CN216288360U - 发光二极管芯片转移用设备 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种发光二极管芯片转移用设备，包括：第一光源，配置为产生并发射出第一光线；中载承载机构，配置为承载中载基板，中载基板包括透光基底以及通过解离胶固定于透光基底一侧的多个发光二极管芯片；基板承载机构，配置为承载待转移基板，待转移基板位于发光二极管芯片远离透光基底的一侧；控光机构，位于透光基底远离发光二极管芯片的一侧，配置为对照射至控光机构上预设目标光处理区域的第一光线的传播方向进行控制，形成从透光基底远离发光二极管芯片的一侧照射至中载基板上第一预设目标区域的第一光线，使得位于第一预设目标区域的解离胶发生解离，以将位于第一预设目标区域的发光二极管芯片转移至待转移基板上。

Description

发光二极管芯片转移用设备
技术领域
本公开涉及显示领域，特别涉及一种发光二极管芯片转移用设备。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)因具有高效率、高亮度、高可靠度、节能及反应速度快等诸多优点，且LED显示装置相比于液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay，简称LCD)和有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示装置，在画质、刷新频率、功耗和亮度上有较为明显的优势，被视为下一代主流显示技术，得到了广泛的关注。
然而，如何将大量的LED芯片转移到待转基板上，成为LED芯片的巨量转移技术的重大挑战。
实用新型内容
本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种发光二极管芯片转移用设备。
第一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管芯片转移用设备，包括：
第一光源，配置为产生并发射出第一光线；
中载承载机构，配置为承载中载基板，所述中载基板包括透光基底以及通过解离胶固定于所述透光基底一侧的多个发光二极管芯片；
基板承载机构，配置为承载待转移基板，所述待转移基板位于所述发光二极管芯片远离所述透光基底的一侧；
控光机构，位于所述透光基底远离所述发光二极管芯片的一侧，配置为对照射至所述控光机构上预设目标光处理区域的第一光线的传播方向进行控制，形成从所述透光基底远离所述发光二极管芯片的一侧照射至所述中载基板上第一预设目标区域的第一光线，使得位于所述第一预设目标区域的解离胶发生解离，以将位于所述第一预设目标区域的发光二极管芯片转移至所述待转移基板上。
在一些实施例中，所述的发光二极管芯片转移用设备还包括：
第二光源，配置为产生并发射出第二光线；
图像拾取机构，配置为接收所述中载基板上位于第二预设目标区域所反射的第二光线，并根据接收到的第二光线生成所述第二预设目标区域的图像信息。
在一些实施例中，所述的发光二极管芯片转移用设备还包括：
第一处理机构，与所述图像拾取机构耦接，配置对所述图像拾取机构所生成的所述图像信息进行处理以生成所述第二预设目标区域的品质分布信息，所述品质分布信息包括各所述发光二极管芯片的位置信息以及对应的品质信息。
在一些实施例中，所述第一光源和所述第二光源为同一光源。
在一些实施例中，所述控光机构包括：光筛模块；
所述光筛模块包括：呈阵列排布的多个控光单元，每个所述控光单元在所述中载基板上存在对应的光照区域，位于所述预设目标光处理区域的所述控光单元处于工作状态，未位于所述预设目标光处理区域的所述控光单元处于非工作状态；
所述控光单元配置为在处于工作状态时将接收到的第一光线的传播方向进行控制，形成能够照射至所述中载基板上所对应光照区域的第一光线。
在一些实施例中，所述的发光二极管芯片转移用设备还包括：
第二处理机构，与所述光筛模块耦接，配置为向所述光筛模块发送控制信号，以供所述光筛模块根据所述控制信息控制位于预设目标光处理区域的控光单元处于工作状态；
