CN113241394A - 一种Micro-LED显示器异常像素修复方法 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种Micro‑LED显示器异常像素修复方法，涉及液晶面板像素修复技术领域，通过先将异常Micro‑LED芯片阵列上的正常像素阵列转移至第一转印衬底，再将第一转印衬底上的正常像素阵列转移至第二转印衬底，根据第二转印衬底上空白的待修复像素点区域确定备用正常Micro‑LED芯片阵列上需转移的像素点区域，然后将需转移的备用正常像素阵列转移至第三转印衬底，最后将第三转印衬底上的备用正常像素阵列转移至第二转印衬底上空白的待修复像素点区域处，实现了异常Micro‑LED芯片阵列的修复，整个修复过程简单高效，且可同时修复多个异常像素，有效降低了修复成本。
Description
技术领域
本申请涉及液晶面板像素修复技术领域，特别涉及一种Micro-LED显示器异常像素修复方法。
背景技术
Micro-LED(微米发光二极管)显示器是一种以Micro-LED芯片作为像素点的自发光显示器，因此具有高亮度、高发光效率以及低能耗等优点，逐步成为显示行业竞争的焦点。不过在实际生产中，LED(Light-emitting Diode，发光二极管)颗粒在制备和转移的过程中往往会出现各种不良问题，而该不良问题易造成Micro-LED的生产率低，进而对Micro-LED的大规模生产产生巨大的阻碍。
具体的，在Micro-LED显示器的生产过程中，一般采用巨量转移的方式将Micro-LED芯片阵列转移到基板上，因此，在进行巨量转移之前，通常需要对Micro-LED芯片阵列进行异常像素检测，并对检测到的包括超亮点、亮点以及暗点等异常像素进行修复。
目前显示行业通常采用激光修复技术将超亮点以及亮点转化为暗点以实现异常像素的修复，由此可见，该种修复方法只是将超亮点和亮点转化为暗点，而未将超亮点和亮点转化为正常亮度的像素点，但是暗点本就是异常像素，因此将超亮点和亮点转化为暗点后，依然会使得Micro-LED芯片阵列存在缺陷像素，未从根本上解决问题，由此可见激光修复技术存在无法有效修复异常像素的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种Micro-LED显示器异常像素修复方法，以解决相关技术中无法有效修复异常像素的问题。
第一方面，提供了一种Micro-LED显示器异常像素修复方法，包括以下步骤：
将异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素阵列转移至第一转印衬底，使第一转印衬底形成空白的待修复像素点区域和正常像素点区域，所述正常像素点区域内包含正常像素阵列；
将第一转印衬底上的正常像素阵列转移至第二转印衬底，使第二转印衬底形成空白的待修复像素点区域和正常像素点区域；
根据第二转印衬底上空白的待修复像素点区域确定备用正常Micro-LED芯片阵列上需转移的像素点区域；
将备用正常Micro-LED芯片阵列上需转移的像素点区域上的备用正常像素阵列转移至第三转印衬底；
将第三转印衬底上的备用正常像素阵列转移至第二转印衬底上空白的待修复像素点区域处。
一些实施例中，所述将异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素阵列转移至第一转印衬底，使第一转印衬底形成空白的待修复像素点区域和正常像素点区域，所述正常像素点区域内包含正常像素阵列，包括：
将第一转印衬底粘附于第一蓝宝石衬底上的异常Micro-LED芯片阵列上，所述异常Micro-LED芯片阵列包括异常像素点区域和正常像素点区域，所述正常像素点区域内包含正常像素阵列；
使用激光对所述第一蓝宝石衬底的底部进行扫描照射，所述激光对准所述异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素点区域，使所述异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素阵列转移至所述第一转印衬底，使第一转印衬底形成空白的待修复像素点区域和正常像素点区域；
分离所述第一转印衬底和所述第一蓝宝石衬底。
一些实施例中，所述将第一转印衬底上的正常像素阵列转移至第二转印衬底，使第二转印衬底形成空白的待修复像素点区域和第二正常像素点区域，包括：
