CN111834389B - 一种μLED显示器件检测及修复方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种μLED显示器件检测及修复方法，μLED显示器件阵列设置k个μLED像素，每个像素包含ni个芯片，以形成至少mi个发光体；μLED显示器件检测及修复包括以下步骤：S1）采用直接电学接触电流注入的逐点扫描或无直接电学接触的电场驱动方式对芯片进行驱动发光；S2）通过逐点扫描或拍摄处理发光图片获得不良像素的行列地址；S3）根据不良像素的行列地址进行寻址，采用非Au‑In互连方法在相应位置的芯片电极的备用区域与驱动背板对应电极的备用区域进行原位修复；S4）重复S1‑S3，直至良品率达到预期良率。该方法降低了μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本，提高了μLED显示器件的良品率。
Description
技术领域
本发明涉及集成半导体发光与显示领域，特别是一种μLED显示器件检测及修复方法。
背景技术
LED显示具有自发光、高亮度和发光效率、低功耗、高稳定性等优点，被广泛应用于各种场合。随着LED芯片尺寸和像素间距减小，LED显示有望实现柔性、高透明、可交互、可模块化拼接的显示，被认为是具备全功能和全应用领域的革命性显示技术。μLED显示是一种由微米级LED发光像素组成阵列的新型显示技术，国内外主要LED芯片、显示面板和显示应用厂商都已积极地投入超高密度μLED显示的开发。然而，当LED芯片尺寸小到一定程度，对芯片的操作将变得越来越困难。传统的μLED显示每个发光像素包含一个μLED芯片，通过巨量转移和精确对位将每个芯片的阴极和阳极分别与驱动背板像素电极进行有序连接和键合，对巨量转移、电极与电极的对位、键合等技术环节要求极高，器件良品率低，且像素缺陷监测和修复难度极大，严重阻碍μLED显示的商用化。因此，迫切需要开发新型μLED显示器件检测和修复方法，提高μLED生产效率和稳定性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种μLED显示器件检测及修复方法，该方法降低了μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本，提高了μLED显示器件的良品率。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：一种μLED显示器件检测及修复方法，所述μLED显示器件在驱动背板上阵列设置k个μLED像素，第i个μLED像素包含ni个μLED芯片，所述ni个μLED芯片无需精准取向和定位，以形成至少mi个μLED发光体，i = 1, 2, …,k；所述μLED发光体为施加驱动信号后可以正常发光的μLED芯片，所述μLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和互连失效后用于修复连接的备用区域，采用Au-In键合、非Au-In互连或Au-In键合和非Au-In互连复合的方式将所述μLED芯片电极的互连区域与驱动背板对应电极的互连区域互连；所述μLED显示器件检测及修复包括以下步骤：
S1）采用直接电学接触电流注入的逐点扫描或无直接电学接触的电场驱动方式对各个μLED像素的μLED芯片进行驱动发光；
S2）通过逐点扫描获得不良μLED像素的行列地址或拍摄发光图片并进行图像处理获得不良μLED像素的行列地址；
S3）根据步骤S2提供的不良μLED像素的行列地址进行寻址，采用非Au-In互连方法在相应位置的μLED芯片电极的备用区域与驱动背板对应电极的备用区域进行原位修复，实现电极之间的重新互连；
S4）重复步骤S1-S3，直至μLED显示器件的良品率达到预期良率。
进一步地，所述mi、ni为正整数且mi≤ni；每个μLED像素包含的μLED芯片的数量ni和μLED发光体的数量mi可以相同也可以不同。