所述控制信号包括位于所述预设目标光处理区域的控光单元的标识信息。
在一些实施例中，所述控光单元配置为在工作状态时使得照射至所述控光单元所处区域的第一光线发生透射，以及在非工作状态遮挡照射至所述控光单元所处区域的第一光线。
在一些实施例中，所述光筛模块包括：液晶面板，所述液晶面板包括多个像素单元，所述像素单元作为所述控光单元。
在一些实施例中，所述液晶面板所处平面与所述透光基底远离所述发光二极管芯片一侧的表面所处平面相交设置；
所述光筛模块还包括：位于所述液晶面板远离所述第一光源一侧的反射单元，所述反射单元配置为将从所述控光单元透射出的第一光线反射至所述中载基板上所对应的光照区域。
在一些实施例中，所述液晶面板所处平面与所述透光基底远离所述发光二极管芯片一侧的表面所处平面平行设置。
在一些实施例中，所述的发光二极管芯片转移用设备还包括：多个支撑机构，所述支撑机构配置为设于所述液晶面板与所述透光基底之间，所述支撑机构的两端分别用于支撑所述液晶显示面板和所述透光基底。
在一些实施例中，所述控光单元配置为在工作状态时将照射至所述控光单元所处区域的第一光线反射至所述中载基板上所对应的光照区域，以及在非工作状态时将照射至所述控光单元所处区域的第一光线反射至预设冗杂光线接收区域。
在一些实施例中，所述光筛模块包括：数字微反射镜或微机电系统反射镜；
所述数字微反射镜和所述微机电系统反射镜均包括多个反射像素单元，所述反射像素单元作为所述控光单元。
在一些实施例中，所述控光机构还包括：光束控制模块；
所述光束控制模块位于所述光筛模块的出光侧，配置为对各控光单元所射出的第一光线所形成光束在所述中载基板上的光斑的形状、尺寸、能量分布中的至少之一进行调整。
在一些实施例中，所述光束控制模块包括：扩束镜、振镜和场镜中至少之一。
附图说明
图1a为本公开实施例提供的一种LED芯片转移用设备的结构框图；
图1b为本公开实施例中第一光线通过控光机构上的预设目标光处理区域后照射至中载基板上的第一预设目标区域的一种示意图；
图2为本公开实施例提供的另一种LED芯片转移用设备的结构示意图；
图3为本公开实施例提供的又一种LED芯片转移用设备的结构示意图；
图4为本公开实施例提供的再一种LED芯片转移用设备的结构示意图；
图5为本公开实施例中控光机构的一种结构示意图；
图6为本公开实施例中控光机构的另一种结构示意图；
图7为本公开实施例中数字微反射镜的一种结构示意图；
图8为本公开实施例中偏转方向不同的两个微镜片处的光路示意图；
图9为本公开实施例提供的再一种LED芯片转移用设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图对本公开提供的一种发光二极管芯片转移用设备进行详细描述。
本公开实施例中的LED芯片可以为次毫米发光二极管(Mini Light EmittingDiode，简称Mini LED)芯片或者微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，简称Micro LED)芯片；LED芯片一般包括外延结构、正极引脚和负极引脚，其中外延结构包括P型半导体层、本征层和N型半导体层。
图1a为本公开实施例提供的一种LED芯片转移用设备的结构框图，图1b为本公开实施例中第一光线通过控光机构上的预设目标光处理区域后照射至中载基板上的第一预设目标区域的一种示意图，如图1a和图1b所示，如图1a和1b所示，该LED芯片转移用设备包括：第一光源1、中载承载机构3、基板承载机构5和控光机构2。其中，第一光源1配置为产生并发射出第一光线；中载承载机构3配置为承载中载基板4，中载基板4包括透光基底401以及通过解离胶402固定于透光基底401一侧的多个LED芯片403；基板承载机构5配置为承载待转移基板6，待转移基板6位于LED芯片403远离透光基底401的一侧；控光机构2位于透光基底401远离LED芯片403的一侧，控光机构2配置为对照射至预设目标光处理区域的第一光线的传播方向进行控制，形成从透光基底401远离LED芯片403的一侧照射至中载基板4上第一预设目标区域的第一光线，使得位于第一预设目标区域的解离胶402发生解离，以将位于第一预设目标区域的LED芯片403转移至待转移基板6上。
