TWI831363B - 使用處理來並行轉移微型設備的方法 - Google Patents

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Abstract

一種轉移微型設備的方法，該方法包括以下步驟：當微型設備與第一黏著層附接時，選擇性地處理該第一黏著層以形成經處理部分和未處理部分。第二表面上的第二黏著層被放置為與該等微型設備鄰接。該第一黏著層在一區域中暴露於光照，該區域與該經處理部分的至少一些和該未處理部分的至少一些重疊。將該第一黏著層暴露於光照中和了該未處理部分的該至少一些，以創建中和部分，該中和部分的黏性比該經處理部分的暴露區域小。該第一表面與該第二表面分開，使得該經處理部分中的微型設備保持與該第一表面附接，並且該中和部分中的微型設備與該第二表面附接並與該第一表面分開。

Description

使用處理來並行轉移微型設備的方法
本揭示內容大致與將微型設備從供體基板轉移到目的地基板相關。
各種各樣的產品包括基板上單獨設備的陣列，這些設備可以由基板上的電路系統定址或控制。若這些單獨的設備是微米級的，例如，直徑小於100微米，則這些設備可以被視為微型設備。一般來說，可以使用一系列的微製造技術（如沉積、光刻和蝕刻）沉積和圖案化一系列的層，來製造微型設備。
製造包括單獨微型設備的陣列的設備的一種方法是在將形成產品一部分的基板上直接製造單獨的微型設備。這種技術已被用於例如製造主動矩陣液晶顯示器（LCD）的TFT面板和彩色濾光片面板。
一種提出的顯示面板技術使用LED陣列，其中由單獨的LED提供可單獨控制的像素元件。這樣的LED面板可以用於電腦、觸控面板設備、個人數位助理（PDA）、手機、電視監視器等。
儘管有機發光二極體（OLED）面板已經投入使用，但使用基於III-V族半導體技術的微米級LED（也稱為微型LED）的LED面板面臨更多問題。特別是，直接在最終顯示基板上沉積和生長III-V族半導體微型LED，會帶來技術和製造上的障礙。此外，微型LED面板很難製造成弧形或可彎曲的顯示器。
本揭示內容大致與用於大面積對微型設備進行表面安裝的系統和方法相關。
在一個態樣中，一種轉移微型設備的方法包括以下步驟：當複數個微型設備藉由第一黏著層與第一主體的第一表面附接時，選擇性地處理該第一黏著層，以形成該黏著層的經處理部分和該第一黏著層的未處理部分。該經處理部分與來自該複數個微型設備的一個或多個微型設備對應。當該複數個微型設備藉由該第一黏著層與該第一表面附接時，相對於該第一表面定位第二主體的第二表面，使得該第二表面上的第二黏著層在複數個微型設備的與該第一表面相對的一側與該複數個微型設備鄰接。將該第一黏著層暴露於一區域中的光照，該區域與該經處理部分的至少一些和該未處理部分的至少一些重疊，並且將該第一黏著層暴露於光照中和了該未處理部分的該至少一些，以創建中和部分，該中和部分的黏性比該經處理部分的暴露區域小。將該第一表面與該第二表面分開，使得與該第一黏著層的該經處理部分對應的一個或多個微型設備保持與該第一表面附接，並且與該中和部分對應的一個或多個微型設備與該第二表面附接並與該第一表面分開。
在另一個態樣中，一種轉移微型設備的方法包括以下步驟：當複數個微型設備藉由第一黏著層與第一主體的第一表面附接時，選擇性地處理該第一黏著層，以形成該第一黏著層的經處理部分和該第一黏著層的未處理部分，該經處理部分部分地但不完全地通過第一黏著層延伸。該選擇性地處理導致該經處理部分對於第一波長的光具有比該未處理部分更高的不透明度。當該複數個微型設備藉由該第一黏著層與該第一表面附接時，相對於該第一表面定位第二主體的第二表面，使得該第二表面上的第二黏著層在複數個微型設備的與該第一表面相對的一側與該複數個微型設備鄰接。該第一黏著層在與該經處理部分的至少一些和該未處理部分的至少一些重疊的區域中暴露於該第一波長的光照，並且將該第一黏著層暴露於光照中和了該未處理部分的該至少一些以創建中和部分，同時該經處理部分阻止光照到達該未處理部分的至少一些，從而提供該第一黏著層的暴露較少的部分，該暴露較少的部分的黏性比該中和部分大。將該第一表面與該第二表面分開，使得與該第一黏著層的該經處理部分對應的一個或多個微型設備保持與該第一表面附接，並且與該中和部分對應的一個或多個微型設備與該第二表面附接並與該第一表面分開。
在另一個態樣中，一種用於轉移微型設備的裝置包括：第一主體，具有用於接收第一黏著層的第一表面；第二主體，具有用於接收第二黏著層的第二表面；一個或多個致動器，被配置為在該第一主體與該第二主體之間提供相對運動；第一照明系統，被配置為選擇性地將該第一黏著層暴露於具有第一波長的光；第二照明系統，被配置為將該第一黏著層暴露於具有不同的第二波長的光；以及控制器，被配置為執行用於實現上文所討論的過程的必要操作。
在另一個態樣中，一種轉移微型設備的方法包括以下步驟：用第一黏著層將複數個微型設備與第一主體的第一表面附接；以及在該第一主體的與該第一表面相對的一側在該第一主體的第二表面上選擇性地形成掩蔽層。當該複數個微型設備藉由該第一黏著層與該第一表面附接時，相對於該第一表面定位第二主體的第三表面，使得該第三表面上的第二黏著層在複數個微型設備的與該第一表面相對的一側與該複數個微型設備鄰接。將該第一黏著層通過該第一主體暴露於光照以創建中和部分，同時該掩蔽層阻止該光照到達第一黏著層的至少一些，以提供該第一黏著層的暴露較少的部分，該暴露較少的部分的黏性比該中和部分大。將該第一表面與該第二表面分開，使得與該第一黏著層的該暴露較少的部分對應的一個或多個微型設備保持與該第一表面附接，並且與該中和部分對應的一個或多個微型設備與該第三表面附接並與該第一表面分開。
實施方式可以可選地提供（並且不限於）以下一個或多個優點。供體基板上的微型設備可以以比目的地基板所需的空間密度更高的空間密度來建造，從而在建造微型設備時提高產量並節省晶圓空間。大量的微型設備可以從供體基板並行地轉移到目的地基板。該轉移可以以高精度執行。因此，產率可以提高，製造時間和成本可以降低。供體基板上有缺陷的微型設備可以被識別並排除在該轉移之外。若微型設備以不同於供體基板的間距佈置在目的地基板上，則相對於先前的技術，轉移步驟的數量可以減少。
