CN109927403A - 一种转印装置、转印装置的制作方法和转印方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种转印装置、转印装置的制作方法和转印方法。转印装置包括测试电极、测试电路和吸附单元。测试电极与测试电路电连接，测试电路用于对测试电极接触的微元件进行测试，吸附单元用于吸附测试合格的微元件。在转印过程中，控制测试电极与微元件接触电连接，为微元件提供测试信号。微元件在测试信号的作用下进行测试。当微元件测试合格后，吸附单元吸附测试合格的微元件进行转印，从而实现了在转印之前进行测试，并在转印过程中选择测试合格的微元件进行转印，提高了转印后的微元件的良率，并且在一次转印周期内可以完成巨量的转印，提高转印效率。

Description

一种转印装置、转印装置的制作方法和转印方法

技术领域

本发明实施例涉及转印技术领域，尤其涉及一种转印装置、转印装置的制作方法和转印方法。

背景技术

微发光二极管(Light Emitting Diode，LED)显示器相比有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点，被认为是OLED显示器的最大竞争对手。但微LED的发展受到微转印过程中微元件的良率低的限制。在转印过程中，微LED的尺寸极小，数量巨大。如果不能鉴别微元件性能的优劣，会使转印之后的微元件良率比较低。

发明内容

本发明提供一种转印装置、转印装置的制作方法和转印方法，以实现选择性转印，提高转印后的微元件的良率。

第一方面，本发明实施例提供了一种转印装置，包括：

测试电极和测试电路；所述测试电极与所述测试电路电连接；所述测试电路用于对所述测试电极接触的微元件进行测试；

吸附单元；所述吸附单元用于吸附测试合格的微元件。

可选地，所述吸附单元包括多个电磁线圈和与所述多个电磁线圈一一对应的第一开关；所述第一开关设置于对应的所述电磁线圈的供电回路上；

所述吸附单元还包括第一电源线和第二电源线；所述电磁线圈包括第一端和第二端；所述电磁线圈的第一端与对应的所述第一开关的一端电连接，所述电磁线圈的第二端与所述第一电源线电连接；所述第一开关的另一端与所述第二电源线电连接。

可选地，所述测试电路包括测试开关和测试信号采集模块，所述测试电极包括第一电极和第二电极；所述第一电极与所述第一电源线电连接；所述第二电极与所述测试开关的一端电连接，所述测试开关的另一端与所述第二电源线电连接；所述测试信号采集模块用于采集所述微元件的测试信号。

可选地，转印装置还包括基底，所述基底包括相对设置的第一表面和第二表面；

所述基底的第一表面上还设置有图案化的第一导电层；所述第一导电层构成所述电磁线圈；

在所述基底的第二表面上还设置有图案化的开关电路层，所述开关电路层构成所述第一开关和所述测试开关。

可选地，所述基底的第一表面还设置有图案化的第二导电层，所述第二导电层构成所述第一电极和所述第二电极；所述第二导电层的厚度大于所述第一导电层的厚度。

可选地，转印装置还包括缓冲层；所述缓冲层位于所述基底的第一表面，所述缓冲层覆盖所述第一导电层。

可选地，转印装置还包括电源单元和控制单元；

所述电源单元与所述吸附单元以及所述测试电路电连接，用于为所述吸附单元和所述测试电路提供电源；所述控制单元与所述吸附单元以及所述测试电路电连接，用于控制所述测试电路对所述测试电极接触的微元件进行测试，以及控制所述吸附单元吸附测试后的微元件。

