CN111584538A - 微型发光二极管显示装置及其制造方法 - Google Patents

微型发光二极管显示装置及其制造方法 Download PDF

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CN111584538A CN202010507355.5A CN202010507355A CN111584538A CN 111584538 A CN111584538 A CN 111584538A CN 202010507355 A CN202010507355 A CN 202010507355A CN 111584538 A CN111584538 A CN 111584538A
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Abstract

本揭示公开一种微型发光二极管显示装置的制造方法，其包含：提供驱动基板，其包含第一基板及设置在第一基板上的驱动电路层，其中驱动电路层具有第一电极及第二电极；提供转移基板，其包含第二基板及分别设置在第二基板的两相对表面的对位标记及微型发光二极管，其中微型发光二极管包含P电极及N电极；通过对位标记贴合驱动基板及转移基板，使第一电极及第二电极分别电连接P电极及N电极；去除对位标记；及薄化第二基板。本揭示还公开一种通过所述方法制成的显示装置。

Description

微型发光二极管显示装置及其制造方法
技术领域
本揭示涉及显示技术领域，特别是涉及一种微型发光二极管显示装置及其制造方法。
背景技术
现有的微型发光二极管(micro light-emitting diode，micro LED)显示装置的制备方法，主要是将micro LED从生长基板直接转移到驱动基板(driving substrate)上，因此需等待驱动基板的驱动电路层形成后再转移微型发光二极管至驱动电路层上。随着科技的发展，micro LED的尺寸越来越小，使得microLED在驱动基板上的间距可越来越小且密度可越来越大。此使micro LED显示装置的像素密度(pixels per inch，PPI)可越来越大。就500PPI的5英寸手机屏幕而言，其包含约800万颗microLED。现有的巨量转移技术一般需要数次的转移，才能转移完一个手机屏幕所需的micro LED数量，因此转移微型发光二极管极为耗时。此外，现有的巨量转移技术在转移前需要先在驱动基板的显示区内设置数个对位标记，以确保转移的精确度。然而，在PPI日益增加的需求下，当对位标记的尺寸大于像素的尺寸时，将会影响显示装置的显示效果。
发明内容
为了解决现有显示装置中的驱动基板显示区因设有转移微型发光二极管用的对位标记而影响显示效果的技术问题，本揭示提供一种微型发光二极管显示装置的制造方法。所述方法包含：提供含第一显示区的一驱动基板，其中所述驱动基板在结构上包含第一基板及设置在第一基板上的一驱动电路层，且在所述第一显示区内的驱动电路层包含第一电极及第二电极；提供含第二显示区的一转移基板，其中所述转移基板在结构上包含第二基板及分别设置在所述第二显示区内第二基板的两相对表面的一对位标记及一微型发光二极管，其中所述微型发光二极管包含一P电极及一N电极；通过所述对位标记贴合所述驱动基板及所述转移基板，使所述驱动电路层的第一电极及第二电极分别电连接于所述微型发光二极管的P电极及N电极；以及去除所述对位标记。
在一实施例中，提供所述转移基板包含：提供第二基板；形成所述对位标记于所述第二显示区内第二基板的第一表面；形成所述微型发光二极管于一生长基板；以及将所述微型发光二极管从所述生长基板转移至所述第二显示区内第二基板的第二表面。第一表面与第二表面为第二基板的两相对面。
在一实施例中，提供所述转移基板还包含：在转移所述微型发光二极管至所述第二基板后，检测所述微型发光二极管的瑕疵；以及当所述微型发光二极管被检测为不良品时，转移另一微型发光二极管，以替换所述微型发光二极管。
在一实施例中，提供所述驱动基板包含：提供所述第一基板；及形成所述驱动电路层于所述第一基板上。再者，形成所述驱动电路层与转移所述微型发光二极管同步进行。
在一实施例中，所述方法还包含：在去除所述对位标记的同时，薄化所述第二基板。