在一些实施例中，第一光线为激光；更具体地，第一光线为紫外激光。
在本公开实施例中，中载基板4为预先配备的结构。作为一个示例，首先采用喷涂工艺或旋涂工艺在透光基底401上形成解离胶402，其中解离胶402可以为整层铺设或者为相互间隔设置的多个子图案，每个子图案对应待粘附LED芯片403的区域；然后，通过拾取装置LED芯片403设置在解离胶402上，此时正极/负极引脚4032位于外延结构4031远离透光基底401的一侧。其中，位于同一中载基板4上的LED芯片403可以来自同一晶圆，也可以来自不同晶圆；解离胶402的材料与所选用的第一光线的波长适配，即，解离胶402的材料特性能够在受到第一光线的照射后发生改变，例如在常态下解离胶402具有粘性，以将LED芯片403粘附在透光基底401上；而解离胶402在受到第一光线的照射后其粘性降低甚至消失(后文称为解离)，以使得LED芯片403与透光基底401分离。
待转移基板6(一般也称为驱动背板)为需要进行LED芯片403转移的基板，其包括驱动电路601和多个连接焊盘602，这些连接焊盘602用于与LED芯片403上的正/负极引脚4032进行电连接。
在将中载基板4和待转移基板6分别放置于中载承载机构3和基板承载机构5上时，中载基板4上设置有LED芯片403的一侧与待转移基板6上设置有连接焊盘602的一侧相对设置。
在本公开实施例中，第一光源1发射出的第一光线到达控光机构2后，控光机构2对照射至预设目标光处理区域的第一光线的传播方向进行控制，形成从透光基底401远离LED芯片403的一侧照射至中载基板4上第一预设目标区域的第一光线，位于第一预设目标区域的解离胶402发生解离，位于第一预设目标区域内的LED芯片403能够在重力作用下与透光基底401分离，从而转移到待转移基板6上。
在进行LED芯片403转移过程中，中载基板4上处于第一预设目标区域之外的区域未被第一光线照射，因此未被第一光照射到的区域处的LED芯片403不进行转移。中载基板4上的第一预设目标区域是根据实际需要来进行预先设定的，当第一光源1所发射出的第一光线能够完全覆盖控光机构2上的预设目标光处理区域时，通过控光机构2的控光作用，可使得从控光机构2处射出且到达中载基板4上的第一光线仅照射在第一预设目标区域，从而能够实现对中载基板4上特定位置的LED芯片403的同步转移，具体应用场景后面将结合具体示例进行描述。
需要说明的是，本公开实施例中通过预先配置，以使得控光机构2上的预设目标光处理区域与中载基板4上的第一预设目标区域相对应；预设目标光处理区域的形状、尺寸、分布，以及对应的第一预设目标区域的形状、尺寸、分布，均可根据实际情况进行预先配置；预设目标光处理区域与其所对应的第一预设目标区域的形状可以相同，也可以不同；本公开的技术方案对目标光处理区域和预设目标光处理区域二者的形状、尺寸、分布均不作限制；图1b中所示预设目标光处理区域包含5个四边形区域、第一预设目标区域包含5个四边形区域的情况，仅起到示例性作用。另外，控光机构2所射出的第一光线的传播方向可以与透光基底401远离LED芯片403一侧的表面所处平面相垂直(图1b中所示)或相交(未给出相应附图)。
图2为本公开实施例提供的另一种LED芯片转移用设备的结构示意图，如图2所示，LED芯片转移用设备不但包括第一光源1、中载承载机构3、基板承载机构5和控光机构2，还包括：第二光源7和图像拾取机构8。
其中，第二光源7配置为产生并发射出第二光线；图像拾取机构8，配置为接收中载基板4上位于第二预设目标区域所反射的第二光线，并根据接收到的第二光线生成第二预设目标区域的图像信息。
在本公开实施例中，在进行LED芯片403转移工序之前，可通过设置第二光源7和图像拾取机构8，可以实现对中载基板4上的至少部分区域进行拍照，基于所获取到的图像信息可供后续对图像中LED芯片403的品质进行识别。在确定中载基板4上各LED芯片403的品质信息后，可为后续制定LED芯片403转移策略提供数据依据；例如，可将中载基板4上品质相同或近似相同的LED芯片403转移至同一待转移基板6上。
对图像中LED芯片403的品质进行识别的方式有多种；例如，在获取到中载基板4上的至少部分区域的图像后，用户可主观的来对图像中各LED芯片403的品质进行识别，或者获取是通过预先设计的图像处理软件来对图像中各LED芯片403的品质进行自动识别。
在一些实施例中，LED芯片转移用设备还包括：第一处理机构10。第一处理机构10与图像拾取机构8耦接，第一处理机构10配置对图像拾取机构8所生成的图像信息进行处理以生成第二预设目标区域的品质分布信息，品质分布信息包括各LED芯片403的位置信息以及对应的品质信息。在本公开实施例中，通过设置上述第一处理机构10，可实现对图像拾取机构8所获取图像中的LED芯片403的品质进行自动识别。
在本公开实施例中，第一处理机构10具体为存储有图像处理程序且能够运行图像处理程序以对图像拾取机构8所获取图像中各LED芯片403的品质进行识别的设备，例如个人计算机(Personal Computer，简称PC)。
需要说明的是，在实际应用中，需要对第一光线的波长、第二光线的波长以及解离胶402的材料进行合理选择设计，以使得解离胶402在受到第一光线的照射后发生解离，而在受到第二光线的照射后不会发生解离，从而保证在对中载基板4进行图像采集时不会导致解离胶402发生误解离。
在一些实施例中，第一光源1和第二光源7为同一光源，该光源为能够发出可以发出不同波长光线的出光波长可调光源9。示例性地，第一光线的波长可选自266nm、355nm或405nm等，第二光线的波长可选自325nm、355nm或405nm等，且第一光线的波长与第二光线的波长不相等。
本公开实施例中的第一光源1、第二光源7、出光波长可调光源9可以为激光器，激光器的种类不限于全固态半导体激光器(Diode Pumped Solid State laser，简称DPSS)或二氧化碳点阵激光器。同时，由于一般的激光器本身限制，其产生的激光光束的尺寸有一定限制，因此可将多个激光器组合在一起使用，以提高激光器所射出光束的可覆盖面积。
在一些实施例中，在第一光源1或第二光源7的出光侧设置光束整形器13，通过光束整形器13可对第一光源1或第二光源7所射出光束转化为一个能量均匀分布的平顶光斑，光斑的形状可以为正方形、三角形、圆形或其他形状。光束整形器13的具体结构可根据实际需要来进行设定，此处不进行详细描述。
在一些实施例中，可在中载基板4上设置具有反光效果的对位标记，第二光线照射至该对位标记上时发生反射，图像拾取机构8可获取到该对位标记的图像，以便于对中载基板4进行精准对位。
图3为本公开实施例提供的又一种LED芯片转移用设备的结构示意图，如图3所示，在一些实施例中，控光机构2包括：光筛模块201，光筛模块201包括：呈阵列排布的多个控光单元2011，每个控光单元2011在中载基板4上存在对应的光照区域，位于预设目标光处理区域的控光单元2011处于工作状态，位于预设目标光处理区域之外的控光单元2011处于非工作状态；控光单元2011配置为在处于工作状态时将接收到的第一光线的传播方向进行控制，形成能够照射至中载基板4上所对应光照区域的第一光线；以及在处于非工作状态时将接收到的第一光线进行吸收(遮光)或者将接收到的第一光线反射至预设冗杂光线接收区域，预设冗余光线接收区域位于中载基板4所处区域之外。
光筛模块201内各控光单元2011的尺寸可以根据实际需要来进行设定，例如控光单元2011的尺寸为8um*15um或者15um*25um。
在一些实施例中，光筛模块201上各控光单元2011的工作状态不可调，光筛模块201上的预设目标光处理区域固定；光筛模块201具体可以为具有特定镂空或可透光区域的精细金属掩膜版、石英掩膜版等。
在另一些实施例中，光筛模块201上各控光单元2011的工作状态可调，光筛模块201上的预设目标光处理区域可调；光筛模块201具体可以为液晶面板201a、数字微反射镜或微机电系统反射镜等，后面将结合附图进行详细描述。
