WO2022091670A1

WO2022091670A1 - 発光ダイオード供給基板の製造方法、発光ダイオードディスプレイの製造方法、発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法、及び素子供給基板の製造方法

Info

Publication number: WO2022091670A1
Application number: PCT/JP2021/035465
Authority: WO
Inventors: 秀夫中川; 敬典小川; 展明松本; 和紀近藤
Original assignee: 信越化学工業株式会社
Priority date: 2020-10-30
Filing date: 2021-09-27
Publication date: 2022-05-05
Also published as: EP4239696A1; TW202220255A; CN116325194A; JP2022073007A; US20230387084A1; KR20230095939A

Abstract

本発明は、複数の発光ダイオードを移載するための発光ダイオード供給基板の製造方法であって、供給基板上に複数の発光ダイオードを搭載する第１搭載工程と、前記供給基板上の不良な発光ダイオードを選択的に除去する選択除去工程と、前記供給基板上の前記不良な発光ダイオードが配置されていた位置に、正常な発光ダイオードを移載する第２搭載工程とを含むことを特徴とする発光ダイオード供給基板の製造方法である。これにより、複数の正常な発光ダイオードを供給先に移載できる発光ダイオード供給基板を製造することができる発光ダイオード供給基板の製造方法を提供することができる。

Description

発光ダイオード供給基板の製造方法、発光ダイオードディスプレイの製造方法、発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法、及び素子供給基板の製造方法

　本発明は、発光ダイオード供給基板の製造方法、発光ダイオードディスプレイの製造方法、発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法、及び素子供給基板の製造方法に関する。

　近年、ミニ発光ダイオード及びマイクロ発光ダイオードを用いたディスプレイの開発が盛んに行われている。それらの実用化に向けた製造上の大きな課題の一つは、微小な発光ダイオードをディスプレイパネルに配置する製造手段である。その組み立て手段として、スタンプを用いた微小構造体移載技術が注目されている（例えば、特許文献１、非特許文献１）。

　この技術を用いてＦＨＤ（１９２０×１０８０）のディスプレイパネルを組み立てる場合、発光ダイオード供給基板から1個ずつ発光ダイオードを移載するとすれば、２，０７３，６００画素分の移載が必要となる。カラーディスプレイを製造する場合、１画素に対して少なくとも赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３種類のミニ発光ダイオード若しくはマイクロ発光ダイオードの移載が必要となる。仮に１素子ずつ移載するとなれば、約６００万回以上の移載が必要となる。これが４Ｋディスプレイともなれば、２,４００万回以上の移載動作が必要になってしまう。このような労力を払ってディスプレイ組み立てを行っても、多量の不良発光ダイオードが交じった供給基板を使用した場合、ディスプレイパネル基板上で正常な発光ダイオードを再配置、すなわち、リペアをしなければならいという問題を有している。そのため、正常な発光ダイオードのみ搭載された供給基板が切望されている。なお、この問題は、供給基板からディスプレイパネル基板に一括転写する場合であっても、本質的な共通問題である。

　スタンプ方式に代わるより高速、かつ、高効率な移載手段として、レーザリフトオフ法がある。特許文献２において、移載対象の微小機能素子と基板との間に剥離層を設けて、レーザ照射時に剥離層がアブレーションして基板と素子とを分離させる方法が示されている。この方式を用いた場合の欠点は、剥離層の材料が微小機能素子の側に付着した状態になるため、移載後洗浄する必要が生じるため必ずしも良い方法とは言えない。剥離層を用いない方法として、シリコーン樹脂であるＰＤＭＳ（ＰｏｌｙＤｉＭｅｔｈｙｌＳｉｌｏｘａｎｅ）の感圧接着性を利用する方法がある（特許文献３、非特許文献２）。この方法を用いると、微小機能素子がレーザリフトオフされた後に余計な付着物が微小機能素子に付着しないため、シリコーン樹脂を用いたレーザリフトオフ法への期待が高まっている。微小機能素子をレーザリフトオフ法により移載するための装置の一例は、特許文献４に示されている。

　以下、図９を参照しながら、上記したレーザリフトオフ法による従来の発光ダイオードディスプレイパネルの製造方法の一例について説明する。図９（Ｉ）～（ＩＩＩ）は、発光ダイオード製造基板から供給基板を製造する工程の一例を示すものであり、上述のスタンプ法において１個ずつ発光ダイオードをディスプレイパネル基板に移載する工程は、図９（ＩＶ）及び（Ｖ）に示されている。

　図９（Ｉ）において、１は、出発基板としてのサファイア基板であり、その一方の表面に形成された複数のＧａＮ系の発光ダイオード２が個々にそれぞれ分離された状態に加工されている。さらに発光ダイオード２は電極３を備えている。４は第１の供給基板であり、石英からなる基板４１と、その上に形成された粘着層としてのシリコーン樹脂層４２とからなる。

　図９（Ｉ）に示したように、第１の供給基板４及び出発基板（サファイア基板）１を、発光ダイオード２が粘着層４２に対向して両者の間隙が一定になるようにかつ最適な距離を離して配置する。この状態で、出発基板１のうち発光ダイオード２が形成されていない表面側から、レーザ光６を照射する。レーザ光６は出発基板１を通過し、出発基板１の表面と発光ダイオード２との界面近傍に達することで、この界面近傍の発光ダイオード２側のＧａＮが薄くレーザアブレーションされる。これが所謂レーザリフトオフであり、出発基板１から発光ダイオード２が分離され、発光ダイオード２が対向する第１の供給基板４に向かって放出される。その結果、放出された発光ダイオード２は、粘着層（シリコーン樹脂層）４２の表面まで飛行し、粘着層４２の表面に仮接着される。レーザ光６が出発基板１の所望の領域をスキャンすることにより、出発基板１上の所望の発光ダイオード２をすべて第１の供給基板４に移載することができ、図９（ＩＩ）の第１の供給基板４が完成する。この場合、アブレーションによりＧａＮの成分が発光ダイオード２に残渣として付着しないため、剥離層（有機ポリマーを含む）の場合のように剥離層の一部の付着物を洗浄する必要が生じない。

　次に、図９（ＩＩＩ）に示すように、基板５１とその上の粘着層としてのシリコーン樹脂層５２とを有する第２の供給基板５を用意する。次いで、この第２の供給基板５及び図９（ＩＩ）の第１の供給基板４を、発光ダイオード２が粘着層５２に対向して、両者の間隙が一定になるようにかつ最適な距離を離して配置する。

　この状態で、第１の供給基板４のうち発光ダイオード２が配置されていない表面の所望の領域に、レーザ光６をスキャンしながら照射することにより、電極３を備えた発光ダイオード２が上下反転した状態で仮接着された第２の供給基板５が完成する。このようにして、電極３が外向きに配置された発光ダイオード供給基板としての第２の供給基板５を作製できる。

　次に、図９（ＩＶ）に示す、供給先としてのディスプレイパネル基板３９を用意する。ディスプレイパネル基板３９は、図示外であるが電極及び配線を備えている。このディスプレイパネル基板３９と第２の供給基板５とを両者の間隙が一定になるようにかつ最適な距離を離して配置する。この状態で、第２の供給基板５のうち発光ダイオード２が配置されていない表面側からレーザ光６を照射する。このようなレーザリフトオフ法により、図９（Ｖ）に示すように、複数の発光ダイオード２が第２の供給基板５からディスプレイパネル基板３９に移載される。

　このようにレーザリフトオフ法を用いて、ディスプレイパネル基板３９上の所望の電極位置に発光ダイオード２の電極３が電気的接触するように配置することにより、ディスプレイパネル３００が完成する（図９（Ｖ））。

　しかしながら、このようにスタンプ法よりも高速に移載できるレーザリフトオフ法を用いてディスプレイを製造したとしても、多量の不良発光ダイオードが交じった供給基板を使用した場合、ディスプレイ基板上で正常な発光ダイオードを再配置、すなわち、リペアをしなければならいという問題を有している。そのため、正常な発光ダイオードのみ搭載された供給基板が切望されている。

米国特許第７９４３４９１号明細書特許第５３１９５３３号公報米国特許第９５５５６４４号明細書特開２０２０－４４７８号公報

Matthew A. Meitl, Zheng-Tao Zhu, Vipan Kumar, Keon Jae Lee, Xue Feng, Yonggang Y. Huang, Ilesanmi Adesida, Ralph G. Nuzzo & John A. Rogers, "Transfer printing by kinetic control of adhesion to an elastomeric stamp", Nature Materials， Volume 5, 33-38 (2006) Kristin M. Charipar, Raymond C.Y. Auyeung, Heungsoo Kim, Nicholas A. Charipar and Alberto Pique, "Use of an Elastomeric Donor for LIFT of Metal Foils", JLMN-Journal of Laser Micro/Nanoengineering， Vol. 13, No. 2, 2018.

