CN115548199A - 一种芯片巨量转移方法及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种芯片巨量转移方法及显示装置，采用拾取基板将芯片巨量转移至转移基板上，对转移基板中存在芯片缺陷的位置处进行修补，形成零缺陷芯片的转移基板。之后将修补后的转移基板上的各芯片一次性转移至显示基板上。可以使形成的显示基板具有零缺陷芯片，以避免将存在缺陷的芯片转移至显示基板上。由此可以不用额外的对显示基板进行修补，避免针对具有芯片缺陷的位置处进行多次修补的繁复步骤，提高形成显示基板的良率和效率。并且，这样在转移基板与显示基板进行转移时，只需要对显示基板加热一次即可完成转移基板上所有芯片与显示基板键合，避免后续对显示基板进行多次修补造成显示基板额外损伤。

Description

一种芯片巨量转移方法及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种芯片巨量转移方法及显示装置。
背景技术
微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，简称Micro LED)显示技术是指发光芯片直接作为发光单元的显示技术。Micro LED继承了传统发光二极管的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，并且具自发光无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势。
Micro LED面板的驱动方式可以分为有源和无源两种，其中有源驱动模式具有低功耗、抗串扰、驱动成本低等优势。
目前的有源驱动方式需要将驱动基板与Micro LED分别制作，再通过巨量转移的方式将Micro LED与驱动基板对组。然而，目前的巨量转移过工艺难度大，巨量转移之后会在显示基板上出现大量的芯片缺陷，影响显示基板的品质。
发明内容
本发明一些实施例中，采用拾取基板将芯片巨量转移至转移基板上，对转移基板中存在芯片缺陷的位置处进行修补，形成零缺陷芯片的转移基板。之后将修补后的转移基板上的各芯片一次性转移至显示基板上。可以使形成的显示基板具有零缺陷芯片，以避免将存在缺陷的芯片转移至显示基板上。由此可以不用额外的对显示基板进行修补，避免针对具有芯片缺陷的位置处进行多次修补的繁复步骤，提高形成显示基板的良率和效率。并且，这样在转移基板与显示基板进行转移时，只需要对显示基板加热一次即可完成转移基板上所有芯片与显示基板键合，避免后续对显示基板进行多次修补造成显示基板额外损伤。
本发明一些实施例中，可以通过确定转移基板中产生芯片缺陷的缺陷位置坐标。再根据各缺陷位置坐标构建只在对应芯片缺陷位置处设置芯片的修补基板，这样采用该修补基板对转移基板进行修补，以使修补基板上的各芯片转移至转移基板的各缺陷位置坐标处，形成零缺陷芯片的转移基板。从而将修补后的转移基板上的各芯片一次性转移至显示基板上，可以使形成的显示基板具有零缺陷芯片。进而可以避免将存在缺陷的芯片转移至显示基板上，由此可以不用额外的对显示基板进行修补，避免针对具有芯片缺陷的位置处进行多次修补的繁复步骤，提高形成显示基板的良率和效率。并且，这样在转移基板与显示基板进行转移时，只需要对显示基板加热一次即可完成转移基板上所有芯片与显示基板键合，避免后续对显示基板进行多次修补造成显示基板额外损伤。
本发明一些实施例中，芯片可以为发光芯片，具体可以为微型发光二极管(MicroLED)。
本发明一些实施例中，采用拾取基板将芯片巨量转移至转移基板上之后，可能会在转移基板上产生存在芯片缺陷的位置(例如多个未转移成功Micro LED的芯片空缺的位置)，通过对转移基板进行获取检测图像，可以根据获取到的检测图像，对检测图像进行分析，以确定检测图像中是否存在芯片缺陷。在确定检测图像中存在芯片缺陷时，可以根据对检测图像的分析确定出Micro LED产生芯片缺陷的缺陷位置坐标。
本发明一些实施例中，采用拾取基板将芯片巨量转移至转移基板上之后，可能会在转移基板上产生多个未转移成功Micro LED的芯片空缺的位置，由此可以使芯片缺陷包括芯片空缺。
本发明一些实施例中，采用拾取基板将芯片巨量转移至转移基板上之后，转移基板上的Micro LED可能部分会存在异常(如出现芯片破损、芯片漏电、芯片偏位等)，由此可以使芯片缺陷包括芯片异常(如芯片破损、芯片漏电、芯片偏位等)。
本发明一些实施例中，根据各缺陷位置坐标构建修补基板，可以包括：提供元件基板和空白基板；元件基板上设置有多个Micro LED，空白基板上未设置Micro LED；将元件基板和空白基板对位设置，元件基板上的各Micro LED面向空白基板设置；将对位后的空白基板和元件基板进行贴合，使元件基板上对应于缺陷位置坐标处的Micro LED转移至空白基板上，形成修补基板。也就是说，本发明一些实施例中，空白基板上未设置有Micro LED，根据缺陷位置坐标在空白基板上设置Micro LED之后可以形成修补基板，再采用修补基板对转移基板进行修补。
本发明一些实施例中，转移基板上可以设置一种颜色的Micro LED或多种颜色的Micro LED，从而使得缺陷位置坐标处对应的芯片可能具有至少一种颜色。在设置修补基板时，可以针对缺陷位置坐标处Micro LED对应的颜色设置修补基板和元件基板，同一个修补基板上的各Micro LED的颜色相同及同一个元件基板上的各Micro LED的颜色相同。示例性地，修补基板和元件基板与缺陷位置坐标处Micro LED对应的颜色对应设置。例如，缺陷位置坐标处Micro LED对应的颜色为红色，则红色对应一个或多个修补基板，以及红色对应一个或多个元件基板。缺陷位置坐标处Micro LED对应的颜色为绿色，则绿色对应一个或多个修补基板，以及红色对应一个或多个元件基板。缺陷位置坐标处Micro LED对应的颜色为蓝色，则蓝色对应一个或多个修补基板，以及红色对应一个或多个元件基板。并且，针对缺陷位置坐标处芯片对应的每一种颜色，将对应颜色的空白基板和元件基板进行贴合，使元件基板上对应于颜色及缺陷位置坐标处的芯片转移至空白基板上，从而形成对应颜色的修补基板。