将第二转印衬底粘附于所述第一转印衬底上的正常像素阵列上；
使用激光对所述第二转印衬底进行扫描照射，所述激光对准所述第一转印衬底上的正常像素点区域，使所述第一转印衬底上的正常像素阵列转移至所述第二转印衬底，使第二转印衬底形成空白的待修复像素点区域和正常像素点区域；
分离所述第二转印衬底和所述第一转印衬底。
一些实施例中，所述第二转印衬底包括聚酰亚胺衬底以及贴设于所述聚酰亚胺衬底上的功能层，所述功能层为巯基酯层。
一些实施例中，所述使用激光对所述第二转印衬底进行扫描照射，包括：使用激光对所述功能层进行扫描照射，扫描照射时间为150s～230s。
一些实施例中，所述将备用正常Micro-LED芯片阵列上需转移的像素点区域上的备用正常像素阵列转移至第三转印衬底，包括：
将第三转印衬底粘附于第二蓝宝石衬底上的备用正常Micro-LED芯片阵列上；
使用激光对所述第二蓝宝石衬底的底部进行扫描照射，所述激光对准所述备用正常Micro-LED芯片阵列上需转移的像素点区域，使所述备用正常Micro-LED芯片阵列上的备用正常像素阵列转移至所述第三转印衬底；
分离所述第三转印衬底和所述第二蓝宝石衬底。
一些实施例中，所述将第三转印衬底上的备用正常像素阵列转移至第二转印衬底上空白的待修复像素点区域处，包括：
所述第二转印衬底上空白的待修复像素点区域与所述第三转印衬底上的备用正常像素阵列对齐布置；
将第二转印衬底粘附于所述第三转印衬底上的备用正常像素阵列上；
使用激光对所述第二转印衬底进行扫描照射，所述激光对准所述第三转印衬底上的备用正常像素阵列，使所述第三转印衬底上的备用正常像素阵列转移至第二转印衬底上空白的待修复像素点区域处，完成所述异常Micro-LED芯片阵列的异常像素修复；
分离所述第二转印衬底和所述第三转印衬底。
一些实施例中，在所述将异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素阵列转移至第一转印衬底之前，还包括：
对异常Micro-LED芯片阵列进行光致发光测试，得到各个像素点的光致发光强度峰值；
将所述像素点的光致发光强度峰值与预设的光致发光强度均值进行比较，得到比较结果；
根据所述比较结果判断所述像素点是否为异常像素点；
根据所述像素点的异常情况确定异常Micro-LED芯片阵列的异常像素点区域和正常像素点区域。
一些实施例中，在所述根据所述比较结果判断所述像素点是否为异常像素点之后，还包括：
使用相机获取异常像素点的图像信息以及所述异常像素点所在的区域图像信息；
对所述异常像素点的图像信息进行分析，得到所述异常像素点的亮度值；
对所述异常像素点所在的区域图像信息进行分析，得到区域亮度均值；
将所述异常像素点的亮度值与所述区域亮度均值进行比较，得到比较结果；
根据所述比较结果对所述异常像素点的异常情况进行验证。
一些实施例中，所述异常像素点包括亮点、超亮点、暗点、亮线和暗线。
本申请提供的技术方案带来的有益效果包括：不仅可有效修复Micro-LED显示器的异常像素，且可同时修复多个异常像素，提高了修复效率的同时，降低了修复成本。
本申请实施例提供了一种Micro-LED显示器异常像素修复方法，通过先将异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素阵列转移至第一转印衬底，再将第一转印衬底上的正常像素阵列转移至第二转印衬底，使得第二转印衬底上包含了异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素阵列，其次根据第二转印衬底上空白的待修复像素点区域确定备用正常Micro-LED芯片阵列上需转移的像素点区域，然后将备用正常Micro-LED芯片阵列上需转移的像素点区域上的备用正常像素阵列转移至第三转印衬底，最后再将第三转印衬底上的备用正常像素阵列转移至第二转印衬底上空白的待修复像素点区域处，使得第二转印衬底上的空白的待修复像素点区域被批量的正常像素阵列填充，即第二转印衬底上的像素阵列均为正常的，实现了异常Micro-LED芯片阵列的修复，整个修复过程简单高效，且可同时修复多个异常像素，有效降低了修复成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种Micro-LED显示器异常像素修复方法的流程示意图；
图2为本申请实施例提供的位于第一蓝宝石衬底上的异常Micro-LED芯片阵列的俯视图；
图3为本申请实施例提供的位于第一蓝宝石衬底上的异常Micro-LED芯片阵列的侧视图；
图4为本申请实施例提供的使用第一转印衬底转移异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素阵列的过程俯视图；
图5为本申请实施例提供的使用第一转印衬底转移异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素阵列的过程侧视图；
图6为本申请实施例提供的异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素阵列转移后的第一转印衬底的俯视图；
图7为本申请实施例提供的异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素阵列转移后的第一转印衬底的侧视图；
图8为本申请实施例提供的异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素阵列转移后的第一蓝宝石衬底的俯视图；
图9为本申请实施例提供的异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素阵列转移后的第一蓝宝石衬底的侧视图；
图10为本申请实施例提供的第一转印衬底上的正常像素阵列转移至第二转印衬底的过程俯视图；
图11为本申请实施例提供的第一转印衬底上的正常像素阵列转移至第二转印衬底的过程侧视图；
图12为本申请实施例提供的第一转印衬底上的正常像素阵列转移后的第二转印衬底的俯视图；
图13为本申请实施例提供的第一转印衬底上的正常像素阵列转移后的第二转印衬底的侧视图；
图14为本申请实施例提供的第一转印衬底上的正常像素阵列转移后的第一转印衬底的俯视图；
图15为本申请实施例提供的第一转印衬底上的正常像素阵列转移后的第一转印衬底的侧视图；
图16为本申请实施例提供的备用正常Micro-LED芯片阵列上的备用正常像素阵列转移至第三转印衬底的过程俯视图；
图17为本申请实施例提供的备用正常Micro-LED芯片阵列上的备用正常像素阵列转移至第三转印衬底的过程侧视图；
图18为本申请实施例提供的备用正常Micro-LED芯片阵列上的备用正常像素阵列转移后的第三转印衬底的俯视图；
图19为本申请实施例提供的备用正常Micro-LED芯片阵列上的备用正常像素阵列转移后的第三转印衬底的侧视图；
图20为本申请实施例提供的备用正常Micro-LED芯片阵列上的备用正常像素阵列转移后的第二蓝宝石衬底的俯视图；
图21为本申请实施例提供的备用正常Micro-LED芯片阵列上的备用正常像素阵列转移后的第二蓝宝石衬底的侧视图；
图22为本申请实施例提供的第三转印衬底上的备用正常像素阵列转移至第二转印衬底上的过程俯视图；
图23为本申请实施例提供的第三转印衬底上的备用正常像素阵列转移至第二转印衬底上的过程侧视图；
图24为本申请实施例提供的第三转印衬底上的备用正常像素阵列转移后的第二转印衬底的俯视图；
图25为本申请实施例提供的第三转印衬底上的备用正常像素阵列转移后的第二转印衬底的侧视图。
图中：1-第一蓝宝石衬底，2-第一转印衬底，3-第二转印衬底，31-聚酰亚胺衬底，32-功能层，4-第三转印衬底，5-第二蓝宝石衬底，51-备用正常像素阵列，6-正常像素阵列，7-异常像素阵列，8-激光。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供了一种Micro-LED显示器异常像素修复方法，其能解决相关技术中无法有效修复异常像素的问题。
图1是一种Micro-LED显示器异常像素修复方法的流程示意图，其包括以下步骤：
S1：将异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素阵列转移至第一转印衬底，使第一转印衬底形成空白的待修复像素点区域和正常像素点区域，所述正常像素点区域内包含正常像素阵列。
参见图2和图3所示，由于生产工艺等原因会导致生长于第一蓝宝石衬底1上的Micro-LED芯片阵列出现异常像素点，通常称该Micro-LED芯片阵列为异常Micro-LED芯片阵列，即其上包括了异常像素点区域和正常像素点区域，具体的，异常像素点区域内包含了异常像素阵列7，正常像素点区域内包含了正常像素阵列6；而为了避免生产过程中不良问题的出现，一般需要对异常Micro-LED芯片阵列上的异常像素点进行检测并修复；其中，异常像素点包括亮点、超亮点、暗点、亮线和暗线等。
具体的，将第一转印衬底2粘附于第一蓝宝石衬底1上的异常Micro-LED芯片阵列上，所述异常Micro-LED芯片阵列包括异常像素点区域和正常像素点区域，所述正常像素点区域内包含正常像素阵列6；使用激光对所述第一蓝宝石衬底1的底部进行扫描照射，所述激光对准所述异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素点区域，使所述异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素阵列6转移至所述第一转印衬底2，使第一转印衬底2形成空白的待修复像素点区域和正常像素点区域；分离所述第一转印衬底2和所述第一蓝宝石衬底1。
参见图4所示，可使用由聚二甲硅氧烷等材料制成的第一转印衬底2粘附至第一蓝宝石衬底1上的异常Micro-LED芯片阵列上，其中，聚二甲硅氧烷的作用是将第一蓝宝石衬底1上的像素阵列转印至基板上；参见图5所示，使用激光8从第一蓝宝石衬底1的底部扫描照射，控制激光光束避开异常像素点区域，而只扫描正常像素点区域(其中，激光的扫描速度的要求为2英寸Micro-LED晶圆的扫描时间应小于5分钟)，实现将正常像素阵列6转印到第一转印衬底2上，使第一转印衬底2形成空白的待修复像素点区域和正常像素点区域(参见图6和图7所示)，而异常像素阵列7依然留在第一蓝宝石衬底1上(参见图8和图9所示)，其中，激光8可以为紫外脉冲准分子或其他激光；最后将第一转印衬底2和第一蓝宝石衬底1分离即可，由此可见，使用第一转印衬底2可以同时转移大量Micro-LED芯片阵列上的正常像素阵列6，提高了转移效率。
S2：将第一转印衬底上的正常像素阵列转移至第二转印衬底，使第二转印衬底形成空白的待修复像素点区域和正常像素点区域。
具体的，将第二转印衬底3粘附于所述第一转印衬底2上的正常像素阵列6上；使用激光8对所述第二转印衬底3进行扫描照射，所述激光8对准所述第一转印衬底2上的正常像素点区域，使所述第一转印衬底2上的正常像素阵列6转移至所述第二转印衬底3，使第二转印衬底3形成空白的待修复像素点区域和正常像素点区域；分离所述第二转印衬底3和所述第一转印衬底2。
参见图10所示，将第二转印衬底3粘附于第一转印衬底2上的正常像素阵列6，其中，第二转印衬底3包括聚酰亚胺衬底31以及贴设于聚酰亚胺衬底31上的功能层32，该功能层32可设置为巯基酯层，巯基酯是一种紫外光敏材料，在紫外光持续照射150s到230s时，巯基酯与Micro-LED芯片阵列之间的粘附力会强于聚二甲硅氧烷与Micro-LED芯片阵列之间的粘附力，因此可在这个时间段剥离带有功能层32的聚酰亚胺衬底31，从而实现将Micro-LED芯片阵列转移到聚酰亚胺衬底31上；因此，参见图11所示，可使用激光8(即紫外光)从基板侧照射第二转印衬底3上的功能层32，并对准第一转印衬底2上的正常像素点区域，而在紫外光的持续照射下，功能层32与Micro-LED之间的粘附力会逐渐增大；其中，在照射时间为50s到150s范围内，功能层32与Micro-LED之间的粘附力小于第一转印衬底2与Micro-LED之间的粘附力，当照射时间在150s到230s范围内，功能层32与Micro-LED之间的粘附力大于第一转印衬底2与Micro-LED之间的粘附力，此时进行第一转印衬底与Micro-LED的分离，分离后的结果如图12至图15所示，第一转印衬底2上的正常像素阵列6均转移到了带功能层32的聚酰亚胺衬底31上，使聚酰亚胺衬底31形成空白的待修复像素点区域和正常像素点区域；最后分离第二转印衬底3和第一转印衬底2。
S3：根据第二转印衬底上空白的待修复像素点区域确定备用正常Micro-LED芯片阵列上需转移的像素点区域。
具体的，通过备用正常Micro-LED芯片阵列可实现对异常Micro-LED芯片阵列的修复，因此，可根据聚酰亚胺衬底31上空白的待修复像素点区域的位置信息来确定备用正常Micro-LED芯片阵列上需转移的像素点区域位置信息，该像素点区域内包含了备用正常像素阵列51。
S4：将备用正常Micro-LED芯片阵列上需转移的像素点区域上的备用正常像素阵列转移至第三转印衬底。
具体的，将第三转印衬底4粘附于第二蓝宝石衬底5上的备用正常Micro-LED芯片阵列上；使用激光8对所述第二蓝宝石衬底5的底部进行扫描照射，所述激光8对准所述备用正常Micro-LED芯片阵列上需转移的像素点区域，使所述备用正常Micro-LED芯片阵列上的备用正常像素阵列51转移至所述第三转印衬底4；分离所述第三转印衬底4和所述第二蓝宝石衬底5。
参见图16所示，第三转印衬底4可优选为聚二甲硅氧烷材料，备用正常Micro-LED芯片阵列设于第二蓝宝石衬底5上，将第三转印衬底4与备用正常Micro-LED芯片阵列进行粘附；参见图17所示，控制激光8从第二蓝宝石衬底5方向仅仅扫描备用正常Micro-LED芯片阵列上需转移的像素点区域，从而分离备用正常Micro-LED芯片阵列上的备用正常像素阵列51至第三转印衬底4上，分离后的结果参见图18至图21所示，其中，激光8可以为紫外脉冲准分子或其他激光；最后将第三转印衬底4和第二蓝宝石衬底5分离。
S5：将第三转印衬底上的备用正常像素阵列转移至第二转印衬底上空白的待修复像素点区域处。
具体的，所述第二转印衬底3上空白的待修复像素点区域与所述第三转印衬底4上的备用正常像素阵列51对齐布置；将第二转印衬底3粘附于所述第三转印衬底4上的备用正常像素阵列51上；使用激光8对所述第二转印衬底3进行扫描照射，所述激光8对准所述第三转印衬底4上的备用正常像素阵列51，使所述第三转印衬底4上的备用正常像素阵列51转移至第二转印衬底3上空白的待修复像素点区域处，完成所述异常Micro-LED芯片阵列的异常像素修复；分离所述第二转印衬底3和所述第三转印衬底4。
参见图22所示，将第二转印衬底3上的功能层32与第三转印衬底4上的备用正常像素阵列51进行粘附，参见图23所示，使用紫外光持续从基板侧照射功能层32，使备用正常像素阵列51转移至聚酰亚胺衬底31上空白的待修复像素点区域处(参见图24和25所示)，在紫外光照射150s到230s后，剥离并取下第二转印衬底3，完成异常Micro-LED芯片阵列的异常像素修复。
更进一步的，在本申请实施例中，在所述将异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素阵列转移至第一转印衬底之前，还包括以下步骤：
对异常Micro-LED芯片阵列进行光致发光测试，得到各个像素点的光致发光强度峰值；
将所述像素点的光致发光强度峰值与预设的光致发光强度均值进行比较，得到比较结果；
根据所述比较结果判断所述像素点是否为异常像素点；
根据所述像素点的异常情况确定异常Micro-LED芯片阵列的异常像素点区域和正常像素点区域。
具体的，采用微脉冲激光束对生长于第一蓝宝石衬底1上的Micro-LED阵列进行扫描，激光光束的光子能量必须大于Micro-LED的禁带宽度，实现Micro-LED阵列的点亮，通过光致发光(PL)测试仪对单个像素点的光致发光强度进行测量，得到各个像素点的光致发光强度峰值，并将单个像素点的光致发光强度峰值作为单个像素点的准确值，其中，PL测试中使用的微脉冲激光束的发光波长必须小于Micro-LED芯片的发光波长；通过比对单个像素点的准确值与预设的周围像素点的准确值均值差异来判断单个像素点是否存在亮度异常；作为一个实例，像素点发光异常的判断方式为：若其中一个像素点准确值与周围像素点准确值均值相差x％及以上，则认为该像素点发光强度可能存在异常，其中，x的值可根据测试需求自行设置；检测完成后，根据像素点的异常情况确定异常Micro-LED芯片阵列的异常像素点区域和正常像素点区域。
更进一步的，在本申请实施例中，在所述根据所述比较结果判断所述像素点是否为异常像素点之后，还包括：
使用相机获取异常像素点的图像信息以及所述异常像素点所在的区域图像信息；
对所述异常像素点的图像信息进行分析，得到所述异常像素点的亮度值；
对所述异常像素点所在的区域图像信息进行分析，得到区域亮度均值；
将所述异常像素点的亮度值与所述区域亮度均值进行比较，得到比较结果；
根据所述比较结果对所述异常像素点的异常情况进行验证。
