TWI598287B - 電子－可程式化磁性轉移模組和電子元件的轉移方法 - Google Patents

Description

電子-可程式化磁性轉移模組和電子元件的轉移方法

本發明是有關於一種電子元件的轉移方法，且特別是有關於一種用一電子-可程式化磁性轉移模組轉移電子元件的方法。

無機發光二極體顯示器具備主動發光、高亮度等特點，因此已經廣泛地被應用於照明、顯示器、投影機等技術領域中。以單片微顯示器(monolithic micro-displays)為例，單片微顯示器廣泛地被使用於投影機且一直以來都面臨彩色化的技術瓶頸。目前，已有習知技術提出利用磊晶技術於單一發光二極體晶片中製作出多層能夠發出不同色光之發光層，以使單一發光二極體晶片即可提供不同色光。但由於能夠發出不同色光之發光層的晶格常數不同，因此不容易成長在同一個基板上。此外，其他習知技術提出了利用發光二極體晶片搭配不同色轉換材料之彩色化技術，其中當發光二極體晶片發光時，色轉換材料被激發而發出不同色光的激發光，但是此技術仍面臨色轉換材料之轉 換效率過低以及塗佈均勻性等問題。

除了上述兩種彩色化技術，亦有習知技術提出了發光二極體之轉貼技術，由於能夠發出不同色光之發光二極體可分別在適當的基板上成長，故發光二極體能夠具備較佳的磊晶品質與發光效率。是以，發光二極體之轉貼技術較有機會使單片微顯示器的亮度以及顯示品質提升。然而，如何快速且有效率地將發光二極體轉貼至單片微顯示器的線路基板上，實為目前業界關注的議題之一。

本申請案之一實施例提供一種電子元件的轉移方法和一種電子-可程式化磁性轉移模組。

本申請案之一實施例提供一種電子元件的轉移方法，其包括下列步驟：(a)於一第一基板上形成多個陣列排列之電子元件，每一電子元件包括一磁性部；(b)藉由一電子-可程式化磁性轉移模組所產生的一磁力，選擇性地從第一基板拾起部分電子元件；以及(c)將被電子-可程式化磁性轉移模組所拾起的部分電子元件轉移至一第二基板上。

本申請案之另一實施例提供一種電子-可程式化磁性轉移模組，其包括一微機電系統(micro electro mechanical system,MEMS)晶片和一接合設備，微機電系統晶片包括多個電磁線圈以及每一電磁線圈是單獨地被控制，其中微機電系統晶片組裝於接合設備上並且被接合設備所搭載。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

100、100’‧‧‧光電半導體層

100a、100a’‧‧‧表面

102‧‧‧電極

110‧‧‧黏著劑

110a‧‧‧黏著劑圖案

120‧‧‧犧牲層

120a‧‧‧犧牲層圖案

130‧‧‧磁性部

140‧‧‧支撐材料

140a‧‧‧支撐層

200‧‧‧電子-可程式化磁性轉移模組

210‧‧‧微機電系統晶片

212‧‧‧電磁線圈

212a‧‧‧介電薄膜

212b‧‧‧導電薄膜

212c‧‧‧導電貫孔

214‧‧‧鐵磁性金屬元件

216‧‧‧頂介電薄膜

220‧‧‧接合設備

300‧‧‧控制系統

310‧‧‧計算機

320‧‧‧電子控制單元

330‧‧‧機構控制單元

340‧‧‧加熱控制單元

S0‧‧‧成長基板

S1‧‧‧第一基板

S2‧‧‧第二基板

ED‧‧‧電子元件

S10、S20、S30‧‧‧步驟

T‧‧‧溝槽

P‧‧‧突起

OP‧‧‧開口

圖1為本申請案一實施例之電子元件的轉移方法之流程示意圖。

圖2A至圖2N為本申請案第一實施例之電子元件的轉移方法之剖面示意圖。

圖2J’、圖2J”、圖2J'''分別為不同支撐層的上視示意圖。

圖3為本申請案一實施例之電子-可程式化磁性轉移模組之剖面示意圖。

圖4A至圖4E為本申請案之微機電系統晶片的製造流程剖面示意圖。

圖4A’為圖4A中的電磁線圈之導電薄膜的示意圖。

圖5為圖3中電子-可程式化磁性轉移模組之控制系統的方塊圖。

圖6A至圖6K為本申請案第二實施例之電子元件的轉移方法之剖面示意圖。

第一實施例

圖1為本申請案一實施例之電子元件的轉移方法之流程 示意圖。請參照圖1，本實施例的電子元件的轉移方法包括下列步驟(S10,S20和S30)。首先，於一第一基板上形成多個陣列排列之電子元件，其中每一電子元件包括一磁性部，且磁性部可位於電子元件上或嵌入電子元件內(步驟S10)。再提供第一基板之後，可藉由一電子-可程式化磁性轉移模組所產生的一磁力(步驟S20)，選擇性地從第一基板上拾起部分的電子元件。然後，再將被電子-可程式化磁性轉移模組所拾起的部分電子元件轉移至一第二基板上(步驟S30)。在本實施例中，電子元件的轉移方法可重複前述步驟(S10至S30)至少一次，以使形成於不同之第一基板上的電子元件可以轉移至第二基板上。舉例而言，形成於不同第一基板上的電子元件能夠發出不同色光。在本實施例中，前述的電子元件例如是光電元件(如發光二極體元件、光感測元件、太陽電池等)或者是其他與光無關的電子元件(如感測器、電晶體等)。以發光二極體元件為例，本實施例之發光二極體元件依據其電極的分佈方式可為水平式發光二極體元件或垂直式發光二極體元件。

為了更清楚瞭解本申請案的第一實施例，將搭配圖2A至圖2N詳述如后。

圖2A至圖2N為本申請案第一實施例之電子元件的轉移方法之剖面示意圖。

首先請參照圖2A，提供一成長基板S0，並於成長基板S0上形成一光電半導體層100。在本實施例中，成長基板S0可以是一矽基板、一碳化矽基板、一藍寶石基板或是其他適當基板，光電半導體 層100可以是發光二極體元件層、光感測元件層、太陽電池元件層等，光電半導體層100可以由金屬有機化學氣相沉積(metal-organic chemical vapourdeposition,MOCVD)法所形成，換言之，光電半導體層100例如為一磊晶層，當一驅動電流通過磊晶層時，磊晶層能夠發光。具體而言，光電半導體層100可包括N型摻雜半導體層、多重量子井層發光層和P型摻雜半導體層等膜層，其中多重量子井層之發光層是介於N型摻雜半導體層和P型摻雜半導體層之間。此外，除了N型摻雜半導體層、多重量子井層發光層和P型摻雜半導體層以外，光電半導體層100還可包括緩衝層、N型披覆層、P型披覆層、阻流層、電流分散層或前述膜層之組合。本實施例不限定形成於成長基板S0上的必須是光電半導體層100，其他型態的半導體層亦可以被形成於成長基板S0上。

請參照圖2B，在光電半導體層100形成於成長基板S0之後，形成多個電極102於光電半導體層100上。在本實施例中，前述之電極102包括多個電性連接至N型摻雜半導體層之N電極以及多個電性連接至P型摻雜半導體層之P電極。

請參照圖2C，在電極102形成於光電半導體層100之後，透過一黏著劑110將光電半導體層100和電極102暫時性地接合至一第一基板S1，其中黏著劑110黏合電極102和光電半導體層100，且黏著劑110是介於光電半導體層100和第一基板S1之間。在本實施例中，第一基板S1可以是一矽基板、一碳化矽基板、一藍寶石基板或是其他適當基板，而黏著劑110的材料可以是有機 材料、有機高分子材料、高分子聚合物材料或是其他具有適當黏著能力的材料。

請參照圖2D，於光電半導體層100和電極102皆暫時性地接合至第一基板S1之後，移除成長基板S0以暴露光電半導體層100的一表面100a。在本實施例中，成長基板S0例如是藉由雷射掀離(laser lift-off)等方式從光電半導體層100的表面100a掀離。

請參照圖2E，於成長基板S0被移除之後，本實施例可選擇性地對光電半導體層100進行薄化，使光電半導體層100的厚度得以減低。在進行薄化之後，薄化後的光電半導體層100’具有一表面100a’。在本實施例中，由第一基板S1所搭載的光電半導體層100可藉由化學機械研磨(CMP)、化學蝕刻、電漿蝕刻或其他適當方法等進行薄化。

請參照圖2F，在光電半導體層100進行薄化之後，於光電半導體層100’的表面100a’上形成一犧牲層120。具體而言，犧牲層120覆蓋住光電半導體層100’的表面100a’，在本實施例中，犧牲層120的材料例如為有機材料、有機高分子材料、介電材料、氧化物等。

請參照圖2G，於犧牲層120上形成多個磁性部130，在本實施例中，磁性部130的材料例如為鎳、鎳鐵合金或其他適當的鐵磁性金屬等。值得注意的是，磁性部130之間係彼此分離，且磁性部130對應於電極102分佈。舉例而言，每個磁性部130分別位於一對電極102(即一個N電極和一個P電極)之上方，每個 磁性部130的厚度大約是1微米(1μm)，且每個磁性部分130的面積和形狀可以根據實際需求進行設計。

請參照圖2G與圖2H，接著，對前述之光電半導體層100’、黏著劑110和犧牲層120進行圖案化，以形成多個陣列排列之電子元件ED，多個位於電子元件ED上之犧牲層圖案120a以及多個位於電子元件ED和第一基板S1之間黏著劑圖案110a，且黏著劑圖案110a、犧牲層圖案120a和電子元件ED構成多個堆疊結構。在本實施例中，光電半導體層100、黏著劑110和犧牲層120例如是透過微影/蝕刻製程而被圖案化。如圖2H所示，磁性部130對應於犧牲層圖案120a分佈。舉例而言，每個磁性部130分別位於一個犧牲層圖案120a上，每個電子元件ED分別介於一個犧牲層圖案120a和一個黏著劑圖案110a之間。更進一步說，當光電半導體層100’，黏著劑110和犧牲層120被圖案化之後，彼此交錯之多個溝槽T會形成於前述堆疊結構之間。

請參照圖2I至圖2J，圖2I與圖2J的下半部分為剖面示意圖，而圖2I與圖2J的上半部分為上視示意圖。從圖2I與圖2J可知將具有預定厚度的一支撐材料140填充至彼此交錯的溝槽T內，並且對支撐材料140進行圖案化以形成一支撐層140a，此處，支撐材料140和支撐層140a的厚度小於溝槽T的深度。在本實施例中，支撐材料140例如是透過微影/蝕刻製程而被圖案化，且圖案化後的支撐層140a形成於第一基板S1上且位於溝槽T之內以支撐電子元件ED。具體而言，支撐層140a實際上連接相鄰的電子元件ED，且支撐層140a能夠使每個黏著劑圖案110a的至少一 部分被暴露。換句話說，支撐層140a使每個黏著劑圖案110a的部分側壁和部分的第一基板S1被暴露出。如圖2J的上視示意所示，且支撐層140a例如是從電子元件ED的中段邊緣(middle edge)延伸至相鄰電子元件ED的中段邊緣，然本實施例不限定於此。如圖2J’所示，支撐層140a亦可與相鄰電子元件ED的角落連接。然而，本實施例不限定支撐層140a必須連接相鄰的電子元件ED，舉例而言，用以支撐電子元件ED的支撐層140a可以是相互分離的，如圖2J”與圖2J'''所示。

請參照圖2K，接著，移除黏著劑圖案110a以於每個電子元件ED和第一基板S1之間形成一間距G，因為支撐層140a實際上支撐住電子元件ED，所以電子元件ED未與第一基板S1接觸。

請參照圖2L，藉由一電子-可程式化磁性轉移模組200所產生的一磁力選擇性地從第一基板S1上拾起部分的電子元件ED。本揭露的電子-可程式化磁性轉移模組200將於圖3進行詳細描述。

值得注意的是，電子-可程式化磁性轉移模組200所產生的磁力應與磁性部130相關，電子-可程式化磁性轉移模組200所產生磁力須大於一個電子元件ED的重量以及和由支撐層140a所提供之連接力(connection force)的總和，在此情況下，電子元件ED才能夠與第一基板S1分離並且能夠被電子-可程式化磁性轉移模組200所產生的磁力拾起。

請參照圖2M，被電子-可程式化磁性轉移模組200所拾起的部分電子元件ED會被轉移至一第二基板S2。在本實施例中，第二基板S2上具有多個導電凸塊B，被電子-可程式化磁性轉移模組200所拾起的電子元件ED會透過導電凸塊B而被轉移至第二基板S2上。在轉移過程中，可進行加熱製程以使得電子元件ED能夠成功地接合於第二基板S2上。

請參照圖2N，接著移除位於已被轉移至第二基板S2的電子元件ED上的犧牲層圖案120a。值得注意的是，在犧牲層圖案120a被移除之前，電子元件ED的轉移動作便已初步完成，因此前述之犧牲層圖案120a的移除動作可以是選擇性的步驟。

在將電子-可程式化磁性轉移模組200所拾起的電子元件ED轉移至第二基板S2的過程中，對電子元件ED進行一即時測試(in-situ testing)以檢查電子元件ED和第二基板S2之間的接合或電性連接是否有瑕疵。此處，前述的即時測試是透過電子-可程式化磁性轉移模組200來執行。當即時測試檢查到至少一失效的電子元件ED，將此失效的電子元件ED與第二基板S2分離，並且記錄此失效電子元件ED的位置資訊。然後，根據前述之位置資訊，藉由電子-可程式化磁性轉移模組200拾起並且再轉移位在第一基板S1上之至少一剩餘的電子元件ED(如圖2K所示)至第二基板S2上。換句話說，透過再一次的轉移製程可使失效的電子元件ED被一個新的電子元件ED所取代。

圖3是本申請案一實施例之電子-可程式化磁性轉移模組之剖面示意圖，請參照圖3，電子-可程式化磁性轉移模組200包括一微 機電系統(MEMS)晶片210和一接合設備220，微機電系統晶片210包括多個電磁線圈212，且每一電磁線圈212可透過多條對應的控制線而單獨地被控制。具體而言，每一電磁線圈212會電性連接至一對相互交錯的控制線，且每一電磁線圈212可透過此對控制線而被致能(enable)或禁能(disable)。因此，前述的電磁線圈212可藉由電訊號而被定址(electrically addressable)。微機電系統晶片210組裝於接合設備220上並且被接合設備220所搭載。在本實施例中，接合設備220例如是目前已被使用於業界的覆晶接合器(flip chip bonder)。換句話說，電子-可程式化磁性轉移模組200中的微機電系統晶片210與目前已被使用於業界的覆晶接合器是相容的。在本實施例中，微機電系統晶片210可進一步包括多個鐵磁性金屬元件214，其中各個鐵磁性金屬元件214可選擇性地配置於其中一個電磁線圈212所環繞的空間內。舉例而言，鐵磁性金屬元件214的材質例如為鎳、鎳鐵合金或其他適當的高導磁係數之鐵磁性金屬。

如圖3所示，微機電系統晶片210包括多個陣列排列之突起P，突起P適於與多個排列於第一基板S1上之電子元件ED接觸，且每一電磁線圈212以及被電磁線圈212所環繞的鐵磁性金屬元件214分別配置於其中一個突起P內。每一電磁線圈212包括一個多層電磁線圈。此外，電磁線圈212之間的排列間距例如是介於1微米(μm)到100微米(μm)之間。值得注意的是，本實施例之電磁線圈212是以特定之規律進行排列，電磁線圈212的排列間距可以一致或不一致，而電磁線圈212之平均排列間距例如是電子元件ED(位在第一基板S1 上)之排列間距的整數倍。此外，突起P的尺寸(即涵蓋範圍)例如可大於或等於電子元件ED的尺寸(即面積)，以避免電子元件ED在轉移過程中受應力作用而破損。換言之，當突起P對準於電子元件ED的情況下，電子元件ED會被突起P完全覆蓋。當然，依據實際的設計需求，突起P的尺寸(涵蓋範圍)亦可小於電子元件ED的尺寸。

前述包括有電磁線圈212與鐵磁性金屬元件214的微機電系統晶片210可採用半導體製程來製作。微機電系統晶片210的詳細製作流程將搭配圖4A至圖4E進行詳細說明如後。

圖4A至圖4E為本申請案之微機電系統晶片的製造流程剖面示意圖。請參照圖4A，提供一基板S，且此基板S上已形成有前述之多個電磁線圈212(圖4A至圖4E僅繪示出一個電磁線圈212作為示例)。舉例而言，本實施例的電磁線圈212包括至少一層介電薄膜212a、至少一層導電薄膜212b以及多個導電貫孔(conductive vias)212c，其中介電薄膜212a與導電薄膜212b交替堆疊於基板S上，而導電貫孔212c形成於介電薄膜212a中並且電性連接相鄰兩層的導電薄膜212b。換言之，本實施例的電磁線圈212採用所謂的立體線圈設計，由導電薄膜212b與導電貫孔212c所構成的立體線圈例如呈現螺旋狀，如圖4A’所示。前述的介電薄膜212a、導電薄膜212b以及多個導電貫孔212c例如是透過薄膜沈積、微影以及蝕刻製程來製作。導電薄膜212b以及多個導電貫孔212c構成電磁線圈212中的線圈部分，且導電薄膜212b以及多個導電貫孔212c例如是由高導電材料製作。介電薄膜212a保護不同電磁線圈212中的線圈部分免於相互短路。在 本實施例中，導電薄膜212b的層數例如為1層、2層、3層或者更多層，而介電薄膜212a的層數例如為1層、2層、3層或者更多層。

請參照圖4B與圖4C，移除部分的介電薄膜212a以於介電薄膜212a中形成多個開口OP(圖4B與圖4C僅繪示出一個開口OP作為示例)，且開口OP被對應的電磁線圈212中的導電薄膜212b所環繞。舉例而言，前述的基板S會被開口OP所暴露，然本實施例不以此為限。接著，於開口OP中形成鐵磁性金屬元件214。在本實施例中，鐵磁性金屬元件214例如是由高導磁材料製作。鐵磁性金屬元件214的材質例如為鎳、鎳鐵合金或其他適當的高導磁係數之鐵磁性金屬。

請參照圖4D與圖4E，在形成鐵磁性金屬元件214之後，接著形成一頂介電薄膜(cap dielectric film)216以覆蓋住鐵磁性金屬元件214以及電磁線圈212。之後，將頂介電薄膜216以及介電薄膜212a圖案化以形成微機電系統晶片210上的突起P。至此微機電系統晶片210的製作便大致完成。在本實施例中，頂介電薄膜216的材料例如是氧化矽、氮化矽或其他不導電的高分子聚合物。

第二實施例

圖5為圖3中電子-可程式化磁性轉移模組之控制系統的方塊圖。請參照圖5，本實施例的控制系統300包括一計算機310、電子控制單元320、一機構控制單元330以及一加熱控制單元340，其中電子控制單元320、機構控制單元330以及加熱控制單元340皆電性連接至計算機310。舉例而言，本實施例的計算機310以及電子控制單 元320用以控制微機電系統晶片210的操作(例如選擇性拾取電子元件、即時測試等)。本實施例的計算機310以及機構控制單元330用以控制接合設備220(繪示於圖3)的移動。此外，本實施例的計算機310以及加熱控制單元340用以控制轉移過程中加熱製程的參數。

第三實施例

圖6A至圖6K為本申請案第二實施例之電子元件的轉移方法之剖面示意圖。

請參照圖6A至圖6K，除了本實施例可以省略第一實施例中之犧牲層120的製作外，本實施例之電子元件的轉移方法與第一實施例類似。具體而言，於光電半導體層100透過黏著劑110與第一基板S1接合之後，由於本實施例的電極102為磁性電極，因此不須於光電半導體層100的表面100a上形成犧牲層120以及磁性部130，之後，光電半導體層100和黏著劑110會被圖案化而形成電子元件ED以及多個位於電子元件ED之下的黏著劑圖案110a(如圖6F所示)。在形成電子元件ED之後，圖6G至圖6K中的後續製程實質上與圖2I至圖2M中的製程相同。

在本揭露的上述實施例中，由於透過磁力的轉移方法可以處理較小電子元件(例如小於100微米)，因此可以輕易地解決單片微顯示器的技術瓶頸，更進一步說，由於電子-可程式化磁性轉移模組的微機電系統晶片與目前用於覆晶接合器相容，因此電子-可程式化磁性轉移模組很容易被導入覆晶接合製程中，以使電子元件的轉移更有效率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

200‧‧‧電子-可程式化磁性轉移模組

210‧‧‧微機電系統晶片

212‧‧‧電磁線圈

214‧‧‧鐵磁性金屬元件

220‧‧‧接合設備

P‧‧‧突起

Claims (19)

1. 一種電子元件的轉移方法，包括：(a)於一第一基板上形成多個陣列排列之電子元件，各該電子元件包括一磁性部，其中於該第一基板上形成該些電子元件的製造方法包括：形成一光電半導體層於一成長基板上；形成多個電極於該光電半導體層上；透過一黏著劑接合該光電半導體層和該第一基板，其中該黏著劑黏合該些電極和該光電半導體層，且該黏著劑是介於該光電半導體層和該第一基板之間；移除該成長基板以暴露該光電半導體層的一表面；形成一犧牲層於該光電半導體層的該表面上；形成該磁性部於該犧牲層上；圖案化該光電半導體層、該黏著劑和該犧牲層，以形成該些電子元件、多個位於該些電子元件上的犧牲層圖案以及多個介於該些電子元件和該第一基板之間的黏著劑圖案；形成一支撐層於該第一基板上，其中該支撐層位於該些電子元件之間且連接該些電子元件，該支撐層使各該黏著劑圖案曝露；以及移除該些黏著劑圖案，以形成一間距於各該電子元件和該第一基板之間；(b)藉由一電子-可程式化磁性轉移模組所產生的一磁力，選擇性 地從該第一基板拾起部分該些電子元件；以及(c)將被該電子-可程式化磁性轉移模組所拾起的部分該些電子元件轉移至一第二基板上。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件的轉移方法，更包括：重覆步驟(a)至步驟(c)至少一次，使形成於不同第一基板上的電子元件轉移至該第二基板上。
3. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件的轉移方法，更包括：於移除該成長基板之後且於形成該犧牲層之前，薄化該光電半導體層。
4. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件的轉移方法，更包括：移除位於已被轉移至該第二基板上的該些電子元件上的該些犧牲層圖案。
5. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件的轉移方法，其中該電子-可程式化磁性轉移模組包括多個電磁線圈，且各該電磁線圈是單獨地被控制。
6. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件的轉移方法，其中該電子-可程式化磁性轉移模組包括：一微機電系統(MEMS)晶片，包括多個電磁線圈，且各該電磁線圈是單獨地被控制；以及一接合設備，其中該微機電系統晶片組裝於該接合設備上並且被該接合設備所搭載。
7. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件的轉移方法，更包括： 於該電子-可程式化磁性轉移模組所拾起之該些電子元件被轉移至該第二基板之期間，對該些電子元件進行一即時測試。
8. 如申請專利範圍第7項所述之電子元件的轉移方法，更包括：當該即時測試檢查到至少一失效電子元件時，將該失效電子元件與該第二基板分離，並記錄該失效電子元件的一位置資訊；以及依據該位置資訊，藉由該電子-可程式化磁性轉移模組拾起並且轉移位於該第一基板上的至少一剩餘電子元件至該第二基板上。
9. 一種電子元件的轉移方法，包括：(a)於一第一基板上形成多個陣列排列之電子元件，各該電子元件包括一磁性部，其中於該第一基板上形成該些電子元件的製造方法包括：形成一光電半導體層於一成長基板上；形成多個電極於該光電半導體層上；透過一黏著劑接合該光電半導體層和該第一基板，其中該黏著劑黏合該些電極和該光電半導體層，且該黏著劑是介於該光電半導體層和該第一基板之間；從該光電半導體層移除該成長基板；圖案化該光電半導體層和該黏著劑以形成該些電子元件以及多個位於該些電子元件之下的黏著劑圖案；形成一支撐層於該第一基板上，其中該支撐層位於該些電子元件之間且連接該些電子元件，該支撐層使各該黏著劑圖案曝露；以及 移除該些黏著劑圖案，以形成一間距於各該電子元件和該第一基板之間；(b)藉由一電子-可程式化磁性轉移模組所產生的一磁力，選擇性地從該第一基板拾起部分該些電子元件；以及(c)將被該電子-可程式化磁性轉移模組所拾起的部分該些電子元件轉移至一第二基板上。
10. 如申請專利範圍第9項所述之電子元件的轉移方法，更包括：重覆步驟(a)至步驟(c)至少一次，使形成於不同第一基板上的電子元件轉移至該第二基板上。
11. 如申請專利範圍第9項所述之電子元件的轉移方法，更包括：於移除該成長基板之後且於圖案化該光電半導體層之前，薄化該光電半導體層。
12. 如申請專利範圍第9項所述之電子元件的轉移方法，其中該電子-可程式化磁性轉移模組包括多個電磁線圈，且各該電磁線圈是單獨地被控制。
13. 如申請專利範圍第9項所述之電子元件的轉移方法，其中該電子-可程式化磁性轉移模組包括：一微機電系統(MEMS)晶片，包括多個電磁線圈，且各該電磁線圈是單獨地被控制；以及一接合設備，其中該微機電系統晶片組裝於該接合設備上並且被該接合設備所搭載。
14. 如申請專利範圍第9項所述之電子元件的轉移方法，更包括： 於該電子-可程式化磁性轉移模組所拾起之該些電子元件被轉移至該第二基板之期間，對該些電子元件進行一即時測試。
15. 如申請專利範圍第14項所述之電子元件的轉移方法，更包括：當該即時測試檢查到至少一失效電子元件時，將該失效電子元件與該第二基板分離，並記錄該失效電子元件的一位置資訊；以及依據該位置資訊，藉由該電子-可程式化磁性轉移模組拾起並且轉移位於該第一基板上的至少一剩餘電子元件至該第二基板上。
16. 一種電子-可程式化磁性轉移模組，包括：一微機電系統(MEMS)晶片，包括多個電磁線圈，且各該電磁線圈是單獨地被控制；以及一接合設備，其中該微機電系統晶片組裝於該接合設備上並且被該接合設備所搭載。
17. 如申請專利範圍第16項所述之電子-可程式化磁性轉移模組，其中該微機電系統晶片包括多個陣列排列之突起，該些突起適於與一第一基板上的多個排列之電子元件接觸，且各該電磁線圈分別配置該些突起之其中之一內。
18. 如申請專利範圍第16項所述之電子-可程式化磁性轉移模組，其中各該電磁線圈包括一多層電磁線圈。
19. 如申請專利範圍第16項所述之電子-可程式化磁性轉移模組，其中該些電磁線圈的一排列間距介於1微米到100微米之間。