CN1983614A - 半导体发光装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 16
- 210000004276 hyalin Anatomy 0.000 claims description 61
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 33
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N aluminum indium Chemical compound [Al].[In] AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 229960002163 hydrogen peroxide Drugs 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical class [Sn+4].[O-2].[In+3] GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供一种半导体发光装置，包括：具有第一主面和在与上述第一主面相对的一侧的第二主面的透明层；在上述透明层的上述第一主面上至少一条线地设置的多个发光部，该多个发光部中的每一个具有活性层和锥形部，该锥形部将从上述活性层发出的光向上述透明层的方向反射，该多个发光部中的每一个在上述透明层的第二主面上具有中心部分和周边部分并且具有光强度分布，在上述透明层的上述第二主面上，与上述周边部分相对的区域的光强度等于或大于与上述中心部分相对的区域的光强度；以及在上述透明层的上述第二主面上、与上述中心部分相对地设置的多个接触部，该多个接触部中的每一个对于上述多个发光部的发射波长是不透明的。
Description
相关申请的交叉参考
本申请以2005年10月5日提交的在先日本专利申请No.2005-292608为基础并要求其优先权，该申请的全部内容通过引用的方式结合在此。
技术领域
本发明涉及一种具有多个发光部的半导体发光装置。
背景技术
已经提出有这样一种半导体发光装置，其为了提高发光强度而在基板上纵横地配置有多个发光部，并且从与配置有发光部的表面相对的基板表面方向出射光线。通过设计发光部的形状、增加在基板上配置的发光部的数量，可以进一步提高出射到光出射面侧的光强度。
在这种类型的半导体发光装置中，电极设置在基板的两面侧。然而，由于电极材料通常是不透明的，所以存在着光被电极所遮挡、从而光的强度被削弱的问题。
为了解决这一问题，例如可以考虑相对于发光部的面积而减小电极面积。然而，在这种情况下，流过发光部的电流也会受到限制，结果，发光强度也会削弱。另一方面，还可以使用ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)等透明电极作为电极材料。然而，透明电极的电阻值通常比较大，导致电压下降，从而发光部的发光强度也不能得到提高。
另一方面，提出有这样一种半导体发光装置，其通过使用V形切割刀片形成具有倾斜侧面的槽，使从与光出射面上的电极相对的位置向光出射面上的电极行进的发光光量大幅地减少，从而增加入射到除了在其上形成有电极的部分以外的光出射面的光的量(日本专利No.3312049，0073至0075段，图13)。
在专利文献1中，将光出射面上的电极与使用切割刀片而形成的槽相对设置。然而，光出射面上的光强度是根据发光部的种类而变化的。因此，在电极设置在光强度原本就高的位置的情况下，即使将使用切割刀片形成的槽与该电极相对设置，发光效率也不能提高很多。
发明内容
根据本发明的一个实施例，提供一种半导体发光装置，包括：
具有第一主面和在与上述第一主面相对的一侧的第二主面的透明层；
在上述透明层的上述第一主面上至少一条线地设置的多个发光部，该多个发光部中的每一个具有活性层和锥形部，该锥形部将从上述活性层发出的光向上述透明层的方向反射，该多个发光部中的每一个在上述透明层的第二主面上具有中心部分和周边部分并且具有光强度分布，在上述透明层的上述第二主面上，与上述周边部分相对的区域的光强度等于或大于与上述中心部分相对的区域的光强度；以及
在上述透明层的上述第二主面上、与上述中心部分相对地设置的多个接触部，该多个接触部中的每一个对于上述多个发光部的发射波长是不透明的。
此外，根据本发明的一个实施例，提供一种半导体发光装置，包括：
具有第一主面和在与上述第一主面相对的一侧的第二主面的透明层；
