WO2021223268A1 - 背光模组、显示面板及电子装置 - Google Patents

背光模组、显示面板及电子装置 Download PDF

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刘全胜
徐洪远
张鑫
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    • G02F1/133612—Electrical details

Definitions

  • this application drives the min-LED (micro light emitting diode) by manufacturing a driving unit containing TFT on a glass substrate, which can reduce the thickness of the mini-LED (micro light emitting diode) backlight module and the display panel ,reduce costs.
  • the switching thin film transistor T2 is located on the side of the driving thin film transistor T2 which is not shown in the figure.
  • the switching thin film transistor T1 also includes a source 151 (or 152), a drain 152 (or 151), a gate 121, an active layer 14, and a gate insulation.
  • Layer 13
  • the data line Data or the VDD signal line includes the first sub-portion 125 of the first metal layer 12 and the second metal layer 15.
  • the second sub-portion 154, the ITO layer 17 can be used as a connecting electrode to connect the first sub-portion 125 of the first metal layer 12 and the second sub-portion 154 of the second metal layer 15 through the through holes on the interlayer insulating layer 16 to Reduce the resistance value of the data line Data or the VDD signal line.
  • the thin film transistor 100 is used as the driving thin film transistor T2 for description.
  • the thin film transistor 100 may also be a switching thin film transistor T1, which is not limited thereto.
  • the backlight module can also optionally include scan lines Scan to supply scan signals of the driving unit, optionally include data lines Data to supply data signals of the driving unit, and optionally include VDD traces for supply
  • the VDD signal of the driving unit is either used as a VDD signal terminal, and optionally includes a VSS wiring to supply the VSS signal of the driving unit or used as a VSS signal terminal.
  • the scan line Scan, the data line Data, the VDD trace or the VDD signal terminal, the VSS trace or the VSS signal terminal can be made by selectively using one or both of the first metal layer 12 and the second metal layer 15, and is not limited to this.