在本公开实施例中，在控光机构2所接收到的第一光线完全覆盖预设目标光处理区域时，仅位于预设目标光处理区域内处于工作状态的控光单元2011形成照射至中载基板4生的第一光线，使得中载基板4上仅第一预设目标区域处受到第一光线的照射。由此可见，本公开中的光筛模块201具有对光束进行图案化处理的功能，后面将结合一些附图来对光筛模块201进行详细的描述。
图4为本公开实施例提供的再一种LED芯片转移用设备的结构示意图，如图4所示，本实施例中光筛模块201上各控光单元2011的工作状态可调，光筛模块201上的预设目标光处理区域可调，LED芯片转移用设备还包括：第二处理机构11。
其中，第二处理机构11与光筛模块201耦接，第二处理机构11配置为向光筛模块201发送控制信号，控制信号包括位于预设目标光处理区域的控光单元2011的标识信息。光筛模块201根据控制信息控制位于预设目标光处理区域的控光单元2011处于工作状态，以及控制位于预设目标光处理区域的控光单元2011处于非工作状态。由此可见，通过第二处理机构11可对光筛模块201上的预设目标光处理区域进行调控。
在一些实施例中，第一处理机构10与第二处理机构11为同一处理机构，例如，为同时具备上述第一处理机构10和第二处理机构11功能的个人计算机。
在一些实施例中，控光单元2011配置为在工作状态时使得照射至控光单元2011所处区域的第一光线发生透射，以及在非工作状态遮挡照射至控光单元2011所处区域的第一光线。
图5为本公开实施例中控光机构的一种结构示意图，如图5所示，在一些实施例中，光筛模块201包括：液晶面板201a(Liquid Crystal Display，简称LCD)，液晶面板201a包括呈阵列排布的多个像素单元2011a，像素单元2011a作为控光单元2011。
像素单元2011a包含像素电极和公共电极以及位于二者之间的液晶分子，通过控制像素电极与公共电极之间的电场，从而可对像素单元2011a的光线透过率进行控制，因此像素单元2011a至少是包含两种状态：呈现全黑的遮光态以及呈现透明的透光态。在将液晶面板201a作为光筛模块201使用时，液晶面板201a上的一个像素单元2011a可作为光筛模块201上的一个控光单元2011来使用，像素单元2011a呈现透光态时即控光单元2011处于工作状态，像素单元2011a呈现遮光态时即控光单元2011处于非工作状态。
在图5所示实施例中，液晶面板201a所处平面与透光基底401远离LED芯片403一侧的表面所处平面相交设置，此时光筛模块201可还包括位于液晶面板201a远离第一光源1一侧的反射单元203，反射单元203配置为将从控光单元2011透射出的第一光线反射至中载基板4上所对应的光照区域；其中，反射单元203具体可以为反射镜。光筛模块201包括液晶面板201a和反射单元203的结构设计，可使得液晶面板201a的设置位置更为灵活。
图6为本公开实施例中控光机构的另一种结构示意图，如图6所示，与图5中所示情况不同，在图6所示LED芯片转移用设备中，液晶面板201a所处平面与透光基底401远离LED芯片403一侧的表面所处平面平行设置。
继续参见图6所示，作为一种可选方案，LED芯片转移用设备还包括：多个支撑机构12，支撑机构12配置为设于液晶面板201a与透光基底401之间，支撑机构12的两端分别用于支撑液晶显示面板和透光基底401。
在一些实施例中，支撑机构12在透光基底401上的正投影与LED芯片403在透明基底上的正投影不交叠，以避免支撑机构12遮挡射向LED芯片403的光线。
在一些实施例中，支撑机构12为柱状，柱状支撑机构12的横截面的最大宽度小于等于10um，柱状支撑机构12的高度范围在10um～20um；相邻支撑机构12之间的间距小于或等于500um。另外，为保证液晶面板201a与透光基底401之间间距(gap)的均匀性，多个支撑机构12在液晶面板201a与透光基底401之间均匀分布。
在图6所示方案中，可将液晶面板201a的尺寸设计的与透光基底401的尺寸相当，液晶面板201a上控光单元2011的尺寸与中载基板4上LED芯片403的尺寸相当，方便二者进行对位。在该方案中，液晶面板201a上的预设目标光处理区域与中载基板4上的第一预设目标区域在透明基底上的正投影完全重叠。