本发明一些实施例中，空白基板面向元件基板一侧设置有第一光解材料层；使元件基板上对应于缺陷位置坐标处的芯片转移至空白基板上，包括：将对位后的空白基板与元件基板上的芯片，通过第一光解材料层进行粘结；将对应于缺陷位置坐标处的芯片与元件基板分离，以使空白基板将对应于缺陷位置坐标处的芯片进行拾取。这样可以将空白基板与元件基板上的Micro LED之间采用光解材料进行粘结；通过对元件基板上对应于缺陷位置坐标处进行热固化工艺或其它工艺，可以使对应位置的Micro LED从元件基板上脱落至修补基板上，最终形成修补基板。也就是说，空白基板面向元件基板一侧的表面设置有一层光解材料的第一光解材料层，从元件基板上脱落的Micro LED可以通过第一光解材料层固定在空白基板的相应位置处，从而形成修补基板。
本发明一些实施例中，采用修补基板对转移基板进行修补，以使修补基板上的各芯片转移至转移基板的各缺陷位置坐标处，包括：在修补基板的芯片上形成一一对应的光解粘结结构；将形成有光解粘结结构的修补基板和转移基板对位设置，修补基板上的各芯片面向转移基板具有芯片的一侧设置；将对位后的修补基板和转移基板进行贴合，使修补基板上对应于缺陷位置坐标处的芯片转移至转移基板上的各缺陷位置坐标处。从而使修补后的转移基板上设置有零缺陷的芯片。
本发明一些实施例中，转移基板与各芯片之间采用第二光解材料层进行粘结；在将形成有光解粘结结构的修补基板和转移基板对位设置之前，还包括：通过激光照射转移基板上对应于缺陷位置坐标处的第二光解材料层，以去除对应于缺陷位置坐标处的第二光解材料层，剩余除缺陷位置坐标处之外的其余区域处的第二光解材料层，以将存在芯片缺陷的位置处的光解材料进行去除。
本发明一些实施例中，在修补基板的芯片上形成一一对应的光解粘结结构，包括：在修补基板的芯片上形成整面覆盖的光解粘结膜层；通过激光照射修补基板上除缺陷位置坐标处之外的其余区域，去除其余区域中的光解粘结膜层，剩余对应于各缺陷位置坐标处的芯片上的光解粘结膜层，形成光解粘结结构，以去除不设置芯片的区域上的光解材料，从而可以避免后续对转移基板进行修补时与转移基板上正常的芯片产生干涉。
本发明一些实施例中，将对位后的修补基板和转移基板进行贴合，使修补基板上对应于各缺陷位置坐标处的芯片转移至转移基板上的各缺陷位置坐标处，包括：采用热压固化工艺将对位后的修补基板上的芯片通过光解粘结结构和转移基板进行粘结；通过激光照射修补基板上对应于各缺陷位置坐标处，将对应于各缺陷位置坐标处的芯片与修补基板分离，以使转移基板将对应于各缺陷位置坐标处的芯片进行拾取，从而可以采用热固化的方式对转移基板进行加热，从而使用于修补的Micro LED转移至转移基板之上。
本发明一些实施例中，采用修补基板对转移基板进行修补之前，可以确定修补基板上的各芯片的电极方向是否与待修补的转移基板上的芯片的电极方向相匹配；在修补基板上的各芯片的电极方向与待修补的转移基板上的芯片的电极方向匹配时，采用修补基板对转移基板进行修补；在修补基板上的各芯片的电极方向与待修补的转移基板上的芯片的电极方向不匹配时，重复执行以下操作直到更新的修补基板上的芯片的电极方向与待修补的转移基板上的芯片的电极方向匹配为止：将修补基板与更新用空白基板对位设置，使修补基板上的芯片面向更新用空白基板设置；将修补基板上的各芯片转移至更新用空白基板上，形成更新的修补基板；采用最后一次更新的修补基板对转移基板进行修补。
本发明一些实施例中，修补基板上的Micro LED与转移基板上的Micro LED的排列规则相同。示例性地，可以使修补基板上的Micro LED的阵列规模大于或等于转移基板上的Micro LED的阵列规模，以采用修补基板进行修补。
本发明一些实施例中，由于产生Micro LED空缺的位置随机分布，因此修补基板即使已用于构建修补基板，在下一次进行修补时，可以先将修补基板上的光解材料清楚干净，形成新的空白基板，之后在新的空白基板上设置第一光解材料层，再次拾取Micro LED，形成新的修补基板。因此同一个修补基板可以重复利用，有利于降低成本，提高基板的利用率。
本发明一些实施例中，转移基板上的Micro LED与显示基板上的Micro LED的排列规则相同，且转移基板上的Micro LED的阵列规模大于或等于显示基板上的Micro LED的阵列规模。示例性地，将修补后的转移基板上的各芯片一次性转移至显示基板上，以将转移基板上的各Micro LED与显示基板键合，以将转移基板上的各Micro LED巨量转移至显示基板上。
本发明一些实施例中，Micro LED与显示基板之间采用金属共晶的方式进行固定以及电连接，因此可以采用热固化或光固化的方式对显示基板进行加热，从而使Micro LED固定在显示基板之上。
本发明一些实施例中，显示基板包括至少两种颜色的Micro LED，用于实现彩色显示。
本发明一些实施例中，提供一种采用上述芯片巨量转移方法得到的显示装置，采用上述芯片巨量转移方法得到的显示装置上具有零缺陷的Micro LED，不用额外的对显示基板进行修补，不会对显示装置中的显示基板产生过多的损伤，有利于提高良率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的芯片巨量转移方法的流程图；
图2a为本发明实施例提供的显示基板的俯视结构示意图；
图2b为图2a所示的显示基板沿AA’方向上的剖视结构示意图；
图3a为本发明实施例提供的无芯片缺陷的转移基板的俯视结构示意图；
图3b为图3a所示的转移基板沿AA’方向上的剖视结构示意图；
图4a为本公开实施例提供的一些元件基板的俯视结构示意图；
图4b为图4a所示的元件基板沿AA’方向的剖视结构示意图；
图5a为本发明实施例提供的存在芯片缺陷的转移基板的俯视结构示意图；
图5b为图5a所示的转移基板沿AA’方向上的剖视结构示意图。
图6a为本发明实施例提供的构建的一些修补基板的俯视结构示意图；
图6b为图6b所示的修补基板沿AA’方向上的剖视结构示意图；
图7a为本发明实施例提供的进行修补后的一些转移基板的俯视结构示意图；
图7b为图7a所示的转移基板沿AA’方向上的剖视结构示意图；
图8a为本发明实施例提供的另一些需要进行修补的转移基板的俯视结构示意图；
图8b为图8a所示的转移基板沿AA’方向上的剖视结构示意图；
图9a为本发明实施例提供的构建的又一些修补基板的俯视结构示意图；
图9b为本发明实施例提供的构建的又一些修补基板的俯视结构示意图；
图10a为本发明实施例提供的对转移基板进行修补的又一些结构示意图；
图10b为本发明实施例提供的对转移基板进行修补的又一些结构示意图；
图10c为本发明实施例提供的对转移基板进行修补的又一些结构示意图；
图11a为本发明实施例提供的需要进行更新的修复基板的结构示意图；
图11b为本发明实施例提供的更新用空白基板的结构示意图；
图11c为本发明实施例提供的更新后的修复基板的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)具有功耗小、使用寿命长和无污染等优势。LED的核心结构为PN结，具有正向导通、反射截止等特性，当向PN结加正向偏压时，n型区的电子和p型区的空穴会在外加电场的作用下运动，电子和空穴发生带间复合之后产生的能量以光子的形式释放，从而发光。但是这种同质结构的LED的发光效率较低，因此常引入多异质结结构制作LED来提高发光效率。
具有多量子阱结构的LED器件在正向偏转时，电子和空穴在外加电场的作用下运动至多量子阱层，增大了电子与空穴波函数的重合率，提高了其复合发光效率。
Micro LED是将LED微缩化，Micro LED继承了LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，并且具自发光无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势。Micro LED通常指Micro LED芯片，目前的Micro LED显示装置通常需要将驱动基板和Micro LED单独制作，在采用巨量转移技术将Micro LED转移至驱动基板进行对组，在这个过程中需要采用数量巨大的Micro LED转移至驱动基板之上，再对Micro LED与驱动基板键合。
通常，巨量转移的过程包括：采用拾取基板将芯片巨量转移至转移基板上，之后将转移基板上的各芯片一次性转移至显示基板上。然而，巨量转移的成功率并不是很高，由于转移基板上会存在多处具有芯片空缺、芯片异常等芯片缺陷的位置，这样使得执行巨量转移操作之后的显示基板之上会存在多处具有芯片缺陷的位置，此时则需要依次对产生芯片缺陷的位置转移Micro LED，然而每次转移Micro LED之后均需要对显示基板进行加热固化等操作才能实现Micro LED与显示基板的键合，无疑会对显示基板产生额外的损伤，导致显示基板使用寿命缩短以及良率下降等问题。
有鉴于此，本发明实施例提供一种芯片巨量转移方法，可以先将转移基板产生芯片缺陷的位置进行修补，使修补后的转移基板上的芯片均为正常的芯片。之后将转移基板上的芯片一次性转移到显示基板上，可以使显示基板上形成零缺陷的芯片，由此可以不用额外的对显示基板进行修补，避免针对具有芯片缺陷的位置处进行多次修补的繁复步骤，提高形成显示基板的良率和效率。并且，这样在转移基板与显示基板进行转移时，只需要对显示基板加热一次即可完成转移基板上所有芯片与显示基板键合，避免后续对显示基板进行多次修补造成显示基板额外损伤。
图1为本发明实施例提供的芯片巨量转移方法的流程图。
参照图1，本发明实施例提供的芯片巨量转移方法，包括：
S10、采用拾取基板将芯片巨量转移至转移基板上；
S20、对转移基板中存在芯片缺陷的位置处进行修补；
S30、将修补后的转移基板上的各芯片一次性转移至显示基板上。
本发明实施例中提供的上述芯片巨量转移方法，采用拾取基板将芯片巨量转移至转移基板上，对转移基板中存在芯片缺陷的位置处进行修补，形成零缺陷芯片的转移基板。之后将修补后的转移基板上的各芯片一次性转移至显示基板上。可以使形成的显示基板具有零缺陷芯片，以避免将存在缺陷的芯片转移至显示基板上。由此可以不用额外的对显示基板进行修补，避免针对具有芯片缺陷的位置处进行多次修补的繁复步骤，提高形成显示基板的良率和效率。并且，这样在转移基板与显示基板进行转移时，只需要对显示基板加热一次即可完成转移基板上所有芯片与显示基板键合，避免后续对显示基板进行多次修补造成显示基板额外损伤。
需要说明的是，本发明实施例中的芯片为发光芯片，具体可以为Micro LED，MicroLED为芯片级尺寸，通常可以设置在100μm以下，达到像素级尺寸，Micro LED可以作为显示装置的显示器件直接用于图像显示。下面以芯片为Micro LED进行说解释明。
图2a为本发明实施例提供的显示基板的俯视结构示意图，图2b为图2a所示的显示基板沿AA’方向上的剖视结构示意图。图3a为本发明实施例提供的无芯片缺陷的转移基板的俯视结构示意图，图3b为图3a所示的转移基板沿AA’方向上的剖视结构示意图。
在一些示例中，参照图2a与图2b，显示基板100可以包括阵列排布的多个像素单元PX，每个像素单元包括多个子像素。并且显示基板100中的子像素阵列排布。示例性地，像素单元PX可以包括红色子像素SPX-R，绿色子像素SPX-G以及蓝色子像素SPX-B，这样在显示基板100应用于显示装置中后，可以通过红绿蓝进行混色，以实现彩色显示。或者，像素单元也可以包括红色子像素，绿色子像素、蓝色子像素以及白色子像素，这样在显示基板应用于显示装置中后，可以通过红绿蓝白进行混色，以实现彩色显示。当然，在实际应用中，像素单元中的子像素的颜色可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
一般采用薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)制备工艺在衬底基板上形成驱动电路，以形成用于对Micro LED进行有源驱动的驱动基板或驱动背板。本发明实施例中的显示基板可以为用于对Micro LED进行有源驱动的驱动基板或驱动背板，在此不做限定。这样将Micro LED转移到显示基板的子像素内后，可以通过驱动电路驱动Micro LED发光。示例性地，每个子像素可以包括预先形成的驱动电路150以及分别与驱动电路150电连接的第一电极110和第二电极120。其中，Micro LED的正极可以与第一电极110电连接，MicroLED的负极可以与第二电极120电连接，以使驱动电路150通过第一电极110和第二电极120向电连接的Micro LED输入电压或电流，从而使驱动电路150驱动Micro LED发光。
