CN117117049A - 晶元修复方法、装置、设备、介质和程序产品 - Google Patents

晶元修复方法、装置、设备、介质和程序产品 Download PDF

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CN117117049A CN202311338284.0A CN202311338284A CN117117049A CN 117117049 A CN117117049 A CN 117117049A CN 202311338284 A CN202311338284 A CN 202311338284A CN 117117049 A CN117117049 A CN 117117049A
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Abstract

本申请涉及半导体技术领域,特别涉及一种晶元修复方法、装置、设备、介质和程序产品。所述晶元修复方法包括:根据预设的簇尺寸和待修复图片中的待修复位置,确定至少一个目标簇;待修复图片对应第一基板,待修复位置对应第一基板中的缺陷点位;确定各目标簇的修复顺序;合成各目标簇包含的待修复位置,得到待修复位置参考图;根据待修复位置参考图,从第二基板中确定出目标区域;按照修复顺序,采用目标区域对各目标簇进行修复,通过该种设置,加快了修复处理速度,有效减少了第一基板的无效移动和第二基板的无效移动,提高了晶元修复过程中的修复效率,提高了第二基板的利用率,降低了晶元修复的成本。

Description

晶元修复方法、装置、设备、介质和程序产品
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,特别是涉及一种晶元修复方法、装置、设备、介质和程序产品。
背景技术
Micro LED是OLED之后的新一代显示技术,相比传统的LCD、OLED等显示技术,Micro LED的分辨率与色彩饱和度更好、功耗更低。但Micro LED制程所涉及的激光巨量转移技术开发难度极大,良率提升困难。
然而,目前对于巨量转移后的基板进行修复的工艺操作难度较大,生产效率和晶圆利用率都较低。
发明内容
基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种能够提高晶元修复效率的晶元修复方法、装置、设备、介质和程序产品。
第一方面,本申请提供了一种晶元修复方法,包括:
根据预设的簇尺寸和待修复图片中的待修复位置,确定至少一个目标簇;所述待修复图片对应第一基板,所述待修复位置对应所述第一基板中的缺陷点位;
确定各所述目标簇的修复顺序;
合成各所述目标簇包含的待修复位置,得到待修复位置参考图;
根据所述待修复位置参考图,从第二基板中确定出目标区域;
按照所述修复顺序,采用所述目标区域对各所述目标簇进行修复。
在其中一个实施例中,所述根据预设的簇尺寸和待修复图片中的待修复位置,确定至少一个目标簇之前,包括:
根据所述第一基板及所述第一基板包含的缺陷点位,生成待修复图片。
在其中一个实施例中,所述根据预设的簇尺寸和待修复图片中的待修复位置,确定至少一个目标簇,包括:
以所述待修复位置为中心,获取所述簇尺寸范围内的区域作为初始簇;
获取各所述初始簇之间的相交关系;
获取存在相交关系的初始簇中各待修复位置的距离值;
将所述距离值未达到预设距离阈值的待修复位置所在初始簇合并,得到合并簇;
按照所述簇尺寸,对所述合并簇进行分割,得到所述目标簇。
在其中一个实施例中,所述确定各所述目标簇的修复顺序,包括:
基于所述目标簇进行路径规划,得到目标修复路径;所述目标修复路径包括所述目标簇之间的连接关系和移动方向;
按照所述目标簇的连接关系和移动方向,确定各所述目标簇的修复顺序。
在其中一个实施例中,所述缺陷点位包括三种子缺陷点位,所述待修复位置包括分别与三种子缺陷点位对应的三种子待修复位置;三种子缺陷点位预先设置有处理顺序;
所述根据预设的簇尺寸和待修复图片中的待修复位置,确定至少一个目标簇,包括:
根据所述簇尺寸和所述子待修复位置,确定三种所述子待修复位置对应的三种目标簇;
所述基于所述目标簇进行路径规划,得到目标修复路径,包括:
基于三种所述目标簇进行路径规划,得到根据所述处理顺序依次排列的三种目标修复路径。
在其中一个实施例中,所述基于所述目标簇进行路径规划,得到目标修复路径,包括:
获取所述目标簇的总数值;
当所述目标簇的总数值未达到预设数值时,采用穷举法获取初始修复路径,并基于所述初始修复路径确定所述目标修复路径;
当所述目标簇的总数值达到预设数值时,采用遗传算法确定所述目标修复路径。
在其中一个实施例中,所述按照所述修复顺序,采用所述目标区域对各所述目标簇进行修复,包括:
根据所述目标簇的连接关系和移动方向,生成两两所述目标簇对应的所述第一基板的至少一个移动路径;
当所述目标区域成功修复所述目标簇对应的缺陷点位时,根据所述修复顺序确定下一个目标簇;
根据成功修复的目标簇和下一个目标簇对应的移动路径,采用移动装置移动所述第一基板;
采用所述目标区域修复下一个目标簇,直到成功修复所述修复顺序中的最后一个目标簇。
在其中一个实施例中,所述当所述目标区域成功修复所述目标簇对应的缺陷点位时,根据所述修复顺序确定下一个目标簇之前,包括:
确定所述目标簇对应的缺陷点位的修复状态;
所述方法还包括:
当所述目标区域未成功修复所述目标簇对应的缺陷点位时,发出告警。