若微型設備是微型LED，則該技術可以用於製造多色顯示器，如具有三種或更多種彩色子像素的顯示器。柔性和/或可拉伸的顯示器可以更容易地被製造出來。
其他的態樣、特徵和優點將根據描述和附圖以及請求項而顯而易見。
下文描述了各種實施方式。可以預期，一個實施方式的元素和特徵可以有益地併入其他實施方式，而無需進一步敘述。
為了製造一些設備，需要新的技術來精確地、經濟地在基板（如大面積基板或柔性基板）上提供微型設備。例如，最好能提供一種基於III-V族半導體技術的LED面板，因為與有機發光二極體（OLED）設備相比，微型LED在亮度、壽命和效率方面具有明顯的優勢。
一種用於製造包括單獨微型設備的陣列的設備的方法是在初始基板上集體製造微型設備，然後將微型設備轉移到將形成產品的一部分的接收基板或目的地基板。在初始基板上建造微型設備的一個原因是，目的地基板可能是一種與形成微型設備所需的製造製程（如蝕刻和沉積）不相容的材料。例如，在LED的情況下，LED的沉積是磊晶生長製程，其中單晶氮化鎵（GaN）薄膜在藍寶石晶圓上生長（使用藍寶石晶圓主要是由於與其他晶圓材料相比，GaN生長的晶格失配小）。在初始基板上建造微型設備的另一個原因是，可以以比目的地基板所需的空間密度更高的空間密度來製造微型設備，從而在建造微型設備時提高產量並節省晶圓佔據空間，從而降低了成本。
將微型設備從初始基板轉移到目的地基板的一種技術是取放機器，例如，一次轉移一個微型設備的機器人。然而，這種方法不符合生產條件，因為它的產量很低，特別是考慮到會需要轉移的大量微型設備。
如上所述，需要一種改進的方法來製造微型設備。如下所述，揭露了一種用於大面積對微型設備進行表面安裝的方法。該方法包括以下步驟：將具有黏著層的轉移基板放置在供體基板上的微型設備上方；將黏著層黏著到微型設備；在微型設備黏著到黏著層的同時，從供體基板移除微型設備；將微型設備與目的地基板上的目標位置對準；放置微型設備；將轉移基板暴露於光源，以將微型設備與轉移基板分開；以及在微型設備保留在轉移基板上的同時，遠離微型設備移動轉移基板。利用這種方法的微型設備可以被轉移到聚合物光敏層（photolayer），然後使用無掩膜光刻技術以多種模式轉移到目的地基板，並且可以被轉移到各式各樣的基板。
此外，可以使用無掩膜光刻技術來選擇性地將微型設備從黏著層釋放出來。與以掩蔽方式將光投影到黏著層上相比，無掩模技術可適應不同的釋放模式，由於不需要為每一種釋放策略製作新的掩模，成本較低，而且由於不需要製作掩模的時間，速度較快。
圖1說明了具有微型設備110陣列的供體基板100。微型設備110是小型電子元件，例如發光二極體（LED），以及積體電路晶片，如邏輯IC、處理器、記憶體、控制器等。微型設備110是微米級的設備，例如，其最大橫向尺寸為約1至100微米。例如，這些設備可以有約1-50微米的橫向尺寸，例如，5-50微米，例如，10-30微米。微型設備110可以是相同的，即尺寸、電路圖案和層結構相同。
儘管圖1說明了微型設備110呈規則矩形陣列，具有與供體基板的表面平行的兩個垂直方向上的間距PX1和PY1，但其他的陣列配置也是可能的，例如，交錯排列。
微型設備110可以直接在供體基板100上製造。或者，微型設備110可以在另一個基板（例如設備基板）上製造，然後轉移到供體基板100。例如，設備基板可以包括晶圓（例如藍寶石晶圓），微型設備在該晶圓上製造，其密度例如與目的地基板相比相對較高。在一些實施例中，微型設備從設備基板轉移到供體基板而不改變其間距。
作為轉移微型設備的一個例子，微型設備可以在設備基板上製造，供體基板100可以包括或成為與設備接觸的膠帶。然後，設備基板可以被移除或單分（singulate），使得每個微型設備110單獨附接到供體基板，例如，膠帶。
作為另一個例子，供體基板100可以包括黏著層112（見圖4），該層與設備基板上的微型設備110接觸。然後，可以使用剝離（lift-off）技術將微型設備從設備基板拆離。例如，在雷射剝離技術中，雷射光束（例如紫外雷射光束）被引導到基板的背側。雷射光束通過晶圓，在微型設備與晶圓的界面處燒蝕材料。當供體基板被移開時，微型設備被黏著劑黏著到供體基板，從而從設備基板剝離。在一些實施例中，黏著層是一種對紫外線敏感的黏著劑，當暴露於紫外光時，會變成非黏著劑(又稱「中和」)。
圖2說明了具有單元205陣列的目的地基板200，每個單元具有用於接收微型設備110的位點210。因此，這些位點210也被佈置成陣列。然而，目的地基板200上的位點210陣列的間隔可以與供體基板100上的微型設備110的間隔不同。通常情況下，位點210之間的間隔大於供體基板100上的微型設備110之間的間隔。例如，圖2說明了位點210呈矩形陣列，具有與目的地基板200的表面平行的兩個垂直方向上的間距PX2和PY2。因此，間距PX2可以大於間距PX1，間距PY2可以大於間距PY1。如上所述，其他的陣列配置也是可能的，例如，交錯排列。由於位點210之間的間隔與微型設備110之間的間隔不同，供體基板100不能簡單地與目的地基板200相鄰放置，以集體轉移微型設備。
雖然在圖2中沒有說明，但目的地基板200(特別是若它是將形成產品的一部分的基板)可以包括用於在正確固定在位點210中時向微型設備110輸送電源和/或對這些微型設備進行定址和/或控制這些微型設備的電路系統和其他部件。例如，每個位點210可以包括一個或多 個結合墊，它們將與微型設備110上的一個或多個結合墊電性連接。
圖13A說明了用於將微型設備從供體基板100轉移到目的地基板200的裝置600。出於討論的目的，Z軸線是與基板100、200的平面垂直的方向，X軸線和Y軸線是與基板400的平面平行的兩個垂直方向。通常情況下，Z軸線將是垂直軸線，即與重力對準，但這並不是必須的。
裝置600包括用於支撐供體基板100的第一支撐件610，用於支撐目的地基板200的第二支撐件510，以及轉移設備630。第一支撐件610可以是邊緣支撐環，支撐供體基板100的邊緣。第二支撐件510可以是平台，目的地基板200位在該平台上。