在一些实施例中，LED芯片转移用设备中光筛模块201内的控光单元2011配置为在工作状态时将照射至控光单元2011所处区域的第一光线反射至中载基板4上所对应的光照区域，以及在非工作状态时将照射至控光单元2011所处区域的第一光线反射至预设冗杂光线接收区域。
在一些实施例中，光筛模块201包括：数字微反射镜(Digtial MicromirrorDevices，简称DMD)或微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，简称MEMS)反射镜；数字微反射镜和微机电系统反射镜均包括多个反射像素单元，反射像素单元作为控光单元2011。
图7为本公开实施例中数字微反射镜的一种结构示意图，如图7所示，数字微反射镜201b包括呈阵列排布的多个反射像素单元2011b(图中仅示例性画出了2个反射像素单元)，反射像素单元2011b包括：微镜片20113、扭转铰链20112、CMOS电路20111以及寻址电极，其中微镜片20113通过通孔与位于下一层所对应的扭转铰链20112相连，CMOS电路20111与寻址电极相连。数字微反射镜内的反射像素单元2011b通过寻址方式控制CMOS电路20111向对应寻址电极进行供电，以使得寻址电极带电，微镜片20113与寻址电极之间的静电场产生静电扭矩，静电扭矩克服扭转铰链20112的恢复扭矩，使微镜片20113正向或负向的偏转；其中，偏转的角度由机械结构精确的控制，微镜片20113一般选用Al等具有高反射率的材料。
图8为本公开实施例中偏转方向不同的两个微镜片20113处的光路示意图，如图8所示，通过控制微镜片20113的偏转方向(正向偏转或负向偏转)，可使得射向微镜片20113的第一光线经过反射后射向中载基板4上所对应的光照区域或者反射至预设冗杂光线接收区域。示例性地，可设计微镜片20113处于正向偏转时能够将第一光线反射至中载基板4上所对应的光照区域，以及微镜片20113处于负向偏转时能够将第一光线反射至预设冗杂光线接收区域。
以图8中所示情况为例，微镜片20113a进行负向偏转(在图8中为顺时针偏转)，微镜片20113a将第一光线反射至预设冗杂光线接收区域，即控光单元2011处于非工作状态；微镜片20113b进行正向偏转(在图8中为逆时针偏转)，将第一光线反射至中载基板4上所对应的光照区域，即控光单元2011处于工作状态。
图9为本公开实施例提供的再一种LED芯片转移用设备的结构示意图，如图9所示，与前面实施例中不同，图9所示LED芯片转移用设备中，控光机构2不仅包括光筛模块201还包括光束控制模块202；光束控制模块202位于光筛模块201的出光侧，光束控制模块202配置为对各控光单元2011所射出的第一光线所形成光束在中载基板4上的光斑的形状、尺寸、能量分布中的至少之一进行调整。
在一些实施例中，光束控制模块202包括：扩束镜2021、振镜2022和场镜2023中至少之一。其中，扩束镜2021用于对光束进行扩束处理；示例性地，一束激光经过一个X倍的扩束镜2021，其束腰半径增大X倍，但是光束的发散角缩小为原来的1/X。振镜2022一般也称为扫描振镜2022，一般包括：X-Y光学扫描头、电子驱动放大器和光学反射镜片组成，其工作原理是将激光束入射到两扫描镜上，用计算机控制反射镜的反射角度，这两个反射镜可分别沿X、Y轴扫描，从而达到改变光束传播方向的目的。场镜2023一般也称为聚焦镜，用于确定最终的出光范围。
在实际应用中，扩束镜2021、振镜2022和场镜2023三者可以搭配使用；一般地，光筛模块201的出光侧与扩束镜2021的入光侧相对设置，扩束镜2021的出光侧与振镜2022的入光侧相对，振镜2022的出光侧与场景的入光侧相对，光筛模块201所射出的光线依次经过扩束镜2021、振镜2022和场镜2023的作用，最终照射至中载基板4上第一预设目标区域。当然，也可以选择性的设置扩束镜2021、振镜2022和场镜2023中的一者或两者。
需要说明的是，上述光束控制模块202包括：扩束镜2021、振镜2022和场镜2023中至少之一的情况，仅起到示例性作用，其不会对本公开的技术方案产生限制，在本公开实施例中但凡能够对控光单元2011所射出的第一光线所形成光束在中载基板4上的光斑的形状、尺寸、能量分布中的至少之一进行调整的结构，均能够作为本公开中的光束控制模块202来使用。
