CN112908923A - 一种Micro LED修补装置及其使用方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种Micro LED修补装置及其使用方法，包括：设置在载板一面的修补层，修补层远离载板的一面粘连有LED芯片阵列；激光发射器，用于发出激光照射修补层，并将修补层上的LED芯片固晶于待修补基板上。通过在修补层上粘连LED芯片阵列，然后将待修补基板上LED芯片缺失点位置对应修补层上的LED芯片位置，利用激光照射修补层，使修补层被照射位置发生膨胀，并将其上的LED芯片固晶于LED芯片缺失点位置，固晶的LED芯片脱离修补层，从而实现修补。利用该Micro LED修补装置及其使用方法，在确认LED芯片缺失点位置之后，可以快速且批量修补、固晶LED芯片，提高修补效率。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种Micro LED修补装置及其使用方法。
背景技术
随着显示技术的进步，市场对液晶显示器(LCD，即Liquid Crystal Display)的低对比度、低色域、低响应速度等缺点，以及有机发光显示器(OLED，即OrganicLightEmitting Display)的烧屏、颗粒感重、偏色、光舒适度差等缺点越发地不满。MicroLED显示技术作为下一代显示技术，具有高对比度、高色域、高响应速度、超高分辨率、寿命长等优点，其兼有LCD及OLED的优点的同时又没有其缺点。Micro LED还具有可柔性显示及低能耗的优点，被誉为一种终极显示技术。
制作Micro LED显示器需要将百万颗的微米级LED转移至背板上，但转移后难免存在LED缺失或损坏的情况，如果不进行修补，便会造成显示不良。如何对缺失点进行修补是迫切需要解决的难题。
现有技术提供的修补方式为：首先对背板进行检测，找到缺失点再逐一进行修补；或者加电测试找到缺失点，再一一修补。但是，该修补方式存在效率低的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种Micro LED修补装置及其使用方法，以解决上述技术问题。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
第一方面，提供了一种Micro LED修补装置，包括：
载板；
设置在载板一面的修补层，所述修补层远离所述载板的一面粘连有LED芯片阵列；
激光发射器，用于发出激光照射所述修补层，并将所述修补层上的LED芯片固晶于待修补基板上；
其中，所述修补层被激光照射时，其被照射部位膨胀，并朝远离所述载板的方向凸起。
可选地，所述修补层被激光照射时，分解出气体膨胀。
可选地，所述修补层包括设置在所述载板一面的膨胀层和设置在所述膨胀层远离所述载板的一面的粘连层，所述粘连层粘连LED芯片阵列；
所述膨胀层被激光照射时，分解出气体膨胀。
可选地，所述粘连层为双面胶。
可选地，所述修补层包括呈网格状分布的修补块阵列，所述修补块远离所述载板的一面粘连LED芯片。
可选地，所述激光发射器包括第一激光发射器和第二激光发射器，所述第一激光发射器用于照射所述修补层，使所述修补层膨胀，所述第二激光发射器用于将所述修补层上的LED芯片固晶于待修补基板上。
第二方面，提供了一种如上所述的Micro LED修补装置的使用方法，包括：
在修补层远离所述载板的一面粘连LED芯片阵列；
将载板移至待修补基板上方，使待修补基板上LED芯片缺失点位置对应所述修补层上的LED芯片位置；
利用激光照射所述修补层上与所述LED芯片缺失点位置相对应的部位，所述修补层被照射部位膨胀，朝远离所述载板的方向凸起，并将所述修补层被照射部位上的LED芯片固晶于所述LED芯片缺失点位置。
可选地，在所述利用激光照射所述修补层上与所述LED芯片缺失点位置相对应的部位之前，还包括：
检测确认待修补基板上LED芯片缺失点位置。
可选地，所述利用激光照射所述修补层上与所述LED芯片缺失点位置相对应的部位之前，还包括：
检测确认待修补基板上LED芯片坏点位置；
移除坏点位置上的LED芯片，并将该坏点位置记为LED芯片缺失点位置。
可选地，所述将载板移至待修补基板上方，使待修补基板上LED芯片缺失点位置对应所述修补层上的LED芯片位置之后，包括：
发射两组激光，一组用于照射所述修补层上与所述LED芯片缺失点位置相对应的部位，另一组用于将所述修补层被照射部位上的LED芯片固晶于所述LED芯片缺失点位置。
与现有技术相比，本发明实施例具有以下有益效果：
本发明实施例提供的一种Micro LED修补装置及其使用方法，通过在修补层上粘连LED芯片阵列，然后将待修补基板上LED芯片缺失点位置对应修补层上的LED芯片位置，利用激光照射修补层，使修补层被照射位置发生膨胀，并将其上的LED芯片固晶于LED芯片缺失点位置，固晶的LED芯片脱离修补层，从而实现修补。利用该Micro LED修补装置及其使用方法，在确认LED芯片缺失点位置之后，可以快速且批量修补、固晶LED芯片，提高修补效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
本说明书所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容所能涵盖的范围内。
图1～3为实施例一提供的一种Micro LED修补装置的结构图；
图4～6为实施例二提供的一种Micro LED修补装置的结构图；
图7为实施例三提供的一种修补层的俯视图；
图8为实施例四提供的一种Micro LED修补装置的使用方法流程图。
图示说明：
110、载板；120、修补层；121、膨胀层；122、粘连层；130、修补块；140、LED芯片；210、待修补基板；220、缺失点位置；310、激光发射器。
具体实施方式
为使得本发明的目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而非全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
请参阅图1至图3所示，本实施例提供了一种Micro LED修补装置，包括载板110、修补层120和激光发射器310。
修补层120设置在载板110的一面，修补层120远离载板110的一面可以粘连LED芯片140。具体地，LED芯片140的电极朝向下方，如同1所示。多个LED芯片140组成LED芯片140阵列。
激光发射器310用于发出激光，当激光照射在修补层120上时，被照射部位膨胀，并朝远离载板110的方向凸起，从而可以使得凸起处的LED芯片140跟随凸起方向移动。利用修补层120的该特性，当待修补基板210上存在有LED芯片缺失点位置220时，可以将修补装置上的LED芯片140和该缺失点位置220对应，然后通过激光照射对应的修补层120部位，从而让该部位上的LED芯片140由修复层凸起带至接触缺失点位置220，最后通过激光产生的热量将该LED芯片140固晶在该缺失点位置220，随着该修补层120部位在激光照射后对LED芯片140的黏力减弱，且该修补层120凸起部位回缩，使得LED芯片140脱离修补装置，从而实现对缺失点位置220的固晶修补。
应当理解，上述修补过程中，可以同时或者轮询对多个缺失点位置220进行激光照射，以便快速完成缺失点位置220的修补。
因此，利用该Micro LED修补装置，可以提高Micro LED芯片的修补效率。
需要说明的是，上述修补层120是一种可以分解出气体的物质。例如，当有激光照射时，修补层120被照射部位产生气体，从而膨胀凸起。可选地，该修补层120可以是一种胶体，两面均具有黏性，且被激光照射时能够分解出气体膨胀。
可选地，修补时，可以使用一组激光实现照射修补层120，使其凸起，并将其上的LED芯片140固晶；也可以使用两组激光，即激光发射器310包括第一激光发射器和第二激光发射器，第一激光发射器发出一组激光照射修补层120，使其接触缺失点位置220，第二激光发射器发出另一组激光照射LED芯片140，进行固晶。
实施例二
请参阅图4至图6所示，修补层120包括膨胀层121和粘连层122。膨胀层121是一种可以分解出气体的物质。例如，当有激光照射时，膨胀层121被照射部位产生气体，从而膨胀凸起。
可选地，粘连层122为双面胶，通过双面胶粘连LED芯片140。
本实施例提供的一种Micro LED修补装置，同样具备快速且批量修补缺失点位置220的效果。
实施例三
在实施例一或者实施例二的基础上，修补层120包括呈网格状分布的修补块130阵列，如图7所示。每个修补块130均可以粘连一个LED芯片140。因此，可以根据需要，在修补块130上粘连LED芯片140，形成LED芯片140阵列，使其全部设置LED芯片140或者部分设置LED芯片140，但应至少能够覆盖待修补基板210上的缺失点位置220。可选地，修补块130在被激光照射时，能够分解出气体膨胀。可选地，每个修补块130可以看作成实施例一中的修补层120的一部分，或者看作成实施例二中膨胀层121和粘连层122的一部分。
因此，本实施例提供的Micro LED修补装置，可以根据待修补基板210上的原LED芯片布局位置或缺失点位置220，灵活设置LED芯片140阵列布局，提高修补效率。
应当理解，可以通过控制激光的功率大小和光斑大小，尽可能地消除相邻的修补块130之间相互影响。为了进一步减少相互影响，不同修补块130之间相互隔开，使得修补块130在膨胀时，不会对相邻的修补块130产生干扰。
需要说明的是，在上述任一实施例中，缺失点位置220可以指Micro LED显示器制作时，存在缺失LED芯片的位置，也可以指已经移除LED芯片的坏点位置。
实施例四
请参阅图8所示，本实施例提供了一种Micro LED修补装置的使用方法，可以应用于上述任一实施例中，包括以下步骤：
S101、在修补层120远离载板110的一面粘连LED芯片140阵列；