　以上説明したように、スタンプ法、レーザリフトオフ法のいずれの方法を用いた場合でも、ディスプレイパネル基板に発光ダイオードを供給する供給基板（図９の第２の供給基板５）上に搭載された発光ダイオードの中に不良の発光ダイオードが含まれている場合、不良発光ダイオードをディスプレイパネル基板にそのまま移載してしまうため、正常な移載歩留まりが低下するという問題を有していた。

　本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、複数の正常な発光ダイオードを供給先に移載できる発光ダイオード供給基板を製造することができる発光ダイオード供給基板の製造方法、高歩留まりの発光ダイオードディスプレイの製造方法、高歩留まりの発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法、及び複数の正常な素子を　供給先に移載できる素子供給基板を製造することができる素子供給基板の製造方法を提供することを目的とする。

　上記課題を解決するために、本発明では、複数の発光ダイオードを供給先に移載するための発光ダイオード供給基板の製造方法であって、
　供給基板上に複数の発光ダイオードを搭載する第１搭載工程と、
　前記供給基板上の不良な発光ダイオードを選択的に除去する選択除去工程と、
　前記供給基板上の前記不良な発光ダイオードが配置されていた位置に、正常な発光ダイオードを移載する第２搭載工程と
を含むことを特徴とする発光ダイオード供給基板の製造方法を提供する。

　このようにすると、正常な発光ダイオードのみを備えた発光ダイオード供給基板を製造することができる。このようにして製造した発光ダイオード供給基板を用いることにより、正常な複数の発光ダイオードを供給先に一括で、若しくは、選択して移載することができる。つまり、本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法によれば、複数の正常な発光ダイオードを供給先に一括で、若しくは、選択して移載できる発光ダイオード供給基板を製造することができる。

　また、本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法により製造された発光ダイオード供給基板は、不良発光ダイオードを含まないため、発光ダイオードディスプレイ、又は、発光ダイオードディスプレイの分割ユニットを製造する際の発光不良欠陥の発生を著しく低減できる。その結果、発光ダイオードディスプレイ又はその分割ユニットを高歩留まり及び高効率で製造することが可能となる。

　前記選択除去工程の前に、前記供給基板上の個々の前記発光ダイオードが正常か否かを判定する判定工程をさらに含むことが好ましい。

　このようにすると、不良発光ダイオードを確実に選別除去できる。

　また、前記判定工程を、フォトルミネッセンス法により行うことが好ましい。

　前記判定工程をフォトルミネッセンス法により行うと、非接触で判定することができる。

　前記選択除去工程、前記第２搭載工程、又はその両方を、レーザリフトオフ法により行うことが好ましい。

　選択除去工程、第２搭載工程、又はその両方がレーザリフトオフ法で行われるようにすると、より高効率で発光ダイオード供給基板を製造することができる。

　前記選択除去工程、前記第２搭載工程、又はその両方における前記レーザリフトオフ法に用いるレーザをエキシマレーザとすることが好ましい。

　このようにすると、時間圧縮されたパルスレーザ光を生成できる。パルス幅や光強度はパルス発信電圧等の装置電源パラメータを制御することにより容易に制御ができ、他の連続波発振（ＣＷ）レーザでは実現しえない単パルスで高強度のレーザ光を発生させることができる。

　前記選択除去工程、前記第２搭載工程、又はその両方における前記レーザリフトオフ法に用いるレーザをパルスレーザとし、１パルスのレーザ光照射でリフトオフを行うとよい。

　このようにすれば、前記選択除去工程、前記第２搭載工程、又はその両方において用いるレーザをエキシマレーザに限る必要はなく、必要な強度のパルスレーザ光を生成できるレーザが使用可能である。

　前記発光ダイオードとして、最長部が３００μｍより小さいものを用いるとよい。

　このようにすると、レーザリフトオフ法により、より効率的に移載が可能となる。

　前記発光ダイオードとして、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、及び青色発光ダイオードからなる群より選ばれる一種類を用いることができる。

　このようにすると、赤色、緑色、青色の各発光ダイオードの単色の供給基板が製造できる。

　前記複数の発光ダイオードを、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、及び青色発光ダイオードの各一つ以上が一組の画素となるように配置することもできる。

　このようにすると、発光ダイオードディスプレイを製造する際に、一括あるいは一画素単位での移載が可能となる。

　供給基板として、石英基板と、該石英基板上に設けられた粘着層とを含むものを用い、
　前記第１搭載工程において、前記供給基板の前記粘着層の表面に、前記複数の発光ダイオードをマトリックス状に粘着させることが好ましい。

　このようにすると発光ダイオードの供給基板を効率よく製造することができる。

　前記第２搭載工程を、
　石英基板と、該石英基板上に設けられた粘着層と、前記粘着層の表面にマトリックス状に粘着された複数の発光ダイオードとを含む補充基板を準備し、
　前記補充基板上の正常な発光ダイオードを、前記供給基板上の前記不良な発光ダイオードが除去された位置に移載すること
により行うことが好ましい。

　このようにすると、発光ダイオードの供給基板をより効率よく製造することができる。

　前記選択除去工程と前記第２搭載工程との間に、前記補充基板を前記供給基板と対向するように配置する配置工程をさらに含むことが好ましい。

　このようにすると、第２搭載工程における精度を更に高めることができる。

　この場合、前記配置工程において、前記供給基板上の前記不良な発光ダイオードが配置されていた位置と、前記補充基板上の前記正常な発光ダイオードの位置とが対向するように位置合わせすることが好ましい。

　これにより、不良の発光ダイオードを取り除いた位置に、より正確に正常な発光ダイオードを搭載することができる。

　前記供給基板として、前記石英基板が合成石英からなるものを用いることが好ましい。

　合成石英は、優れた面内膜厚均一性を示すことができる。よって、前記石英基板に合成石英を用いると、レーザリフトオフ法を行うために対向させる基板間の間隙の制御が可能となる。

　補充基板の石英基板も、合成石英からなるものとすることが好ましい。この場合、例えば前記配置工程において補充基板を供給基板と平行に対向するように配置する場合に、基板全面に亘って高精度に一定距離で配置できる。

　前記供給基板として、前記石英基板にファセットが設けられているものを用いるとよい。

　このようにすると、レーザリフトオフ法を用いた移載装置に供給基板をセットする際に、回転位置を間違えることなくセットできる。

　この場合、前記補充基板として、前記石英基板にファセットが設けられているものを用いることがより好ましい。

　この場合、前記ファセットが、オリエンテーションを示す印であることが更に好ましい。

　この場合、レーザリフトオフ法を用いた移載装置に供給基板をセットする際に、回転位置を間違えることなくセットできる。

　前記供給基板として、前記石英基板が文字、記号および２Ｄバーコードからなる群より選ばれる１種以上を有するものを用いることができる。

　前記補充基板として、前記石英基板が文字、記号および２Ｄバーコードからなる群より選ばれる１種以上を有するものを用いることもできる。

　このようにすることで、個々の供給基板及び補充基板の管理が可能となる。

　前記文字、前記記号および前記２Ｄバーコードが、オリエンテーションを示す印であるものとすることができる。

　前記文字、前記記号および前記２Ｄバーコードにより前記供給基板の個体識別をおこなうことができる。また、オリエンテーションを示す印とすることもできる。

　この場合、レーザリフトオフ法を用いた移載装置に供給基板をセットする際に、正確に個体判別でき、かつ、回転位置を間違えることなくセットできる。

　前記供給基板として、前記粘着層がシリコーンを含む感圧接着剤からなるものを用いることが好ましい。

　前記補充基板として、前記粘着層がシリコーンを含む感圧接着剤からなるものを用いることもできる。

　これにより、良好な粘着力を提供できる。また、レーザリフトオフ法で発光ダイオードを移載する際に発光ダイオードに不純物が付着しない。さらに、一度発光ダイオードを除去した後に再度発光ダイオードを粘着させることができる。

　前記供給基板として、前記マトリックスのピッチがディスプレイパネルの画素ピッチまたは画素ピッチの整数分の１倍であるものを用いるとよい。

　このようにすると、供給基板の不要な位置合わせ移動なしに、最小限の移動動作だけを行い、レーザ照射位置を制御移動させることにより、複数の発光ダイオードをレーザリフトオフ法により移載することができる。

　前記第１搭載工程が、
　出発基板であって、その上に前記複数の発光ダイオードが製造された出発基板を準備する工程と、
　前記出発基板上の前記複数の発光ダイオード間を一素子ずつに分離する工程と、
　一素子ずつに分離された前記複数の発光ダイオードを前記供給基板上に移載する工程と
を含むことが好ましい。

　このようにすると、効率よく第１搭載工程を行うことができる。

　前記第１搭載工程での前記複数の発光ダイオードを前記供給基板上に移載する工程を、レーザリフトオフ法により行うことが好ましい。

　このようにすると、さらに効率よく第１搭載工程を行うことができる。

　また、本発明では、発光ダイオードディスプレイの製造方法であって、
　本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法によって、前記発光ダイオード供給基板を製造する工程と、
　前記発光ダイオード供給基板上の前記複数の発光ダイオードを、ディスプレイパネル基板上に移載する工程と
を有することを特徴とする発光ダイオードディスプレイの製造方法を提供する。

　本発明の発光ダイオードディスプレイの製造方法では、本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法で発光ダイオード供給基板を製造し、これを用いて複数の発光ダイオードを発光ダイオードディスプレイ基板に移載するので、不良発光ダイオードを含まない発光ダイオードディスプレイを効率よく製造できる。すなわち、本発明の発光ダイオードディスプレイの製造方法によれば、高歩留まりで発光ダイオードディスプレイを製造することができる。

　前記発光ダイオード供給基板上の前記複数の発光ダイオードを、前記ディスプレイパネル基板上に移載する工程を、レーザリフトオフ法により行うことが好ましい。

　このようにすると、より高速に複数の発光ダイオードを移載できるため、より実用的な発光ダイオードディスプレイの製造方法を提供できる。

　また、本発明では、発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法であって、
　本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法によって、前記発光ダイオード供給基板を製造する工程と、
　前記発光ダイオード供給基板上の前記複数の発光ダイオードを、発光ダイオードディスプレイの分割ユニット上に移載する工程と
を有することを特徴とする発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法を提供する。

　本発明の発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法では、本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法で発光ダイオード供給基板を製造し、これを用いて複数の発光ダイオードを発光ダイオードディスプレイの分割ユニットに移載するので、不良発光ダイオードを含まない発光ダイオードディスプレイの分割ユニットを効率よく製造できる。すなわち、本発明の発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法によれば、高歩留まりで発光ダイオードディスプレイの分割ユニットを製造することができる。

　前記発光ダイオード供給基板上の前記複数の発光ダイオードを、前記発光ダイオードディスプレイの分割ユニット上に移載する工程を、レーザリフトオフ法により行うことが好ましい。