在一实施例中，所述微型发光二极管为水平式(lateral)或垂直式(vertical)微型发光二极管。
在一实施例中，所述驱动基板的第一显示区未设有用于转移所述微型发光二极管至其上的一对位标记。
本揭示还提供一种微型发光二极管显示装置，其包含一含有第一显示区的驱动基板及一含有第二显示区的转移基板。所述驱动基板在结构上包含第一基板及设置在第一基板上的一驱动电路层。所述第一显示区内的驱动电路层包含第一电极及第二电极。所述转移基板在结构上包含第二基板及设置在所述第二显示区内第二基板的一表面的一微型发光二极管。所述微型发光二极管包含一P电极及一N电极。所述转移基板贴合于所述驱动基板。第二显示区对准第一显示区。所述微型发光二极管的P电极及N电极分别电连接于所述驱动电路层的第一电极及第二电极。
在一实施例中，所述微型发光二极管为水平式或垂直式微型发光二极管。
在一实施例中，所述驱动基板的第一显示区未设有用于转移所述微型发光二极管至其上的一对位标记。
相较于现有的微型发光二极管显示装置的制造方法，本发明方法通过(1)分别设置对位标记及转移微型发光二极管至第二基板显示区的两相对表面，以形成转移基板；(2)通过对位标记贴合驱动基板及转移基板，使微型发光二极管的P电极及N电极分别电连接于驱动基板显示区的驱动电路层的第一电极及第二电极；以及(3)去除所述对位标记，来达到下列功效：(1)形成驱动基板的驱动电路层与转移微型发光二极管至第二基板可同步进行，以减少制造所需的时间；以及(2)转移基板显示区的对位标记最终会去除，且无需在驱动基板的显示区设置对位标记，因此不会影响最终制成的微型发光二极管显示装置的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本揭示实施例的驱动基板的示意图。
图2为图1的驱动基板沿A-A’线的剖面示意图。
图3为本揭示实施例的转移基板的示意图。
图4为图3的转移基板沿B-B’线的剖面示意图。
图5为图4的第二基板与对位标记的示意图。
图6为本揭示实施例的形成有微型发光二极管的生长基板的剖面示意图。
图7为图4的微型发光二极管具有水平结构的示意图。
图8为图4的微型发光二极管具有垂直结构的第二种示意图。
图9为图1的驱动基板与图3的转移基板相对的示意图。
图10为图1的驱动基板与图3的转移基板贴合的示意图。
图11为图10中经贴合后的驱动基板及转移基板的正视图。
图12为图11中经贴合后的驱动基板及转移基板沿C-C’线的剖面示意图。
图13为图12的对位标记经去除且第二基板经薄化的示意图。
图14为本揭示实施例的微型发光二极管显示装置的示意图。
图15为图14的微型发光二极管显示装置的剖面示意图。
具体实施方式
本揭示提供一种微型发光二极管显示装置的制造方法，其包含下列步骤。
步骤1：请参阅图1及图2，提供一驱动基板10。所述驱动基板10包含数个以阵列排列的第一显示区11。所述驱动基板10在结构上包含第一基板12及设置在第一基板12上的一驱动电路层13。在每一第一显示区11内的驱动电路层13包含数个第一电极14及数个第二电极15。
具体地，步骤1的提供所述驱动基板10包含步骤11及步骤12。
步骤11：提供所述第一基板12。第一基板12可为由一玻璃所制成的刚性基板，例如石英玻璃、高硅氧玻璃(high-silica glass)、硼硅酸玻璃(borosilicate glass)、钠钙玻璃(soda-lime glass)及铝硅酸盐玻璃(aluminosilicate glass)。第一基板12亦可为由一柔性绝缘聚合物材料所制成的柔性基板，诸如聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚醚砜(polyether sulfone，PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、及薄膜纤维增强聚合物(fiber-reinforced polymer，FRP)。第一基板12可为透明的、半透明的或不透明的。