第二方面，本发明实施例还提供了一种转印方法，采用本发明任意实施例提供的转印装置；所述转印方法包括：

控制转印装置中的测试电极与供给基底上微元件的电极接触；其中，所述供给基底上设置有多个微元件；

控制测试电路对所述微元件进行测试；

控制吸附单元吸附测试合格的微元件；

控制所述吸附单元释放所述微元件至接收基底。

可选地，所述吸附单元包括多个电磁线圈和与所述多个电磁线圈一一对应的第一开关；所述第一开关设置于对应的所述电磁线圈的供电回路上；

控制吸附单元吸附测试合格的微元件，包括：

控制与测试合格的微元件对应的第一开关闭合，使所述电磁线圈吸附所述微元件；

控制所述吸附单元释放所述微元件，包括：

控制与测试合格的微元件对应的第一开关断开，使所述电磁线圈释放所述微元件。

第三方面，本发明实施例还提供了一种转印装置的制作方法，包括：

提供基底；所述基底包括相对设置的第一表面和第二表面；

在所述基底的第一表面形成图案化的第一导电层，所述第一导电层构成电磁线圈；

在所述基底的第一表面形成图案化的第二导电层，所述第二导电层构成测试电极；

在所述基底的第二表面形成图案化的开关电路层，所述开关电路层构成第一开关和测试开关，所述第一开关的两端通过通孔分别与所述电磁线圈的两端电连接，所述测试开关的两端通过所述通孔分别与所述测试电极电连接。

本发明实施例的技术方案，转印装置包括测试电极、测试电路和吸附单元。测试电极与测试电路电连接，测试电路用于对测试电极接触的微元件进行测试。吸附单元用于吸附测试合格的微元件。在转印过程中，控制测试电极与微元件接触电连接，为微元件提供测试信号，微元件在测试信号的作用下进行测试。当微元件测试合格后，吸附单元吸附测试合格的微元件进行转印，从而实现了在转印之前进行测试，并在转印过程中选择测试合格的微元件进行转印，提高了转印后的微元件的良率，并且在一次转印周期内可以完成巨量的转印，提高转印效率。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种转印装置的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种转印装置转印微元件的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种电磁线圈的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的另一种转印装置转印微元件的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的另一种转印装置的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的另一种转印装置的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的另一种转印装置转印微元件的结构示意图；

图8为本发明实施例提供的一种转印方法的流程图；

图9为本发明实施例提供的转印装置在步骤S710的结构示意图；

图10为本发明实施例提供的转印装置在步骤S720中测试开关闭合的状态示意图；

图11为本发明实施例提供的转印装置在步骤S730中第一开关闭合的状态示意图；

图12为本发明实施例提供的转印装置在步骤S730中电磁线圈吸附微元件的状态示意图；

图13为本发明实施例提供的转印装置在步骤S740中电磁线圈释放微元件的状态示意图；

图14为本发明实施例提供的一种转印装置的制作方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

微转印技术是目前制备微LED显示面板的主流方法。具体的制备过程为：首先在基底上生长出阵列排布的微LED，再通过激光剥离技术将微LED从基底上分离，键合到临时基底上。然后使用转印装置将微LED从临时基底上吸附到接收基底的预留位置上，再控制转印装置将微LED释放，即可完成将微LED转移到接收基底上，制备出微LED的显示面板。现有技术中的转印技术没有预先测试微LED的过程，因此在转印时不能鉴别出微LED性能的优劣，导致转印之后的微元件良率较低的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种转印装置。图1为本发明实施例提供的一种转印装置的结构示意图。如图1所示，该转印装置包括测试电极110、测试电路120和吸附单元130。测试电极110与测试电路120电连接，测试电路120用于对测试电极110接触的微元件进行测试。吸附单元130用于吸附测试合格的微元件。在转印过程中，控制测试电极110与微元件接触电连接，为微元件提供测试信号，实现对微元件的测试。当测试结束后，吸附单元130吸附测试合格的微元件进行转印，从而实现了在转印之前对微元件进行测试，并在转印过程中选择测试合格的微元件进行转印，即只对合格的微元件进行转印，提高了转印后的微元件的良率，并且在一次转印周期内可以完成巨量的转印，提高转印效率。