具体的，利用高分辨率相机对通过光致发光测试得到的异常像素点进行图像数据的采集，并将该异常像素点所在的一个区域内的图像数据实时发给电脑图像信息处理单元，其中，高分辨率相机的分辨率应高于Micro-LED芯片阵列的分辨率，从而实现一个异常像素点能被多个相机像素所检测到；处理单元根据预设的正常像素点区域的多张图像确定异常像素点所在区域的区域亮度均值，对比异常像素点的亮度值与区域亮度均值，若亮度值与区域亮度均值相差y％及以上，则确认该异常像素点发光强度确实存在异常，进一步提高了异常像素点检测的准确性，其中，y的值可根据测试需求自行设置。
本申请实施例通过微脉冲激光束对Micro-LED芯片阵列进行光致发光测试，同时利用高分辨率相机拍摄Micro-LED芯片阵列发光情况，通过对比不同区域光致发光测试结果并结合发光图像，确定异常像素点所在的区域位置信息，有效提高了异常像素点检测的精准度。
由上可知，本申请实施例通过结合光致发光方法以及高分辨率相机对Micro-LED芯片阵列进行测试确定缺陷像素所在的位置信息，实现了异常像素缺陷的精准定位；并通过使用材料为聚二甲硅氧烷的第一转印衬底粘附到第一蓝宝石衬底上的异常Micro-LED芯片阵列，再使用紫外脉冲准分子激光光束扫描异常Micro-LED芯片阵列的正常像素点区域，将正常像素阵列转移到第一转印衬底上，然后将第一转印衬底上的正常像素阵列粘附到带有功能层的聚酰亚胺衬底上，通过紫外光束的持续性照射，实现将正常像素阵列转移到聚酰亚胺衬底，其次取用备用正常Micro-LED芯片阵列，通过采用第三转印衬底将备用正常Micro-LED芯片阵列上的备用正常像素阵列转移到带有聚酰亚胺衬底上，从而实现Micro-LED异常像素缺陷的修复，整个修复过程效率高，可同时修复多个异常像素缺陷，修复成本低，经济性强。
综上，本申请实施例能够同时实现Micro-LED芯片的巨量转移、检测以及修复功能，达到修复Micro-LED显示器异常像素的目的；该缺陷修复方法简单高效，通过转移衬底来替换异常像素完成修复，修复过程简单、高效、经济性强。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的系统或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
需要说明的是，在本申请中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本申请的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种Micro-LED显示器异常像素修复方法，其特征在于，包括以下步骤：
将异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素阵列转移至第一转印衬底，使第一转印衬底形成空白的待修复像素点区域和正常像素点区域，所述正常像素点区域内包含正常像素阵列；
将第一转印衬底上的正常像素阵列转移至第二转印衬底，使第二转印衬底形成空白的待修复像素点区域和正常像素点区域；
根据第二转印衬底上空白的待修复像素点区域确定备用正常Micro-LED芯片阵列上需转移的像素点区域；
将备用正常Micro-LED芯片阵列上需转移的像素点区域上的备用正常像素阵列转移至第三转印衬底；
将第三转印衬底上的备用正常像素阵列转移至第二转印衬底上空白的待修复像素点区域处。
2.如权利要求1所述的一种Micro-LED显示器异常像素修复方法，其特征在于，所述将异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素阵列转移至第一转印衬底，使第一转印衬底形成空白的待修复像素点区域和正常像素点区域，所述正常像素点区域内包含正常像素阵列，包括：
将第一转印衬底粘附于第一蓝宝石衬底上的异常Micro-LED芯片阵列上，所述异常Micro-LED芯片阵列包括异常像素点区域和正常像素点区域，所述正常像素点区域内包含正常像素阵列；
使用激光对所述第一蓝宝石衬底的底部进行扫描照射，所述激光对准所述异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素点区域，使所述异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素阵列转移至所述第一转印衬底，使第一转印衬底形成空白的待修复像素点区域和正常像素点区域；
分离所述第一转印衬底和所述第一蓝宝石衬底。
