CN114256397B - 显示面板及其制备方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例涉及显示技术领域，公开了显示面板、显示面板的制备方法及显示装置，所述显示面板包括：驱动背板和多个发光单元，多个发光单元包括发光层和电极，电极包括第一类电极和多个第二类电极，第一类电极与多个第二类电极均与驱动背板电连接。本发明提供的显示面板、显示面板的制备方法及显示装置能够显著提高屏体的良率。

Description

显示面板及其制备方法和显示装置
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。
背景技术
当前，正装芯片、倒装芯片和垂直芯片是发光单元主流的结构形式。正装芯片的金属电极位于出光面，出光效率低；垂直芯片制作工艺复杂且不成熟；倒装芯片在巨量转移、激光剥离和芯片与背板的焊接等工艺后，难以保持较高的产品良率。因此，现有的显示面板的质量有待提高。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置，其能够提高屏体的良率。
为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种显示面板，包括：
驱动背板；多个发光单元，所述多个发光单元包括发光层和设置于所述发光层上的电极，所述电极包括第一类电极和多个第二类电极，所述第一类电极与所述多个第二类电极均与所述驱动背板电连接。
另外，所述第一类电极为N电极，所述第二类电极为P电极，所述驱动背板上设有扩展N电极和多个扩展P电极；所述N电极与所述扩展N电极连接，多个所述P电极与多个所述扩展P电极连接。由于现有技术中的发光单元中的P电极和N电极存在高度差，导致发光单元难以与驱动背板匹配，通过在驱动背板上设置扩展N电极和多个扩展P电极，且N电极与扩展N电极连接、多个P电极与多个扩展P电极连接，从而可以有效解决驱动背板和发光单元的电极高度不匹配的问题，降低调节发光单元高度的工艺成本。
另外，所述显示面板还包括VDD信号线、VSS信号线、第一导线和多条第二导线；所述N电极通过所述第一导线与所述VSS信号线连接，所述多个P电极中一个P电极通过一条所述第二导线与所述VDD信号线连接，连接所述多个P电极中的其他P电极与所述VDD信号线的所述第二导线处于断开状态。通过此种结构的设置，无需在一个发光单元中设置多个LED芯片，减小了单个发光单元的占用面积，因此可以在相同大小的显示区域内设置数量更多的发光单元，从而能够在发光单元亮度异常时修复该发光单元的同时，确保屏体的高分辨率。
另外，所述显示面板还包括光阻挡层，所述光阻挡层设置在所述驱动背板上，所述光阻挡层具有多个第一凹槽，所述发光单元设置在所述第一凹槽内。光阻挡层能够有效避免相邻发光单元间的光串扰的问题。
另外，所述光阻挡层具有远离所述驱动背板的第一顶面，所述发光单元具有远离所述驱动背板的第二顶面，所述第一顶面到所述驱动背板的距离大于或等于所述第二顶面到所述驱动背板的距离。通过此种结构的设置，能够有效避免相邻发光单元间的光串扰的问题。
另外，所述光阻挡层包括第一光阻挡层和第二光阻挡层，所述第一光阻挡层设置在所述驱动背板上，所述第二光阻挡层设置在所述第一光阻挡层远离所述驱动背板的一侧。通过设置第一光阻挡层和第二光阻挡层，能够确保叠层设置的光阻挡层的厚度大于或等于发光单元的厚度，从而进一步避免了相邻发光单元间的光串扰。
相应的，本发明的实施方式还提供了一种显示面板的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成发光单元，其中，所述发光单元包括发光层和设置于所述发光层上的电极，所述电极包括N电极和多个P电极；提供驱动背板，其中，所述驱动背板上设有扩展N电极和多个扩展P电极；分别将所述N电极与所述扩展N电极、所述多个P电极与所述多个扩展P电极对位贴合，以形成所述显示面板。