在其中一个实施例中,所述根据所述待修复位置参考图,从第二基板中确定出目标区域,包括:
按照预设分区尺寸,对所述第二基板对应的修复图片进行分割,得到多个初始修复区域;
遍历各所述初始修复区域,将符合所述待修复位置参考图的初始修复区域作为所述目标区域。
第二方面,本申请还提供了一种晶元修复装置,包括:
第一确定模块,用于根据预设的簇尺寸和待修复图片中的待修复位置,确定至少一个目标簇;所述待修复图片对应第一基板,所述待修复位置对应所述第一基板中的缺陷点位;
第二确定模块,用于确定各所述目标簇的修复顺序;
合成模块,用于合成各所述目标簇包含的待修复位置,得到待修复位置参考图;
第三确定模块,用于根据所述待修复位置参考图,从第二基板中确定出目标区域;
修复模块,用于按照所述修复顺序,采用所述目标区域对各所述目标簇进行修复。
第三方面,本申请还提供了一种电子设备,包括,
采用上述任一实施例所述的晶元修复方法修复得到的芯片。
第四方面,本申请还提供了一种计算机设备。所述计算机设备包括存储器和处理器,所述存储器存储有计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一实施例所述的晶元修复方法。
第五方面,本申请还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一实施例所述的晶元修复方法。
第六方面,本申请还提供了一种计算机程序产品。所述计算机程序产品,包括计算机程序,该计算机程序产品被处理器执行时实现上述任一实施例所述的晶元修复方法。
上述晶元修复方法、装置、设备、介质和程序产品,能够根据第一基板和第一基板上的缺陷点位生成对应的待修复图片及待修复图片上的待修复位置,将实际位置校准转换为图片处理,加快了修复处理速度,并且,能够根据待修复位置生成目标簇,并进一步对各个目标簇进行修复顺序的规划,有效减少了第一基板的无效移动和第二基板的无效移动,提高了晶元修复过程中的修复效率;进一步地,还能够将各个目标簇合成得到待修复位置参考图,并根据待修复位置参考图将第二基板的部分区域作为目标区域,避免了第二基板的浪费,提高了第二基板的利用率,降低了晶元修复的成本。
附图说明
图1为一个实施例中晶元修复方法的应用环境图;
图2为一个实施例中晶元修复方法的流程示意图;
图3为一个实施例中晶元修复方法中四个目标簇编码处理后的示意图;
图4为一个实施例中晶元修复方法中四个目标簇叠加处理的示意图;
图5为一个实施例中晶元修复方法的流程示意图;
图6为一个实施例中晶元修复方法的流程示意图;
图7为一个实施例中晶元修复方法的流程示意图;
图8为一个实施例中晶元修复方法的流程示意图;
图9为一个实施例中晶元修复装置的结构框图;
图10为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
本申请实施例提供的晶元修复方法,可以应用于如图1所示的应用环境中。其中,终端102通过网络与服务器104通过网络进行通信。
例如,晶元修复方法应用于终端102,在终端102检测到针对待修复图片的修复信号时,终端102首先从服务器104的数据存储系统中获取预设的簇尺寸和修复信号针对的待修复图片,随后根据簇尺寸和待修复图片中的待修复位置,确定至少一个目标簇;待修复图片对应第一基板,待修复位置对应第一基板中的缺陷点位;随后终端102确定各目标簇的修复顺序,合成各目标簇包含的待修复位置,得到待修复位置参考图;并根据待修复位置参考图,从第二基板中确定出目标区域;最后按照修复顺序,采用目标区域对各目标簇进行修复,其中,终端102可以但不限于是各种个人计算机、笔记本电脑、智能手机、平板电脑和便携式可穿戴设备。便携式可穿戴设备可为智能手表、智能手环、头戴设备等。服务器104可以用独立的服务器或者是多个服务器组成的服务器集群来实现。终端102和服务器104可以通过有线或无线通信方式进行直接或间接的连接,例如通过网络连接。
又例如,晶元修复方法应用于服务器104,在终端102检测到针对带修复图片的修复信号时,终端102将修复信号发送至服务器104,随后服务器104从数据存储系统中获取预设的簇尺寸和修复信号针对的待修复图片,并根据簇尺寸和待修复图片中的待修复位置,确定至少一个目标簇;待修复图片对应第一基板,待修复位置对应第一基板中的缺陷点位;随后终端102确定各目标簇的修复顺序,合成各目标簇包含的待修复位置,得到待修复位置参考图;并根据待修复位置参考图,从第二基板中确定出目标区域;最后按照修复顺序,采用目标区域对各目标簇进行修复,可以理解的是,数据存储系统可为独立的存储设备,或者该数据存储系统位于服务器上,或者该数据存储系统位于另一终端上。
在一个实施例中,提供了一种晶元修复方法,本实施例以该方法应用于终端进行举例说明,可以理解的是,该方法也可以应用于服务器,还可以应用于包括终端和服务器的系统,并通过终端和服务器的交互实现。如图2所示,该晶元修复方法包括:
步骤202、根据预设的簇尺寸和待修复图片中的待修复位置,确定至少一个目标簇;待修复图片对应第一基板,待修复位置对应第一基板中的缺陷点位。
簇尺寸指的是预先设置的、对待修复图片进行切分的区域面积或区域的大小,簇指的是从待修复图片中划分出的区域。在本实施例中,簇尺寸通常指的是待修复图片中划分出的区域的宽度和高度。
目标簇指的是从待修复图片中划分出的、包含待修复位置的区域。
待修复图片指的是根据完成巨量转移后的第一基板和完成巨量转移后的第一基板上的缺陷点位生成的图片。
待修复位置指的是待修复图片上对应缺陷点位的位置。
缺陷点位指的是第一基板上在巨量转移过程中未成功转移晶元的位置。
第一基板指的可以是完成巨量转移后得到的、需要对缺陷点位进行二次晶元转移的基板。
作为示例,在制造Micro LED显示屏时,需要将大量的微小LED器件、即晶元从原始基板上分离,并转移到目标基板上进行组装。这个过程涉及到巨量转移,即大量的微小LED器件从一个基板上转移到另一个基板上。这个过程需要精确的操作和控制,以确保每个微小LED器件的正确位置和连接,以实现高质量的显示效果。Micro LED是一种新型的显示技术,它由许多微小的LED组成,每个LED都可以独立发光。其中,将大量的微小LED期间转移到目标基板上后,即得到第一基板,在完成巨量转移后,因为技术的不成熟,第一基板之上会存在许多空缺的位置,即缺陷点位。
其中,待修复图片是基于第一基板和第一基板上的缺陷点位生成的,生成过程具体可以包括:采用相机或手机等设备拍摄第一基板和第一基板上的缺陷点位,并将拍摄得到的照片进行裁剪、去噪、调整亮度、对比度、色彩等参数的初始处理,得到待修复图片。又或者,可以根据预设的缩放比例,采用第一基板的尺寸和形状和第一基板上的缺陷点位的尺寸和形状,使用图像处理软件,绘制出待修复图片。在其他实施例中,还可以采用扫描仪成像等方式生成待修复图片。
在步骤202中,终端可以在接收到修复信号时,自动触发确定目标簇的处理,其中,修复信号可以是用户通过终端的人机交互界面发出的,又或者,在任意一个与图片存储、图片交互相关的应用场景中,当终端获取到前序处理步骤产生的任意一张待修复图片时,即自动生成修复信号,以对待修复图片进行目标簇的确定处理。例如,在用户通过图像处理软件生成第一基板和第一基板上的缺陷点位对应的待修复图片时,服务器104的数据存储系统将该待修复图像进行存储并发送给终端,终端此时自动生成修复信号,以对该待修复图像进行目标簇的确定处理。
步骤204、确定各目标簇的修复顺序。
修复顺序指的是对缺陷点位进行二次晶元转移的顺序。
在实际的生产过程中,一个基板上设置有大量的晶圆,其中存在的缺陷点位可能分散分布在基板的各个角落,则在进行时机修复之前,需要预先确定不同缺陷点位、即不同目标簇的修复顺序。
步骤206、合成各目标簇包含的待修复位置,得到待修复位置参考图。
在合成目标簇包含的待修复位置之前,可以对目标簇进行编码处理,编码处理后的目标簇中每个晶元的连接位置可以为0,编码处理后的目标簇中的待修复位置可以为1。
待修复图片中各目标簇的尺寸相同,则可以将编码处理后的各目标簇进行叠加处理,作为示例,如图3所示,步骤202从待修复图片中确定出四处目标簇,对四个目标簇进行编码处理后可以表示为图3中1-4的四个示意图(省略编码处理后的目标簇中每个晶元的连接位置,仅保留编码处理后的目标簇中的待修复位置),随后将四个示意图进行叠加处理,得到如图4所示的待修复位置参考图。
步骤208、根据待修复位置参考图,从第二基板中确定出目标区域。
第二基板指的是连接有多个备用的晶元、能够在第一基板上的缺陷点位进行二次晶元转移的基板,第二基板上的晶元排列规则与第一基板上的晶元排列规则相同。
目标区域指的是用于修复第一基板上的缺陷点位的第二基板上的部分区域。作为示例,目标区域可以是将固定尺寸大小的第二基板进行四分区或九分区后得到的其中一块区域。
步骤210、按照修复顺序,采用目标区域对各目标簇进行修复。
本实施例中,终端例如可以按照各目标簇的修复顺序,进一步生成两两目标簇之间的移动路径,随后按照移动路径生成相应的控制指令,以控制实际的移动设备分别移动第一基板和第二基板,以将第二基板的目标区域上的晶元填入第一基板的缺陷点位中,完成第一基板的修复。
其中,根据各目标簇的修复顺序生成两两目标簇之间的移动路径,例如可以采用穷举法或遗传算法来进行移动轨迹的规划。
上述晶元修复方法中,能够根据第一基板和第一基板上的缺陷点位生成对应的待修复图片及待修复图片上的待修复位置,将实际位置校准转换为图片处理,加快了修复处理速度,并且,能够根据待修复位置生成目标簇,并进一步对各个目标簇进行修复顺序的规划,有效减少了第一基板的无效移动和第二基板的无效移动,提高了晶元修复过程中的修复效率;进一步地,还能够将各个目标簇合成得到待修复位置参考图,并根据待修复位置参考图将第二基板的部分区域作为目标区域,避免了第二基板的浪费,提高了第二基板的利用率,降低了晶元修复的成本。
如图5所示,在一些可选的实施例中,步骤202包括:
步骤2021、以待修复位置为中心,获取簇尺寸范围内的区域作为初始簇;
步骤2022、获取各初始簇之间的相交关系;
步骤2023、获取存在相交关系的初始簇中各待修复位置的距离值;
步骤2024、将距离值未达到预设距离阈值的待修复位置所在初始簇合并,得到合并簇;
步骤2025、按照簇尺寸,对合并簇进行分割,得到目标簇。
作为示例,在生成待修复图片时,例如可以按照预设缩放比例,将第一基板上的每个晶元安插位置,绘制成1cm×1cm的方块,相应的,簇尺寸例如可以预先设置为5cm×5cm。则在步骤2021中,可以将待修复位置所对应的方块作为中心,将5cm×5cm范围内的所有方块确定为当前待修复位置对应的初始簇。需要说明的是,上述示例中的方块尺寸仅用于帮助理解第一基板的划分,方块尺寸可以根据实际需求进行调整。
进一步地,针对每个初始簇,判断该初始簇与其余各初始簇是否存在重合的方块,若是,则确定存在重合方块的两个初始簇存在重合关系,一个初始簇可以与多个其余初始簇间存在重合关系。
针对存在重合关系的初始簇,计算这些初始簇的待修复位置对应方块之间的距离值,并在初始簇之间的距离值小于预设距离阈值时,将初始簇进行合并。合并的过程例如可以包括:根据待修复图片建立以竖直方向为y轴,水平方向为x轴的坐标系,针对进行合并的初始簇,获取这些初始簇中的待修复位置的坐标位置,并根据这些初始簇中的待修复位置的坐标位置,将最小的x轴坐标值作为合并簇的左边界,将最大的x轴坐标值作为合并簇的右边界,将最小的y轴坐标值作为合并簇的下边界,将最大的y轴坐标值作为合并簇的上边界,从而确定出合并簇的区域。
作为示例,当初始簇1与初始簇2、初始簇3之间存在重合关系、初始簇2与初始簇1、初始簇4之间存在重合关系时,可进一步计算初始簇1与初始簇2的距离值、初始簇1与初始簇3的距离值以及初始簇2与初始簇4的距离值,当初始簇1与初始簇2的距离值和初始簇1与初始簇3的距离值均小于预设距离阈值,且初始簇2与初始簇4的距离值也小于预设距离阈值时,可以将初始簇1、初始簇2、初始簇3、初始簇4作为一个集群,并根据四个初始簇所处位置,划分出一个面积最小、且能完全包含四个初始簇的合并簇。
随后,按照上述簇尺寸,在合并簇内进行滑窗匹配,可以确定出多种分割方案,从中选取出分割出簇的数量最少的一种分割方案,将分割后形成的簇作为目标簇。
在另一种实施例中,在步骤2025中可以采用与簇尺寸不同的分割尺寸,对合并簇进行分割,得到目标簇。
如图6所示,在一些可选的实施例中,步骤204包括:
步骤2041、基于目标簇进行路径规划,得到目标修复路径;目标修复路径包括目标簇之间的连接关系和移动方向;
步骤2042、按照目标簇的连接关系和移动方向,确定各目标簇的修复顺序。
本实施例中,例如可以预先根据上述的坐标系,将待修复图片中的各待修复位置转换为实际的坐标点,并将处于同一目标簇中的待修复位置作为一个路径节点,随后根据各路径节点进行路径规划,路径规划的过程例如可以采用遗传算法(GeneticAlgorithm)解决轨迹优化问题,以确定目标修复路径的起点、终点和移动方向。
其中,目标修复路径包括了所有目标簇之间的连接关系和移动方向,根据目标簇之间的连接关系和移动方向可以确定各目标簇的修复顺序。
在一种实施例中,在采用巨量转移的方式在第一基板上连接晶元的过程中,可以按照预先设置的连接顺序依次间隔的将三种颜色的晶元连接在第一基板上,因此第一基板上可以包含有三种颜色的晶元,分别对应RGB的三种原色,则相应的,第一基板上的缺陷点位包含有三种子缺陷点位,分别对应三种颜色的晶元缺失的位置,待修复图片上也同样包含有三种子待修复位置。
在一种可选的实施例中,步骤2041包括:
获取目标簇的总数值;
当目标簇的总数值未达到预设数值时,采用穷举法获取初始修复路径,并基于初始修复路径确定目标修复路径;
当目标簇的总数值达到预设数值时,采用遗传算法确定目标修复路径
预设数值例如可以是8。
当目标簇的总数值未超过8时,此时采用穷举法可以获取8!=40320种路径,此时可以穷尽计算每种路径的移动距离,将移动距离最小的一种路径作为目标修复路径。
当目标簇的总数值超过8时,例如达到10时,此时若采用穷举法将获得10!=3628800种路径,此时再穷尽计算每种路径的移动距离的计算数量较大,则采用遗传算法进行轨迹的优化,得到目标修复路径。
进一步地,还可以预先设置处理顺序,以按照三种颜色的晶元的修复前后关系,在步骤202中,根据簇尺寸和三种子待修复位置,可以确定三种子待修复位置对应的三种目标簇。随后在步骤204中,可以基于三种目标簇进行路径规划,得到根据处理顺序依次排列的三种目标修复路径,在步骤206中,能够合成三种子目标簇对应的三种待修复位置参考图,在步骤208中,能够根据三种待修复位置参考图,分别确定出三种目标区域,并在步骤210中,按照处理顺序,依次对三种子目标簇进行修复,并在修复每种子目标簇时,进一步按照当前子目标簇对应的目标修复路径,采用当前子目标簇对应的目标区域对当前子目标簇进行修复。
如图7所示,在一些可选的实施例中,步骤208包括:
步骤2081、按照预设分区尺寸,对第二基板对应的修复图片进行分割,得到多个初始修复区域;
步骤2082、遍历各初始修复区域,将符合待修复位置参考图的初始修复区域作为目标区域。
预设分区尺寸指的是对第二基板对应的修复图片进行分割的区域面积或区域的大小。
修复图片指的是根据第二基板生成的图片。
其中,修复图片是基于第二基板生成的,生成过程具体可以包括:采用相机或手机等设备拍摄第二基板,并将拍摄得到的照片进行裁剪、去噪、调整亮度、对比度、色彩等参数的初始处理,得到修复图片。又或者,可以根据预设的缩放比例,采用第二基板的尺寸和形状,使用图像处理软件,绘制出修复图片。在其他实施例中,还可以采用扫描仪成像等方式生成修复图片。
符合待修复位置参考图的标准例如可以为:
参考图5,当待修复位置参考图中存在合成后的数值大于1的方块时,即存在需要第二基板的目标区域进行多次修补的位置时,可以首先默认第二基板对应的方块的数值均为1,随后将初始修复区域与待修复位置参考图进行与运算,以确定初始修复区域是否能够修复待修复位置参考图中所有数值为1的方块,随后按照方块的边长进行滑窗处理,以确定初始修复区域是否能够修复待修复位置参考图中所有数值为2的方块…以此类推,直到确定初始修复区域能够修复待修复位置参考图中所有数值的方块。
如图8所示,在一些可选的实施例中,步骤210包括:
步骤2101、根据目标簇的连接关系和移动方向,生成两两目标簇对应的第一基板的至少一个移动路径;
步骤2102、当目标区域成功修复目标簇对应的缺陷点位时,根据修复顺序确定下一个目标簇;
步骤2103、根据成功修复的目标簇和下一个目标簇对应的移动路径,采用移动装置移动第一基板;
步骤2104、采用目标区域修复下一个目标簇,直到成功修复修复顺序中的最后一个目标簇。
在生成目标修复路径的过程中,将处于同一目标簇中的待修复位置作为一个路径节点,则进一步将目标修复路径进行各个路径节点之间的拆分,得到两两路径节点之间的移动方向和移动路径。
本实施例中,终端可以根据第一基板静止、第二基板移动;第一基板移动、第二基板静止;第一基板和第二基板一起移动这三种方式,根据两两路径节点之间的移动方向和移动路径生成三种类型的第一控制指令,以分别控制第一基板和第二基板的移动或静止,使得目标区域对应的第二基板的实际区域能够与目标簇对应的第一基板的实际区域相对,并控制目标区域对应的第二基板的实际区域上的晶元转移至目标簇对应的第一基板的实际区域内的缺陷点位上,从而完成修复。
进一步的,在当前目标簇对应的第一基板的区域修复完成后,可以根据修复顺序确定下一个目标簇对应的第一基板的实际区域,终端进一步根据两个目标簇之间的移动路径,生成第一控制指令分别控制第一基板和第二基板的移动或静止,使得目标区域对应的第二基板的实际区域能够与下一个目标簇对应的第一基板的实际区域相对,并控制目标区域对应的第二基板的实际区域上的晶元转移至下一个目标簇对应的第一基板的实际区域内的缺陷点位上,从而完成下一个目标簇对应的第一基板的实际区域内的缺陷点位的修复。
需要说明的是,针对修复顺序中的第二个目标簇及之后所有目标簇对应的第一基板的实际区域,终端进一步还会生成第二控制指令,以轻微调整目标区域对应的第二基板的实际区域与目标簇对应的第一基板的实际区域的相对位置,从而确保目标区域与目标簇对应的第一基板的实际区域内的缺陷点位相对的位置上存在能够用于修复的晶元。
在一些可选的实施例中,在步骤2102之前,还包括:
确定目标簇对应的缺陷点位的修复状态。
则步骤2102需要在确定当前目标簇对应的第一基板的实际区域内的缺陷点位的修复状态为修复完成时,再根据修复顺序确定下一个目标簇。
并且,在当目标区域未成功修复目标簇对应的缺陷点位时,终端可以发出告警以提示工作人员第二基板修复失败。
上述晶元修复方法中,能够根据第一基板和第一基板上的缺陷点位生成对应的待修复图片及待修复图片上的待修复位置,将实际位置校准转换为图片处理,加快了修复处理速度,并且,能够根据RGB三种颜色的晶元对应的处理顺序,依次对三种晶元对应的目标簇范围内的待修复位置进行依次修复,从晶元种类、目标簇修复顺序这两种维度确定了整个第一基板中缺陷点位的修复顺序,提高了修复效率;采用遗传算法对各个目标簇之前的移动路径进行优化,得到移动距离最短的移动路径,有效减少了第一基板的无效移动和第二基板的无效移动,提高了晶元修复过程中的修复效率;进一步地,还能够将各个目标簇合成得到待修复位置参考图,并根据待修复位置参考图将第二基板的部分区域作为目标区域,避免了第二基板的浪费,提高了第二基板的利用率,降低了晶元修复的成本。
应该理解的是,虽然如上的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示,但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明,这些步骤的执行并没有严格的顺序限制,这些步骤可以以其它的顺序执行。而且,如上的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段,这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成,而是可以在不同的时刻执行,这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行,而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
基于同样的发明构思,本申请实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的晶元修复方法的晶元修复装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似,故下面所提供的一个或多个晶元修复装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于晶元修复方法的限定,在此不再赘述。
在一个实施例中,如图9所示,提供了一种晶元修复装置900,包括:第一确定模块902、第二确定模块904、合成模块906、第三确定模块908和修复模块910,其中:
第一确定模块902用于根据预设的簇尺寸和待修复图片中的待修复位置,确定至少一个目标簇;待修复图片对应第一基板,待修复位置对应第一基板中的缺陷点位;
第二确定模块904用于确定各目标簇的修复顺序;
合成模块906用于合成各目标簇包含的待修复位置,得到待修复位置参考图;
第三确定模块908用于根据待修复位置参考图,从第二基板中确定出目标区域;
修复模块910用于按照修复顺序,采用目标区域对各目标簇进行修复。
在一些可选的实施例中,第一确定模块902还被配置为:
根据第一基板及第一基板包含的缺陷点位,生成待修复图片
在一些可选的实施例中,第一确定模块902还被配置为:
以待修复位置为中心,获取簇尺寸范围内的区域作为初始簇;
获取各初始簇之间的相交关系;
获取存在相交关系的初始簇中各待修复位置的距离值;
将距离值未达到预设距离阈值的待修复位置所在初始簇合并,得到合并簇;
按照簇尺寸,对合并簇进行分割,得到目标簇。
在一些可选的实施例中,第二确定模块904还被配置为:
基于目标簇进行路径规划,得到目标修复路径;目标修复路径包括目标簇之间的连接关系和移动方向;
按照目标簇的连接关系和移动方向,确定各目标簇的修复顺序。
在一些可选的实施例中,缺陷点位包括三种子缺陷点位,待修复位置包括分别与三种子缺陷点位对应的三种子待修复位置;三种子缺陷点位预先设置有处理顺序;
第一确定模块902还被配置为:
根据簇尺寸和子待修复位置,确定三种子待修复位置对应的三种目标簇;
第二确定模块904还被配置为:
基于三种目标簇进行路径规划,得到根据处理顺序依次排列的三种目标修复路径。
在一些可选的实施例中,第二确定模块904还被配置为:
获取目标簇的总数值;
当目标簇的总数值未达到预设数值时,采用穷举法获取初始修复路径,并基于初始修复路径确定目标修复路径;
当目标簇的总数值达到预设数值时,采用遗传算法确定目标修复路径。
在一些可选的实施例中,修复模块910还被配置为:
根据目标簇的连接关系和移动方向,生成两两目标簇对应的第一基板的至少一个移动路径;
当目标区域成功修复目标簇对应的缺陷点位时,根据修复顺序确定下一个目标簇;
根据成功修复的目标簇和下一个目标簇对应的移动路径,采用移动装置移动第一基板;
采用目标区域修复下一个目标簇,直到成功修复修复顺序中的最后一个目标簇。
在一些可选的实施例中,修复模块910还被配置为:
确定目标簇对应的缺陷点位的修复状态;
当目标区域未成功修复目标簇对应的缺陷点位时,发出告警。
在一些可选的实施例中,第三确定模块908还被配置为:
按照预设分区尺寸,对第二基板对应的修复图片进行分割,得到多个初始修复区域;
遍历各初始修复区域,将符合待修复位置参考图的初始修复区域作为目标区域。
上述晶元修复装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中,也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中,以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
在一个实施例中,提供了一种电子设备,包括:
采用上述任一实施例所述的晶元修复方法修复得到的芯片。
电子设备例如可以是电视、手机等智能设备。
在一个实施例中,提供了一种计算机设备,该计算机设备可以是终端,其内部结构图可以如图10所示。该计算机设备包括处理器、存储器、输入/输出接口、通信接口、显示单元和输入装置。其中,处理器、存储器和输入/输出接口通过系统总线连接,通信接口、显示单元和输入装置通过输入/输出接口连接到系统总线。其中,该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质和内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的输入/输出接口用于处理器与外部设备之间交换信息。该计算机设备的通信接口用于与外部的终端进行有线或无线方式的通信,无线方式可通过WIFI、移动蜂窝网络、NFC(近场通信)或其他技术实现。该计算机程序被处理器执行时以实现一种晶元修复方法。该计算机设备的显示单元用于形成视觉可见的画面,可以是显示屏、投影装置或虚拟现实成像装置。显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏,该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层,也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板,还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。
本领域技术人员可以理解,图10中示出的结构,仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图,并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定,具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者具有不同的部件布置。
在一个实施例中,提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现如上述任一实施例中所述的晶元修复方法。
在一个实施例中,提供了一种计算机程序产品,包括计算机程序,该计算机程序产品被处理器执行时实现实现如上述任一实施例中所述的晶元修复方法。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程,是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中,该计算机程序在执行时,可包括如上述各方法的实施例的流程。其中,本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用,均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-OnlyMemory,ROM)、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器(ReRAM)、磁变存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)、铁电存储器(Ferroelectric Random Access Memory,FRAM)、相变存储器(Phase Change Memory,PCM)、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory,RAM)或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限,RAM可以是多种形式,比如静态随机存取存储器(Static Random AccessMemory,SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic RandomAccess Memory,DRAM)等。本申请所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等,不限于此。本申请所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等,不限于此。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (14)

1.一种晶元修复方法,其特征在于,包括:
根据预设的簇尺寸和待修复图片中的待修复位置,确定至少一个目标簇;所述待修复图片对应第一基板,所述待修复位置对应所述第一基板中的缺陷点位;
确定各所述目标簇的修复顺序;
合成各所述目标簇包含的待修复位置,得到待修复位置参考图;
根据所述待修复位置参考图,从第二基板中确定出目标区域;所述第二基板上连接有多个备用的晶元,所述第二基板用于在所述缺陷点位进行二次晶元转移以进行晶元修复;
按照所述修复顺序,采用所述目标区域对各所述目标簇进行修复。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据预设的簇尺寸和待修复图片中的待修复位置,确定至少一个目标簇之前,包括:
根据所述第一基板及所述第一基板包含的缺陷点位,生成待修复图片。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据预设的簇尺寸和待修复图片中的待修复位置,确定至少一个目标簇,包括:
以所述待修复位置为中心,获取所述簇尺寸范围内的区域作为初始簇;
获取各所述初始簇之间的相交关系;
获取存在相交关系的初始簇中各待修复位置的距离值;
将所述距离值未达到预设距离阈值的待修复位置所在初始簇合并,得到合并簇;
按照所述簇尺寸,对所述合并簇进行分割,得到所述目标簇。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述确定各所述目标簇的修复顺序,包括:
基于所述目标簇进行路径规划,得到目标修复路径;所述目标修复路径包括所述目标簇之间的连接关系和移动方向;
按照所述目标簇的连接关系和移动方向,确定各所述目标簇的修复顺序。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述缺陷点位包括三种子缺陷点位,所述待修复位置包括分别与三种子缺陷点位对应的三种子待修复位置;三种子缺陷点位预先设置有处理顺序;
所述根据预设的簇尺寸和待修复图片中的待修复位置,确定至少一个目标簇,包括:
根据所述簇尺寸和所述子待修复位置,确定三种所述子待修复位置对应的三种目标簇;
所述基于所述目标簇进行路径规划,得到目标修复路径,包括:
基于三种所述目标簇进行路径规划,得到根据所述处理顺序依次排列的三种目标修复路径。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述基于所述目标簇进行路径规划,得到目标修复路径,包括:
获取所述目标簇的总数值;
当所述目标簇的总数值未达到预设数值时,采用穷举法获取初始修复路径,并基于所述初始修复路径确定所述目标修复路径;
当所述目标簇的总数值达到预设数值时,采用遗传算法确定所述目标修复路径。
7.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述按照所述修复顺序,采用所述目标区域对各所述目标簇进行修复,包括:
根据所述目标簇的连接关系和移动方向,生成两两所述目标簇对应的所述第一基板的至少一个移动路径;
当所述目标区域成功修复所述目标簇对应的缺陷点位时,根据所述修复顺序确定下一个目标簇;
根据成功修复的目标簇和下一个目标簇对应的移动路径,采用移动装置移动所述第一基板;
采用所述目标区域修复下一个目标簇,直到成功修复所述修复顺序中的最后一个目标簇。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述当所述目标区域成功修复所述目标簇对应的缺陷点位时,根据所述修复顺序确定下一个目标簇之前,包括:
确定所述目标簇对应的缺陷点位的修复状态;
所述方法还包括:
当所述目标区域未成功修复所述目标簇对应的缺陷点位时,发出告警。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述待修复位置参考图,从第二基板中确定出目标区域,包括:
按照预设分区尺寸,对所述第二基板对应的修复图片进行分割,得到多个初始修复区域;
遍历各所述初始修复区域,将符合所述待修复位置参考图的初始修复区域作为所述目标区域。
10.一种晶元修复装置,其特征在于,包括:
第一确定模块,用于根据预设的簇尺寸和待修复图片中的待修复位置,确定至少一个目标簇;所述待修复图片对应第一基板,所述待修复位置对应所述第一基板中的缺陷点位;
第二确定模块,用于确定各所述目标簇的修复顺序;
合成模块,用于合成各所述目标簇包含的待修复位置,得到待修复位置参考图;
第三确定模块,用于根据所述待修复位置参考图,从第二基板中确定出目标区域;所述第二基板上连接有多个备用的晶元,所述第二基板用于在所述缺陷点位进行二次晶元转移以进行晶元修复;
修复模块,用于按照所述修复顺序,采用所述目标区域对各所述目标簇进行修复。
11.一种电子设备,其特征在于,包括:
采用如权利要求1至9中任一项所述的晶元修复方法修复得到的芯片。
12.一种计算机设备,包括存储器和处理器,所述存储器存储有计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至9中任一项所述的晶元修复方法的步骤。
13.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至9中任一项所述的晶元修复方法的步骤。
14.一种计算机程序产品,包括计算机程序,其特征在于,该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至9中任一项所述的晶元修复方法的步骤。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111223080A (zh) * 2020-01-02 2020-06-02 长江存储科技有限责任公司 一种晶元的检测方法和装置、电子设备、存储介质
CN111522156A (zh) * 2020-04-22 2020-08-11 Tcl华星光电技术有限公司 基板缺陷的检测方法及装置
CN111933540A (zh) * 2020-07-07 2020-11-13 深圳市隆利科技股份有限公司 用于模块化修复led显示器的方法
CN112986259A (zh) * 2021-02-09 2021-06-18 清华大学 智能终端oled面板制造工艺的缺陷检测方法以及装置
CN113169250A (zh) * 2019-05-08 2021-07-23 三星电子株式会社 转移装置和使用该转移装置制造微型led显示器的方法
CN114113114A (zh) * 2021-11-29 2022-03-01 哈尔滨工业大学 一种大口径元件表面微缺陷检测与修复的自动化工艺方法
CN115132639A (zh) * 2022-06-28 2022-09-30 上海闻泰信息技术有限公司 Micro-LED修补载板的制备方法及显示装置的Micro-LED修补方法
CN115295687A (zh) * 2022-07-22 2022-11-04 苏州科韵激光科技有限公司 一种微型led芯片修复方法、装置、计算机设备及存储介质
CN115472725A (zh) * 2021-06-11 2022-12-13 海信视像科技股份有限公司 一种芯片巨量修补方法及显示装置
CN115548199A (zh) * 2021-06-30 2022-12-30 海信视像科技股份有限公司 一种芯片巨量转移方法及显示装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113169250A (zh) * 2019-05-08 2021-07-23 三星电子株式会社 转移装置和使用该转移装置制造微型led显示器的方法
CN111223080A (zh) * 2020-01-02 2020-06-02 长江存储科技有限责任公司 一种晶元的检测方法和装置、电子设备、存储介质
CN111522156A (zh) * 2020-04-22 2020-08-11 Tcl华星光电技术有限公司 基板缺陷的检测方法及装置
CN111933540A (zh) * 2020-07-07 2020-11-13 深圳市隆利科技股份有限公司 用于模块化修复led显示器的方法
CN112986259A (zh) * 2021-02-09 2021-06-18 清华大学 智能终端oled面板制造工艺的缺陷检测方法以及装置
CN115472725A (zh) * 2021-06-11 2022-12-13 海信视像科技股份有限公司 一种芯片巨量修补方法及显示装置
CN115548199A (zh) * 2021-06-30 2022-12-30 海信视像科技股份有限公司 一种芯片巨量转移方法及显示装置
CN114113114A (zh) * 2021-11-29 2022-03-01 哈尔滨工业大学 一种大口径元件表面微缺陷检测与修复的自动化工艺方法
CN115132639A (zh) * 2022-06-28 2022-09-30 上海闻泰信息技术有限公司 Micro-LED修补载板的制备方法及显示装置的Micro-LED修补方法
CN115295687A (zh) * 2022-07-22 2022-11-04 苏州科韵激光科技有限公司 一种微型led芯片修复方法、装置、计算机设备及存储介质

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