JP2013254814A - 半導体デバイス製造工程及びその製造工程を経て製造された半導体デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】基板とその上に形成された半導体層を界面で分離する工程の前処理として、半導体層を基板とは別の支持基板に貼り付けるにあたり、貼り付け材料層が基板の側面に付着して基板の分離が妨げられるという事態が生じるのを防ぐ。
【解決手段】基板１１とその上に形成された半導体層１２の界面に電磁放射線を照射して基板１１と半導体層１２を分離する工程の前処理として、半導体層１２を基板１１とは別の支持基板１３に貼り付けるにあたり、基板１１と半導体層１２の側面に保護膜１６を形成する工程と、保護膜１６が形成された半導体層１２を支持基板１３上の貼り付け材料層１４に貼り付ける工程と、貼り付け材料層１４に貼り付けられた半導体層１２、及び基板１１から、保護膜１６を除去する工程と、が遂行される。
【選択図】図１

Description

本発明は半導体デバイス製造工程及びその製造工程を経て製造された半導体デバイスに関する。

半導体は今や日常生活に欠かせない存在である。照明の分野でも半導体デバイスの一種である発光ダイオード（ＬＥＤ）が従来の蛍光灯や白熱灯にとって代わりつつある。またＬＥＤがテレビジョン、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの液晶表示パネルのバックライトや、交通信号機などに用いられていることは多くの人の知るところである。

ＬＥＤとして用いられる半導体には様々な種類のものがあるが、最近ではＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ及びそれらの混晶に代表される窒化物半導体が注目されている。窒化物半導体はＡｌＧａＩｎＡｓ系半導体やＡｌＧａＩｎＰ系半導体に比べてバンドギャップＥｇが大きく、直接遷移型であるため、紫外線から緑色に及ぶ波長領域での発光が可能である。窒化物半導体はこのような特質を生かして、各種波長の光を出力する半導体レーザ素子や、紫外線から赤色光までの広い発光波長範囲をカバーできるＬＥＤなどに用いることができる。

発光波長範囲が広い窒化物半導体は、プロジェクターやフルカラーディスプレイへの応用が考えられている。また、発光波長を短波長化できるという特質を生かして、殺菌・浄水・公害物質の高速分解といった公衆衛生・環境分野への適用や、各種医療分野への適用に期待が高まっている。それに伴い、深紫外領域（波長：２００ｎｍ〜３５０ｎｍ）で発光するデバイスの研究開発が各研究機関で精力的に進められている。

窒化物半導体を用いた発光デバイスの構造例を図４２に示す。発光デバイス１００は、サファイアなどからなる基板１０１の上に図のような形状の窒化物半導体層１０２を成長させ、窒化物半導体層１０２の一箇所にｎ電極１０３を形成し、他の箇所にｐ電極１０４を形成したものである。ｎ電極１０３とｐ電極１０４はＡｕを含む合金からなる。

図４２の構造の発光デバイス１００には次のような問題があった。Ａｌの組成比が高いｎ−ＡｌＧａＮ層１０６にあっては、電子の到達しやすい領域１０５ａに電流が集中し、その領域１０５ａで電子とホールの結合が集中的に生じることになる。すなわち発光箇所が限定され、大面積発光を得ることが困難となる。

上記の問題は、発光デバイス１００が殺菌用途で用いられる短波長光（例えば波長２５０ｎｍ〜２８０ｎｍ程度）を発するものである場合、一層顕著に現れる。このような用途の発光デバイスでは、活性層量子井戸のＡｌ組成や、ｐ型窒化物半導体層、ｎ型窒化物半導体層のＡｌ組成などが５０％を超えることもあり、電流の広がりがさらに悪くなるからである。

図４２の構造の発光デバイス１００の問題点を解決するため、図４３に示す構造の発光デバイス１１０が提案されている。発光デバイス１１０は、基板１１１の上に窒化物半導体層１１２を成長させた後、窒化物半導体層１１２から基板１１１を分離し、窒化物半導体層１１２をｎ電極１１３とｐ電極１１４で挟んだものである。このように半導体を形成する母体となる基板を半導体層から分離し、残された半導体層を電極で挟んだ構造は「縦型構造」と呼ばれる。これに対して図４２に示す構造は「横型構造」と呼ばれる。

横型構造の半導体デバイスではｎ型半導体層（例えばＧａＮやＡｌＧａＮ）を流れる電流の経路長が数十μｍに達するのに対し、縦型構造の半導体デバイスではｎ型半導体層を流れる電流の経路長を数μｍ以下へと大幅に削減できる。電流の経路長が短くなれば抵抗が低減し、電流が均一に流れるようになる。このため縦型半導体デバイスを用いたＬＥＤでは発光領域がＬＥＤ全体に拡大する。このように、半導体デバイスを縦型構造にすることは、ＬＥＤの大出力化にあたり有力な手段と考えられている。また、動作電圧を低減できるため、ＬＥＤ素子の発熱が抑制され、発熱による発光効率の低下や信頼性の劣化を抑制する事が可能となる。

縦型構造の半導体デバイスを形成するためには、基板上に半導体層を成長させた後、半導体層から基板を分離する必要がある。このような目的で半導体層から基板を分離する方法の一例を特許文献１に見ることができる。特許文献１記載の方法では、半導体層と基板の界面にレーザービームを照射して界面を分離させ、基板を分離する。この方法はレーザーリフトオフ法と呼ばれている。

特表２００７−５３４１６４号公報

窒化物半導体で縦型構造の半導体デバイスを形成する場合、窒化物半導体層の層厚は通常数十μｍ以下であるため、基板を分離してしまうと極薄膜の窒化物半導体層がとり残されることになる。このような極薄膜の窒化物半導体層は取り扱いが困難なので、窒化物半導体層の成長に用いた基板とは別の存在である支持基板に予め窒化物半導体層を貼り付けておき、その後に基板を分離するという手順がとられる。

支持基板に窒化物半導体層を貼り付けるにあたっては、はんだや熱可塑性樹脂などの貼り付け材料層を支持基板上に形成しておき、その貼り付け材料層に加熱圧着で窒化物半導体層を貼り付けるという方法が用いられる。支持基板に窒化物半導体層を貼り付けた後の状態が図４４及び図４５に示されている。図４４及び図４５において、１１は基板、１２は窒化物半導体層、１３は支持基板、１４は貼り付け材料層である。

加熱圧着工程で窒化物半導体層１２を貼り付け材料層１４に押し付けると、貼り付け材料層１４が拡がって窒化物半導体層１２の外側に不均一にはみ出すことがある。図４６及び図４７に示す例のように、基板１１及び窒化物半導体層１２よりも広い面積に貼り付け材料層１４が形成されていた場合、窒化物半導体層１２が貼り付け材料層１４の中に沈み込む形になり、窒化物半導体層１２の側面に貼り付け材料層１４が付着する。

貼り付け材料層１４の付着が窒化物半導体層１２の側面だけで済めばよい。しかしながら、前述の通り窒化物半導体層１２は層厚が数十μｍ以下という極薄膜であるため、貼り付け材料層１４の方が窒化物半導体層１２よりも厚くなっているのが普通である。その結果、窒化物半導体層１２は貼り付け材料層１４の中に完全に埋め込まれ、貼り付け材料層１４が基板１１の側面にも付着することになる。貼り付け材料層１４が基板１１の側面に付着すると基板１１が支持基板１３に接着された形になり、後工程で基板１１を窒化物半導体層１２から分離しようとしても、基板１１を分離できないという事態が生じ得る。

上記の問題を回避する方策の一つは、加熱圧着工程を経ても貼り付け材料層１４が窒化物半導体層１２の外側にはみ出さないように、貼り付け材料層１４の塗布面積を小さくしておく、というものである。そのようにした構成例を図４８及び図４９に示す。このようにすれば、窒化物半導体層１２の側面にも基板１１の側面にも貼り付け材料層１４が付着することはないが、貼り付け材料層１４によって接着されていない部分が窒化物半導体層１２の端に不均一、不定形な形で生じるため、窒化物半導体層１２の発光面積が素子毎に不均一になる。このため、出力基準値を満たさない半導体デバイスの割合が多くなり、製造の歩留まりが悪化するという新たな問題が生じる。

本発明は上記の点に鑑みなされたものであり、基板とその上に形成された半導体層の界面に電磁放射線を照射して基板と半導体層を界面で分離する工程の前処理として、半導体層を基板とは別の支持基板に貼り付けるにあたり、貼り付け材料層が基板の側面に付着して基板の分離が妨げられるという事態が生じるのを防ぐことを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明に係る半導体デバイス製造工程は、基板とその上に形成された半導体層の界面に電磁放射線を照射して前記基板と前記半導体層を分離する工程の前処理として、前記半導体層を前記基板とは別の支持基板に貼り付けるにあたり、前記基板と前記半導体層の側面に保護膜を形成する工程と、前記保護膜が形成された前記半導体層を貼り付け材料層を介して、前記支持基板に貼り付ける工程と、前記貼り付け材料層を介して、前記支持基板に貼り付けられた前記半導体層、及び前記基板から、前記保護膜を除去する工程と、が遂行されることを特徴としている。

上記半導体デバイス製造工程において、前記半導体層を前記基板とは別の支持基板に貼り付けるにあたり、前記半導体層よりも厚さが大である前記貼り付け材料層を介して、貼り付けることが好ましい。

上記半導体デバイス製造工程において、前記基板と前記半導体層は、前記保護膜形成前に１チップの大きさに分割されることが好ましい。

上記半導体デバイス製造工程において、前記支持基板は、前記１チップの大きさに分割された前記基板と前記半導体層を貼り付けるのに適した大きさにされることが好ましい。

上記半導体デバイス製造工程において、前記半導体層の一部が発光デバイスの発光部となることが好ましい。

上記半導体デバイス製造工程において、前記半導体層は、前記基板に接する面よりもその反対側の面の方が面積小となるように側面が傾斜した形にされることが好ましい。

上記半導体デバイス製造工程において、前記基板は、前記半導体層に接する面よりもその反対側の面の方が面積大となるように側面が傾斜した形にされることが好ましい。

上記半導体デバイス製造工程において、前記保護膜を除去した後に前記半導体層の側面に対峙する前記貼り付け材料層の面が、前記半導体層の側面から出射した光を前記保護膜除去後の空間の外側へと反射する傾斜面となるように、前記保護膜は側面が傾斜した形にされることが好ましい。

上記半導体デバイス製造工程において、前記貼り付け材料層は、前記保護膜除去後に前記半導体層の側面に対峙する面の光反射率が高められていることが好ましい。

上記半導体デバイス製造工程において、前記貼り付け材料層に光反射率の高い材料が用いられていることが好ましい。

上記半導体デバイス製造工程において、前記基板は、研磨して薄くする工程を経たものであることが好ましい。

上記半導体デバイス製造工程において、半導体デバイスのチップ形状が角形であることが好ましい。

上記半導体デバイス製造工程において、半導体デバイスのチップ形状が円形であることが好ましい。

上記半導体デバイス製造工程において、前記半導体層が窒化物半導体からなることが好ましい。

上記半導体デバイス製造工程において、前記基板がサファイア基板であることが好ましい。

上記半導体デバイス製造工程において、前記基板と前記半導体層の界面にＡｌＮ層が形成されていることが好ましい。

上記半導体デバイス製造工程において、前記基板と前記半導体層の界面にＧａＮ層が形成されていることが好ましい。

上記半導体デバイス製造工程において、前記電磁放射線の発生源がエキシマレーザーであることが好ましい。

上記半導体デバイス製造工程において、前記エキシマレーザーがＡｒＦエキシマレーザーであることが好ましい。

上記半導体デバイス製造工程において、前記エキシマレーザーがＫｒＦエキシマレーザーであることが好ましい。

上記半導体デバイス製造工程において、前記保護膜がＳｉＯ₂からなることが好ましい。

上記半導体デバイス製造工程において、前記保護膜がプラズマＣＶＤ法により形成されることが好ましい。

上記半導体デバイス製造工程において、前記保護膜は、前記半導体膜をフェイスアップとした状態で形成されることが好ましい。

また本発明は、上記半導体デバイス製造工程を経て製造された半導体デバイスであることを特徴としている。

本発明によると、基板とその上に形成された半導体層の側面に保護膜を形成し、半導体層を支持基板上の貼り付け材料層に貼り付けた後に保護膜を除去するから、貼り付け材料層が基板の側面に付着することはなく、基板の分離が妨げられない。これにより、縦型構造の半導体デバイスを滞りなく製造することが可能になる。

本発明に係る半導体デバイス製造工程の概念説明図である。 半導体層の第１の構成例を示す図である。 半導体層の第２の構成例を示す図である。 半導体層の第２構成例の活性層が備える量子井戸構造を示す図である。 基板分離に用いられる電磁放射線についての第１の説明図である。 基板分離に用いられる電磁放射線についての第２の説明図である。 基板分離に用いられる電磁放射線についての第３の説明図である。 ステップアンドリピートによるレーザー照射の第１の説明図である。 ステップアンドリピートによるレーザー照射の第２の説明図である。 基板と半導体層の分割についての第１の説明図である。 基板と半導体層の分割についての第２の説明図である。 基板と半導体層を支持基板に貼り付けた状態の断面図である。 基板と半導体層を支持基板に貼り付けた状態の上面図である。 基板と半導体層の側面に保護膜を形成した状態を示す断面図である。 平面形状角形の基板の側面に保護膜を形成した状態を示す断面図である。 平面形状円形の基板の側面に保護膜を形成した状態を示す断面図である。 半導体層をフェイスアップとした状態を説明する側面図である。 半導体層をフェイスアップとした状態を説明する上面図である。 半導体層をフェイスダウンとした状態を説明する側面図である。 半導体層をフェイスダウンとした状態を説明する上面図である。 側面に保護膜を形成した基板と半導体層を支持基板に貼り付ける姿勢とした状態を示す断面図である。 図２１の基板と半導体層を貼り付け材料層を介して支持基板に貼り付けた状態を示す断面図である。 図２２の状態から保護膜を除去した状態を示す断面図である。 図２３の状態から基板を分離した状態を示す断面図である。 表面に電極が形成された半導体層と基板の側面に保護膜を形成した状態を示す断面図である。 図２５の半導体層と基板を貼り付け材料層を介して支持基板に貼り付けた状態を示す断面図である。 図２６の状態から保護膜を除去した状態を示す断面図である。 図２７の状態から基板を分離した状態を示す断面図である。 表面に電極が形成された半導体層と基板の側面に傾斜をつけ、その側面に保護膜を形成した状態を示す断面図である。 図２９の半導体層と基板を貼り付け材料層を介して支持基板に貼り付けた状態を示す断面図である。 図３０の状態から保護膜を除去した状態を示す断面図である。 図３１の状態から基板を分離した状態を示す断面図である。 図３２の状態で、残った半導体層から側方に発光が行われる状態を示す断面図である。 表面に電極が形成された半導体層の側面に傾斜をつけ、基板の側面には傾斜をつけず、その半導体層と基板の側面に保護膜を形成した状態を示す断面図である。 図３４の半導体層と基板を貼り付け材料層を介して支持基板に貼り付けた状態を示す断面図である。 図３５の状態から保護膜を除去した状態を示す断面図である。 図３６の状態から基板を分離した状態を示す断面図である。 図３７の状態の貼り付け材料層に反射膜を形成し、残った半導体層から側方に発光が行われる状態を示す断面図である。 半導体層の第３の構成例を示す図である。 半導体層の第３構成例の活性層が備える量子井戸構造を示す図である。 半導体デバイス製造工程の第２の概念説明図である。 従来の半導体デバイスの構造例を示す図である。 従来の半導体デバイスの第２の構造例を示す図である。 基板と半導体層を支持基板に貼り付けた状態の断面図である。 基板と半導体層を支持基板に貼り付けた状態の上面図である。 基板と半導体層を支持基板に貼り付けるにあたっての問題点を説明する第１の断面図である。 基板と半導体層を支持基板に貼り付けるにあたっての問題点を説明する第１の上面図である。 基板と半導体層を支持基板に貼り付けるにあたっての問題点を説明する第２の断面図である。 基板と半導体層を支持基板に貼り付けるにあたっての問題点を説明する第２の上面図である。

縦型構造の半導体デバイスを製造する一連の工程の概要を、図１に基づき説明する。図１において、（ａ）の工程では基板の上に半導体層が形成される。（ｂ）の工程では基板と半導体層が１チップの大きさに分割される。（ｃ）の工程では１チップに分割された基板と半導体層の側面に保護膜が形成される。また、電極が形成される。（ｄ）の工程では側面に保護膜が形成された基板と半導体層が貼り付け材料層を介して支持基板に貼り付けられる。（ｅ）の工程では保護層が除去される。（ｆ）の工程では半導体層から基板が分離される。

基板とその上に形成される半導体層の構成例を図２に示す。図２の構成例では、サファイア基板などの基板１１の上に、ＭＯＣＶＤ法などの成長方法により、窒化物半導体層１２が形成されている。窒化物半導体層１２は複数の層によって構成される。複数の層とは、基板１１に近い側より、バッファ層２１、バッファ層２２、ｎ型半導体層２３、発光層２４、及びｐ型半導体層２５である。バッファ層２１は電磁放射線の吸収層となる。ｎ型半導体層２３とｐ型半導体層２５は位置を入れ替えてもよい。

縦型構造の半導体デバイスの製造段階が図１の（ｆ）の工程にまで進んだとき、基板１１と窒化物半導体層１２の界面に電磁放射線（図２ではブロック矢印が電磁放射線を象徴している）が照射される。電磁放射線はバッファ層２１で吸収されて界面に熱が発生し、その熱で基板１１と窒化物半導体層１２が分離する。電磁放射線がレーザー光であればレーザーリフトオフ法の実践ということになる。

基板１１としては、電磁放射線を吸収しにくく、電磁放射線の透過率が大きいものが好ましい。サファイアは１５０ｎｍから１０００ｎｍにわたる広い波長域で高い透過率を有しており、基板１１の材料として好適である。

基板１１の裏面（窒化物半導体層１２が形成される面と反対側の面）から電磁放射線の照射が行われるため、基板１１の裏面は粗面のままとしないのがよい。その上で、光の散乱を抑えるべく、基板１１と空気との界面での反射を少なくする処理を施すのがよい。そのような処理としては、基板１１を研磨して薄くした後、鏡面とするための研磨工程や、基板１１の裏面にＡＲコーティング処理（anti-reflective coating）を施したりすることが推奨される。

半導体層から基板を分離する（ｆ）の工程以前に、基板を研磨工程などにより、１００μｍ程度まで薄くする工程が含まれていても良い。この場合、研磨工程は、保護膜が除去される（ｅ）の工程の前に実施すると良い。なぜなら、保護膜が除去された空間に、研磨工程で発生するゴミが入るのを防ぐ事ができるからである。

電磁放射線の波長がバッファ層２１よりもバンドギャップの大きい波長であると、バッファ層２１と基板１１の界面で電磁放射線の吸収とそれに伴う熱分解が起こり、発熱が生じる。この熱が基板１１の分離を招く。バッファ層２１として好適する物質が何であるかは窒化物半導体層１２の構成によって左右される。

窒化物半導体層１２が発光デバイスを形成するのに用いられる場合、どの波長の光を出力することを目指すかによって窒化物半導体層１２の構成が異なってくる。それに伴いバッファ層２１として適する物質も異なってくる。

３６０ｎｍよりも短い波長の光の出力を目指す窒化物半導体層１２であれば、Ａｌを含有する物質の層を中心とした構成になるため、バッファ層２１をＡｌＮとするのがよい。サファイア基板上に形成されたＡｌＮにおいて、ＡｌＮとサファイア基板の界面付近のＡｌＮ層は一般的に欠陥を多く有し、欠陥が多ければより効率的に光を吸収するので、その意味でもＡｌＮはバッファ層２１に適すると言える。

青紫色（４０５ｎｍ）、青色（４５０ｎｍ）、緑色（５２５ｎｍ）などといった、３６０ｎｍよりも長い波長の光の出力を目指す窒化物半導体層１２であれば、バッファ層２１はＧａＮとするのがよい。サファイア基板上に形成されたＧａＮにおいて、ＧａＮとサファイア基板の界面付近のＧａＮ層は一般的に欠陥を多く有し、欠陥が多ければより効率的に光を吸収する。その意味でもＧａＮはバッファ層２１に適すると言える。

基板１１の上に形成される窒化物半導体層１２の構成例を図３に示す。基板１１は両面研磨を施したサファイア基板であり、その上にＡｌＮバッファ層３１、ノンドープＡｌＮ層３２、ノンドープＡｌＧａＮ層３３、ｎ型ＡｌＧａＮ層３４、活性層３５、キャリアバリア層３６、ｐ型ＡｌＧａＮ層３７、及びｐ型ＧａＮコンタクト層３８からなる窒化物半導体層１２が形成されている。

ノンドープＡｌＮ層３２の厚さは約３μｍである。ノンドープＡｌＧａＮ層３３はＡｌ０．５０Ｇａ０．５０Ｎからなり、厚さは約１．０μｍである。ｎ型ＡｌＧａＮ層３４もＡｌ０．５０Ｇａ０．５０Ｎからなり、厚さは約２．０μｍである。キャリアバリア層３６はｐ型Ａｌ０．７５Ｇａ０．２５Ｎからなり、厚さは約１５ｎｍである。ｐ型ＡｌＧａＮ層３７はｐ型Ａｌ０．５０Ｇａ０．５０Ｎからなり、厚さは約１０ｎｍである。ｐ型ＧａＮコンタクト層３８の厚さは約１５ｎｍである。

活性層３５は、図４に示す通り、量子井戸層３５ａと障壁層３５ｂとが交互に積層された量子井戸構造を備えている。量子井戸層３５ａはＡｌ０．４０１Ｇａ０．６０Ｎからなる。障壁層３５ｂはＡｌ０．６０１Ｇａ０．４０Ｎからなり、量子井戸数は５である。

図３に示した窒化物半導体層１２の形成にあたっては、ＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vapor deposition）などのエピタキシャル成膜方法が用いられる。

窒化物半導体層１２から基板１１を分離する電磁放射線の発生源はエキシマレーザーとされる。エキシマレーザー光として通常用いられるのは波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光か波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー光である。

図２に示す構成の窒化物半導体層１２であって、バッファ層２１がＡｌＮである場合には、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー光を用いると、図６に示す通り、基板１１とバッファ層２１の界面でＫｒＦエキシマレーザー光の吸収が生じず、ＫｒＦエキシマレーザー光はバッファ層２１を抜けてさらに窒化物半導体層１２の奥深くまで浸透する。そのような場所でＫｒＦエキシマレーザー光が吸収され、熱分解が生じると、発光層２４がダメージを受けるおそれがあり、好ましくない。図６中に描かれた、破線で囲んだ矩形であって、ハッチングを施していないものは、その領域で発熱が生じていないことを象徴している。

そこで、バッファ層２１がＡｌＮである場合には、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光（図５参照）が使用される。波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光であれば、基板１１とバッファ層２１の界面でＡｒＦエキシマレーザー光が吸収されて発熱が生じ、基板１１を分離することができる。図５中に描かれたハッチングを施した矩形はその領域における発熱を象徴している。

ＡｒＦエキシマレーザー光の設定条件の一例を以下に示す。パルス幅は２０ナノ秒とする。照射面積は、メタルマスクまたはフォトマスクで整形を行い、５００μｍ角とする。エネルギー密度は１０００〜５０００ｍＪ／ｃｍ²とする。この設定条件のＡｒＦエキシマレーザー光を５００μｍ角の照射エリアに１〜５パルス照射しては移動させるステップアンドリピートにより、５ｍｍ角といったウェハーサイズの窒化物半導体層１２の全面をＡｒＦエキシマレーザー光で照射する。

ステップアンドリピートによるレーザー照射の概念を図８及び図９に示す。図８はチップ形状が角形の場合、図９はチップ形状が円形の場合である。図８及び図９で上方に示した例のように、照射エリア同士を互いの間に重なりが生じないように隣接させてレーザー照射してもよく、図８及び図９で下方に示した例のように、照射エリア同士を互いの間に重なりが生じる形で連続させてレーザー照射してもよい。

図２に示す構成の窒化物半導体層１２であって、バッファ層２１がＧａＮである場合は、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー光（図７参照）が使用される。図７中に描かれたハッチングを施した矩形はその領域における発熱を象徴している。

ＫｒＦエキシマレーザー光の設定条件の一例を以下に示す。パルス幅は３０ナノ秒とする。照射面積は、メタルマスクまたはフォトマスクで整形を行い、０．８ｍｍ角とする。エネルギー密度は７００ｍＪ／ｃｍ²とする。この設定条件のＫｒＦエキシマレーザー光を０．８ｍｍ角の照射エリアに１パルス照射しては移動させる図８または図９に示すようなステップアンドリピートにより、６ｍｍ角といったウェハーサイズの窒化物半導体層１２の全面をＫｒＦエキシマレーザー光で照射する。

窒化物半導体層１２が形成される基板１１としては、例えば直径が２インチサイズであるサファイア基板が用いられる。このような寸法の基板１１は、窒化物半導体層１２の形成が完了した後、窒化物半導体層１２共々１チップのサイズに分割される。

１チップサイズは、例えば１辺の長さが０．３ｍｍ程度の正方形とすることができる。窒化物半導体層１２を発光デバイスとして用いる場合、大出力化のためには発光面積の拡大、すなわちチップサイズの拡大が有効である。例えば１辺の長さが０．５ｍｍ以上や１ｍｍ以上といったチップサイズにすればよい。チップサイズの拡大には、レジスト塗布工程で均一塗布が容易になるというメリットもある。１辺の長さが５ｍｍ以上というチップサイズにすれば、レジスト塗布の容易化に加えて、チップのハンドリングが容易になり、スループットが向上するというメリットももたらされる。さらに、１辺の長さが１ｃｍ程度というチップサイズにすれば、大出力になることは当然であるが、基板の分離が容易といったメリットも生まれる。

基板１１と窒化物半導体層１２を１チップサイズに分割するのは、レーザースクライブ法などを用いて行われる。図１０と図１１に２通りの分割手順を示す。

図１０に示す手順は、窒化物半導体層１２に対しｐ型化熱処理を行った段階で分割し、その後、分割後のチップに対しｐ電極を蒸着するというものである。この手順によると、金属蒸着膜が分割されないので、金属蒸着膜の端にダレが発生しない。またウェハーサイズが大きいと熱処理に伴うウェハーの反りも大きく、電極剥がれなどの問題を生じるが、ウェハーを分割してから電極を蒸着するという手順であれば、そのような問題の発生を避けられる。

図１１に示す手順は、窒化物半導体層１２に対しｐ型化熱処理とｐ電極の蒸着を済ませた後に分割するというものである。この手順によれば１回の処理で多くのチップを産出することができ、スループットが向上する。金属蒸着膜のダレの問題に関しては、分割箇所の金属蒸着膜を除去しておいてから分割することで問題を解決できる。

基板１１と窒化物半導体層１２のチップ形状は、図１５に示す角形（正方形や矩形）に限定されない。図１６に示す円形であってもよい。チップ形状を円形とすることのメリットは後で説明する。

上記のように１チップサイズに分割した基板１１と窒化物半導体層１２は、図１の（ｄ）の工程で支持基板１３（図１２参照）に貼り付けられる。大面積の支持基板１３にチップサイズに分割する前の基板１１と窒化物半導体層１２のチップを貼り付け、基板１１を分離した後に、窒化物半導体層１２と支持基板１３を分割するという手順もあり得るが、それは、基板１１を分離されて極薄膜となった窒化物半導体層１２に対し支持基板分割時の応力が及び、結晶品質の劣化を招くおそれがあり、好ましくない。

そこで、支持基板１３の方も基板１１と窒化物半導体層１２のチップサイズに見合ったサイズに予め加工しておくのがよい。基板１１と窒化物半導体層１２のチップサイズが５ｍｍ角であれば、支持基板１３は１辺が５ｍｍ以上の角形ということになる。窒化物半導体層１２に対してワイヤーボンディングが行われる場合は、支持基板１３はワイヤーを張る領域も含めたサイズとする必要がある。また支持基板１３のサイズを決めるにあたっては放熱性も考慮しなければならない。製造工程でのハンドリングの容易性や、使用時の放熱性などを考慮すれば、例えば、基板１１と窒化物半導体層１２が１辺１ｍｍ以下の角形であっても、支持基板１３は１辺３ｍｍ以上の角形であるとより好ましい。

図１２及び図１３に示す支持基板１３に対する基板１１と窒化物半導体層１２の組み合わせ態様では、支持基板１３の上にパッド電極１５が形成され、パッド電極１５の上に貼り付け材料層１４が形成されているが、パッド電極１５を介さず支持基板１３の上に直接貼り付け材料層１４が形成されることもある。図２２から図２４に示す実施形態では支持基板１３の上に直接貼り付け材料層１４が形成された状態が描かれている。いずれにせよ、貼り付け材料層１４に窒化物半導体層１２が貼り付けられるのであるが、その前に踏むべき手順がある。それは図１の（ｃ）の工程、すなわち１チップに分割された基板１１と半導体層１２の側面に保護膜を形成するという工程である。

図１４には１チップに分割された基板１１と窒化物半導体層１２の側面に保護膜１６が形成された状態が示されている。保護膜１６としては例えばＳｉＯ₂が用いられる。保護膜１６の形成にあたっては、基板１１と窒化物半導体層１２の側面にも成膜が可能な成膜装置を用いる。

保護膜１６を形成するに際し、基板１１と窒化物半導体層１２を保持するやり方には２通りある。その１は、図１７及び図１８に示すように、基板１１が下で窒化物半導体層１２が上の状態、すなわちフェイスアップの状態とするやり方である。その２は、図１９及び図２０に示すように、窒化物半導体層１２が下で基板１１が上の状態、すなわちフェイスダウンの状態とするやり方である。

フェイスダウンでは窒化物半導体層１２を下から治具１７で支える。そのため、窒化物半導体層１２の表面に保護膜１６が形成されない部分が生じる。その部分が窒化物半導体層１２の側面であると、本発明の効果が減殺されてしまう。従って、保護膜形成時には基板１１と窒化物半導体層１２をフェイスアップで支持しておくのがよい。

窒化物半導体層１２の上面における保護膜１６の厚さは３μｍとすることができる。保護膜１６は窒化物半導体層１２と共に貼り付け材料層１４に埋め込まれるので、保護膜１６の存在が基板１１と窒化物半導体層１２の反りに悪影響を及ぼすといった事態は、基本的には発生しない。しかしながら保護膜１６が厚ければそのような悪影響が生じる可能性を排除できない。また保護膜１６を誘電体膜とした場合、保護膜１６が厚ければ形成に時間がかかり、生産性が悪化する。それらを考慮すると、窒化物半導体層１２の上面における保護膜１６の厚さは５μｍ以下にするのがよい。

基板１１と窒化物半導体層１２の側面における保護膜１６の厚さは、窒化物半導体層１２の上面における保護膜１６の厚さよりも厚くする。すなわち図１５及び図１６に示すように、窒化物半導体層１２の上面における保護膜１６の厚さが５μｍ以下であるならば、基板１１と窒化物半導体層１２の側面における保護膜１６の厚さは５μｍ以上とする。図１５は基板１１が角形である場合、図１６は基板１１が円形である場合を示す。

それが可能であるならば、基板１１と窒化物半導体層１２の側面に５０μｍ程度の厚さの保護膜１６を形成することもできる。基板１１と窒化物半導体層１２の側面に形成された保護膜１６が厚ければ、貼り付け材料層１４に対し後述の処理を行うとき、処理が楽である。

基板１１と窒化物半導体層１２を１チップサイズに分割する工程の説明のところで触れた、窒化物半導体層１２に対するｐ電極の蒸着は、保護膜１６を形成した後に行うこともできる。その時は保護膜を形成した基板１１と窒化物半導体層１２をフェイスダウンの状態で支持しておいてｐ電極の蒸着を行う。窒化物半導体層１２を下から支える治具と窒化物半導体層１２の間に保護膜１６が介在するので、治具と窒化物半導体層１２の間には隙間が生じている。このため、保護膜１６から露出している窒化物半導体層１２の全面に、治具によって邪魔されることなくｐ電極を蒸着することができる。この場合、保護膜１６を、蒸着金属による被覆領域を画定する手段として利用することができる。

上記のように保護膜１６を形成した後、基板１１と窒化物半導体層１２を支持基板１３上の貼り付け材料層１４に加熱圧着で貼り付ける。すなわち図１の（ｄ）の工程を遂行する。そのために基板１１と窒化物半導体層１２を、図２１に示す通り、窒化物半導体層１２が下で基板１１が上の状態に置く。

次いで図２２に示す通り、窒化物半導体層１２と基板１１、及びそれらを囲む保護膜１６を貼り付け材料層１４に加熱圧着する。

貼り付け材料層１４の厚さは１０μｍ以上とするのがよい。５０μｍであればより好ましい。１００μｍ以上であってもよい。このように貼り付け材料層１４はある程度の厚さを有していることが求められる。しかしながら厚すぎるのは材料コストの観点から好ましくない。そこで、例えば５００μｍといった値を貼り付け材料層１４の厚さの上限として設定することができる。尚、ここでの厚さとは、加熱圧着処理された後の窒化物半導体層１２と支持基板１３の間ではなく、それ以外の部分の、接着材料の厚さを意味する。

窒化物半導体層１２と基板１１、及び保護膜１６を貼り付け材料層１４に上から押し付けると、窒化物半導体層１２と基板１１、及び保護膜１６は貼り付け材料層１４の中に沈み込み、逆に貼り付け材料層１４は窒化物半導体層１２と基板１１、及び保護膜１６の外側に盛り上がる。貼り付け材料層１４の厚さの方が窒化物半導体層１２の厚さよりも大であれば、貼り付け材料層１４の盛り上がりは基板１１の側面にまで達する。もし保護膜１６が存在していなかったら、基板１１の側面に貼り付け材料層１４が付着してしまうところであるが、保護膜１６が存在するため、そのような事態は避けられる。

次いで図２３に示す通り保護膜１６を除去する。保護膜１６がＳｉＯ₂で形成されていれば、フッ素系溶液により保護膜１６を溶解することができる。これにより、貼り付け材料層１４の中で保護膜１６が存在した箇所は空間と化す。

次いで基板１１と窒化物半導体層１２の界面に電磁放射線を照射してその界面で基板１１と窒化物半導体層１２を分離し、基板１１を分離する。前述の通り、貼り付け材料層１４の中で保護膜１６が存在した箇所は空間と化しており、基板１１と貼り付け材料層１４は接触していない。このため、基板１１は貼り付け材料層１４によって阻害されることなく分離される。基板分離後の状態は図２４に示す通りである。その後、支持基板１３と貼り付け材料層１４、及び窒化物半導体層１２は次工程に送られる。

図２５には窒化物半導体層１２の表面に電極１８が形成されている状態が描かれている。基板１１、窒化物半導体層１２、及び電極１８の周囲に保護膜１６を形成し、それらを支持基板１３上の貼り付け材料層１４に加熱圧着し（図２６参照）、保護膜１６を除去し（図２７参照）、基板１１を分離すると、貼り付け材料層１４の上に電極１８と窒化物半導体層１２がとり残される（図２８参照）。その後、支持基板１３と貼り付け材料層１４、及び窒化物半導体層１２と電極１８は次工程に送られる。

図２９には図２５と同様に表面に電極１８が形成された窒化物半導体層１２と基板１１が描かれているが、その窒化物半導体層１２と基板１１、及び保護層１６は次のような形状とされている。すなわち窒化物半導体層１２は基板１１に接する面よりもその反対側の面の方が面積小となるように側面が傾斜した形にされる。基板１１は、窒化物半導体層１２に接する面よりもその反対側の面の方が面積大となるように側面が傾斜した形にされる。窒化物半導体層１２の側面の傾斜角度と基板１１の側面の傾斜角度は等しくされる。保護膜１６の側面にも窒化物半導体層１２及び基板１１の側面の傾斜角度と同じ傾斜角度が生じる。

上記のように側面が傾斜している基板１１、窒化物半導体層１２、及び保護膜１６を支持基板１３上の貼り付け材料層１４に加熱圧着し（図３０参照）、保護膜１６を除去（図３１参照）すると、貼り付け材料層１４の中で保護膜１６が存在していた空間に傾斜面１４ａが生じる。上記のように基板１１の側面と窒化物半導体層１２の側面の両方が同じように傾斜していると、傾斜面の面積が大きいため、貼り付け材料層１４への形状転写効果が大きいというメリットがある。

その後基板１１を分離すると、貼り付け材料層１４の上に電極１８と窒化物半導体層１２がとり残される（図３２参照）。

窒化物半導体層１２が発光デバイスに用いられる場合、窒化物半導体層１２から出射される光は、大半が窒化物半導体層１２の主平面からそれと垂直方向に出射される。そのような主たる光が図３３において上向きのブロック矢印で象徴されている。しかしながら、窒化物半導体層１２の側面から側方に、図３３では水平方向に、出射する光も一部存在する。そのような光は傾斜面１４ａに当たり、保護膜除去後の空間の外側へと反射される。この反射光が前記主たる光に加わることで、光の利用効率が向上する。

図３４には図２９に描かれた形状を少し変化させた形状が描かれている。ここでは、表面に電極１８が形成された窒化物半導体層１２は基板１１に接する面よりもその反対側の面の方が面積小となるように側面が傾斜した形とされているが、基板１１の側面は垂直のままとされている。保護膜１６の側面には窒化物半導体層１２の側面の傾斜角度と同じ傾斜角度がつけられている。

上記の基板１１、窒化物半導体層１２、及び保護膜１６を支持基板１３上の貼り付け材料層１４に加熱圧着し（図３５参照）、保護膜１６を除去（図３６参照）すると、貼り付け材料層１４の中で保護膜１６が存在していた空間に傾斜面１４ａが生じる。その後基板１１を分離すると、貼り付け材料層１４の上に電極１８と窒化物半導体層１２がとり残される（図３７参照）。窒化物半導体層１２が発光デバイスに用いられる場合、窒化物半導体層１２の側面から側方に出射した光は、図３３に示したのと同様に傾斜面１４ａに当たって図の上方に反射され、窒化物半導体層１２の主平面からそれと垂直方向に出射される主たる光に加わる。これにより、光の利用効率が向上する。

保護膜除去後に窒化物半導体層１２の側面に対峙する面、すなわち傾斜面１４ａは、光を効率的に取り出すため、光反射率が高い方がよい。そこで、次のようして傾斜面１４ａの光反射率を高める。

第１の手段としては、貼り付け材料層１４の材料に光反射率の高い材料を使用することが挙げられる。

光反射率の高い材料を貼り付け材料層１４に用いることができないときは、図３８に示す通り、傾斜面１４ａに光反射率の高い反射膜１９を形成する。反射膜１９はフォトリソグラフィーと金属蒸着で形成することができる。

側面に傾斜をつけることを考えると、窒化物半導体層１２と基板１１のチップは平面形状が円形であることが望ましい。チップ形状が円形であればチップを回転させながら研磨することが可能になり、傾斜面形成の効率が上がり、スループットが向上する。

チップ形状が角形であっても、１辺ずつ研磨することで傾斜をつけることができる。傾斜面の形成には、特開２００９−２６２２４９号公報に記載されているような装置を用いることができる。

チップ形状が角形である場合、電磁放射線の照射スポット形状を角形にすると、図８に示す通り、最小限の照射（ショット）でチップ全面を無駄なく照射することができる。チップ形状が円形である場合、照射スポット形状を角形にすると、端の部分の照射で無駄が生じる可能性がある。この場合は照射スポット形状を円形が好ましい。

本発明の発明者は様々な実験を行って本発明の有用性を確かめた。以下、その実験で得られた知見を「実施例」として紹介する。

＜実施例１＞
２インチサイズのサファイア基板に、図３及び図４に示す構造の窒化物半導体層を形成した。その基板をレーザースクライブ法で６ｍｍ角のチップに分割した。チップ分割後、プラズマＣＶＤ法を用いて保護膜となるＳｉＯ₂膜を１．５μｍの厚さに蒸着した。窒化物半導体層の上面では端から５０μｍまでＳｉＯ₂膜を形成した。その後、ｐ電極としてＰｄを２００ｎｍとＡｕを１０００ｎｍ、ＥＢ蒸着法で蒸着した。なお窒化物半導体層に接する電極材料としては、ＰｄやＡｕの他、発光波長で反射率が高い材料、例えばＡｌ、Ｎｉ、Ｐｔなども好ましい。Ａｌは最も反射率が高いので好ましい。ＮｉやＰｔも比較的反射率が高くｐ型半導体とのコンタクト性能が良好なので好ましい。

支持基板としてはゲルマニウムを１０ｍｍ角に分割したものを用意した。貼り付け材料としてはＳｎを２０質量％含有し、残りがＡｕからなるＡｕＳｎを用いた。支持基板の上にＡｕＳｎを置き、その上にＳｉＯ₂保護膜を有するチップを置き、従来用いられているウェハーボンディング装置で貼り付けを行った。その後フッ素系溶液でＳｉＯ₂保護膜を除去した。貼り付け材料の厚さは３０μｍであった。

続いてレーザーリフトオフでサファイア基板を分離した。光源は波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー、パルス幅は２０ナノ秒とした。照射面積は、メタルマスク若しくは、フォトマスクにより整形を行い、５００μｍ角とした。照射エネルギー密度は２０００ｍＪ／ｃｍ²とした。

５００μｍ角である１照射エリアに１〜５パルス程度照射しては移動させるステップアンドリピートにより、５ｍｍ角のチップ全面に照射を行った。その結果、ＳｉＯ₂保護膜を形成していたチップではサファイア基板を１０個中９個分離することができた。

ＳｉＯ₂保護膜を形成していなかったチップについても上記と同じ条件で、但しＳｉＯ₂保護膜の除去というステップは踏まないで、実験を行ったが、その結果、サファイア基板を分離することができたのは１０個中０個であった。殆どのサファイア基板の側壁にＡｕＳｎが付着していた。

貼り付け材料の厚さのみを３０μｍから１０μｍに変え、上記の実験を繰り返した。その結果、ＳｉＯ₂保護膜を形成していたチップではサファイア基板を１０個中１０個分離することができた。ＳｉＯ₂保護膜を形成していなかったチップではサファイア基板を１０個中２個しか分離することができなかった。サファイア基板を分離できた２個のチップでは、成長した窒化物半導体層の側面のみにＡｕＳｎが付着していた。

＜実施例２＞
２インチサイズのサファイア基板に、図３及び図４に示す構造の窒化物半導体層を形成した。その基板をレーザースクライブ法で１０ｍｍ角のチップに分割した。分割後、窒化物半導体のチップとサファイア基板の両方の側面に図２９に示すような傾斜面を形成した。それからプラズマＣＶＤ法を用いて保護膜となるＳｉＯ₂膜を３．０μｍの厚さに蒸着した。

支持基板にはＡｌＮ基板を用いた。その表面にはパッド電極を形成した。なお、パッド電極の材料としてはＴｉ／ＡｕやＮｉ／Ａｕなどを用いることができる。

貼り付け材料としては熱可塑性樹脂を用いた。厚さは約５０μｍとした。貼り付け材料の上にＳｉＯ₂保護膜を有するチップを置き、従来用いられているウェハーボンディング装置で貼り付けを行った。その後フッ素系溶液でＳｉＯ₂保護膜を除去した。

続いて貼り付け材料層に貼り付けたチップからレーザーリフトオフでサファイア基板を分離した。光源はＡｒＦエキシマレーザー、パルス幅は２０ナノ秒とした。照射面積は、メタルマスク若しくは、フォトマスクにより整形を行い、１０００μｍ角とした。照射エネルギー密度は２５００ｍＪ／ｃｍ²とした。

１０００μｍ角である１照射エリアに１〜３パルス程度照射しては移動させるステップアンドリピートにより、１２ｍｍ角のチップ全面に照射を行った。その結果、ＳｉＯ₂保護膜を形成していたチップでは全サンプルでサファイア基板を分離することができた。

後でその一例を示すｎ−ＡｌＧａＮ頭だしエッチングを行い、電極を形成し、電流注入による光出力特性について検討した。

窒化物半導体のチップとサファイア基板の両方の側面に図２９に示すような傾斜面を形成した結果、貼り付け材料に傾斜面を形成しない場合（比較サンプル）に比べて光出力が約１．６倍になったことを確認できた。このような結果が得られたのは、窒化物半導体チップから横方向に出射する光を有効に取り出せたことに起因すると考えられる。

＜実施例３＞
２インチサイズのサファイア基板に、図３９及び図４０に示す構造の窒化物半導体層を形成した。図３９において、基板１１は両面研磨を施したサファイア基板であり、その上に低温ＧａＮバッファ層４１、ノンドープＧａＮ層４２、ｎ型ＧａＮ層４３、バッファ層４４、活性層４５、キャリアバリア層４６、ｐ型ＧａＮ層４７、及びｐ型ＧａＮコンタクト層４８からなる窒化物半導体層１２が形成されている。

低温ＧａＮバッファ層４１の厚さは約１００ｎｍ、ノンドープＧａＮ層４２の厚さは約４μｍ、ｎ型ＧａＮ層４３の厚さは約２μｍ、バッファ層４４の厚さは約０．６μｍ、キャリアバリア層４６の厚さは約１５ｎｍ、ｐ型ＧａＮ層４７の厚さは約８０ｎｍ、ｐ型ＧａＮコンタクト層４８の厚さは約２０ｎｍである。

キャリアバリア層４６はｐ型ＡｌＧａＮからなる。バッファ層４４は約１．５ｎｍのノンドープＧａＮと約１．５ｎｍのノンドープＩｎ_0.03Ｇａ_0.97Ｎからなる超格子構造を備える。

活性層４５は、図４０に示す通り、量子井戸層４５ａと障壁層４５ｂとが交互に積層された量子井戸構造を備えている。量子井戸層４５ａは、約３．５ｎｍの厚さを有するノンドープＩｎ_0.16Ｇａ_0.84Ｎよりなる井戸層と、約１５ｎｍの厚さを有するノンドープＧａＮよりなる障壁層を６周期積層した６量子井戸構造を備える。

図３９に示した窒化物半導体層１２の形成にあたっては、ＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vapor deposition）などのエピタキシャル成膜方法が用いられる。

図３０の基板１１をレーザースクライブ法で６ｍｍ角のチップに分割した。チップ分割後、プラズマＣＶＤ法を用いて保護膜となるＳｉＯ₂膜を１．５μｍの厚さに蒸着した。窒化物半導体層の上面では端から５０μｍまでＳｉＯ₂膜を形成した。その後、ｐ電極としてＰｄを２００ｎｍとＡｕを１０００ｎｍ、ＥＢ蒸着法で蒸着した。なお窒化物半導体層に接する電極材料としては、ＰｄやＡｕの他、発光波長で反射率が高い材料、例えばＡｌ、Ｎｉ、Ｐｔなども好ましい。Ａｌは最も反射率が高いので好ましい。ＮｉやＰｔも比較的反射率が高くｐ型半導体とのコンタクト性能が良好なので好ましい。

支持基板としてはシリコン基板を１０ｍｍ角に分割したものを用意した。貼り付け材料としてはＳｎを２０質量％含有し、残りがＡｕからなるＡｕＳｎを用いた。貼り付け材料の厚さは３０μｍとした。支持基板の上にＡｕＳｎを置き、その上にＳｉＯ₂保護膜を有するチップを置き、従来用いられているウェハーボンディング装置で貼り付けを行った。その後フッ素系溶液でＳｉＯ₂保護膜を除去した。

続いてＡｕＳｎに貼り付けたチップからレーザーリフトオフでサファイア基板を分離した。光源は波長２３８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、パルス幅は３０ナノ秒とした。照射面積は、マスクにより整形して０．８ｍｍ角とした。照射エネルギー密度は７００ｍＪ／ｃｍ²とした。０．８ｍｍ角である１照射エリアに１パルス照射しては移動させるというステップアンドリピートにより、６ｍｍ角のチップ全面に照射を行った。その結果、ＳｉＯ₂保護膜を形成していたチップではサファイア基板を１０個中１０個分離することができた。ＳｉＯ₂保護膜を形成していなかったチップについても上記と同じ条件で、但しＳｉＯ₂保護膜の除去というステップは踏まないで、実験を行ったが、その結果は１０個中２個からしかサファイア基板を分離することができなかった。分離できた２個のサファイア基板はいずれも側壁にＡｕＳｎが付着していないものであった。

貼り付け材料の厚さのみを３０μｍから１０μｍに変え、上記の実験を繰り返した。その結果、ＳｉＯ₂保護膜を形成していたチップではサファイア基板を１０個中１０個分離することができた。ＳｉＯ₂保護膜を形成していなかったチップではサファイア基板を１０個中４個しか分離することができなかった。サファイア基板を分離できた４個のチップでは、成長した窒化物半導体層の側面のみにＡｕＳｎが付着していた。

＜実施例４＞
２インチサイズのサファイア基板に、図３９及び図４０に示す構造の窒化物半導体層を形成した。その基板をレーザースクライブ法で１０ｍｍ角のチップに分割した。分割後、窒化物半導体のチップとサファイア基板の両方の側面に図２９に示すような傾斜を形成した。それからプラズマＣＶＤ法を用いて保護膜となるＳｉＯ₂膜を３．０μｍの厚さに蒸着した。

支持基板にはＡｌＮ基板を用いた。その表面にはパッド電極を形成した。なお、パッド電極の材料としてはＴｉ／ＡｕやＮｉ／Ａｕなどを用いることができる。

貼り付け材料としては熱可塑性樹脂を用いた。厚さは約５０μｍとした。貼り付け材料の上にＳｉＯ₂保護膜を有するチップを置き、従来用いられているウェハーボンディング装置で貼り付けを行った。その後フッ素系溶液でＳｉＯ₂保護膜を除去した。

続いて貼り付け材料層に貼り付けたチップからレーザーリフトオフでサファイア基板を分離した。光源はＫｒＦエキシマレーザー、照射面積はマスクにより整形して２．０ｍｍ角とした。照射エネルギー密度は８００ｍＪ／ｃｍ²とした。

実施例３と同様、ＳｉＯ₂保護膜を形成していたチップではサファイア基板を全て分離することができた。

サファイア基板分離後に残された貼り付け材料層は、傾斜した光反射面を有する。この構成は、そのような光反射面を持たない構成に比べ、光出力が１．４倍程度増大した。これは、横方向の光の取り出しを効率良く行うことができたことによるものと考えられる。

尚、サファイア基板分離後の処理としては、ノンドープのＧａＮ層に対し、ＲＩＥやＩＣＰを用いたドライエッチングや、ＫＯＨ溶液やＮａＯＨ、水酸化テトラアンモニウム（ＰＭＡＨ）などのアルカリ性溶液を用いたウェットエッチングで、ｎ型ＧａＮの頭出しを行うことができる。

サファイア基板分離後の処理として、本発明ではＩＣＰドライエッチングを行った。その際、貼り付け材料層に接触していなかった部分が除去された。これはレーザー光照射の際、貼り付け材料層と空気の放熱性の違いにより、貼り付け材料層に接した部分と接していない部分とで温度分布に差が生じ、貼り付け材料層に接触していなかった部分にクラックが生じて強度が低下したため、エッチング中に除去されたものと考えられる。

エッチング工程の後で、エッチングによるダメージを除去するため、熱処理を行うこともできる。その後、ｎ電極として、ＡｌやＴｉ、Ｍｏ、Ａｕなどを含有する電極材料を蒸着する。ｎ電極は、光取り出しの観点から、全面蒸着ではなく、メッシュ形状とすることも可能である。また貼り付け材料層の光反射面の反射率を高めるため、Ａｌなどの金属材料を蒸着する。

図４１には、貼り付け材料層に光反射面を有する半導体デバイスを形成する一連の工程が示されている。図４１において、（ａ）の工程では基板の上に半導体層が形成される。（ｂ）の工程では基板と半導体層が１チップの大きさに分割される。（ｃ）の工程では基板と半導体層の側面に傾斜が形成される。（ｄ）の工程では側面が傾斜した基板と半導体層に保護膜が形成され、保護膜の側面も傾斜面とされる。（ｅ）の工程では半導体層の表面に電極が形成される。（ｆ）の工程では側面に保護膜が形成された基板と半導体層が支持基板上の貼り付け材料層に貼り付けられる。（ｇ）の工程では保護層が除去される。（ｈ）の工程では半導体層から基板が分離される。（ｉ）の工程では半導体層の側面が垂直にされる。（ｊ）の工程では基板が分離した後の半導体層の表面にボンディング用の電極が形成される。（ｋ）の工程では半導体層上の電極にボンディングツールでワイヤーボンディングが施される。

以上、本発明の実施形態につき説明したが、本発明の範囲はこれに限定されるものではなく、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えて実施することができる。

本発明は、半導体デバイス製造工程に広く利用可能である。

１１ 基板
１２ 窒化物半導体層
１３ 支持基板
１４ 貼り付け材料層
１４ａ 傾斜面
１５ パッド電極
１６ 保護膜

Claims (24)

1. 基板とその上に形成された半導体層の界面に電磁放射線を照射して前記基板と前記半導体層を分離する工程の前処理として、前記半導体層を前記基板とは別の支持基板に貼り付けるにあたり、
   前記基板と前記半導体層の側面に保護膜を形成する工程と、
   前記保護膜が形成された前記半導体層を貼り付け材料層を介して、前記支持基板に貼り付ける工程と、
   前記貼り付け材料層を介して、前記支持基板に貼り付けられた前記半導体層、及び前記基板から、前記保護膜を除去する工程と、
   が遂行されることを特徴とする半導体デバイス製造工程。
2. 前記半導体層を前記基板とは別の支持基板に貼り付けるにあたり、前記半導体層よりも厚さが大である前記貼り付け材料層を介して、貼り付けることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス製造工程。
3. 前記基板と前記半導体層は、前記保護膜形成前に１チップの大きさに分割されることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体デバイス製造工程。
4. 前記支持基板は、前記１チップの大きさに分割された前記基板と前記半導体層を貼り付けるのに適した大きさにされることを特徴とする請求項３に記載の半導体デバイス製造工程。
5. 前記半導体層の一部が発光デバイスの発光部となることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の半導体デバイス製造工程。
6. 前記半導体層は、前記基板に接する面よりもその反対側の面の方が面積小となるように側面が傾斜した形にされることを特徴とする請求項５に記載の半導体デバイス製造工程。
7. 前記基板は、前記半導体層に接する面よりもその反対側の面の方が面積大となるように側面が傾斜した形にされることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体デバイス製造工程。
8. 前記保護膜を除去した後に前記半導体層の側面に対峙する前記貼り付け材料層の面が、前記半導体層の側面から出射した光を前記保護膜除去後の空間の外側へと反射する傾斜面となるように、前記保護膜は側面が傾斜した形にされることを特徴とする請求項５に記載の半導体デバイス製造方法。
9. 前記貼り付け材料層は、前記保護膜除去後に前記半導体層の側面に対峙する面の光反射率が高められていることを特徴とする請求項６から８のいずれかに記載の半導体デバイス製造工程。
10. 前記貼り付け材料層に光反射率の高い材料が用いられていることを特徴とする請求項６から８のいずれかに記載の半導体デバイス製造工程。
11. 前記基板は、研磨して薄くする工程を経たものであることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の半導体デバイス製造工程。
12. 半導体デバイスのチップ形状が角形であることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の半導体デバイス製造工程。
13. 半導体デバイスのチップ形状が円形であることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の半導体デバイス製造工程。
14. 前記半導体層が窒化物半導体からなることを特徴とする請求項１から１３のいずれかに記載の半導体デバイス製造工程。
15. 前記基板がサファイア基板であることを特徴とする請求項１から１４のいずれかに記載の半導体デバイス製造工程。
16. 前記基板と前記半導体層の界面にＡｌＮ層が形成されていることを特徴とする請求項１４または１５に記載の半導体デバイス製造工程。
17. 前記基板と前記半導体層の界面にＧａＮ層が形成されていることを特徴とする請求項１４または１５に記載の半導体デバイス製造工程。
18. 前記電磁放射線の発生源がエキシマレーザーであることを特徴とする請求項１から１７のいずれかに記載の半導体デバイス製造工程。
19. 前記エキシマレーザーがＡｒＦエキシマレーザーであることを特徴とする請求項１８に記載の半導体デバイス製造工程。
20. 前記エキシマレーザーがＫｒＦエキシマレーザーであることを特徴とする請求項１８に記載の半導体デバイス製造工程。
21. 前記保護膜がＳｉＯ₂からなることを特徴とする請求項１から２０のいずれかに記載の半導体デバイス製造工程。
22. 前記保護膜がプラズマＣＶＤ法により形成されることを特徴とする請求項１から２１のいずれかに記載の半導体デバイス製造工程。
23. 前記保護膜は、前記半導体膜をフェイスアップとした状態で形成されることを特徴とする請求項１から２２のいずれかに記載の半導体デバイス製造工程。
24. 請求項１から２３のいずれかの半導体デバイス製造工程を経て製造された半導体デバイス。

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