步骤12：形成所述驱动电路层13于所述第一基板11上，以得到所述驱动基板10。驱动基板10可为用于液晶显示装置中的主动式矩阵基板(active matrix substrate)。所述驱动电路层13包含数据线、扫描线及主动元件。所述主动元件可为氧化物薄膜晶体管(诸如铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)薄膜晶体管)、有机薄膜晶体管(Organic TFTs，OTFT)、非晶态薄膜晶体管(hydrogenated amorphous TFTs，简称a-TFT:H)、低温复晶态薄膜晶体管(low temperature poly TFTs，简称LTPS)或其组合，但不限于此。所述主动元件可为底栅型、顶栅型或双栅型薄膜晶体管。
步骤2：请参阅图3及图4，提供一转移基板30。所述转移基板30包含数个以阵列排列的第二显示区31。所述转移基板30在结构上包含第二基板32及分别设置在每一第二显示区31内第二基板32的两相对表面的数个对位标记33及数个微型发光二极管21。每一微型发光二极管21包含一P电极22及一N电极23。
具体地，步骤2的提供所述转移基板30包含包含步骤21至步骤25。
步骤21：请参阅图5，提供第二基板32。第二基板32可为由一玻璃所制成的刚性基板，例如石英玻璃、高硅氧玻璃、硼硅酸玻璃、钠钙玻璃及铝硅酸盐玻璃。第二基板32亦可为由一柔性绝缘聚合物材料所制成的柔性基板，诸如聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯及薄膜纤维增强聚合物。第二基板32可为透明的、半透明的或不透明的。第二基板32的材料可与第一基板12的材料相同或不同。
步骤22：请参阅图5，形成所述数个对位标记33于每一第二显示区31内第二基板32的第一表面34。
步骤23：请参阅图6，形成所述数个微型发光二极管21于一生长基板20。所述数个微型发光二极管21可包含蓝光微型发光二极管、红光微型发光二极管、绿光微型发光二极管或其组合，但不限于此。
步骤24：请参阅图4至图6，将所述数个微型发光二极管21从所述生长基板20转移至每一第二显示区31内的第二基板32的第二表面35。第一表面34与第二表面35为第二基板32的两相对面。
步骤25：检测所述数个微型发光二极管21是否有瑕疵。当所述微型发光二极管21被检测为不良品时，转移另一微型发光二极管21，以替换所述微型发光二极管21。
在一实施例中，步骤1的提供所述驱动基板10与步骤2的提供所述转移基板30，同步进行。在一实施例中，步骤12的形成所述驱动电路层13于所述第一基板11上与步骤24的转移所述微型发光二极管21至第二基板32上，同步进行。
在一实施例中，请参阅图7，微型发光二极管21可为水平式(lateral)微型发光二极管，其包含N型半导体层24、发光层25、P型半导体层26、透明导电层27、P电极22及N电极23。在此实施例中，请参阅图6及图7，步骤23的形成所述数个微型发光二极管21于一生长基板20包含：在所述生长基板20上依序形成N型半导体层24、发光层25、P型半导体层26、透明导电层27及P电极22；图案化P电极22；蚀刻发光层25、P型半导体层26及透明导电层27，以曝露出N型半导体层24的一部分；以及在经曝露的N型半导体层24上形成N电极23。
在一实施例中，请参阅图8，微型发光二极管21可为垂直式(vertical)微型发光二极管，其包含N电极23、N型半导体层24、发光层25、P型半导体层26及P电极22。在此实施例中，步骤23的形成所述数个微型发光二极管21于一生长基板20包含：在所述生长基板20上依序形成N电极23、N型半导体层24、发光层25、P型半导体层26及P电极22。垂直式(vertical)微型发光二极管的制程为习知技术，因此不再作详细描述。
图7及图8仅为本揭示的微型发光二极管21的示例。本揭示的微型发光二极管21的结构及形状不以图7及图8所示的结构及形状为限。本揭示的微型发光二极管21包含所有含P电极及N电极的微型发光二极管。因此，步骤23的形成所述数个微型发光二极管21于一生长基板20，不限于前述以图7及图8的微型发光二极管21为例所做的说明。