在上述透明层的上述第一主面上至少一条线地设置的多个发光部，该多个发光部中的每一个具有活性层和锥形部，该锥形部将从上述活性层发出的光向上述透明层的方向反射，该多个发光部中的每一个在上述透明层的第二主面上具有中心部分和周边部分并且具有光强度分布，在上述透明层的上述第二主面上，与上述中心部分相对的区域的光强度等于或大于与上述周边部分相对的区域的光强度；以及
在上述透明层的上述第二主面上、与上述周边部分或相邻的两个发光部之间相对地设置的多个接触部，该多个接触部中的每一个对于上述多个发光部的发射波长是不透明的。
附图说明
图1是根据本发明的第一实施例的半导体发光装置的主要部分的剖面图；
图2是一个发光部2的放大图；
图3是表示在将相邻的发光部2之间的间隔E设为0时、锥形角度D和锥形深度B对于光强度分布的影响的图；
图4是表示在将相邻的发光部2之间的间隔E设为1μm时、锥形角度D和锥形深度B对于光强度分布的影响的图；
图5是第一实施例的俯视图；
图6是表示线形的发光部2相互并行地设置的例子的俯视图；
图7是表示多个接触部3设置在相对于发光部2的排列方向的对角线方向上的例子的俯视图；
图8是表示分离独立的接触部3分别设置在与各个发光部2内的中心部分相对的部分的例子的俯视图；
图9是由GaAs等形成的接触部3与金属层叠的情况下的半导体发光装置的主要部分的剖面图；
图10是焊盘4形成在透明电极层10上的情况下的半导体发光装置的主要部分的剖面图；
图11是表示将锥形部7加工形成为浅到不切断活性层5的例子的半导体发光装置的主要部分的剖面图；
图12是根据本发明的第二实施例的半导体发光装置的主要部分的剖面图；
图13是第二实施例的俯视图；
图14是多个接触部3形成在相对于发光部2的排列方向的对角线方向上的情况下的俯视图；
图15是矩形状的短尺寸的接触部3设置在各个发光部2的角部的情况下的俯视图；
图16是在形成有接触部3的透明层1的整个面上形成透明电极并且在透明电极上形成焊盘4的情况下的半导体发光装置的主要部分的剖面图；
图17是具有不切断活性层5的较浅的锥形部7的半导体发光装置的主要部分的剖面图；
图18是说明本实施例的半导体发光装置的制造工序的图；
图19是接图18所示的制造工序的流程图；以及
图20是接图19所示的制造工序的流程图。
具体实施方式
下面，参考附图说明本发明的优选实施例。
(第一实施例)
图1是本发明的第一实施例的半导体发光装置的主要部分的剖面图。图1所示的半导体发光装置具有纵横地设置在下表面、即透明层1的第一主面上的多个发光部2；设置在上表面、即透明层1的与发光部2相对的一侧的第二主面上的多个接触部3；以及与接触部3电导通的焊盘4。
如图2中放大地示出的，多个发光部2的每一个都具有发光的活性层5和以活性层5介于中间而设置在活性层5两侧的第一和第二覆层6和9。在发光部2的侧壁部分形成有被加工成锥形状的锥形部7，而在发光部2的底面形成有平坦部8。在该平坦部8上形成有电极。
从活性层5发出的光向所有方向扩散。然而，到达锥形部7的光被锥形部7反射，并且从基本垂直的方向入射到透明层1的上表面(第二主面)。这样，会使大部分入射光出射到外部。如果发光部2的侧壁不形成为锥形状，而是垂直于基板表面，那么被侧壁反射的光从倾斜方向入射到透明层1的上表面而被全反射。之后，光的全反射会在内部反复，从而不能使光出射到外部。这样，通过将发光部2的侧壁加工成锥形状，能够防止在透明层1的上表面上的光的全反射，从而能够有效地将从活性层5射出的光通过透明层1而引导到外部。
在图1和图2中，“A”表示发光部2中的一个的宽度，“B”表示后面称为“锥形深度”的所加工的锥形部7的深度，“C”是平坦部8的宽度，而“D”是称为“锥形角度”的锥形部7的角度。锥形角度D定义为相对于透明层1的法线方向、即深度方向的倾斜角度。“E”表示相邻的发光部2之间的间隔(见图12)。
从发光部2射出的光的强度根据位置而不同。光强度分布取决于锥形角度D、锥形深度B、相邻的发光部2之间的间隔E以及平坦部8的长度C相对于发光部2的水平方向上的长度A的比C/A等。
这里，本说明书和权利要求中的光强度分布表示透明层1的上表面上的光强度分布。根据本说明书和权利要求的光强度表示每单位面积的光强度。例如，光强度的单位是流明(lumen)每平方米。
图3是表示在将相邻的发光部2之间的间隔E设为0时、锥形角度D和锥形深度B对于光强度分布的影响的图。另一方面，图4是表示在将相邻的发光部2之间的间隔E设为1μm时、锥形角度D和锥形深度B对于光强度分布的影响的图。图3和图4表示对于三种锥形角度D和三种锥形深度B的光强度分布。在图3和图4中，将为了形成锥形部7而使蚀刻进行到第一覆层6和透明层1的界面的情况定义为恰好的蚀刻，蚀刻越过该界面而进行到透明层1内的情况定义为过蚀刻，而蚀刻在到达该界面之前停止在第一覆层6内的情况定义为不足蚀刻。