轉移設備630包括表面632，這個表面上可以放置黏著層420。轉移設備630可以包括保持器520，例如，邊緣支撐環或邊緣抓取致動器，以保持可替換的轉移基板410，該轉移基板提供上面形成有黏著層420的表面632。或者，表面632可以是轉移設備630的一個整體部分，例如，轉移設備包括具有表面632的板狀主體。
表面632可以是平面的，例如，平坦片材的底部，並且可以與支撐件(例如平台)610、510的頂表面平行。或者，表面632可以是圓柱形的，例如，可旋轉的鼓的外表面。
一個或多個致動器660在轉移設備630與支撐件610和620之間提供相對運動。例如，轉移設備630可以包括三軸線機器手臂，可以沿X軸線、Y軸線和Z軸線移動表面632。然而，許多其他佈置也是可能的。例如，支撐件(例如平台)610、620可以垂直移動，而手臂只提供X軸線和Y軸線移動，或者平台可以沿Y軸線移動，等等。假設，轉移設備630包括可替換的轉移基板410，機器手臂可以包括末端效應器來保持基板。末端效應器可以是真空吸盤或邊緣抓取致動器。
裝置600還包括選擇性地「中和」將微型設備110附接到供體基板100的黏著層112的一部分的系統，和/或選擇性地「中和」表面632上的黏著層420的部分的系統。在這樣的背景脈絡下，「中和」包括完全移除黏著層(例如藉由溶解或融化來移除)，或修改材料的物理性質，使其不再具有黏性(也稱為「變性」)。每個系統都可以是一種照明系統，它被配置為選擇性地將來自光源的光引導到附接有微型設備的主體背側。特別是，裝置600可以包括照明系統530，以選擇性地將光引導到供體基板100的背側上，和/或包括照明系統580，以選擇性地將光引導到提供表面632的主體(例如轉移基板410)的背側。替代性或附加性地，該系統可以包括嵌入提供表面632的主體中的可單獨控制的加熱器。
控制器650(如可程式化的電腦)協調設備的各種部件(例如，致動器660和照明系統530、580)的 操作。在操作中，表面632上的黏著層420被降低到與供體基板100上的微型設備110接觸。黏著層112在所選的區域中被中和，並且表面632被剝離，其中與中和區域對應的微型設備110被固定到黏著層420並與表面632一起剝離。黏著層420上的微型設備110被橫向移動到目的地基板200上方，並被降到目的地基板200上。然後，黏著層420在所選的區域中被中和，帶有剩餘的黏著層420的表面632從目的地基板200剝離，使得在與黏著層420被中和的區域對應的位點處在目的地基板上留下微型設備。儘管上文的描述被表述為表面632提供相對運動，但將理解的是，支撐件610、620的運動可以提供部分或全部必要的相對運動。
圖3是用於將多個微型設備從供體基板轉移到目的地基板的方法300的流程圖。圖4-12是示意橫截面側視圖，說明了將多個微型設備從供體基板轉移到目的地基板的方法。
如圖4所示，具有微型設備110陣列的供體基板100被製造出來或從製造廠接收(步驟304)。供體基板100可以包括主體114，例如，玻璃或藍寶石晶圓114，黏著層112形成在其上。主體114是一種材料，例如玻璃或石英，對將用於中和黏著層112的光的波長實質透明。黏著層112可以是對紫外線敏感的黏著劑，當暴露於紫外光時會變得中和。例如，黏著層420可以是黏著劑 聚合物，例如，未固化或部分固化的正性光致抗蝕劑。微型設備110藉由黏著層112固定到主體114。
黏著層112至少跨越供體基板100的與微型設備110陣列對應的表面部分延伸。在一些實施方式中，黏著層112是連續的單體層，跨越所有微型設備110。這種層的優點是，在轉移期間，供體基板100不需要相對於設備基板進行精確的橫向定位。或者，黏著層112可以施加在與設備基板上的微型設備110的位置對應的單獨位點中，或者以條紋或其他圖案施加。
在一些實施方式中，支撐主體114被分成複數個單獨的島，每個島對應於微型設備110中的一者。然而，在這樣的實施方式中，供體基板100將需要被橫向定位，使得這些島與設備基板上的微型設備110接觸。
如圖5所示，供體基板100被定位在轉移設備630的表面632附近(步驟308)。供體基板100的定向使得微型設備110位於供體基板100的面向轉移設備630的一側。轉移設備包括黏著層420。黏著層420可以是可移除的轉移基板400的一部分。黏著層420也可以是對紫外線敏感的黏著劑，當暴露於紫外光時會變得中和。黏著層420可以是黏著劑聚合物，例如，未固化或部分固化的正性光致抗蝕劑。
黏著層420至少跨越表面632的與微型設備110陣列對應的部分延伸。在一些實施方式中，黏著層420是連續的單體層，跨越所有微型設備110。這種層的 優點是，轉移設備630不需要相對於供體基板100進行精確的橫向定位。在一些實施方式中，黏著層420被分成複數個單獨的島，每個島對應於微型設備110中的一者。然而，在這樣的實施方式中，轉移設備630將需要被橫向定位，使得這些島與供體基板100上的微型設備110接觸。
黏著層420可以藉由旋塗或液滴印刷施加到轉移設備630的表面632。提供表面632的主體(例如，轉移基板(例如背襯基板)410)是一種材料，例如，玻璃或石英，對將用於固化或溶解黏著層420的光波長實質上透明。
儘管圖5將黏著層420說明為連續的層，但這並不是必需的。例如，黏著層420可以施加在與供體基板100上的微型設備110的位置對應的單獨位點中，或者以條紋或其他圖案施加。
如圖6所示，轉移設備630接著被放置在供體基板100附近，使得微型設備110黏著到黏著層420(步驟312)。
作為圖5-6所示方法的替代方案，黏著層420可以直接沉積到供體基板100上，使得黏著劑材料至少覆蓋微型設備110。例如，可以至少橫跨微型設備110陣列沉積一大片連續的黏著材料層420。然後轉移設備630的表面632可以降低到與黏著層420接觸。
參考圖6和圖7，微型設備110與供體基板100之間的連接被切斷(步驟314)。例如，與期望輸送到轉 移設備630的微型設備110對應的黏著層112的所選區域118被來自照明系統530的輻射130中和，例如，移除或變性(見圖13A和13B)。或者，若微型設備110是直接在供體基板100上製造的，則可以使用雷射剝離技術將微型設備從底層晶圓拆離。例如，光源(例如紫外雷射)可以用來燒蝕每個微型設備110附接到供體基板100的區域，從而使供體基板100從微型設備110拆離。作為另一個例子，紅外熱源可以用於熔化微型設備110附接到供體基板100的區域。