　このようにすると、より高速に複数の発光ダイオードを移載できるため、より実用的な発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法を提供できる。

　また、本発明では、複数の素子を供給先に移載するための素子供給基板の製造方法であって、
　供給基板上に複数の素子を搭載する第１搭載工程と、
　前記供給基板上の不良な素子を選択的に除去する選択除去工程と、
　前記供給基板上の前記不良な素子が配置されていた位置に、正常な素子を移載する第２搭載工程と
を含むことを特徴とする素子供給基板の製造方法を提供する。

　本発明は、発光ダイオードを移載するための供給基板に限られず、例えば微小電気素子や微小半導体チップなどの素子を移載するための素子供給基板を提供することができる。この素子供給基板は、複数の正常な素子を供給先に移載できる。このような素子供給基板の製造方法は、例えば、３次元実装並びに電気・電子機器の製造に使用することができる。

　例えば、前記素子は、電気素子、半導体チップ、またはＭＥＭＳ素子とすることができる。

　このように、本発明の素子供給基板の製造方法は、様々な素子の供給に適用できる。

　以上のように、本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法によれば、複数の正常な発光ダイオードを供給先に一括で、若しくは、選択して移載できる発光ダイオード供給基板を製造することができる。

　また、本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法により製造された発光ダイオード供給基板は、不良発光ダイオードを含まないため、発光ダイオードディスプレイ、又は、発光ダイオードディスプレイの分割ユニットを製造する際の発光不良欠陥の発生を著しく低減できる。その結果、発光ダイオードディスプレイを高歩留まり及び高効率に製造することが可能となる。

　さらに、本発明の発光ダイオードディスプレイの製造方法及び発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法は、本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法を含むため、不良発光ダイオードを含まない発光ダイオードディスプレイ又は発光ダイオードディスプレイの分割ユニットを効率よく製造できる。

　そして、本発明の素子供給基板の製造方法によれば、複数の正常な素子を供給先に一括で、若しくは、選択して移載できる素子供給基板を製造することができる。

本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法の第１の実施形態の一部を示す説明図である。本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法の第１の実施形態の他の一部を示す説明図である。図１及び図２に示した製造方法で製造した発光ダイオード供給基板を用いる、発光ダイオードディスプレイの製造方法の一例の一部を示す説明図である。本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法の第２の実施形態の一部を示す説明図である。本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法の第２の実施形態の他の一部を示す説明図である。本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法の第３の実施形態の一部を示す説明図である。本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法の第４の実施形態の一部を示す説明図である。本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法の第５の実施形態の一部を示す説明図である。従来の発光ダイオード供給基板の製造方法の一例及び発光ダイオードディスプレイの製造方法の一例を示す説明図である。

　上述のように、複数の正常な発光ダイオードを供給先に一括で、若しくは、選択して移載できる発光ダイオード供給基板を製造することができる発光ダイオード供給基板の製造方法、高歩留まりの発光ダイオードディスプレイの製造方法、高歩留まりの発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法、及び複数の正常な素子を供給先に一括で、若しくは、選択して移載できる素子供給基板を製造することができる素子供給基板の製造方法の開発が求められていた。

　本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、不良な発光ダイオードを選択的に除去する選択除去工程と、不良な発光ダイオードが配置されていた位置に正常な発光ダイオードを移載する第２搭載工程とを含む発光ダイオード供給基板の製造方法が、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。

　即ち、本発明は、複数の発光ダイオードを供給先に移載するための発光ダイオード供給基板の製造方法であって、
　供給基板上に複数の発光ダイオードを搭載する第１搭載工程と、
　前記供給基板上の不良な発光ダイオードを選択的に除去する選択除去工程と、
　前記供給基板上の前記不良な発光ダイオードが配置されていた位置に、正常な発光ダイオードを移載する第２搭載工程と
を含むことを特徴とする発光ダイオード供給基板の製造方法である。

　また、本発明は、発光ダイオードディスプレイの製造方法であって、
　本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法によって、前記発光ダイオード供給基板を製造する工程と、
　前記発光ダイオード供給基板上の前記複数の発光ダイオードを、ディスプレイパネル基板上に移載する工程と
を有することを特徴とする発光ダイオードディスプレイの製造方法である。

　さらに、本発明は、発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法であって、
　本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法によって、前記発光ダイオード供給基板を製造する工程と、
　前記発光ダイオード供給基板上の前記複数の発光ダイオードを、発光ダイオードディスプレイの分割ユニット上に移載する工程と
を有することを特徴とする発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法である。

　そして、本発明は、複数の素子を供給先に移載するための素子供給基板の製造方法であって、
　供給基板上に複数の素子を搭載する第１搭載工程と、
　前記供給基板上の不良な素子を選択的に除去する選択除去工程と、
　前記供給基板上の前記不良な素子が配置されていた位置に、正常な素子を移載する第２搭載工程と
を含むことを特徴とする素子供給基板の製造方法である。

　以下、本発明について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

　［発光ダイオード供給基板の製造方法］
　本発明は、複数の発光ダイオードを供給先に移載するための発光ダイオード供給基板の製造方法であって、
　供給基板上に複数の発光ダイオードを搭載する第１搭載工程と、
　前記供給基板上の不良な発光ダイオードを選択的に除去する選択除去工程と、
　前記供給基板上の前記不良な発光ダイオードが配置されていた位置に、正常な発光ダイオードを移載する第２搭載工程と
を含むことを特徴とする。

　本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法では、選択除去工程において、第１搭載工程で供給基板上に配置した複数の発光ダイオードのうち、不良な発光ダイオードを選択し、それを除去する。そして、第２搭載工程において、先に除去した不良な発光ダイオードが配置されていた位置に、正常な発光ダイオードを移載する。このような製造方法によれば、正常な発光ダイオードのみを備えた発光ダイオード供給基板を製造することができる。このようにして製造した発光ダイオード供給基板を用いることにより、正常な複数の発光ダイオードをレーザリフトオフ法若しくはスタンプ法によって供給先に一括で、若しくは、選択して移載することができる。つまり、本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法によれば、複数の正常な発光ダイオードを供給先に一括で移載できる発光ダイオード供給基板を製造することができる。また、本発明により製造された発光ダイオードの供給基板上の所望の位置の発光ダイオードを選択してレーザリフトオフ法により供給先に正常な発光ダイオードを移載することができる。つまり、どの位置を選択しても正常な発光ダイオードを移載できる発光ダイオードの供給基板を製造することができる。

　さらに、本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法により製造された発光ダイオード供給基板は、不良発光ダイオードを含まないため、発光ダイオードディスプレイ、又は、発光ダイオードディスプレイの分割ユニットを製造する際の発光不良欠陥の発生を著しく低減できる。その結果、発光ダイオードディスプレイ又はその分割ユニットを高歩留まり及び高効率で製造することが可能となる。

　次に、各工程をより詳細に説明する。

　［第１搭載工程］
　第１搭載工程では、供給基板上に複数の発光ダイオードを搭載する。

　ここでの供給基板として、例えば、石英基板と、該石英基板上に設けられた粘着層とを含むものを用いることができる。供給基板、石英基板及び粘着層の詳細については、後述する。

　前記発光ダイオードとして、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、及び青色発光ダイオードからなる群より選ばれる一種類を用いることができる。
　このようにすると、赤色、緑色、青色の各発光ダイオードの単色の供給基板が製造できる。

　発光ダイオードとして、最長部が３００μｍより小さいものを用いるとよい。
　このようにすると、発光ダイオードの慣性質量が小さくなり、レーザリフトオフ法により、より効率的に移載が可能となる。
　発光ダイオードの最長部の下限は特に限定されないが、例えば、最長部が１０μｍ以上の発光ダイオードを用いることができる。

　第１搭載工程において、供給基板の粘着層の表面に、複数の発光ダイオードをマトリックス状に粘着させることが好ましい。
　このようにすると発光ダイオードの供給基板を効率よく製造することができる。

　この場合、マトリックスのピッチがディスプレイパネルの画素ピッチまたは画素ピッチの整数分の１倍であるものを用いるとよい。

　このようにすると、供給基板の不要な位置合わせ移動なしに、最小限の移動動作だけを行い、レーザ照射位置を制御移動させることにより、複数の発光ダイオードをレーザリフトオフ法により一括で移載することができる。

　第１搭載工程が、
　出発基板であって、その上に前記複数の発光ダイオードが製造された出発基板を準備する工程と、
　前記出発基板上の前記複数の発光ダイオード間を一素子ずつに分離する工程と、
　一素子ずつに分離された前記複数の発光ダイオードを前記供給基板上に移載する工程と
を含むことが好ましい。
　このようにすると、効率よく第１搭載工程を行うことができる。

　ここで、出発基板としては、例えば、サファイア基板と、このサファイア基板上に製造された複数の発光ダイオードとを含むものを用いることができる。

　第１搭載工程での前記複数の発光ダイオードを移載する工程を、レーザリフトオフ法により行うことが好ましい。
　このようにすると、さらに効率よく第１搭載工程を行うことができる。

　［選択除去工程］
　選択除去工程では、供給基板上の不良な発光ダイオードを選択的に除去する。

　選択除去工程の前に、供給基板上の個々の発光ダイオードが正常か否かを判定する判定工程をさらに含むことが好ましい。
　このようにすることで、選択除去工程で、不良な発光ダイオードをより確実に除去することができる。

　この判定工程で、不良の発光ダイオード位置の情報を、例えばマッピング記録してもよい。

　また、判定工程を、フォトルミネッセンス法により行うことが好ましい。
　判定工程をフォトルミネッセンス法により行うと、非接触で判定することができる。

　フォトルミネッセンス法は、物質に光を照射し、励起された電子が基底状態に戻る際に発生する光を観測する方法であり、観測した光情報から物質や機能素子の電子デバイス等の正常／異常を判定することができる。発光ダイオードの場合、例えば、ＴＡＳＭＩＴ社のＩＮＳＰＥＣＴＲＡ　ＰＬシリーズがある。

　なお、非接触であり、判定速度が速いという点でフォトルミネッセンス法は好ましいのであるが、正常／異常判定される対象物に対してフォトルミネッセンス法よりも好ましい方法があれば、別の方法を用いても良い。発光ダイオード以外の物質や機能素子等の電子デバイス等を対象とする場合に、それぞれ判定対象物に適した方法を用いればよい。

　選択除去工程は、レーザリフトオフ法により行うことが好ましい。
　選択除去工程をレーザリフトオフ法で行うと、ターゲットの不良の発光ダイオードのみを容易に除去することができ、その結果、より高効率で発光ダイオード供給基板を製造することができる。

　選択除去工程をレーザリフトオフ法により行う場合、レーザ光を、不良な発光ダイオードと供給基板の粘着層との界面近傍において、不良な発光ダイオードのサイズとおおよそ同じサイズに整形することが好ましい。
　このようにすると、不良な発光ダイオード一つ一つを選択的にレーザリフトオフして除去することができる。

　また、レーザ光をスキャンし、照射タイミング毎に別の発光ダイオード位置に照射されるようにすることで、ターゲットの不良な発光ダイオードを選択的にレーザリフトオフすることができる。

　選択除去工程でのレーザリフトオフ法で用いることができるレーザ光については、後述する。

　［第２搭載工程］
　第２搭載工程では、供給基板上の不良な発光ダイオードが配置されていた位置に、正常な発光ダイオードを移載する。

　第２搭載工程を、
　石英基板と、該石英基板上に設けられた粘着層と、前記粘着層の表面にマトリックス状に粘着された複数の発光ダイオードとを含む補充基板を準備し、
　前記補充基板上の正常な発光ダイオードを、前記供給基板上の前記不良な発光ダイオードが除去された位置に移載すること
により行うことが好ましい。
　このようにすると、発光ダイオードの供給基板をより効率よく製造することができる。

　或いは、補充基板としては、例えば、出発基板と同様の、サファイア基板と、このサファイア基板上に製造された複数の発光ダイオードとを含むものを用いることもできる。

　選択除去工程と第２搭載工程との間に、補充基板を供給基板と対向するように配置する配置工程をさらに含むことが好ましい。
　このようにすると、第２搭載工程における精度を更に高めることができる。

　この場合、上記配置工程において、供給基板上の不良な発光ダイオードが配置されていた位置と、補充基板上の前記正常な発光ダイオードの位置とが対向するように位置合わせすることが好ましい。
　これにより、不良の発光ダイオードを取り除いた位置に、より正確に正常な発光ダイオードを搭載することができる。

　第２搭載工程は、レーザリフトオフ法により行うことが好ましい。
　第２搭載工程をレーザリフトオフ法で行うと、ターゲットの正常な発光ダイオードのみを選択して、不良な発光ダイオードが配置されていた位置に容易に移載することができ、その結果、より高効率で発光ダイオード供給基板を製造することができる。

　第２搭載工程をレーザリフトオフ法により行う場合、レーザ光を、移載する正常な発光ダイオードと補充基板の粘着層との界面近傍において、移載する正常な発光ダイオードのサイズとおおよそ同じサイズに整形することが好ましい。
　このようにすると、正常な発光ダイオード一つ一つを選択的にレーザリフトオフして、正常な発光ダイオードを、不良な発光ダイオードが配置されていた位置により正確に移載することができる。

　また、レーザ光をスキャンし、照射タイミング毎に別の発光ダイオード位置に照射するようにすることで、ターゲットの正常な発光ダイオードを選択的にレーザリフトオフすることができる。

　第２搭載工程でのレーザリフトオフ法で用いることができるレーザ光については、後述する。

　本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法では、第２搭載工程で得られた基板をそのまま発光ダイオード供給基板としても良い。或いは、第２搭載工程で得られた１つ又は複数の基板から、複数の発光ダイオードを別の基板に移載して、それにより得られた基板を発光ダイオード供給基板としても良い。それぞれの具体例は、後述する。

　次に、本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法で用いることができる供給基板、任意の補充基板、レーザ光、及び発光ダイオードについて、より詳細に説明する。

　［供給基板］
　供給基板の平面の形状については、円形であってもよく、矩形であっても良い。もちろん、目的に応じて、最適な形状を用いればよい。単に、正常な発光ダイオードの供給基板として使用する場合は、発光ダイオード製造時のパターンレイアウトを承継し、円形の供給基板を用いるのが最も効率よく発光ダイオードの供給基板を提供する方法と言える。一方、最終的なディスプレイを製造するための発光ダイオード供給基板ということを重視するのであれば、所望のディスプレイの画面（形状、縦横比）を維持したまま、縦横それぞれ整数分の１に分割した分割ユニット、所謂、タイルに対応した供給基板の形状が好ましい。このように、最終的に製造する電子機器等の製品に適した形の供給基板を提供するのが好ましい。

　次に、供給基板及び任意の補充基板で用いることができる石英基板及び粘着層について、より詳細に説明する。

　［石英基板］
　供給基板及び任意の補充基板として石英基板を含むものを用いると、レーザアブレーションを起こす短波長ＵＶレーザ光の高い透過率を提供できる。好ましくは、石英基板が合成石英基板であるとよい。

　合成石英ガラスの場合はおよそ１μｍ以下の面内膜厚均一性（ＴＴＶ：ｔｏｔａｌ　ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　ｖａｒｉａｔｉｏｎ）を実現できるため、合成石英ガラスを用いることにより、レーザリフトオフ法を行うために対向させる基板間の間隙の制御が可能となる。

　さらに、合成石英ガラスを使用することのメリットは、熱的安定性が得られることである。すなわち、合成石英ガラス基板は他の石英ガラス基板と比べておよそ１／５の熱膨張係数を有し、動作中の熱歪を少なくできる。特に、凸型形状突起を有するスタンプ部品の場合、熱伸縮による突起位置のずれ・歪（ディストーション）を低減できるため、正確なレーザリフトオフ移載動作が可能となる。

　また、石英基板の表面側または裏面側の少なくとも一つ以上の頂点にファセットを設けるか、若しくは、石英基板の周辺部の表面、裏面、側面のいずれかに石英基板のオリエンテーションを示す印を付与するとよい。このようにすると、レーザリフトオフ法を用いた移載装置に供給基板をセットする際に、回転位置を間違えることなくセットできる。

　また、石英基板に文字、記号または２Ｄバーコード等が彫り込まれていることにより、個々の供給基板の管理が可能となる。なお、この文字、記号若しくは２Ｄバーコード等をオリエンテーションの印として使用しても良い。上記ファセットを、オリエンテーションを示す印として用いても良い。

　［粘着層］
　前記粘着層には、例えば、界面でアブレーションを起こさないシリコーンを主成分とする（シリコーン系）感圧接着剤を用いることが好ましい。シリコーン系の感圧接着剤としては、ＰＤＭＳ（Ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ）、ＰＤＭＳの側鎖及び両末端を変性したシリコーン組成物、及びそれらの組合せからなる組成物を用いればよい。それぞれの材料組成（分子量、変性基、変性物質、変性量等）及び混合物の場合は混合比等を調製することにより、材料の固さ、圧接着力及び繰り返し接着性等の物性を制御することができる。混合するだけではなく、各種変性シリコーン組成物同志を架橋あるいは分子の三次元構造化を行うことにより最適化することもできる。シリコーン系の感圧接着剤を本発明の工程に最適化して使用すると、有機物材料、例えばポリイミドやアクリル感圧接着剤など、主に主鎖が有機物骨格からなる有機系組成物を粘着層として用いる時のように、レーザリフトオフ法レーザアブレーションにより粘着層から発光ダイオードを剥離したときに発光ダイオードに有機粘着層が付着して残るようなことはない。その結果、従来有機系組成物を粘着層では実現しえなかった繰り返し同じ場所に発光ダイオードを搭載することが可能となる。

　なお、粘着剤となるシリコーン系感圧接着剤の粘着原理は、材料固有の粘着力と押し込み（加圧として働く外力）によりタック力が発生するところにある。タック力は数ミクロンから５μｍ程度の押し込み変位量で十分発生するため、５～１０μｍ程度あればよい。もちろん、それ以上厚くてもなんら問題ない。

　［レーザ光］
　次に、レーザリフトオフ法で用いることができるレーザ光について、より詳細に説明する。

　選択除去工程、第２搭載工程、又はその両方においてレーザリフトオフ法を用いる場合、レーザをエキシマレーザとすることが好ましい。

　選択除去工程、第２搭載工程、又はその両方においてレーザリフトオフ法を用いる場合、レーザをパルスレーザとし、１パルスのレーザ光照射でリフトオフを行うとよい。その理由を以下に説明する。

　レーザリフトオフ法においてＣＷレーザを使用すると、一波長当たりのエネルギが低く長時間のレーザ照射をしないとレーザアブレーションによる発光ダイオードの剥離ができない。このように、ＣＷレーザでは剥離可能であっても剥離する瞬間のレーザエネルギも小さいため、供給基板側から受取基板側に発光ダイオードを飛行させることは容易ではない。これに対して、パルスレーザの場合は時間圧縮された高エネルギのパルスレーザ光を取り出すことができるため、１パルスで一瞬にしてレーザアブレーションを起こすことができる。その結果、供給側の基板から受取側の基板に発光ダイオードを飛行させる力も大きくかつこの力が瞬発的に発現するため、レーザリフトオフ法による発光ダイオードの移載に好適である。