在图3和图4中，将相对于透明层1的法线方向(深度方向)倾斜的角度定义为锥形角度D。锥形部7通过上述那样的蚀刻而形成，但是蚀刻时间越短，锥形深度B就变得越浅。
如图3所示，锥形角度D越小，即锥形部7相对于透明层1越接近于垂直的方向，在发光部2的整个部分上光强度的变化越倾向于减小。在锥形角度D变大时，光强度分布根据锥形深度B而变化。
此外，如图4所示，在相邻的发光部2相互分离地设置时，光倾向于向发光部2的中心会聚。然而，在锥形深度B较浅时，光向发光部2的中心集中的程度变低，光强度分布根据锥形角度D而变化。
这样，发光部2内的光强度不均匀，并且根据锥形角度D、锥形深度B和相邻的发光部2之间的间隔E、平坦部8的长度相对于发光部2的水平方向长度的比等条件而变化。然而，发光部2中的光强度分布通常被分为如下两种情况，即在发光部2内的中心部分光强度比发光部2中的周边部分大的情况和在发光部2内的周边部分光强度比发光部2的中心部分大的情况。在任何一种情况下，都可以通过在与发光部2的周边部分和中心部分中的一方、即在与被发射到透明层1的方向上的光强度低于其它部分的一方相对的位置设置各个接触部3，来有效地使光出射到外部，其中接触部3设置在透明层1的上表面侧。
在发光部2内的中心部分的光强度与周边部分的光强度相同时，接触部3也可以任意地设置在透明层的上表面上与中心部分相对的位置和与周边部分相对的位置。
这里，在图1中，发光部2的中心部分基本上等于平坦部8，而发光部2的周边部分基本上等于相邻的两个平坦部8之间的区域。在下述的图1和图12中，中心部分由参考标号“31”表示，周边部分由参考标号“32”表示。
此后描述的本实施例假定发光部2内的周边部分的光强度高于中心部分的光强度的情况。在这种情况下，接触部3设置在与发光部2的中心部分相对的位置。由此，从发光部2发出的大部分光被出射到外部，而不会被接触部3所遮挡。
在进行过蚀刻来形成发光部2时，在相邻的发光部2之间会产生间隙。在该间隙太大时，会产生光强度的不均或者降低，并且这样的光强度的不均或者降低是不可取的。例如，与透明层1接触的发光部2的表面的长度约是10μm，平坦部8的长度约是5μm，锥形部7的长度约是5μm。此外，优选地，将各个发光部2之间的间隙抑制到约小于等于0.3μm。
图5是本实施例的半导体发光装置的俯视图。在图5中，发光部2由虚线表示。多个带状的接触部3设置在y方向(图1的纸面的前后方向)上，各个接触部3主要设置在与发光部2的中心部分相对的位置。接触部3部分地设置在发光部2的周边部分，以使相邻的发光部2相连接。在透明层1的中心部分形成有与接触部3导通的焊盘4。焊盘4和带状的接触部3直接相互连接，或者经由在x方向上延伸的接触部3相互电连接。在x方向上延伸的接触部3也设置在与发光部2的中心部分相对的位置。
图5表示将矩形状的发光部2排列在二维方向(在x-y方向)上的例子，但是，如图6所示，也可以相互并行地设置线状的发光部2。此外，接触部3的设置并不局限于图5中所示的情况。图7是表示多个接触部3设置在相对于发光部2的排列方向的对角线方向上的例子的俯视图。在这种情况下，各个接触部3也设置在与发光部2的中心部分相对的位置，并且各个接触部3与设置在透明层1中心的焊盘4电导通。
可选地，如图8所示，也可以在与各个发光部2内的中心部分相对的位置设置分离并独立的接触部3。在图8的情况下，焊盘4被设置成经由设置在焊盘4和各个接触部3之间的透明电极(未示出)与各个接触部3电导通。
优选地，各个接触部3的长度和宽度根据发光部2的发光特性而设定。在接触部3的宽度被设定得过宽时，遮挡来自发光部2的光的区域便会增大。相反，在接触部3的宽度被设定得过窄时，电极部分的电阻便会增加。在图5中，沿透明层1的y方向形成有各个列连续的接触部3。然而，为了利用透明电极(未示出)等实现与焊盘4的电导通，可以将各个列的接触部3分割为多个而设置。在图6和7中结构也是同样的。此外，在图8中，在各个发光部2的中心部分设置有矩形状的短尺寸的接触部3，但是各个接触部3的长度和形状可以适当变化。
接触部3可以由例如GaAs的化合物半导体或金属形成。该金属对于发光部2的发光波长通常是不透明的。然而，根据本实施例，接触部3并不设置在发光部2中光强度高的位置，因此，即使使用金属，发光效率也不会降低很多。然而，优选地，使金属的尺寸尽可能小。可选地，如图9所示，也可以将由GaAs等形成的接触部3与金属23层叠。在这种情况下，接触部3的电阻可以得到降低。至少需要金属23由例如AuGe或Ni/Au/Ge的材料形成，从而通过这些材料可以与GaAs形成欧姆连接。作为金属23的材料，可以考虑使用Au、Ge、Ni、Pt、Pd、Mo、Ti、Zn、In、Al、Ag、Cu等。