在一些實施例中，並非所有的微型設備110都從供體基板100轉移到轉移設備630。例如，可以對微型設備進行測試，例如，在附接到供體基板100時，以偵測一個或多個有缺陷的微型設備110b。在這種情況下，對應於有缺陷的微型設備110b的黏著層112的區域118b沒有被中和。
如圖7和8所示，現在可以移除供體基板100(步驟316)，讓微型設備110附接到轉移設備630上的黏著層420。可選地，一個或多個微型設備(例如有缺陷的微型設備110b)將留在供體基板100上。假設微型設備110對黏著層112的黏著力強於微型設備110對黏著層420的黏著力，則微型設備將留在黏著層112未被中和的區域118b中。
如圖8和9所示，一個或多個有功能的微型設備110c可以可選地被放置在轉移基板410上的未轉移微 型設備的一個或多個位置422處，例如放置在與有缺陷的微型設備對應的一個或多個位置中。例如，可以使用傳統的取放機器人將有功能的微型設備定位在轉移基板410上的黏著層420上。
參考圖10，轉移設備630可以被定位為將微型設備110與目的地基板200接觸(步驟320)。
參考圖10和11，黏著層420的與期望輸送到目的地基板200的微型設備110對應的所選區域430被中和，例如，移除或變性(步驟324)。例如，光450可以由照明系統580(見圖13A和13C)選擇性地通過提供表面632的主體(例如，轉移基板(例如背襯基板)410)引導到區域430。光450可以中和(例如，融化或溶解)黏著層420的區域430，或將區域430固化成非黏著劑組成物。在一些實施方式中，光使黏著層420暴光，暴光部分用顯影劑移除。
如圖12和14-15所示，一旦所選的區域430被照明，轉移設備630就可以剝離，讓所選的微型設備110a在目的地基板200上留在原位(步驟328)。黏著層420未被暴露的剩餘微型設備110b仍留在轉移基板400上。
圖13B說明了用於將微型設備從供體基板100轉移到轉移基板400的裝置500。圖13C說明了用於將微型設備從轉移基板400轉移到目的地基板200的類似裝置550。出於討論的目的，Z軸線是與轉移基板400 的平面垂直的方向，X軸線和Y軸線是與轉移基板400的平面平行的兩個垂直方向。通常情況下，Z軸線將是垂直軸線，即與重力對準，但這並不是必須的。
回到圖13B，裝置500包括支撐件610，例如，邊緣支撐環或邊緣抓取致動器，以支撐供體基板100，以及包括保持器520，例如，邊緣支撐環或邊緣抓取致動器，以保持轉移基板400。致動器512，例如線性致動器，可以在支撐件610與保持器520之間沿Z軸線提供相對運動。致動器512可以被耦合並配置為在保持器520保持靜止時沿Z軸線移動支撐件(例如平台)510，反之亦然。
裝置500還包括照明系統530。照明系統530包括光源532和選擇性地將光從光源引導到供體基板100的背側上的機構。在一個實施方式中，照明系統530包括可獨立控制的鏡子的二維陣列，例如數位微鏡設備(DMD)534。照明系統530還可以包括用於將光從光源532引導到DMD 534的照明光學件536，和/或用於將DMD 534的啟動鏡子所反射的光引導到黏著層112上的投影光學件538。藉由控制DMD 534的哪些鏡子被啟動，光450可以選擇性地被引導到期望的區域118。
參考圖13C，裝置550與裝置500類似，並且包括用於支撐目的地基板200的支撐件(例如平台)510，以及用於保持轉移基板400的保持器520，例如邊緣支撐環或邊緣抓取致動器。致動器562，例如線性致動 器，可以在支撐件(例如平台)510與保持器520之間沿Z軸線提供相對運動。如圖所示，致動器512可以被耦合並配置為在保持器520保持靜止時沿Z軸線移動支撐件(例如平台)510，反之亦然。
裝置500還包括照明系統580。照明系統580包括光源582和選擇性地將光從光源引導到轉移基板400的背側上的機構。在一個實施方式中，照明系統580包括可獨立控制的鏡子的二維陣列，例如數位微鏡設備(DMD)584。照明系統580還可以包括用於將光從光源582引導到DMD 584的照明光學件586，和/或用於將DMD 584的啟動鏡子所反射的光引導到黏著層420上的投影光學件588。藉由控制DMD 584的哪些鏡子被啟動，光450可以選擇性地被引導到期望的區域430。
參考圖13C，DMD 534和DMD 584中的每一者可以包括複數個獨立的鏡子1350，例如二維鏡子1350陣列。每個鏡子1350可以在第一位置與第二位置之間獨立傾斜，例如，由鏡子1350a所示，在第一位置，來自光源532的入射光被反射並傳遞到投影光學件538，並照明成像平面中的特定像素(例如，轉移基板400上的黏著層)，例如，由鏡子1350b所示，在第二位置，來自光源532的入射光沿一路徑反射，使得反射光不到達成像區域(例如，轉移基板400上的黏著層)。鏡子1350可以支撐在基板554上方的柱子552上，該基板上形成了 控制各個鏡子1350的電路系統；許多其他形式的DMD都是可能的。
光源532和582中的每一者可以是弧光燈，例如汞弧燈，或雷射，例如固態雷射二極體。一組捆綁的光纖的一端可以耦合到一個或多個雷射二極體；來自光纖另一端的光可以被引導到照明光學件或直接發送到DMD。
在一些實施方式中，一個或多個額外的致動器在支撐件610或支撐件(例如平台)510與保持器520之間沿X軸線和Y軸線提供相對運動。同樣，致動器可以被耦合並配置為在X-Y平面中移動支撐件610或支撐件(例如平台)510，而保持器520保持靜止，反之亦然。例如，支撐件610或保持器520可以定位在提供X-Y平面運動的機器手臂上。
對包括DMD的照明系統的其他討論可見於第2016/0282728、2016/0219684和2016/0124316號的美國專利公開文件。特別是，第2016/0124316號的美國專利公開文件討論了一種光學系統，該光學系統包括照明-投影光束分離器，該光束分離器可以用於將來自光源532/582的光引導到DMD 534/584上，並分離反射光1330/450。