  • the light-emitting phase S1 may include a power-on phase S11 and a voltage maintenance phase S12.
  • the mini-LED (micro light-emitting diode) M starts to work and emit light, and the storage capacitor passes through the storage capacitor in the voltage maintenance phase S12. C keep the mini-LED (miniature light-emitting diode) M continuously working to emit light.
  • the switching thin film transistor T1 is turned on, and the high potential of the data line Data is written to point A (point A is electrically connected
  • point A is electrically connected
  • the driving thin film transistor T2 is turned on, and the mini-LED (micro light emitting diode) M
  • the mini-LED miniature light-emitting diode M can emit light.
  • the scan line Scan and the data line Data are turned off. Because there is a storage capacitor C between point A and the VSS signal terminal, the potential of point A can be maintained all the time.

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Abstract

本申请提出了一种背光模组、显示面板及电子装置，包括：玻璃基底；多个驱动单元，多个驱动单元形成于玻璃基底上；多个微型发光二极管，每一微型发光二极管包括第一电极和第二电极，其中，驱动单元包括开关模块、驱动模块及存储模块，开关模块的一端分别连接于驱动模块和存储模块，驱动模块连接于微型发光二极管。

Description

背光模组、显示面板及电子装置 技术领域
本申请涉及显示领域，特别涉及一种背光模组、显示面板及电子装置。
 背景技术
随着显示技术的高速发展，mini-LED（微型发光二极管）作为LCD(Liquid crystal displays，液晶显示器)的背光源技术已经逐步发展。mini-LED是指封装大小在0.1-0.2mm的LED，又称为次毫米发光二极管和微型发光二极管。由于mini-LED的尺寸在百微米级别，无需克服巨量转移的技术门框，其量产具有可行性，可应用于大尺寸显示屏的背光。然而主动式mini-LED（AM mini-LED）一般是利用MOS管制作在PCB板上，这会导致LCD背光模组的厚度较厚，且其成本较为昂贵。
 技术问题
本申请提供一种背光模组、显示面板及电子装置，以解决现有mini-LED（微型发光二极管）背光模组及显示面板厚度较厚和成本昂贵的问题。
 技术解决方案
一种背光模组，其包括：玻璃基底；多个驱动单元，多个所述驱动单元形成于所述玻璃基底上，每一所述驱动单元包括薄膜晶体管；多个微型发光二极管，多个所述微型发光二极管设于所述玻璃基底上，每一所述微型发光二极管包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极连接于对应的所述驱动单元，其中，所述驱动单元包括开关模块、驱动模块及存储模块，所述开关模块的一端分别连接于所述驱动模块和所述存储模块，所述驱动模块连接于所述微型发光二极管。
一种显示面板，其包括背光模组，所述背光模组包括：玻璃基底；多个驱动单元，多个所述驱动单元形成于所述玻璃基底上，每一所述驱动单元包括薄膜晶体管；多个微型发光二极管，多个所述微型发光二极管设于所述玻璃基底上，每一所述微型发光二极管包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极连接于对应的所述驱动单元，其中，所述驱动单元包括开关模块、驱动模块及存储模块，所述开关模块的一端分别连接于所述驱动模块和所述存储模块，所述驱动模块连接于所述微型发光二极管。
一种电子装置，其包括显示面板，所述显示面板包括背光模组，所述背光模组包括：玻璃基底；多个驱动单元，多个所述驱动单元形成于所述玻璃基底上，每一所述驱动单元包括薄膜晶体管；多个微型发光二极管，多个所述微型发光二极管设于所述玻璃基底上，每一所述微型发光二极管包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极连接于对应的所述驱动单元，其中，所述驱动单元包括开关模块、驱动模块及存储模块，所述开关模块的一端分别连接于所述驱动模块和所述存储模块，所述驱动模块连接于所述微型发光二极管。