进一步地，所述非Au-In互连方式包括喷墨打印、丝网印刷、卷对卷印刷、遮挡镀膜、激光焊接和引线焊接。
进一步地，不必去除键合和连接不可靠的μLED芯片，采用非Au-In互连方式对不良μLED芯片进行原位修复。
进一步地，所述无直接电学接触的电场驱动方式指通过电容耦合方式对μLED芯片进行驱动发光。
进一步地，所述μLED芯片电极的设置方式包括两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧以及两个电极设置于μLED芯片的同一侧。
进一步地，当所述μLED芯片的两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧时，所述μLED芯片上侧面电极的互连区域和备用区域均设置于μLED芯片的上侧面，所述μLED芯片下侧面电极的互连区域和备用区域分别设置于μLED芯片的下侧面和上侧面，并以导电材料连接，所述驱动背板的两个电极也均对应设置互连区域和备用区域，所述μLED芯片下侧面电极的互连区域采用Au-In键合方式与驱动背板第一电极的互连区域互连，所述μLED芯片上侧面电极的互连区域采用非Au-In互连方式与驱动背板第二电极的互连区域连接。
进一步地，当所述μLED芯片的两个电极均设置于μLED芯片的上侧面时，所述μLED芯片的两个电极的互连区域和备用区域均设置于μLED芯片的上侧面，所述驱动背板的两个电极也均对应设置互连区域和备用区域，所述μLED芯片的两个电极的互连区域采用非Au-In互连方式分别与驱动背板对应电极的互连区域连接。
进一步地，当所述μLED芯片的两个电极均设置于μLED芯片的下侧面时，所述μLED芯片的两个电极的互连区域均设置于μLED芯片的下侧面，而备用区域均设置于μLED芯片的上侧面，并以导电材料连接对应的互连区域和备用区域，所述驱动背板的两个电极也均对应设置互连区域和备用区域，所述μLED芯片的两个电极的互连区域采用Au-In键合方式分别与驱动背板对应电极的互连区域连接。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：提供了一种μLED显示器件检测及修复方法，该方法中显示器件的每个像素包含多个发光μLED芯片，μLED芯片电极和驱动背板电极设置互连区域和备用区域，采用喷墨打印等非Au-In互连和原位修复方式对电极进行互连以及对不良像素进行修复，避免了需要精准对位的巨量转移和键合，不必去除键合和连接不可靠的μLED芯片，降低了μLED显示器件制作工艺的复杂程度，从而有效地降低了μLED器件的制作周期和制作成本，大大提高了μLED显示器件的良品率，具有很强的实用性和广阔的应用前景。
附图说明
图1为本发明实施例一的μLED显示器件检测及修复方法示意图。
图2为本发明实施例一的μLED显示器件的制备、检测及修复流程图。
图3为本发明实施例二的μLED显示器件检测及修复方法示意图。
图4为本发明实施例二的μLED显示器件的制备、检测及修复流程图。
图5为本发明实施例三的μLED显示器件检测及修复方法示意图。
图6为本发明实施例三的μLED显示器件的制备、检测及修复流程图。
图中，1为μLED芯片衬底，2为设置于μLED芯片衬底上的缓冲层，3为n-GaN，4为发光层，5为p-GaN，6为电流扩展层，7为μLED芯片的电极互连区域，8为μLED芯片的电极互连区域，9为介质层，10为驱动背板上的阳极，11为驱动背板上的阴极，12为μLED芯片电极与驱动背板电极的连接线，13为μLED芯片电极互连区域与备用区域的连接线，14为过渡基板，701为p接触电极的互连区域，702为n接触电极的互连区域，801为p接触电极的备用区域，802为n接触电极的备用区域，1001为驱动背板上阳极互连区域，1002为驱动背板上阳极备用区域，1101为驱动背板上阴极互连区域，1102为驱动背板上阴极备用区域。