在一些實施方式中，投影光學件538或588的視場跨越整個供體基板100或轉移基板400。在這種情況下，在光1330與供體基板100之間或在光450與轉移基板400之間不需要有橫向運動。然而，在一些實施方式 中，投影光學件538或588的視場只跨越供體基板100或轉移基板400的一部分。在這種情況下，在供體基板100或轉移基板400的暴露之間，致動器可以在X-Y平面中分別提供照明系統530與供體基板100之間或照明系統580與轉移基板400之間的相對運動。
照明系統530或580可以包括線性的鏡子陣列，而不是二維的鏡子陣列，而致動器可以在X-Y平面中在照明系統530或580與轉移基板400之間提供相對運動，以橫跨轉移基板400掃描線性鏡子陣列。或者，照明系統530或580可以包括線性的鏡子陣列，並且致動器(例如振子(galvo))可以旋轉線性DMD陣列534或584，以橫跨供體基板100或轉移基板400掃描所得的反射光。
作為另一個實施方式，光束(其例如來自雷射)可以橫跨供體基板100或轉移基板400進行柵格掃描，並在它掃描時進行調變，以提供與DMD相同的功能。例如，照明系統530或580可以包括雙軸線鏡子萬向支架(gimbal)，它可以圍繞兩個垂直軸線旋轉單個鏡子，從而在轉移基板上沿兩個垂直軸線掃描光束。作為另一個例子，照明系統530或580可以包括串聯的兩個振鏡掃描器(沿著光束的路徑串聯)，允許光束在轉移基板上沿著兩個垂直的軸線進行掃描。
參考圖1、圖2和圖14，供體基板100上的微型設備的初始空間密度大於目的地基板200上的位點 210的空間密度，因此轉移設備630上的微型設備的空間密度也大於目的地基板200上的位點210的空間密度。然而，假設位點210與轉移基板上的特定微型設備110對準，則只有那些與位點210對應的微型設備110可以被轉移。例如，若間距PX2是間距PX1的整數倍，間距PY1是間距PX2的整數倍，則每(PX2*PY2)/(PX1*PY1)個微型設備110中的一個將被轉移。對於矩形陣列，轉移的微型設備110可以每隔PX2/PX1行和每隔PY2/PY1列進行定位。
如圖15所示，所得的轉移設備630'將具有缺失微型設備110b的單元440。然而，轉移設備630'可以重複用於額外的目的地基板200。簡而言之，可以重複步驟320、324、328，但要用不同的目的地基板，並使用來自轉移設備630的不同微型設備集合。也就是說，轉移設備630'可以被定位在新的目的地基板附近，但不同的微型設備集合與位點120對準。例如，轉移設備630'可以每個循環移動一個單元。理想情況下，對於矩形陣列，這將允許轉移設備630被使用總共(PX2*PY2)/(PX1*PY1)次。
如圖16所示，一些產品可能需要在每個單元205中有多個不同類型的微型設備110i、110j、110k。例如，對於彩色LED顯示器，可能需要三個微型LED，紅、藍和綠各一個。每個微型LED可以提供子像素。子像素可以有各種圖案。例如，不同顏色的子像素可以簡單 地佈置成單列或單行。或者，例如，單元內的子像素可以佈置成梅花形圖案，其中兩個子像素分別代表兩種顏色，例如紅色和綠色，還有第三種顏色的單一子像素，例如藍色(這種圖案也稱為PenTile矩陣)。轉移技術可以用於形成具有超過三種顏色子像素的顯示器，例如，具有紅色、綠色、藍色和黃色微型LED的顯示器。
不同顏色的LED可以是帶有發射不同顏色光的磷光體層的LED，或者它們可以是帶有不同顏色濾光片層的LED，或者它們可以是發射白光但也包括吸收白光並重新發射不同顏色光的疊加磷光體材料的LED(這種材料可以是量子點)。
不同的微型設備，例如不同顏色的微型LED，可以在不同的供體基板上以高於目的地基板所需的空間密度製造。然後可以對每個供體基板進行轉移製程。也就是說，來自每個特定供體基板的微型設備可以被轉移到它自己的轉移基板。例如，可以有帶有藍色微型LED的轉移基板，帶有紅色微型LED的轉移基板，以及帶有綠色微型LED的轉移基板。對於每個轉移基板，可以為每個單元轉移微型設備到目的地基板。
如圖17所示，在一些實施方式中，目的地基板200是一種柔性基板。例如，目的地基板200可以是柔性電路，微型設備110可以是微型LED，從而提供柔性顯示螢幕。替代性或附加性地，目的地基板200可以是可拉伸的基板。
上文的討論假設供體基板具有與目的地基板上每個單元的目的地位點正確對準的微型設備(因此目的地基板具有這樣的微型設備)。這允許所有的微型設備在單次釋放操作中從轉移基板轉移到目的地基板(即同時暴露黏著層的所有對應區域)。
然而，可能的情況是，供體基板上的微型設備之間的間隔使得不可能在單次釋放操作中把所有的微型設備轉移到目的地位點。例如，間距PX2可能不是間距PX1的整數倍和/或間距PY1可能不是間距PX2的整數倍。
儘管如此，仍有可能實現製造產量的顯著增加，至少與必須取放各個微型設備相比是如此。參考圖18，修改後的製程允許將微型設備放置在矩形陣列中，該陣列相對於供體基板上的微型設備的原始間隔具有任意的間隔。
最初，微型設備110從供體基板轉移到第一轉移設備的第一表面，例如，第一轉移基板400a。微型設備110以沿X軸線的間距PX1和沿Y軸線的間距PY1佈置在第一轉移基板400a上。然後，第一轉移基板400a與第二轉移設備(例如第二轉移基板400b)的第二表面相鄰定位。一次轉移一行，在每次轉移之間，第一轉移基板進行橫向重新定位，以便在其中一個方向上提供適當的間隔，而不是一次轉移所有微型設備。然後，一次一列地將微型設備從第二轉移基板轉移到目的地基板，在每次轉 移之間，第一轉移基板進行橫向重新定位，以便在另一個方向上提供適當的間隔。