可选地，在形成有接触部3的整个透明层1上形成透明电极层。可以将焊盘4形成在该透明电极层上。图10中示出了这种情况下的剖面结构。优选地，在设置透明电极层10的情况下，在透明电极层10的下表面或最上层设置具有良好的密贴性的金属。作为密贴性良好的金属，有Ti、Mo等。可选地，也可以将例如Au、Pt和Pd的金属层叠在一起。
在采用InGaAlP作为透明层1的材料的情况下，使透明电极层10和透明层1相互电导通是困难的，但是可以通过在透明电极层10与透明层1之间设置接触部3来降低两层之间的电阻。
在上述的图1～图10中，说明了发光部2内的活性层5被锥形部7所切断的例子。然而，即使活性层5不被锥形部7所切断，也能够通过由锥形部7反射来自活性层5的光而提高发光效率。图11是表示将锥形部7加工形成为浅到不切断活性层5的程度的不足蚀刻的一个例子的半导体发光装置的主要部分的剖面图。在图11的情况下，接触部3也与各个发光部2的光强度较弱的位置相对地设置。由此，可以提高光的出射效率。
在图1和图2中，说明了在x-y方向上分别设置几个发光部2的例子，但是对于发光部2的数量并没有限制。例如，通过将在x-y方向上分别形成有几十个发光部2的发光部封装为一个芯片，能够实现具有高亮度的半导体发光装置。
如上所述，根据第一实施例，将对于发光部2的发光波长不透明的接触部3设置在来自发光部2的光的强度较弱的位置，具体地，与发光部2内的中心部分相对的位置。由此，可以防止接触部3成为光出射的障碍，并且发光效率可以得到提高。
(第二实施例)
在上述第一实施例中，说明了发光部2内的周边部分的光强度高于其中心部分的情况下的接触部3的形成位置。下述的第二实施例针对于发光部2内的中心部分的光强度高于其周边部分的情况。
图12是本发明的第二实施例的半导体发光装置的主要部分的剖面图。除了接触部3的形成位置与图1中的位置不同之外，图12中的半导体发光装置具有与图1中所示的相同的结构。在图12中，“A”表示一个发光部的宽度，“B”表示锥形深度，“C”是平坦部8的宽度，“E”表示相邻的发光部2之间的间隔(见图12)。
在图12的发光部2中，与第一实施例相反，发光部2内的中心附近的光强度比发光部2的周边部分的光强度高。如上面参照图3和图4所描述的，发光部2的这样的光强度特性是在相邻的发光部2设置成相互分离的情况下得以展现的。可选地，也可以通过调整锥形角度D和锥形深度B，例如通过在形成发光部2时进行过蚀刻来增加发光部2内的中心附近的光强度。
如可从图12中看出的，在发光部2内的中心附近的光强度较高时，接触部3设置在透明层1的上表面侧，从而与发光部2的周边部分相对或者与相邻的发光部2之间的部分相对。由此，发光部2所发出的大部分光照射到外部，而不会被接触部3所遮挡，从而能够提高光出射效率。
图13是本实施例的俯视图。如图所示，在x方向上相互相邻的发光部2之间形成有多个在y方向上延伸的带状的接触部3。焊盘4设置在矩形状的透明层1的中心部分。该焊盘4与在y方向上延伸的接触部3和在x方向上延伸的接触部3相连接。在x方向上延伸的接触部3与在y方向上延伸的接触部3相连接，由此使所有的接触部3与焊盘4电连接。由于各个接触部3设置在相邻的发光部2之间，所以接触部3几乎不会遮挡主要从发光部2内的中心部分发出的光。
接触部3的设置不必局限于图13中所示的情况。例如，如图14所示，多个接触部3也可以形成在相对于发光部2所排列的方向的对角线方向上。在这种情况下，与图7不同，接触部3设置成不通过与发光部2的中心部分相对的位置。可选地，如图15所示，多个分离并独立的接触部3也可以分别设置在与发光部2的角部相对的位置。在这种情况下，如下所述，接触部3设置成经由设置在接触部3上的透明电极等与焊盘4导通。
接触部3由与第一实施例中相同的材料形成，并且诸如GaAs、金属以及GaAs与金属的层叠结构等多种材料都可以应用于接触部3。
优选地，各个接触部3的长度和宽度根据发光部2的发光特性而设定。如果接触部3的宽度过宽，则遮挡来自发光部2的光的区域便会并非所期望地增加。相反，如果接触部3的宽度过窄，则电极部分的电阻便会并非所期望地增加。在图13中，沿透明层1的y方向形成有各个列连续的接触部3，但是，也可以将各个列的接触部3分割为多个部分而设置。图14具有与图13相同的结构。此外，在图15中，与各个发光部2的角部相对地设置有矩形状的短尺寸的接触部3，但是各个接触部3的长度和形状可以任意地设定。
图16是在形成有接触部3的透明层1的整个面上形成透明电极并且在透明电极上形成有焊盘4的情况下的半导体发光装置的主要部分的剖面图。在图16的情况下，接触部3经由透明电极层10与焊盘4电导通。
在本实施例的情况下，不需要将发光部2的锥形部7形成到切断活性层5的深度。图17是具有不切断活性层5的较浅的锥形部7的半导体发光装置的主要部分的剖面图。在图17中，来自活性层5的光的一部分也被锥形部7所反射，并在朝向透明层1的方向上行进，从而提高光出射效率。
如图4中所示，在相邻的发光部2之间的间隔E增加时，光倾向于会聚在发光部2的中心部分。因此，如本实施例那样，优选地，接触部3设置成与发光部2的周边部分相对，并且优选地，相邻的发光部2之间的间隔设置为大于等于约0.3μm。相反，如果活性层5的面积较小，则发光效率会降低。因此，考虑到发光效率，希望间隔E较窄。两者结合考虑，实际上发光部2的间隔E的上限设置成大体上发光部2的间隔(周期)(A+E)的1/3。
接着，说明第二实施例的半导体发光装置的制造工序。需要指出的是，第一实施例的半导体发光装置的制造工序基本上与第二实施例的相同。
图18～图20是说明本实施例的半导体发光装置的制造工序的图，并表示两个相邻的发光部2之间存在平坦的间隙的情况下的制造工序。下面，参照附图说明制造工序。
首先，依次在GaAs基板20上利用MOCVD法形成InGaAlP蚀刻停止层11、n-GaAs接触层12、InGaAlP电流扩散层13、n-InAlP覆层14、多个InGaAlP和InGaP交替地层叠而成的InGaAlP/InGaP活性层5、p-InAlP覆层15和p-GaAs接触层16(图18(A))。InGaAlP电流扩散层13相当于图1等中的透明层1。
接着，在GaAs基板20上附着抗蚀剂17，并与发光部2的位置相一致地对抗蚀剂17进行图案形成(图18(B))。接着，利用热处理将抗蚀剂17的边缘部分加工成锥形状(图18(C))。在图18(C)中，相邻的抗蚀剂相互分离。然而，在抗蚀剂被加工成锥形状时，通过改变抗蚀剂17的图案形状和热处理时间，可以将相邻的抗蚀剂17之间的距离形成为0。
接着，通过使用抗蚀剂17作为掩模进行RIE(Reactive Ion Etching，反应性离子蚀刻)，而将p-GaAs接触层16、p-InAlP覆层15、InGaAlP/InGaP活性层5和n-InAlP覆层14加工成锥形状，从而对应于抗蚀剂17的形状(图18(D))。这里，为了使抗蚀剂的形状能够传递，设定条件使得抗蚀剂17和抗蚀剂17的下表面侧的各个层以基本上均匀的速度被蚀刻。
应该指出，图1、图2等中所示的第一覆层6对应于n-InAlP覆层14，第二覆层9对应于p-InAlP覆层15和p-GaAs接触层16。
接着，在整个基板上形成氧化膜18(图19(A))。这里，作为氧化膜，例如可以使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅(SiON)等。接着，将抗蚀剂附着在氧化膜18的上表面上，并进行图案形成。随后，通过使用抗蚀剂作为掩模，部分地将氧化膜18蚀刻除去，从而形成用来形成电极的接触孔。
接着，在整个基板上形成用于p电极的金属19(图19(B))。该金属19还可以形成在锥形部7上，并作为反射来自活性层5的光的反射膜。金属19也可以用层叠膜来形成，但是金属19的最外表面由导电性良好的Au厚膜(1μm)来形成。
接着，将Si晶片21粘着在金属19的形成面上(图19(C))。
更具体地，预先将Au厚膜22形成在Si晶片21的表面，随后，将该Au厚膜22与金属19的最外表面的Au厚膜相互粘接。
除了使用Au厚膜22之外，还可以使用其他金属材料或者包括金属的层叠膜。作为金属19的材料，例如可以使用Ti/Pt/Au、AuGe/Mo/Au或者AuZn/Mo/Au。作为金属19的最外表面的材料，可以使用AuSn(共晶合金)等。
接着，通过利用了氨/过氧化氢溶液的蚀刻将粘接面的相对侧的GaAs基板20蚀刻除去，随后，通过利用了氯的蚀刻将InGaAlP蚀刻停止层11蚀刻除去。
接着，将抗蚀剂附着在n-GaAs接触层12上并进行图案形成，随后，将n-GaAs接触层12部分地蚀刻除去，从而形成接触部3(图19(D))。该接触部3形成在光强度较弱的区域，即在本实施例的情况下，形成在与发光部2的周边部分相对的位置或者与相邻的发光部2之间的位置相对的位置。
在接触部3与焊盘4直接连接的情况下，随后形成焊盘4，从而制造工序结束。在接触部3上形成透明电极的情况下，在整个透明层1上形成透明电极层10(图20(A))。随后，在透明电极层10上形成焊盘4。
另一方面，在接触部3上形成金属的情况下，进行图19(C)所示的工序，随后蚀刻GaAs基板20和InGaAlP蚀刻停止层11，随后利用剥离法(lift-off method)在n-GaAs接触层12上形成金属23(图20(B))。接着，使用金属23作为掩模，将n-GaAs接触层12部分地蚀刻除去(图20(C))。
在第二实施例中，类似于图9中所示的情况，可以将金属23层叠在接触部3上。
这样，根据第二实施例，在发光部2内的中心附近的光强度高于发光部2的周边部分的情况下，接触部3设置在与发光部2的周边部分相对的位置或者与相邻的发光部2之间的位置相对的位置。因此，从发光部2发射出的大部分光不会被接触部3所遮挡，从而使光出射效率得以提高。
在上述实施例的制造工序中，说明了制造基于InGaAlP的LED的例子。然而，本发明并不局限于基于InGaAlP的LED。本发明还可以应用于基于GaN的LED。在这种情况下，除了形成GaAs基板20、n-GaAs接触层12、InGaAlP电流扩散层13、n-InAlP覆层14、通过交替地层叠多个InGaAlP层和InGaP层而得到的InGaAlP/InGaP活性层5、p-InAlP覆层15和p-GaAs接触层16，可以使用由SiC基板、蓝宝石基板或者GaN基板中的一种制成的基板、n-GaN接触层、GaN电流扩散层、n-AlGaN覆层、通过交替地层叠多个AlGaN层和AlInGaN(Aluminum Indium GalliumNitride，氮化铝铟镓)层而得到的AlGaN/AlInGaN活性层、p-AlGaN覆层和p-GaN接触层。此外，在基于GaN的LED的情况下，蚀刻停止层并非是必需的。
Claims (20)
1.一种半导体发光装置，包括：
具有第一主面和在与上述第一主面相对的一侧的第二主面的透明层；
在上述透明层的上述第一主面上至少一条线地设置的多个发光部，该多个发光部中的每一个具有活性层和锥形部，该锥形部将从上述活性层发出的光向上述透明层的方向反射，该多个发光部中的每一个在上述透明层的第二主面上具有中心部分和周边部分并且具有光强度分布，在上述透明层的上述第二主面上，与上述周边部分相对的区域的光强度等于或大于与上述中心部分相对的区域的光强度；以及
在上述透明层的上述第二主面上、与上述中心部分相对地设置的多个接触部，该多个接触部中的每一个对于上述多个发光部的发射波长是不透明的。
2.一种半导体发光装置，包括：
具有第一主面和在与上述第一主面相对的一侧的第二主面的透明层；
在上述透明层的上述第一主面上至少一条线地设置的多个发光部，该多个发光部中的每一个具有活性层和锥形部，该锥形部将从上述活性层发出的光向上述透明层的方向反射，该多个发光部中的每一个在上述透明层的第二主面上具有中心部分和周边部分并且具有光强度分布，在上述透明层的上述第二主面上，与上述中心部分相对的区域的光强度等于或大于与上述周边部分相对的区域的光强度；以及
在上述透明层的上述第二主面上、与上述周边部分或相邻的两个发光部之间相对地设置的多个接触部，该多个接触部中的每一个对于上述多个发光部的发射波长是不透明的。
3.根据权利要求1的半导体发光装置，还包括：
在与上述相邻的两个发光部相对应的锥形部之间设置的平坦部。
4.根据权利要求2的半导体发光装置，还包括：
在与上述相邻的两个发光部相对应的锥形部之间设置的平坦部。
5.根据权利要求3的半导体发光装置，其中上述多个发光部中的每一个包括：
形成在上述透明层的上述第一主面上的第一覆层；以及
以上述活性层介于中间而形成在上述第一覆层上的第二覆层；
其中上述锥形部从上述第二覆层穿过上述活性层和上述第一覆层而被形成在上述透明层的内部。
6.根据权利要求4的半导体发光装置，其中上述多个发光部中的每一个包括：
形成在上述透明层的上述第一主面上的第一覆层；以及
以上述活性层介于中间而形成在上述第一覆层上的第二覆层；
其中上述锥形部从上述第二覆层穿过上述活性层和上述第一覆层而被形成在上述透明层的内部。
7.根据权利要求3的半导体发光装置，其中上述多个发光部中的每一个包括：
形成在上述透明层的上述第一主面上的第一覆层；以及
以上述活性层介于中间而形成在上述第一覆层上的第二覆层；
其中上述平坦部设置在上述第二覆层的内部。
8.根据权利要求4的半导体发光装置，其中上述多个发光部中的每一个包括：
形成在上述透明层的上述第一主面上的第一覆层；以及
以上述活性层介于中间而形成在上述第一覆层上的第二覆层；
其中上述平坦部设置在上述第二覆层的内部。
9.根据权利要求1的半导体发光装置，还包括：
形成在上述第二主面上并且与上述接触部电导通的焊盘；以及
形成在上述锥形部的端面上的电极。
10.根据权利要求2的半导体发光装置，还包括：
形成在上述第二主面上并且与上述接触部电导通的焊盘；以及
形成在上述锥形部的端面上的电极。
11.根据权利要求1的半导体发光装置，还包括：
形成在上述接触部上的金属层。
12.根据权利要求2的半导体发光装置，还包括：
形成在上述接触部上的金属层。
13.根据权利要求1的半导体发光装置，还包括：
被形成为覆盖上述接触部的透明电极层；以及
形成在上述透明电极层上并且与上述接触部电导通的焊盘。