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下将通过具体实施例和相关附图，对本发明作进一步详细说明。在图中，为了清楚，放大了层与区域的厚度，但作为示意图不应该被认为严格反映了几何尺寸的比例关系。在此，参考图是本发明的理想化实施例示意图，本发明的实施例不应该被认为仅限于图中所示的区域的特定形状，而是包括所得到的形状，比如制造引起的偏差。在本实施例中均以矩形或圆表示，图中的表示是示意性的，但这不应该被认为限制本发明的范围。本实施例中障壁起伏图案的大小与起伏周期有一定范围，在实际生产中可以根据实际需要设计起伏图案大小及其起伏周期，实施例中起伏周期的数值只是示意值，但这不应该被认为限制本发明的范围。
本发明提供了一种μLED显示器件检测及修复方法，所述μLED显示器件在驱动背板上阵列设置k个μLED像素，第i个μLED像素包含ni个μLED芯片，所述ni个μLED芯片无需精准取向和定位，以形成至少mi个μLED发光体，i = 1, 2, …, k；所述μLED发光体为施加驱动信号后可以正常发光的μLED芯片，所述μLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和互连失效后用于修复连接的备用区域，采用Au-In键合、非Au-In互连或Au-In键合和非Au-In互连复合的方式将所述μLED芯片电极的互连区域与驱动背板对应电极的互连区域互连；所述μLED显示器件检测及修复包括以下步骤：
S1）采用直接电学接触电流注入的逐点扫描或无直接电学接触的电场驱动方式对各个μLED像素的μLED芯片进行驱动发光；
S2）通过逐点扫描获得不良μLED像素的行列地址或拍摄发光图片并进行图像处理获得不良μLED像素的行列地址；
S3）根据步骤S2提供的不良μLED像素的行列地址进行寻址，采用非Au-In互连方法在相应位置的μLED芯片电极的备用区域与驱动背板对应电极的备用区域进行原位修复，实现电极之间的重新互连；
S4）重复步骤S1-S3，直至μLED显示器件的良品率达到预期良率。
其中，所述mi、ni为正整数且mi≤ni；每个μLED像素包含的μLED芯片的数量ni和μLED发光体的数量mi可以相同也可以不同。
所述非Au-In互连方式包括喷墨打印、丝网印刷、卷对卷印刷、遮挡镀膜、激光焊接和引线焊接。
本发明不必去除键合和连接不可靠的μLED芯片，采用非Au-In互连方式对不良μLED芯片进行原位修复。
所述无直接电学接触的电场驱动方式指通过电容耦合方式对μLED芯片进行驱动发光。
所述μLED芯片电极的设置方式包括两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧以及两个电极设置于μLED芯片的同一侧。
当所述μLED芯片的两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧时，所述μLED芯片上侧面电极的互连区域和备用区域均设置于μLED芯片的上侧面，所述μLED芯片下侧面电极的互连区域和备用区域分别设置于μLED芯片的下侧面和上侧面，并以导电材料连接，所述驱动背板的两个电极也均对应设置互连区域和备用区域，所述μLED芯片下侧面电极的互连区域采用Au-In键合方式与驱动背板第一电极的互连区域互连，所述μLED芯片上侧面电极的互连区域采用非Au-In互连方式与驱动背板第二电极的互连区域连接。
当所述μLED芯片的两个电极均设置于μLED芯片的上侧面时，所述μLED芯片的两个电极的互连区域和备用区域均设置于μLED芯片的上侧面，所述驱动背板的两个电极也均对应设置互连区域和备用区域，所述μLED芯片的两个电极的互连区域采用非Au-In互连方式分别与驱动背板对应电极的互连区域连接。
当所述μLED芯片的两个电极均设置于μLED芯片的下侧面时，所述μLED芯片的两个电极的互连区域均设置于μLED芯片的下侧面，而备用区域均设置于μLED芯片的上侧面，并以导电材料连接对应的互连区域和备用区域，所述驱动背板的两个电极也均对应设置互连区域和备用区域，所述μLED芯片的两个电极的互连区域采用Au-In键合方式分别与驱动背板对应电极的互连区域连接。