例如，假設目的地基板有N列和M行的單元來接收微型設備110。第一轉移基板400a與第二基板400b相鄰定位，並且照明系統會被控制，以照明與單行內N個微型設備110對應的區域。因此，含有N個微型設備110的單行會被轉移到第二轉移基板400b。然後，第一轉移基板400a相對於第二轉移基板400b沿X軸線移動，並且照明系統被控制，以照明與另一單行內的另N個微型設備110對應的區域，從而放置另一行的N個微型設備。這個移動和放置的製程重複M-1次，直到M行N列的微型設備被轉移到第二轉移基板400b。第一轉移基板400a相對於第二轉移基板400b的移動量使得第二轉移基板400b上的微型設備沿X軸線的間距與目的地基板的期望間距PX2相匹配。微型設備沿Y軸線的間距可以是PY1，或PY1的整數倍。
一旦M行N列的微型設備陣列被轉移到第二轉移基板400b，微型設備110就可以被轉移到目的地基板200。第二轉移基板400b與第二基板400b相鄰定位，並且照明系統被控制，以照明與單列內M個微型設備110對應的區域。因此，含有M個微型設備110的單列會被轉移到目的地基板200。然後，第二轉移基板400b相對於目的地基板200沿Y軸線移動，並且照明系統被控制，以照明與另一單列內的另M個微型設備110對應的區域，從 而放置另一列的M個微型設備。這個移動和放置的製程重複N-1次，直到N列M行的微型設備被轉移到目的地基板200。第二轉移基板400b相對於目的地基板200的移動量使得目的地基板200上的微型設備沿Y軸線的間距與目的地基板200的期望間距PY2相匹配。因此，目的地基板上的微型設備的間距現在是沿X軸線為PX2，沿Y軸線為PY2，PX1與PX2之間以及PY1與PY2之間的關係是任意的。
這種多步驟轉移製程的一個優點是，轉移步驟的總數為約M+N。雖然對於高解析度的顯示器來說，這個M+N的總數可能仍然是很大的數字，但它遠遠小於單獨取放所會需要的轉移步驟的數量，即M*N。
在一些實施方式中，微型設備在被轉移到目的地基板之前被檢驗或測試。測試可以在微型設備仍在供體基板上時進行，也可以在微型設備在轉移基板上時進行檢驗。對於檢驗或測試表明微型設備有缺陷的每個單元，轉移系統的照明系統被控制為不照明與有缺陷的微型設備對應的轉移基板區域。因此，已識別的有缺陷的微型設備不會被轉移到目的地基板。目的地基板上任何因此缺乏微型設備的單元都可以在以後的取放操作中接收有功能的微型設備。這允許目的地基板，從而允許產品，以非常高的產率被製造出來。
對於一些實施方式，取決於微型設備的哪一側需要接觸目的地基板，可能需要將微型設備轉移到第三轉 移基板(這可能是在第一轉移基板之前，第二轉移基板之後，或者在第一轉移基板與第二轉移基板之間)，以便翻轉微型設備。
控制哪些微型設備從供體基板轉移到轉移基板或從轉移基板轉移到目的地基板的另一種技術是修改黏著層的一部分，使其在後續的處理步驟後仍具有黏性。圖19-22示出了這樣的製程。
如圖19所示，轉移設備630的轉移基板410必須與供體基板100相鄰定位，使得微型設備110黏著到轉移基板410上的黏著層420。
如圖20所示，供體基板114上的黏著層112的至少一個區域112a被處理，使得它在後續的照明步驟期間將保持黏性。例如，黏著層112可以是一種對暴露於兩種不同波長的光有不同反應的材料。第一波長的光可以中和黏著劑，例如，將材料固化，使其不再有黏性。相比之下，第二波長的光可能會在材料中誘發化學變化，使得材料不再對第一波長敏感。例如，第二波長的光132可以從供體基板100的背面通過供體基板100引導以照射黏著層112的各區域。光132可以來自例如雷射掃描系統或數位微鏡設備(DMD)，例如如圖13D所示的陣列。
被處理的區域112a可以對應於一個或多個有缺陷的微型設備110b。例如，可以對微型設備進行測試，例如在轉移基板被定位之前，以偵測一個或多個有缺陷的 微型設備110b。與偵測到的有缺陷的微型設備110b對應的黏著層112的區域112a被處理。
替代性或附加性地，被處理的區域112a可以對應於一個或多個微型設備110c，這些微型設備不是要轉移的微型設備110的子集的一部分。例如，可以這樣做來轉移以某種間距定位的微型設備，或只轉移某些列或行的微型設備。
參考圖21，黏著層112接著被照明，以中和(例如，移除或變性)黏著層112的未處理區域的至少一些部分。例如，第一波長的光134可以通過供體基板100的背側被引導。這種光134可以照射黏著層的經處理和未處理區域兩者。
在一些實施方式中，整個黏著層112都被照明。在這種情況下，光134可以來自一般的廣域準直光源，例如，帶有適當透鏡的燈。或者，該光可以照射所選的區域。在這種情況下，光134可以來自例如雷射掃描系統或數位微鏡設備(DMD)陣列。在任何一種情況下，與微型設備110b和/或110c的黏著層對應的經處理區域113a都保持黏性。相比之下，其他區域(例如黏著層112的其餘部分)則被中和。
黏著劑112、420的選擇使得黏著層112的經處理區域112a比黏著層420對微型設備有更強的黏著力。因此，如圖22所示，當供體基板100和轉移基板410 分開時，微型設備110b和/或110c保留在供體基板100上，而其餘的微型設備110d則被轉移到轉移基板410。
儘管圖19-22將每個經處理的區域112a說明為單一的碎片，但這並不是必須的。經處理的區域112a可以跨越多個微型設備110b/c以及相鄰的微型設備110b/c之間的黏著層112部分。
參考圖23，經處理的區域112a沒有必要通過黏著層112的整個厚度延伸。對黏著層112的一定深度的處理可能足以使黏著層112的經處理區域比黏著層420對微型設備有更強的黏著力。
此外，參考圖24，經處理的區域112a沒有必要橫跨微型設備110b/c的整個寬度延伸。例如，經處理的區域112a可以僅橫跨微型設備110b/c的一部分表面區域延伸。同樣，橫跨微型設備一定百分比的表面面積處理黏著層112，可以足以使經處理的區域112a比黏著層420對微型設備有更強的黏著力。經處理的區域可以在角落，或與邊緣重疊，或在微型設備的中心。
回到圖23，附加於或替代於使黏著劑不再敏感，可以對黏著層112的部分112a進行處理，使其阻擋(例如吸收)第一波長的光。例如，黏著層112可以包括一種材料，例如光活化染料，該材料響應於被第二波長的光照射，會改變對第一波長的吸收。特別是，可以對黏著層112進行處理，使得部分112部分地但不是完全地通過黏著層112的厚度延伸。因此，在後續的照明步驟中，經 處理的部分112a與微型設備110之間的黏著層的部分112b將較少暴露於第一波長的光。從而，與黏著層420相比，部分112b可以保持對微型設備更強的黏著力。
控制哪些微型設備從供體基板轉移到轉移基板或從轉移基板轉移到目的地基板的另一種技術是在適當的基板(如供體基板)的背側沉積掩蔽層，以在照明步驟期間阻擋對黏著層的對應區域的照明。圖25-29示出了這樣的製程。
如圖25所示，掩蔽層2500被選擇性地沉積到供體基板100的與黏著層112相對的一側上。掩蔽層2500被沉積在與不會被轉移的微型設備110b/110c對應的位置處。
如圖26所示，轉移設備630的轉移基板410與供體基板100相鄰定位，使得微型設備110黏著到轉移基板410上的黏著層420。
如圖27所示，掩蔽層2500被沉積，以在供體基板100的與黏著層112相對的一側上形成至少一個掩蔽區域。掩蔽層2500可以藉由橫跨全部供體基板100形成一個層，然後進行選擇性移除來沉積。例如，金屬層可以藉由諸如CVD之類的製程來沉積，然後藉由用適當的光致抗蝕劑進行蝕刻來移除。或者，可以例如藉由旋塗來沉積阻擋照明步驟中使用的光波長的正性或負性光致抗蝕劑。然後，可以例如藉由雷射掃描系統或數位微鏡設備(DMD)陣列對光致抗蝕劑層進行照明，並進行顯影以 移除光致抗蝕劑的適當部分。或者，掩蔽層2500可以被選擇性地沉積。例如，對照明步驟中使用的光波長不透明的材料的液滴可以被噴射到所選的區域上，例如藉由噴墨印表機來噴射。
如圖28所示，光138可以從供體基板100的背側通過供體基板100引導以中和黏著層112。然而，光138被掩蔽層2500阻擋，使得每個對應的區域112a不被暴露(或較少暴露)，從而保持黏性。
在一些實施方式中，供體基板100的整個背側都被照明。在這種情況下，光138可以來自一般的廣域準直光源，例如，帶有適當透鏡的燈。或者，該光可以照射所選的區域。在這種情況下，光138可以來自例如雷射掃描系統或數位微鏡設備(DMD)陣列。在任何一種情況下，與掩蔽層2500對應的黏著層的掩蔽區域112a都保持黏性。相比之下，其他區域(例如黏著層112的其餘部分)則被中和。
然後，如圖29所示，當供體基板100和轉移基板410分開時，與被掩蔽層2500覆蓋的區域對應的微型設備110b和/或110c保留在供體基板100上，而其餘的微型設備110d則被轉移到轉移基板410。
儘管圖19-23和圖25-29說明了從供體基板到轉移基板的轉移，但類似的製程也可以用於將微型設備從轉移基板轉移到目的地基板。特別是，在上文討論的任一實施方式中，轉移基板410和黏著層420可以分別替代 供體基板100和黏著層112，而目的地基板200可以替代轉移基板410和黏著層420。
應該理解的是，雖然上文已經描述了一種對單個微型設備進行表面安裝的方法，但該方法也可以包括超過一個的微型設備。
控制器可以以數位電子電路系統實施，或以電腦軟體、韌體或硬體實施，或以它們的組合實施。控制器可以包括一個或多個電腦程式產品，即一個或多個電腦程式，它們被有形地實施在資訊載體中，例如非暫時性機器可讀取儲存媒體中或傳播訊號中，以由資料處理裝置(例如可程式化處理器、電腦，或多個處理器或電腦)執行或控制其操作。電腦程式(也稱為程式、軟體、軟體應用程式或代碼)可以用任何形式的程式設計語言(包括經編譯或經解譯的語言)編寫，並且它可以以任何形式部署，包括作為獨立的程式或作為模組、部件、子常式或其他適合在計算環境中使用的單元。電腦程式可以被部署為在一個電腦上執行，也可以被部署為在位在一個地點或橫跨多個地點分佈並由通訊網路相互連接的多個電腦上執行。
本說明書中描述的製程和邏輯流可以由一個或多個可程式化處理器來執行，該一個或多個可程式化處理器執行一個或多個電腦程式，以藉由對輸入資料進行操作和產生輸出來執行功能。這些製程和邏輯流也可以藉由特殊用途邏輯電路系統(例如FPGA(現場可程式化邏輯 閘陣列)或ASIC(特定應用積體電路))來執行，並且裝置也可以作為該特殊用途邏輯電路系統來實施。
定位的術語，如垂直和橫向，已經被使用。然而，應該理解的是，這樣的術語指的是相對定位，而不是相對於重力的絕對定位。例如，橫向是與基板表面平行的方向，而垂直是與基板表面正交的方向。
本領域的技術人員會明白，前面的例子是示例性的，不是限制性的。可以預期，本領域的技術人員在閱讀說明書和研究附圖後會明白的所有置換、增強、等效物和改進，都包括在本揭示內容的真正精神和範圍內。因此，可以預期，以下所附的請求項包括屬於這些教導的真正精神和範圍內的所有這樣的修改、置換和等效物。
100:供體基板
110:微型設備
112:黏著層
114:主體
118:區域
130:輻射
132:光
134:光
138:光
200:目的地基板
205:單元
210:位點
304:步驟
308:步驟
312:步驟
314:步驟
316:步驟
320:步驟
324:步驟
328:步驟
400:轉移基板
410:轉移基板
420:黏著層
422:位置
430:區域
440:單元
450:光
500:裝置
510:支撐件
512:致動器
520:保持器
530:照明系統
532:光源
534:數位微鏡設備(DMD)
536:照明光學件
538:投影光學件
550:裝置
552:柱子
554:基板
562:致動器
580:照明系統
582:光源
584:數位微鏡設備(DMD)
586:照明光學件
588:投影光學件
600:裝置
610:支撐件
630:轉移設備
632:表面
650:控制器
660:致動器
1330:光
1350:鏡子
2500:掩蔽層
110a:微型設備
110b:微型設備
110c:微型設備
110d:微型設備
110i:微型設備
110j:微型設備
110k:微型設備
112a:區域
112b:部分
118b:區域
1350a:鏡子
1350b:鏡子
400a:第一轉移基板
400b:第二轉移基板
550a:鏡子
550b:鏡子
PX1:間距
PX2:間距
PY1:間距
PY2:間距
圖1是具有微型設備陣列的供體基板的示意透視圖。
圖2是目的地基板的示意透視圖。
圖3是用於將多個微型設備從供體基板轉移到目的地基板的方法的流程圖。
圖4-12是示意橫截面側視圖，說明了將多個微型設備從供體基板轉移到目的地基板的方法。
圖13A是用於將微型設備從供體基板轉移到目的地基板的系統的示意橫截面側視圖。
圖13B是用於說明供體基板上的黏著層的系統的示意橫截面側視圖。
圖13C是用於說明轉移基板上的黏著層的系統的示意橫截面側視圖。
圖13D是數位微鏡設備的示意透視圖。
圖14是上面安裝有微型設備陣列的目的地基板的示意透視圖。
圖15是在一些微型設備已被轉移之後的轉移設備的示意透視圖。
圖16是目的地基板的示意透視圖，每個單元有多個微型設備。
圖17是柔性基板的示意透視圖，該柔性基板上已經安裝了微型LED。
圖18是說明多步驟轉移製程的示意俯視圖。
圖19-22是示意橫截面側視圖，說明了將多個微型設備從供體基板轉移到轉移基板的另一個方法。
圖23是說明處理的示意橫截面側視圖，該處理部分地通過黏著層的厚度延伸。
圖24是說明處理的示意仰視圖，該處理部分地跨越一個微型設備延伸。
圖25是說明在基板上形成掩蔽層的示意橫截面側視圖。
圖26-29是示意橫截面側視圖，說明了將多個微型設備從供體基板轉移到轉移基板的另一個方法。
各種附圖中類似的參考符號表示類似的元素。
100:供體基板
110:微型設備
112:黏著層
114:主體
134:光
410:轉移基板
420:黏著層
630:轉移設備
110b:微型設備
110c:微型設備

Claims (18)

  1. 一種轉移微型設備的方法，該方法包括以下步驟：當複數個微型設備藉由一第一黏著層與一第一主體的一第一表面附接時，選擇性地處理該第一黏著層，以形成該黏著層的一經處理部分和該第一黏著層的一未處理部分，該經處理部分與來自該複數個微型設備的一個或多個微型設備對應；當該複數個微型設備藉由該第一黏著層與該第一表面附接時，相對於該第一表面定位一第二主體的一第二表面，使得該第二表面上的一第二黏著層在複數個微型設備的與該第一表面相對的一側與該複數個微型設備鄰接；將該第一黏著層暴露於一區域中的光照，該區域與該經處理部分的至少一些和該未處理部分的至少一些重疊，其中將該第一黏著層暴露於光照中和了該未處理部分的該至少一些，以創建一中和部分，該中和部分的黏性比該經處理部分的一暴露區域小；以及將該第一表面與該第二表面分開，使得與該第一黏著層的該經處理部分對應的一個或多個微型設備保持與該第一表面附接，並且與該中和部分對應的一個或多個微型設備與該第二表面附接並與該第一表面分開。
  2. 如請求項1所述的方法，其中該光照具有一第一波長。
  3. 如請求項2所述的方法，其中選擇性地處理該第一黏著層包括以下步驟：將一不同的第二波長的光引導到該第一黏著層上。
  4. 如請求項3所述的方法，其中將該第二波長的光引導到該第一黏著層上包括以下步驟：將該光通過該第一主體引導，並且其中將該第一黏著層暴露於光照包括以下步驟：通過該第一主體照明該第一黏著層。
  5. 如請求項3所述的方法，其中將該第二波長的光通過該第一主體引導包括以下步驟：用一雷射掃描系統掃描一光束。
  6. 如請求項1所述的方法，其中將該第一黏著層暴露於光照包括以下步驟：橫跨一區域暴露該第一黏著層，該區域跨越所有的該複數個微型設備。
  7. 如請求項1述的方法，其中選擇性地處理該第一黏著層包括以下步驟：同時處理該第一黏著層的與兩個或更多個相鄰的微型設備對應的一區域。
  8. 如請求項1述的方法，其中選擇性地處理該第一黏著層包括以下步驟：處理該第一黏著層的一區域，該區域小於一微型設備的一橫截面積。
  9. 如請求項1所述的方法，其中選擇性地處理該第一黏著層包括以下步驟：處理一部分，該部分通 過該第一黏著層延伸的程度小於該第一黏著層的全部厚度。
  10. 如請求項1所述的方法，其中該等微型設備包括微型LED。
  11. 一種用於轉移微型設備的裝置，該裝置包括：一第一主體，具有用於接收一第一黏著層的一第一表面；一第二主體，具有用於接收一第二黏著層的一第二表面；一個或多個致動器，被配置為在該第一主體與該第二主體之間提供相對運動；一第一照明系統，被配置為選擇性地將該第一黏著層暴露於具有一第一波長的一光；一第二照明系統，被配置為將該第一黏著層暴露於具有一不同的第二波長的一光；以及一控制器，被配置為：導致該一個或多個致動器創建相對運動，使得藉由該第一黏著層與該第一主體附接的複數個微型設備與該第二黏著層接觸；導致該第一照明系統選擇性地暴露該第一黏著層，以創建與來自該複數個微型設備的一個或多個微型設備對應的一經處理部分和與來自該複數個微 型設備的一個或多個微型設備對應的一未處理部分；導致該第二照明系統在一區域中暴露該第一黏著層，該區域與該經處理部分的至少一些和該未處理部分的至少一些重疊，以創建一中和部分，同時該經處理部分的該至少一些保持黏性；以及導致該一個或多個致動器創建相對運動，使得該第一主體和該第二主體遠離彼此移動，與該第一黏著層的該經處理部分對應的一個或多個微型設備保持與該第一表面附接，並且與該中和部分對應的一個或多個微型設備與該第二表面附接並與該第一表面分開。
  12. 如請求項11所述的裝置，其中該第一照明系統被配置為產生一光束，該光束的一光點尺寸小於該等微型設備中的一者的一橫截面積。
  13. 如請求項11所述的裝置，其中該第一照明系統被配置為產生一光束，該光束的一光點尺寸跨越至少兩個微型設備。
  14. 如請求項11所述的裝置，其中該第一照明系統和該第二照明系統被定位為將具有該第一波長的該光和具有該第二波長的該光通過該第一主體引導到該第一黏著層。
  15. 如請求項11所述的裝置，其中該第二照明系統被配置為暴露同時跨越所有該複數個微型設備的一區域。
  16. 如請求項11所述的裝置，其中該第一主體包括一第一基板，該第一基板可以從一第一支撐件移除。
  17. 如請求項11所述的裝置，其中該第二主體包括一第二基板，該第二基板可以從一第二支撐件移除。
  18. 如請求項11所述的裝置，其中該一個或多個致動器包括一機器手臂，該機器手臂可操作以相對於該第一主體或該第二主體中的一者垂直移動該第一主體或該第二主體中的另一者。
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