另外，在所述衬底上形成发光单元之后，还包括：形成临时键合结构；所述临时键合结构包括：临时基板、位于所述临时基板一侧的粘胶层和发光单元，所述粘胶层包括多个凸起，所述多个凸起与所述发光单元的所述多个P电极粘接。
另外，所述形成临时键合结构包括：在所述衬底上溅射一层金属层，其中，所述金属层包围所述发光单元；在所述金属层正对所述P电极的位置开设通孔；在所述金属层表面涂覆胶液，以形成粘胶层；在所述粘胶层远离所述金属层的一侧形成临时基板；剥离所述衬底，并刻蚀所述金属层，以使所述粘胶层和所述临时基板共同形成所述临时键合结构。
相应的，本发明的实施方式还提供了一种显示装置，包括上述显示面板，或上述显示面板的制备方法制备得到的显示面板。
与现有技术相比，本发明实施例提供的技术方案具有以下优点：
通过设置多个第二类电极，使得发光单元与驱动背板之间的键合强度得以提高，避免了发光单元在固定于驱动背板的过程中损坏或者移位，从而提高了屏体良率。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1是根据本发明第一实施方式提供的发光单元的结构示意图；
图2是根据本发明第一实施方式提供的发光单元的俯视图；
图3是根据本发明第一实施方式提供的发光单元的另一种俯视图；
图4是根据本发明第二实施方式提供的显示面板的结构示意图；
图5是根据本发明第二实施方式提供的显示面板的另一种结构示意图；
图6是根据本发明第二实施方式提供的显示面板的又一种结构示意图；
图7是根据本发明第二实施方式提供的显示面板的等效电路图；
图8是根据本发明第三实施方式提供的显示面板的制备方法的流程图；
图9是根据本发明第四实施方式提供的显示面板的制备方法的流程图；
图10是根据本发明第四实施方式提供的显示面板的制备过程的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本发明而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本发明所要求保护的技术方案。
本发明的第一实施方式涉及一种发光单元2，具体结构如图1所示，包括：
发光层21和设置于发光层21上的电极22，电极22包括第一类电极221和多个第二类电极222。
可选地，第一类电极221可以是N电极221，第二类电极222可以是P电极。
具体的，发光层21包括依次层叠设置的缓冲层211、N-GaN层212(N型氮化镓层)、多量子阱层213、P-GaN层214(P型氮化镓层)和ITO层215(氧化铟锡层)，发光单元2还包括凹槽20，凹槽20自ITO层215延伸至N-GaN层212，且凹槽20贯穿ITO层215、P-GaN层214和多量子阱层213，N电极221设置在N-GaN层212上，多个P电极222设置在ITO层215上。
可以理解的是，多个包括两个及两个以上。
请参见图2和图3，本实施方式并不对第二凹槽20的开设位置作具体限定，如图2所示的第二凹槽20开设在ITO层215的中间位置，使得ITO层215被分割成两个部分，P电极222的数量为两个，两个P电极222分别设置在ITO层215的两个部分上，N电极设置在N-GaN层212上且位于两个P电极222之间；如图3所示的第二凹槽20开设在ITO层215的边缘位置，使得ITO层215形成一个“L”型的结构，P电极222的数量为两个，两个P电极222分别设置在“L”型的结构的两个端点处，N电极221设置在N-GaN层212上。可以理解的是，本实施方式并不对P电极222的数量作具体限定，可以根据实际需求设置。
本发明的实施方式相对于现有技术而言，发光层21与P电极222相邻设置，通过设置多个P电极222对发光层21提供支撑，使得发光单元2与驱动背板之间的键合强度得以提高，避免了发光单元2在固定于驱动背板的过程中损坏或者移位，从而提高了屏体良率。
本发明的第二实施方式涉及一种显示面板100，具体结构如图4所示，包括：
驱动背板1；发光单元2，发光单元2包括发光层21和设置于发光层21上的电极22，电极22包括第一类电极221和多个第二类电极222，第一类电极221与多个第二类电极222均与驱动背板1电连接。