请参阅图7及图8，N型半导体层24可由N型氮化物所制成，诸如经硅(Si)掺杂的氮化镓(GaN)，但不限于此。发光层25可为由氮化铟镓(InGaN)及氮化镓(GaN)制成的单量子阱(single quantum well，SQW)或多量子阱(multi-quantum well，MQW)，但不限于此。P型半导体层26可由P型氮化物所制成，诸如经镁(Mg)掺杂的氮化镓，但不限于此。透明导电层27可由一金属氧化物所制成，例如氧化铟、氧化锌、氧化钛、氧化镁或氧化铟锡(Indium TinOxide，ITO)，但不限于此。P电极22及N电极23的材料可为金(Au)、镍(Ni)、银(Ag)、铜(Cu)、铂(Pt)、铬(Cr)、锌(Zn)、钯(Pd)、铝(Al)、钛(Ti)或其合金，例如镍金合金、钯金合金、金锌合金，但不限于此。P电极22及N电极23的材料亦可为一金属氧化物，例如氧化铟、氧化锌、氧化钛、氧化镁及氧化铟锡。P电极22及N电极23亦可为具有多层结构的复合电极，例如Cr/Pt/Au、Cr/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Ti/Pt/Au、Ti/Al/Pt/Au。N型半导体层24、发光层25及P型半导体层26可通过金属有机化学气相沉积(Metal-organic Chemical VaporDeposition，MOCVD)或金属有机物理气相沉积(Metal-organic physical VaporDeposition，MOPVD)制成，但不限于此。P电极22、N电极23及透明导电层27可通过物理气相沉积制成，但不限于此。
步骤3：请参阅图9至图12，通过所述数个对位标记33贴合所述驱动基板10及所述转移基板30，使每一第一显示区11对准相对应的第二显示区31，且每一第一电极14及每一第二电极15分别对准并电连接于相对应的P电极22及N电极23。在一实施例中，如图9至图12所示，将所述转移基板30移至所述驱动基板10的上方。接着，通过所述对位标记33使每一第二显示区31对准相对应的第一显示区11，且每一微型发光二极管21的P电极22及N电极23分别对准相对应的第一电极14及第二电极15。最后，将所述驱动基板10贴合于所述转移基板30，且将每一微型发光二极管21的P电极22及N电极23分别电连接于相对应的第一电极14及第二电极15。在一实施例中，所述驱动基板10可移至所述转移基板30的上方。接着，通过所述对位标记33，使每一第一显示区11对准相对应的第二显示区31，且每一第一电极14及每一第二电极15分别对准相对应的P电极22及N电极23。最后，将所述转移基板30贴合于所述驱动基板10，且将每一第一电极14及每一第二电极15分别电连接于相对应的P电极22及N电极23。
用语「电连接」包含「直接电连接」与「间接电连接」。「直接电连接」是指两元件不通过其他元件或材料而电连接在一起，例如以激光点焊(laser spot welding)方式电连接两元件。「间接电连接」是指两元件之间通过其他元件(例如各向异性导电薄膜(anisotropicconductive film，ACF))或材料(例如各向异性导电胶(anisotropic conductive paste，ACP))而电连接在一起。
在一实施例中，可通过在所述驱动基板10的每一第一显示区11外围及/或所述转移基板30的每一第二显示区31外围涂布一绝缘框胶来贴合所述驱动基板10及所述转移基板30。所述框胶可为热固化胶、光固化胶或其组合。所述框胶亦可为透光的环氧树脂或硅胶。在此实施例中，每一第一电极14及每一第二电极15可分别直接或间接电连接于相对应的P电极22及N电极23。
在一实施例中，可通过在所述驱动基板10的所述驱动电路层13及/或所述第二基板32的第二表面35涂布所述绝缘框胶来贴合所述驱动基板10及所述转移基板30。在此实施例中，每一第一电极14及每一第二电极15通过激光点焊直接电连接于相对应的P电极22及N电极23。
在一实施例中，可通过在所述驱动基板10的所述驱动电路层13及/或所述第二基板32的第二表面35涂布各向异性导电胶来贴合所述驱动基板10及所述转移基板30。在此实施例中，每一第一电极14及每一第二电极15通过各向异性导电胶分别间接电连接于相对应的P电极22及N电极23，或通过激光点焊直接电连接于相对应的P电极22及N电极23。
步骤4：请参阅图12及图13，去除所述对位标记33。
步骤5：请参阅图12及图13，薄化所述第二基板32。在一实施例中，步骤5可与步骤4同时进行。在一实施例中，步骤5可省略。
步骤5：请参阅图10至图15，切割经贴合的驱动基板10及转移基板30，以获得数个微型发光二极管显示装置100。