下面结合具体实施例和附图对本发明做进一步说明。
实施例一（垂直型μLED）
请参照图1和图2，本发明公开了一种μLED像素检测及修复方法，所述μLED像素包含6个μLED芯片（3-8），芯片表面除电极互连区和备用区的其他区域设置有介质层9；所述μLED芯片p接触电极设置互连区域701和备用区域801；所述驱动背板阳极10设置互连区域1001和备用区域1002；所述μLED芯片电极的设置方式为p型和n型电极分别设置于μLED芯片的上下两侧；所述μLED发光体n电极与驱动背板像素阴极3的互连方式为Au-In键合、p电极与驱动背板像素阳极2的互连方式为非Au-In互连；所述μLED发光像素单元通过原位非Au-In连接方式进行修复。所述μLED像素检测及修复步骤包括：
S1. 采用直接电学接触电流注入的逐点扫描或无直接电学接触的电场驱动方式对μLED芯片进行驱动发光；
S2. 通过记录逐点扫描时不良像素的行列地址或拍摄发光图片并进行图像处理获得不良像素的行列地址，实时在线监测不良μLED像素；
S3. 根据步骤S2提供的不良像素的行列地址进行寻址，采用非Au-In互连方法在相应位置的μLED芯片的备用区域与驱动背板电极的备用区域进行原位修复，实现电极之间的重新互连。
S4. 重复S1-S3步骤，直至μLED显示阵列的良率达到预期良率。
具体的，在本实施例中，衬底1为蓝宝石衬底，且为a面，缓冲层2采用的材料为AlN，所述的发光层4为3个周期的InaGa1-aN量子阱有源层和AlbGa1-bN组成的空穴阻挡层或者电子阻挡层构成；6为氧化铟锡（ITO）；7和8为Ti/Al/Ni/Au，9为SiO2，12为导电油墨。
具体的，在本实施例中，一种μLED像素结构及电极互连方法，按照以下步骤实现：
S01：将蓝宝石衬底1放置在MOCVD反应室中，温度设定为800℃~1200℃，通入三甲基铝、氨气，利用氢气为载体在蓝宝石衬底1上生长缓冲层2、n-GaN层3、多量子阱发光层4和p-GaN层5，它们的厚度分别为1000nm、3μm、200nm和1μm；
S02：采用ICP将上述层刻蚀至n-GaN，并形成阵列；
S03：在p-GaN层上生长电流扩展层ITO 6、p接触电极的互连区域701和备用区域801，并在除电极以外的其他区域沉积SiO2介质层9；
S04：剥离掉蓝宝石衬底1，将μLED芯片转移到驱动背板的阴极区域内，无需精准对位，将n电极与驱动背板的阴极采用Au-In方式键合，并使得背板上每个像素单元包含6个μLED芯片；
S05：采用喷墨打印方式横向打印导电油墨，使得μLED芯片p电极的互连区域和驱动背板阳极的互连区域相连，实现电极之间的互连；
S06：采用直接电学接触电流注入的逐点扫描方式对μLED芯片进行驱动发光；
S07：采用高级相机拍摄发光图片并进行图像处理获得不良像素的行列地址并利用计算机进行采集数据和记录，从而实时在线监测不良μLED像素；
S08：根据步骤S08提供的不良像素的行列地址进行寻址，采用喷墨打印方法在相应位置的μLED芯片p电极的备用区域与驱动背板电极的备用区域进行原位修复，即纵向打印导电油墨，实现电极之间的重新互连。在这过程中，有的电极可能经过修复还是不能连接，导致芯片无法点亮，但本发明中每个像素单元内设有6个μLED芯片，因此只要每个单元内有一个μLED芯片能正常发光即可保证整个显示系统的完整性；
S09：重复S06-S08步骤，直至μLED显示阵列的良率达到预期良率。
需要说明的是，在本实施例中，所述μLED芯片的n电极也可以设置互连区域和备用区域，互连区域设置于μLED芯片的下侧面，而备用区域设置于μLED芯片的上侧面，且两者以导电材料连接，从而在需要修复n电极的连接时，可以通过非Au-In连接方式进行修复。
实施例二（正装型μLED）