通过设置多个第二类电极222，使得发光单元2与驱动背板1之间的键合强度得以提高，避免了发光单元2在固定于驱动背板1的过程中损坏或者移位，从而提高了屏体良率。
请继续参见图4，具体的，第一类电极221可以是N电极221，第二类电极222可以是P电极。驱动背板1上设有扩展N电极11和多个扩展P电极12，N电极221与扩展N电极11连接，多个P电极222与多个扩展P电极12连接。由于现有技术中的发光单元2中的P电极222和N电极221存在高度差，导致发光单元2难以与驱动背板1匹配，通过在驱动背板1上设置扩展N电极11和多个扩展P电极12，且N电极与扩展N电极连接，多个P电极与多个扩展P电极连接，从而可以有效解决驱动背板1和发光单元2的电极高度不匹配的问题，降低调节发光单元2高度的工艺成本。
需要说明的是，本实施方式中可以通过倒焊装工艺将发光单元2设置在驱动背板1上。倒装焊技术是指发光单元2面朝下与驱动背板1直接互连的一种技术，又称倒扣焊技术，其互连线短、寄生电容和寄生电感小且封装密度高。
请参见图5，在本实施方式中，显示面板100还包括反射层3，反射层3设置在ITO层215和P电极222之间，由于本实施方式采取倒焊装工艺将发光单元2设置在驱动背板1，通过设置反射层3，使得发光单元2发出的光线经过ITO层215后经由反射层3从背离驱动背板1的方向射出，从而使显示面板100能够正常显示画面。需要说明的是，反射层3的材质可以为二氧化硅或二氧化钛等，本实施方式并不对此做具体限定。
请参见图6，显示面板100还包括光阻挡层4，光阻挡层4设置在驱动背板1上，光阻挡层4具有多个第一凹槽40，发光单元2设置在第一凹槽40内。通过此种结构的设置，使得光阻挡层4能够有效避免相邻发光单元2间的光串扰的问题。
值得一提的是，光阻挡层4包括远离驱动背板1的第一顶面41，发光单元2包括远离驱动背板1的第二顶面23，第一顶面41与驱动背板1之间的距离大于或等于第二顶面23与驱动背板1之间的距离。可以理解的是，设置光阻挡层4的目的是为了防止不同颜色的光之间的颜色串扰，因为在设置发光单元2后，由于ITO层215具有透光性，因此发光单元2发出的光能够从缓冲层211、N-GaN层212、多量子阱层213、P-GaN层214的各个面射出，通过上述结构的设置，使得光阻挡层4能够完全遮挡发光单元2的侧壁，从而进一步避免了相邻发光单元2间的光串扰。
需要说明的是，由于光阻挡层4需要避免相邻发光单元2间的光串扰，因此本实施方式中光阻挡层4的表面可以涂覆黑色吸光材料，比如采用黑色颜料或染料的着色剂，可以是钛黑、木质素黑、诸如铁/锰的复合氧化物颜料，以及上述颜料的组合等，可以理解的是，也可以是整层的光阻挡层4均采用黑色吸光材料制成，从而进一步提高吸光效果。
优选地，光阻挡层4包括第一光阻挡层42和第二光阻挡层43，第一光阻挡层42设置在驱动背板1上，第二光阻挡层43设置在第一光阻挡层42远离驱动背板1的一侧。由于通常采用光刻工艺在驱动背板1上设置光阻挡层4，光刻工艺需要对光阻挡层4进行曝光，光阻挡层的颜色又通常为黑色，以确保光刻工艺的顺利进行，单层结构的光阻挡层4难以做得太厚(单层光阻挡层4的厚度一般为10微米)；而为了确保光阻挡层4避免了相邻发光单元2间的光串扰，所需的光阻挡层4厚度一般为20微米。因此通过设置第一光阻挡层42和第二光阻挡层43，能够确保叠层设置的光阻挡层4的厚度大于或等于所需的最大厚度，从而进一步避免了相邻发光单元2间的光串扰。可以理解的是，本实施方式中并不对光阻挡层4的层数作具体限定，可以是两层的叠层结构，也可以是三层、四层的叠层结构，本领域技术人员可以根据实际需求在驱动背板1上形成不同层数的光阻挡层4。
请参见图7，显示面板100还包括VDD信号线5、VSS信号线6、第一导线7和多条第二导线8；N电极221通过第一导线7与VSS信号线6连接，多个P电极222中一个P电极通过一条第二导线8与VDD信号5线连接，连接多个P电极222中的其他P电极与VDD信号线5的第二导线8处于断开状态。可以理解的是，图6所示的P电极222的数量为两个，其中一个与VDD信号线5连接，另一个与VDD信号线5连接的第二导线8处于断开状态，实际应用中并不对P电极222的数量作具体限定，当P电极222的数量大于两个时，仅存在一个P电极与VDD信号线5连接，连接其他P电极222与VDD信号线5的第二导线8均处于断开状态。
具体的说，现有技术中在测试和修复显示面板时，面临“发光单元亮度异常”的技术问题时，采取的做法是在每个发光单元中绑定两颗LED芯片，若某个位置的发光单元出现亮度异常的现象，仅需将该位置的发光单元中损坏的LED芯片替换为备选的LED芯片即可，但多颗芯片的设置会导致发光单元的面积增大，使得相同面积区域只能设置较少的发光单元，导致屏体的PPI(像素密度)降低。本实施方式通过设置多个P电极222，使得当与VDD信号线5连接的P电极222(以P1表示)无法使发光单元2正常发光时，能够将P1与VDD信号线5连接的第二导线8断开(如通过切割第二导线的方式断开)，再将通过点锡技术连通原先断开的一条第二导线8，以使与该第二导线8连接的P电极222(以P2表示)与VDD信号线5连接，从而保证发光单元2亮度正常。此种方式无需在一个发光单元中设置多个LED芯片，减小了单个发光单元的占用面积，因此可以在相同大小的显示区域内设置数量更多的发光单元，从而能够在发光单元亮度异常时修复该发光单元的同时，确保屏体的高分辨率。
本发明的第三实施方式涉及一种显示面板的制备方法，本实施方式的具体流程如图8所示，包括：
S301：提供包括N电极和多个P电极的发光单元。
具体的说，提供衬底，在衬底上形成发光单元。本实施方式中的发光单元包括发光层和设置于所述发光层上的电极，所述电极包括N电极和多个P电极。可以理解的是，本实施方式中的发光单元呈阵列排布，以一次性转移多个发光单元至驱动背板上。以发光单元为蓝色微米级LED芯片为例，蓝色微米级LED芯片的长度范围为1微米至50微米；蓝色微米级LED芯片的宽度范围为1微米至50微米；相邻蓝色微米级LED芯片之间的横向间距大于蓝色微米级LED芯片的长度，纵向间距大于蓝色微米级LED芯片的宽度，且横向间距或纵向间距小于100微米。应当理解的是，在实际应用中，本实施方式并不对发光单元的数量做限制。
S302：提供设有扩展N电极和多个扩展P电极的驱动背板。
具体的说，驱动背板用于驱动发光单元进行发光。
S303：分别将N电极与扩展N电极、多个P电极与多个扩展P电极对位贴合，以形成显示面板。
具体的说，本实施方式可以通过焊接的方式将N电极与扩展N电极、多个P电极与多个扩展P电极对位贴合。
本发明的实施方式相对于现有技术而言，发光层与P电极相邻设置，通过设置多个P电极对发光层提供支撑，使得发光单元与驱动背板之间的键合强度得以提高，避免了发光单元在固定于驱动背板的过程中损坏或者移位，从而提高了屏体良率；由于发光单元中的P电极和N电极存在高度差，导致发光单元难以与驱动背板匹配，通过在驱动背板上设置扩展N电极和多个扩展P电极，且N电极与扩展N电极连接，多个P电极与多个扩展P电极连接，从而可以有效解决驱动背板和发光单元的电极高度不匹配的问题，降低调节发光单元高度的工艺成本。
本发明的第四实施方式涉及一种显示面板的制备方法，本实施方式是在第一实施方式的基础上做了进一步的改进，具体改进之处在于：在本实施方式中，在所述衬底上形成发光单元之后，还包括：形成临时键合结构。临时键合结构包括：临时基板、位于所述临时基板一侧的粘胶层和发光单元，粘胶层包括多个凸起，多个凸起与发光单元的多个P电极粘接。
本实施方式的具体流程如图9所示，包括以下步骤：
S401：在衬底上形成发光单元。
具体的说，衬底可以为玻璃基板，也可以采用柔性材料制备而成，例如：由聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)或玻璃纤维增强塑料(FRP)等聚合物材料形成。衬底可以是透明的、半透明的或不透明的，以对设置在其上的发光单元的形成提供支撑。本实施方式并不对衬底的材质作具体限定。
S402：在衬底上溅射一层金属层。
具体的说，本实施方式中的金属层包围所述发光单元，金属层的材质可以为铝、铜等。
S403：在金属层正对P电极的位置开设通孔。
具体的说，可以采用光刻加刻蚀的方法，在金属层正对P电极的位置开设通孔。
S404：在金属层表面涂覆胶液，以形成粘胶层。
具体的说，本实施方式中粘胶层的材质可以为BCB胶，BCB胶成型后外表面平整，有利于后续工艺中其他膜层的贴合，粘胶层的材质也可以是ACF胶、OCA胶等，本实施方式并不对粘胶层的材质作具体限定。
S405：在粘胶层远离金属层的一侧形成临时基板。
具体的说，基板可以为玻璃基板，也可以采用柔性材料制备而成，本实施方式并不对基板的材质作具体限定。
S406：剥离衬底，并刻蚀金属层，以使粘胶层和临时基板共同形成临时键合结构。
具体的说，本实施方式可以通过激光剥离衬底，由于金属层和粘胶层包覆所述发光单元，使得激光剥离与发光单元接触的衬底时，不会对发光单元造成影响，从而提高了激光剥离的良率；在剥离衬底后，可以通过干法刻蚀或湿法刻蚀去除金属层，以湿法刻蚀为例，即将上述形成的膜层结构浸泡在刻蚀金属的腐蚀液中即可。
S407：提供具有凸起结构的转印头。
S408：将凸起结构与发光单元固定，分离发光单元与临时键合结构。
关于步骤S404至步骤S408，具体的说，一个凸起结构用于与一个发光单元固定，因此，可以在转印头上设置多个凸起结构以一次性分离多个发光单元。可以理解的是，本实施方式还可以在转印头的特定位置设置凸起结构，以便于后续工艺中将发光单元固定于驱动背板与所述特定位置对应的区域。
需要说明的是，本实施方式中转印头的材质可以为PDMS(聚二甲基硅氧烷)，其本身具有一定的粘附性，因此可直接分离发光单元与临时键合结构。在分离过程中也可以先向下按压发光单元，以使原本填充通孔的粘胶层断裂，从而可以更容易的分离发光单元与临时键合结构。
S409：利用转印头分别将发光单元的N电极与扩展N电极、多个P电极与多个扩展P电极对位贴合。
S410：分离转印头与发光单元。
具体的说，由于发光单元与驱动背板的键合强度大于发光单元与转印头的键合强度，因此可以直接分离转印头与发光单元。
为了便于理解，下面结合附图10为本实施方式显示面板的制备方法进行详细的说明：
如图10(A)所示，在衬底101上形成发光单元2，发光单元2包括两个P电极222和一个N电极221，金属层102包围发光单元2；如图10(B)所示，在金属层102正对P电极222的位置开设孔1020，以暴露P电极222；如图10(C)所示，在金属层102表面涂覆胶液，以形成粘胶层103，粘胶层103填充孔1020；如图10(D)所示，倒立发光单元2，并在粘胶层103远离金属层102的一侧形成临时基板104；如图10(E)所示，激光剥离衬底101；如图10(F)所示，湿法刻蚀金属层102；如图10(G)所示，利用转印头105分离发光单元2与粘胶层103；如图10(H)所示，将发光单元转移至驱动背板1上(驱动背板上设有光阻挡层4，光阻挡层4具有第一凹槽40，发光单元2设置在第一凹槽40内)，P电极222与驱动背板1上的扩展P电极12对位贴合，N电极221与驱动背板1上的扩展N电极11对位贴合；如图10(I)所示，分离转印头105与发光单元2。
本发明的实施方式相对于现有技术而言，发光层置于P电极的上方，通过设置多个P电极对发光层提供支撑，使得发光单元与驱动背板之间的键合强度得以提高，避免了发光单元在固定于驱动背板的过程中损坏或者移位，从而提高了屏体良率；由于现有技术中的发光单元中的P电极和N电极存在高度差，导致发光单元难以与驱动背板匹配，通过在驱动背板上设置扩展N电极和多个扩展P电极，且N电极与扩展N电极连接、多个P电极与多个扩展P电极连接，从而可以有效解决驱动背板和发光单元的电极高度不匹配的问题，降低调节发光单元高度的工艺成本。
本发明的第五实施方式涉及一种显示装置，包括上述实施例中的发光单元或显示面板或显示面板的制备方法制备得到的显示面板。
显示装置可以应用在智能穿戴设备(如智能手环、智能手表)中，也可以应用在智能手机、平板电脑、显示器等设备中。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。

Claims (9)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
驱动背板；
多个发光单元，所述多个发光单元包括发光层和设置于所述发光层上的电极，所述电极包括第一类电极和多个第二类电极，所述第一类电极与所述多个第二类电极均与所述驱动背板电连接；
所述第一类电极为N电极，所述第二类电极为P电极；
所述显示面板还包括VDD信号线、VSS信号线、第一导线和多条第二导线；
所述N电极通过所述第一导线与所述VSS信号线连接；
所述多个P电极中一个P电极通过一条所述第二导线与所述VDD信号线连接；
连接所述多个P电极中的其他P电极与所述VDD信号线的所述第二导线处于断开状态。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动背板上设有扩展N电极和多个扩展P电极；
所述N电极与所述扩展N电极连接，多个所述P电极与多个所述扩展P电极连接。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括光阻挡层，所述光阻挡层设置在所述驱动背板上，所述光阻挡层具有多个第一凹槽，所述发光单元设置在所述第一凹槽内。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述光阻挡层具有远离所述驱动背板的第一顶面，所述发光单元具有远离所述驱动背板的第二顶面，所述第一顶面到所述驱动背板的距离大于或等于所述第二顶面到所述驱动背板的距离。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述光阻挡层包括第一光阻挡层和第二光阻挡层，所述第一光阻挡层设置在所述驱动背板上，所述第二光阻挡层设置在所述第一光阻挡层远离所述驱动背板的一侧。
6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成发光单元，其中，所述发光单元包括发光层和设置于所述发光层上的电极，所述电极包括N电极和多个P电极；
提供驱动背板，其中，所述驱动背板上设有扩展N电极和多个扩展P电极；
分别将所述N电极与所述扩展N电极、所述多个P电极与所述多个扩展P电极对位贴合，以形成所述显示面板；
所述显示面板还包括VDD信号线、VSS信号线、第一导线和多条第二导线；
所述N电极通过所述第一导线与所述VSS信号线连接；
所述多个P电极中一个P电极通过一条所述第二导线与所述VDD信号线连接；
连接所述多个P电极中的其他P电极与所述VDD信号线的所述第二导线处于断开状态。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成发光单元之后，还包括：形成临时键合结构；
所述临时键合结构包括：临时基板、位于所述临时基板一侧的粘胶层和发光单元，所述粘胶层包括多个凸起，所述多个凸起与所述发光单元的所述多个P电极粘接。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述形成临时键合结构包括：
在所述衬底上溅射一层金属层，其中，所述金属层包围所述发光单元；
在所述金属层正对所述P电极的位置开设通孔；
在所述金属层表面涂覆胶液，以形成粘胶层；
在所述粘胶层远离所述金属层的一侧形成临时基板；
剥离所述衬底，并刻蚀所述金属层，以使所述粘胶层和所述临时基板共同形成所述临时键合结构。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至5任一项所述的显示面板，或如权利要求6至8任一项所述的显示面板的制备方法制备得到的显示面板。
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