在一些示例中，可以使转移基板的尺寸小于显示基板的尺寸。例如，参照图2a与图3a，显示基板可以具有相同尺寸的显示区域Y1、Y2、Y3、Y4。转移基板的尺寸可以与显示区域Y1、Y2、Y3、Y4的尺寸相同。在实际应用中，在采用拾取基板将Micro LED转移至转移基板之后，在转移基板300上形成有呈阵列排布的Micro LED210，这些Micro LED210可以均为相同颜色，例如均为红色。之后，将这些红色Micro LED 210一次性转移到显示基板上的显示区域Y1中。之后将依次将红色Micro LED 210一次性转移到显示基板上的显示区域Y2、Y3、Y4中。之后，将依次将绿色Micro LED 210一次性转移到显示基板上的显示区域Y1、Y2、Y3、Y4中。之后，将依次将蓝色Micro LED 210一次性转移到显示基板上的显示区域Y1、Y2、Y3、Y4中。
图4a为本公开实施例提供的一些元件基板的俯视结构示意图；图4b为图4a所示的元件基板沿AA’方向的剖视结构示意图。
在一些示例中，参照图4a与图4b，元件基板形成有阵列排布的多个Micro LED。其中，每个Micro LED210可以具有正极211、负极212以及发光芯片主体213。示例性地，可以使同一元件基板上形成同一颜色的Micro LED。例如，在元件基板200上均形成红色MicroLED210，也可以在元件基板上均形成绿色Micro LED，也可以在元件基板上均形成蓝色Micro LED，也可以使元件基板上形成有阵列排布的多个不同颜色的Micro LED，在此不作限定。
示例性地，参照图4a与图4b，元件基板的尺寸可以小于显示基板的尺寸。进一步地，元件基板可以为晶元、蓝膜以及蓝宝石基板中的一种。示例性地，参照图4a，晶元的形状一般为圆形，各个Micro LED阵列排布在晶元上。当然，在实际应用中，元件基板也可以为其他类型材料的基板，这需要根据实际应用来设计确定，在此不作限定。
在一些示例中，可以采用拾取基板将元件基板上的芯片巨量转移至转移基板上，该具体过程可以与现有技术中的基本相同，在此不作赘述。
示例性地，采用拾取基板将芯片巨量转移至转移基板上之后，可能会在转移基板上产生多个未转移成功Micro LED的芯片空缺的位置，由此可以使芯片缺陷包括芯片空缺。
示例性地，采用拾取基板将芯片巨量转移至转移基板上之后，转移基板上的MicroLED可能部分会存在异常(如出现芯片破损、芯片漏电、芯片偏位等)，由此可以使芯片缺陷包括芯片异常(如芯片破损、芯片漏电、芯片偏位等)。
当然，在实际应用中，由于制备工艺及其它因素的原因，可能会使转移基板上的Micro LED存在其它缺陷，这些缺陷也均属于本发明实施例中芯片缺陷的保护范围，具体在此不作赘述。
具体地，在上述步骤S20中，对转移基板中存在芯片缺陷的位置处进行修补，具体可以包括：
确定转移基板中产生芯片缺陷的缺陷位置坐标；
根据各缺陷位置坐标构建修补基板；其中，修补基板在各缺陷位置坐标处设置有待转移的芯片；
采用修补基板对转移基板进行修补，以使修补基板上的各芯片转移至转移基板的各缺陷位置坐标处。
举例来说，当显示基板上的用于显示的芯片为Micro LED时，这样可以通过确定转移基板中产生芯片缺陷的缺陷位置坐标。再根据各缺陷位置坐标构建只在对应芯片缺陷位置处设置Micro LED的修补基板，从而采用该修补基板对转移基板进行修补，以使修补基板上的各芯片转移至转移基板的各缺陷位置坐标处，形成零缺陷Micro LED的转移基板。从而将修补后的转移基板上的各Micro LED一次性转移至显示基板上，可以使形成的显示基板具有零缺陷Micro LED。进而可以避免将存在缺陷的Micro LED转移至显示基板上，由此可以不用额外的对显示基板进行修补，避免针对具有芯片缺陷的位置处进行多次修补的繁复步骤，提高形成显示基板的良率和效率。并且，这样在转移基板与显示基板进行转移时，只需要对显示基板加热一次即可完成转移基板上所有Micro LED与显示基板键合，避免后续对显示基板进行多次修补造成显示基板额外损伤。
具体地，确定转移基板中产生芯片缺陷的缺陷位置坐标，具体可以包括：获取采用拾取基板转移芯片后的转移基板的检测图像；根据检测图像，确定检测图像中是否存在芯片缺陷；在确定检测图像中存在芯片缺陷时，根据检测图像确定产生芯片缺陷的缺陷位置坐标。
举例来说，采用拾取基板将Micro LED巨量转移至转移基板上之后，可能会在转移基板上产生存在芯片缺陷的位置(例如多个未转移成功Micro LED的芯片空缺的位置)，通过对转移基板进行获取检测图像，可以根据获取到的检测图像，对检测图像进行分析，以确定检测图像中是否存在芯片缺陷。在确定检测图像中存在芯片缺陷时，可以根据对检测图像的分析确定出Micro LED产生芯片缺陷的缺陷位置坐标。在确定检测图像中不存在芯片缺陷时，可以直接将转移基板上的Micro LED一次性转移至显示基板上。
图5a为本发明实施例提供的存在芯片缺陷的转移基板的俯视结构示意图，图5b为图5a所示的转移基板沿AA’方向上的剖视结构示意图。
参照图5a与图5b，在采用拾取基板将Micro LED转移至转移基板之后，在转移基板300上形成有呈阵列排布的Micro LED210，以及产生6个芯片空缺310的位置，以及产生3个芯片异常320的位置，如果按照行和列的位置对其进行坐标化，则产生芯片空缺310的缺陷位置坐标分别为：(2,1)、(2,4)、(3,2)、(5,2)、(7,3)、(8,4)。产生芯片异常缺320的缺陷位置坐标分别为：(1,2)、(5,3)、(7,1)。为了说明修补过程，以第五行的位置产生的剖视结构示意图对应的截面结构进行说明，如图5b所示，第五行的第二个位置产生芯片空缺310，第五行的第三个位置产生芯片异常320，即缺陷位置坐标为(5,2)、(5,3)。
在一些示例中，在确定出了产生芯片缺陷的缺陷位置坐标之后，根据缺陷位置坐标构建修补基板。具体地，根据各缺陷位置坐标构建修补基板，具体可以包括：
提供元件基板和空白基板；元件基板上设置有多个芯片，空白基板上未设置芯片；
将元件基板和空白基板对位设置，元件基板上的各芯片面向空白基板设置；
将对位后的空白基板和元件基板进行贴合，使元件基板上对应于缺陷位置坐标处的芯片转移至空白基板上，形成修补基板。
图6a为本发明实施例提供的构建的一些修补基板的俯视结构示意图。图6b为图6b所示的修补基板沿AA’方向上的剖视结构示意图。
在一些示例中，修补基板的尺寸可以大于或等于转移基板的尺寸。示例性地，修补基板上的Micro LED与转移基板上的Micro LED的排列规则相同，且修补基板上的MicroLED的阵列规模大于或等于转移基板上的Micro LED的阵列规模。
在一些示例中，空白基板上未设置有Micro LED，根据缺陷位置坐标在空白基板上设置Micro LED之后可以形成修补基板400，修补基板400是对转移基板进行巨量修补用的基板。
在一些示例中，在根据缺陷位置坐标构建修补基板400时，可以先将元件基板200与一空白基板进行对位设置，以使得元件基板200上的各Micro LED(210)面向空白基板，再根据各缺陷位置坐标将元件基板200上对应的位置的Micro LED(210)转移至空白基板之上，即将坐标为(5,2)、(5,3)的Micro LED转移至空白基板上的对应位置，从而形成修补基板400。
在具体实施时，修补基板400与各Micro LED 210之间采用光解材料进行粘结。例如，空白基板面向元件基板一侧设置有第一光解材料层。由于在空白基板上设置了MicroLED210后会形成修补基板400，那么修补基板400与各Micro LED 210之间采用第一光解材料层420进行粘结。在一些示例中，使元件基板上对应于缺陷位置坐标处的芯片转移至空白基板上，具体可以包括：将对位后的空白基板与元件基板上的芯片，通过第一光解材料层进行粘结；将对应于缺陷位置坐标处的芯片与元件基板分离，以使空白基板将对应于缺陷位置坐标处的芯片进行拾取。示例性地，可以采用热固化工艺或其它工艺将元件基板200上对应于各缺陷位置坐标处的Micro LED 210与元件基板分离，以通过第一光解材料层粘结到空白基板上，形成修补基板400。
在一些示例中，转移基板可能会设置一种颜色的Micro LED 210，也可能会设置多种颜色的Micro LED 210。因此，缺陷位置坐标处对应的芯片可以具有一种颜色，也可以具有多种颜色。提供元件基板和空白基板，可以包括：提供与缺陷位置坐标处芯片的颜色对应的元件基板和空白基板；其中，同一元件基板上的芯片的颜色相同。示例性地，元件基板的数量和空白基板的数量可以与缺陷位置坐标处对应的芯片具有的颜色数量相同。例如，缺陷位置坐标处对应的芯片具有红色，则可以提供与红色对应的元件基板和空白基板。缺陷位置坐标处对应的芯片具有绿色，则可以提供与绿色对应的元件基板和空白基板。缺陷位置坐标处对应的芯片具有蓝色，则可以提供与蓝色对应的元件基板和空白基板。
在一些示例中，将对位后的空白基板和元件基板进行贴合，使元件基板上对应于缺陷位置坐标处的芯片转移至空白基板上，形成修补基板，具体可以包括：针对缺陷位置坐标处芯片对应的每一种颜色，将对应颜色的空白基板和元件基板进行贴合，使元件基板上对应于颜色及缺陷位置坐标处的芯片转移至空白基板上，形成对应颜色的修补基板。例如，如图6a与图6b所示，修补基板400上设置有多个待转移到转移基板300上的红色MicroLED210r。
在一些示例中，转移基板与各芯片之间采用第二光解材料层进行粘结；在采用修补基板对转移基板进行修补之前，还可以包括：通过激光照射转移基板上对应于缺陷位置坐标处的第二光解材料层，以去除对应于缺陷位置坐标处的第二光解材料层，剩余除缺陷位置坐标处之外的其余区域处的第二光解材料层。例如，如图6a与图6b所示，修补基板400与Micro LED 210之间通过第二光解材料层420进行粘结。
在一些示例中，采用修补基板对转移基板进行修补，以使修补基板上的各芯片转移至转移基板的各缺陷位置坐标处，具体可以包括：
在修补基板的芯片上形成一一对应的光解粘结结构；
将形成有光解粘结结构的修补基板和转移基板对位设置，修补基板上的各芯片面向转移基板具有芯片的一侧设置；
将对位后的修补基板和转移基板进行贴合，使修补基板上对应于缺陷位置坐标处的芯片转移至转移基板上的各缺陷位置坐标处。
例如，如图6a与图6b所示，修补基板400与Micro LED 210之间通过第二光解材料层420进行粘结。修补基板400的Micro LED 210上形成一一对应的光解粘结结构410。示例性地，在修补基板的芯片上形成一一对应的光解粘结结构，具有可以包括：在修补基板的芯片上形成整面覆盖的光解粘结膜层；通过激光照射修补基板上除缺陷位置坐标处之外的其余区域，去除其余区域中的光解粘结膜层，剩余对应于各缺陷位置坐标处的芯片上的光解粘结膜层，形成光解粘结结构。这样通过对修补基板上对应于除缺陷位置坐标处之外的其余区域进行激光照射，可以使对应位置的光解材料的光解粘结膜层在光照作用下分解，以去除不设置芯片的区域上的光解材料，从而可以避免后续对转移基板进行修补时与转移基板上正常的芯片产生干涉。
在一些示例中，将对位后的修补基板和转移基板进行贴合，使修补基板上对应于各缺陷位置坐标处的芯片转移至转移基板上的各缺陷位置坐标处，具体可以包括：
采用热压固化工艺将对位后的修补基板上的芯片通过光解粘结结构和转移基板进行粘结；
通过激光照射修补基板上对应于各缺陷位置坐标处，将对应于各缺陷位置坐标处的芯片与修补基板分离，以使转移基板将对应于各缺陷位置坐标处的芯片进行拾取。从而可以采用热固化的方式对转移基板进行加热，从而使用于修补的Micro LED转移至转移基板之上。
图6b为本发明实施例提供的对转移基板进行修补的结构示意图。
如图6b所示，将构建出的修补基板400与转移基板300相对设置以进行对位，使得修补基板400上的各Micro LED210与转移基板300上的各Micro LED210相对设置。其中修补基板400上的各Micro LED210与转移基板300上产生Micro LED空缺310和Micro LED异常320的位置一一对应。
将对位后的修补基板400和转移基板300进行贴合，由于修补基板400上也设置了光解粘结结构410，在将修补基板400与转移基板300进行贴合之后，可以通过热压固化工艺使修补基板400上的Micro LED 210通过光解粘结结构410粘结到转移基板300上。之后，对修补基板400上对应于各缺陷位置坐标处进行激光照射，可以使第一光解材料层420在光照作用下分解，即可使修补基板400上坐标(5,2)、(5,3)处的Micro LED 210脱落至转移基板300上的缺陷位置坐标处，从而对转移基板300进行巨量修补。
图7a为本发明实施例提供的进行修补后的转移基板的俯视结构示意图，图7b为图7a所示的转移基板沿AA’方向上的剖视结构示意图。其中图7a与图7b中，虚线示意出需要修补位置对应的Micro LED 210，实线示意出不用修补位置对应的Micro LED 210。
如图7a和图6b所示，在进行修补之后，转移基板300上的各Micro LED210呈阵列排布，且在任意坐标位置均不再有芯片缺陷，之后，将转移基板300与显示基板进行对位设置，将Micro LED210转移到显示基板上，使转移到显示基板上的各Micro LED210与显示基板100键合，从而完成对显示基板的巨量转移。这样可以使显示基板上的Micro LED210不再有芯片缺陷。需要说明的是，由于工艺限制或其它因素的限制，可能不会检测出全部存在芯片缺陷的Micro LED210，因此，在实际应用中，只要大致满足上述条件即可。
通常情况下，Micro LED210与显示基板100之间采用金属共晶的方式进行固定以及电连接，因此可以采用热固化或光固化的方式对显示基板进行加热，从而使MicroLED210固定在显示基板100之上，且与显示基板之间电连接，由此通过显示基板可以驱动各Micro LED210进行图像显示。
在应用过程中，由于产生芯片缺陷的位置随机分布，因此修补基板即使已用于构建修补基板，在下一次进行修补时，可以先将修补基板上的光解材料清楚干净，形成新的空白基板，之后在新的空白基板上设置第一光解材料层，再次拾取Micro LED，形成新的修补基板。因此同一个修补基板可以重复利用，有利于降低成本，提高基板的利用率。
基于同一发明构思，本发明实施例提供了另一些转移基板的结构示意图，如图8a与图8b所示，其针对上述实施例中的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
图8a为本发明实施例提供的另一些需要进行修补的转移基板的俯视结构示意图。图8b为图8a所示的转移基板沿AA’方向上的剖视结构示意图。
在一些实施例中，由于显示基板包括至少两种颜色的Micro LED，例如，显示基板可以包括红色Micro LED、绿色Micro LED和蓝色Micro LED，且三种颜色的Micro LED按照设定顺序重复排列，相邻的一个红色Micro LED、一个绿色Micro LED和一个蓝色Micro LED构成一个像素单元，采用上述三种颜色的Micro LED可以实现全彩显示。
在一些实施例中，参见图8a与图8b，可以使转移基板300包括至少两种颜色的Micro LED，例如，转移基板300可以包括红色Micro LED、绿色Micro LED和蓝色Micro LED，且转移基板300设置的红色Micro LED、绿色Micro LED和蓝色Micro LED与显示基板的显示区域Y1、Y2、Y3、Y4中的任一个需要设置的Micro LED一一对应，且阵列排布方式相同。这样可以使转移基板与显示基板对位后，将Micro LED一次性的转移到显示基板的任一个显示区域中，以使该显示区域可以一次性接收到所需要的所有Micro LED。
对于该转移基板进行巨量修补时，需要提供多个修补基板400，修补基板400的数量可以与转移基板中缺陷位置坐标处对应的芯片的颜色种类的数量相同，可以使同一个修补基板上的各Micro LED的颜色相同，不同修补基板上的芯片的颜色不同。
如图8a所示，转移基板300包括红色Micro LED 210r、绿色Micro LED 210g和蓝色Micro LED 210b，在采用拾取基板将芯片巨量转移至转移基板上之后，在转移基板300上具有呈阵列排布的Micro LED，以及产生6个芯片空缺310的位置，以及产生芯片异常320的位置。如果按照行和列的位置对其进行坐标化，则产生芯片空缺310的缺陷位置坐标分别为(1,4)、(2,9)、(3,4)、(4,1)、(4,6)、(5,2)，产生芯片异常320的缺陷位置坐标分别为(1,7)、(3,1)、(3,8)、(5,4)、(5,10)、(6,2)。其中，缺陷位置坐标(3,1)、(4,1)、(1,4)、(3,4)、(1,7)、(5,10)对应红色Micro LED，缺陷位置坐标(5,2)、(5,4)、(6,2)、(3,8)对应绿色MicroLED，缺陷位置坐标(4,6)、(2,9)对应蓝色Micro LED。
为了说明巨量修补过程，以第五行的位置产生的剖视结构进行说明，如图8b所示，第五行的第二个位置产生芯片空缺310，第五行的第四个位置产生芯片异常320。其中，红色Micro LED的缺陷位置坐标为(5,4)，绿色Micro LED的缺陷位置坐标为(5,2)。此时需要提供两个修补基板，分别为红色修补基板和绿色修补基板。其中，红色修补基板上的MicroLED均为红色Micro LED，绿色修补基板上的Micro LED均为绿色Micro LED。在准备好修补基板之后，依次将各修补基板上对应于该修补基板颜色的各缺陷位置坐标处的芯片转移至转移基板上。
图9a为本发明实施例提供的构建的又一些修补基板的俯视结构示意图。图9b为本发明实施例提供的构建的又一些修补基板的俯视结构示意图。其中，图9a示出了设置有红色Micro LED 210r的红色修补基板400r，图9b示出了设置有绿色Micro LED 210g的绿色修补基板400g。
示例性地，在根据缺陷位置坐标构建修补基板400r时，可以先将设置有红色MicroLED210r的元件基板200与一空白基板进行对位设置，以使得元件基板200上的各红色MicroLED 210r的面向空白基板，再根据红色Micro LED 210r的各缺陷位置坐标将元件基板200上对应位置的红色Micro LED 210r的转移至空白基板之上，即将坐标为(5,4)的红色MicroLED 210r的转移至空白基板上的对应位置，从而形成红色修补基板400r。需要说明的是，该形成红色修补基板400r的具体过程可以参照上述过程，在此不作赘述。
