JP2016531384A - ガラス封止構造体と封止方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明はガラス封止構造体及び封止方法を提供する。【解決手段】前記構造体は、活性ガラス基板と封止ガラス基板を含み、前記活性ガラス基板には活性領域が形成されている。前記封止ガラス基板の1つの表面には前記表面から突出するガラス封止条が形成されている。前記封止ガラス基板は前記活性ガラス基板に重ねて置かれ、レーザにより前記ガラス封止条が照射されて前記封止ガラス基板と前記活性ガラス基板は互いに接合されている。

Description

本発明は、ディスプレイ技術分野に関し、特にガラス封止構造体と封止方法に関する。
ディスプレイ技術分野では、ディスプレイ技術においてLCD/OLEDはCRTディスプレイに取って代わりつつある。しかし、OLEDは光源をガラス基板内に封入する必要があるため、2枚の板ガラス基板の接合は重要な技術であり、その封止効果は素子の性能に直接影響する。
LCD/OLEDについて最初に採用された封止技術は紫外線(UV)硬化封止技術であり、LCDは湿気、酸素に対して感度が低いため、UV封止はLCD封止分野において最も一般的な封止技術になっている。前記紫外線硬化封止技術は、紫外線の照射により硬化できるUV接着剤を前記2枚の平板ガラス基板の間にコーティングする。紫外線硬化技術が多用される理由について、紫外線硬化技術は、溶剤なし又は少量の溶剤を使用し、溶剤による環境への汚染を低減しており、エネルギー消費が少なく、低温で硬化でき、熱に敏感な材料に適用しており、硬化速度が速く、効率が高く、高速生産ラインで使用でき、硬化機器の設置面積が小さいなどの特徴があることである。しかし、UV接着剤は、有機材料であるため、硬化後の分子間隙が比較的大きく、湿気や酸素が比較的容易に媒体を通過して内部の封止領域に達する。このため、それはLCDのような湿気、酸素に対して感度が低い分野において比較的適用されている。
技術の進化に伴って、LCDより高度なOLEDディスプレイ技術が現れたが、OLEDは湿気、酸素に対してさらに敏感であり、前記紫外線硬化技術をOLEDに用いることは、湿気、酸素透過度が比較的大きいためOLEDの寿命を短縮してしまう。
従って、ガラスフリット(Frit)封止技術は、現在開発中の新たな平板ガラス封止技術であり、ガラス粉末を一定の粘度の溶液に調製し、封止ガラスにコーティングし、加熱して溶剤を除去し、その後封止されるガラスに貼り合わせ、レーザ(Laser)によりFritガラス粉末を瞬間的に溶融まで焼成して、2枚の平板ガラスを互いに貼着する。Frit技術は、無機封止媒体であるため、湿気や酸素を阻止する能力が強く、特に湿気、酸素に対して敏感なOLEDの封止に適合している。しかし、Frit封止技術にも難点がある。Frit接着剤が焼成硬化された後、コーティング技術と焼成技術の困難により接着剤の高さの差は制御し難い。
本発明の1つの目的は、物理的エッチング又は化学的エッチング方法を用い、封止ガラス基板に所定パターン(pattern)のガラス封止条を作製し、且つガラス封止条の高さを均一にするガラス封止構造体及び封止方法の製造方法を提供することである。ガラス封止条に対してレーザ光を照射して2枚のガラス板を互いに溶接することは、Frit接着剤の高さの制御不良による封止の失敗を回避する。プロセス良品率は向上し、ランニングコストは低減される。
上述の目的を達成するために、本発明はガラス封止方法を提供する。前記方法は、活性ガラス基板を提供し、前記ガラス基板において活性領域を形成するステップと、封止ガラス基板を提供するステップと、前記封止ガラス基板の1つの表面に前記表面から突出するガラス封止条を形成するステップと、ガラス封止条が形成さている前記封止ガラス基板の前記表面を前記活性基板に対向させて、前記封止ガラス基板を前記活性ガラス基板に重ねて置くステップと、レーザにより前記ガラス封止条を照射して前記封止ガラス基板と前記活性ガラス基板を互いに接合するステップとを含む。
本発明の好ましい実施例では、前記ガラス封止条は、物理的研磨、レーザースキャン又は化学的エッチングなどの方法により、前記封止ガラス基板を封止する前記表面に所定パターンの前記ガラス封止条を作製してもよく、ガラス製造者に研磨工具を製造させて、研磨工具を用い、前記ガラス基板に硬化成形するとき、前記ガラス封止条を直接有するようにしてもよい。
当該封止ガラス条は、高さが1〜1000μmであり、幅が10〜5000μmである。
前記封止ガラス基板に形成される前記ガラス封止条の高さは均一である。
前記ガラス封止条の前記活性ガラス基板への投影形状は円形、矩形、R付き矩形、三角形、不規則な形状のいずれか1つであってもよい。
前記封止ガラス基板を前記活性ガラス基板に重ねて置くとき、前記ガラス封止条が前記活性ガラス基板へ投影する投影形状の任意位置は前記活性領域と接触していない。且つ、前記ガラス封止条の投影を制御して、それから前記活性領域の任意位置までの距離が500〜2500μmであり、且つ薄膜トランジスタ(TFT、図示せず)を回避する。距離が長すぎると、ディスプレイスクリーンの枠部(非発光領域)は広くなりすぎる。距離が短すぎると、レーザ溶接による熱が前記活性領域と前記薄膜トランジスタを損傷させる可能性がある。
前記封止ガラス基板と前記活性ガラス基板との接合は窒素(N)雰囲気下で行われ、接合後に封止体内部は1気圧である。
前記レーザは波長のピークが800〜1200nmである赤外線を用い、且つ前記レーザが照射する集光スポットを前記ガラス封止条に沿って移動するように制御して、前記封止ガラス基板と前記活性ガラス基板を互いに溶接する。
本発明は、活性ガラス基板及び封止ガラス基板を備えているガラス封止構造体を提供する。前記活性ガラス基板には活性領域が形成されている。前記封止ガラス基板の1つの表面にはガラス封止条が形成されている。前記封止ガラス基板の前記ガラス封止条を有する前記表面は、前記活性基板に対向して、前記活性ガラス基板に重ねて置かれている。ここで、前記ガラス封止条は、前記封止ガラス基板と活性ガラス基板を互いに接合する。
前記封止ガラス基板に形成された前記ガラス封止条の高さは均一である。
前記封止ガラス基板が前記活性ガラス基板に重ねて置かれるとき、前記ガラス封止条が前記活性ガラス基板へ投影する投影形状の任意位置は、前記活性領域と接触していない。且つ、前記ガラス封止条の投影は制御されて、それから前記活性領域の任意位置までの距離が500〜2500μmであり、且つ薄膜トランジスタ(TFT、図示せず)を回避する。距離が長すぎると、ディスプレイスクリーンの枠部(非発光領域)は広くなりすぎる。距離が短すぎると、レーザ溶接による熱が前記活性領域と前記薄膜トランジスタを損傷させる可能性がある。
図1は、本発明の第1の好ましい実施例に係るガラス封止構造体を示す概略側面図である。 図2は、本発明の第1の好ましい実施例に係るガラス封止構造体のガラス封止条の封止ガラス基板における位置を示す平面図である。 図3は、本発明の第2の好ましい実施例に係るガラス封止構造体のガラス封止条の封止ガラス基板における位置を示す平面図である。 図4は、本発明の第1の好ましい実施例に係るガラス封止構造体を実現するガラス封止方法のフローチャートである。 図5は、本発明の第3の好ましい実施例に係るガラス封止構造体を示す平面図である。 図6は、本発明の第3の好ましい実施例に係るガラス封止構造体を示す側面図である。 図7は、本発明の第3の好ましい実施例に係るガラス封止構造体を実現するガラス封止方法のフローチャートである。
以下の各実施例の説明は、添付の図面を参照して、本発明が実施できる特定の実施例を例示する。本発明による方向の用語、例えば「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「内」、「外」、「側面」などは、単に図面の方向を参照するものである。従って、使用された方向用語は、本発明を説明且つ理解するためのものであり、本発明を限定するものではない。
本発明は、貼り合せの難易度を低下させ、良品率を向上させるガラス封止構造体及び封止方法を提供する。
図1は、本発明の第1の好ましい実施例に係るガラス封止構造体10の概略側面図を示し、活性ガラス基板200と封止ガラス基板100を含む。前記活性ガラス基板200には活性領域201が形成されている。前記封止ガラス基板100の1つの表面には所定パターン(pattern)を構成するガラス封止条101が形成されている。前記封止ガラス基板100の前記ガラス封止条101を有する前記表面は、前記活性ガラス基板200に対向して前記活性ガラス基板200に重ねて置かれている。前記封止ガラス条101により前記封止ガラス基板100と活性ガラス基板200とは互いに接合されている。
前記封止ガラス基板100に形成された前記封止ガラス条101の高さは均一であり、好ましく1〜1000μmであり、幅は10〜5000μmである。前記封止ガラス基板100が前記活性ガラス基板200に重ねて置かれるとき、前記ガラス封止条101が前記活性ガラス基板200へ投影する投影形状の任意位置は、前記活性領域201と接触していない。且つ、好ましくは、前記ガラス封止条101が前記活性ガラス基板200へ投影する投影形状の任意位置から前記活性領域201までの距離は500〜2500μmであり、且つ薄膜トランジスタ(TFT、図示せず)を回避する。距離が長すぎると、その後ガラス基板により構成されたディスプレイスクリーンの枠部(非発光領域)は広くなりすぎる。距離が短すぎると、レーザ溶接による熱が前記活性領域と前記薄膜トランジスタを損傷させる可能性がある。
図2は、図1に示されたガラス封止構造体10の概略側面図における封止ガラス基板100の封止前の平面図を示す。前記封止ガラス基板100には、前記封止ガラス基板を物理的に研磨し、レーザースキャンし又は化学的エッチングして形成された封止ガラス条101がある。封止ガラス基板100における前記ガラス封止条101のパターン(pattern)の設計は、活性ガラス基板200における活性領域201及びTFT(薄膜トランジスタ、図示せず)の位置に基づき、前記封止ガラス基板100における前記ガラス封止条101の位置を調整してもよい。好ましくは、ガラス封止条101は活性領域201の投影位置の周りに設置される。活性領域201は一般的に矩形であるため、この好ましい実施例におけるガラス封止条101の設置された形状が活性ガラス基板200への投影も長方形である。形状が長方形である前記ガラス封止条の4つの角は直角、丸コーナ又は他の形状であってもよい。しかしながら、前記ガラス封止条101が前記活性ガラス基板へ投影する形状は、円形、矩形、R付き矩形、三角形、不規則な形状又は他の形状であってもよく、活性領域のサイズと位置に基づき異なる設計がされてもよい。
図3に図2を合わせて参照して、本発明の第2の好ましい実施例に係るガラス封止構造体20における封止ガラス基板300の平面図を説明する。本発明の第2の好ましい実施例において、活性ガラス基板(図示せず)は異なる位置に配置された複数の活性領域(図示せず)を有する。従って、前記複数の活性領域に対応して、封止ガラス基板300には複数のガラス封止条301が設置される。同図に示すように、前記複数のガラス封止条301は複数の長方形を形成し、投影形状がそれぞれ前記活性領域を囲んでいる。前実施例と同じで、長方形を形成する各ガラス封止条301は、その4つの角が直角、丸コーナ又は他の形状であってもよい。または、前記複数のガラス封止条301の各々が前記活性ガラス基板へ投影する形状は、円形、矩形、R付き矩形、三角形、不規則な形状又は他の形状であってもよく、活性領域の数、サイズおよび位置に基づき異なる設計がされてもよい。
図4に図2を合わせて参照して、本発明の第1の好ましい実施例に係るガラス封止方法のフローチャートを説明する。ステップS10において、活性ガラス基板200が提供される。前記ガラス基板200には活性領域201が形成されている。ステップS20において、封止ガラス基板100が提供される。前記封止ガラス基板100の1つの表面に、前記表面から突出するガラス封止条101が形成される。前記ガラス封止条101の各位置の高さは均一である。ステップS10とステップS20は特定の前後順番がない。ステップS30において、ガラス封止条101が形成されている前記封止ガラス基板100の前記表面は前記活性基板200に対向して、前記封止ガラス基板100は前記活性ガラス基板200に重ねて置かれる。ステップS40において、前記ガラス封止条101はレーザにより照射されて、前記封止ガラス基板100と前記活性ガラス基板200とは互いに接合される。
前記封止ガラス基板100を前記活性ガラス基板200に重ねて置くとき、前記ガラス封止条101が前記活性ガラス基板200へ投影する投影形状の任意位置は、前記活性領域201と接触していない。且つ前記ガラス封止条101の前記活性ガラス基板200への投影形状から前記活性領域201の任意位置までの距離は500〜2500μmであることが好ましく、且つ薄膜トランジスタ(TFT、図示せず)を回避する。距離が長すぎると、ディスプレイスクリーンの枠部(非発光領域)は広くなりすぎる。距離が短すぎると、レーザ溶接による熱が前記活性領域と前記薄膜トランジスタを損傷させる可能性がある。
前記レーザは波長のピークが800〜1200nmである赤外線を採用することが好ましい。且つ前記レーザが照射する集光スポットは前記ガラス封止条101に沿って移動するように制御されて、前記封止ガラス基板100と前記活性ガラス基板200とは互いに溶接される。溶接されたガラス封止条101全体の各位置の高さは均一のまま維持される。
図5に図2を合わせて参照して、本発明の第3の好ましい実施例に係るガラス封止構造体30の平面図を説明する。図2と同じように、封止ガラス基板100には封止ガラス条101が形成されている。第3の好ましい実施例に係る封止ガラス構造体30の主な相違は、前記封止ガラス基板100にUV接着剤102が一周塗布されることである。好ましくは、前記UV接着剤102は前記ガラス封止条101の外部に位置し、さらに、前記UV接着剤102から前記封止ガラス基板100の4つの縁部までの距離は2〜10mmである。
図6は、図5における本発明の第3の好ましい実施例に係るガラス封止構造体30の側面図である。前記ガラス封止構造体の貼り合せ工程は、貼り合わせ装置(図示せず)のチャンバ本体内において実行される。図6による本発明の第3の好ましい実施例に係るガラス封止構造体30は、活性ガラス基板200及び封止ガラス基板100を備える。前記活性ガラス基板200には活性領域201が形成されている。前記封止ガラス基板100の1つの表面にはガラス封止条101が形成されている。前記封止ガラス基板100の前記ガラス封止条101を有する前記表面は、前記活性ガラス基板200に対向して前記活性ガラス基板200に重ねて置かれている。前記封止ガラス条101はレーザ照射により前記封止ガラス基板100と活性ガラス基板200とを互いに接合する。前記封止ガラス基板100に形成された前記封止ガラス条101の高さは均一であり、前記封止ガラス条101の高さは1〜1000μmであることが好ましく、幅は10〜5000μmである。前記封止ガラス基板100が前記活性ガラス基板200に重ねて置かれるとき、前記ガラス封止条101が前記活性ガラス基板200へ投影する投影形状の任意位置は、前記活性領域201と接触していない。且つ、前記ガラス封止条101の投影は制御されて、それから前記活性領域201の任意位置までの距離が500〜2500μmであり、且つ薄膜トランジスタ(TFT、図示せず)を回避する。距離が長すぎると、ディスプレイスクリーンの枠部(非発光領域)は広くなりすぎる。距離が短すぎると、レーザ溶接による熱が前記活性領域と前記薄膜トランジスタを損傷させる可能性がある。
本実施例において、前記封止ガラス基板100にはUV接着剤102が一周塗布される。前記UV接着剤102は前記ガラス封止条101の外部に位置し、好ましくは、前記UV接着剤102は、前記封止ガラス基板100の4つの縁部から2〜10mm範囲内に位置する。
実際には、前記貼り合わせ装置のチャンバ本体には窒素ガスが充填され、且つ前記チャンバ本体内において、ガラス封止条101が形成されている前記封止ガラス基板100の前記表面は前記活性ガラス基板200に対向して、前記封止ガラス基板100は前記活性ガラス基板200に重ねて置かれる。UVマスクブランクス(図示せず)により前記活性領域及びTFT(薄膜トランジスタ、図示せず)は保護され、その後UVランプ(図示せず)により前記UV接着剤102は硬化されて、UV接着剤102、前記封止ガラス基板100及び前記活性ガラス基板200の3者の内部には窒素封止環境が形成される。次に前記ガラス封止条101はレーザにより照射されて、前記封止ガラス基板100と前記活性ガラス基板200は互いに接合される。
図7は、本発明の第3の好ましい実施例に係るガラス封止構造体のガラス封止方法のフローチャートを示す。同時に、前記ガラス封止構造体はすべて貼り合わせ装置(図示せず)のチャンバ本体内において、図5、図6を合わせて説明する本発明に係るガラス封止方法が行われる。ステップS11において、活性ガラス基板200が提供され、前記ガラス基板200には活性領域201が形成されている。ステップS21において、封止ガラス基板100が提供される。前記封止ガラス基板100の1つの表面に、前記表面から突出するガラス封止条101が形成される。ステップS31において、前記封止ガラス基板100において、4つの縁部から2〜10mm範囲内にUV接着剤102は一周塗布される。ステップS41において、前記貼り合わせ装置のチャンバ本体には窒素ガスが充填される。ステップS11〜ステップS41は特定の前後順番がない。ステップS51において、前記貼り合わせ装置のチャンバ本体内に、ガラス封止条101が形成されている前記封止ガラス基板100の前記表面は前記活性基板200に対向して、前記封止ガラス基板100は前記活性ガラス基板200に重ねて置かれる。ステップS61において、UVマスクブランクス(図示せず)により前記活性領域及びTFT(薄膜トランジスタ、図示せず)は保護され、UVランプ(図示せず)照射により前記UV接着剤102は硬化されて、UV接着剤102、前記封止ガラス基板100及び前記活性ガラス基板200三の3者の内部には窒素封止環境が形成される。ステップS71において、前記ガラス封止条101はレーザにより照射されて、前記封止ガラス基板100と前記活性ガラス基板200は互いに接合される。ステップS81において、UV硬化型接着剤(図示せず)はカットされて、枠部の幅を低減する。
以上により、本発明では好適な実施例を前述の通り開示したが、上述の好適な実施例は本発明を限定するものでなく、当業者であれば、本発明の精神と領域から逸脱しない限り、多様の変更や修正を加えることができる、従って、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定された範囲を基準とする。

Claims (15)

  1. ガラス封止方法であって、前記方法は、
    活性ガラス基板を提供し、前記ガラス基板において活性領域を形成するステップと、
    封止ガラス基板を提供するステップと、
    前記封止ガラス基板の1つの表面に前記表面から突出するガラス封止条を形成するステップと、
    ガラス封止条が形成された前記封止ガラス基板の前記表面を前記活性基板に対向させて、前記封止ガラス基板を前記活性ガラス基板に重ねて置くステップと、
    レーザにより前記ガラス封止条を照射して、前記封止ガラス基板と前記活性ガラス基板を互いに接合するステップとを含み、
    前記封止ガラス基板に形成された前記ガラス封止条の高さは均一であり、前記封止ガラス基板を前記活性ガラス基板に重ねて置くとき、前記ガラス封止条が前記活性ガラス基板へ投影する投影形状の任意位置は前記活性領域と接触していないことを特徴とするガラス封止方法。
  2. 前記ガラス封止条は、前記封止ガラス基板を物理的に研磨し、レーザースキャンし又は化学的エッチングすることで形成されることを特徴とする請求項1に記載の封止方法。
  3. 前記封止ガラス条の任意位置から活性領域までの距離は500〜2500μmであることを特徴とする請求項1に記載の封止方法。
  4. 前記レーザを、波長のピークが800〜1200nmであり、パワーが5〜250ワットであるように制御することを特徴とする請求項1に記載の封止方法。
  5. 前記レーザが照射する集光スポットを前記ガラス封止条に沿って移動するように制御して、前記封止ガラス基板と前記活性ガラス基板を互いに溶接することを特徴とする請求項1に記載の封止方法。
  6. ガラス封止方法であって、前記方法は、
    活性ガラス基板を提供し、前記ガラス基板において活性領域を形成するステップと、
    封止ガラス基板を提供するステップと、
    前記封止ガラス基板の1つの表面に前記表面から突出するガラス封止条を形成するステップと、
    ガラス封止条が形成された前記封止ガラス基板の前記表面を前記活性基板に対向させて、前記封止ガラス基板を前記活性ガラス基板に重ねて置くステップと、
    レーザにより前記ガラス封止条を照射して、前記封止ガラス基板と前記活性ガラス基板を互いに接合するステップと、
    を含むことを特徴とするガラス封止方法。
  7. 前記ガラス封止条は、前記封止ガラス基板を物理的に研磨し、レーザースキャンし又は化学的エッチングすることで形成されることを特徴とする請求項6に記載の封止方法。
  8. 前記封止ガラス基板に形成された前記ガラス封止条の高さは均一であることを特徴とする請求項6に記載の封止方法。
  9. 前記封止ガラス基板を前記活性ガラス基板に重ねて置くとき、前記ガラス封止条が前記活性ガラス基板へ投影する投影形状の任意位置は前記活性領域と接触していないことを特徴とする請求項6に記載のガラス封止方法。
  10. 前記封止ガラス条の任意位置から活性領域までの距離は500〜2500μmであることを特徴とする請求項9に記載の封止方法。
  11. 前記レーザを、波長のピークが800〜1200nmであり、パワーが5〜250ワットであるように制御することを特徴とする請求項6に記載の封止方法。
  12. 前記レーザが照射する集光スポットを前記ガラス封止条に沿って移動するように制御して、前記封止ガラス基板と前記活性ガラス基板を互いに溶接することを特徴とする請求項6に記載の封止方法。
  13. ガラス封止構造体であって、
    活性ガラス基板及び封止ガラス基板を備え、前記活性ガラス基板には活性領域が形成され、前記封止ガラス基板の1つの表面にはガラス封止条が形成されており、前記封止ガラス基板の前記ガラス封止条を有する前記表面は、前記活性基板に対向して前記活性ガラス基板に重ねて置かれており、前記ガラス封止条は、前記封止ガラス基板と活性ガラス基板を互いに接合することを特徴とするガラス封止構造体。
  14. 前記封止ガラス基板に形成されている前記ガラス封止条の高さは均一であることを特徴とする請求項13に記載の封止構造体。
  15. 前記封止ガラス基板が前記活性ガラス基板に重ねて置かれているとき、前記ガラス封止条が前記活性ガラス基板へ投影する投影形状の任意位置は前記活性領域と接触していないことを特徴とする請求項13に記載の封止構造体。
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