在上述技术方案的基础上，图2为本发明实施例提供的一种转印装置转印微元件的结构示意图。如图2所示，转印装置包括测试电极110、测试电路120和吸附单元130。吸附单元130包括多个电磁线圈131和与多个电磁线圈131一一对应的第一开关K1。第一开关K1设置于对应的电磁线圈131的供电回路上。

具体地，如图2所示，多个电磁线圈131在通有电流时具有磁性，对磁性材料具有吸附作用。例如，电磁线圈131可以为铝金属材料。微元件21与吸附单元130一一对应，微元件21包括磁性材料210和电极220，每个吸附单元130中的第一开关K1闭合时，电磁线圈131通过电流，电磁线圈131可以吸附与其对应的微元件21。在转印过程中，使测试电极110与微元件21的电极220接触，实现测试电极110与微元件21的电极220接触电连接，测试电路120通过测试电极110实现对微元件21的测试。在测试结束后，控制与测试合格的微元件21对应的吸附单元130中的第一开关K1闭合，对电磁线圈131供电，电磁线圈131通电后具有磁性，吸附与其对应的微元件21。而对于测试不合格的微元件21，控制与其对应的吸附单元130中的第一开关K1断开，电磁线圈131不通电，不具有磁性，不吸附与其对应的微元件21，从而可以实现在转印之前进行测试，并在转印过程中选择测试合格的微元件进行转印，提高了转印后的微元件的良率。另外，第一开关K1和电磁线圈131与微元件21一一对应，通过控制每一个第一开关的状态，可以实现在一次转印周期内完成巨量的转印，提高转印效率。

需要说明的是，微元件21可以为微电子器件，示例性地，微元件21可以为微LED。当微元件21为微LED时，测试过程中判断测试结果是否合格的标准可以为微LED的光电性能，例如可以测试微LED的发光亮度。在测试过程中，测试电极110与微LED的电极电连接，测试电路120通过测试电极110为微LED提供电压使微LED发光，并采集微LED的发光亮度，根据微LED的发光亮度判断微LED是否合格。

本实施例的技术方案，通过在测试结束后，控制测试合格的微元件对应的第一开关闭合，使测试合格的微元件对应的电磁线圈通电，对测试合格的微元件进行吸附转印，从而可以实现在转印之前进行测试，并在转印过程中选择测试合格的微元件进行转印，提高了转印后的微元件的良率。并且，第一开关和电磁线圈与微元件一一对应，通过控制每一个第一开关的状态，可以实现在一次转印周期内完成巨量的转印，提高转印效率。

图3为本发明实施例提供的一种电磁线圈的结构示意图。如图3所示，电磁线圈131可以为平面线圈。

具体地，电磁线圈131的尺寸与微LED的尺寸为相同量级，因此电磁线圈131的尺寸同样比较小，通过设置电磁线圈131为平面线圈，可以降低电磁线圈131制作的工艺难度和成本，有利于转印装置的制作。

图4为本发明实施例提供的另一种转印装置转印微元件的结构示意图。继续参考图3和图4，转印装置还包括第一电源线L1和第二电源线L2，电磁线圈131包括第一端A和第二端B。电磁线圈131的第一端A与对应的第一开关K1的一端电连接，电磁线圈131的第二端B与第一电源线L1电连接，第一开关K1的另一端与第二电源线L2电连接。

具体地，第一电源线L1和第二电源线L2为吸附单元130供电。第一电源线L1和第二电源线L2提供的电流大小可以根据电磁线圈131的磁性大小确定。电磁线圈131需要的磁性越大，第一电源线L1和第二电源线L2提供的电流越大。当第一开关K1闭合时，第一电源线L1、第二电源线L2、第一开关K1和电磁线圈131构成闭合回路，电磁线圈131上具有电流，因此电磁线圈131具有磁性。