3.如权利要求1所述的一种Micro-LED显示器异常像素修复方法，其特征在于，所述将第一转印衬底上的正常像素阵列转移至第二转印衬底，使第二转印衬底形成空白的待修复像素点区域和第二正常像素点区域，包括：
将第二转印衬底粘附于所述第一转印衬底上的正常像素阵列上；
使用激光对所述第二转印衬底进行扫描照射，所述激光对准所述第一转印衬底上的正常像素点区域，使所述第一转印衬底上的正常像素阵列转移至所述第二转印衬底，使第二转印衬底形成空白的待修复像素点区域和正常像素点区域；
分离所述第二转印衬底和所述第一转印衬底。
4.如权利要求3所述的一种Micro-LED显示器异常像素修复方法，其特征在于：所述第二转印衬底包括聚酰亚胺衬底以及贴设于所述聚酰亚胺衬底上的功能层，所述功能层为巯基酯层。
5.如权利要求4所述的一种Micro-LED显示器异常像素修复方法，其特征在于，所述使用激光对所述第二转印衬底进行扫描照射，包括：使用激光对所述功能层进行扫描照射，扫描照射时间为150s～230s。
6.如权利要求1所述的一种Micro-LED显示器异常像素修复方法，其特征在于，所述将备用正常Micro-LED芯片阵列上需转移的像素点区域上的备用正常像素阵列转移至第三转印衬底，包括：
将第三转印衬底粘附于第二蓝宝石衬底上的备用正常Micro-LED芯片阵列上；
使用激光对所述第二蓝宝石衬底的底部进行扫描照射，所述激光对准所述备用正常Micro-LED芯片阵列上需转移的像素点区域，使所述备用正常Micro-LED芯片阵列上的备用正常像素阵列转移至所述第三转印衬底；
分离所述第三转印衬底和所述第二蓝宝石衬底。
7.如权利要求1所述的一种Micro-LED显示器异常像素修复方法，其特征在于，所述将第三转印衬底上的备用正常像素阵列转移至第二转印衬底上空白的待修复像素点区域处，包括：
所述第二转印衬底上空白的待修复像素点区域与所述第三转印衬底上的备用正常像素阵列对齐布置；
将第二转印衬底粘附于所述第三转印衬底上的备用正常像素阵列上；
使用激光对所述第二转印衬底进行扫描照射，所述激光对准所述第三转印衬底上的备用正常像素阵列，使所述第三转印衬底上的备用正常像素阵列转移至第二转印衬底上空白的待修复像素点区域处，完成所述异常Micro-LED芯片阵列的异常像素修复；
分离所述第二转印衬底和所述第三转印衬底。
8.如权利要求1所述的一种Micro-LED显示器异常像素修复方法，其特征在于，在所述将异常Micro-LED芯片阵列上的正常像素阵列转移至第一转印衬底之前，还包括：
对异常Micro-LED芯片阵列进行光致发光测试，得到各个像素点的光致发光强度峰值；
将所述像素点的光致发光强度峰值与预设的光致发光强度均值进行比较，得到比较结果；
根据所述比较结果判断所述像素点是否为异常像素点；
根据所述像素点的异常情况确定异常Micro-LED芯片阵列的异常像素点区域和正常像素点区域。
9.如权利要求8所述的一种Micro-LED显示器异常像素修复方法，其特征在于，在所述根据所述比较结果判断所述像素点是否为异常像素点之后，还包括：
使用相机获取异常像素点的图像信息以及所述异常像素点所在的区域图像信息；
对所述异常像素点的图像信息进行分析，得到所述异常像素点的亮度值；
对所述异常像素点所在的区域图像信息进行分析，得到区域亮度均值；
将所述异常像素点的亮度值与所述区域亮度均值进行比较，得到比较结果；
根据所述比较结果对所述异常像素点的异常情况进行验证。
10.如权利要求8所述的一种Micro-LED显示器异常像素修复方法，其特征在于，所述异常像素点包括亮点、超亮点、暗点、亮线和暗线。
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| CN202110512557.3A CN113241394A (zh) | 2021-05-11 | 2021-05-11 | 一种Micro-LED显示器异常像素修复方法 |
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- 2021-05-11 CN CN202110512557.3A patent/CN113241394A/zh active Pending
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