请参照图3和图4，本发明公开了一种μLED像素检测及修复方法，所述μLED像素包含6个μLED芯片，芯片表面除电极互连区和备用区的其他区域设置有介质层9；所述μLED芯片p接触电极设置互连区域701和备用区域801，n接触电极设置互连区域702和备用区域802；所述驱动背板阳极10设置互连区域1001和备用区域1002，阴极11设置互连区域1101和备用区域1102；所述μLED芯片电极的设置方式为p型和n型电极分别设置于μLED芯片的同一侧；所述μLED发光体的电极与驱动背板像素电极的互连方式为非Au-In键合；所述μLED发光像素单元通过原位非Au-In连接方式进行修复。所述μLED像素检测及修复步骤包括：
S1. 采用直接电学接触电流注入的逐点扫描或无直接电学接触的电场驱动方式对μLED芯片进行驱动发光；
S2. 通过记录逐点扫描时不良像素的行列地址或拍摄发光图片并进行图像处理获得不良像素的行列地址，实时在线监测不良μLED像素；
S3. 根据步骤S2提供的不良像素的行列地址进行寻址，采用非Au-In互连方法在相应位置的μLED芯片的备用区域与驱动背板电极的备用区域进行原位修复，实现电极之间的重新互连。
S4. 重复S1-S3步骤，直至μLED显示阵列的良率达到预期良率。
具体的，在本实施例中，衬底1为蓝宝石衬底，且为a面，缓冲层2采用的材料为AlN，所述的发光层4为3个周期的InaGa1-aN量子阱有源层和AlbGa1-bN组成的空穴阻挡层或者电子阻挡层构成；6为氧化铟锡（ITO）；7和8为Ti/Al/Ni/Au，9为SiO2，12为导电油墨。
具体的，在本实施例中，一种μLED像素结构及电极互连方法，按照以下步骤实现：
S01：将蓝宝石衬底1放置在MOCVD反应室中，温度设定为800℃~1200℃，通入三甲基铝、氨气，利用氢气为载体在蓝宝石衬底1上生长缓冲层2、n-GaN层3、多量子阱发光层4和p-GaN层5，它们的厚度分别为1000nm、3μm、200nm和1μm；
S02：采用ICP将上述层刻蚀至露出n-GaN，并形成阵列；
S03：在p-GaN层上生长电流扩展层ITO 6、p接触电极的互连区域701和备用区域801，在露出的n-GaN层上生长n接触电极的互连区域702和备用区域802，并在除p、n接触电极以外的其他区域沉积SiO2介质层9；
S04：剥离掉蓝宝石衬底，将μLED芯片转移到驱动背板上并采用胶水或其他方式固定住，并使得背板上每个像素单元包含6个μLED芯片；
S05：p、n电极的互连区域分别和驱动背板阳、阴极的互连区域相连，实现电极之间的互连；
S06：采用直接电学接触电流注入的逐点扫描方式对μLED芯片进行驱动发光；
S07：采用高级相机拍摄发光图片并进行图像处理获得不良像素的行列地址并进行记录，从而实时在线监测不良μLED像素；
S08：根据步骤S08提供的不良像素的行列地址进行寻址，采用喷墨打印方法在相应位置的μLED芯片的p、n电极的备用区域与驱动背板电极的备用区域进行原位修复，即纵向打印导电油墨，实现电极之间的重新互连。在这过程中，有的电极可能经过修复还是不能连接，导致芯片无法点亮，但本发明中每个像素单元内设有8个μLED芯片，因此只要每个单元内有一个μLED芯片能正常发光即可保证整个显示系统的
S09：重复S06-S08步骤，直至μLED显示阵列的良率达到预期良率。
实施例三（倒装型μLED）
请参照图5和图6，本发明公开了一种μLED像素检测及修复方法，所述μLED像素包含6个μLED芯片，芯片表面除电极互连区和备用区的其他区域设置有介质层9；所述μLED芯片p接触电极设置互连区域701和备用区域801，n接触电极设置互连区域702和备用区域802；所述驱动背板阳极10设置互连区域1001和备用区域1002，阴极11设置互连区域1101和备用区域1102；所述μLED芯片电极的设置方式为p型和n型电极分别设置于μLED芯片的同一侧；所述μLED发光体的电极互连区域与驱动背板像素电极的互连区域的互连方式为Au-In键合；所述μLED发光体的电极备选区域与驱动背板像素电极的备选区域的互连方式为非Au-In键合；所述μLED发光像素单元通过原位非Au-In连接方式进行修复。所述μLED像素检测及修复步骤包括：
S1. 采用直接电学接触电流注入的逐点扫描或无直接电学接触的电场驱动方式对μLED芯片进行驱动发光；
S2. 通过记录逐点扫描时不良像素的行列地址或拍摄发光图片并进行图像处理获得不良像素的行列地址，实时在线监测不良μLED像素；
S3. 根据步骤S2提供的不良像素的行列地址进行寻址，采用非Au-In互连方法在相应位置的μLED芯片的备用区域与驱动背板电极的备用区域进行原位修复，实现电极之间的重新互连。
S4. 重复S1-S3步骤，直至μLED显示阵列的良率达到预期良率。
具体的，在本实施例中，衬底1为蓝宝石衬底，且为a面，缓冲层2采用的材料为AlN，所述的发光层4为3个周期的InaGa1-aN量子阱有源层和AlbGa1-bN组成的空穴阻挡层或者电子阻挡层构成；6为氧化铟锡（ITO）；7和8为Ti/Al/Ni/Au，9为SiO2，12为导电油墨，13为铜丝。
具体的，在本实施例中，一种μLED像素结构及电极互连方法，按照以下步骤实现：
S01：将蓝宝石衬底1放置在MOCVD反应室中，温度设定为800℃~1200℃，通入三甲基铝、氨气，利用氢气为载体在蓝宝石衬底1上生长缓冲层2、n-GaN层3、多量子阱发光层4和p-GaN层5，它们的厚度分别为1000nm、3μm、200nm和1μm；
S02：采用ICP将上述层刻蚀至露出n-GaN，并形成阵列；
S03：在p-GaN层上生长电流扩展层ITO 6、p接触电极的互连区域701和电极引出线13，在露出的n-GaN层上生长n接触电极的互连区域702和电极引出线13，并在除p、n接触电极以外的其他区域沉积SiO2介质层9；
S04：剥离掉蓝宝石衬底，将μLED芯片转移到过渡基板14上，且n-GaN面朝上；
S05：在μLED芯片的n-GaN表面依次沉积SiO2介质层9、p接触电极的备用区域801和n接触电极的备用区域802，并将p接触电极的互连区域701、n接触电极的互连区域702分别和p接触电极的备用区域801、n接触电极的备用区域802以铜丝13相连；
S06：将μLED芯片转移到驱动背板上并采用Au-In键合的方式将μLED芯片的p接触电极的互连区域701、n接触电极的互连区域702分别与驱动背板的阳极互连区域1001、阳极互连区域1002键合，并使得背板上每个像素单元包含6个μLED芯片；
S07：采用直接电学接触电流注入的逐点扫描方式对μLED芯片进行驱动发光；
S08：采用高级相机拍摄发光图片并进行图像处理获得不良像素的行列地址并进行记录，从而实时在线监测不良μLED像素；
S09：根据步骤S08提供的不良像素的行列地址进行寻址，采用喷墨打印方法在相应位置的μLED芯片的p、n接触电极的备用区域与驱动背板电极的备用区域进行原位修复，即纵向打印导电油墨12，实现电极之间的重新互连。在这过程中，有的电极可能经过修复还是不能连接，导致芯片无法点亮，但本发明中每个像素单元内设有6个μLED芯片，因此只要每个单元内有一个μLED芯片能正常发光即可保证整个显示系统的完整性；
S10：重复S07-S09步骤，直至μLED显示阵列的良率达到预期良率。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，应当指出，对于本技术领域的普通人员，在不改变其本质原理的情况下，可对上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是简单改进和润饰、等同变化与改型，仍属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (9)
1.一种μLED显示器件检测及修复方法，其特征在于，所述μLED显示器件在驱动背板上阵列设置k个μLED像素，第i个μLED像素包含ni个μLED芯片，所述ni个μLED芯片无需精准取向和定位，以形成至少mi个μLED发光体，i = 1, 2, …, k；所述μLED发光体为施加驱动信号后可以正常发光的μLED芯片，所述μLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和互连失效后用于修复连接的备用区域，采用Au-In键合、非Au-In互连或Au-In键合和非Au-In互连复合的方式将所述μLED芯片电极的互连区域与驱动背板对应电极的互连区域互连；所述μLED显示器件检测及修复包括以下步骤：
S1）采用直接电学接触电流注入的逐点扫描或无直接电学接触的电场驱动方式对各个μLED像素的μLED芯片进行驱动发光；
S2）通过逐点扫描获得不良μLED像素的行列地址或拍摄发光图片并进行图像处理获得不良μLED像素的行列地址；
S3）根据步骤S2提供的不良μLED像素的行列地址进行寻址，采用非Au-In互连方法在相应位置的μLED芯片电极的备用区域与驱动背板对应电极的备用区域进行原位修复，实现电极之间的重新互连；
S4）重复步骤S1-S3，直至μLED显示器件的良品率达到预期良率。
2.根据权利要求1所述的一种μLED显示器件检测及修复方法，其特征在于，所述mi、ni为正整数且mi≤ni。
3.根据权利要求1所述的一种μLED显示器件检测及修复方法，其特征在于，所述非Au-In互连方式包括喷墨打印、丝网印刷、卷对卷印刷、遮挡镀膜、激光焊接和引线焊接。
4.根据权利要求1所述的一种μLED显示器件检测及修复方法，其特征在于，不必去除键合和连接不可靠的μLED芯片，采用非Au-In互连方式对不良μLED芯片进行原位修复。
5.根据权利要求1所述的一种μLED显示器件检测及修复方法，其特征在于，所述无直接电学接触的电场驱动方式指通过电容耦合方式对μLED芯片进行驱动发光。
6.根据权利要求1所述的一种μLED显示器件检测及修复方法，其特征在于，所述μLED芯片电极的设置方式包括两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧以及两个电极设置于μLED芯片的同一侧。
7.根据权利要求6所述的一种μLED显示器件检测及修复方法，其特征在于，当所述μLED芯片的两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧时，所述μLED芯片上侧面电极的互连区域和备用区域均设置于μLED芯片的上侧面，所述μLED芯片下侧面电极的互连区域和备用区域分别设置于μLED芯片的下侧面和上侧面，并以导电材料连接，所述驱动背板的两个电极也均对应设置互连区域和备用区域，所述μLED芯片下侧面电极的互连区域采用Au-In键合方式与驱动背板第一电极的互连区域互连，所述μLED芯片上侧面电极的互连区域采用非Au-In互连方式与驱动背板第二电极的互连区域连接。
8.根据权利要求6所述的一种μLED显示器件检测及修复方法，其特征在于，当所述μLED芯片的两个电极均设置于μLED芯片的上侧面时，所述μLED芯片的两个电极的互连区域和备用区域均设置于μLED芯片的上侧面，所述驱动背板的两个电极也均对应设置互连区域和备用区域，所述μLED芯片的两个电极的互连区域采用非Au-In互连方式分别与驱动背板对应电极的互连区域连接。
9.根据权利要求6所述的一种μLED显示器件检测及修复方法，其特征在于，当所述μLED芯片的两个电极均设置于μLED芯片的下侧面时，所述μLED芯片的两个电极的互连区域均设置于μLED芯片的下侧面，而备用区域均设置于μLED芯片的上侧面，并以导电材料连接对应的互连区域和备用区域，所述驱动背板的两个电极也均对应设置互连区域和备用区域，所述μLED芯片的两个电极的互连区域采用Au-In键合方式分别与驱动背板对应电极的互连区域连接。
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