示例性地，在根据缺陷位置坐标构建修补基板400g时，可以先将设置有绿色MicroLED210g的元件基板200与一空白基板进行对位设置，以使得元件基板200上的各绿色MicroLED 210g的面向空白基板，再根据绿色Micro LED 210g的各缺陷位置坐标将元件基板200上对应位置的绿色Micro LED 210g的转移至空白基板之上，即将坐标为(5,2)的绿色MicroLED 210g的转移至空白基板上的对应位置，从而形成绿色修补基板400g。需要说明的是，该形成绿色修补基板400g的具体过程可以参照上述过程，在此不作赘述。
图10a为本发明实施例提供的对转移基板进行修补的又一些结构示意图。图10b为本发明实施例提供的对转移基板进行修补的又一些结构示意图。图10c为本发明实施例提供的对转移基板进行修补的又一些结构示意图。
如图10a所示，将构建出的红色修复基板400r与转移基板300相对设置以进行对位，使得红色修复基板400r上的红色Micro LED 210r与转移基板300上红色Micro LED210r存在芯片缺陷的位置。其中，红色修复基板400r上的各红色Micro LED 210r与转移基板300上产生红色Micro LED 210r缺陷的位置一一对应。之后，采用与上述实施例相同的方式，将红色修复基板400r坐标(5,4)处的红色Micro LED 210r脱落至转移基板300上的缺陷位置坐标处，从而对转移基板上红色Micro LED 210r存在芯片缺陷的位置进行巨量修补。
如图10b所示，将构建出的绿色修复基板400g与转移基板300相对设置以进行对位，使得绿色修复基板400g上的绿色Micro LED 210g与转移基板300上绿色Micro LED210g存在芯片缺陷的位置。其中，绿色修复基板400g上的各绿色Micro LED 210g与转移基板300上产生绿色Micro LED 210g缺陷的位置一一对应。之后，采用与上述实施例相同的方式，将绿色修复基板400g坐标(5,2)处的绿色Micro LED 210g脱落至转移基板300上的缺陷位置坐标处，从而对转移基板上绿色Micro LED 210g存在芯片缺陷的位置进行巨量修补。修补后的移位基板如图10b所示。并且，对转移基板上蓝色Micro LED 210b存在芯片缺陷的位置进行巨量修补的具体方式以此类推，在此不作赘述。
需要注意的是，显示基板上的Micro LED的电极具有设定方向，其中，Micro LED可以为分为水平结构的Micro LED和垂直结构的Micro LED。水平结构的Micro LED的两个电极位于Micro LED的同一侧，而垂直结构的Micro LED的两个电极分别位于Micro LED的两侧。
当采用水平结构的Micro LED时，Micro LED的两个电极通常会面向显示基板设置，将Micro LED的两个电极焊接到显示基板的焊盘上可以实现Micro LED与显示基板之间的电连接；当采用垂直结构的Micro LED时，面向显示基板一侧的电极需要为Micro LED的同一侧的电极，例如可以是Micro LED的正极靠近显示基板设置，或者也可以是Micro LED的负极靠近显示基板设置，在此不做限定。
那么在采用修复基板对转移基板进行巨量修补之前，需要首先确定修复基板上的各芯片的电极方向是否与待修补的转移基板上的芯片的电极方向相匹配。具体地，修复基板上的各Micro LED的结构需要与显示基板上已经存在的Micro LED的结构相同，且修复基板上的Micro LED的电极方向需要与转移基板上已经存在的Micro LED的电极方向相匹配。
举例来说，如果转移基板上已经存在的Micro LED为水平结构，且电极远离转移基板设置，由于修复基板在对转移基板进行巨量修补时需要与转移基板相对设置，那么修复基板上的Micro LED也需要为水平结构，且电极靠近修复基板设置，这样在对修复基板进行激光照射之后，Micro LED脱落至转移基板时其电极方向与转移基板上已存在的Micro LED的电极方向相同。
因此，本发明实施例在采用修复基板对转移基板进行巨量修补之前，需要确定修复基板上的芯片的电极方向是否与待修补的转移基板上的芯片的电极方向相匹配，在修复基板上的芯片的电极方向与待修补的转移基板上的芯片的电极方向匹配时，采用修复基板对转移基板直接进行巨量修补。
而在修复基板上的各芯片的电极方向与待修补的转移基板上的芯片的电极方向不匹配时，则需要重复执行以下操作直到更新的修复基板上的芯片的电极方向与待修补的转移基板上的芯片的电极方向匹配为止：
将修复基板与更新用空白基板相对设置，使修复基板上的芯片面向该更新用空白基板设置；
将修复基板上的各芯片转移至更新用空白基板上，形成更新的修复基板；
采用最后一次更新的修复基板对转移基板进行巨量修补。
图11a为本发明实施例提供的需要进行更新的修复基板的结构示意图，图11b为本发明实施例提供的更新用空白基板的结构示意图，图11c为本发明实施例提供的更新后的修复基板的结构示意图。
如图11a所示，如果根据缺陷位置坐标构建的修复基板400上的各Micro LED的电极远离修复基板400一侧设置，从而导致采用这样的修复基板400对转移基板300进行巨量修补之后Micro LED的电极方向与转移基板不匹配时，需要对修复基板400进行更新。
如图11b所示，可以将修复基板400与一更新用空白基板500相对设置，其中，修复基板400与Micro LED之间存在一层光解材料，同样地，更新用空白基板500面向修复基板400的一侧也设置一层光解材料。在对修复基板400进行激光照射时，光解材料在光照作用下分解，修复基板400上的Micro LED脱落并固定到更新用空白基板500上，此时形成如图11c所示的更新的修复基板500’。
更新的修复基板500’上Micro LED的电极方向与转移基板上已存在的Micro LED的电极方向相匹配，在采用图11c中更新的修复基板500’对转移基板进行巨量转移的情况可以参照图6b，具体的修补方法可以参见上述实施例，在此不做限定。
由此，通过重复更新修复基板的步骤最终可以使最后一次更新的修复基板上的Micro LED电极方向与转移基板相匹配，上述方法不仅适用于水平结构的Micro LED，同样适用于垂直结构的Micro LED，具体操作过程此处不再赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例提供一种显示装置，该显示装置采用上述任一芯片巨量转移方法得到。采用本发明实施例提供的芯片巨量转移方法得到的显示装置上无缺失的芯片，且修补效率高，不会对显示装置中的显示基板产生过多的损伤，有利于提高良率。
本发明实施例提供的显示装置可以为Micro LED显示装置，该Micro LED显示装置可以为手机、电脑、平板、电视、电子相框等用于图像显示的显示设备，在此不做限定。显示装置除包括上述显示基板以外，还绑定有用于控制显示基板进行图像显示的驱动芯片以及封装结构。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种芯片巨量转移方法，其特征在于，包括：
采用拾取基板将芯片巨量转移至转移基板上；
对所述转移基板中存在芯片缺陷的位置处进行修补；
将修补后的转移基板上的各芯片一次性转移至显示基板上。
2.如权利要求1所述的芯片巨量转移方法，其特征在于，所述对所述转移基板中存在芯片缺陷的位置处进行修补，包括：
确定所述转移基板中产生芯片缺陷的缺陷位置坐标；
根据各所述缺陷位置坐标构建修补基板；其中，所述修补基板在各所述缺陷位置坐标处设置有待转移的芯片；
采用所述修补基板对所述转移基板进行修补，以使所述修补基板上的各芯片转移至所述转移基板的各所述缺陷位置坐标处。
3.如权利要求2所述的芯片巨量转移方法，其特征在于，所述确定所述转移基板中产生芯片缺陷的缺陷位置坐标，包括：
获取采用所述拾取基板转移芯片后的所述转移基板的检测图像；
根据所述检测图像，确定所述检测图像中是否存在芯片缺陷；
在确定所述检测图像中存在芯片缺陷时，根据所述检测图像确定产生所述芯片缺陷的缺陷位置坐标。
4.如权利要求2所述的芯片巨量转移方法，其特征在于，所述根据各所述缺陷位置坐标构建修补基板，包括：
提供元件基板和空白基板；所述元件基板上设置有多个芯片，所述空白基板上未设置芯片；
将所述元件基板和所述空白基板对位设置，所述元件基板上的各芯片面向所述空白基板设置；
将对位后的所述空白基板和所述元件基板进行贴合，使所述元件基板上对应于所述缺陷位置坐标处的芯片转移至所述空白基板上，形成所述修补基板。
5.如权利要求4所述的芯片巨量转移方法，其特征在于，所述缺陷位置坐标处对应的芯片具有至少一种颜色；同一所述修补基板上的芯片的颜色相同；
所述提供元件基板和空白基板，包括：
提供与所述缺陷位置坐标处芯片的颜色对应的元件基板和空白基板；其中，同一所述元件基板上的芯片的颜色相同；
所述将对位后的所述空白基板和所述元件基板进行贴合，使所述元件基板上对应于所述缺陷位置坐标处的芯片转移至所述空白基板上，形成所述修补基板，包括：
针对所述缺陷位置坐标处芯片对应的每一种颜色，将对应所述颜色的空白基板和元件基板进行贴合，使所述元件基板上对应于所述颜色及所述缺陷位置坐标处的芯片转移至所述空白基板上，形成对应所述颜色的修补基板。
6.如权利要求4所述的芯片巨量转移方法，其特征在于，所述空白基板面向所述元件基板一侧设置有第一光解材料层；
所述使所述元件基板上对应于所述缺陷位置坐标处的芯片转移至所述空白基板上，包括：
将对位后的所述空白基板与所述元件基板上的芯片，通过所述第一光解材料层进行粘结；
将对应于所述缺陷位置坐标处的芯片与所述元件基板分离，以使所述空白基板将对应于所述缺陷位置坐标处的芯片进行拾取。
7.如权利要求2-6任一项所述的芯片巨量转移方法，其特征在于，所述转移基板与各芯片之间采用第二光解材料层进行粘结；在所述采用所述修补基板对所述转移基板进行修补之前，还包括：
通过激光照射所述转移基板上对应于所述缺陷位置坐标处的第二光解材料层，以去除对应于所述缺陷位置坐标处的第二光解材料层，剩余除所述缺陷位置坐标处之外的其余区域处的第二光解材料层；
所述采用所述修补基板对所述转移基板进行修补，以使所述修补基板上的各芯片转移至所述转移基板的各所述缺陷位置坐标处，包括：
在所述修补基板的芯片上形成一一对应的光解粘结结构；
将形成有所述光解粘结结构的修补基板和所述转移基板对位设置，所述修补基板上的各芯片面向所述转移基板具有芯片的一侧设置；
将对位后的所述修补基板和所述转移基板进行贴合，使所述修补基板上对应于所述缺陷位置坐标处的芯片转移至所述转移基板上的各所述缺陷位置坐标处。
8.如权利要求7所述的芯片巨量转移方法，其特征在于，所述在所述修补基板的芯片上形成一一对应的光解粘结结构，包括：
在所述修补基板的芯片上形成整面覆盖的光解粘结膜层；
通过激光照射所述修补基板上除所述缺陷位置坐标处之外的其余区域，去除所述其余区域中的光解粘结膜层，剩余对应于各所述缺陷位置坐标处的芯片上的光解粘结膜层，形成所述光解粘结结构；
所述将对位后的所述修补基板和所述转移基板进行贴合，使所述修补基板上对应于各所述缺陷位置坐标处的芯片转移至所述转移基板上的各所述缺陷位置坐标处，包括：
采用热压固化工艺将对位后的所述修补基板上的芯片通过所述光解粘结结构和所述转移基板进行粘结；
通过激光照射所述修补基板上对应于各所述缺陷位置坐标处，将对应于各所述缺陷位置坐标处的芯片与所述修补基板分离，以使所述转移基板将对应于各所述缺陷位置坐标处的芯片进行拾取。
9.如权利要求2-6任一项所述的芯片巨量转移方法，其特征在于，所述采用所述修补基板对所述转移基板进行修补之前，还包括：
确定所述修补基板上的各芯片的电极方向是否与待修补的转移基板上的芯片的电极方向相匹配；
在所述修补基板上的各芯片的电极方向与待修补的转移基板上的芯片的电极方向匹配时，采用所述修补基板对转移基板进行修补；
在所述修补基板上的各芯片的电极方向与待修补的转移基板上的芯片的电极方向不匹配时，重复执行以下操作直到更新的修补基板上的芯片的电极方向与待修补的转移基板上的芯片的电极方向匹配为止：
将所述修补基板与更新用空白基板对位设置，使所述修补基板上的芯片面向所述更新用空白基板设置；
将所述修补基板上的各芯片转移至所述更新用空白基板上，形成更新的修补基板；
采用最后一次更新的修补基板对所述转移基板进行修补。
10.一种显示装置，其特征在于，采用如权利要求1-9任一项所述的芯片巨量转移方法得到。
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