S102、将载板110移至待修补基板210上方，使待修补基板210上LED芯片缺失点位置220对应修补层120上的LED芯片140位置；
S103、利用激光照射修补层120上与LED芯片缺失点位置220相对应的部位，修补层120被照射部位膨胀，朝远离载板110的方向凸起，并将修补层120被照射部位上的LED芯片140固晶于LED芯片缺失点位置220。
在步骤S101中，LED芯片140的电极背对载板。LED芯片140阵列的布局位置应至少能够覆盖待修补基板210上原LED芯片的布局位置或缺失点位置220。
在步骤S103中，根据缺失点位置220的数量，批量产生激光束或者激光束轮询照射这些缺失点位置220，以便快速批量修补。
在步骤S103中，批量产生激光束或者激光束轮询对LED芯片140进行固晶。
可选地，在步骤S103之前，还应包括：检测确认待修补基板210上LED芯片缺失点位置220。应当理解，可以自动化检测确认该缺失点位置220，然后自动化进行批量修补。
可选地，在步骤S103之前，还应包括：
检测确认待修补基板210上LED芯片坏点位置；
移除坏点位置上的LED芯片，并将该坏点位置记为LED芯片缺失点位置220。
同理，可以自动化检测LED芯片坏点位置，然后自动化移除LED芯片坏点和自动化检测确认该缺失点位置220，最后自动化进行批量修补。
在上述实施步骤中，可以使用一组激光实现照射修补层120，使其凸起，并将其上的LED芯片140固晶；也可以使用两组激光，一组用于照射修补层120上与LED芯片缺失点位置220相对应的部位，另一组用于将修补层120被照射部位上的LED芯片140固晶于LED芯片缺失点位置220，从而提高修补效率。
综上所述，本实施例提供的Micro LED修补装置的使用方法，在确认LED芯片缺失点位置220之后，可以批量修补固晶LED芯片，提高修补效率。
以上所述，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种Micro LED修补装置，其特征在于，包括：
载板；
设置在载板一面的修补层，所述修补层远离所述载板的一面粘连有LED芯片阵列；
激光发射器，用于发出激光照射所述修补层，并将所述修补层上的LED芯片固晶于待修补基板上；
其中，所述修补层被激光照射时，其被照射部位膨胀，并朝远离所述载板的方向凸起。
2.根据权利要求1所述的Micro LED修补装置，其特征在于，所述修补层被激光照射时，分解出气体膨胀。
3.根据权利要求1所述的Micro LED修补装置，其特征在于，所述修补层包括设置在所述载板一面的膨胀层和设置在所述膨胀层远离所述载板的一面的粘连层，所述粘连层粘连LED芯片阵列；
所述膨胀层被激光照射时，分解出气体膨胀。
4.根据权利要求3所述的Micro LED修补装置，其特征在于，所述粘连层为双面胶。
5.根据权利要求1至4中任一所述的Micro LED修补装置，其特征在于，所述修补层包括呈网格状分布的修补块阵列，所述修补块远离所述载板的一面粘连LED芯片。
6.根据权利要求5所述的Micro LED修补装置，其特征在于，所述激光发射器包括第一激光发射器和第二激光发射器，所述第一激光发射器用于照射所述修补层，使所述修补层膨胀，所述第二激光发射器用于将所述修补层上的LED芯片固晶于待修补基板上。
7.一种如权利要求1至6中任一所述的Micro LED修补装置的使用方法，其特征在于，包括：
在修补层远离所述载板的一面粘连LED芯片阵列；
将载板移至待修补基板上方，使待修补基板上LED芯片缺失点位置对应所述修补层上的LED芯片位置；
利用激光照射所述修补层上与所述LED芯片缺失点位置相对应的部位，所述修补层被照射部位膨胀，朝远离所述载板的方向凸起，并将所述修补层被照射部位上的LED芯片固晶于所述LED芯片缺失点位置。
8.根据权利要求7所述的使用方法，其特征在于，在所述利用激光照射所述修补层上与所述LED芯片缺失点位置相对应的部位之前，还包括：
检测确认待修补基板上LED芯片缺失点位置。
9.根据权利要求7所述的使用方法，其特征在于，所述利用激光照射所述修补层上与所述LED芯片缺失点位置相对应的部位之前，还包括：
检测确认待修补基板上LED芯片坏点位置；
移除坏点位置上的LED芯片，并将该坏点位置记为LED芯片缺失点位置。
10.根据权利要求7所述的使用方法，其特征在于，所述将载板移至待修补基板上方，使待修补基板上LED芯片缺失点位置对应所述修补层上的LED芯片位置之后，包括：
发射两组激光，一组用于照射所述修补层上与所述LED芯片缺失点位置相对应的部位，另一组用于将所述修补层被照射部位上的LED芯片固晶于所述LED芯片缺失点位置。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210604 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |