CN105810849B - 基板的封装方法 - Google Patents

基板的封装方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105810849B
CN105810849B CN201610152445.0A CN201610152445A CN105810849B CN 105810849 B CN105810849 B CN 105810849B CN 201610152445 A CN201610152445 A CN 201610152445A CN 105810849 B CN105810849 B CN 105810849B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
cover plate
cut
encapsulation cover
line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610152445.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105810849A (zh
Inventor
刘亚伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201610152445.0A priority Critical patent/CN105810849B/zh
Priority to PCT/CN2016/080188 priority patent/WO2017156829A1/zh
Priority to US15/105,570 priority patent/US10069115B2/en
Publication of CN105810849A publication Critical patent/CN105810849A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105810849B publication Critical patent/CN105810849B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
    • C03C25/62—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags by application of electric or wave energy; by particle radiation or ion implantation
    • C03C25/6206—Electromagnetic waves
    • C03C25/6226—Ultraviolet
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
    • C03C27/06—Joining glass to glass by processes other than fusing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851—Division of substrate

Abstract

本发明提供一种基板的封装方法，通过在封装盖板的边缘位置形成数个间隔设置的支撑部，从而在所述封装盖板与待封装的基板对位贴合后，限定了封装盖板与基板的间隙，使得不含间隔颗粒的框胶的胶高得到保证，在涂胶量一定的情况下，框胶的胶宽也同时得到保证，并在封装完成后对支撑部、以及与支撑部相接触的基板及封装盖板的边缘部分进行切割，从而得到使用不含间隔颗粒的框胶封装的基板，并保证了框胶具有一致的高度及宽度，制程简便，封装效果好。

Description

基板的封装方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种基板的封装方法。
背景技术
在显示技术领域，平板显示技术(LCD、OLED)已经逐步取代CRT显示器。平面光源技术是新型的光源，其技术研发已经接近市场化量产水平。在平板显示与平面光源技术当中，对于两片平板玻璃的粘结是一项很重要的技术，其封止效果将直接影响器件的性能。
紫外光(UV)固化技术是LCD/OLED封装最早也是最常用的技术，其具有如下特点：不用溶剂或少量溶剂，减少了溶剂对环境的污染；耗能少，可低温固化，适用于对热敏感的材料；固化速度快，效率高，可在高速生产线上使用，固化设备占地面积小等。
有时，为了防止框胶内的间隔颗粒(spacer)压伤TFT(薄膜晶体管)基板上的TFT及电极引线，需要使用不含间隔颗粒的框胶进行封装。然而，由于没有间隔颗粒的限制，不含间隔颗粒的框胶的胶高胶宽很难控制，这一组玻璃与上一组玻璃、或者同一组玻璃内部都有可能存在胶高胶宽的差异。
图1为现有的一种基板的封装方法的示意图，如图1所示，该封装方法包括以下步骤：步骤1、在封装盖板100上的边缘位置涂布不含间隔颗粒的框胶300；步骤2、将封装盖板100与待封装的基板200对组在一起后，对框胶300进行固化，完成对基板200的封装。上述基板的封装方法中，由于框胶300内不含间隔颗粒，因此，将封装盖板100与基板200对组后，框胶300的胶高胶宽很难得到控制，并且基板200上不同位置的框胶300的胶高胶宽可能不均匀，从而导致得到的基板封装结构的密封性不好，造成封装失败。
因此，有必要提出一种基板的封装方法，以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基板的封装方法，采用不含间隔颗粒的框胶对基板进行封装，并保证框胶具有一致的高度及宽度，制程简便，封装效果好。
为实现上述目的，本发明提供一种基板的封装方法，包括以下步骤：
步骤1、提供封装盖板与待封装的基板，所述封装盖板的边缘位置设有框形的第一切割线，所述基板的边缘位置设有框形的第二切割线；
步骤2、在所述封装盖板上对应第一切割线的外围形成数个间隔设置的支撑部，同时该数个支撑部对应于所述基板上的第二切割线的外围设置；
步骤3、在所述封装盖板上对应第一切割线的内侧涂布一圈框胶，同时该框胶对应于所述基板上的第二切割线的内侧设置；
步骤4、将所述封装盖板与基板对位贴合；
步骤5、对所述框胶进行固化；
步骤6、沿第一切割线对封装盖板进行切割，沿第二切割线对基板进行切割，将所述数个支撑部、以及与数个支撑部相接触的基板及封装盖板的边缘部分切除，实现封装盖板对基板的封装。
所述封装盖板为玻璃板；所述基板包括TFT基板与设于TFT基板上的OLED器件，所述第二切割线对应于所述基板上的OLED器件的外围设置。
所述支撑部的材料为无机物。
所述支撑部的形状为条形或柱形。
所述数个间隔设置的支撑部在所述封装盖板上围成一矩形。
所述数个支撑部的高度相等。
所述支撑部的高度为3～6μm，所述支撑部的宽度为0.1～10mm。
所述框胶为不含间隔颗粒的框胶。
所述步骤3中，所述框胶对应于所述基板上的OLED器件与第二切割线之间设置。
所述步骤5中采用加热或者紫外线照射的方法对所述框胶进行固化。
本发明的有益效果：本发明提供的一种基板的封装方法，通过在封装盖板的边缘位置形成数个间隔设置的支撑部，从而在所述封装盖板与待封装的基板对位贴合后，限定了封装盖板与基板的间隙，使得不含间隔颗粒的框胶的胶高得到保证，在涂胶量一定的情况下，框胶的胶宽也同时得到保证，并在封装完成后对支撑部、以及与支撑部相接触的基板及封装盖板的边缘部分进行切割，从而得到使用不含间隔颗粒的框胶封装的基板，并保证了框胶具有一致的高度及宽度，制程简便，封装效果好。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有的一种基板的封装方法的示意图；
图2为本发明的基板的封装方法的流程图；
图3为本发明的基板的封装方法的步骤1中所提供的封装盖板的结构示意图；
图4为本发明的基板的封装方法的步骤1中所提供的待封装的基板的结构示意图；
图5为本发明的基板的封装方法的步骤2的示意图；
图6-7为本发明的基板的封装方法的步骤3的示意图；
图8为本发明的基板的封装方法的步骤4-5的示意图；
图9为本发明的基板的封装方法的步骤6的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明提供一种基板的封装方法，包括以下步骤：
步骤1、如图3和图4所示，提供封装盖板10与待封装的基板20，所述封装盖板10的边缘位置设有框形的第一切割线(cutting line)11，所述基板20的边缘位置设有框形的第二切割线21。
具体的，所述封装盖板10为玻璃板。
具体的，所述基板20为OLED基板，包括TFT基板23与设于TFT基板23上的OLED器件25，所述第二切割线21对应于所述基板20上的OLED器件25的外围设置。
步骤2、如图5所示，在所述封装盖板10上对应第一切割线11的外围形成数个间隔设置的支撑部12，同时该数个支撑部12对应于所述基板20上的第二切割线21的外围设置。
具体的，所述支撑部12的材料为无机物，如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)等。
进一步的，所述支撑部12的形状可以为条形(如图5所示)或柱形等各种形状。
优选的，所述数个间隔设置的支撑部12在所述封装盖板10上围成一矩形。
具体的，所述数个支撑部12的高度相等。具体的，所述支撑部12的高度可以根据需要的封装的上下基板的间隙(gap)进行设计。
优选的，所述支撑部12的高度为3～6μm，所述支撑部12的宽度为0.1～10mm。
具体的，所述步骤2中通过化学气相沉积制程与光刻制程形成数个支撑部12。
步骤3、如图6和图7所示，在所述封装盖板10上对应第一切割线11的内侧涂布一圈框胶15，同时该框胶15对应于所述基板20上的第二切割线21的外围设置。
具体的，所述框胶15为不含间隔颗粒(spacer)的框胶。
具体的，所述框胶15对应于所述基板20上的OLED器件25与第二切割线21之间设置。
步骤4、图8所示，将所述封装盖板10与基板20对位贴合。
步骤5、如图8所示，对所述框胶15进行固化。
具体的，所述步骤5中，视框胶15的固化条件，采用加热、或者紫外线(UV)照射的方法对所述框胶15进行固化。
步骤6、如图8和图9所示，沿第一切割线11对封装盖板10进行切割，沿第二切割线21对基板20进行切割，将所述数个支撑部12、以及与数个支撑部12相接触的基板20及封装盖板10的边缘部分切除，实现封装盖板10对基板20的封装。
综上所述，本发明提供的一种基板的封装方法，通过在封装盖板的边缘位置形成数个间隔设置的支撑部，从而在所述封装盖板与待封装的基板对位贴合后，限定了封装盖板与基板的间隙，使得不含间隔颗粒的框胶的胶高得到保证，在涂胶量一定的情况下，框胶的胶宽也同时得到保证，并在封装完成后对支撑部、以及与支撑部相接触的基板及封装盖板的边缘部分进行切割，从而得到使用不含间隔颗粒的框胶封装的基板，并保证了框胶具有一致的高度及宽度，制程简便，封装效果好。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种基板的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供封装盖板(10)与待封装的基板(20)，所述封装盖板(10)的边缘位置设有框形的第一切割线(11)，所述基板(20)的边缘位置设有框形的第二切割线(21)；
步骤2、在所述封装盖板(10)上对应第一切割线(11)的外围形成数个间隔设置的支撑部(12)，同时该数个支撑部(12)对应于所述基板(20)上的第二切割线(21)的外围设置；
步骤3、在所述封装盖板(10)上对应第一切割线(11)的内侧涂布一圈框胶(15)，同时该框胶(15)对应于所述基板(20)上的第二切割线(21)的内侧设置；
步骤4、将所述封装盖板(10)与基板(20)对位贴合；
步骤5、对所述框胶(15)进行固化；
步骤6、沿第一切割线(11)对封装盖板(10)进行切割，沿第二切割线(21)对基板(20)进行切割，将所述数个支撑部(12)、以及与数个支撑部(12)相接触的基板(20)及封装盖板(10)的边缘部分切除，实现封装盖板(10)对基板(20)的封装；
所述支撑部(12)的形状为条形或柱形；
所述支撑部(12)的材料为无机物，所述无机物为氧化硅或氮化硅；
所述步骤2中通过化学气相沉积制程与光刻制程形成数个支撑部(12)。
2.如权利要求1所述的基板的封装方法，其特征在于，所述封装盖板(10)为玻璃板；所述基板(20)包括TFT基板(23)与设于TFT基板(23)上的OLED器件(25)，所述第二切割线(21)对应于所述基板(20)上的OLED器件(25)的外围设置。
3.如权利要求1所述的基板的封装方法，其特征在于，所述数个间隔设置的支撑部(12)在所述封装盖板(10)上围成一矩形。
4.如权利要求1所述的基板的封装方法，其特征在于，所述数个支撑部(12)的高度相等。
5.如权利要求4所述的基板的封装方法，其特征在于，所述支撑部(12)的高度为3～6μm，所述支撑部(12)的宽度为0.1～10mm。
6.如权利要求1所述的基板的封装方法，其特征在于，所述框胶(15)为不含间隔颗粒的框胶。
7.如权利要求2所述的基板的封装方法，其特征在于，所述步骤3中，所述框胶(15)对应于所述基板(20)上的OLED器件(25)与第二切割线(21)之间设置。
8.如权利要求1所述的基板的封装方法，其特征在于，所述步骤5中采用加热或者紫外线照射的方法对所述框胶(15)进行固化。
CN201610152445.0A 2016-03-17 2016-03-17 基板的封装方法 Active CN105810849B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610152445.0A CN105810849B (zh) 2016-03-17 2016-03-17 基板的封装方法
PCT/CN2016/080188 WO2017156829A1 (zh) 2016-03-17 2016-04-26 基板的封装方法
US15/105,570 US10069115B2 (en) 2016-03-17 2016-04-26 Package method of substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610152445.0A CN105810849B (zh) 2016-03-17 2016-03-17 基板的封装方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105810849A CN105810849A (zh) 2016-07-27
CN105810849B true CN105810849B (zh) 2018-03-30

Family

ID=56454419

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610152445.0A Active CN105810849B (zh) 2016-03-17 2016-03-17 基板的封装方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10069115B2 (zh)
CN (1) CN105810849B (zh)
WO (1) WO2017156829A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107275517A (zh) 2017-06-30 2017-10-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法和显示装置
CN107507923B (zh) 2017-08-01 2019-12-03 京东方科技集团股份有限公司 一种丝网网版、封装方法、显示面板和显示装置
CN108598294A (zh) * 2018-07-05 2018-09-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled器件的封装方法以及封装结构
CN110048020B (zh) * 2019-04-12 2020-04-03 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
JP6696025B1 (ja) * 2019-04-22 2020-05-20 信越エンジニアリング株式会社 貼合デバイスの貼り合わせ装置及び貼り合わせ方法並びに貼合デバイス
CN110429206B (zh) * 2019-08-07 2021-11-23 京东方科技集团股份有限公司 封装盖板、显示装置、显示面板及显示面板的封装方法
CN111369904B (zh) * 2020-04-08 2022-05-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3980954B2 (ja) * 2002-07-15 2007-09-26 日本電波工業株式会社 表面実装水晶発振器
CN1214461C (zh) * 2003-02-13 2005-08-10 台湾典范半导体股份有限公司 Qfn型影像感测元件构装方法
US7800303B2 (en) * 2006-11-07 2010-09-21 Corning Incorporated Seal for light emitting display device, method, and apparatus
CN101355043B (zh) * 2007-07-26 2010-07-21 精材科技股份有限公司 电子元件封装体及其制作方法
CN201749442U (zh) * 2010-06-30 2011-02-16 彩虹集团公司 一种具有触摸屏的有机发光器件
CN102707509B (zh) * 2012-06-13 2015-06-17 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板及其制造方法
CN103367658B (zh) * 2013-07-17 2016-08-31 深圳市华星光电技术有限公司 一种玻璃封装结构和封装方法
CN104362243B (zh) * 2014-10-24 2017-11-03 深圳市华星光电技术有限公司 基板的封装方法及封装结构

Also Published As

Publication number Publication date
CN105810849A (zh) 2016-07-27
US20180102504A1 (en) 2018-04-12
WO2017156829A1 (zh) 2017-09-21
US10069115B2 (en) 2018-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105810849B (zh) 基板的封装方法
CN104362243B (zh) 基板的封装方法及封装结构
CN105097885B (zh) Oled面板及其封装方法、显示装置
CN104201295B (zh) Oled的封装方法及oled结构
US9966559B2 (en) Glass packaging structure and glass packaging method of utilizing the same
EP3196018B1 (en) Substrate bonding method
CN102402077B (zh) 液晶框胶成型装置及其应用的显示面板组装设备
US20160248043A1 (en) Oled packaging method and structure
CN104102051B (zh) 一种液晶显示母板的对盒方法、非标准尺寸的液晶显示基板
CN104241542A (zh) Oled的封装方法及oled封装结构
US20160248016A1 (en) Substrate packaging method
CN103454815B (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置
CN104360547A (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
CN104035255A (zh) 阵列基板、显示面板及制作方法
CN103383508A (zh) 一种液晶滴下装置及液晶滴下方法
CN103913897A (zh) 液晶面板及其制作方法、显示装置
US10707439B2 (en) Packaging adhesive, packaging method, display panel and display device
WO2018072297A1 (zh) Oled显示面板的制作方法
CN103499903B (zh) 辅助封框胶结构、对盒基板及显示装置
US20160246084A1 (en) Method of Manufacturing Flexible Display Device and Flexible Display Device
CN202548491U (zh) 一种液晶显示单元
US9698376B2 (en) Packaging method and packaging structure of substrate
CN103487996A (zh) 一种用于液晶显示器的阵列基板与彩膜基板的对组方法
TWI564637B (zh) 液晶顯示面板及其製造方法
CN105161515B (zh) 有机发光二极管显示面板及其封装方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant