판에 전사 시 균일한 성능을 나타낼 수 있도록 배열할 수 있다. 이러한 배열에 의해 제작된 제2 기판(30)을 적용한 디스플레이 패널은 디스플레이 영역이 전체적으로 균일한 색상 및 휘도 등을 나타낼 수 있다.
이하에서는, 도 5 내지 도 8을 참조하여, 본 개시의 일 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치에 적용되는 제1 기판 및 제2 기판의 구조를 설명한다.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치에서 이용하는 제1 기판을 나타낸 도면이고, 도 6은 도 5에서 구획된 영역들 중 제1 영역을 확대한 도면으로, 다수의 마이크로 엘이디가 하측을 향하도록 제1 기판을 뒤집은 상태에서 제1 영역을 나타낸 도면이고, 도 7은 도 6에 표시된 A 부분 및 B 부분을 나타낸 확대도이고, 도 8은 스테이지에 로딩된 상태의 제2 기판을 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 제1 기판(20)은 웨이퍼일 수 있으며 다수의 마이크로 엘이디(21)가 형성될 수 있다.
다수의 마이크로 엘이디(21)는 제1 기판(20) 상에 형성되는 과정에서 공정 조건 및 환경에 의해 성능이 서로 상이하게 나타날 수 있다. 예를 들면, 도 5와 같이 제1 기판(20)의 중심 영역에서 외곽으로 갈수록 마이크로 엘이디의 성능(색상, 휘도 등)이 점차 낮아지는 특성이 있을 수 있다.
도 5에서는 제1 기판(20)에 형성된 다수의 마이크로 엘이디의 성능 분포를 그라데이션 형태로 표현한다. 도 5에서는 제1 기판(20)의 각 영역별 마이크로 엘이디의 성능 분포를 제1 기판의 중심에 표시된 정사각형상으로부터 방사상으로 점차 크기가 증가하는 다수의 정사각형상들로 표현하지만, 이는 설명의 편의를 위한 것일 뿐 제1 기판(20) 상의 마이크로 엘이디의 성능 분포는 원, 타원, 또는 비정형화된 폐곡선 형태의 그라데이션으로 표현할 수도 있고, 마이크로 엘이디의 성능이 좋은 영역이 반드시 제1 기판의 중앙 부분에 해당하지 않고 제1 기판 상에서 일측으로 편향되게 위치할 수도 있다.
제1 기판(20)은 도 5과 같이 다수의 마이크로 엘이디를 제2 기판(30)으로 전사하기 위해 제1 기판(20) 상에 다수의 가상 영역을 구획할 수 있다. 이러한 가상 영역을 구획하는 것은 본 개시에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치(1)에 구비될 수 있는 비전카메라(미도시)와 프로세서(80)에 의해 수행될 수 있다. 이 경우, 제1 기판(20)에서 구획된 가상 영역 정보와 각 가상 영역에 배열된 다수의 마이크로 엘이디의 좌표 정보는 메모리(70)에 저장될 수 있다.
도 6은 제1 영역을 나타낸 것으로 다수의 마이크로 엘이디가 하측을 향하도록 제1 기판(20)을 뒤집은 상태에서 제1 영역을 나타낸 도면이다. 도 6에서 다수의 마이크로 엘이디(21)는 제1 기판(20)이 뒤집힌 상태이므로 제1 기판(20)에 의해 가려지게 되며, 이 경우 마이크로 엘이디는 은선(hidden line)으로 도시하는 것이 일반적이지만 설명의 편의를 위해 실선(solid line)으로 도시한다. 이와 같이 제1 영역을 뒤집힌 상태로 도시한 것은, 제1 기판(20)의 마이크로 엘이디가 제2 기판(30)에 마주하도록 배치된 상태에서 레이저 전사가 이루어지는 것을 고려한 것이다.
도 6을 참조하면, 제1 영역 내에서 좌측 상단 부분이 성능이 가장 높은 마이크로 엘이디가 위치하고, 좌측 상단 부분으로부터 우측 하단을 향해 방사항으로 갈수록 점차 성능이 가장 낮은 마이크로 엘이디가 위치할 수 있다.
또한, 도 6과 같이 제1 영역에는 다수의 마이크로 엘이디 중 일부 마이크로 엘이디들(21a)의 애노드 전극 및 캐소드 전극과 나머지 마이크로 엘이디들(21b)의 애노드 전극 및 캐소드 전극이 서로 반대로 배치되도록 형성될 수 있다.
이와 같이 마이크로 엘이디들(21a,21b)의 전극이 0도와 180도로 각각 배치되는 경우, 제2 기판(30)은 도 8과 같이 애노드 전극 패드(31a)와 캐소드 전극 패드(31b)가 모두 동일한 방향(예를 들면, 0도)으로 설정될 수 있다.
도 8에서 제2 기판(30)에 전사되는 마이크로 엘이디는 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 마이크로 엘이디 3개가 단일 픽셀(one pixel)을 이룬다. 따라서, 제2 기판(30)에 배열되는 애노드 전극 패드(31a)와 캐소드 전극 패드(31b)는 1쌍씩 3쌍이 인접하게 배치될 수 있으며, 단일 픽셀의 주변에 배치되는 다른 픽셀들은 단일 픽셀로부터 일정한 간격을 두고 배치될 수 있다.
이하에서는, 도 9 내지 도 13을 참조하여 본 개시의 일 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 방법을 설명한다.
도 9는 본 개시의 일 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치를 이용하여 제1 기판으로부터 다수의 마이크로 엘이디를 제2 기판으로 전사하는 과정을 나타내는 흐름도이고, 도 10은 블라인드가 마스크에 대하여 좌측으로 이동한 이동한 상태를 나타낸 도면이고, 도 11은 도 10에 도시된 마스크의 개구를 통해 제1 기판으로 레이저 빔을 주사하는 예를 나타낸 도면이고, 도 12는 제1 기판이 제1 위치에 설정된 상태에서 레이저 전사에 의해 일부 마이크로 엘이디가 제1 영역으로부터 분리된 예를 나타낸 도면이고, 도 13은 마스크의 블라인드가 마스크에 대하여 우측으로 이동한 이동한 상태를 나타낸 도면이고, 도 14는 도 13에 도시된 마스크의 개구를 통해 제1 기판으로 레이저 빔을 주사하는 예를 나타낸 도면이고, 도 15는 제1 기판이 180도 회전 후 제2 위치에 설정된 상태에서 레이저 전사에 의해 일부 마이크로 엘이디가 제1 영역으로부터 분리된 예를 나타낸 도면이다.
먼저, 제1 기판(20)은 다수의 마이크로 엘이디(21)가 하측을 향하도록 이송 유닛(10)의 고정 부재(11)에 연결된다. 제2 기판(30)은 애노드 전극 패드(31a) 및 캐소드 전극 패드(31b)가 상측을 향하도록 스테이지(40)에 의해 로딩된다. 이 상태에서 제1 기판(20)은 이송 유닛(10)에 의해 제1 위치로 세팅될 수 있다(S11).
이 경우 제1 및 제2 기판(20,30)은 평행하게 배치될 수 있다. 또한 제1 기판(20)의 마이크로 엘이디(21)와 제2 기판(30)의 전사 면 사이의 Z축 방향 간격은 레이저 전사를 통해 다수의 마이크로 엘이디가 제2 기판(30)에 안정적으로 전사될 수 있도록 수㎛ 에서 수십㎛ 정도를 유지할 수 있다.
제1 기판(20)이 제1 위치에 설정되면, 제1 기판(20)의 제1 영역과 제2 기판(30)에 마이크로 엘이디가 전사될 영역(이하, '전사 영역'이라 함)은 서로 마주하는 위치로 배치될 수 있다. 제2 기판(30)의 전사 영역은 제1 기판의 제1 영역과 동일 또는 유사한 크기로 구획될 수 있으나, 이에 제한되지 않고 다양한 크기로 구획될 수 있다.
도 10을 참조하면, 블라인드(53)는 제1 기판(20)이 제1 위치에 설정된 상태에서 제1 방향(X축의 좌측 방향)으로 일정한 거리만큼 이동할 수 있다(S12). 이와 같이 제1 방향으로 블라인드(53)가 이동하면, 마스크(51)의 개구들 중 가장 우측 열에 배열된 개구들(S')이 블라인드(53)에 의해 폐쇄되고 마스크(51)의 나머지 개구들은 개방된다.
블라인드(53)에 의해 개방된 마스크(51)의 개구들은 각각 제1 기판(20)의 제1 영역에서 전사될 마이크로 엘이디들에 대응하는 위치에 있다. 또한, 마스크(51)의 각 개구에 대응하는 제1 영역의 마이크로 엘이디들은 각각 제2 기판(30)의 전사 영역에 대응하는 위치에 설정될 수 있다. 즉, 하나의 개방된 개구에 대하여 제1 기판의 마이크로 엘이디와 제2 기판의 마이크로 엘이디가 전사될 위치가 동일한 수직선 상에 위치할 수 있다.
이 상태에서 레이저 광원(60)은 도 11과 같이 개방된 다수의 개구를 통해 제1 기판(20)에 레이저 빔을 주사한다(S13).
레이저 빔에 의한 열은 마이크로 엘이디(21)와 제1 기판(20) 사이에 배치되는 접착층(22)으로 전달된다. 상기 열에 의해 접착층(22)의 접착력이 저감됨에 따라, 제1 그룹(G1)의 마이크로 엘이디(21a)는 제1 기판(20)으로부터 분리되어 제2 기판(30) 상의 전사 영역에 전사될 수 있다.
제1 기판(20)의 제1 영역으로부터 제2 기판(30)의 전사 영역으로 전사되는 다수의 마이크로 엘이디(21a)는 도 7에 도시된 바와 같이 일정한 간격을 두고 가상의 사선들 상에 배열될 수 있다. 이들 다수의 마이크로 엘이디(21a)를 제1 그룹(G1)으로 정의한다.
제2 기판(30)으로 전사된 제1 그룹(G1)의 마이크로 엘이디(21a)는 각각 애노드 전극과 캐소드 전극이 제2 기판(30)의 애노드 전극 패드(31a)와 캐소드 전극 패드(31b)에 물리적 및 전기적으로 접속될 수 있다. 이 경우, 제2 기판(30)의 애노드 전극 패드(31a)와 캐소드 전극 패드(31b)는 조사되는 레이저 빔에 의해 고체 상태에서 용융 상태로 변형되면서 제1 그룹(G1)의 마이크로 엘이디(21a)의 애노드 전극과 캐소드 전극과 접속된다.
제1 그룹(G1)의 마이크로 엘이디(21a)를 전사한 후의 제1 기판(20)의 제1 영역은 도 12에 도시된 바와 같다. 도 12에서 부재번호 E1은 제1 그룹(G1)에 속하는 다수의 마이크로 엘이디(21a)가 제1 영역으로부터 분리됨에 따라 발생하는 빈 공간들을 가리킨다. 이 빈 공간들(E1) 역시 제1 그룹(G1)의 다수의 마이크로 엘이디(도 7 참조)와 마찬가지로 일정한 간격을 두도록 배치된 가상의 사선들 상에 위치한다.
한편, 제1 그룹(G1)의 마이크로 엘이디(21a)를 전사한 후, 회전축(15)을 중심으로 고정 부재(11)를 180도 회전시키면, 제1 기판(20)은 고정 부재(11)와 함께 180도 회전한다(S14).
이와 같이 제1 기판(20)이 180도 회전하게 되면 마이크로 엘이디의 성능 분포가 변경된다. 즉, 제1 영역에서 가장 높은 성능의 마이크로 엘이디가 분포된 좌측 상부가 우측 하부로 위치가 변경되고, 가장 낮은 성능의 마이크로 엘이디가 분포된 우측 하부가 좌측 상부로 위치 변경될 수 있다.
이어서 이송 유닛(10)을 통해 제1 기판(20)을 XY 평면을 따라 이동하여 제2 위치로 위치 설정된다(S15). 제2 위치는 제1 기판(20)의 다수의 마이크로 엘이디 중에서 제2 그룹(G2)에 해당하는 다수의 마이크로 엘이디(21b)를 제2 기판(30)의 전사 영역에 전사할 수 있는 위치일 수 있다.
도 13을 참조하면, 블라인드(53)는 제1 기판(20)이 제2 위치에 설정된 상태에서 제2 방향(X축의 우측 방향)으로 일정한 거리만큼 이동할 수 있다(S16).
이와 같이 제2 방향으로 블라인드(53)가 이동하면, 마스크(51)의 개구들 중 가장 좌측 열에 배열된 개구들(S'')이 블라인드(53)에 의해 폐쇄되고 마스크(51)의 나머지 개구들은 개방된다. 블라인드(53)에 의해 개방된 마스크(51)의 개구들은 각각 제1 기판(20)의 제1 영역에서 전사될 마이크로 엘이디들에 대응하는 위치에 있다. 또한, 마스크(51)의 각 개구에 대응하는 제1 영역의 마이크로 엘이디들은 각각 제2 기판(30)의 전사 영역에 대응하는 위치에 설정될 수 있다.
도 14를 참고하면, 레이저 광원(60)은 블라인드(53)에 의해 마스크(51)의 개방된 다수의 개구를 통해 제1 기판(20)에 레이저 빔을 주사한다(S17).
제1 기판(20) 상의 다수의 마이크로 엘이디(21a)는 제1 기판(20)에 주사되는 레이저 빔에 의해 접착층(22)으로부터 분리되어 제2 기판(30)의 전사 영역으로 전사된다.
제2 그룹(G2)의 마이크로 엘이디(21b)를 전사한 후의 제1 기판(20)의 제1 영역은 도 15에 도시된 바와 같다. 도 15에서 부재번호 E2는 제2 그룹(G2)에 속하는 다수의 마이크로 엘이디(22a)가 제1 영역으로부터 분리됨에 따라 발생하는 빈 공간들을 가리킨다. 이 빈 공간들(E2) 역시 제2 그룹(G2)의 다수의 마이크로 엘이디(도 7 참조)와 마찬가지로 일정한 간격을 두도록 배치된 가상의 사선들 상에 위치한다.
이와 같이 본 개시에 있어서는 제1 기판(20)에 형성된 다수의 마이크로 엘이디 는 영역 별로 서로 다른 성능으로 분포된다는 것을 감안하여, 성능이 높은 영역과 성능이 낮은 영역의 위치를 변경하도록 제1 기판을 0도 및 180도로 교대로 회전하면서 전사기 이루어진다. 이에 따라, 제2 기판에는 다수의 마이크로 엘이디가 균일한 성능 분포를 나타내도록 전사될 수 있다.
전술한 전사 과정을 반복하여 제1 기판(20)의 구획된 나머지 영역에 배치된 다수의 마이크로 엘이디를 제2 기판(30)으로 전사할 수 있다.
도 16은 제1 기판의 다른 예를 나타낸 도면이고, 도 17은 제2 기판의 다른 예를 나타낸 도면이다.
전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 방법에서 사용되는 제1 기판(20)은 다수의 마이크로 엘이디의 애노드 전극 및 캐소드 전극이 서로 반대 방향으로 배치된다. 즉, 제1 전극 배치(0도)와 제2 전극 배치(180도)를 가지는 다수의 마이크로 엘이디가 일정한 규칙으로 배치된다.
하지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 방법은 다수의 마이크로 엘이디가 도 16과 같이 제1 전극 배치(또는 제2 전극 배치)로만 배열된 제1 기판을 사용할 수 있다.
이 경우, 제2 기판(33)은 도 17과 같이 제1 배치의 애노드 전극 패드(35a)와 캐소드 전극 패드(35b)가 형성되고, 제2 배치의 애노드 전극 패드(35a)와 캐소드 전극 패드(35b)가 형성된다. 이와 같이 제1 배치가 0도로 설정된 것이면, 제2 배치는 제1 배치의 반대인 180도로 설정될 수 있다.
도 18은 본 개시의 다른 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치를 나타낸 개략도이고, 도 19 및 도 20은 다수의 마이크로 엘이디를 픽킹하기 위한 제1 픽커 및 제2 픽커를 각각 나타낸 도면들이다.
도 18을 참조하면, 본 개시의 다른 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치(110)는 제1 기판(20)의 마이크로 엘이디(21)를 픽 앤드 플레이스(pick and place) 방식으로 제2 기판(30)에 이송하는 장치일 수 있다.
제1 기판(20)은 제1 스테이지(41)에 안착 가능하게 배치되며, 제2 기판(30)은 제1 스테이지(41)에 인접하게 배치된 제2 스테이지(43)에 배치될 수 있다.
제1 기판(20)은 마이크로 엘이디(21)를 제1 기판(20)으로부터 용이하게 분리시키기 위한 중간층(22)이 형성될 수 있다.
다수의 마이크로 엘이디(21)는 각각 애노드 전극과 캐소드 전극이 접착층(22)에 접착된다.
제1 스테이지(41)는 도시되지 않은 구동장치에 의해 XY 평면 상의 임의의 위치로 이동할 수 있고, Z축 방향을 기준으로 시계 방향 및 반시계 방향으로 회전할 수 있다. 이에 따라, 제1 스테이지(41)에 로딩된 제1 기판(20)은 XY 평면 상으로 이동할 수 있고 0도 및 180도로 회전할 수 있다.
본 개시의 다른 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장(100)치는 마이크로 엘이디를 픽 앤드 플레이스 하기 위한 제1 픽커(91) 및 제2 픽커(93)를 포함할 수 있다.
도 18 및 도 19를 참조하면, 제1 픽커(91)는 구동장치(미도시)의 헤드(110)에 장착되어 X축, Y축, Z축 방향으로 이동할 수 있다. 제1 픽커(91)는 저면에 다수의 픽킹부(92)가 일정한 간격을 두고 구비될 수 있다. 다수의 픽킹부(92)의 배열은 도 10에 도시된 블라인드(53)의 노출 구멍(54)을 통해 노출된 마스크(51)의 다수의 개구(S)의 배열에 대응할 수 있다.
도 20을 참조하면, 제2 픽커(93)는 제1 픽커(91)를 구동하는 구동장치와 별개의 구동장치(미도시)의 헤드(미도시)에 장착되어 X축, Y축, Z축 방향으로 이동할 수 있다. 제2 픽커(93)는 저면에 다수의 픽킹부(94)가 일정한 간격을 두고 구비될 수 있다. 다수의 픽킹부(94)의 배열은 도 13에 도시된 블라인드(53)의 노출 구멍(54)를 통해 노출된 마스크(51)의 다수의 개구(S)의 배열에 대응할 수 있다.
한편, 제1 및 제2 픽커(91,93)는 별도의 구동장치에 의해 구동할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 단일 구동장치에 구비된 헤드에 동시에 장착되도록 구성될 수도 있다. 이 경우 제1 및 제2 픽커는 승강 동작에 별도로 이루어지는 것이 바람직하다. 즉, 제1 픽커(91)가 픽킹 및 플레이싱을 위해 하강할 때 제2 픽커(93)는 하강하지 않고, 반대로 제2 픽커(93)가 픽킹 및 플레이싱을 위해 하강할 때 제1 픽커(91)는 하강하지 않도록 구성될 수 있다.
이하에서는, 도 21을 참조하여 본 개시의 다른 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치를 이용한 전사 방법을 설명한다.
도 21은 본 개시의 다른 실시예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치를 이용하여 제1 기판으로부터 다수의 마이크로 엘이디를 제2 기판으로 전사하는 과정을 나타내는 흐름도이다. 픽 앤드 플레이스 방식으로 통해 제1 기판의 마이크로 엘이디를 제2 기판으로 전사하는 경우, 제1 기판에 다수의 가상 영역을 구획하고 제1 기판의 각 영역에 대응하는 제2 기판의 전사 영역으로 전사할 수 있다. 이와 같이 픽 앤드 플레이스 방식에서도 전술한 레이저 전사 방식에 의한 마이크로 엘이디 전사 방식과 동일하게 영역 별로 전사할 수 있다.
먼저, 제1 기판(20)을 다수의 마이크로 엘이디(21)가 상측을 향하도록 제1 스테이지(41)에 로딩하고, 제2 기판(30)을 애노드 전극 패드 및 캐소드 전극 패드가 상측을 향하도록 제2 스테이지(43)에 로딩한다.
이 상태에서 제1 픽커(91)는 제1 기판(20)의 상측으로 이동하여 다수의 마이크로 엘이디를 동시에 픽킹할 수 있도록 다수의 픽킹부(92)가 픽킹 대상인 다수의 마이크로 엘이디에 대응하도록 제1 위치로 세팅된다.
제1 픽커(91)가 제1 위치에 설정되면, 제1 픽커(91)를 하강시켜 제1 기판의 제1 그룹(G1)의 다수의 마이크로 엘이디를 픽킹(picking) 한다(S21).
이 상태에서 제1 픽커(91)를 일정한 높이로 상승시킨 후 제2 기판(20)의 전사 위치로 이동시킨다. 이어서, 제1 픽커(91)를 하강시켜 다수의 마이크로 엘이디를 제2 기판(30)의 전사 영역에 플레이싱(placing) 한다(S22).
제1 픽커(91)는 상승하여 다시 제1 기판(20)으로부터 다수의 마이크로 엘이디를 픽킹하기 위해 미리 설정된 대기 위치로 이동한다.
제1 스테이지(41)는 제1 기판(20)을 180도 회전시키기 위해 회전한다(S23). 이와 같이 제1 기판(20)이 180도 회전하게 되면 마이크로 엘이디의 성능 분포가 변경된다. 즉, 제1 영역에서 가장 높은 성능의 마이크로 엘이디가 분포된 좌측 상부가 우측 하부로 위치가 변경되고, 가장 낮은 성능의 마이크로 엘이디가 분포된 우측 하부가 좌측 상부로 위치 변경될 수 있다.
제1 기판(20)이 180도 회전한 후, 제2 픽커(93)를 제1 기판(20)의 상측으로 이동하여 다수의 마이크로 엘이디를 동시에 픽킹할 수 있도록 다수의 픽킹부(94)가 픽킹 대상인 다수의 마이크로 엘이디에 대응하도록 제1 위치와 상이한 제2 위치로 세팅된다.
제2 픽커(93)가 제2 위치에 설정되면, 제2 픽커(93)를 하강시켜 제1 기판의 제2 그룹(G2)의 다수의 마이크로 엘이디를 픽킹(picking) 한다(S24).
이 상태에서 제2 픽커(93)를 일정한 높이로 상승시킨 후 제2 기판(20)의 전사 위치로 이동시킨다. 이어서, 제2 픽커(93)를 하강시켜 다수의 마이크로 엘이디를 제2 기판(30)의 전사 영역에 플레이싱(placing) 한다(S25).
제2 픽커(93)는 상승하여 다시 제1 기판(20)으로부터 다수의 마이크로 엘이디를 픽킹하기 위해 미리 설정된 대기 위치로 이동한다. 제1 스테이지(41)는 제1 기판(20)을 0도로 위치시키기 위해 다시 180도 회전한다.
본 개시의 다른 실시에에 따른 마이크로 엘이디 전사 방법은 전술한 전사 과정을 반복적으로 수행함으로써 제1 기판(20)의 구획된 나머지 영역에 배치된 다수의 마이크로 엘이디를 제2 기판(30)으로 전사할 수 있다.
한편 전술한 픽 앤드 플레이스 방식을 통한 마이크로 엘이디 전사 방법에 따르면, 제1 기판(20)의 마이크로 엘이디의 성능 분포의 배치를 변경하기 위해, 제1 기판을 0도 및 180도로 교대로 회전시킨다. 하지만 제1 기판(20)을 회전시키지 않고도 제1 기판(20)의 마이크로 엘이디의 성능 분포 배치를 변경할 수 있다.
예를 들면, 제1 픽커(91)에 의해 픽킹 및 플레이싱 동작이 이루어진 후, 제1 기판(20)은 회전하지 않고 대기한다. 제2 픽커(93)는 제1 기판(20)으로부터 다수의 마이크로 엘이디를 픽킹하여 180도 회전한 후 제2 기판(30)에 다수의 마이크로 엘이디를 플레이싱 한다. 플레이싱 동작 후 제2 픽커(93)는 다시 180도 회전한 후 대기 위치로 이동할 수 있다.
한편, 상술한 본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 마이크로 엘이디 전사 방법들은, 기존 마이크로 엘이디 전사 장치에 설치 가능한 어플리케이션 형태로 구현될 수 있다.
또한, 상술한 본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 방법들은, 기존 마이크로 엘이디 전사 장치에 대한 소프트웨어 업그레이드, 또는 하드웨어 업그레이드 만으로도 구현될 수 있다.
또한, 상술한 본 개시의 다양한 실시 예들은 마이크로 엘이디 전사 장치에 구비된 임베디드 서버, 또는 마이크로 엘이디 전사 장치의 외부 서버를 통해 수행되는 것도 가능하다.
한편, 이상에서 설명된 다양한 실시 예들은 소프트웨어(software), 하드웨어(hardware) 또는 이들의 조합을 이용하여 컴퓨터(computer) 또는 이와 유사한 장치로 읽을 수 있는 기록 매체 내에서 구현될 수 있다. 일부 경우에 있어 본 명세서에서 설명되는 실시 예들이 프로세서(80) 자체로 구현될 수 있다. 소프트웨어적인 구현에 의하면, 본 명세서에서 설명되는 절차 및 기능과 같은 실시 예들은 별도의 소프트웨어 모듈들로 구현될 수 있다. 소프트웨어 모듈들 각각은 본 명세서에서 설명되는 하나 이상의 기능 및 동작을 수행할 수 있다.
한편, 상술한 본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치(1)의 프로세싱 동작을 수행하기 위한 컴퓨터 명령어(computer instructions)는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체(non-transitory computer-readable medium) 에 저장될 수 있다. 이러한 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체에 저장된 컴퓨터 명령어는 특정 기기의 프로세서에 의해 실행되었을 때 상술한 다양한 실시 예에 따른 마이크로 엘이디 전사 장치(1)에서의 처리 동작을 특정 기기가 수행하도록 한다.
비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체란 레지스터, 캐쉬, 메모리 등과 같이 짧은 순간 동안 데이터를 저장하는 매체가 아니라 반영구적으로 데이터를 저장하며, 기기에 의해 판독(reading)이 가능한 매체를 의미한다. 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체의 구체적인 예로는, CD, DVD, 하드 디스크, 블루레이 디스크, USB, 메모리카드, ROM 등이 있을 수 있다.
이상에서는 본 개시의 다양한 실시예를 각각 개별적으로 설명하였으나, 각 실시예들은 반드시 단독으로 구현되어야만 하는 것은 아니며, 각 실시예들의 구성 및 동작은 적어도 하나의 다른 실시예들과 조합되어 구현될 수도 있다.
또한, 이상에서는 본 개시의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 개시는 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위상에서 청구하는 본 개시의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 개시의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.
1,100: 마이크로 엘이디 전사 장치
10: 이송 유닛
20: 제1 기판
21: 마이크로 엘이디
30: 제2 기판
40: 스테이지
50: 마스크 유닛
51: 마스크
53: 블라인드
60: 레이저 광원
70: 메모리
80: 프로세서
91: 제1 픽커
93: 제2 픽커

Claims (20)

  1. 마이크로 엘이디 전사 장치에 있어서,
    다수의 마이크로 엘이디가 형성된 제1 기판을 제2 기판 상측에 이동 가능하게 배치시키는 이송 유닛;
    상기 제1 기판에 레이저 빔을 주사하는 레이저 광원;
    상기 제1 기판과 상기 레이저 광원 사이에 배치되어 다수의 개구를 선택적으로 개폐하는 마스크 유닛; 및
    상기 제1 기판을 미리 설정된 위치로 이동하고 선택적으로 회전시키는 상기 마스크 유닛을 제어하고, 상기 제2 기판에 전사될 다수의 마이크로 엘이디에 대응하는 개구들을 개폐하도록 상기 마스크 유닛을 제어하는 프로세서;를 포함하는 마이크로 엘이디 전사 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 다수의 마이크로 엘이디가 전사되는 상기 제2 기판의 다수의 전사 영역 간 출력 특성이 균일하도록 상기 제1 기판을 제1 방향 및 상기 제1 방향에 역방향인 제2 방향으로 회전시키도록 상기 이송 유닛을 제어하는 마이크로 엘이디 전사 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 마스크 유닛은,
    상기 다수의 개구가 형성된 마스크; 및
    상기 제1 기판 상의 다수의 마이크로 엘이디 중, 상기 제2 기판에 배치될 제1 그룹 마이크로 엘이디에 대응하는 다수의 개구를 개방하는 제1 모드와 상기 제1 그룹의 마이크로 엘이디 사이에 배치될 제2 그룹의 마이크로 엘이디에 대응하는 다수의 개구를 개방하는 제2 모드로 선택적으로 변경되는 블라인드;를 포함하는 마이크로 엘이디 전사 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 블라인드가 제1 모드이면 상기 제1 기판을 제1 위치로 설정하도록 상기 마스크 유닛을 제어하고, 상기 블라인드가 제2 모드이면 상기 제1 기판을 상기 제1 위치와 다른 제2 위치로 설정하도록 상기 마스크 유닛을 제어하는 마이크로 엘이디 전사 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 기판의 상기 제2 위치는 상기 제1 기판의 상기 제1 위치에 대하여 XY 평면상의 위치가 상이하고 180도 회전한 위치인 마이크로 엘이디 전사 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 마이크로 엘이디 각각과 상기 제1 기판 사이에 배치되는 접착층을 더 포함하고,
    상기 레이저 빔은 상기 접착층에 열을 전달하여 상기 다수의 마이크로 엘이디를 상기 제1 기판으로부터 떨어뜨리는 마이크로 엘이디 전사 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 제1 기판 상에서 상기 제1 그룹의 마이크로 엘이디와 상기 제2 그룹의 마이크로 엘이디는 사선 방향으로 평행하게 배치된 마이크로 엘이디 전사 장치.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 제2 기판에 배치되는 상기 제1 그룹의 마이크로 엘이디와 상기 제2 그룹의 마이크로 엘이디는 사선 방향으로 평행하게 배치된 마이크로 엘이디 전사 장치.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 제1 기판 상의 상기 제1 그룹의 마이크로 엘이디와 상기 제2 그룹의 마이크로 엘이디는 애노드 전극 및 캐소드 전극이 서로 반대로 배치되며,
    상기 제1 그룹의 마이크로 엘이디가 접속되는 상기 제2 기판 상의 애노드 전극 패드와 캐소드 전극 패드는 상기 제2 그룹의 마이크로 엘이디가 전사되는 상기 제2 기판 상의 애노드 전극 패드 및 캐소드 전극 패드와 동일한 방향으로 배치된 마이크로 엘이디 전사 장치.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 제1 기판 상의 상기 제1 그룹의 마이크로 엘이디의 애노드 전극과 캐소드 전극은 상기 제1 기판 상의 상기 제2 그룹의 마이크로 엘이디의 애노드 전극 및 캐소드 전극과 동일한 방향으로 배치되며,
    상기 제1 그룹의 마이크로 엘이디가 접속되는 상기 제2 기판 상의 애노드 전극 패드 및 캐소드 전극 패드는 상기 제2 그룹의 마이크로 엘이디가 접속되는 상기 제2 기판 상의 애노드 전극 패드 및 캐소드 전극 패드과 반대 방향으로 배치된 마이크로 엘이디 전사 장치.
  11. 마이크로 엘이디 전사 장치에 있어서,
    다수의 마이크로 엘이디가 형성된 제1 기판이 로딩 및 언로딩되는 제1 스테이지;
    제2 기판이 로딩 및 언로딩되는 제2 스테이지;
    상기 제1 기판 상의 다수의 마이크로 엘이디 중 제1 그룹의 마이크로 엘이디를 픽킹하여 상기 제2 기판에 플레이싱하는 제1 픽커;
    상기 제1 기판 상의 다수의 마이크로 엘이디 중 상기 제1 그룹의 마이크로 엘이디와 상이한 제2 그룹 마이크로 엘이디를 픽킹하여 상기 제2 기판에 플레이싱하는 제2 픽커; 및
    제1 그룹의 마이크로 엘이디와 상기 제1 기판 상의 다수의 마이크로 엘이디를 상기 제2 기판에 교대로 픽킹 및 플레이싱 하도록 상기 제1 및 제2 픽커를 제어하는 프로세서;를 포함하는 마이크로 엘이디 전사 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 픽커는 상기 제1 기판 상의 제1 그룹의 다수의 마이크로 엘이디를 픽킹하는 다수의 제1 픽킹부를 포함하며,
    상기 제2 픽커는 상기 제1 기판 상의 제2 그룹의 다수의 마이크로 엘이디를 픽킹하는 다수의 제2 픽킹부를 포함하는 마이크로 엘이디 전사 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제1 픽커 및 상기 제2 픽커는 각각 서로 다른 구동 장치에 의해 구동하는 마이크로 엘이디 전사 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제1 픽커 및 상기 제2 픽커는 단일 구동 장치에 의해 구동하며, 상기 단일 구동 장치의 헤드에 연결되는 마이크로 엘이디 전사 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 픽커 및 상기 제2 픽커는 헤드에 함께 연결되며, 상기 제1 픽커의 승강 동작은 상기 제2 픽커의 승강 동작과 반대로 이루어지는 마이크로 엘이디 전사 장치.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 제1 기판은 상기 제1 및 제2 픽커에 의해 다수의 마이크로 엘이디가 픽킹 가능하도록 상기 다수의 마이크로 엘이디 각각과 상기 제1 기판 사이에 형성된 접착층을 더 포함하며,
    상기 다수의 마이크로 엘이디는 각각의 애노드 전극 및 캐소드 전극이 상기 접착층에 부착된 마이크로 엘이디 전사 장치.
  17. 마이크로 엘이디 전사 방법에 있어서,
    제1 기판을 제1 위치로 배치하는 단계;
    상기 제1 기판 상의 다수의 마이크로 엘이디 중 미리 설정된 제1 그룹의 마이크로 엘이디를 제2 기판에 전사하는 단계;
    상기 제1 기판을 제1 방향으로 회전하는 단계;
    상기 제1 기판을 상기 제1 위치와 다른 제2 위치로 이동하는 단계; 및
    상기 제1 기판 상의 다수의 마이크로 엘이디 중 미리 설정된 제2 그룹의 마이크로 엘이디를 제2 기판에 전사하는 단계;를 포함하는 마이크로 엘이디 전사 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제2 그룹의 마이크로 엘이디를 제2 기판에 전사한 후,
    상기 제1 기판을 제1 방향의 반대 방향인 제2 방향으로 회전하는 단계;를 더 포함하는 마이크로 엘이디 전사 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 기판은 상기 제1 방향으로 회전하는 각도와 상기 제2 방향으로 회전하는 각도는 각각 180도인 마이크로 엘이디 전사 방법.
  20. 마이크로 엘이디 전사 방법을 실행하기 위한 프로그램을 포함하는 컴퓨터 판독가능 기록매체에 있어서,
    상기 마이크로 엘이디 전사 방법은,
    제1 기판을 제1 위치로 배치하는 단계;
    상기 제1 기판 상의 다수의 마이크로 엘이디 중 미리 설정된 제1 그룹의 마이크로 엘이디를 제2 기판에 전사하는 단계;
    상기 제1 기판을 제1 방향으로 회전하는 단계;
    상기 제1 기판을 상기 제1 위치와 다른 제2 위치로 이동하는 단계; 및
    상기 제1 기판 상의 다수의 마이크로 엘이디 중 미리 설정된 제2 그룹의 마이크로 엘이디를 제2 기판에 전사하는 단계;를 포함하는 컴퓨터 판독가능 기록매체.
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