在本公开实施例中，通过设置光束控制模块202可对各控光单元2011所射出的第一光线所形成光束在中载基板4上的光斑的形状、尺寸、能量分布中的至少之一进行调整，以适应于不同的应用场景。例如，中载基板4上LED芯片403的尺寸发生变化、中载基板4上LED芯片403之间的间距发生变化或者是LED芯片403的形状发生变化等。
本公开实施例提供的LED芯片转移用设备可以包括如下工作阶段：
第一阶段：中载基板图像采集阶段；具体地，通过第二光源所射出的第二光线来对整个中载基板或者是中载基板上的部分区域进行扫描(即，第二预设目标区域可以为中载基板的整个区域或者是中载基板上的部分区域，具体区域可根据实际需要进行预先设定)，并利用图像拾取机构来采集反射光线，并生成整个中载基板或者是中载基板上的部分区域的图像。在该过程中，可控制光筛模块中的至少部分光处理单元处于工作状态，以使得第二光线能够照射至中载基板上的至少部分区域。
第二阶段：LED芯片品质识别阶段；具体地，第一处理机构对图像拾取机构所生成的图像信息进行处理，以生成第二预设目标区域的品质分布信息，即确定出第二预设目标区域内各LED芯片的分布信息及其对应的品质信息。
第三阶段：LED芯片转移阶段；具体地，首先，基于预先获取到的中载基板上第二预设目标区域的品质分布信息，在中载基板上确定出第一预设目标区域，位于第一预设目标区域中的LED芯片需要进行同步转移；然后，根据所确定出的第一预设目标区域确定控光机构上所对应的预设目标光处理区域；再然后，通过第二处理机构向光筛模块发送控制信号，控制信号包括位于预设目标光处理区域的控光单元的标识信息；接着，光筛模块根据控制信息控制位于预设目标光处理区域的控光单元处于工作状态，以及控制位于预设目标光处理区域的控光单元处于非工作状态，从而实现对控光机构上预设目标光处理区域的调控。再接着，开启第一光源并使得第一光源射出的第一光线完全覆盖控光机构上的预设目标光处理区域，对照射至控光机构上预设目标光处理区域的第一光线的传播方向进行控制，形成从透光基底远离LED芯片的一侧照射至中载基板上第一预设目标区域的第一光线，使得位于第一预设目标区域的解离胶发生解离，以将位于第一预设目标区域的LED芯片转移至待转移基板上。
作为一个具体的应用场景，在中载基板上确定第一预设目标区域时，可选取品质相同或近似相同的LED芯片所处区域作为第一预设目标区域，以使得同时转移至同一待转移基板上的LED芯片的品质相同或近似相同。进一步地，还可以针对多个不同的中载基板，将这些不同中载基板上品质相同或近似相同的多个LED芯片分批次的转移至同一待转移基板上，此时该待转移基板上的所有LED芯片的品质相同或近似相同，有利于提升显示装置的显示效果均一性。
作为另一个具体的应用场景，针对同一中载基板，可通过多次LED芯片转移的步骤将不同品质的LED芯片分别转移到多个不同待转移基板上，且任意一次转移过程中所同时转移的LED芯片的品质相同或近似相同。
需要说明的是，上述各实施例中不同特征之间可以相互组合，通过组合后所得到的技术方案也应属于本公开的保护范围。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (15)

1.一种发光二极管芯片转移用设备，其特征在于，包括：
第一光源，配置为产生并发射出第一光线；
中载承载机构，配置为承载中载基板，所述中载基板包括透光基底以及通过解离胶固定于所述透光基底一侧的多个发光二极管芯片；
基板承载机构，配置为承载待转移基板，所述待转移基板位于所述发光二极管芯片远离所述透光基底的一侧；
控光机构，位于所述透光基底远离所述发光二极管芯片的一侧，配置为对照射至所述控光机构上预设目标光处理区域的第一光线的传播方向进行控制，形成从所述透光基底远离所述发光二极管芯片的一侧照射至所述中载基板上第一预设目标区域的第一光线，使得位于所述第一预设目标区域的解离胶发生解离，以将位于所述第一预设目标区域的发光二极管芯片转移至所述待转移基板上。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片转移用设备，其特征在于，还包括：