　特に、パルスレーザの中でもエキシマレーザを使用するのが好ましい。エキシマ（Ｅｘｃｉｍｅｒ）の種類としては、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）が実用上好ましい。例えば、ＸｅＣｌエキシマレーザの例として、ＣＯＨＥＲＥＮＴ社から発売されているＬＡＭＢＤＡ　ＳＸがあり、１０００ｍJの最大パルス・エネルギを出力し、最大パルス繰返周波数は５００Ｈｚ（５００Ｗ）と６００Ｈｚ（６００Ｗ）のシステムがある。

　ＫｒＦ及びＡｒＦエキシマレーザの例としては、ＣＯＨＥＲＥＮＴ社から発売されているＩｎｄｙＳｔａｒシリーズがある。ＫｒＦの場合、１２Ｗの最大出力を持ち、最大パルス・エネルギ１２ｍＪの場合に最大パルス繰返周波数１ＫＨｚの発振が可能である。さらに、最大パルス・エネルギ６ｍＪの場合に最大パルス繰返周波数２ＫＨｚの発振が可能である。

　ＡｒＦの場合、８Ｗの最大出力を持ち、最大パルス・エネルギ８ｍＪの場合に最大パルス繰返周波数１ＫＨｚの発振が可能である。さらに、最大パルス・エネルギ４ｍＪの場合に最大パルス繰返周波数２ＫＨｚの発振が可能である。

　パルス繰返周波数が１ＫＨｚの場合、パルス時間間隔は１ｍｓｅｃとなる。実際には、配置工程の時間が足されるので、本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法はステージ移動時間律速となるが、スタンプ法に比べると極めて高速の移載が可能である。また、本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法の選択除去工程及び第２搭載工程では、基板全面に配置された発光ダイオードを一括移載するのではなく、不良発光ダイオードの除去とその位置への正常な発光ダイオードの搭載することとをそれぞれ主たる目的としているため、不良発光ダイオードを含まない供給基板を製造する方法としては、極めて有用な方法である。

　また、エキシマレーザ光のエネルギ自体は高エネルギであるが、１パルスの時間幅がＸｅＣｌでは２４ｎｓｅｃ（ＦＷＨＭ）、ＫｒＦとＡｒＦでは７ｎｓｅｃ（ＦＷＨＭ）と非常に短い時間に圧縮された光であるため、レーザ照射領域にダメージを残しにくいというメリットがある。

　なお、エキシマレーザ以外のレーザであって、本発明を実現するのに十分な性能を有するパルスレーザがあれば、それらを用いても良い。

　このように、選択除去工程、第２搭載工程、又はその両方において用いるレーザをエキシマレーザに限る必要はなく、必要な強度のパルスレーザ光を生成できるレーザが使用可能である。

　第１搭載工程での複数の発光ダイオードを一括移載する工程をレーザリフトオフ法で行う場合、用いるレーザは、特に限定されず、ＣＷレーザとしても良い。

　［発光ダイオード］
　次に、本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法で用いる発光ダイオードをより詳細に説明する。

　一般に、発光ダイオードは、短辺が１００μｍ以上～３００μｍの発光ダイオード程度のものをミニ発光ダイオード、短辺が１００μｍ以下、さらには、５０μ以下のものもマイクロ発光ダイオードと呼んでいる。最近では、商業上のメリットを優先し、１５０μｍ×１５０μｍの発光ダイオードをマイクロ発光ダイオードと呼ぶ会社もある。これらのスケール感の正確な定義は難しいが、本発明の移載対象の発光ダイオードは、前記ミニ発光ダイオードまたはマイクロ発光ダイオードと言われるものである。

　例えば、縦×横が１００μｍ×２００μｍのミニ発光ダイオードの場合、高さは１００μｍ以下であったが、最近では縦１５０μｍ×横１５０μｍ×高さ１０μｍ弱の薄膜状の青色ミニ発光ダイオード及び緑色ミニ発光ダイオードも出始めてきた。これに対応して、赤色ミニ発光ダイオードの場合、その２倍弱の高さのものがある。１００μｍ×１００μｍの平面サイズを切るマイクロ発光ダイオードの場合、薄膜化はさらに進み、電極を含めて１０ミクロン以下、中には７ミクロン程度になってきている。発光ダイオードの平面サイズにおいては、既に縦２５μｍ×横２５μｍ×高さ７μｍのものもできるようになってきた。

　上記のようなミニ発光ダイオード及びマイクロ発光ダイオードをレーザリフトオフ法により移載する場合、発光ダイオード供給基板と受取基板間の距離をおおよそ平面サイズの１辺の長さの４倍程度以下の飛行距離になるように調整するとよい。好ましくはおよそ平面サイズの１辺の長さの３倍以下、さらに好ましくは平面サイズの１辺の長さの２倍以下となるように調整するとよい。平面サイズの１辺の長さの４倍程度の飛行距離であれば、レーザ光強度及びその面内均一性、レーザ光照射サイズを調整することにより、レーザリフトオフ法による発光ダイオードの移載は可能である。なお、レーザ照射サイズは対象となる発光ダイオードのサイズとおよそ同じ若しくは少し大きいスポットサイズであればよい。

　もちろん平面サイズの１辺の長さと同程度、または、それ以下であってもよい。普通の石英基板では実現困難であるが、供給基板の基材にＴＴＶで１μｍ以下の面内膜厚均一性を有する合成石英基板を用いることで、供給基板と受取側の基板との間の間隙を数１０ミクロンにすることも可能である。その間隙の限界距離は、供給基板と受取側の基板とを取り扱う装置のポテンシャルに依存する。

　発光ダイオード供給基板において、複数の発光ダイオードを、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、及び青色発光ダイオードの各一つ以上が一組の画素となるように配置することもできる。

　例えば、第２搭載工程において、赤色発光ダイオードについての供給基板、緑色発光ダイオードについての供給基板、及び青色発光ダイオードについての供給基板をそれぞれ作製し、これらの供給基板を用いて、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、及び青色発光ダイオードを、各一つ以上が一組の画素となるように、更なる供給基板上に移載することができる。

　次に、図面を参照しながら、本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法の幾つかの実施形態を、具体的に説明する。

　（第１実施形態）
　図１及び図２は、本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法の第１実施形態を説明した図である。

　図１において、１は出発基板としての第１のサファイア基板、２は発光ダイオードであり、出発基板（第１のサファイア基板）１上で製造された後、個片化された状態になっている。３は発光ダイオード２に設けられた電極を示す。４は第１の供給基板であり、石英基板からなる基板４１と、その片方の表面に形成された粘着層４２とを含む。６はレーザ光である。７は容器であり、不良な発光ダイオード２’を捕集するためのものである。８は補充基板としての第２のサファイア基板である。補充基板（第２のサファイア基板）８は、図１（ａ）の出発基板１と同様に、個片化され、電極３が形成された発光ダイオード９を備えている。図２において、５は第２の供給基板であり、石英基板からなる基板５１と、その片方の表面に形成された粘着層５２とを含んでいる。

　図１（ａ）～（ｅ）並びに図２（ｆ）及び（ｇ）を用いて、本発明の第１の実施形態の発光ダイオード供給基板の製造方法について説明する。

　（第１搭載工程）
　まず、図１（ａ）を用いて、供給基板上に複数の発光ダイオードを搭載する第１搭載工程の一例について説明する。

　図１（ａ）に示すように、第１の供給基板４の粘着層４２が設けられた面（表面）と、出発基板１の発光ダイオード２が製造された面（表面）とを、互いに平行に対向するように配置し、面内が一定の距離となるように調整する。この状態で、出発基板１の裏面（発光ダイオード２が配置されていない方の面）からレーザ光６を入射し、このレーザ光６を所望の発光ダイオード２と出発基板１との界面近傍にフォーカスする。発光ダイオード２が青色及び緑色の発光ダイオードの場合、出発基板１と出発基板１上に製造されている発光ダイオード２との界面には、発光ダイオード２のＧａＮ層が存在する。この層にレーザ光６が到達するとレーザアブレーションによりＧａＮ層の一部が蒸発し、出発基板１から発光ダイオード２が切り離される。この方法は、レーザリフトオフ法の一形態である。このよう切り離された発光ダイオード２は、対向する第１の供給基板４の粘着層４２に向かって飛行し、粘着層４２に付着し固定される。図１（ａ）に示すように、レーザ光６を出発基板１の裏面を移動させながらすべての発光ダイオード２を出発基板１から第１の供給基板４の粘着層４２の表面に一括で移載する。このようにして所望の発光ダイオード２をすべて移載した状態が図１（ｂ）に示されている。

　なお、図１（ａ）において、第１搭載工程での複数の発光ダイオードを一括移載する工程においてＣＷレーザを用いてレーザリフトオフ法で行う場合は、発光ダイオード２の電極部３を粘着層４２に押圧した状態で行うとよい（図示外）。このようにすると、ＣＷレーザでもレーザリフトオフによる発光ダイオードの一括移載が可能となる。

　（選択除去工程）
　次に、図１（ｃ）を用いて、不良な発光ダイオードを選択除去する工程の一例について説明する。

　まず、第１の供給基板４上の発光ダイオード２のうち、除去すべき不良な発光ダイオード２’を選択する。この選択は、例えば、先に説明した判定工程の結果に基づいて行うことができる。

　次に、第１供給基板４の裏面（発光ダイオード２が配置されていない面）側からレーザ光６を照射し、第１供給基板４表面の粘着層４２に付着している不良な発光ダイオード２’にレーザ光６を当て、レーザリフトオフ法により不良な発光ダイオード２’を選択的に除去する。より詳細には、この場合、レーザ光６が、不良な発光ダイオード２’の電極３、及び不良な発光ダイオード２’の少なくとも一部の粘着層４２と接している部分近傍にレーザ光がフォーカスされて照射されることにより、不良な発光ダイオード２’及び電極３の熱的膨張と粘着層４２の熱膨張率の差が生じ、それらの界面にシーアストレスが発生する。その結果、瞬発的に不良な発光ダイオード２’及びその上に形成された電極３が剥離除去される。剥離除去された発光ダイオード２’は、不良発光ダイオード捕集用の容器７によって捕獲される。これもまた、レーザリフトオフ法の一形態である。このように、選択除去対象の不良な発光ダイオード２’に対してレーザ光６の照射位置を移動させながら上記剥離除去動作を選択的に行うことにより、第１の供給基板４上の不良な発光ダイオード２’はすべて除去される。

　なお、不良な発光ダイオード２’の位置１０は、例えば、先に説明した判定工程において、出発基板１上で事前に正常／不良判定をして、その位置情報をマッピング記録しておけばいい。

　（第２搭載工程）
　次に、図１（ｄ）を用いて、供給基板上の不良な発光ダイオードが配置されていた位置に、正常な発光ダイオードを移載する第２搭載工程の一例について説明する。

　図１（ｄ）に示されるように、第１の供給基板４の表面（粘着層４２）を上（重力の反対方向）にし、その上に補充基板（第２のサファイア基板）８の表面を下にして、これらを一定の距離で平行に対向するように配置する。同時に第１の供給基板４表面のＸ―Ｙ軸と補充基板８表面のＸ－Ｙ軸のローテンションを補正した状態で、補充しようとする補充基板８上の正常な発光ダイオード９の位置と第１の供給基板４の不良な発光ダイオード２’が配置されていた位置（正常な発光ダイオード９を補充しようとする位置）１０とが一致するように、アライメント制御して配置する。さらに同時にＺ軸方向では補充基板８の表面と第１の供給基板４の表面との距離が最適な距離となるように調整配置する。すなわち、第１実施形態の発光ダイオード供給基板の製造方法は、選択除去工程と第２搭載工程との間に、補充基板８を第１供給基板４と対向するように配置する配置工程を更に含み、この配置工程において、第１供給基板１上の不良な発光ダイオード２’が配置されていた位置１０と、補充基板８上の正常な発光ダイオード９の位置とが対向するように位置合わせする。

　具体的には図示外であるが、補充基板８を保持するステージと第１の供給基板４を保持するステージとの少なくとも一方、若しくは、両方がＸ－Ｙ移動機構を有し、少なくともいずれか一方のステージがローテーション補正できる機構を有し、少なくともいずれか一方のステージがＺ方向移動機構を有する３次元位置アライメントシステムにより実現できる。

　次に、上記配置工程が完了した後に、レーザ光６を補充基板８の裏面から正常な発光ダイオード９に向け照射し、レーザリフトオフ法により第１の供給基板４の発光ダイオード欠損部（不良な発光ダイオード２’が配置されていた位置）１０に移載する。これもまた、レーザリフトオフ法の一形態である（第２搭載工程）。

　上記配置工程と第２搭載工程とを繰り返し行うことにより、図１（ｅ）に示すような、不良な発光ダイオード２’を含まない第１の発光ダイオード供給基板１００を製造することができる。

　なお、正常な発光ダイオード９の位置は、例えば、補充基板８上で事前に正常／不良判定をして、その位置情報をマッピング記録しておけばよい。

　（反転工程）
　図１（ｅ）の状態では、第１の発光ダイオード供給基板１００の発光ダイオード２の電極３側が接着層５の側に向いているため、発光ダイオードディスプレイパネルへの移載にそのまま使用することができない。そのため、全ての発光ダイオード２をさらに表裏反転させる必要がある。ここで行う反転工程を、以下に説明する。

　まず、図２（ｆ）に示す第２の供給基板５を準備する。次いで、図２（ｆ）に示すように、第２の供給基板５の粘着層５２が設けられた面（表面）の上に、第１の供給基板４の発光ダイオード２が搭載された粘着層４２側（表面）を、下向きの状態で、これらが一定の距離で平行に対向するように配置する。この状態で、レーザリフトオフ法を行なって、レーザアブレーションを起こし、第１の供給基板４上のすべての発光ダイオード２を表裏反転させて第２の供給基板５に移載する。その結果、図２（ｇ）のように、第２の発光ダイオード供給基板２００が製造できる。

　このように、本発明の第１の実施形態によれば、不良な発光ダイオード２’を含まない、第１及び第２の発光ダイオード供給基板１００及び２００を製造できる。

　次に、以上のようにして製造した第２発光ダイオード供給基板を用いた、発光ダイオードディスプレイの製造方法の例を、図３を参照しながら、概略的に説明する。

　図３に示す例では、図３（ｈ）に示すように、発光ダイオード供給基板２００と、供給先であるディスプレイパネル基板３９とを、発光ダイオード供給基板２００の発光ダイオード２の位置とディスプレイパネル基板３９の電極位置とが合うように、互いに対向させて配置する。

　この状態で、図３（ｈ）に示すように、図９（ＩＶ）を参照しながら説明したのと同様の手順で、第２発光ダイオード供給基板２００からディスプレイパネル基板３９へと、レーザリフトオフ法により複数の発光ダイオード２を一括で移載配置する。追いで電気的接続を行うことで、図３（ｉ）に示す、ディスプレイパネル基板３９と、この基板上に配置された複数の発光ダイオード２とを備えた、発光ダイオードディスプレイ（又は、その分割ユニットとしての発光ダイオードディスプレイパネル）３００を得ることができる。

　なお、図示外ではあるが、スタンプ法を用いても第２発光ダイオード供給基板２００からディスプレイパネル基板３９へと、複数の発光ダイオード２を一括で移載配置できる。

　以上に説明した製造方法の例によれば、不良な発光ダイオードを含まない組み立て作業が実現される。この作業をＲＧＢ各色に対して行い、ＲＧＢカラー発光ダイオードディスプレイ（発光ダイオードディスプレイパネル）を製造することができる。

　このように、本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法の第１実施形態によって製造できる発光ダイオード供給基板を用いて製造することで、発光不良欠陥の極めて少ない発光ダイオードディスプレイの製造が可能になる。

　第２の発光ダイオード供給基板２００からディスプレイパネル基板３９への発光ダイオード２の一括移載工程を、レーザリフトオフ法によるレーザアブレーションにより行うと、非接触で高速に一括移載可能であり、実用的にも高効率な発光ダイオードディスプレイ３００の製造が可能になる。このように本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法により製造される発光ダイオード供給基板２００は、無機発光ダイオードディスプレイ、所謂、ミニ発光ダイオードディスプレイ、マイクロ発光ダイオードディスプレイの実現にとって非常に有益である。

　また、第２の発光ダイオード供給基板２００の製造の段階で、ディスプレイとして要求される画素ピッチで、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、及び青色発光ダイオードを各色少なくとも１個以上を備えた状態でレイアウトして、１画素のＲＧＢ発光ダイオード群を形成するように製造するとよい。そのためには、ＲＧＢ各色についての発光ダイオード２の第１供給基板１００を用いて、一色ごとに第２供給基板５への移載位置を制御して、ディスプレイピッチで、かつ、ディスプレイパネル基板３９側の電極位置と符合するようにＲＧＢ発光ダイオードを配置する工程を行えばよい。このように、第２の発光ダイオード供給基板２００側で所望のディスプレイパネル基板３９に符合する画素構成と画素ピッチを備えた状態に製造しておくと、第２の発光ダイオード供給基板２００からディスプレイパネル基板３９に複数の発光ダイオードを一括移載するだけで、ＲＧＢディスプレイ３００の組み立てが可能となる。

　また、ＲＧＢ各色の配置マトリックス（Ｘ－Ｙ）のピッチがディスプレイパネルの画素ピッチ、若しくは、前記画素ピッチＰの整数Ｎ分の１倍となるように発光ダイオード２が配置されているとよい。

　そのためには、第１供給基板４から第２供給基板５へ発光ダイオードを移載する工程、若しくは、出発基板１から第１供給基板４に移載する工程（第１搭載工程）で、所望の画素ピッチＰ若しくはＰ／Ｎピッチ位置に発光ダイオード２を移載しておけばよい。さらに、第１供給基板４及び／又は第２供給基板５に発光ダイオード２を移載して配置する場合に、所望の画素ピッチＰの整数Ｎ分の１倍のピッチ（Ｐ／Ｎ）で、かつ各発光ダイオード２が重なり合わないピッチで配置することで、所望の画素ピッチに対応した最大搭載量の第２の発光ダイオード供給基板２００を製造することができる。

　このようにＰ／Ｎ（Ｎ：整数）ピッチ位置に発光ダイオード２を搭載した第２発光ダイオード供給基板２００を用いると、ディスプレイパネル基板３９に発光ダイオード２を実装する際に、移載速度を著しく向上できる。すなわち、第２発光ダイオード供給基板２００からディスプレイパネル基板３９にレーザリフトオフ法により発光ダイオードを移載する際に、レーザ照射位置を光学的に移動させて、Ｘ－Ｙマトリクス上の所望の画素ピッチ位置の発光ダイオード２を選択的に移載することで、一回のステージ移動を含む配置工程で一気に（一括で）複数の発光ダイオード２を移載できる。

　次に、この時レーザリフトオフ法により移載した発光ダイオード２の位置の隣のチップ位置を次の移載位置（ディスプレイパネルのピッチ位置）に移動し、前記選択的なレーザリフトオフ法による移載を行う。この一連の動作を繰り返し行うことにより、およそＮ倍の速度で画素ピッチ位置に発光ダイオード２を備えた発光ダイオードディスプレイパネルを製造することができる。前記一連動作を、各色の発光ダイオード毎に順次行うことにより、ＲＧＢ発光ダイオードディスプレイ３００、若しくは、ディスプレイの分割ユニット（例えば発光ダイオードディスプレイパネル）３００を製造することができる。

　以上のように、発光ダイオード供給基板の製造段階で、ディスプレイへの発光ダイオードの実装組み立てに適した位置に配置された発光ダイオードの供給基板を製造しておくと、ディスプレイ、若しくは、ディスプレイの分割ユニットの製造組み立て工程において、さらに製造効率を向上させることができる。

　なお、図１（ａ）の出発基板１から第１の供給基板４にレーザリフトオフ法を用いて発光ダイオード２を一括移載する場合、及び、図２（ｆ）の第１の供給基板４から第２の供給基板５に発光ダイオード２を一括移載する場合は、不良な発光ダイオード２’の除去工程（図１（ｃ））及び正常な発光ダイオード９の第２搭載工程（図１（ｄ））のようにステージ移動を伴う動作よりも、ステージ移動を伴わない動作の方が、実用的な時間の観点から好ましい。このような場合は、レーザ光６の方をスキャンする方法で移載すれば実用的な時間で一括移載が可能となる。その際は、エキシマレーザの高速の繰返周波数が効果を発揮する。また、高出力のレーザ光が得られるため照射範囲を分割された個々の発光ダイオード２を一個一個ではなく、複数の発光ダイオード２をカバーする領域にレーザビームスポットサイズを広げ、複数個をひとまとめに転写することができる。そのスポット形状は正方形であっても長方形であってもよい。レーザ光照射は、パルス発振周波数若しくはその整数倍に同期させ、不要なパルス発振光は光学シャッタで遮断することにより、効率よく発光ダイオードを移載することができる。

　（第２実施形態）
　図４及び図５は、本発明の第２の実施形態に係る発光ダイオード供給基板の製造方法を説明する図である。

　先に説明した第１の実施形態は、図１（ｃ）及び（ｄ）に示すように、第１の供給基板４上で、不良な発光ダイオード２’を選択除去する工程～正常な発光ダイオード９を移載する第２搭載工程までを行うことが特徴であった。一方、図４及び図５に示す第２の実施形態では、図５（ｅ_２）及び（ｆ_２）に示すように、第２の供給基板５上で、不良な発光ダイオード２’を選択除去する工程～正常な発光ダイオード９を移載する移載する第２搭載工程までを行うことが特徴である。さらに、異なる点は、正常な発光ダイオード９を供給する基板が、補充基板としての第３の供給基板１１を用いるところである。第３の供給基板１１としては、例えば、図４（ｂ_２）で得られる第１の供給基板４と同様に作製されたものを用いることができる。当然、出発基板１上で事前に発光ダイオード２及び９の正常／異常を判定された結果とその位置情報は、出発基板１から第１供給基板４及び第３供給基板１１に発光ダイオード２及び９が一括移載された時点で引き継がれている。

　また、第１の実施形態の図１（ｅ）に示される状態、すなわち、不良判定された発光ダイオード２’を除去し、すべて正常な発光ダイオード２が搭載された状態の第１の発光ダイオード供給基板１００を、本発明の第２の実施形態における、図５（ｆ_２）に示す第３の供給基板１１として用いると、第１の発光ダイオード供給基板１００のすべての発光ダイオード２を区別なく使用することができる。その結果、図５（ｆ_２）に示される第２の供給基板５上での配置工程及び第２搭載工程の効率アップを図ることができる。

　（第３実施形態）
　図６は、本発明の第３の実施形態に係る発光ダイオード供給基板の製造方法の説明図の一部を示しており、本発明の第２の実施形態と異なる点を抜き出したものである。

　図６（ｆ’）は、本発明第２の実施形態の図５（ｆ_２）工程における第３の供給基板１１の代わりに補充基板（第２のサファイア基板）８を用いることを特徴としている。図示されている補充基板８は、本発明の第１の実施形態の図１（ｄ）に示したものと同じである。

　図６（ｆ’）の工程により得られる、図６（ｇ’）に示す第２の発光ダイオード供給基板２００は、図２（ｇ）及び図５（ｇ_２）に示したものと同様である。

　（第４実施形態）
　上記第１の実施形態～第３の実施形態では、第１搭載工程として、発光ダイオード２の製造された出発基板１から第１の供給基板４へ複数の発光ダイオード２を一括移載する工程が、図１（ａ）及び図４（ａ_２）に示されている。これは、発光ダイオード２が青色及び緑色の発光ダイオードの場合、出発基板（サファイア基板）８と発光ダイオード２との界面がＧａＮ層であるため実現することができる。より詳細には、界面のＧａＮ層がアブレーションされＮが昇華することにより、発光ダイオード２が出発基板８から剥離し、射出される。さらに、青色及び緑色の発光ダイオードでは、電極が同じ面側に形成されるラテラル構造であるために実現可能となっている。

　しかしながら、赤色ダイオードの場合は、出発基板自体がＧａＡｓ基板上に形成され、通常電極が発光ダイオードを挟むように形成されている、所謂、バーティカル構造が主流であった。これをそのままディスプレイパネルに搭載して用いると、青色及び緑色のラテラル構造の発光ダイオードと異なる構造であるため、電極接続がより一層複雑になるという課題があった。この課題を克服するために、近年ラテラル構造の赤色発光ダイオードが作られ、流通するようになってきた。

　図７は、本発明の第４の実施形態に係る発光ダイオード供給基板の製造方法の説明図の一部である。

　図７において、２１は出発基板（サファイア基板）であり、２２は赤色発光ダイオードである。２３及び２４は発光ダイオードに設けられた電極であり、電極２３と電極２４はそれぞれ赤色ダイオード２２の反対の面の導電層に接続されている。このように赤色発光ダイオード２２は電極がラテラル構造に構成されている。赤色発光ダイオード２２は、接着層２５により出発基板２１に固定されている。接着層２５は一般的にＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）等の樹脂が用いられる。また、４は第１の供給基板であり、基板４１と、その上に形成された粘着層４２とを含んでいる。

　第４の実施形態では、図７（ａ_４）に示すように、出発基板２１と第１の供給基板４とを互いに平行に対向するように配置し、面内が一定の距離となるように調整する。この状態で、レーザリフトオフ法により接着層２５の一部をアブレーションして、接着層２５で出発基板２１に固定された赤色発光ダイオード２２を第１の供給基板４に移載する。

　この場合、接着層２５のＢＣＢの残渣が赤色発光ダイオード２２に残るため、図示外ではあるがウエットプロセス、若しくは、ドライプロセスによるケミカルエッチングによりＢＣＢ残渣を除去する工程が必要になる。

　このようにして、第１の供給基板４（図７（ｂ_２））が完成する。この後、例えば、本発明の第１の実施形態若しくは第２の実施形態に示す方法を用いて、不良な発光ダイオードを含まない第２の供給基板５を製造することができる。

　なお、赤色発光ダイオード２２の正常／不良判定は、赤色発光ダイオード２２が出発基板１に固定された状態で、フォトルミネッセンス法により実施すればよい。

　以上述べてきたように、青色、緑色、赤色各色の発光ダイオードに対して、発光ダイオードディスプレイ製造用の発光ダイオードの供給基板を製造できる。

　（第５実施形態）
　第１実施形態～第４実施形態では、第１搭載工程において、レーザリフトオフ法により、出発基板１と第１の供給基板４との間に一定の間隙を設けた状態でレーザ光６をスキャンして、各色の発光ダイオード２又は２２を第１の供給基板４に一括搭載している。また、第１の供給基板４から第２の供給基板５への一括移載においても、両基板間に一定の間隙を設けている。この場合のメリットは、第１の供給基板４及び第２の供給基板５上の粘着層に同じ粘着材料用いることができることである。

　しかしながら、必ずしも間隙を開けなくても一括転写は可能である。

　図８は、本発明の第５の実施形態に係る発光ダイオード供給基板の製造方法の説明図の一部である。図８（ａ_５－１）は図１（ａ）に対応し、図８（ａ_５－２）は図７（ａ_４）に対応し、図８（ｆ_５）は図２（ｆ）に対応する。

　図８（ａ_５－１）、図８（ａ_５－２）及び図８（ｆ_５）に示すように、間隙を設けずにレーザリフトオフ法により発光ダイオード２又は２２を移載する場合、いずれの場合も、少し押圧して粘着層４２及び５２のタッキング効果を獲得しておくとよい。

　図８（ａ_５－１）及び図８（ａ_５－２）の場合は、発光ダイオード２及び２２がそれぞれ出発基板（サファイア基板）１及び接着層２５から剥離するため、上記のように押圧が効果的に機能する。

　図８（ｆ_５）の場合は、粘着層４２よりも粘着層５２の粘着力（タック力を含む）が大きな材料用いることにより、レーザリフトオフ法による一括移載が実現される。

　なお、第５の実施形態におけるその他の工程は、例えば、第１の実施形態又は第２の実施形態の他の工程のようにすればよい。

　第２～第４の実施形態に係る発光ダイオード供給基板の製造方法によって製造された第２の発光ダイオード供給基板２００を用いることにより、第１の実施形態に係る発光ダイオード供給基板の製造方法によって製造された第２の発光ダイオード供給基板２００を用いた場合と同様に、例えば図３に示す手順で、発光ダイオードディスプレイ（又は、発光ダイオードディスプレイの分割ユニット若しくは発光ダイオードディスプレイパネル）３００を製造することができる。

　［発光ダイオードディスプレイの製造方法及び発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法］
　本発明の発光ダイオードディスプレイの製造方法は、
　本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法によって、前記発光ダイオード供給基板を製造する工程と、
　前記発光ダイオード供給基板上の前記複数の発光ダイオードを、ディスプレイパネル基板上に移載する工程と
を有することを特徴とする。

　また、本発明の発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法は、
　本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法によって、前記発光ダイオード供給基板を製造する工程と、
　前記発光ダイオード供給基板上の前記複数の発光ダイオードを、発光ダイオードディスプレイの分割ユニット上に移載する工程と
を有することを特徴とする。