在所述方法中，所述驱动基板10的第一显示区11内无需设置用于转移所述微型发光二极管21至其上的对位标记。
请参阅图14及图15，本揭示还提供一种通过前述方法制成的微型发光二极管显示装置100。所述微型发光二极管显示装置100包含一含有第一显示区11的驱动基板10及一含有第二显示区31的转移基板30。所述驱动基板10在结构上包含第一基板12及设置在第一基板12上的一驱动电路层13。所述第一显示区11内的驱动电路层13包含数个第一电极14及数个第二电极15。所述转移基板30在结构上包含第二基板32及设置在所述第二显示区31内第二基板32的一表面的数个微型发光二极管21。每一微型发光二极管21包含一P电极22及一N电极23。所述转移基板30贴合于所述驱动基板10。第二显示区31对准第一显示区11。每一微型发光二极管21的P电极22及N电极23分别电连接于相对应的第一电极14及第二电极15。
第一基板12及第二基板32可为由一玻璃所制成的刚性基板，例如石英玻璃、高硅氧玻璃、硼硅酸玻璃、钠钙玻璃及铝硅酸盐玻璃。第一基板12及第二基板32亦可为由一柔性绝缘聚合物材料所制成的柔性基板，诸如聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯及薄膜纤维增强聚合物。第一基板12的材料及第二基板32的材料可相同或不同。第一基板12及第二基板32可分别为刚性基板及柔性基板，或是分别为柔性基板及刚性基板。第一基板12及第二基板32可为透明的、半透明的或不透明的。
所述驱动基板10可为用于液晶显示装置中的主动式矩阵基板。所述驱动基板10的驱动电路层13包含数据线、扫描线及主动元件。所述主动元件可为氧化物薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、非晶态薄膜晶体管、低温复晶态薄膜晶体管或其组合，但不限于此。所述主动元件可为底栅型、顶栅型或双栅型薄膜晶体管。
在一实施例中，请参阅图7，微型发光二极管21可为水平式(lateral)微型发光二极管，其包含依序堆叠的N型半导体层24、发光层25、P型半导体层26、透明导电层27及P电极22，以及设置在N型半导体层24上的N电极23。在一实施例中，请参阅图8，微型发光二极管21可为垂直式(vertical)微型发光二极管，其包含依序堆叠的N电极23、N型半导体层24、发光层25、P型半导体层26及P电极22。N型半导体层24、发光层25、P型半导体层26、透明导电层27、P电极22及N电极23的材料如前所述，在此不再详细描述。图7及图8仅为本揭示的微型发光二极管21的示例。本揭示的微型发光二极管21的结构及形状不以图7及图8所示的结构及形状为限。本揭示的微型发光二极管21包含所有含P电极及N电极的微型发光二极管。
用语「电连接」包含「直接电连接」与「间接电连接」。「直接电连接」是指两元件不通过其他元件或材料而电连接在一起，例如以激光点焊(laser spot welding)方式电连接两元件。「间接电连接」是指两元件之间通过其他元件(例如各向异性导电薄膜)或材料(例如各向异性导电胶)而电连接在一起。
在一实施例中，在所述驱动基板10的第一显示区11外围及所述转移基板30的第二显示区31外围之间涂布有一绝缘框胶，用以贴合所述驱动基板10及所述转移基板30。所述框胶可为热固化胶、光固化胶或其组合。所述框胶亦可为透光的环氧树脂或硅胶。在此实施例中，每一第一电极14及每一第二电极15可分别直接或间接电连接于相对应的P电极22及N电极23。
在一实施例中，在所述驱动基板10的所述驱动电路层13及所述第二基板32的第二表面35之间涂布有一绝缘框胶，用以贴合所述驱动基板10及所述转移基板30。在此实施例中，每一第一电极14及每一第二电极15通过激光点焊直接电连接于相对应的P电极22及N电极23。
在一实施例中，在所述驱动基板10的所述驱动电路层13及所述第二基板32的第二表面35之间涂布有一各向异性导电胶，用以贴合所述驱动基板10及所述转移基板30。在此实施例中，每一第一电极14及每一第二电极15通过所述各向异性导电胶分别间接电连接于相对应的P电极22及N电极23，或通过激光点焊直接电连接于相对应的P电极22及N电极23。
在所述微型发光二极管显示装置100中，所述驱动基板10的第一显示区11未设有用于转移所述微型发光二极管21至其上的对位标记。
相较于现有的微型发光二极管显示装置的制造方法，本发明方法通过(1)分别设置对位标记及转移微型发光二极管至第二基板显示区的两相对表面，以形成转移基板；(2)通过对位标记将转移基板贴合于驱动基板，使微型发光二极管的P电极及N电极分别电连接于驱动基板显示区的驱动电路层的第一电极及第二电极；以及(3)去除所述对位标记，来达到下列功效：(1)形成驱动基板的驱动电路层与转移微型发光二极管至第二基板可同步进行，以减少制造所需的时间；以及(2)转移基板显示区的对位标记最终会去除，且无需在驱动基板的显示区设置对位标记，因此不会影响最终制成的微型发光二极管显示装置的显示效果。
虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种微型发光二极管显示装置的制造方法，其特征在于：其包含：
提供含有第一显示区的一驱动基板，其中所述驱动基板在结构上包含第一基板及设置在第一基板上的一驱动电路层，且在所述第一显示区内的驱动电路层包含第一电极及第二电极；
提供含有第二显示区的一转移基板，其中所述转移基板在结构上包含第二基板及分别设置在所述第二显示区内第二基板的两相对表面的一对位标记及一微型发光二极管，其中所述微型发光二极管包含一P电极及一N电极；
通过所述对位标记贴合所述驱动基板及所述转移基板，使所述驱动电路层的第一电极及第二电极分别电连接于所述微型发光二极管的P电极及N电极；以及
去除所述对位标记。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：提供所述转移基板包含：
提供第二基板；
形成所述对位标记于所述第二显示区内第二基板的第一表面；
形成所述微型发光二极管于一生长基板；以及
将所述微型发光二极管从所述生长基板转移至所述第二显示区内第二基板的第二表面，其中第一表面与第二表面为第二基板的两相对面。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：提供所述转移基板还包含：
在转移所述微型发光二极管至所述第二基板后，检测所述微型发光二极管的瑕疵；以及
当所述微型发光二极管被检测为不良品时，转移另一微型发光二极管，以替换所述微型发光二极管。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：提供所述驱动基板包含：
提供所述第一基板；及
形成所述驱动电路层于所述第一基板上；
其中，形成所述驱动电路层与转移所述微型发光二极管同步进行。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法还包含：在去除所述对位标记的同时，薄化所述第二基板。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述微型发光二极管为水平式(lateral)或垂直式(vertical)微型发光二极管。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述驱动基板的第一显示区未设有用于转移所述微型发光二极管至其上的一对位标记。
8.一种微型发光二极管显示装置，其特征在于：其包含：
一含有第一显示区的驱动基板，其结构包含第一基板及设置在第一基板上的一驱动电路层，其中所述第一显示区内的驱动电路层包含第一电极及第二电极；以及
一含有第二显示区的转移基板，其结构包含第二基板及设置在所述第二显示区内第二基板的一表面的一微型发光二极管，其中所述微型发光二极管包含一P电极及一N电极；
其中所述转移基板贴合于所述驱动基板，第二显示区对准第一显示区，且所述微型发光二极管的P电极及N电极分别电连接于所述驱动电路层的第一电极及第二电极。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于：所述微型发光二极管为水平式(lateral)或垂直式(vertical)微型发光二极管。
10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于：所述驱动基板的第一显示区未设有用于转移所述微型发光二极管至其上的一对位标记。
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