在上述各技术方案的基础上，继续参考图4，测试电路120包括测试开关K2和测试信号采集模块(图4中未示出)，测试电极110包括第一电极111和第二电极112，第一电极111与第一电源线L1电连接，第二电极112与测试开关K2的一端电连接，测试开关K2的另一端与第二电源线L2电连接，测试信号采集模块用于采集微元件21的测试信号。

具体地，如图4所示，微元件21可以为微LED，微LED包括两个电极，分别为阳极221和阴极222，可以通过在阳极221和阴极222施加电压使微LED发光。测试电极110包括第一电极111和第二电极112，可以在测试过程中分别与微LED的阳极221和阴极222接触，为微LED提供电压。测试电路120包括多个测试开关K2，每个测试开关K2分别对应一个微LED，可以实现对每个微LED进行测试。在测试过程中，第一电极111和第二电极112分别与微LED的阳极221和阴极222接触，实现电连接，测试开关K2闭合，第一电源线L1通过第一电极111向微LED的阳极221提供第一电压值，第二电源线L2通过第二电极112向微LED的阴极222提供第二电压值，微LED上加载电压后发光。在微LED发光后，测试信号采集模块采集微LED的发光亮度，然后根据微LED的发光亮度判断微LED是否合格，从而可以实现对微LED的测试。例如，测试信号采集模块可以为相机，例如CCD相机。通过CCD相机获取微LED的发光亮度信息。

另外，测试电路120中包括与微元件21一一对应的测试开关K2，因此测试电路120可以根据测试需要控制部分测试开关K2闭合，实现部分对微元件21的选择性测试。

需要说明的是，可以通过设置第一电极111和第二电极112分别与阳极221和阴极222接触实现电连接。

在上述各技术方案的基础上，图5为本发明实施例提供的另一种转印装置的结构示意图。继续参考图4和图5，转印装置还包括基底140，基底140包括相对设置的第一表面141和第二表面142。基底140的第一表面141上还设置有图案化的第一导电层132，第一导电层132构成电磁线圈131。在基底140的第二表面142上还设置有图案化的开关电路层143，开关电路层143构成第一开关K1和测试开关K2。

具体地，转印装置用于转印微元件21，微元件21的尺寸与微元件21对应的电磁线圈131的尺寸为同一数量级。可以通过半导体工艺在基底140上形成形成微型电磁线圈131。即在半导体工艺中，先在基底140的第一表面141形成第一导电层132，可以通过沉积形成。然后对第一导电层通过掩膜刻蚀等工艺图案化，使第一导电层形成电磁线圈131。同理，在基底140的第二表面142形成开关电路层143，并对开关电路层143图案化，使开关电路层143形成多个第一开关K1和多个测试开关K2。第一开关K1的一端与第一电源线L1电连接，测试开关K2的一端与第二电源线L2电连接。电磁线圈131与第一开关K1和测试开关K2分布于基底140的第一表面141和第二表面142，可以降低第一表面141和第二表面142的电路排布难度和集成度，在对导电层图案化时，降低对掩膜版精度的要求。目前半导体工艺的特征尺寸向深亚微米发展，集成电路的规模化生产的特征尺寸是0.18μm、0.13μm。

电磁线圈131与第一开关K1分别分布于基底140的第一表面141和第二表面142，为了实现电磁线圈131和第一开关K1的电连接，可以对基底140设置过孔，过孔可以包括多个。过孔内的导电材料将电磁线圈131与第一开关K1、以及将电源线(第一电源线L1或第二电源线L2)与电磁线圈131电连接。从而可以实现电磁线圈131的两端分别与第一电源线L1和第一开关K1的一端电连接。

需要说明的是，开关电路层143可以包括多层结构，用以形成开关结构。示例性地，第一开关K1和测试开关K2可以为微机电系统(Microelectromechanical Systems，MEMS)开关。MEMS开关包括多层结构，例如，MEMS开关包括电极层和牺牲层等，通过在基底140的第二表面142形成多层结构，并通过图案化形成MEMS开关。

在上述各技术方案的基础上，继续参考图4，基底140的第一表面141还设置有图案化的第二导电层，第二导电层构成第一电极111和第二电极112。第二导电层的厚度大于第一导电层的厚度。

具体地，通过在基底140的第一表面141形成第二导电层，并对第二导电层进行图案化处理，使第二导电层形成测试电极110，即第一电极111和第二电极112。

需要说明的是，电磁线圈131和测试电极110绝缘，对应的在第一表面141中，第一导电层在基底140上的垂直投影与第二导电层在基底140上的垂直投影不接触，从而可以使电磁线圈131和测试电极110不接触，形成绝缘。

测试电极110与测试开关K2分别分布于基底140的第一表面141和第二表面142，为了实现测试电极110与测试开关K2的电连接，可以对基底140设置过孔，过孔可以包括多个。过孔内的导电材料将测试电极110与测试开关K2、以及将电源线(第一电源线L1或第二电源线L2)与测试电极110电连接。从而可以实现第一电极111和第二电极112分别与测试开关K2的一端和第二电源线L2电连接。

在测试过程中，第一电极111和第二电极112分别与微LED的阳极221和阴极222电连接对微LED提供电压。通过设置第二导电层的厚度大于第一导电层的厚度，使得在第一电极111与微LED的阳极221电连接，第二电极112与微LED的阴极222电连接时，避免电磁线圈131与微LED上的磁性材料210贴合，对微LED造成挤压。

在上述各技术方案的基础上，图6为本发明实施例提供的另一种转印装置的结构示意图。如图6所示，转印装置还包括缓冲层150。缓冲层150位于基底140的第一表面141，缓冲层150覆盖第一导电层。

具体地，图案化的第一导电层构成电磁线圈131，因此缓冲层150覆盖第一导电层即为缓冲层150覆盖电磁线圈131。缓冲层150具有缓冲受力的作用。在转印过程中，转印装置向微元件21方向移动，通过将缓冲层150覆盖电磁线圈131，可以缓冲电磁线圈131对微元件21的压力，从而降低微元件21受到压力损坏的概率。示例性地，缓冲层150的材料可以为光刻胶或聚二甲基硅氧烷。

需要说明的是，缓冲层150一般为非导电材料，缓冲层150不会覆盖测试电极110的表面，避免影响测试电极110与微元件21的阳极221和阴极222接触电连接，进而影响测试效果。

在上述各技术方案的基础上，图7为本发明实施例提供的另一种转印装置转印微元件的结构示意图。如图7所示，转印装置还包括电源单元160和控制单元180。电源单元160与吸附单元130以及测试电路120电连接，用于为吸附单元130和测试电路120提供电源。控制单元180与吸附单元130以及测试电路120电连接，用于控制测试电路120对测试电极110接触的微元件21进行测试，以及控制吸附单元130吸附测试后的微元件21。

具体地，电源单元160可以与第一电源线L1和第二电源线L2电连接，通过第一电源线L1和第二电源线L2为吸附单元130和测试电路120提供电源。控制单元180与测试电路120电连接，用于控制测试电路120中的测试开关K2闭合或断开，从而可以实现测试电路120是否对与其对应的微元件21进行测试的控制。控制单元180还与吸附单元130中的第一开关K1电连接，用于根据测试信号采集模块170采集的测试信号控制第一开关K1的闭合或断开，从而可以实现吸附单元130是否对与其对应的微元件21的吸附转印。

一般情况下，当微元件21为微LED时，测试信号采集模块170可以采集微LED的发光亮度信息，此时测试信号采集模块170可以为相机，例如CCD相机。通过CCD相机获取微LED的发光亮度信息，并将发光亮度信息输入至控制单元180，控制单元180对发光亮度信息进行处理分析，根据分析结果确定微LED是否测试合格。控制单元180控制测试合格的微LED对应的第一开关K1闭合，从而实现测试合格的微LED的转印。

控制单元180可以采用数字微镜器件(Digtial Micromirror Devices，DMD)芯片的原理进行控制。DMD芯片上包括阵列排布的多个DMD，DMD阵列对应控制单元180中的寻址存储器的区域阵列，而寻址存储器的区域阵列与微元件21的阵列对应，即寻址存储器的区域阵列与吸附单元130中的第一开关K1和测试电路120中的测试开关K2的地址阵列对应。控制单元180根据CCD相机采集的发光亮度信息确定微元件21是否合格后，开关组件根据测试合格的微元件21在阵列中的位置控制与其对应的第一开关K1闭合，因此电源单元160向与测试合格的微元件21对应的电磁线圈131施加电流，以吸附转印测试合格的微元件21。

需要说明的是，在上述各技术方案的基础上，转印装置的第一开关K1闭合后，电磁线圈131吸附微元件21，以实现对微元件21的转移。带动微元件21移动至转移的目标位置后，控制单元180控制第一开关K1断开，以实现电磁线圈131释放微元件21，完成最终的转印。

本发明实施例还提供一种转印方法。该转印方法采用本发明任意实施例提供的转印装置进行转印。图8为本发明实施例提供的一种转印方法的流程图。图9-图13为本发明实施例提供的对应图8的转印方法的使用转印装置的示意图；如图8所示，该转印方法包括：

S710、控制转印装置中的测试电极与供给基底上微元件的电极接触；其中，供给基底上设置有多个微元件。

具体地，如图9所示，微元件21一般在供给基底31上形成，并且微元件21可以在供给基底31上阵列排布。测试电极110包括第一电极111和第二电极112。第一电极111与第一电源线L1电连接，第二电极112与测试开关K2的一端电连接，测试开关K2的另一端与第二电源线L2电连接。在测试过程中，控制测试电极110与供给基底31上微元件21的电极220接触，使测试电极110与微元件21的电极220电连接。

S720、控制测试电路对微元件进行测试。

测试电路可包括测试开关K2和测试信号采集模块，测试信号采集模块用于采集微元件21的测试信号。如图10所示，在测试过程中，控制测试开关K2闭合，测试电路通过测试电极110为微元件21提供测试信号，实现对微元件21的测试。测试信号采集模块采集微元件21的测试信号，对测试信号进行处理分析，确定微元件是否合格。在图10的示例中，有3个测试合格OK的微元件21，有1个测试不合格NG的微元件21。

S730、控制吸附单元吸附测试合格的微元件。

具体地，吸附单元包括多个电磁线圈131和与多个电磁线圈131一一对应的第一开关K1。第一开关K1设置于对应的电磁线圈131的供电回路上。转印装置包括第一电源线L1和第二电源线L2，电磁线圈131包括第一端A和第二端B。电磁线圈131的第一端A与对应的第一开关K1的一端电连接，电磁线圈132的第二端B与第一电源线L1电连接，第一开关K1的另一端与第二电源线L2电连接。在测试结束后，控制测试合格OK的微元件21对应的第一开关K1闭合，使其对应的电磁线圈131通电，电磁线圈131吸附与其对应的微元件21，实现对微元件21的转移。如图11所示，测试合格OK的微元件21对应的第一开关K1闭合，测试不合格NG的微元件21对应的第一开关K1断开。如图12所示，测试合格OK的微元件21对应的电磁线圈131通电，电磁线圈131吸附与其对应的微元件21，测试合格OK的微元件21进行转移。测试不合格NG的微元件21对应的电磁线圈131不通电，电磁线圈131不能吸附与其对应的微元件21，测试不合格NG的微元件21不能进行转移。

另外，在供给基底31上形成微元件21之后，在每个微元件表面形成牺牲层和磁性材料层，牺牲层设置于磁性材料层和微元件21之间。磁性材料层用于在电磁线圈131吸附微元件21时与电磁线圈131对应产生磁力，牺牲层用于在转印结束后剥离微元件21上的磁性材料层时，降低剥离难度。

S740、控制吸附单元释放微元件至接收基底。

具体地，如图13所示，接收基底41表面设置有阵列排布的凹槽(图13中未示出)，每个凹槽对应一个子像素。接收基底41内一般含有像素驱动电路，用于驱动像素。在电磁线圈131吸附与其对应的微元件21之后，转印装置吸附微元件21移动至接收基底41，并使微元件21与接收基底41上的凹槽对准。控制与测试合格OK的微元件21对应的第一开关K1断开，电磁线圈131掉电，电磁线圈131释放微元件21。此时微元件21放置在接收基底的凹槽内，并可以通过像素驱动电路驱动微元件21。在微元件21转印结束后，去除微元件21上的磁性材料层。

另外，当供给基底上包括测试不合格的微元件时，在转印装置释放测试合格的微元件之后，控制测试不合格的微元件对应的第一开关闭合，转印装置吸附测试不合格的微元件至另一接收基底，通过断开第一开关释放测试不合格的微元件，并去除微元件上的磁性材料层。完成一次转印周期。之后可以继续执行下一周期的微元件转印。

本实施例的技术方案，通过在转印过程中，控制测试电极与微元件接触电连接，并控制测试开关闭合，为微元件提供测试信号，微元件在测试信号的作用下进行测试。当微元件测试合格后，吸附单元吸附测试合格的微元件进行转印，从而实现了在转印之前进行测试，并在转印过程中选择测试合格的微元件进行转印，提高了转印后的微元件的良率，并且在一次转印周期内可以完成巨量的转印，提高转印效率。

本发明实施例还提供一种转印装置的制作方法。图14为本发明实施例提供的一种转印装置的制作方法的流程图。如图14所示，该转印装置的制作方法包括：

S810、提供基底，基底包括相对设置的第一表面和第二表面。

具体地，基底可以为透明基底，例如为玻璃。透明基底可以保证微元件的透光率，使得测试信号采集模块在采集微元件的测试信号时提高准确率。

S820、在基底的第一表面形成图案化的第一导电层，第一导电层构成电磁线圈。

具体地，电磁线圈可以为平面线圈，电磁线圈的材料可以为铝。在制作电磁线圈的工艺中，在基底的第一表面形成第一导电层，对第一导电层进行掩膜(曝光)、显影和刻蚀等过程实现对第一导电层的图案化。图案化的第一导电层构成电磁线圈。

S830、在基底的第一表面形成图案化的第二导电层，第二导电层构成测试电极。

具体地，测试电极包括第一电极和第二电极，第二导电层构成第一电极和第二电极。第二导电层的厚度大于第一导电层的厚度，使得在第一电极与微元件的阳极电连接，第二电极与微元件的阴极电连接时，避免电磁线圈与微元件上的磁性材料贴合，对微元件造成挤压。

S840、在基底的第二表面形成图案化的开关电路层，开关电路层构成第一开关和测试开关，第一开关的两端通过通孔分别与电磁线圈的两端电连接，测试开关的两端通过通孔分别与测试电极电连接。

具体地，为了实现基底第一表面内的电磁线圈与基底第二表面的第一开关电连接，基底第一表面内的测试电极与第二表面的测试开关电连接，可以在基底上形成多个通孔，并在通孔内形成导电材料，可以实现基底的第一表面和第二表面上的器件电连接。导电材料可以注满整个通孔，使得通孔形成的导电线路的导电效果好。一般情况下，通孔内的导电材料可以与第二表面形成图案化的开关电路层的工艺同步形成。

在上述技术方案的基础上，在基底的第一表面形成图案化的第一导电层后，还可以包括：在基底的第一表面形成图案化的缓冲层，缓冲层覆盖第一导电层。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种转印装置，其特征在于，包括：

测试电极和测试电路；所述测试电极与所述测试电路电连接；所述测试电路用于对所述测试电极接触的微元件进行测试；

吸附单元；所述吸附单元用于吸附测试合格的微元件。

2.根据权利要求1所述的转印装置，其特征在于，所述吸附单元包括多个电磁线圈和与所述多个电磁线圈一一对应的第一开关；所述第一开关设置于对应的所述电磁线圈的供电回路上；

优选地，所述吸附单元还包括第一电源线和第二电源线；所述电磁线圈包括第一端和第二端；所述电磁线圈的第一端与对应的所述第一开关的一端电连接，所述电磁线圈的第二端与所述第一电源线电连接；所述第一开关的另一端与所述第二电源线电连接。

3.根据权利要求2所述的转印装置，其特征在于，所述测试电路包括测试开关和测试信号采集模块，所述测试电极包括第一电极和第二电极；所述第一电极与所述第一电源线电连接；所述第二电极与所述测试开关的一端电连接，所述测试开关的另一端与所述第二电源线电连接；所述测试信号采集模块用于采集所述微元件的测试信号。

4.根据权利要求3所述的转印装置，其特征在于，还包括基底，所述基底包括相对设置的第一表面和第二表面；

所述基底的第一表面上还设置有图案化的第一导电层；所述第一导电层构成所述电磁线圈；

在所述基底的第二表面上还设置有图案化的开关电路层，所述开关电路层构成所述第一开关和所述测试开关。

5.根据权利要求4所述的转印装置，其特征在于，所述基底的第一表面还设置有图案化的第二导电层，所述第二导电层构成所述第一电极和所述第二电极；所述第二导电层的厚度大于所述第一导电层的厚度。

6.根据权利要求5所述的转印装置，其特征在于，还包括缓冲层；所述缓冲层位于所述基底的第一表面，所述缓冲层覆盖所述第一导电层。

7.根据权利要求1-6任一所述的转印装置，其特征在于，所述转印装置还包括电源单元和控制单元；

所述电源单元与所述吸附单元以及所述测试电路电连接，用于为所述吸附单元和所述测试电路提供电源；所述控制单元与所述吸附单元以及所述测试电路电连接，用于控制所述测试电路对所述测试电极接触的微元件进行测试，以及控制所述吸附单元吸附测试后的微元件。

8.一种转印方法，采用权利要求1-7任一所述的转印装置；其特征在于，所述转印方法包括：

控制转印装置中的测试电极与供给基底上微元件的电极接触；其中，所述供给基底上设置有多个微元件；

控制测试电路对所述微元件进行测试；

控制吸附单元吸附测试合格的微元件；

控制所述吸附单元释放所述微元件至接收基底。

9.根据权利要求8所述的转印方法，其特征在于，所述吸附单元包括多个电磁线圈和与所述多个电磁线圈一一对应的第一开关；所述第一开关设置于对应的所述电磁线圈的供电回路上；

控制吸附单元吸附测试合格的微元件，包括：

控制与测试合格的微元件对应的第一开关闭合，使所述电磁线圈吸附所述微元件；

控制所述吸附单元释放所述微元件，包括：

控制与测试合格的微元件对应的第一开关断开，使所述电磁线圈释放所述微元件。

10.一种转印装置的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底；所述基底包括相对设置的第一表面和第二表面；

在所述基底的第一表面形成图案化的第一导电层，所述第一导电层构成电磁线圈；

在所述基底的第一表面形成图案化的第二导电层，所述第二导电层构成测试电极；

在所述基底的第二表面形成图案化的开关电路层，所述开关电路层构成第一开关和测试开关，所述第一开关的两端通过通孔分别与所述电磁线圈的两端电连接，所述测试开关的两端通过所述通孔分别与所述测试电极电连接。