　本発明の発光ダイオードディスプレイの製造方法及び発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法では、本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法で発光ダイオード供給基板を製造し、これを用いて複数の発光ダイオードを発光ダイオードディスプレイ基板又は発光ダイオードディスプレイの分割ユニットに移載するので、不良発光ダイオードを含まない発光ダイオードディスプレイ又は発光ダイオードディスプレイの分割ユニットを効率よく製造できる。すなわち、本発明の発光ダイオードディスプレイの製造方法によれば、高歩留まりで発光ダイオードディスプレイを製造することができる。また、本発明の発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法によれば、高歩留まりで発光ダイオードディスプレイの分割ユニットを製造することができる。

　前記発光ダイオード供給基板上の前記複数の発光ダイオードを、前記ディスプレイパネル基板上に移載する工程を、レーザリフトオフ法により行うことが好ましい。
　このようにすると、より高速に複数の発光ダイオードを移載できるため、より実用的な発光ダイオードディスプレイの製造方法を提供できる。

　同様に、前記発光ダイオード供給基板上の前記複数の発光ダイオードを、前記発光ダイオードディスプレイの分割ユニット上に移載する工程を、レーザリフトオフ法により行うことが好ましい。
　このようにすると、より高速に複数の発光ダイオードを移載できるため、より実用的な発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法を提供できる。

　本発明の発光ダイオードディスプレイの製造方法及び本発明の発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法の具体例が、図１～図３を参照しながら説明した例である。

　なお、本発明の発光ダイオードディスプレイの製造方法及び本発明の発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法によれば、例えば、高解像度の大画面ディスプレイ及びその分割ユニットを製造することができる。しかしながら、本発明の発光ダイオードディスプレイの製造方法及び本発明の発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法によれば、本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法で製造した発光ダイオード供給基板を用いることにより、腕時計サイズのヘルスケア機器、複合デバイス、車載用のヘッドアップディスプレイやナビゲーションシステムディスプレイ、ＡＲ／ＶＲ／ＭＲ等の視覚拡張機器、眼鏡型の表示機器等々の表示機能ユニットを提供できる。その結果、上記発光ダイオードディスプレイ又はその分割ユニットを備えた電気・電子機器を高歩留まりに製造提供することができる。

　［素子供給基板の製造方法］
　本発明の素子供給基板の製造方法は、複数の素子を供給先に移載するための素子供給基板の製造方法であって、
　供給基板上に複数の素子を搭載する第１搭載工程と、
　前記供給基板上の不良な素子を選択的に除去する選択除去工程と、
　前記供給基板上の前記不良な素子が配置されていた位置に、正常な素子を移載する第２搭載工程と
を含むことを特徴とする。

　本発明の発光ダイオード供給基板の製造方法において、発光ダイオードに替えて、例えば微小電気素子や微小半導体チップなどの素子を適用すると、３次元実装並びに電気・電子機器の製造に使用することができる素子供給基板を製造できる。

　このようにして製造した素子供給基板を用いることにより、正常な複数の素子をレーザリフトオフ法若しくはスタンプ法によって供給先に一括で移載することができる。つまり、本発明の素子供給基板の製造方法によれば、複数の正常な素子を供給先に一括で移載できる素子供給基板を製造することができる。また、本発明により製造された素子供給基板上の所望の位置の素子を選択してレーザリフトオフ法により供給先に正常な素子を移載することができる。つまり、どの位置を選択しても正常な素子を移載できる素子供給基板を製造することができる。

　そして、このような素子供給基板の製造方法は、例えば、３次元実装並びに電気・電子機器の製造に使用することができる。

　微小電気素子としては、抵抗、キャパシタ、インダクタがある。微小半導体チップにはＳｉ-ＣＭＯＳ半導体ＩＣ及びＬＳＩ、ダイオード等のディスクリート半導体、化合物半導体チップなどがある。また、加速度センサ等のＭＥＭＳ素子も取り扱うことができる。

　なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims

　複数の発光ダイオードを供給先に移載するための発光ダイオード供給基板の製造方法であって、
　供給基板上に複数の発光ダイオードを搭載する第１搭載工程と、
　前記供給基板上の不良な発光ダイオードを選択的に除去する選択除去工程と、
　前記供給基板上の前記不良な発光ダイオードが配置されていた位置に、正常な発光ダイオードを移載する第２搭載工程と
を含むことを特徴とする発光ダイオード供給基板の製造方法。
　前記選択除去工程の前に、前記供給基板上の個々の前記発光ダイオードが正常か否かを判定する判定工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法。
　前記判定工程を、フォトルミネッセンス法により行うことを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法。
　前記選択除去工程、前記第２搭載工程、又はその両方を、レーザリフトオフ法により行うことを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法。
　前記選択除去工程、前記第２搭載工程、又はその両方における前記レーザリフトオフ法に用いるレーザをエキシマレーザとすることを特徴とする請求項４に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法。
　前記選択除去工程、前記第２搭載工程、又はその両方における前記レーザリフトオフ法に用いるレーザをパルスレーザとし、１パルスのレーザ光照射でリフトオフを行うことを特徴とする請求項４又は５に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法。
　前記発光ダイオードとして、最長部が３００μｍより小さいものを用いることを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法。
　前記発光ダイオードとして、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、及び青色発光ダイオードからなる群より選ばれる一種類を用いることを特徴とする請求項１～７のいずれか１項に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法。
　前記複数の発光ダイオードを、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、及び青色発光ダイオードの各一つ以上が一組の画素となるように配置することを特徴とする請求項１～７のいずれか１項に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法。
　前記供給基板として、石英基板と、該石英基板上に設けられた粘着層とを含むものを用い、
　前記第１搭載工程において、前記供給基板の前記粘着層の表面に、前記複数の発光ダイオードをマトリックス状に粘着させることを特徴とする請求項１～９のいずれか１項に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法。
　前記第２搭載工程を、
　石英基板と、該石英基板上に設けられた粘着層と、前記粘着層の表面にマトリックス状に粘着された複数の発光ダイオードとを含む補充基板を準備し、
　前記補充基板上の正常な発光ダイオードを、前記供給基板上の前記不良な発光ダイオードが除去された位置に移載すること
により行うことを特徴とする請求項１～１０のいずれか１項に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法。
　前記選択除去工程と前記第２搭載工程との間に、前記補充基板を前記供給基板と対向するように配置する配置工程をさらに含む請求項１１に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法。
　前記配置工程において、前記供給基板上の前記不良な発光ダイオードが配置されていた位置と、前記補充基板上の前記正常な発光ダイオードの位置とが対向するように位置合わせすることを特徴とする請求項１２に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法。
　前記供給基板として、前記石英基板が合成石英からなるものを用いることを特徴とする請求項１０に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法。
　前記供給基板として、前記石英基板にファセットが設けられているものを用いることを特徴とする請求項１０または１４に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法。
　前記供給基板として、前記石英基板が文字、記号および２Ｄバーコードからなる群より選ばれる１種以上を有するものを用いることを特徴とする請求項１０、１４または１５に記載の発光ダイオード供給基板製造方法。
　前記ファセットが、オリエンテーションを示す印であることを特徴とする請求項１５に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法。
　前記文字、前記記号および前記２Ｄバーコードが、オリエンテーションを示す印であることを特徴とする請求項１６に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法。
　前記供給基板として、前記粘着層がシリコーンを含む感圧接着剤からなるものを用いることを特徴とする請求項１０、及び１４～１８のいずれか１項に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法。
　前記供給基板として、前記マトリックスのピッチがディスプレイパネルの画素ピッチまたは画素ピッチの整数分の１倍であるものを用いることを特徴とする請求項１０、及び１４～１９のいずれか１項に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法。
　前記第１搭載工程が、
　出発基板であって、その上に前記複数の発光ダイオードが製造された出発基板を準備する工程と、
　前記出発基板上の前記複数の発光ダイオード間を一素子ずつに分離する工程と、
　一素子ずつに分離された前記複数の発光ダイオードを前記供給基板上に移載する工程と
を含むことを特徴とする請求項１～２０のいずれか１項に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法。
　前記第１搭載工程での前記複数の発光ダイオードを前記供給基板上に移載する工程を、レーザリフトオフ法により行うことを特徴とする請求項２１に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法。
　発光ダイオードディスプレイの製造方法であって、
　請求項１～２２のいずれか１項に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法によって、前記発光ダイオード供給基板を製造する工程と、
　前記発光ダイオード供給基板上の前記複数の発光ダイオードを、ディスプレイパネル基板上に移載する工程と
を有することを特徴とする発光ダイオードディスプレイの製造方法。
　前記発光ダイオード供給基板上の前記複数の発光ダイオードを、前記ディスプレイパネル基板上に移載する工程を、レーザリフトオフ法により行うことを特徴とする請求項２３に記載の発光ダイオードディスプレイの製造方法。
　発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法であって、
　請求項１～２２のいずれか１項に記載の発光ダイオード供給基板の製造方法によって、前記発光ダイオード供給基板を製造する工程と、
　前記発光ダイオード供給基板上の前記複数の発光ダイオードを、発光ダイオードディスプレイの分割ユニット上に移載する工程と
を有することを特徴とする発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法。
　前記発光ダイオード供給基板上の前記複数の発光ダイオードを、前記発光ダイオードディスプレイの分割ユニット上に移載する工程を、レーザリフトオフ法により行うことを特徴とする請求項２５に記載の発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法。
　複数の素子を供給先に移載するための素子供給基板の製造方法であって、
　供給基板上に複数の素子を搭載する第１搭載工程と、
　前記供給基板上の不良な素子を選択的に除去する選択除去工程と、
　前記供給基板上の前記不良な素子が配置されていた位置に、正常な素子を移載する第２搭載工程と
を含むことを特徴とする素子供給基板の製造方法。
　前記素子が、電気素子、半導体チップ、またはＭＥＭＳ素子であることを特徴とする請求項２７に記載の素子供給基板の製造方法。