14.根据权利要求2的半导体发光装置，还包括：
被形成为覆盖上述接触部的透明电极层；以及
形成在上述透明电极层上并且与上述接触部电导通的焊盘。
15.根据权利要求1的半导体发光装置，其中：
上述多个发光部在二维方向上以多个为单位地设置；以及
上述多个接触部被设置为基本上与上述多个发光部所排列的方向平行。
16.根据权利要求2的半导体发光装置，其中：
上述多个发光部在二维方向上以多个为单位地设置；以及
上述多个接触部被设置为基本上与上述多个发光部所排列的方向平行。
17.根据权利要求1的半导体发光装置，其中：
上述多个发光部在二维方向上以多个为单位地设置；以及
上述多个接触部被设置在与上述多个发光部所排列的方向不同的方向上。
18.根据权利要求2的半导体发光装置，其中：
上述多个发光部在二维方向上以多个为单位地设置；以及
上述多个接触部被设置在与上述多个发光部所排列的方向不同的方向上。
19.根据权利要求1的半导体发光装置，其中：
上述多个发光部在二维方向上以多个为单位地设置；以及上述多个接触部设置在上述多个发光部的中心部分。
20.根据权利要求2的半导体发光装置，其中：上述多个发光部在二维方向上以多个为单位地设置；以及上述多个接触部设置在四个相邻的发光部的中心部分。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005292608A JP2007103725A (ja) | 2005-10-05 | 2005-10-05 | 半導体発光装置 |
| JP292608/2005 | 2005-10-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1983614A true CN1983614A (zh) | 2007-06-20 |
Family
ID=38030357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2006100639608A Pending CN1983614A (zh) | 2005-10-05 | 2006-10-08 | 半导体发光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7453099B2 (zh) |
| JP (1) | JP2007103725A (zh) |
| CN (1) | CN1983614A (zh) |
| TW (1) | TWI314791B (zh) |
Cited By (4)
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| CN102906888A (zh) * | 2010-04-29 | 2013-01-30 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 带有沟槽和顶部接触的发光装置 |
| CN106252490A (zh) * | 2015-06-15 | 2016-12-21 | 株式会社东芝 | 半导体发光装置 |
| US10224457B2 (en) | 2014-11-06 | 2019-03-05 | Lumileds Llc | Light emitting device with trench beneath a top contact |
| CN110088919A (zh) * | 2018-05-04 | 2019-08-02 | 厦门三安光电有限公司 | 发光元件、发光元件阵列及其发光装置 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100952034B1 (ko) | 2008-05-08 | 2010-04-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
| JP5024247B2 (ja) * | 2008-09-12 | 2012-09-12 | 日立電線株式会社 | 発光素子 |
| KR101007139B1 (ko) * | 2009-09-10 | 2011-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
| JP5733594B2 (ja) * | 2010-02-18 | 2015-06-10 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP5356292B2 (ja) * | 2010-03-19 | 2013-12-04 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
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| JP6068165B2 (ja) | 2013-01-29 | 2017-01-25 | スタンレー電気株式会社 | 半導体光学装置、および半導体光学装置の製造方法 |
| CN104425679B (zh) * | 2013-09-04 | 2017-04-26 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管 |
| KR20150121306A (ko) * | 2014-04-18 | 2015-10-29 | 포항공과대학교 산학협력단 | 질화물 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 |
| DE102019100532A1 (de) | 2019-01-10 | 2020-07-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips |
| JP7052742B2 (ja) * | 2019-01-23 | 2022-04-12 | 豊田合成株式会社 | 発光素子 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2786375B2 (ja) | 1992-06-18 | 1998-08-13 | シャープ株式会社 | 発光ダイオード |
| JP2901823B2 (ja) | 1992-12-08 | 1999-06-07 | シャープ株式会社 | 発光ダイオード |
| JP2824371B2 (ja) | 1992-12-16 | 1998-11-11 | シャープ株式会社 | 発光ダイオード |
| JP3312049B2 (ja) * | 1993-03-12 | 2002-08-05 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置 |
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| JP4250576B2 (ja) | 2004-08-24 | 2009-04-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
| JP2006066449A (ja) | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
-
2005
- 2005-10-05 JP JP2005292608A patent/JP2007103725A/ja active Pending
-
2006
- 2006-10-04 US US11/538,646 patent/US7453099B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-05 TW TW095137287A patent/TWI314791B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-10-08 CN CNA2006100639608A patent/CN1983614A/zh active Pending
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| CN113644179A (zh) * | 2018-05-04 | 2021-11-12 | 厦门三安光电有限公司 | 发光元件、发光元件阵列及其发光装置 |
| CN113644179B (zh) * | 2018-05-04 | 2023-02-28 | 厦门三安光电有限公司 | 发光元件、发光元件阵列及其发光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7453099B2 (en) | 2008-11-18 |
| TW200733422A (en) | 2007-09-01 |
| TWI314791B (en) | 2009-09-11 |
| JP2007103725A (ja) | 2007-04-19 |
| US20070114550A1 (en) | 2007-05-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |