CN109449259A - 微型发光二极管灯板、其制作方法、背光模组及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种微型发光二极管灯板、其制作方法、背光模组及显示装置，采用薄膜晶体管阵列基板替代现有技术中的PCB板，由于薄膜晶体管是在玻璃基板上制作大规模半导体集成电路，通过溅射、化学气相沉积等工艺形成产生电路的各膜层，制作成本降低，且刻蚀精度远远高于PCB板的刻蚀精度。在采用薄膜晶体管阵列基板结合微型发光二极管芯片制作灯板时，采用导电导热粘胶粘接微型发光二极管芯片，可以在芯片发光不良时进行更换，有利于对灯板的维修，降低维修难度。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种微型发光二极管灯板、其制作方法、背光模组及显示装置。
背景技术
微型发光二极管(Mini-Light Emitting Diode，简称Mini LED)技术是指发光芯片面积尺寸在100-200μm的LED技术。Mini LED继承了无机LED的高效率、高亮度、高可靠度及响应时间快等特点，并且具自发光无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势。其具有更长的发光寿命和更高的亮度以及具有较佳的材料稳定性、无影像烙印等优点，将其应用于背光模组可以实现显示装置多分区的区域调光，以提升显示装置的显示效果。
目前LED灯板需要将LED芯片焊接于印制电路板(Printed Circuit Board，简称PCB)上，如果采用尺寸较小的Mini LED，则需要在PCB板上相应地设置更多数量的焊盘，使得焊盘尺寸大幅度缩小，导致刻蚀难度增大。并且，目前采用的LED灯板在焊接完成之后，如果发现LED芯片故障，无法再将其在PCB板上取下，导致维修难度大成本高。
发明内容
本发明提供了一种微型发光二极管灯板、其制作方法、背光模组及显示装置，用以提高微型发光二极管灯板的刻蚀精度，降低维修难度。
第一方面，本发明提供一种微型发光二极管灯板的制作方法，包括：
形成多个微型发光二极管芯片；
在衬底基板上形成薄膜晶体管驱动电路，形成阵列基板，形成的所述阵列基板的表面具有连接至所述薄膜晶体管驱动电路的连接电极，各所述微型发光二极管芯片的电极与各所述连接电极一一对应；
在各所述连接电极上涂覆导电导热粘胶；
将各所述微型发光二极管芯片转移至对应的各所述连接电极的对应位置，使各所述微型发光二极管芯片的电极与对应的所述连接电极粘接；
对各所述微型发光二极管芯片进行点亮测试，并更换故障微型发光二极管芯片直至所有所述微型发光二要芯片均被点亮为止；
固化所述导电导热粘胶，形成所述微型发光二极管灯板。
在一种可能的实现方式中，在本发明提供的上述制作方法中，所述导电导热粘胶通过以下方式制备：
将环氧树脂与增韧剂混合分散，并进行搅拌；
在搅拌过程中依次加入石墨烯，导电粉，潜伏性固化剂，以及气相二氧化硅；
其中，所述环氧树脂、所述增韧剂、所述石墨烯、所述导电粉、所述潜伏性固化剂以及所述气相二氧化硅的比例为：30～60：2～10：5：30～60：5～15：1。
在一种可能的实现方式中，在本发明提供的上述制作方法中，所述环氧树脂为3,4-环氧环己基甲酸酯、4,5-环氧环己烷、1,2-二甲酸二缩水甘油酯、双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂和酚醛树脂的混合物；
所述增韧剂为胺类长链固化剂；
所述导电粉为金粉、镍粉以及银粉中的一种或多种；
所述潜伏性固化剂为双氰胺、EH～4357S、味之素PN-H、味之素PN-23或富士化学1020。
在一种可能的实现方式中，在本发明提供的上述制作方法中，所述将各所述微型发光二极管芯片转移至对应的各所述连接电极的对应位置，包括：
采用固晶机将各所述微型发光二极管芯片逐个转移至对应的各所述连接电极的对应位置。
在一种可能的实现方式中，在本发明提供的上述制作方法中，还包括：
对形成的所述微型发光二极管灯板进行封装。
第二方面，本发明提供一种微型发光二极管灯板，采用上述任一制作方法制作而成。
第三方面，本发明提供一种微型发光二极管灯板，包括：阵列基板以及位于所述阵列基板一侧的多个微型发光二极管芯片；其中，
所述阵列基板包括：与各所述微型发光二极管芯片一一对应的薄膜晶体管；各所述薄膜晶体管通过连接电极与对应的所述微型发光二极管芯片连接。
第四方面，本发明提供一种背光模组，包括上述任一微型发光二极管灯板。
第五方面，本发明提供一种显示装置，包括上述任一微型发光二极管灯板。
第六方面，本发明提供一种显示装置，包括上述背光模组。
本发明有益效果如下：
本发明提供的微型发光二极管灯板、其制作方法、背光模组及显示装置，通过形成多个微型发光二极管芯片；在衬底基板上形成薄膜晶体管驱动电路，形成阵列基板，形成的阵列基板的表面具有连接至薄膜晶体管驱动电路的连接电极，各微型发光二极管芯片的电极与各连接电极一一对应；在各连接电极上涂覆导电导热粘胶；将各微型发光二极管芯片依次转移至对应的各连接电极的对应位置，使各微型发光二极管芯片的电极与对应的连接电极粘接；对各微型发光二极管芯片进行点亮测试，并更换故障微型发光二极管芯片直至所有微型发光二要芯片均被点亮为止；固化导电导热粘胶，形成微型发光二极管灯板。采用薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)阵列基板替代现有技术中的PCB板，由于薄膜晶体管是在玻璃基板上制作大规模半导体集成电路，通过溅射、化学气相沉积等工艺形成产生电路的各膜层，制作成本降低，且刻蚀精度远远高于PCB板的刻蚀精度。在采用薄膜晶体管阵列基板结合微型发光二极管芯片制作灯板时，采用导电导热粘胶粘接微型发光二极管芯片，可以在芯片发光不良时进行更换，有利于对灯板的维修，降低维修难度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所介绍的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的微型发光二极管灯板的制作方法的流程图；
图2为本发明实施例提供的微型发光二极管芯片的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图之一；
图4为本发明实施例提供的设置主模板的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图之二；
图6为本发明实施例提供的微型发光二极管灯板的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的背光模组的结构示意图之一；
图8为本发明实施例提供的背光模组的结构示意图之二；
图9为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
下面结合附图详细介绍本发明具体实施例提供的微型发光二极管灯板、其制作方法、背光模组及显示装置。
本发明实施例的第一方面，提供了一种微型发光二极管灯板的制作方法，如图1所示，本发明实施例提供的上述制作方法，可以包括如下步骤：
S10、形成多个微型发光二极管芯片；
S20、在衬底基板上形成薄膜晶体管驱动电路，形成阵列基板；形成的阵列基板的表面具有连接至薄膜晶体管驱动电路的连接电极，各微型发光二极管芯片的电极与各连接电极一一对应；
S30、在各连接电极上涂覆导电导热粘胶；
S40、将各微型发光二极管芯片转移至对应的各连接电极的对应位置，使各微型发光二极管芯片的电极与对应的连接电极粘接；
S50、对各微型发光二极管芯片进行点亮测试，并更换故障微型发光二极管芯片直至所有微型发光二要芯片均被点亮为止；
S60、固化导电导热粘胶，形成微型发光二极管灯板。
本发明实施例提供的上述微型发光二极管灯板采用薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，简称TFT)阵列基板替代现有技术中的PCB板，由于薄膜晶体管是在玻璃基板上制作大规模半导体集成电路，通过溅射、化学气相沉积等工艺形成产生电路的各膜层，制作成本降低，且刻蚀精度远远高于PCB板的刻蚀精度。在采用薄膜晶体管阵列基板结合微型发光二极管芯片制作灯板时，采用导电导热粘胶粘接微型发光二极管芯片，可以在芯片发光不良时进行更换，有利于对灯板的维修，降低维修难度。
以下对本发明实施例提供的上述微型发光二极管灯板的制作流程进行具体说明。
首先，提供多个微型发光二极管芯片，微型发光二极管的制作方法可采用现有技术，此外不再赘述。制作完成的单个微型发光二极管芯片的结构如图2所示，微型发光二极管芯片100可包括：外延片11以及位于外延片11同一侧上的相互绝缘的第一电极121和第二电极122，第一电极121和第二电极122分别作为微型发光二极管芯片的阳极和阴极。
接着，制备阵列基板，如图3所示，可以在衬底基板21上形成用于驱动各微型发光二极管芯片的薄膜晶体管驱动电路，该驱动电路可包括薄膜晶体管TFT以及信号走线23；在薄膜晶体管TFT以及信号走线23上形成钝化层24；其中，钝化层包括与各微型发光二极管芯片的第一电极121和第二电极122一一对应的过孔；在钝化层24的各过孔处形成连接各薄膜晶体管TFT以及连接信号走线23的连接电极25。
具体来说，本发明实施例提供的上述微型发光二极管灯板可采用高硼硅玻璃作为衬底基板，这种玻璃基板具有膨胀率、耐高温、高强度、高硬度、高透光率和高化学稳定性等诸多优点，有利于器件高精度形成于其表面。由于衬底的表面可能附有灰尘、有机物、酸、碱等杂质，需要对其进行清洗，可采用丙酮溶液对其进行清洗；再采用超声波清洗15min，用去离子水冲洗玻璃，以进一步能够去除玻璃上的有机物。而后用乙醇清洗15min，以去除玻璃上的残留的丙酮；再用去离子水清洗15min，去除残留的乙醇以及其它杂质。
本发明实施例制作的薄膜晶体管可采用顶栅结构也可以采用底栅结构，以下以采用底栅结构的薄膜晶体管为例对薄膜晶体管的制作流程具体说明。如图3所示，可先在衬底基板21上形成栅极G的图形，而后在栅极上形成栅极绝缘层22；在栅极绝缘层22上形成有源层的图形；在有源层上形成层间绝缘层；对层间绝缘层进行刻蚀形成薄膜晶体管的源极S以及漏极G所对应的过孔；在过层间绝缘层上形成金属层并进行刻蚀以形成源极S、漏极G以及信号走线；在形成薄膜晶体管以及信号走线上形成钝化层24。钝化层24包括的过孔暴露TFT的漏极D以及信号走线23，在这些过孔内形成的连接电极25可通过过孔分别与下方的TFT的漏极D或信号走线23连接，当微型发光二极管芯片的电极与阵列基板的连接电极25相连后，通过控制TFT的源极S的信号以及信号走线23的信号可以实现微型发光二极管的点亮。
其中，在本发明实施例中，栅极绝缘层可采用氧化铝(Al2O3)，这一类材料在自然界存储丰富、廉价、化学稳定性好界面缺陷态密度小、较高介电常数、禁带宽度大、容易制备以及与金属氧化物的半导体有很好的兼容性，它是一种优良的高K的栅介质材料。氧化铝薄膜的制备方法有：真空蒸镀、磁控溅射、原子层沉积、化学气相沉积、电化学沉积法、溶液法等。其中溶液法是先把要成膜的材料或前驱物配置成某种溶液(溶胶)，将溶液(溶胶)以旋涂或提拉等方法在衬底表面附着一层溶液(溶胶)膜，然后通过加热退火或光照退火等方法使衬底表面的溶液(溶胶)膜发生物理或化学性质的改变，形成最终想要制备的绝缘层薄膜，且溶液法具有成本低等优势。
具体来说，可将配制好硝酸铝溶液(将硝酸铝溶入乙醇中配成0.8mol/L的溶液)；旋涂于形成有栅极图形的基板表面，再将旋涂好的薄膜放到加热台上加热(温度设置成300℃)，退火一个小时。由此制备的氧化铝薄膜厚度为50nm左右。
在氧化铝薄膜上接着制备铟镓锌氧化物(IGZO)作为上述有源层。具体地，将配制好的硝酸铟镓锌混合溶液(将硝酸铟、硝酸镓、硝酸锌、溶入二甲氧基乙醇中，并配置成In:Ga:Zn＝0.42:0.25:1的0.2mol/L的溶液)；再将匀胶机的参数设置成3500rmp，时间为30s，再将基板放置于匀胶机上，滴8-9滴(有机过滤头)溶液，再进行旋涂薄膜，将旋涂好的薄膜放到加热台上加热，退火一个小时。
利用溶液法制备氧化铝、铟镓锌氧化物薄膜作为控制微型发光二极管芯片的开关器件(TFT)的绝缘层和有源层，采用金属掩膜版工艺制备电极，通过退火处理以及有源层的原子比改变，优化出最佳工艺参数，以及采用光刻工艺进行器件图形的隔离，来提高器件的性能。TFT电极与有源层之间形成欧姆接触，电极的导电性和稳定性更好。而铝(Al)的功函数为4.28eV，且铝材料价格廉价，成膜工艺简单，在本发明实施例中可采用铝制备TFT器件的电极。
进一步地，在本发明实施例中，导电导热粘胶可通过也下方式制备：
将环氧树脂与增韧剂混合分散，并进行搅拌；
在搅拌过程中依次加入石墨烯，导电粉，潜伏性固化剂，以及气相二氧化硅；
其中，环氧树脂、增韧剂、石墨烯、导电粉、潜伏性固化剂以及气相二氧化硅的比例为：30～60：2～10：5：30～60：5～15：1。
在实际应用中，环氧树脂可为3,4-环氧环己基甲酸酯、4,5-环氧环己烷、1,2-二甲酸二缩水甘油酯、双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂和酚醛树脂的混合物；增韧剂可为胺类长链固化剂，例如采用十八烷基胺，丁腈橡胶、核壳增韧剂Kane Ace@MX-125等；导电粉可为金粉、镍粉以及银粉中的一种或多种；潜伏性固化剂可为双氰胺、EH～4357S、味之素PN-H、味之素PN-23或富士化学1020。
具体地，将环氧树脂30～60份和增韧剂2～10份先加入混合釜中，高速分散，在温度为20℃条件下，搅拌1h；再加入石墨烯材料5份，搅拌1h；再加入导电粉30～60份，搅拌30min；再加入潜伏性固化剂5～15份，搅拌1h；再加入气相二氧化硅1份，搅拌1h。开启真空泵抽真空1h，真空压力为0.01MPa，由此得到潜伏固化导电导热粘胶。
在制得导电导热粘胶之后，如图4所示，可利用上述连接电极25的图形制备的网版作为主模板M，将上述制备的导电导热粘胶26涂敷到连接电极上，形成如图5所示的结构，利用其初粘性粘接到各连接电极上。
而后执行将各微型发光二极管芯片转移至对应的各连接电极的步骤。具体地，可利用固晶机将各微型发光二极管芯片逐颗转移至TFT基板上，与对应的连接电极进行固定粘接，利用导电导热粘胶的初粘性将各微型发光二极管芯片粘接于TFT阵列基板上。由此得到如图6所示的微型发光二极管灯板。
此时，可以对各微型发光二极管芯片进行点亮测试，例如，可利用数字板将测试信号发送给时序控制器(Timing Controller，简称TCON)，时序控制器将数字板送来的低电压差分信号(Low Voltage Differential Signaling，简称LVDS)或晶体管逻辑(TransistorTransistor Logic，简称TTL)电平信号，时钟信号进行处理，输入至移位寄存器中。时钟信号控制行列信号RS、DS的输出以使与微型发光二极管芯片连接的TFT被驱动，控制微型发光二极管芯片发光。当发现微型发光二极管芯片的发光亮度不符合要求时，可以将这些故障微型发光二极管芯片取下，并再次利用固晶机更换新的微型发光二极管芯片，直到所有的微型发光二极管芯片均被点亮，再亮度符合要求为止。
将上述检测合格的灯板置于60-100℃的加热室内，对导电导热粘胶进行固化，将微型发光二极管芯片固定于TFT阵列基板之上，且使得各微型发光二极管芯片的电极与对应的连接电极电接触。
最后，对形成的微型发光二极管灯板进行封装。将固晶后的灯板放置在载台上，使用环氧树脂/硅胶及固化剂的混合物胶体系，通过设备均匀涂布到上述固晶后的灯板上，经过加温或紫外固化的方式进行固化，达到封装的目的，加热温度范围及光照强度波长根据引发剂种类而定，在此不做限定。
本发明实施例的第二方面，提供了一种微型发光二极管灯板，该微型发光二极管灯板可采用上述任一项的制作方法制作而成。由上述制作方法制作而成的微型发光二极管灯板的精度更高，且在制作过程中可以对各微型发光二极管芯片检测和更换，因此微型发光二极管灯板的良率也随之提高。
本发明实施例的第三方面，提供了一种微型发光二极管灯板，如图6所示，该微型发光二极管灯板，包括：阵列基板以及位于阵列基板一侧的多个微型发光二极管芯片；
其中，阵列基板包括：与各微型发光二极管芯片一一对应的薄膜晶体管TFT；各薄膜晶体管TFT通过连接电极25与对应的微型发光二极管芯片连接。
本发明实施例提供的上述微型发光二极管灯板，采用薄膜晶体管驱动微型发光二极管芯片，且薄膜晶体管可以在玻璃基板上制作大规模半导体集成电路，通过溅射、化学气相沉积等工艺形成产生电路的各膜层，制作成本降低，其刻蚀精度远远高于PCB板的刻蚀精度。因此本发明实施例提供的上述微型发光二极管灯板可以缩小微型发光二极管芯片尺寸，具有更高的精度，有利于实现更精密的发光及显示。
本发明实施例的第四方面，提供了一种背光模组，该背光模组包括上述任一微型发光二极管灯板。采用微型发光二极管灯板作为背光，可以实现更加精细的局部调光设计，使显示面板的调光区域更为精细的分区，实现高动态对比度，与现有技术中一般侧入式光式背光源相比，本发明实施例提供的上述背光模组具备更好的透光均匀度以及较高的对比度和更多明暗细节；并且微型发光二极管灯板作为背光，具有更薄的厚度，混光均匀，降低混光距离，实现超薄模组设计。微型发光二极管灯板作为背光模组可搭配软性基板，实现高曲面背光的形式，也可进行异性切割或异性设计，将有机会使用在手机、电视、车载面板以及电竞笔电等多种应用上。
如图7所示，本发明实施例提供的上述背光模组还可包括：在微型发光二极管灯板120出光侧的依次设置的棱镜片300、扩散片400以及增光片500。其中，棱镜片300可以使微型发光二极管灯板的出射光较多地向正视方向会聚，以提高微型发光二极管芯片发光的利用率；扩散片400可对出射光线进行均化，消除背光斑点；增光片500可以提高光学增益。
本发明实例提供的上述背光模组还可为量子点背光模组，如图8所示，当背光模组为量子点背光模组时，还包括：位于微型发光二极管灯板120与棱镜片300之间的量子点层600。在结合量子点层600的微型发光二极管灯板中，微型发光二极管芯片可采用蓝光芯片，通过激发量子点层中的红色量子点和绿色点以产生混合白光，向显示面板出射。
本发明实施例的第五方面，提供一种显示装置，如图9所示，该显示装置包括本发明具体实施例提供的上述背光模组，该显示装置可为电视、移动通信设备、可穿戴设备等。以该显示装置为液晶显示装置为例，如图9所示，在背光模组的出光侧还包括液晶显示面板700，液晶显示面板700包括阵列基板701、彩膜基板702以及位于阵列基板701和彩膜基板702之间的液晶层。利用本发明实施例提供的上述背光模组可以对液晶显示装置实现精细分区的区域调光，从而提升显示对比度，给用户带来更优的视觉体验。
本发明实施列提的第六方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括上述任一微型发光二极管灯板。该微型发光二极管灯板可以包括不同颜色的发光芯片，使可同时包括红色微型发光二极管芯片、绿色微型发光二极管芯片以及蓝色微型发光二极管芯片，通过对各微型发光二极管芯片亮度的单独控制，可以实现微型发光二极管灯板的全彩显示。
在另一种可实施的方式中，该微型发光二极管灯板仅包括一种颜色的发光芯片，例如，仅包括蓝色发光二极管芯片，且在微型发光二极管灯板的出光侧设置一层量子点膜。该量子点膜可以包括红色量子点单元、绿色量子点单元以及透射单元。红色量子点单元在蓝色光的激发下发射红色光，绿色量子点单元在蓝色光的激发下出射绿色光，透射单元可以直接透射蓝色光，由此可以采用单色微型发光二极管结合量子点膜实现全彩显示。
上述显示装置不需要背光，且微型发光二极管芯片的尺寸可以做到像素级别，再加之微型发光二极管芯片继承发光二极管芯片的高效、高亮度、响应时间快等优势，可以使显示装置具有节能、机构简易、体积小、薄型等特点。
本发明实施例提供的上述显示装置解决问题的原理以及制作方法与上述微型发光二极管灯板相似，因此该显示装置的实施可以参见上述微型发光二极管灯板的实施，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的微型发光二极管灯板、其制作方法、背光模组及显示装置，通过形成多个微型发光二极管芯片；在衬底基板上形成薄膜晶体管驱动电路，形成阵列基板，形成的阵列基板的表面具有连接至薄膜晶体管驱动电路的连接电极，各微型发光二极管芯片的电极与各连接电极一一对应；在各连接电极上涂覆导电导热粘胶；将各微型发光二极管芯片依次转移至对应的各连接电极的对应位置，使各微型发光二极管芯片的电极与对应的连接电极粘接；对各微型发光二极管芯片进行点亮测试，并更换故障微型发光二极管芯片直至所有微型发光二要芯片均被点亮为止；固化导电导热粘胶，形成微型发光二极管灯板。采用薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)阵列基板替代现有技术中的PCB板，由于薄膜晶体管是在玻璃基板上制作大规模半导体集成电路，通过溅射、化学气相沉积等工艺形成产生电路的各膜层，制作成本降低，且刻蚀精度远远高于PCB板的刻蚀精度。在采用薄膜晶体管阵列基板结合微型发光二极管芯片制作灯板时，采用导电导热粘胶粘接微型发光二极管芯片，可以在芯片发光不良时进行更换，有利于对灯板的维修，降低维修难度。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种微型发光二极管灯板的制作方法，其特征在于，包括：
形成多个微型发光二极管芯片；
在衬底基板上形成薄膜晶体管驱动电路，形成阵列基板，形成的所述阵列基板的表面具有连接至所述薄膜晶体管驱动电路的连接电极，各所述微型发光二极管芯片的电极与各所述连接电极一一对应；
在各所述连接电极上涂覆导电导热粘胶；
将各所述微型发光二极管芯片转移至对应的各所述连接电极的对应位置，使各所述微型发光二极管芯片的电极与对应的所述连接电极粘接；
对各所述微型发光二极管芯片进行点亮测试，并更换故障微型发光二极管芯片直至所有所述微型发光二要芯片均被点亮为止；
固化所述导电导热粘胶，形成所述微型发光二极管灯板。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述导电导热粘胶通过以下方式制备：
将环氧树脂与增韧剂混合分散，并进行搅拌；
在搅拌过程中依次加入石墨烯，导电粉，潜伏性固化剂，以及气相二氧化硅；
其中，所述环氧树脂、所述增韧剂、所述石墨烯、所述导电粉、所述潜伏性固化剂以及所述气相二氧化硅的比例为：30～60：2～10：5：30～60：5～15：1。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述环氧树脂为3,4-环氧环己基甲酸酯、4,5-环氧环己烷、1,2-二甲酸二缩水甘油酯、双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂和酚醛树脂的混合物；
所述增韧剂为胺类长链固化剂；
所述导电粉为金粉、镍粉以及银粉中的一种或多种；
所述潜伏性固化剂为双氰胺、EH～4357S、味之素PN-H、味之素PN-23或富士化学1020。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述将各所述微型发光二极管芯片转移至对应的各所述连接电极的对应位置，包括：
采用固晶机将各所述微型发光二极管芯片逐个转移至对应的各所述连接电极的对应位置。
5.如权利要求1-4任一项所述的制作方法，其特征在于，还包括：
对形成的所述微型发光二极管灯板进行封装。
6.一种微型发光二极管灯板，其特征在于，采用如权利要求1-5任一项所述的制作方法制作而成。
7.一种微型发光二极管灯板，其特征在于，包括：阵列基板以及位于所述阵列基板一侧的多个微型发光二极管芯片；其中，
所述阵列基板包括：与各所述微型发光二极管芯片一一对应的薄膜晶体管；各所述薄膜晶体管通过连接电极与对应的所述微型发光二极管芯片连接。
8.一种背光模组，其特征在于，包括如权利要求6或7所述的微型发光二极管灯板。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6或7所述的微型发光二极管灯板。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的背光模组。
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