第二光源，配置为产生并发射出第二光线；
图像拾取机构，配置为接收所述中载基板上位于第二预设目标区域所反射的第二光线，并根据接收到的第二光线生成所述第二预设目标区域的图像信息。
3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片转移用设备，其特征在于，还包括：
第一处理机构，与所述图像拾取机构耦接，配置对所述图像拾取机构所生成的所述图像信息进行处理以生成所述第二预设目标区域的品质分布信息，所述品质分布信息包括各所述发光二极管芯片的位置信息以及对应的品质信息。
4.根据权利要求2所述的发光二极管芯片转移用设备，其特征在于，所述第一光源和所述第二光源为同一光源。
5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片转移用设备，其特征在于，所述控光机构包括：光筛模块；
所述光筛模块包括：呈阵列排布的多个控光单元，每个所述控光单元在所述中载基板上存在对应的光照区域，位于所述预设目标光处理区域的所述控光单元处于工作状态，未位于所述预设目标光处理区域的所述控光单元处于非工作状态；
所述控光单元配置为在处于工作状态时将接收到的第一光线的传播方向进行控制，形成能够照射至所述中载基板上所对应光照区域的第一光线。
6.根据权利要求5所述的发光二极管芯片转移用设备，其特征在于，还包括：
第二处理机构，与所述光筛模块耦接，配置为向所述光筛模块发送控制信号，以供所述光筛模块根据所述控制信号来控制位于预设目标光处理区域的控光单元处于工作状态；
所述控制信号包括位于所述预设目标光处理区域的控光单元的标识信息。
7.根据权利要求5所述的发光二极管芯片转移用设备，其特征在于，所述控光单元配置为在工作状态时使得照射至所述控光单元所处区域的第一光线发生透射，以及在非工作状态遮挡照射至所述控光单元所处区域的第一光线。
8.根据权利要求7所述的发光二极管芯片转移用设备，其特征在于，所述光筛模块包括：液晶面板，所述液晶面板包括多个像素单元，所述像素单元作为所述控光单元。
9.根据权利要求8所述的发光二极管芯片转移用设备，其特征在于，所述液晶面板所处平面与所述透光基底远离所述发光二极管芯片一侧的表面所处平面相交设置；
所述光筛模块还包括：位于所述液晶面板远离所述第一光源一侧的反射单元，所述反射单元配置为将从所述控光单元透射出的第一光线反射至所述中载基板上所对应的光照区域。
10.根据权利要求8所述的发光二极管芯片转移用设备，其特征在于，所述液晶面板所处平面与所述透光基底远离所述发光二极管芯片一侧的表面所处平面平行设置。
11.根据权利要求10所述的发光二极管芯片转移用设备，其特征在于，还包括：多个支撑机构，所述支撑机构配置为设于所述液晶面板与所述透光基底之间，所述支撑机构的两端分别用于支撑所述液晶面板和所述透光基底。
12.根据权利要求5所述的发光二极管芯片转移用设备，其特征在于，所述控光单元配置为在工作状态时将照射至所述控光单元所处区域的第一光线反射至所述中载基板上所对应的光照区域，以及在非工作状态时将照射至所述控光单元所处区域的第一光线反射至预设冗杂光线接收区域。
13.根据权利要求12所述的发光二极管芯片转移用设备，其特征在于，所述光筛模块包括：数字微反射镜或微机电系统反射镜；
所述数字微反射镜和所述微机电系统反射镜均包括多个反射像素单元，所述反射像素单元作为所述控光单元。
14.根据权利要求5至13中任一所述的发光二极管芯片转移用设备，其特征在于，所述控光机构还包括：光束控制模块；
所述光束控制模块位于所述光筛模块的出光侧，配置为对各控光单元所射出的第一光线所形成光束在所述中载基板上的光斑的形状、尺寸、能量分布中的至少之一进行调整。
15.根据权利要求14所述的发光二极管芯片转移用设备，其特征在于，所述光束控制模块包括：扩束镜、振镜和场镜中至少之一。
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