 有益效果
本申请的有益效果为：本申请通过在玻璃基底上制作包含TFT的驱动单元来驱动min-LED（微型发光二极管），可以减小mini-LED（微型发光二极管）背光模组及显示面板的厚度，降低成本。
 附图说明
图1为本申请实施例一的背光模组的结构示意图；
图2为本申请实施例一的背光模组的结构示意图；
图3为本申请实施例一/二/三/四的背光模组的电路结构示意图；
图4为本申请实施例二的背光模组的结构示意图；
图5为本申请实施例二的背光模组的结构示意图；
图6为本申请实施例三的背光模组的结构示意图；
图7为本申请实施例三的背光模组的结构示意图；
图8为本申请实施例四的背光模组工作流程示意图；
图9为本申请实施例五的显示面板的结构示意图；
图10为本申请提出的电子装置的结构示意图；
 本发明的实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
主动式mini-LED（AM mini-LED，主动式微型发光二极管）一般是利用MOS管制作在PCB板上，这会导致LCD背光的厚度较厚，且其成本较为昂贵。本申请提出了下列技术方案以解决上述技术问题。
请参阅图1~图8，本申请提出了一种背光模组1000，包括玻璃基底11；多个驱动单元80，多个驱动单元80形成于玻璃基底11上，每一驱动单元80包括薄膜晶体管100；多个微型发光二极管20，多个微型发光二极管20设于玻璃基底11上，每一微型发光二极管20包括第一电极21和第二电极22，第一电极21和第二电极22连接于对应的驱动单元80，其中，驱动单元80包括开关模块6、驱动模块7及存储模块8，开关模块6的一端分别连接于驱动模块7和存储模块8，驱动模块7连接于微型发光二极管20。
本申请通过在玻璃基底上制作包含薄膜晶体管（TFT）100的驱动单元80来驱动min-LED（微型发光二极管），可以减小mini-LED（微型发光二极管）背光模组及显示面板的厚度，降低成本。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
实施例一
在本实施例中，请参阅图1、图2，一种背光模组1000，其包括玻璃基底11；多个驱动单元80，多个驱动单元80形成于玻璃基底11上，每一驱动单元80包括薄膜晶体管100；多个微型发光二极管20，多个微型发光二极管20设于玻璃基底11上，每一微型发光二极管20包括第一电极21和第二电极22，第一电极21和第二电极22连接于对应的驱动单元80。通过在玻璃基底上制作包含薄膜晶体管（TFT）100的驱动单元80来驱动min-LED（微型发光二极管）20，可以减小mini-LED（微型发光二极管）背光模组1000及显示面板的厚度，降低成本。
在本实施例中，请参阅图3，示意了本实施例的电路结构图，每一驱动单元80包括开关模块6、驱动模块7及存储模块8，开关模块6的一端分别连接于驱动模块7和存储模块8，驱动模块7连接于微型发光二极管20。具体的，每一驱动单元80还包括VDD信号端和VSS信号端，开关模块6包括开关薄膜晶体管T1，驱动模块7包括驱动薄膜晶体管T2，存储模块8包括存储电容C，开关薄膜晶体管T1的栅极连接于扫描线Scan，开关薄膜晶体管T1的源极连接于数据线Data，开关薄膜晶体管T1的漏极连接于存储电容C的第一电容电极c1和驱动薄膜晶体管T2的栅极，驱动薄膜晶体管T2的源极连接于mini-LED（微型发光二极管）M的第二电极，驱动薄膜晶体管T2的漏极连接于VSS信号端，存储电容的第二电容电极c2连接于VSS信号端，mini-LED（微型发光二极管）M的第一电极连接于VDD信号端。通过此开关薄膜晶体管（TFT）T1、驱动薄膜晶体管（TFT）T2、存储电容构C、和各信号端构成的驱动单元可以驱动mini-LED（微型发光二极管）M进行发光，从而为背光模组提供光源。需要说明的是：此处开关薄膜晶体管T1的源极和漏极可以互换，驱动薄膜晶体管T2的源极和漏极可以互换，例如，开关薄膜晶体管T1的漏极连接于数据线Data，开关薄膜晶体管T1的源极连接于存储电容C的第一电容电极c1和驱动薄膜晶体管T2的栅极。需要说明的是：微型发光二极管在图3中可以用M或20表示。
如图1、图2、图3所示，图中示意了：薄膜晶体管（TFT）100，薄膜晶体管（TFT）100包括源极151（或者152）、漏极152（或者151）、栅极121、有源层14，TFT100还包括设于有栅极121与有源层14之间栅极绝缘层13，同时源极151（或者152）、漏极152（或者151）表面还可以覆盖层间绝缘层16，图1、图2中薄膜晶体管（TFT）100可以为图3中开关薄膜晶体管T1或驱动薄膜晶体管T2之一，例如当薄膜晶体管（TFT）100为驱动薄膜晶体管T2时，开关薄膜晶体管T1位于驱动薄膜晶体管T2在图中未示意的一傍，开关薄膜晶体管T1也包括源极151（或者152）、漏极152（或者151）、栅极121、有源层14、栅极绝缘层13。
如图1、图2、图3所示，图中示意了：电容200，电容200包括第一电容电极122（或者153）、第二电容电极153（或者122）、以及第一电容电极122（或者153）与第二电容电极153（或者122）之间的绝缘层，图1、图2中电容200即为图3电路中的存储电容C，图1、图2中第一电容电极122（或者153）等同于图3电路中的第一电容电极c1，图1、图2中第二电容电极153（或者122）等同于图3电路中的第二电容电极c2，此处第一电容电极122（或者153）与第二电容电极153（或者122）之间的绝缘层为栅极绝缘层13。需要说明的是，在图1、图2之中，第一电容电极可以为122或者153之一，那么第二电容电极为122和153之中的另外一个。
如图1、图2、图3所示，图中示意了：微型发光二极管，微型发光二极管在图1、图2中用20表示，微型发光二极管在图3中也可以用M或20表示。
如图1、图2、图3所示，背光模组1000还包括接触电极300，接触电极300包括第一接触电极123和第二接触电极124。
在本实施例中，请参继续阅图1、图2，背光模组1000还包括第一金属层12，设置于玻璃基底11上，第一金属层12包括驱动薄膜晶体管100（T2）的栅极121；栅极绝缘层13，设置于玻璃基底11和所述第一金属层12上；有源层14，设置于栅极绝缘层13上并位于驱动薄膜晶体管100的栅极121的一侧；第二金属层15，设置于栅极绝缘层13和有源层14上，第二金属层15包括驱动薄膜晶体管100的源极151（或者152）和所述漏极152（或者151），驱动薄膜晶体管100的源极151（或者152）和漏极152（或者151）连接于有源层14；层间绝缘层16，设置于第二金属层上15，层间绝缘层16设有通孔161~162，微型发光二极管20的第二电极22通过通孔162电性连接于驱动薄膜晶体管100的漏极152（或者151）。需要说明的是，此时以薄膜晶体管100作为驱动薄膜晶体管T2进行说明，在一些实施例和实施情况中薄膜晶体管100还可以为开关薄膜晶体管T1，不限于此。
在本实施例中，请参继续阅图1、图2、图3，第一金属层12还包括多个接触电极300，每一驱动单元80中的接触电极300包括第一接触电极123和第二接触电极124，第一接触电极123的两端分别连接于VDD信号端和微型发光二极管20（M）的第一电极21，第二接触电极124的两端分别连接于微型发光二极管20（M）的第二电极22和驱动薄膜晶体管（T2）100的漏极152（或者151），即微型发光二极管20（M）第一电极21是通过第一接触电极123连接于VDD信号端的，即微型发光二极管20（M）第二电极22是通过第二接触电极124连接于驱动薄膜晶体管（T2）100的漏极152（或者151）的。在本实施例中接触电极300是通过第一金属层12形成。其中微型发光二极管20（M）第一电极21与第一接触电极123通过第一连接部31电性连接，微型发光二极管20（M）第二电极22与第二接触电极124通过第二连接部32电性连接，第一连接部31、第二连接部32可以为锡膏等材料，但不限于此。需要说明的是，此时以薄膜晶体管100作为驱动薄膜晶体管T2进行说明，在一些实施例和实施情况中薄膜晶体管100还可以为开关薄膜晶体管T1，不限于此。
实施例二
在本实施例中，请参阅图3、图4、图5，与实施例一的区别在于接触电极300为第二金属层15制作。
具体的，第二金属层15还包括多个接触电极300，每一驱动单元80中的接触电极300包括第一接触电极154和第二接触电极155，第一接触电极154的两端分别连接于VDD信号端和微型发光二极管20（M）的第一电极21，第二接触电极155的两端分别连接于微型发光二极管20（M）的第二电极22和驱动薄膜晶体管（T2）100的漏极152（或者151），即微型发光二极管20（M）第一电极21是通过第一接触电极154连接于VDD信号端的，即微型发光二极管20（M）第二电极22是通过第二接触电极155连接于驱动薄膜晶体管（T2）100的漏极152（或者151）的。在本实施例中接触电极300是通过第二金属层15形成。其中微型发光二极管20（M）第一电极21与第一接触电极154通过第一连接部31电性连接，微型发光二极管20（M）第二电极22与第二接触电极155通过第二连接部32电性连接，第一连接部31、第二连接部32可以为锡膏等材料，但不限于此。需要说明的是，此时以薄膜晶体管100作为驱动薄膜晶体管T2进行说明，在一些实施例和实施情况中薄膜晶体管100还可以为开关薄膜晶体管T1，不限于此。
实施例三
在本实施例中，请参阅图3、图6、图7，与实施例一、二的区别在于层间绝缘层16上还设有ITO层。
在本实施例中，请参阅图6、图7，一种背光模组1000，其包括玻璃基底11；多个驱动单元80，多个驱动单元80形成于玻璃基底11上，每一驱动单元80包括薄膜晶体管100；多个微型发光二极管20，多个微型发光二极管20设于玻璃基底11上，每一微型发光二极管20包括第一电极21和第二电极22，第一电极21和第二电极22连接于对应的驱动单元80。通过在玻璃基底上制作包含薄膜晶体管（TFT）100的驱动单元80来驱动min-LED（微型发光二极管）20，可以减小mini-LED（微型发光二极管）背光模组1000及显示面板的厚度，降低成本。
如图3、图6、图7所示，图中示意了：薄膜晶体管（TFT）100，薄膜晶体管（TFT）100包括源极151（或者152）、漏极152（或者151）、栅极121、有源层14，TFT100还包括设于有栅极121与有源层14之间栅极绝缘层13，同时源极151（或者152）、漏极152（或者151）表面还可以覆盖层间绝缘层16，图1、图2中薄膜晶体管（TFT）100可以为图3中开关薄膜晶体管T1或驱动薄膜晶体管T2之一，例如当薄膜晶体管（TFT）100为驱动薄膜晶体管T2时，开关薄膜晶体管T1位于驱动薄膜晶体管T2位于图中未示意的一侧，开关薄膜晶体管T1也包括源极151（或者152）、漏极152（或者151）、栅极121、有源层14、栅极绝缘层13。
如图3、图6、图7所示，图中示意了：电容200，电容200包括第一电容电极122（或者153）、第二电容电极153（或者122）、以及第一电容电极122（或者153）与第二电容电极153（或者122）之间的绝缘层，图6、图7中电容200即为图3电路中的存储电容C，图6、图7中第一电容电极122（或者153）等同于图3电路中的第一电容电极c1，图7、图8中第二电容电极153（或者122）等同于图3电路中的第二电容电极c2，此处第一电容电极122（或者153）与第二电容电极153（或者122）之间的绝缘层为栅极绝缘层13。需要说明的是，在图6、图7之中，第一电容电极可以为122或者153之一，那么第二电容电极为122和153之中的另外一个。
如图3、图6、图7所示，背光模组1000还包括接触电极300，接触电极300包括第一接触电极123和第二接触电极124；或者接触电极300包括第一接触电极154和第二接触电极155。
在本实施例中，请参继续阅图6、图7，背光模组1000还包括第一金属层12，设置于玻璃基底11上，第一金属层12包括驱动薄膜晶体管100（T2）的栅极121；栅极绝缘层13，设置于玻璃基底11和所述第一金属层12上；有源层14，设置于栅极绝缘层13上并位于驱动薄膜晶体管100的栅极121的一侧；第二金属层15，设置于栅极绝缘层13和有源层14上，第二金属层15包括驱动薄膜晶体管100的源极151（或者152）和所述漏极152（或者151），驱动薄膜晶体管100的源极151（或者152）和漏极152（或者151）连接于有源层14；层间绝缘层16，设置于第二金属层上15，层间绝缘层16设有通孔161~162，微型发光二极管20的第二电极22通过通孔162电性连接于驱动薄膜晶体管100的漏极152（或者151）；ITO层17设于层间绝缘层16上，ITO层16可以作为连接电极连接第一金属层12与第二金属层15上的走线或电极，例如数据线Data或VDD信号线包括第一金属层12的第一子部125和第二金属层15的第二子部154，ITO层17可以作为连接电极穿过层间绝缘层16上的通孔连接第一金属层12的第一子部125和第二金属层15的第二子部154，以减小数据线Data或VDD信号线的电阻值。需要说明的是，此时以薄膜晶体管100作为驱动薄膜晶体管T2进行说明，在一些实施例和实施情况中薄膜晶体管100还可以为开关薄膜晶体管T1，不限于此。
基于实施一、二、三，第一金属层12或/和第二金属层15可以为铜（Cu）制作，有源层14为非晶硅，但并不限于此，例如：第一金属层12或第二金属层15为Mo/AL/Mo材料与结构，有源层为金属氧化物（IGZO）等。
基于实施一、二、三，薄膜晶体管100的结构不限于底栅结构，还可以为顶栅、侧栅结构，不限于此。
基于实施一、二、三，第一金属层12还包括存储电容200（存储电容C）的第一电容电极122（c1或c2之一），第二金属层15还包括存储电容200（存储电容C）的第二电容电极153（c1或c2之一）。
基于实施一、二、三，背光模组还可以选择性的包括扫描线Scan以供给驱动单元扫描信号，选择性的包括数据线Data以供给驱动单元数据信号，选择性的包括VDD走线以供给驱动单元VDD信号或者用作VDD信号端，选择性的包括VSS走线以供给驱动单元VSS信号或者用作VSS信号端。扫描线Scan、数据线Data、VDD走线或VDD信号端、VSS走线或VSS信号端可以选择性的使用第一金属层12和第二金属层15其中之一或者其中之二制作，不限于此。
基于实施一、二、三，存储电容200（存储电容C）可以为第一金属层12和第二金属层15形成了第一电容电极（c1）和第二电容电极（c2）。
实施例四
基于上述实施例，对背光模组的工作流程和原理进行举例说明。
在本实施例中，请参阅图3、图8，图3为上述实施例中背光模组驱动mini-LED（微型发光二极管）的电路结构图，图8为图3电路驱动mini-LED（微型发光二极管）发光的工作流程图。
图3示意了本实施例的电路结构图，每一驱动单元80包括开关模块6、驱动模块7及存储模块8，开关模块6的一端分别连接于驱动模块7和存储模块8，驱动模块7连接于微型发光二极管20。具体的，每一驱动单元80还包括VDD信号端和VSS信号端，开关模块6包括开关薄膜晶体管T1，驱动模块7包括驱动薄膜晶体管T2，存储模块8包括存储电容C，开关薄膜晶体管T1的栅极连接于扫描线Scan，开关薄膜晶体管T1的源极连接于数据线Data，开关薄膜晶体管T1的漏极连接于存储电容C的第一电容电极c1和驱动薄膜晶体管T2的栅极，驱动薄膜晶体管T2的源极连接于mini-LED（微型发光二极管）M的第二电极，驱动薄膜晶体管T2的漏极连接于VSS信号端，存储电容的第二电容电极c2连接于VSS信号端，mini-LED（微型发光二极管）M的第一电极连接于VDD信号端。通过此薄膜晶体管与电容等结构构成的电路可以驱动mini-LED（微型发光二极管）M进行发光，从而为背光模组提供光源。需要说明的是：此处开关薄膜晶体管T1的源极和漏极可以互换，驱动薄膜晶体管T2的源极和漏极可以互换，例如，开关薄膜晶体管T1的漏极连接于数据线Data，开关薄膜晶体管T1的源极连接于存储电容C的第一电容电极c1和驱动薄膜晶体管T2的栅极。需要说明的是：如图3所示，图3中示意了微型发光二极管，微型发光二极管可以用M或20表示。背光模组1000工作时分为发光阶段S1和擦黑阶段S2，例如mini-LED（微型发光二极管）M工作时为发光阶段S1和擦黑阶段S2交替进行，在发光阶段S1内mini-LED（微型发光二极管）M发出光线，在擦黑阶段S2内mini-LED（微型发光二极管）M不发出光线。
具体的，发光阶段S1可以包括通电阶段S11和电压维持阶段S12，在通电阶段S11内驱动单元输入信号后mini-LED（微型发光二极管）M开始工作发出光线，在电压维持阶段S12内通过存储电容C维持mini-LED（微型发光二极管）M持续工作发出光线。
具体的，在发光阶段S1的通电阶段S11内，开关薄膜晶体管T1和驱动薄膜晶体管T2打开，驱动薄膜晶体管T2打开使得所述VDD信号端的信号驱使mini-LED（微型发光二极管）M发光，在发光阶段S1的电压维持阶段S12内，开关薄膜晶体管T1关闭，存储电容C维持驱动薄膜晶体管T2打开并使mini-LED（微型发光二极管）M维持发光。
在擦黑阶段S2内，开关薄膜晶体管T1打开，数据线Data的信号通过开关薄膜晶体管T1传输至存储电容C的第一电容电极c1和驱动薄膜晶体管T2的栅极，此时驱动薄膜晶体管T2关闭，存储电容C复位，mini-LED（微型发光二极管）M不工作、不发出光线。
进一步详细的描述背光模组的工作过程，在一些实施例和实施情况中，VDD信号端一直供给高电位（例如20V）、VSS信号端一直供给低电位（例如0V）。背光模组的工作阶段主要分为两个阶段：发光阶段S1和擦黑阶段S2。背光模组的工作阶段实现方式为：扫描线Scan和数据线data同时供给各自对应的高电位，此时开关薄膜晶体管T1打开，将数据线Data的高电位写入A点（A点电性联通开关薄膜晶体管T1的漏极、驱动薄膜晶体管T2的栅极、以及存储电容C的第一电容电极c1），因为A 点高电位，所以驱动薄膜晶体管T2打开，mini-LED（微型发光二极管）M导通，mini-LED（微型发光二极管）M可以发光，此后扫描线Scan和数据线Data关闭，因A点和VSS 信号端之间有一个存储电容C，所以A点的电位可以一直维持住，驱动薄膜晶体管T2持续打开，mini-LED（微型发光二极管）M持续发光。擦黑阶段S2：扫描线Scan的信号供给对应的高电位，数据线Data的信号供给对应的低电位，这样Ａ点写入低电位，开关薄膜晶体管T1关闭，mini-LED（微型发光二极管）M回路没有电流，mini-LED（微型发光二极管）M擦黑，即mini-LED（微型发光二极管）M不发光。
基于上述实施例，需要说明的是薄膜晶体管的源极、漏极是可以互换的，例如在图3示意的电路结构图中，每一驱动单元包括薄膜晶体管、存储电容C、VDD信号端、VSS信号端、扫描线Scan、数据线Data，薄膜晶体管包括开关薄膜晶体管T1和驱动薄膜晶体管T2，开关薄膜晶体管T1的栅极连接于扫描线Scan，开关薄膜晶体管T1的漏连接于数据线Data，开关薄膜晶体管T1的源极连接于存储电容C的第一电容电极c1和驱动薄膜晶体管T2的栅极，驱动薄膜晶体管T2的漏极连接于mini-LED（微型发光二极管）M的第二电极，驱动薄膜晶体管T2的源极连接于VSS信号端，存储电容的第二电容电极c2连接于VSS信号端，mini-LED（微型发光二极管）M的第一电极连接于VDD信号端。通过此薄膜晶体管与电容等结构构成的电路可以驱动mini-LED（微型发光二极管）M进行发光，从而为背光模组提供光源。
基于上述实施例，需要说明的是开关薄膜晶体管T1和驱动薄膜晶体管T2的开关电压信号由开关薄膜晶体管T1和驱动薄膜晶体管T2之内有源层（半导体层）的类型和特性决定，在一些实施例中，两者的栅极电压分别为高电位时开关薄膜晶体管T1和驱动薄膜晶体管T2打开，两者的栅极电压分别为低电位时开关薄膜晶体管T1和驱动薄膜晶体管T2关闭；在一些实施例中，两者的栅极电压分别为低电位时开关薄膜晶体管T1和驱动薄膜晶体管T2打开，两者的栅极电压分别为高电位时开关薄膜晶体管T1和驱动薄膜晶体管T2关闭。
实施例五
在本实施例中，请参阅图9，本申请还提出了一种显示面板3000，显示面板3000包括上述实施例中的背光模组1000。例在如图9中，液晶盒2000设置在背光模组1000上，背光模组1000为显示面板3000提供光源进行显示。
请参阅图10，本申请还提出了一种电子装置5000，电子装置包括上述显示面板3000，电子装置5000可以为电视、电脑等，但不限于此，电子装置5000还可以包括外壳等其他部件4000。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (20)

  1. 一种背光模组，其包括
    玻璃基底；
    多个驱动单元，多个所述驱动单元形成于所述玻璃基底上，每一所述驱动单元包括薄膜晶体管；
    多个微型发光二极管，多个所述微型发光二极管设于所述玻璃基底上，每一所述微型发光二极管包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极连接于对应的所述驱动单元，其中，所述驱动单元包括开关模块、驱动模块及存储模块，所述开关模块的一端分别连接于所述驱动模块和所述存储模块，所述驱动模块连接于所述微型发光二极管。
  2. 根据权利要求1所述的背光模组，其中，
    每一所述驱动单元还包括VDD信号端和VSS信号端，所述开关模块包括开关薄膜晶体管，所述驱动模块包括驱动薄膜晶体管，所述存储模块包括存储电容，所述开关薄膜晶体管的栅极连接于扫描线，所述开关薄膜晶体管的源极连接于数据线，所述开关薄膜晶体管的漏极连接于所述存储电容的第一电容电极和所述驱动薄膜晶体管的栅极，所述驱动薄膜晶体管的源极连接于所述微型发光二极管的所述第二电极，所述驱动薄膜晶体管的漏极连接于所述VSS信号端，所述存储电容的第二电容电极连接于所述VSS信号端，所述微型发光二极管的所述第一电极连接于所述VDD信号端。
  3. 根据权利要求2所述的背光模组，其中，还包括：
    第一金属层，设置于所述玻璃基底上，所述第一金属层包括所述驱动薄膜晶体管的所述栅极；
    栅极绝缘层，设置于所述玻璃基底和所述第一金属层上；
    有源层，设置于所述栅极绝缘层上并位于所述驱动薄膜晶体管的所述栅极的一侧；
    第二金属层，设置于所述栅极绝缘层和所述有源层上，所述第二金属层包括所述驱动薄膜晶体管的所述源极和所述漏极，所述驱动薄膜晶体管的所述源极和所述漏极连接于所述有源层；
    层间绝缘层，设置于所述第二金属层上，所述层间绝缘层设有通孔，所述微型发光二极管的所述第二电极通过所述通孔电性连接于所述驱动薄膜晶体管的所述漏极。
  4. 根据权利要求3所述的背光模组，其中，
    所述第一金属层还包括多个接触电极，每一所述驱动单元中所述接触电极包括第一接触电极和第二接触电极，所述第一接触电极的两端分别连接于所述VDD信号端和所述微型发光二极管的所述第一电极，所述第二接触电极的两端分别连接于所述微型发光二极管的所述第二电极和所述驱动薄膜晶体管的所述漏极；或
    所述第二金属层还包括多个接触电极，每一所述驱动单元中所述接触电极包括第一接触电极和第二接触电极，所述第一接触电极的两端分别连接于所述VDD信号端和所述微型发光二极管的所述第一电极，所述第二接触电极的两端分别连接于所述微型发光二极管的所述第二电极和所述驱动薄膜晶体管的所述漏极。
  5. 根据权利要求4所述的背光模组，其中，
    所述第一金属层或第二金属层为铜，所述有源层为非晶硅。
  6. 根据权利要求3所述的背光模组，其中，
    所述第一金属层还包括所述存储电容的所述第一电容电极，所述第二金属层还包括所述存储电容的所述第二电容电极。
  7. 根据权利要求2所述的背光模组，其中，
    在发光阶段的通电阶段内，所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管打开，所述驱动薄膜晶体管打开使得所述VDD信号端的信号驱使所述微型发光二极管发光，在所述发光阶段的电压维持阶段内，所述开关薄膜晶体管关闭，所述存储电容维持所述驱动薄膜晶体管打开并使所述微型发光二极管维持发光；
    在擦黑阶段内，所述开关薄膜晶体管打开，所述数据线的信号通过所述开关薄膜晶体管传输至所述存储电容的第一电容电极和所述驱动薄膜晶体管的所述栅极，此时所述驱动薄膜晶体管关闭，所述存储电容复位。
  8. 根据权利要求6所述的背光模组，其中，
    所述VDD信号端的信号为高电位，所述VSS信号端的信号为低电位。
  9. 一种显示面板，其包括背光模组，所述背光模组包括：
    玻璃基底；
    多个驱动单元，多个所述驱动单元形成于所述玻璃基底上，每一所述驱动单元包括薄膜晶体管；
    多个微型发光二极管，多个所述微型发光二极管设于所述玻璃基底上，每一所述微型发光二极管包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极连接于对应的所述驱动单元，其中，所述驱动单元包括开关模块、驱动模块及存储模块，所述开关模块的一端分别连接于所述驱动模块和所述存储模块，所述驱动模块连接于所述微型发光二极管。
  10. 根据权利要求9所述的显示面板，其中，
    每一所述驱动单元还包括VDD信号端和VSS信号端，所述开关模块包括开关薄膜晶体管，所述驱动模块包括驱动薄膜晶体管，所述存储模块包括存储电容，所述开关薄膜晶体管的栅极连接于扫描线，所述开关薄膜晶体管的源极连接于数据线，所述开关薄膜晶体管的漏极连接于所述存储电容的第一电容电极和所述驱动薄膜晶体管的栅极，所述驱动薄膜晶体管的源极连接于所述微型发光二极管的所述第二电极，所述驱动薄膜晶体管的漏极连接于所述VSS信号端，所述存储电容的第二电容电极连接于所述VSS信号端，所述微型发光二极管的所述第一电极连接于所述VDD信号端。
  11. 根据权利要求10所述的显示面板，其中，还包括：
    第一金属层，设置于所述玻璃基底上，所述第一金属层包括所述驱动薄膜晶体管的所述栅极；
    栅极绝缘层，设置于所述玻璃基底和所述第一金属层上；
    有源层，设置于所述栅极绝缘层上并位于所述驱动薄膜晶体管的所述栅极的一侧；
    第二金属层，设置于所述栅极绝缘层和所述有源层上，所述第二金属层包括所述驱动薄膜晶体管的所述源极和所述漏极，所述驱动薄膜晶体管的所述源极和所述漏极连接于所述有源层；
    层间绝缘层，设置于所述第二金属层上，所述层间绝缘层设有通孔，所述微型发光二极管的所述第二电极通过所述通孔电性连接于所述驱动薄膜晶体管的所述漏极。
  12. 根据权利要求11所述的显示面板，其中，
    所述第一金属层还包括多个接触电极，每一所述驱动单元中所述接触电极包括第一接触电极和第二接触电极，所述第一接触电极的两端分别连接于所述VDD信号端和所述微型发光二极管的所述第一电极，所述第二接触电极的两端分别连接于所述微型发光二极管的所述第二电极和所述驱动薄膜晶体管的所述漏极；或
    所述第二金属层还包括多个接触电极，每一所述驱动单元中所述接触电极包括第一接触电极和第二接触电极，所述第一接触电极的两端分别连接于所述VDD信号端和所述微型发光二极管的所述第一电极，所述第二接触电极的两端分别连接于所述微型发光二极管的所述第二电极和所述驱动薄膜晶体管的所述漏极。
  13. 根据权利要求12所述的显示面板，其中，
    所述第一金属层或第二金属层为铜，所述有源层为非晶硅。
  14. 根据权利要求11所述的显示面板，其中，
    所述第一金属层还包括所述存储电容的所述第一电容电极，所述第二金属层还包括所述存储电容的所述第二电容电极。
  15. 一种电子装置，其包括显示面板，所述显示面板包括背光模组，所述背光模组包括：
    玻璃基底；
    多个驱动单元，多个所述驱动单元形成于所述玻璃基底上，每一所述驱动单元包括薄膜晶体管；
    多个微型发光二极管，多个所述微型发光二极管设于所述玻璃基底上，每一所述微型发光二极管包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极连接于对应的所述驱动单元，其中，所述驱动单元包括开关模块、驱动模块及存储模块，所述开关模块的一端分别连接于所述驱动模块和所述存储模块，所述驱动模块连接于所述微型发光二极管。
  16. 根据权利要求15所述的电子装置，其中，
    每一所述驱动单元还包括VDD信号端和VSS信号端，所述开关模块包括开关薄膜晶体管，所述驱动模块包括驱动薄膜晶体管，所述存储模块包括存储电容，所述开关薄膜晶体管的栅极连接于扫描线，所述开关薄膜晶体管的源极连接于数据线，所述开关薄膜晶体管的漏极连接于所述存储电容的第一电容电极和所述驱动薄膜晶体管的栅极，所述驱动薄膜晶体管的源极连接于所述微型发光二极管的所述第二电极，所述驱动薄膜晶体管的漏极连接于所述VSS信号端，所述存储电容的第二电容电极连接于所述VSS信号端，所述微型发光二极管的所述第一电极连接于所述VDD信号端。
  17. 根据权利要求16所述的电子装置，其中，还包括：
    第一金属层，设置于所述玻璃基底上，所述第一金属层包括所述驱动薄膜晶体管的所述栅极；
    栅极绝缘层，设置于所述玻璃基底和所述第一金属层上；
    有源层，设置于所述栅极绝缘层上并位于所述驱动薄膜晶体管的所述栅极的一侧；
    第二金属层，设置于所述栅极绝缘层和所述有源层上，所述第二金属层包括所述驱动薄膜晶体管的所述源极和所述漏极，所述驱动薄膜晶体管的所述源极和所述漏极连接于所述有源层；
    层间绝缘层，设置于所述第二金属层上，所述层间绝缘层设有通孔，所述微型发光二极管的所述第二电极通过所述通孔电性连接于所述驱动薄膜晶体管的所述漏极。
  18. 根据权利要求17所述的电子装置，其中，
    所述第一金属层还包括多个接触电极，每一所述驱动单元中所述接触电极包括第一接触电极和第二接触电极，所述第一接触电极的两端分别连接于所述VDD信号端和所述微型发光二极管的所述第一电极，所述第二接触电极的两端分别连接于所述微型发光二极管的所述第二电极和所述驱动薄膜晶体管的所述漏极；或
    所述第二金属层还包括多个接触电极，每一所述驱动单元中所述接触电极包括第一接触电极和第二接触电极，所述第一接触电极的两端分别连接于所述VDD信号端和所述微型发光二极管的所述第一电极，所述第二接触电极的两端分别连接于所述微型发光二极管的所述第二电极和所述驱动薄膜晶体管的所述漏极。
  19. 根据权利要求18所述的电子装置，其中，
    所述第一金属层或第二金属层为铜，所述有源层为非晶硅。
  20. 根据权利要求17所述的电子装置，其中，
    所述第一金属层还包括所述存储电容的所述第一电容电极，所述第二金属层还包括所述存储电容的所述第二电容电极。
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